KR20060000189A - Apparatus for quick drain rinse - Google Patents

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KR20060000189A
KR20060000189A KR1020040048744A KR20040048744A KR20060000189A KR 20060000189 A KR20060000189 A KR 20060000189A KR 1020040048744 A KR1020040048744 A KR 1020040048744A KR 20040048744 A KR20040048744 A KR 20040048744A KR 20060000189 A KR20060000189 A KR 20060000189A
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quick drain
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KR1020040048744A
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이윤석
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삼성전자주식회사
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 표면에 있는 유기물이 화학적으로 제거된 상태의 웨이퍼를 세정하는 퀵 드레인 세정 장치에 있어서, 웨이퍼가 내부에 장착되어 세정되는 공간을 제공하는 큐디알 배스와, 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스의 상부에 위치되어 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 적어도 하나 이상의 제1샤워 노즐과, 상기 제1샤워 노즐의 하부에 장착되며 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스내에 위치되어 상기 제1샤워 노즐이 분사하는 세정액이 상기 웨이퍼에 도달하지 아니하는 부분에 세정액을 분사하는 제2샤워 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 퀵 드레인 세정 장치를 제공한다. 그리하여, 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼 리닝 현상으로 인한 노즐에서의 탈이온수가 미치지 않는 공간에까지 탈이온수가 미치게 하여 공정상의 결함이나 불량을 최소화하는 효과가 있다.The present invention relates to a quick drain cleaning apparatus for cleaning a wafer in which organic substances on a surface thereof are chemically removed, comprising: a cudal bath providing a space in which the wafer is mounted and cleaned, and the wafer in the direction in which the wafer is arranged. At least one first shower nozzle positioned above the cubic bath to spray cleaning solution onto the wafer, and mounted in the cudal bath in a direction in which the wafer is arranged below the first shower nozzle; It provides a quick drain cleaning apparatus comprising a second shower nozzle for injecting the cleaning liquid to a portion where the cleaning liquid sprayed by the first shower nozzle does not reach the wafer. Thus, in the quick drain cleaning process, the deionized water reaches a space where the deionized water does not reach the nozzle due to the wafer lining phenomenon, thereby minimizing defects or defects in the process.

퀵 드레인 세정 장치, 큐디알(QDR), 배스(bath), 노즐Quick Drain Cleaner, QDR, Bath, Nozzle

Description

퀵 드레인 세정 장치{Apparatus for quick drain rinse} Quick drain cleaning device {Apparatus for quick drain rinse}             

도 1은 종래의 퀵 드레인 세정 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional quick drain cleaning device.

도 2는 종래의 큐디알 배스내에 놓여져 큐디알 세정 과정을 거치는 동안의 다수의 웨이퍼를 표시한 개략 측면도이다.FIG. 2 is a schematic side view showing a number of wafers placed in a conventional cudial bath and undergoing a cudial cleaning process. FIG.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 퀵 드레인 세정 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the quick drain cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 퀵 드레인 세정 장치의 사시도이다
4 is a perspective view of a quick drain cleaning device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

101 : 큐디알 배스 103 : 제1샤워 노즐 101: QD Bath 103: The first shower nozzle

104 : 웨이퍼 가이드 105 : 웨이퍼 104: wafer guide 105: wafer

203 : 제2샤워 노즐
203: second shower nozzle

본 발명은 반도체 장치를 세정하는 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게 는 습식 세정 장치의 일부인 퀵 드레인 세정(Quick Drain Rinse, QDR) 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor device, and more particularly, to a quick drain drain (QDR) apparatus that is part of a wet cleaning apparatus.

반도체 소자가 고집적화 되어감에 따라, 많은 종류의 반도체 박막이 다층으로 적층된 구조의 미세한 패턴을 가공해야 할 필요성이 점차 증가되고 있다. 이에 따라, 반도체 소자 제조시 발생되는 공정 불량을 줄이기 위하여 여러 차례의 기판 세정 작업이 필수적으로 요구되고 있다. 따라서, 웨이퍼에 파티클(particle) 또는 오염 등을 제거하는 공정이 중요시되고 있으며, 특히 파티클은 수율에 큰 영향을 미치는 요소여서 반도체 소자를 제조하는 공정 중에서 반도체 기판 상에서 상기 입자를 제거하는 공정이 중요시 되고 있다. As semiconductor devices are becoming highly integrated, the necessity of processing fine patterns of a structure in which many kinds of semiconductor thin films are laminated in multiple layers is gradually increasing. Accordingly, several substrate cleaning operations are indispensable to reduce process defects generated during semiconductor device manufacturing. Therefore, the process of removing particles or contamination on the wafer is important. Particularly, the particles have a great influence on the yield, and thus, the process of removing the particles on the semiconductor substrate is important in the process of manufacturing a semiconductor device. have.

