KR20060001507A - Anode substrate for electron emission display device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 형광층의 휘도와 색재현성을 향상시키기 위해 소정의 요철 형상을 갖는 애노드기판에 관한 것으로, 기판, 기판의 일면에 형성되며 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층, 및 적어도 형광층의 일부를 덮는 금속 반사막을 포함하며, 금속 반사막은 표면에 요철 형상을 갖는 전자방출 표시장치용 애노드기판을 제공한다.
The present invention relates to an anode substrate having a predetermined concave-convex shape in order to improve the brightness and color reproducibility of the fluorescent layer. The present invention relates to a substrate, a fluorescent layer formed on one surface of the substrate and emitting light by collision of electrons, and at least a portion of the fluorescent layer. And a metal reflective film covering the surface, wherein the metal reflective film provides an anode substrate for an electron emission display device having a concave-convex shape on a surface thereof.

전자방출 표시장치, 형광층, 중간막, 금속반사막, 소성Emission Display Device, Fluorescent Layer, Interlayer, Metal Reflective Film, Firing

Description

전자방출 표시장치용 애노드기판 및 이의 제조방법{ANODE SUBSTRATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}ANODE SUBSTRATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

도 1은 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a portion of a conventional electron emission display device.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 금속반사막을 구비하는 애노드기판을 포함하는 전자방출 표시장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an electron emission display device including an anode substrate having a metal reflective film according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 3g는 도 2의 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조공정 단면도이다.
3A to 3G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the anode substrate for an electron emission display device of FIG. 2.

본 발명은 전자방출 표시장치용 애노드기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 소정의 요철 형상을 갖는 금속반사막을 구비하는 전자방출 표시장치용 애노드기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anode substrate for an electron emission display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an anode substrate for an electron emission display device having a metal reflective film having a predetermined concavo-convex shape, and a method for manufacturing the same.

일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.In general, an electron emission device has a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source. The electron-emitting devices using the cold cathode are FEA (Field Emitter Array) type, SCE (Surface Conduction Emitter) type, MIM (Metal-Insulator-Metal) type, MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) type, BSE (Ballistic) electron surface emitting) and the like are known.

FEA 형 전자방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용하여 진공 중에서 전계차에 의하여 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질 또는 나노물질을 전자 방출원을 적용한 소자가 개발되고 있다.The FEA type electron emitting device uses a low work function or high β function as an electron emission source and uses the principle that electrons are emitted by electric field difference in vacuum. In addition, devices using electron emission sources for nanomaterials have been developed.

SCE 형 전자방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 전극에 전압을 인가하여 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device is a device in which an electron emission part is formed by providing a conductive thin film between two electrodes disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film. The device utilizes a principle that electrons are emitted from the electron emission portion, which is the fine gap, by applying a voltage to an electrode to flow a current to the surface of the conductive thin film.

MIM 형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.The MIM and MIS electron-emitting devices each form an electron emission portion formed of a metal-dielectric layer-metal (MIM) and metal-dielectric layer-semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals or metals and semiconductors having a dielectric layer therebetween. When a voltage is applied to the device, a device using the principle of emitting electrons while moving and accelerating from a metal having a high electron potential or a metal having a low electron potential toward the metal.

BSE 형 전자방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다. The BSE-type electron-emitting device forms an electron supply layer made of a metal or a semiconductor on an ohmic electrode by using the principle that electrons travel without scattering when the size of the semiconductor is reduced to a dimension area smaller than the average free stroke of electrons in the semiconductor. And an insulating layer and a metal thin film formed on the electron supply layer to emit electrons by applying power to the ohmic electrode and the metal thin film.                         

