KR20060003641A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR20060003641A
KR20060003641A KR1020040052606A KR20040052606A KR20060003641A KR 20060003641 A KR20060003641 A KR 20060003641A KR 1020040052606 A KR1020040052606 A KR 1020040052606A KR 20040052606 A KR20040052606 A KR 20040052606A KR 20060003641 A KR20060003641 A KR 20060003641A
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Abstract

본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널이 개시된다. 상기 플라즈마 디스플레이 패널은, 서로 대향되게 배치된 상측기판 및 하측기판, 상측기판과 하측기판 사이에 배치되어 상측기판 및 하측기판과 함께 복수 개의 서브픽셀들을 한정하고, 그 상측의 적어도 일부에는 양극성물질층이 형성되어 있는 격벽, 일 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 연장되고, 각각 공통전극 및 주사전극의 쌍으로 이루어진 방전유지전극쌍들, 다른 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 상기 방전유지전극쌍들과 교차하도록 배치된 어드레스전극들, 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮고 있는 상측유전체층 및 하측유전체층, 서브픽셀들 내에 도포된 적색, 녹색, 청색 형광체, 및 서브픽셀들 내에 봉입된 방전가스를 포함한다. 개시된 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 모든 서브픽셀들에 걸쳐 균일한 어드레스전압이 인가될 수 있고, 방전불량 및 방전 불균일이 방지된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel}
도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 단면도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 분해사시도,
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면도,
도 4는 양극성물질층의 높이에 따른 어드레스전압 마진을 도시한 프로파일,
도 5는 도 2에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널에서 어드레스방전 직후의 전하분포를 도시한 단면도,
도 6은 양극성물질층의 높이 및 이격거리에 따른 오방전 서브픽셀 수를 도시한 프로파일,
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 분해사시도,
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 취한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
111,211 : 상측기판 112,212 : 공통전극
113,213 : 주사전극 114,214 : 상측유전체층
115,215 : 보호층 116,216 : 방전유지전극쌍
121,221 : 하측기판 122,222 : 어드레스전극
123,223 : 하측유전체층 124,224 : 격벽
124a,224a : 가로격벽부 124b,224b : 세로격벽부
125,225 : 형광체 130,230 : 서브픽셀
본 발명은 가스방전을 이용하여 화상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모든 서브픽셀들에 걸쳐서 균일한 어드레스전압이 인가될 수 있고, 방전불량 및 방전 불균일이 방지되는 개선된 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
최근, 평판 디스플레이 장치로서 플라즈마 디스플레이 패널을 채용한 장치는 대화면을 가지면서도, 고화질, 초박형, 경량화 및 광시야각의 우수한 특성을 갖고 있으며, 다른 평판 디스플레이 장치에 비해 제조방법이 간단하고 대형화가 용이하여 차세대 대형 평판 디스플레이 장치로서 각광을 받고 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 인가되는 방전전압에 따라 직류(DC)형, 교류(AC)형 및 혼합형(Hybrid)형으로 분류되고, 방전구조에 따라 대향 방전형 및 면 방전형으로 분류된다. 최근 국내외에서 생산되고 있는 대부분의 플라즈마 디스플레이 패널은 3전극 면 방전형 플라즈마 디스플레이 패널이다.
도 1은 종래 3전극 면 방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도이다. 일반 적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은, 상측패널(10) 및 이에 대향되게 접합되는 하측패널(20)을 구비하는데, 설명의 편의를 위해, 상측패널(10)은 L-L 선을 경계로 90도 회전된 상태로 도시되었다. 도면을 참조하면, 상측기판(11)의 하면에는 방전유지전극쌍(16)이 배치되어 있으며, 이들을 매립하는 상측유전체층(14) 및 상측유전체층(14)을 덮는 보호층(15)이 순차로 형성되어 있다. 여기서, 상기 방전유지전극쌍(16)의 일 전극은 공통전극(12)이 되고, 다른 전극은 주사전극(13)이 된다.