이러한 입자 또는 오염 등을 제거하는 공정의 한 예가 세정 공정인데, 상기 세정 공정은 웨이퍼 상의 입자 또는 오염 등을 화학 용액 또는 탈이온수등을 이용하여 제거하는 공정이다. 특히, 탈이온수를 이용하는 세정 공정의 마무리 단계로 후속하는 건조 공정 이전에 반도체 기판 상에 잔류하는 입자, 오염 또는 전 세정 공정에 이용된 화학 용액 등을 제거한다. One example of a process for removing such particles or contamination is a cleaning process. The cleaning process is a process for removing particles or contamination on a wafer by using a chemical solution or deionized water. In particular, the final step of the cleaning process using deionized water removes particles remaining on the semiconductor substrate, contamination or chemical solution used in the pre-cleaning process and the like before the subsequent drying process.

일반적으로, 웨이퍼의 세정 작업은 공정 대기 과정, 화학 세정 과정, 큐디알 과정, 최종 세정 과정, 드라이 과정 등의 단계로 나누어진다.In general, the cleaning of the wafer is divided into a process waiting process, a chemical cleaning process, a QDL process, a final cleaning process, and a drying process.

상기 공정 대기 과정은 다수의 웨이퍼들이 탑재된 카세트가 로더에 장착되어 공정을 기다리는 과정이고, 상기 화학 세정 과정은 케미컬 배스(chemical bath)내에 화학처리제를 넣은 뒤, 상기 화학처리제를 사용하여 웨이퍼를 화학적으로 세정한다. The process waiting process is a process in which a cassette loaded with a plurality of wafers is mounted in a loader and waiting for a process, and the chemical cleaning process involves placing a chemical treatment agent in a chemical bath and then chemically treating the wafer using the chemical treatment agent. Wash with.                         

상기 큐디알 과정은 큐디알 배스내에서 탈이온수를 이용하여 단시간내에 웨이퍼상에 존재하는 화학처리제를 제거하는 과정이고, 상기 최종 세정 과정은 최종 세정 배스내에 탈이온수를 넣고 상기 탈이온수를 이용하여 반도체 웨이퍼를 최종적으로 세정하는 과정이다.The QDial process is a process of removing a chemical treatment agent present on a wafer in a short time using deionized water in a CUDIAL bath, and the final cleaning process is performed by putting deionized water into a final cleaning bath and using the deionized water to This is the process of finally cleaning the wafer.

그리고 마지막으로 상기 드라이 과정은 웨이퍼상에 존재하는 물기를 제거하므로써, 세정 공정을 완료하는 과정이다. And finally, the drying process is a process of completing the cleaning process by removing the water present on the wafer.

특히, 상기 큐디알 과정에서는 상기 화학처리제가 소정의 점도를 갖기 때문에 샤워 방식을 이용해야만 효과적으로 제거할 수 있다. In particular, since the chemical treatment agent has a predetermined viscosity in the QDL process, it may be effectively removed only by using a shower method.

본 발명은 상기와 같은 순서로 웨이퍼상의 유기물을 세정하는 습식 세정 장치에 있어서 웨이퍼상의 유기물을 화학적으로 제거시킨 후 웨이퍼에 잔존하는 화학처리제를 상기 웨이퍼로부터 빠르게 제거하는 퀵 드레인 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a quick drain cleaning apparatus for quickly removing a chemical treatment agent remaining on a wafer after chemically removing the organic matter on the wafer in the wet cleaning apparatus for cleaning the organic matter on the wafer in the same order as described above.

퀵 드레인 세정 장치에 있어서 상기 과정중 세정액이 배출되어 웨이퍼가 대기중에 노출되는 경우에는 공정상의 결함이나 다른 불량이 발생하는 원인을 제공하는 문제점이 있다.In the quick drain cleaning apparatus, when the cleaning liquid is discharged during the process and the wafer is exposed to the air, there is a problem of providing a cause of a process defect or other defects.