이와 같은 전자방출소자들을 이용하면, 전자방출 표시장치, 각종 백라이트, 리소그라피용 전자빔 장치 등을 구현할 수 있다. 이 중에서 전자방출 표시장치는, 전자방출소자를 구비하여 전자를 방출하는 전자방출 영역과 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 발광시키기 위한 화상표현 영역을 구비하여 구성된다. 일반적으로, 전자방출 표시장치는 제1 기판 위에 다수개의 전자방출소자와 이들의 전자 방출을 제어하는 구동전극들을 구비하고, 제1 기판에서 방출된 전자들이 제2 기판에 형성된 형광층을 향해 효율적으로 가속될 수 있도록 형광층과 이에 접속된 전극을 구비하게 된다.By using such electron emitting devices, an electron emitting display device, various backlights, and an electron beam device for lithography can be implemented. Among these, the electron emission display device includes an electron emission region including an electron emission element and an image expression region for emitting light by colliding the emitted electron with a fluorescent layer. In general, an electron emission display device includes a plurality of electron emission devices and driving electrodes for controlling their electron emission on a first substrate, and electrons emitted from the first substrate are efficiently directed toward a fluorescent layer formed on the second substrate. A fluorescent layer and an electrode connected thereto are provided to be accelerated.

상술한 바와 같은 전자방출 표시장치는 형광층의 휘도를 향상시키기 위해서 금속반사막, 예컨대 알루미늄 반사막을 형성한다. 이 알루미늄 반사막은 전자를 애노드기판 방향으로 유도하며, 전자의 형광층 충돌시, 캐소드기판 방향으로 반사된 전자를 형광층으로 재반사하는 역할을 한다. 또한, 전자가 형광층에 남아있지 않게 전자의 통로 역할을 함으로써, 형광층의 수명을 증가시키며 애노드기판 및 캐소드기판 사이의 아킹(arcing)을 방지한다.The electron emission display device as described above forms a metal reflective film, such as an aluminum reflective film, in order to improve the luminance of the fluorescent layer. The aluminum reflecting film guides electrons in the direction of the anode substrate, and serves to reflect back the electrons reflected in the direction of the cathode substrate to the fluorescent layer when the fluorescent layer collides with the electrons. In addition, by acting as a path for electrons so that the electrons do not remain in the fluorescent layer, the life of the fluorescent layer is increased and the arcing between the anode substrate and the cathode substrate is prevented.

상술한 바와 같은 금속반사막을 적용한 전자방출 표시장치의 일예가 한국 공개 특허공보 제2001-0075972호에 개시되어 있으며, 이하에서는 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치를 설명한다.
An example of an electron emission display device to which the metal reflective film is applied as described above is disclosed in Korean Laid-Open Patent Publication No. 2001-0075972. Hereinafter, an electron emission display device according to the prior art will be described.

도 1은 종래 기술에 의한 금속반사막을 구비하는 전자방출 표시장치를 개략적으로 도시하는 단면구조도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an electron emission display device having a metal reflective film according to the prior art.                         

도 1을 참조하면, 종래기술에 의한 전자방출 표시장치에 있어서, 제1 기판(21)의 일측면에는 라인 형태의 캐소드전극(22)이 제공되며, 캐소드전극(22) 상부에는 면타입의 전자방출부(23)가 제공된다. 제1 기판(21)과 대향하는 제2 기판(11)에는 캐소드전극(22)과 수직으로 교차하는 라인 형태의 애노드전극(12)이 제공되며, 애노드전극(12) 상부에는 전자방출부(23)로부터 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 형광층(14)이 제공된다. 형광층(14) 상부에는 형광층(14)과 소정의 공간을 두고 금속반사막(15)이 형성된다.Referring to FIG. 1, in the electron emission display device according to the related art, a line type cathode electrode 22 is provided on one side of the first substrate 21, and a plane type electron is formed on the cathode electrode 22. The discharge part 23 is provided. The second substrate 11 facing the first substrate 21 is provided with an anode 12 having a line shape perpendicular to the cathode electrode 22, and an electron emitting portion 23 on the anode 12. There is provided a fluorescent layer 14 which emits electrons colliding with each other. The metal reflective film 15 is formed on the fluorescent layer 14 with a predetermined space with the fluorescent layer 14.