한편, 하측기판(21)의 상면에는 방전유지전극쌍(16)과 교차되게 연장된 어드레스전극(22)과 이들을 매립하는 하측유전체층(23)이 형성되어 있다. 하측유전체층(23) 상에는 격벽(24)이 형성되어 복수 개의 서브픽셀들(R,G,B)이 구획된다. 격벽(24)에 둘러싸인 하측유전체층(23) 상에서 격벽(24)의 측면에 걸쳐서는 형광체(25R,25G,25B)가 도포된다. 형광체(25)는 방전에 의해 발생된 플라즈마에서 방사되는 진공자외선을 받아, 가시광으로 변환하는 역할을 한다. 각 서브픽셀들(R,G,B)에는 적색 형광체(25R), 녹색 형광체(25G), 및 청색 형광체(25B)가 택일적으로 도포되고, 도포된 형광체의 종류에 따라 각 서브픽셀은 적색발광 서브픽셀(R), 녹색발광 서브픽셀(G), 및 청색발광 서브픽셀(B)로 구분된다. 한편, 이러한 서브픽셀들 내에는 방전가스(미도시)가 봉입된다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 어드레스전극(22)과 주사전극(13) 간에 어드레스전압이 인가됨으로써, 어드레스방전이 일어나고, 이 어드레스방전의 결과로 유지방전이 일어날 서브픽셀이 선택된다. 그 후 상기 선택된 서브픽셀의 공통전극(12)과 주사전극(13) 사이에 교류인 유지방전전압이 인가되면, 공통전 극(12)과 주사전극(13) 간에 유지방전이 일어난다. 이 유지방전에 의하여 여기된 방전가스의 에너지 준위가 낮아지면서 자외선이 방출된다. 그리고 이 자외선이 서브픽셀 내에 도포된 형광체(25)를 여기시키는데, 여기된 형광체(25)의 에너지준위가 낮아지면서 가시광이 방출되며, 방출된 가시광이 화상을 구성하게 된다.
그런데, 녹색 형광체(25G)로 사용되는 Zn2SiO4:Mn 등과 같은 징크 실리케이트(zinc silicate) 계열의 형광체는 표면전위가 음극(-)인 음극성을 가지는 반면에, 적색 형광체(25R) 및 청색 형광체(25B)는 표면전위가 양극(+)인 양극성을 가진다. 어드레스방전에 있어서, 적색발광 서브픽셀(R) 및 청색발광 서브픽셀(B)에는 표면전위가 (+)인 형광체가 배치되어 있으므로, 어드레스전압이 상승하게 되는 효과가 있으나, 녹색발광 서브픽셀(G)의 경우에는 표면전위가 (-)인 형광체가 배치되어 어드레스전압이 저하되는 효과가 발생한다. 따라서, 녹색발광 서브픽셀(G)에는 적색발광 서브픽셀(R)이나 청색발광 서브픽셀(B)에 비해 더 높은 어드레스전압을 인가해야 하고(적색발광 서브픽셀(R)과 청색발광 서브픽셀(B)에서의 어드레스전압은 약 165~190V인 반면, 녹색발광 서브픽셀(G)에서의 어드레스전압은, 약 175~190V가 된다.), 동일한 어드레스전압이 인가되는 경우에는, 녹색발광 서브픽셀(G)에 충분한 벽전압이 형성되지 못한다. 이 경우, 이후에 진행되는 유지방전에 영향을 주게 되어, 방전 불균일이나 방전불량이 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점 및 그 밖의 문제점을 해결하기 위하여, 모든 서브픽셀들에 걸쳐서 어드레스전압이 균일하게 인가될 수 있고, 방전 불균일 및 방 전불량이 방지되는 개선된 구조의 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 전술한 목적을 달성하면서도, 오방전이 방지되고, 형광체의 색순도 및 경시열화도가 향상되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은,
서로 대향되게 배치된 상측기판 및 하측기판;
상기 상측기판과 하측기판 사이에 배치되어 상기 상측기판 및 하측기판과 함께 복수 개의 서브픽셀들을 한정하고, 그 상측의 적어도 일부에는 양극성물질층이 형성되어 있는 격벽;
일 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 연장되고, 각각 공통전극 및 주사전극의 쌍으로 이루어진 방전유지전극쌍들;
다른 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 상기 방전유지전극쌍들과 교차하도록 배치된 어드레스전극들;
상기 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮고 있는 상측유전체층 및 하측유전체층;
상기 서브픽셀들 내에 도포된 적색, 녹색, 청색 형광체; 및
상기 서브픽셀들 내에 봉입된 방전가스;를 포함한다.