따라서, 상기 세정액이 배출되어 상기 웨이퍼가 대기중에 노출되는 경우를 최소화하기 위하여 세정액을 분출하는 샤워 노즐이 구비된 퀵 드레인 세정 장치가 이용된다. Therefore, in order to minimize the case where the cleaning liquid is discharged and the wafer is exposed to the air, a quick drain cleaning device having a shower nozzle for ejecting the cleaning liquid is used.

이하에서는 종래의 퀵 드레인 세정 장치가 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. Hereinafter, a conventional quick drain cleaning apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 퀵 드레인 세정 장치를 나타낸 개략도이다. 1 is a schematic view showing a conventional quick drain cleaning device.                         

도 1을 참조하면, 큐디알 배스(1), 샤워 노즐(3), 웨이퍼(3), 웨이퍼 가이드(4), 웨이퍼(5), 세정액이 도달되지 않는 부분(8a, 8b, 8c)이 도시되어져 있다.Referring to FIG. 1, the cupial bath 1, the shower nozzle 3, the wafer 3, the wafer guide 4, the wafer 5, and portions 8a, 8b, and 8c where the cleaning liquid is not reached are illustrated. It is done.

상기 큐디알 배스(1)는 그 내부에 상기 노즐(3), 웨이퍼 가이드(4)를 포함하고 있으며, 퀵 드레인 세정 과정을 행할 수 있는 공간을 제공한다.The cupial bath 1 includes the nozzle 3 and the wafer guide 4 therein, and provides a space for performing a quick drain cleaning process.

상기 노즐(3)은 상기 큐디알 배스(1)의 상부에 장착되어져 상기 세정액을 상기 큐디알 배스(1)내에 위치되어진 상기 웨이퍼(5)에 분사하여, 상기 웨이퍼(5)에 잔존하는 점도를 갖는 화학처리제를 탈이온수(deionized water)로 샤워시키는 역할을 한다.The nozzle 3 is mounted on the top of the QD bath 1 to spray the cleaning liquid onto the wafer 5 located in the QD bath 1 so that the viscosity remaining on the wafer 5 is maintained. And a chemical treatment agent having a role of showering with deionized water.

상기 웨이퍼 가이드(4)는 상기 큐디알 배스(1)내에 안착된 상기 웨이퍼(5)를 퀵 드레인 세정 과정동안 고정시켜 주는 역할을 한다.The wafer guide 4 serves to fix the wafer 5 seated in the QD bath 1 during the quick drain cleaning process.

상기 웨이퍼(5)는 케미컬 배스(chemical bath)내에 화학처리제를 넣은 뒤, 상기 화학처리제를 사용하여 웨이퍼를 화학적으로 세정하는 화학 세정 과정을 거친 후의 상태이다. The wafer 5 is in a state after a chemical cleaning process in which a chemical treatment agent is placed in a chemical bath and chemically cleans the wafer using the chemical treatment agent.

도 2는 종래의 큐디알 배스내에 놓여져 큐디알 세정 과정을 거치는 동안의 다수의 웨이퍼를 표시한 개략 측면도이다.FIG. 2 is a schematic side view showing a number of wafers placed in a conventional cudial bath and undergoing a cudial cleaning process. FIG.

도 2를 참조하면, 웨이퍼가 샤워(shower) 상태인 경우, 즉 노즐에서 탈이온수가 분출되고 있는 경우에 제1웨이퍼(15)와 제2웨이퍼(16)의 윗부분이 밀착되는 현상이 보여진다. 일반적으로 상기의 밀착 현상을 리닝(leaning) 현상이라 한다.Referring to FIG. 2, when the wafer is in a shower state, that is, when deionized water is ejected from the nozzle, a phenomenon in which the upper portion of the first wafer 15 and the second wafer 16 is in close contact with each other is shown. Generally, the above-mentioned adhesion phenomenon is called a lining phenomenon.

즉, 웨이퍼가 샤워 상태가 아닌 경우에는 일정한 간격으로 수직으로 서 있는 상태였다가, 샤워 상태로 되면 간격이 흐트러져 리닝현상이 발생하게 되는데, 이러한 점 때문에, 샤워 노즐에서 분출하는 탈이온수가 미치지 않는 공간이 생기게 되는 문제점이 있다.That is, when the wafer is not in the shower state, the wafer is standing vertically at regular intervals, but when the shower is in the shower state, the gap is disturbed and a lining phenomenon occurs. Therefore, the space where deionized water ejected from the shower nozzle does not reach There is a problem that arises.