이에 따라, 제2 기판(11)과 제1 기판(21)에 인가된 전압차에 의해 전자방출부(23)으로부터 전자가 방출되며 방출된 전자는 형광층(14)으로 진행하면서 금속반사막(15)을 투과한 후 형광층(14)에 충돌한다. 이후, 형광층(14)으로부터 산란된 전자는 금속반사막(15)에 의해 재반사되어 형광층(14)에 재 충돌하게 된다.Accordingly, electrons are emitted from the electron emission unit 23 by the voltage difference applied to the second substrate 11 and the first substrate 21, and the emitted electrons proceed to the fluorescent layer 14 while the metal reflection film 15 is released. Impinge on the fluorescent layer 14 after passing through. Thereafter, the electrons scattered from the fluorescent layer 14 are re-reflected by the metal reflective film 15 to collide with the fluorescent layer 14 again.

하지만, 전자방출 표시장치의 구동 전압이 충분히 높지 않은 경우에는 전자가 금속반사막(15)을 통과하지 못하여 형광층(14)에 도달하기 어려운 문제점이 있었다.
However, when the driving voltage of the electron emission display device is not sufficiently high, electrons do not pass through the metal reflection film 15, which makes it difficult to reach the fluorescent layer 14.

상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 형광층 상부에서 전자집속이 보다 용이하도록 요철형상을 갖는 전자방출 표시장치용 애노드기판 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an anode substrate for an electron emission display device having a concave-convex shape to facilitate electron focusing on the fluorescent layer and a method of manufacturing the same.

상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명은 기판, 기판의 일면에 형성되며 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층, 및 적어도 형광층의 일부를 덮는 금속 반사막을 포함하며, 금속 반사막은 표면에 요철 형상을 갖는 전자방출 표시장치용 애노드기판을 제공한다.As a technical means for solving the above problems, the present invention includes a substrate, a fluorescent layer formed on one surface of the substrate and emitting light by collision of electrons, and a metal reflective film covering at least a portion of the fluorescent layer, the metal reflective film is a surface An anode substrate for an electron-emitting display device having a concave-convex shape is provided.

바람직하기로는, 금속 반사막은 삼각형, 반원, 타원형, 톱니 모양 등의 요철형상을 갖는다.Preferably, the metal reflective film has irregularities such as triangle, semicircle, ellipse, and sawtooth shape.

바람직하기로는, 형광층 사이에 광차폐막을 더 포함한다.Preferably, a light shielding film is further included between fluorescent layers.

또한, 본 발명은 기판의 일면에 형광층을 형성하는 단계, 형광층 상부에 중간막을 형성하는 단계, 중간막 상부에 입자물질을 도포하는 단계, 적어도 중간막 및 입자물질 상부에 금속을 증착하는 단계, 및 중간막 및 입자물질을 제거하여 표면에 요철 형상을 갖는 금속반사막을 형성하는 단계를 포함하는 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of forming a fluorescent layer on one surface of the substrate, forming an interlayer on top of the fluorescent layer, applying a particulate material on the interlayer, at least depositing a metal on the interlayer and the particulate material, and The present invention provides a method of manufacturing an anode substrate for an electron emitting display device, the method including forming a metal reflective film having a concave-convex shape on a surface thereof by removing the intermediate film and particulate matter.

바람직하기로는, 중간막 및 입자물질은 상기 금속반사막을 소성하는 과정에서 분해 및 제거된다.Preferably, the interlayer film and the particulate matter are decomposed and removed in the process of firing the metal reflective film.