여기서, 바람직하게, 상기 격벽은 일 방향으로 연장된 가로격벽부 및 상기 가로격벽부와 교차하는 방향으로 연장된 세로격벽부를 포함하고, 상기 양극성물질층은 상기 가로격벽부 상에 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 가로격벽부를 따라 요홈이 형성되어 있고, 상기 양극성물질층은 적어도 상기 요홈을 채우도록 형성된다.
본 발명에 있어서, 바람직하게, 상기 양극성물질층의 높이는 3μm 내지 13μm 이고, 주사전극과 인접한 가로격벽부 간의 이격거리는 40μm 내지 200μm 이다.
본 발명에 있어서, 양극성물질층은 YBO3:Tb가 도포되어 형성될 수 있고, 상기 녹색 형광체는 징크 실리케이트(zinc silicate) 계열의 형광체일 수 있다.
이어서, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 관하여 상세히 설명한다.
도 2에는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널이 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 본 실시예의 플라즈마 디스플레이 패널은 상측패널(110), 및 상기 상측패널(110)과 대향되게 접합되는 하측패널(120)을 구비한다.
상기 상측패널(110)은 상측기판(111), 상기 상측기판(111) 하측에 소정의 패턴으로 복수 개 형성된 방전유지전극쌍(116)들, 상기 방전유지전극쌍(116)들을 매립하는 상측유전체층(114), 및 상기 상측유전체층(114)을 덮는 보호층(115)을 구비한다.
상기 상측기판(111)은 유리를 주재료로 한 투명한 재료로 형성되는 것이 일 반적이다. 상기 방전유지전극쌍(116)이라 함은 주방전을 일으키기 위하여 상측기판(111)의 하면에 형성된 한 쌍의 방전유지전극들(112,113)을 의미하고, 상기 상측기판(111)에는 이러한 방전유지전극쌍(116)이 소정의 간격으로 평행하게 배열되어 있다. 이 방전유지전극쌍(116) 중 일 방전유지전극은 공통전극(112)이고, 다른 방전유지전극은 주사전극(113)이다.
상기 공통전극(112) 및 주사전극(113) 각각은 투명전극(112a,113a) 및 버스전극(112b,113b)을 구비하는 것이 일반적이나, 경우에 따라서 투명전극 없이 버스전극 만으로 주사전극과 공통전극이 구성될 수도 있다. 상기 투명전극(112a, 113a)은 방전을 일으킬 수 있는 도전체이면서 형광체로부터 방출되는 빛이 상측기판(111)으로 나아가는 것을 방해하지 않는 투명한 재료로 형성되는데, 이와 같은 재료로서는 ITO(indium tin oxide) 등이 있다. 상기 투명전극(112a,113a)의 외측단부에는 도전성 금속으로 형성되는 버스전극(112b,113b)이 형성된다. 상기 버스전극(112b,113b)은 방전유지전극쌍(116)들의 전기전도도를 개선하는 역할을 하는바, 도전성이 우수한 금속재료, 예를 들면, 알루미늄, 은 등의 단일 금속층 또는 크롬-구리-크롬의 3중 금속층 등으로 구비될 수 있다.
상기 상측유전체층(114)은 공통전극(112) 및 주사전극(113)이 직접 통전되는 것과 양이온 또는 전자가 방전유지전극쌍(116)에 충돌하여 방전유지전극쌍(116)이 손상되는 것을 방지하고, 전하를 유도하여 벽전하의 축적을 돕는 역할을 한다. 상측유전체층(114)은 PbO, B2O3, SiO2 등의 유전체로 형성될 수 있다.
상기 보호층(115)은 필수적인 구성요소는 아니나, 형성되는 것이 바람직한 데, 보호층(115)은 방전시 양이온과 전자가 상측유전체층(114)에 충돌하여 상측유전체층(114)이 손상되는 것을 방지하고, 2차전자가 많이 방출되도록 한다. 보호층(115)으로는, 통상적으로는 MgO막이 사용될 수 있다.