또한, 퀵 드레인 세정을 위한 세정액에 잠겨 있다가 상기 세정액이 배출되는 경우에, 웨이퍼가 대기 중에 노출되지 않도록 샤워 노즐에서 세정액이 분출되어 지게 되는데, 상기 샤워 노즐에서 분출되는 세정액이 도달하지 않는 부분(8a, 8b, 8c)이 존재하게 되는 문제점이 있다.In addition, when the cleaning liquid is immersed in the cleaning liquid for quick drain cleaning and the cleaning liquid is discharged, the cleaning liquid is ejected from the shower nozzle so that the wafer is not exposed to the air, and the cleaning liquid ejected from the shower nozzle does not reach ( There is a problem that 8a, 8b, 8c) exist.

또한, 이러한 점 때문에 상기 웨이퍼가 대기 중에 노출되는 상태가 발생됨으로써, 공정상의 결함이나 다른 불량이 발생할 수 있는 원인을 제공하는 문제점이 있다.
In addition, due to this, there is a problem in that a state in which the wafer is exposed to the air is generated, thereby providing a cause in which a process defect or other defect may occur.

따라서, 본 발명의 목적은 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼상의 유기물을 세정할 수 있는 퀵 드레인 세정 장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a quick drain cleaning apparatus capable of cleaning organic matter on a wafer in a quick drain cleaning process.

본 발명의 다른 목적은 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼 리닝 현상으로 인한 노즐에서의 탈이온수가 미치지 않는 공간에까지 탈이온수가 미치게 하는 퀵 드레인 세정 장치를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a quick drain cleaning apparatus that allows deionized water to reach a space where deionized water does not reach the nozzle due to wafer lining during the quick drain cleaning process.

본 발명의 또 다른 목적은 퀵 드레인 세정 과정에서 상기 샤워 노즐에서 분출되는 세정액이 도달하지 않는 부분을 최소화하는 퀵 드레인 세정 장치를 제공함에 있다. Still another object of the present invention is to provide a quick drain cleaning apparatus for minimizing a portion of the quick drain cleaning process in which the cleaning liquid sprayed from the shower nozzle does not reach.                         

본 발명의 또 다른 목적은 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼가 공기중에 노출되는 현상을 최소화하여 공정상의 결함이나 불량을 최소화하는 퀵 드레인 세정 장치를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a quick drain cleaning apparatus which minimizes a process defect or defect by minimizing the exposure of the wafer to air in the quick drain cleaning process.

상기의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은, 표면에 있는 유기물이 화학적으로 제거된 상태의 웨이퍼를 세정하는 퀵 드레인 세정 장치에 있어서, 웨이퍼가 내부에 장착되어 세정되는 공간을 제공하는 큐디알 배스와, 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스의 상부에 위치되어 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 적어도 하나 이상의 제1샤워 노즐과, 상기 제1샤워 노즐의 하부에 장착되며, 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스내에 위치되어 상기 제1샤워 노즐이 분사하는 세정액이 상기 웨이퍼에 도달하지 아니하는 부분에 세정액을 분사하는 제2샤워 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 퀵 드레인 세정 장치를 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention is a quick drain cleaning apparatus for cleaning a wafer in a state that the organic material on the surface is chemically removed, QDial bath for providing a space for the wafer is mounted inside the cleaning, At least one first shower nozzle positioned above the QD bath in the direction in which the wafer is arranged, and mounted at a lower portion of the first shower nozzle, in a direction in which the wafer is arranged; And a second shower nozzle positioned in the cubic bath and spraying the cleaning liquid to a portion where the cleaning liquid sprayed by the first shower nozzle does not reach the wafer.

나아가, 상기 제2샤워 노즐은 분사 범위의 조절이 가능하게 상하로 움직일 수 있는 형태로 구성되어짐이 바람직하다.Further, the second shower nozzle is preferably configured in a form that can be moved up and down to adjust the injection range.

또한, 상기 제2샤워 노즐은 상기 큐디알 배스의 측벽의 내부에 고정되는 형태로 구성되어짐이 바람직하다.
In addition, the second shower nozzle is preferably configured to be fixed to the interior of the side wall of the cupial bath.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다양한 실시예에서의 설명들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도 없이 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The descriptions in the various embodiments are only shown and limited by way of example and without intention other than the intention to help those having ordinary knowledge in the art to which the present invention pertains more thoroughly, thus limiting the scope of the present invention. It should not be used as a limitation. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 퀵 드레인 세정 장치의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 퀵 드레인 세정 장치의 사시도이다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the quick drain cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the quick drain cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 4를 참조하면, 큐디알 배스(101), 제1샤워 노즐(103), 제2샤워 노즐(203), 웨이퍼(105), 웨이퍼 가이드(104)가 도시되어져 있다.Referring to FIGS. 3 to 4, a cupial bath 101, a first shower nozzle 103, a second shower nozzle 203, a wafer 105, and a wafer guide 104 are illustrated.