바람직하기로는, 상기 입자물질은 수지류, 탄소분말류, 알칼리금속, 카바이드, 알칼리토금속, 유기과산화물, 니트로화합물류, 황, 파라핀, 나프탈렌 등으로 이루어진다.
Preferably, the particulate material is composed of resins, carbon powders, alkali metals, carbides, alkaline earth metals, organic peroxides, nitro compounds, sulfur, paraffin, naphthalene and the like.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 의한 애노드기판 및 이의 제조방법을 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 금속반사막을 구비하는 애노드기판을 포함하는 전자방출 표시장치의 단면도이다.
Hereinafter, an anode substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 2 is a cross-sectional view of an electron emission display device including an anode substrate having a metal reflective film according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명은 기판(111), 기판(111)의 일면에 형성되며 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층(114), 및 적어도 형광층(114)의 일부를 덮는 금속 반사막(115)을 포함하며, 금속 반사막(115)은 표면에 요철 형상을 갖는 전자방출 표시장치용 애노드기판(110)을 제공한다.Referring to FIG. 2, the present invention provides a substrate 111, a fluorescent layer 114 formed on one surface of the substrate 111 and covering at least a portion of the fluorescent layer 114, which emits light by collision of electrons ( 115, and the metal reflective film 115 provides an anode substrate 110 for an electron emission display device having a concave-convex shape on a surface thereof.

여기서, 본 발명의 기술적 사상은 기판(111), 형광층(114), 및 금속반사막(115)을 필수 구성요소로 하고 있으나, 도면을 참조한 설명에서 기판의 일면에 형성된 애노드전극 상부에 광차폐막 및 형광층이 형성되며, 적어도 형광층 일부에 금속반사막이 적층되는 구조를 실시예로 설명한다. 또한, 이하에서는, 본 발명의 이해를 위한 편의상 애노드기판을 포함한 전자방출 표시장치를 예를 들어 설명한다.Here, in the technical concept of the present invention, the substrate 111, the fluorescent layer 114, and the metal reflective film 115 are essential components, but in the description with reference to the drawings, the light shielding film and the upper portion of the anode are formed on one surface of the substrate. A structure in which a fluorescent layer is formed, and a metal reflective film is laminated on at least a portion of the fluorescent layer will be described as an example. In addition, hereinafter, an electron emission display device including an anode substrate is described as an example for convenience of understanding the present invention.

보다 상세히 설명하면, 전자방출 표시장치(100)는 애노드기판(110)과 캐소드기판(120)을 구비하고 있다. 애노드기판(110)에 대해서 설명하면, 애노드기판(110)은 기판(111), 기판(111) 상부에 전자 방출부(123)로부터 방출된 전자빔을 가속하는 스트라이프 형상으로 형성된 애노드전극(112), 애노드전극(112) 상부에 형성된 형광층(114a,114b,114c), 이 사이에 위치한 광차폐막(116)을 포함하며, 형광층(114) 상부에 요철형상, 예컨대, 본 실시시예에서는 삼각형 형상의 요철이 형성된 금속반사막(115)이 형성되어 있다.In more detail, the electron emission display device 100 includes an anode substrate 110 and a cathode substrate 120. Referring to the anode substrate 110, the anode substrate 110, the anode electrode 112 formed in a stripe shape to accelerate the electron beam emitted from the electron emission portion 123 on the substrate 111, A fluorescent layer 114a, 114b, 114c formed on the anode electrode 112, and a light shielding film 116 positioned therebetween, and having an uneven shape on the fluorescent layer 114, for example, a triangular shape in the present embodiment. The metal reflective film 115 is formed with the unevenness.