한편, 하측패널(120)은 하측기판(121), 하측기판(121) 상에 소정의 패턴으로 형성된 복수의 어드레스전극(122)들, 어드레스전극(122)들을 매립하는 하측유전체층(123)을 포함하며, 하측유전체층(123) 상에 형성되어 복수 개의 서브픽셀(130)들을 구획하는 격벽(124), 상기 서브픽셀(130)들의 내측에 배치된 형광체(125)를 포함한다.
상기 하측기판(121)은 어드레스전극(122)들, 하측유전체층(123) 등을 지지하는 기능을 하며, 통상적으로는 유리를 주재료로하여 형성된다. 상기 어드레스전극(122)들은 상기 공통전극(112)과 주사전극(113) 간의 주방전을 보다 용이하게 하기 위한 어드레스방전을 일으키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로는 주방전이 일어나기 위한 전압을 낮추는 역할을 한다. 상기 어드레스전극(122)은 방전유지전극쌍(116)과 교차하도록 형성되는데, 도 2에서 볼 수 있듯이, 일 방향(y방향)으로 연장되는 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 하측유전체층(123)은 방전시 양이온 또는 전자가 어드레스전극(122)에 충돌하여 어드레스전극(122)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 하는데, PbO, B2O3, SiO2 등으로 형성될 수 있다.
도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 격벽(124)은 x방향으로 연장되는 가로격벽부(124a) 및 y방향으로 연장되는 세로격벽부(124b)를 구비하여 매트릭스 패턴으로 형 성될 수 있다. 이러한 격벽(124)은, 상측기판(111)과 하측기판(121) 사이의 방전공간을 복수의 서브픽셀(130)들로 구획함으로써, 서브픽셀들간의 광학적 및 전기적인 크로스토크를 방지한다.
본 발명에 있어서 격벽 상의 적어도 일부에는 표면전위가 양극(+)인 양극성물질층(150)이 형성되는데, 예를 들어, 도 3에서 볼 수 있듯이, 가로격벽부(124a) 상에 양극성물질층(150)이 형성될 수 있다. 이러한 양극성물질층(150)은, 예를 들어, YBO3:Tb와 같은 양극(+)의 표면전위를 가지는 녹색계열의 형광체가 도포되어 형성될 수 있다. 양극성물질층(150)은 녹색 형광체(125G)의 음극(-) 표면전위를 상쇄시킴으로써, 어드레스방전을 통해 녹색발광 서브픽셀(G)에 충분한 벽전압이 생성될 수 있고, 이에 따라 이후에 진행되는 유지방전에서 방전불량이나 방전 불균일 등이 방지될 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 표면전위의 극성으로 인한 방전불량을 방지하면서도, 녹색발광 서브픽셀(G)에 도포되는 형광체(125G)는 징크 실리케이트(zinc silicate) 계열의 형광체를 사용함으로써, 높은 레벨(level)의 색순도를 유지하고, 형광체의 열화를 완화시킬 수 있다. 이는 고휘도 및 장수명의 플라즈마 디스플레이 패널이 제공됨을 의미한다. 한편, 상기 양극성물질층(150)은 다양한 도포방법으로 형성될 수 있는데, 예를 들어, 디스펜서 노즐을 통해 양극성 형광체 페이스트를 가로격벽부(124a) 상측에 토출하는 방식으로 형성될 수 있다.
상기 양극성물질층(150)의 높이(H)가 소정의 높이 이상으로 설정되지 않으면, 양극성물질층(150)에 의한 표면전위 중화효과를 거두기 어렵다. 도 4에는 이러 한 양극성물질층(150)의 적절한 설계높이(H)를 설정하기 위한 실험결과가 정리되어 있다. 본 실험에서는, 양극성물질층(150)의 높이(H)에 따른 어드레스전압 마진(VA1-VA2)을 측정하였다. 여기서, 어드레스전압 마진(VA1-VA2)은, 적색 또는 청색발광 서브픽셀(R,B)에서 어드레스방전을 일으키기 위한 어드레스전압(VA1)과 녹색발광 서브픽셀(G)에서 어드레스방전을 일으키기 위한 어드레스전압(VA2)의 차이(VA1-VA2)를 의미한다. 본 실험에서, 양극성물질층으로는, YBO3:Tb를 사용하였고, 녹색 형광체로는, 징크 실리케이트 계열의 Zn2SiO4:Mn을 사용하였다.