상기 큐디알 배스(101)의 내부에는 상기 제2샤워 노즐(203), 상기 웨이퍼 가이드(104)가 있고, 상기 큐디알 배스(101)의 상부에는 상기 제1샤워 노즐(103)이 놓여져 있다. 상기 큐디알 배스(101)는 탈이온수를 이용하여 단시간내에 웨이퍼상에 존재하는 화학처리제를 제거하는 과정이 이루어지는 공간을 제공한다. 상기 큐디알 배스(101)는 독립적으로 제작되어질 수도 있으나, 통상 일체로 제작되는 습식 세정 장치의 일련의 배스들 중의 하나로 배스 분리대에 의해 다른 배스들과 분리되어 제작되어질 수도 있다.The second shower nozzle 203 and the wafer guide 104 are disposed in the cupial bath 101, and the first shower nozzle 103 is disposed on the cupial bath 101. The cupial bath 101 provides a space in which a process of removing the chemical treatment agent present on the wafer in a short time using deionized water is performed. The cudial bath 101 may be manufactured independently, but may be manufactured separately from other baths by a bath separator as one of a series of baths of a wet cleaning apparatus that is usually manufactured integrally.

상기 제1샤워 노즐(103)은 상기 큐디알 배스(101)에 장착되어져, 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 역할을 한다.The first shower nozzle 103 is mounted on the QDL bath 101 to inject a cleaning liquid onto the wafer.

상기 제2샤워 노즐(203)은 상기 큐디알 배스(101)의 측벽의 내부에 장착되어짐이 바람직하고, 상기 웨이퍼(105)의 중심을 기준으로 한 경우, 상기 제1샤워 노 즐(103)의 위치보다 20°내지 45°하부에 위치되어짐이 바람직하다. The second shower nozzle 203 is preferably mounted inside the sidewall of the QD bath 101. When the second shower nozzle 203 is based on the center of the wafer 105, the second shower nozzle 103 It is preferably located 20 ° to 45 ° below the position.

상기 제2샤워 노즐(203)은 상기 큐디알 배스(101) 내에 장착되어져, 상기 웨이퍼(105)에 세정액을 분사하는 역할을 한다. 상기 제2샤워 노즐(203)은 그 분사 방향을 상하로 조절할 수 있는 형태로 이루어짐이 바람직하다.The second shower nozzle 203 is mounted in the QDL bath 101 to inject a cleaning liquid onto the wafer 105. The second shower nozzle 203 is preferably made of a form that can be adjusted up and down the injection direction.

상기 웨이퍼 가이드(4)는 상기 큐디알 배스(1)내에 안착된 상기 웨이퍼(5)를 퀵 드레인 세정 과정 동안 고정시켜 주는 역할을 한다.The wafer guide 4 serves to fix the wafer 5 seated in the QD bath 1 during the quick drain cleaning process.

상기 웨이퍼(105)는 케미컬 배스(chemical bath)내에 화학처리제를 넣은 뒤, 상기 화학처리제를 사용하여 웨이퍼를 화학적으로 세정하는 화학 세정 과정을 거친 후의 상태이다. The wafer 105 is in a state after a chemical cleaning process in which a chemical treatment agent is placed in a chemical bath and chemically cleans the wafer using the chemical treatment agent.

도 3 내지 도 4를 참조하여 퀵 드레인 세정 과정은 이하와 같이 설명된다.Referring to Figures 3 to 4 the quick drain cleaning process will be described as follows.

화학 세정 과정을 거친 웨이퍼(105)가 수동 혹은 로봇 암에 의해 큐디알 배스(101)내에 안착되어지고, 세정액 공급 장치(미도시)에 의해 상기 웨이퍼(105)가 잠기도록 세정액이 채워진다.The wafer 105 which has undergone the chemical cleaning process is placed in the cudal bath 101 manually or by a robot arm, and the cleaning liquid is filled so that the wafer 105 is immersed by a cleaning liquid supply device (not shown).