캐소드기판(120)에 대해서 설명하면, 기판(121)의 내측에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 상의 캐소드전극(122)을 형성하고, 그 위에 절연층(124)을 형성한 다음, 그 위에 캐소드전극(122)과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 게이트 전극(126)이 형성되어 있다. 캐소드전극(122) 상의 절연층(124)에는 홀이 형성되고 이 홀에 의해 노출된 캐소드전극(122) 상에는 전자 방출을 위한 전자 방출부(123)가 형성되어 있다. 게이트 전극(126)에는 홀에 대응하는 개구부가 형성되어 있어 전자 방출부(123)로부터 방출된 전자들이 애노드전극(112)쪽으로 방출될 수 있도록 되어 있다.Referring to the cathode substrate 120, a cathode pattern 122 on a predetermined pattern, for example, a stripe, is formed inside the substrate 121, an insulating layer 124 is formed thereon, and then the cathode electrode ( The gate electrode 126 is formed on the stripe in the direction crossing the 122. A hole is formed in the insulating layer 124 on the cathode electrode 122, and an electron emission part 123 for electron emission is formed on the cathode electrode 122 exposed by the hole. An opening corresponding to the hole is formed in the gate electrode 126 so that electrons emitted from the electron emission part 123 can be emitted toward the anode electrode 112.

추가적으로, 아크를 방지하기 위한 수단으로서, 절연층(138)을 하부 또는 상하부에 구비한 도전성 메쉬(136)가 게이트 전극(126)에 고정 설치되어 게이트 전극(126)과 애노드전극(112) 사이에서 전자방출부(123)로부터 방출되는 전자들 제어하여 전자빔을 효과적으로 집속한다. 스페이서(134)는 애노드기판(110)과 캐소드기판(120) 사이에 고정되어 일정한 간격을 유지하도록 한다. 한편, 프릿(132)을 도포하고 소성처리함으로써 애노드 기판(110)과 캐소드 기판(120) 사이에 공간이 한정된다.In addition, as a means for preventing an arc, a conductive mesh 136 having an insulating layer 138 below or above and below is fixed to the gate electrode 126 to be disposed between the gate electrode 126 and the anode electrode 112. The electron beam is effectively focused by controlling the electrons emitted from the electron emission unit 123. The spacer 134 is fixed between the anode substrate 110 and the cathode substrate 120 to maintain a constant gap. On the other hand, the space between the anode substrate 110 and the cathode substrate 120 is limited by applying and firing the frit 132.

본 도에 예시된 바와 같이, 형광층(114) 상부에 삼각형 형상을 갖는 금속반사막(115)은 캐소드기판(120)의 일측면에 형성된 전자방출부(123)로부터 방출된 전자를 형광층(114)으로 보다 양호하게 집속하는 역할을 한다. 다시 말해, 전자방출부(123)로부터 방출된 전자는 캐소드기판(120)을 마주보고 있는 금속반사막(115)의 삼각형 꼭지점을 향해 집속하게 된다.As illustrated in FIG. 1, the metal reflective film 115 having a triangular shape on the fluorescent layer 114 may emit electrons emitted from the electron emission part 123 formed on one side of the cathode substrate 120. ) To focus better. In other words, electrons emitted from the electron emission unit 123 are focused toward the triangle vertices of the metal reflective film 115 facing the cathode substrate 120.

본 실시예에서, 형광층(114) 상부에 형성된 금속반사막(115)의 형상은 삼각형을 이루고 있으나, 이에 제한되지 아니하며 전자를 보다 양호하게 집속할 수 있 는 돌출부를 구비한다면 반원, 타원형, 톱니 모양등 다양한 요철 형상이 가능하다.In the present embodiment, the shape of the metal reflective film 115 formed on the fluorescent layer 114 has a triangular shape, but is not limited thereto, and provided with a protrusion that can focus electrons more preferably, a semicircle, an ellipse, and a sawtooth shape. Various uneven shapes are possible.

기판(111,121)은 특별히 한정되지 않은 다양한 종류가 가능하며, 예를 들어 유리 또는 Na등의 불순물이 감소된 유리 등의 재질로 구성될 수 있으며, 상부에 SiO2등의 절연층을 형성한 실리콘 기판, 세라믹 기판 등을 이용될 수 있다.The substrates 111 and 121 may be formed in various forms without particular limitation. For example, the substrates 111 and 121 may be formed of a material such as glass or glass with reduced impurities such as Na, and a silicon substrate having an insulating layer such as SiO 2 formed thereon. , Ceramic substrates and the like can be used.