도면에서 볼 수 있듯이, 어드레스전압 마진(VA1-VA2)은 양극성물질층(150)이 형성되지 않은 경우(H = 0μm)의 -10V로부터 양극성물질층(150)의 높이(H)가 증가함에 따라 증가하게 된다. 여기서, 양극성물질층(150)의 높이가 3μm 미만의 경우에는 전압마진(VA1-VA2)이 음(-)의 값을 갖는다. 음(-)의 전압마진(VA1-VA2)을 가진다는 것은 녹색발광 서브픽셀(G)에서는 적색이나 청색발광 서브픽셀(R,B)에 비해 더 높은 수준의 어드레스전압이 인가되어야만 어드레스방전이 실행된다는 것을 의미하는 것으로, 양극성물질층(150)의 높이가 3μm 미만인 경우에는 양극성물질층(150)에 의한 표면전위 중화효과가 충분히 발휘되지 못하기 때문이다. 따라서, 양극성물질층(150)의 높이는 최소 3μm 이상으로 설계되는 것이 바람직하다.
한편, 도 5는 가로격벽부(124a) 상에 양극성물질층(150)이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 어드레스방전이 실행된 직후 일 서브픽셀(G)의 벽전하 상태를 도시한 도면이다. 도면을 참조하면, 어드레스방전 결과, 주사전극(113)에는 양극(+)의 벽전하가 축적되고, 공통전극(112)에는 음극(-)의 벽전하가 축적된다. 여기서, 가로격벽부(124a) 상에 형성된 양극성물질층(150)은 대전성을 가지고 있어, 도면에서 볼 수 있듯이, 음극(-)의 벽전하가 축적되게 된다.
일반적으로, 양극성물질층(150) 및 상측패널(110) 사이에는 갭 공간(S)이 존재하게 되는데, 이러한 갭 공간(S)은 격벽 형성공정 상의 가공오차로 인하여 격벽이 동일한 높이로 균일하게 형성되지 못하기 때문에 발생된다. 이러한 갭 공간(S)을 통해, 주사전극(113)과 양극성물질층(150) 사이에 방전(P2)이 실행될 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이, 주사전극(113)에는 양극(+) 벽전하가 축적되고, 가로격벽부(124a) 상의 양극성물질층(150)에는 음극(-)의 벽전하가 축적되는바, 주사전극(113)에 유지방전전압이 인가되면, 주사전극(113)과 양극성물질층(150) 사이에 방전(P2)이 실행될 수 있다. 이 경우, 공통전극(112)과 주사전극(113) 사이에는 약한 방전(P1)이 실행되거나(이 경우에는 충분한 발광휘도를 얻을 수 없다.), 심한 경우, 방전이 실행되지 않는 등의 문제가 발생된다.
본 실시예에 있어서는 이러한 양극성물질층(150)과의 오방전을 방지하기 위해, 양극성물질층(150)과 주사전극(113)간의 거리를 소정의 값 이상으로 유지하도록 하는데, 양극성물질층(150)의 높이(H)에 따라 요구되는 거리가 변화하게 되므로, 양극성물질층(150)의 높이(H), 및 주사전극(113)과 가로격벽부(124a) 간의 이격거리(L)를 설계변수로 하는 것이 바람직하다. 참고적으로, 양극성물질층(150)과 상측패널 간의 갭 크기(d)는 공정상의 오차에 기인한 것으로, 인위적으로 조정될 수 없다.
이러한 양극성물질층(150)의 높이(H) 및 주사전극(113)과 가로격벽부(124a) 간의 이격거리(L)는 도 6의 실험을 통하여 얻어진 데이터에 근거하여 설정될 수 있다. 상기 실험에서는 양극성물질층(150)의 높이(H)를 3μm ~ 14μm 로 변화시키면서 오방전이 일어나는 서브픽셀 수를 측정하였다. 여기서, 상기 하한 값(H = 3μm)은 양극성물질층(150)이 이보다 낮게 형성되면, 양극성물질층(150)에 의한 극성 중화효과가 달성되기 어렵기 때문이다(도 4 참조).