그리고 소정의 시간 경과후, 상기 세정액이 배출구(미도시)를 통해서 배출되게 되고, 이 경우 상기 웨이퍼(105)가 대기중에 노출되어짐을 방지하고자 제1노즐(103), 제2노즐(203)에서 세정액이 분출되어지게 된다.After a predetermined time elapses, the cleaning liquid is discharged through an outlet (not shown), and in this case, the first nozzle 103 and the second nozzle 203 are disposed to prevent the wafer 105 from being exposed to the air. The cleaning liquid is ejected.

상기 퀵 드레인 세정 과정이 종료된 후에는 최종 세정 배스내에 탈이온수를 넣고 상기 탈이온수를 이용하여 반도체 웨이퍼를 최종적으로 세정하는 과정인 최종 세정 과정이 이뤄진다.After the quick drain cleaning process is completed, a final cleaning process is performed, in which deionized water is placed in a final cleaning bath and the semiconductor wafer is finally cleaned using the deionized water.

본 발명의 실시예에 따른 퀵 드레인 세정 장치는 상기 실시예에 한정되지 않 고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명한 사실이라 할 것이다.
Quick drain cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment, it can be variously designed and applied within the scope without departing from the basic principles of the present invention is common in the art It will be obvious to those who have knowledge.

상술한 바와 같이 본 발명은 화학 세정 과정을 거친 후, 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼상의 유기물을 세정하는 효과가 있다As described above, the present invention has an effect of cleaning the organic material on the wafer during the quick drain cleaning process after the chemical cleaning process.

또한, 본 발명은 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼 리닝 현상으로 인한 노즐에서의 탈이온수가 미치지 않는 공간에까지 탈이온수가 미치게 하는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect that the deionized water extends to the space that does not reach the deionized water in the nozzle due to the wafer lining phenomenon in the quick drain cleaning process.

또한, 본 발명은 퀵 드레인 세정 과정에서 상기 샤워 노즐에서 분출되는 세정액이 도달하지 않는 부분을 최소화하는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of minimizing the portion that the cleaning liquid sprayed from the shower nozzle does not reach during the quick drain cleaning process.

또한, 본 발명은 퀵 드레인 세정 과정에서 웨이퍼가 공기중에 노출되는 현상을 최소화하여 공정상의 결함이나 불량을 최소화하는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of minimizing the phenomenon that the wafer is exposed to the air during the quick drain cleaning process to minimize the defects or defects in the process.

Claims (3)

표면에 있는 유기물이 화학적으로 제거된 상태의 웨이퍼를 세정하는 퀵 드레인 세정 장치에 있어서:In a quick drain cleaning apparatus for cleaning a wafer in which the organic matter on the surface is chemically removed: 웨이퍼가 내부에 장착되어 세정되는 공간을 제공하는 큐디알 배스와;A cudial bath for providing a space in which the wafer is mounted and cleaned; 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스의 상부에 위치되어, 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 적어도 하나 이상의 제1샤워 노즐과;At least one first shower nozzle positioned above the QD bath in a direction in which the wafer is arranged and spraying a cleaning liquid onto the wafer; 상기 제1샤워 노즐의 하부에 장착되며, 상기 웨이퍼가 배열되는 방향으로 상기 큐디알 배스내에 위치되어, 상기 제1샤워 노즐이 분사하는 세정액이 상기 웨이퍼에 도달하지 아니하는 부분에 세정액을 분사하는 제2샤워 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 퀵 드레인 세정 장치. A lower portion of the first shower nozzle, positioned in the QD bath in the direction in which the wafer is arranged, and spraying the cleaning liquid to a portion where the cleaning liquid sprayed by the first shower nozzle does not reach the wafer; 2. A quick drain cleaning device comprising a shower nozzle. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2샤워 노즐은 분사 범위의 조절이 가능하게 상하로 움직일 수 있는 형태로 구성되어짐을 특징으로 하는 퀵 드레인 세정 장치.The second shower nozzle is a quick drain cleaning device, characterized in that it is configured in a form that can be moved up and down to adjust the injection range. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제2샤워 노즐은 상기 큐디알 배스의 측벽의 내부에 고정되는 형태로 구 성되어짐을 특징으로 하는 퀵 드레인 세정 장치.The second shower nozzle is configured to be configured to be fixed to the interior of the side wall of the cupidal bath Quick drain cleaning apparatus.
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