전자 방출부(123)는 카본계 물질, 예컨대 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나 기타 나노튜브 또는 Si, SiC 등의 나노 와이어로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 카본 나노튜브를 이용할 수 있다.
The electron emission unit 123 may be formed of a carbon-based material such as carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon or a combination thereof or other nanotubes or nanowires such as Si and SiC, and preferably carbon nanotubes. Can be used.

따라서, 상술한 바와 같은 금속반사막을 갖는 애노드기판을 구비하는 전자방출 표시장치에 있어서, 전자방출부로부터 방출된 전자를 형광층으로 보다 양호하게 집속할 수 있으므로 형광층의 휘도, 색재현성 및 색순도를 향상시킬 수 있다.
Therefore, in the electron emission display device having the anode substrate having the metal reflective film as described above, the electrons emitted from the electron emission portion can be more focused to the fluorescent layer, so that the luminance, color reproducibility and color purity of the fluorescent layer can be improved. Can be improved.

도 3a 내지 3g는 도 2의 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조공정 단면도이다.3A to 3G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the anode substrate for an electron emission display device of FIG. 2.

도 3a 내지 3g 참조하면, 본 발명은 기판의 일면에 형광층을 형성하는 단계, 형광층 상부에 중간막을 형성하는 단계, 중간막 상부에 입자물질을 도포하는 단계, 적어도 중간막 및 입자물질 상부에 금속을 증착하는 단계, 및 중간막 및 입자물질을 제거하여 표면에 요철 형상을 갖는 금속반사막을 형성하는 단계를 포함하는 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 기술적 사상은 기판(111), 형광층(114), 및 금속반사막(115)을 형성하는 단계를 필수 구성 단계로 하고 있으나, 이하에서는, 도 2에 예시된 전자방출 표시장용 애노드기판을 제조하는 단계를 중심으로 상술한다.3A to 3G, the present invention provides a method of forming a fluorescent layer on one surface of a substrate, forming an intermediate film on the fluorescent layer, applying a particle material on the intermediate film, at least the metal on the intermediate film and the particle material. It provides a method of manufacturing an anode substrate for an electron-emitting display device comprising the step of depositing, and removing the intermediate film and the particulate material to form a metal reflective film having a concave-convex shape on the surface. In the technical concept of the present invention, the step of forming the substrate 111, the fluorescent layer 114, and the metal reflective film 115 is an essential component step. Hereinafter, the anode substrate for an electron emission display device illustrated in FIG. The manufacturing step will be described in detail.

보다 상세히 설명하면, 기판(111) 상부에 투명 전극(112), 예컨대, ITO 전극을 형성한다(도 3a). 이후, 전극(112) 상부에 광차폐막(116)을 형성한다(도 3b). 광차폐막(116)은 ITO 전극(112) 상부에 Cr을 스퍼터링 및 라인 패터닝을 한 후 CrOx로 산화시킨 박막 Cr을 이용하기도 하며, 감광성 페이스트를 패턴 인쇄하여 형성하는 블랙 fodel 또는 Ag fodel을 이용하기도 한다. 이후, 광차폐막(116) 사이에 형광층(114)을 슬러리법을 이용하여 형성한다(도 3c). 본 실시예에서는, 슬러리법을 이용하였으나, 스크린 프린팅, 전기영동법(EL), 또는 전사(tabel coater)에 의해 형광층을 형성할 수도 있다.In more detail, a transparent electrode 112, for example, an ITO electrode, is formed on the substrate 111 (FIG. 3A). Thereafter, the light shielding film 116 is formed on the electrode 112 (FIG. 3B). The light shielding layer 116 may use a thin film Cr obtained by sputtering Cr and patterning the Cr on the ITO electrode 112 and then oxidizing it with CrOx, or using a black fodel or Ag fodel formed by pattern printing a photosensitive paste. . Thereafter, the fluorescent layer 114 is formed between the light shielding films 116 by using the slurry method (FIG. 3C). In this embodiment, although the slurry method is used, the fluorescent layer may be formed by screen printing, electrophoresis (EL), or transfer (tabel coater).