본 실험은 종횡으로 3열씩 배열된 9개의 녹색발광 서브픽셀들을 실험대상으로 선정하였고, 양극성물질층(150)의 높이(H) 및 이격거리(L)를 변화시키면서 오방전이 실행되는 서브픽셀들의 수를 측정하였다. 여기서, 오방전은 충분한 발광휘도가 얻어지지 않거나 방전이 실행되지 않는 것을 의미한다.
도 6에서 볼 수 있듯이, 모든 범위의 양극성물질층(150) 높이(H = 3μm ~ 14μm)에서, 이격거리(L)가 증가함에 따라 오방전이 발생하는 서브픽셀 수가 감소하는 경향을 보인다. 보다 상세하게, 양극성물질층(150)의 높이(H)가 3μm ~ 13μm인 경우, 이격거리(L)가 0μm 에서 40μm 로 증가함에 따라 오방전이 감소하게 되고, 이격거리(L)가 40μm 이상에서는 오방전이 발생하지 않고, 실험대상인 9개의 서브픽셀들 모두에서 유지방전이 원활히 실행되었다. 양극성물질층(150)의 높이(H)가 14μm 인 경우에는, 상대적으로 오방전의 감소경향이 상당히 둔화되어, 이격거리(L)가 0에서 180μm로 증가함에 따라 오방전이 서서히 감소하고, 이격거리(L)가 180μm 이상에서는 오방전이 발생하지 않게 된다.
본 실험의 결과에서 볼 수 있듯이, 극성 중화효과가 달성되면서도, 오방전이 방지되기 위해서는, 양극성물질층(150)의 높이(H)가 3μm ~ 13μm 이면서, 주사전 극(113)과 가로격벽부(124a) 간의 이격거리(L)가 40μm 이상으로 유지되는 것이 바람직하다. 다만, 발광효율 측면에서, 주사전극(113)과 가로격벽부(124a) 간의 이격거리(L)는 200μm 이하로 유지되는 것이 바람직하고, 같은 이유에서, 양극성물질층(150)의 높이(H)가 14μm 인 경우에는 이격거리(L)가 180μm 이상으로 유지되면 오방전이 방지될 수는 있으나, 과도한 이격거리(L)가 요구되는 바, 양극성물질층(150)의 높이(H)는 3μm ~ 13μm 로 설정되는 것이 보다 바람직할 것이다.
한편, 이러한 주사전극(113)과 가로격벽부(124a) 간의 이격거리(L)는 공통전극(112)과 인접한 가로격벽부(124a) 간에도 유지될 수 있다. 이 경우, 공통전극(112) 및 주사전극(113)이 서브픽셀의 중앙을 가로질러 배치되는바, 전계의 중앙집중에 의한 플라즈마의 생성을 촉진할 수 있고, 격벽과의 충돌에 의한 플라즈마의 소멸이 방지될 수 있다.
도 2를 참조하면, 격벽(124)에 둘러싸인 하측유전체층(123) 상에서 격벽(124)의 측면에 걸쳐 형광체(125)가 도포된다. 각 서브픽셀(130)들은 도포된 형광체(125)의 종류에 따라 적색발광 서브픽셀(R), 녹색발광 서브픽셀(G), 청색발광 서브픽셀(B)로 구분된다. 형광체(125)는 방전에 의해 발생된 플라즈마에서 방사되는 진공자외선을 받아 이를 가시광선으로 변환하는 성분을 포함하는데, 예를 들어, 적색 형광체(125R)로는 Y(V,P)O4:Eu 등이 있고, 청색 형광체(125B)로는 BAM:Eu 등이 사용될 수 있다. 여기서, 녹색 형광체(125G)로는 Zn2SiO4:Mn 등과 같은 징크 실리케이트 계열의 형광체가 사용될 수 있다. 도면에 도시되지는 않았으나, 서브픽셀(130)에는 Ne, Xe 등 및 이들의 혼합기체와 같은 방전가스가 봉입된다.
도 7 및 도 8에는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널이 도시되어 있는데, 도 7은 분해사시도이며, 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 취한 단면도이다. 본 실시예의 플라즈마 디스플레이 패널은, 도 2 및 도 3에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널과 아래에서 기술하는 사항이외에는 동일한 작용 및 효과를 갖는 동일한 구성요소를 구비하고 있다.