이후, 기판(111) 상부의 애노드전극(112)에 형성된 형광층(114) 상부에 아크릴 에멀젼(acryl emulsion) 또는 래커(lacquer)액을 도포 및 건조하여 중간막(113)을 형성한다(도 3d).Thereafter, an acrylic emulsion or lacquer solution is applied and dried on the fluorescent layer 114 formed on the anode electrode 112 on the substrate 111 to form an intermediate film 113 (FIG. 3D). .

이후, 중간막(113) 상부에 소정의 요철 형상을 구현하기 위한 입자물질(115a)을 도포한다(도 3e). 입자물질(115a)은 수지류, 탄소분말류, 알칼리금속, 카바이드, 알칼리토금속, 유기과산화물, 니트로화합물류, 황, 파라핀, 나프탈렌 등으로 이루어지는 것이 바람직하며, 입자물질의 크기와 형성모양은 조절이 용이한 것이 바람직하다.Thereafter, a particle material 115a is coated on the interlayer 113 to realize a predetermined concave-convex shape (FIG. 3E). Particle material 115a is preferably composed of resins, carbon powders, alkali metals, carbides, alkaline earth metals, organic peroxides, nitro compounds, sulfur, paraffin, naphthalene, etc., and the size and shape of the particle material are easily controlled. One is preferable.

이후, 입자물질(115a)이 도포된 중간막(113) 상부에 금속, 예컨대, 본 실시 예에서는 알루미늄을 입자물질(115a)이 구현하는 요철형상 상부에 증착한다(도 3f).Subsequently, a metal, for example, aluminum is deposited on the concave-convex shape formed by the particle material 115a on the intermediate film 113 to which the particle material 115a is applied (FIG. 3F).

이후, 요철형상을 갖는 금속반사막(115)을 형성하기 위해서 소성단계를 실시하며, 이 소성단계에서 중간막(113) 및 입자물질(115a)은 분해되어 제거됨으로써, 형광층(114)과 금속반사막(115) 사이에 소정의 공간이 형성된다(도 3g). 여기서, 중간막(113) 및 입자물질(115a)을 구성하는 재료는 상술한 바와 같이 금속반사막(115)의 소성과정 중 분해되어 제거되는 것이 바람직하다.Thereafter, a firing step is performed to form the metal reflective film 115 having an uneven shape. In this firing step, the intermediate film 113 and the particle material 115a are decomposed and removed, whereby the fluorescent layer 114 and the metal reflective film ( 115, a predetermined space is formed (FIG. 3G). Here, the materials constituting the interlayer 113 and the particle material 115a are preferably decomposed and removed during the firing process of the metal reflective film 115 as described above.

한편, 금속반사막(115)의 제조공정 중에서 형광층(114)과 금속반사막(115) 사이에 중간막(113)을 제공하는 것은, 금속반사막(115)을 형광층(114) 상부에 직접 증착하면 형광층(114)의 거친 표면으로 인해서, 금속반사막(115)이 균일하게 증착되지 않기 때문이다. 또한, 중간막 공정을 통해서 형광층(114)과 금속반사막(115) 사이에 이격거리를 유지하여 전자투과와 반사율을 최적화할 수 있다.On the other hand, in the manufacturing process of the metal reflective film 115, providing the interlayer 113 between the fluorescent layer 114 and the metal reflective film 115, if the metal reflective film 115 is directly deposited on the fluorescent layer 114, the fluorescence This is because the metal reflective film 115 is not deposited uniformly due to the rough surface of the layer 114. In addition, by maintaining the separation distance between the fluorescent layer 114 and the metal reflective film 115 through the intermediate film process it is possible to optimize the electron transmission and reflectance.

이와 같이, 중간막(113)을 형성한 후, 금속반사막(115)을 증착함으로써, 금속반사막(115)의 반사효율을 균일하게 향상시킬 수 있다. 또한, 입자물질(115a)은 형광층(114) 상부의 금속반사막(115)이 요철형상을 갖도록 도포되는데, 이는 금속반사막(115)에 형성된 요철부분이 피뢰침과 같은 역할을 하여 전자방출부(미도시)로부터 방출된 전자를 보다 양호하게 집속하도록 유도한다. In this manner, after the intermediate film 113 is formed, the metal reflective film 115 is deposited, whereby the reflection efficiency of the metal reflective film 115 can be improved uniformly. In addition, the particle material 115a is coated so that the metal reflective film 115 on the fluorescent layer 114 has an uneven shape, which is an uneven portion formed in the metal reflective film 115 acts as a lightning rod. Leads to better focusing of the electrons emitted.

따라서, 상술한 바와 같은 제조 방법에 의해 형성된 금속반사막은 전자 집속효과를 향상시켜 형광층(114)의 휘도 및 색순도를 향상시킨다.
Therefore, the metal reflective film formed by the above-described manufacturing method improves the electron focusing effect, thereby improving the luminance and color purity of the fluorescent layer 114.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의한 전자방출 표시장치는 요철형상을 갖는 금속반사막을 형성하여 전자의 집속효과를 향상시킴으로써, 형광층의 휘도, 색재현성 및 색순도를 향상시킬 수 있다.The electron emission display device according to the present invention can improve the brightness, color reproducibility and color purity of the fluorescent layer by forming a metal reflective film having an uneven shape to improve the electron focusing effect.

Claims (6)

기판;Board; 상기 기판의 일면에 형성되며 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층; 및A fluorescent layer formed on one surface of the substrate and emitting light by collision of electrons; And 적어도 상기 형광층의 일부를 덮는 금속 반사막을 포함하며,A metal reflective film covering at least a portion of the fluorescent layer, 상기 금속 반사막은 표면에 요철 형상을 갖는 전자방출 표시장치용 애노드기판.The metal reflective film is an anode substrate for an electron emission display device having a concave-convex shape on the surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 반사막은 삼각형, 반원, 타원형, 톱니 모양 등의 요철형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드기판.And the metal reflective film has an uneven shape such as a triangle, a semicircle, an ellipse, and a sawtooth shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광층 사이에 광차폐막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드기판.An anode substrate for an electron emission display device, further comprising a light shielding layer between the fluorescent layers. 기판의 일면에 형광층을 형성하는 단계;Forming a fluorescent layer on one surface of the substrate; 상기 형광층 상부에 중간막을 형성하는 단계;Forming an intermediate layer on the fluorescent layer; 상기 중간막 상부에 입자물질을 도포하는 단계;Applying a particulate material on the interlayer; 적어도 상기 중간막 및 입자물질 상부에 금속을 증착하는 단계; 및Depositing a metal on at least the interlayer and the particulate material; And 상기 중간막 및 입자물질을 제거하여 표면에 요철 형상을 갖는 금속반사막을 형성하는 단계를 포함하는 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조방법.And removing the interlayer and the particulate material to form a metal reflective film having a concave-convex shape on a surface thereof. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 중간막 및 입자물질은 상기 금속반사막을 소성하는 과정에서 분해 및 제거되는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조방법.And the interlayer and the particulate material are decomposed and removed during the firing of the metal reflective film. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 입자물질은 수지류, 탄소분말류, 알칼리금속, 카바이드, 알칼리토금속, 유기과산화물, 니트로화합물류, 황, 파라핀, 나프탈렌 등으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드기판의 제조방법.The particle material is a method for manufacturing an anode substrate for an electron emission display device, characterized in that the resin, carbon powder, alkali metal, carbide, alkaline earth metal, organic peroxide, nitro compounds, sulfur, paraffin, naphthalene and the like.
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