도면들을 참조하면, 본 실시예에서도, 격벽(224)은 가로격벽부(224a) 및 세로격벽부(224b)를 구비하는데, 제1실시예에서와 달리, 가로격벽부(224a)를 따라 요홈(224`)이 형성되어 있고, 상기 요홈(224`)에는 양극성물질층(250)이 채워져 있다. 이러한 양극성물질층(250)은, 예를 들어, YBO3:Tb와 같은 양극(+)의 표면전위를 가지는 녹색계열의 형광체가 도포되어 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 양극성물질층(250)이 요홈(224`)에 채워짐으로써, 도포과정에서, 양극성물질층(250)이 흘러 다른 발광색의 형광체, 예를 들어, 적색 형광체(225R)와 혼색되는 현상을 방지할 수 있다.
이외에, 상측기판(211), 공통전극(212) 및 주사전극(213)의 쌍으로 이루어지는 방전유지전극쌍(216), 상측유전체층(214), 보호층(215) 등의 상측패널(210)에 관한 사항 및, 하측기판(221), 어드레스전극(222), 하측유전체층(223), 격벽(224), 형광체(225) 등의 하측패널(220)에 관한 사항은 사실상 제1실시예에서 설명된 사항과 동일하다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에 따르면, 다음과 같은 효과를 달성할 수 있다.
첫째, 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스전압을 낮출 수 있다. 본 발명에 따르면, 격벽 상에 소정의 높이로 양극성 대전경향을 가지는 양극성물질층을 형성함으로써, 징크 실리케이트 계열의 녹색 형광체가 가지는 음극성 대전경향을 중화시킬 수 있고, 이에 따라, 모든 서브픽셀에 걸쳐 균일한 어드레스전압으로 원활한 어드레싱 효과가 달성될 수 있다. 이는 방전 불균일이나 방전불량이 방지되고, 어드레스전압의 마진 폭이 증가되는 결과를 가져온다.
둘째, 전술한 효과를 달성하면서도, 녹색발광 서브픽셀에는 징크 실리케이트 계열의 형광체를 사용함으로써, 형광체의 색순도 저하 및 형광체의 경시열화도가 저하되는 것이 방지된다. 따라서, 고휘도 및 장수명의 플라즈마 디스플레이 패널이 제공된다.
셋째, 본 발명에 따르면, 방전 안정성이 향상됨과 아울러, 격벽 상에 형성된 양극성물질층에 의한 오방전이 방지된다. 즉, 양극성물질층의 높이에 따른 방전전극과 양극성물질층간의 이격거리에 대한 설계범위를 제공함으로써, 방전전극과 양극성물질층 간의 오방전이 방지될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 서로 대향되게 배치된 상측기판 및 하측기판;
    상기 상측기판과 하측기판 사이에 배치되어 상기 상측기판 및 하측기판과 함께 복수 개의 서브픽셀들을 한정하고, 그 상측의 적어도 일부에는 양극성물질층이 형성되어 있는 격벽;
    일 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 연장되고, 각각 공통전극 및 주사전극의 쌍으로 이루어진 방전유지전극쌍들;
    다른 방향으로 연속배치된 서브픽셀들에 걸쳐서 상기 방전유지전극쌍들과 교차하도록 배치된 어드레스전극들;
    상기 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮고 있는 상측유전체층 및 하측유전체층;
    상기 서브픽셀들 내에 도포된 적색, 녹색, 청색 형광체; 및
    상기 서브픽셀들 내에 봉입된 방전가스;를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격벽은 일 방향으로 연장된 가로격벽부 및 상기 가로격벽부와 교차하는 방향으로 연장된 세로격벽부를 포함하고, 상기 양극성물질층은 상기 가로격벽부 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가로격벽부를 따라 요홈이 형성되어 있고, 상기 양극성물질층은 적어도 상기 요홈을 채우는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 양극성물질층의 높이는 3μm 내지 13μm 이고,
    주사전극과 인접한 가로격벽부 간의 이격거리는 40μm 내지 200μm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양극성물질층은 YBO3:Tb가 도포되어 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 녹색 형광체는 징크 실리케이트(zinc silicate) 계열의 형광체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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