KR20050121378A - Apparatus and method for removing edge bead - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에지 비드 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 공정의 재현성을 향상시켜 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하기 위한 에지 비드 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an edge bead removal device and method, and more particularly, by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the underlying layer to improve the reproducibility of the inter-layer EBR process to increase the number of net dies and calculate the net die An apparatus and method for removing edge beads for ensuring reproducibility.

본 발명의 상기 목적은 소정의 하지층이 형성된 기판 상의 에지 비드 제거를 위한 신나를 분사하는 노즐, 상기 노즐을 지지하는 노즐 지지부, 상기 노즐 지지부 구동을 위한 모터를 포함한 제 1 구동부, 상기 기판에 조사하기 위한 빛을 생성하는 제 1 광원, 상기 제 1 광원에서 송출된 후 상기 기판에서 반사된 빛으로 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 디텍터 및 상기 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시하도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a nozzle for spraying a thinner for removing edge beads on a substrate on which a predetermined base layer is formed, a nozzle support for supporting the nozzle, a first driver including a motor for driving the nozzle support, and irradiating the substrate. EBR process in the same region as the first light source for generating light, the detector for detecting the EBR region of the base layer with the light emitted from the first light source and reflected from the substrate and the detected EBR region of the base layer It is achieved by the edge bead removal device, characterized in that it comprises a control unit for controlling the first drive unit to implement.

따라서, 본 발명의 에지 비드 제거 장치 및 방법은 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 재현성을 향상시켜 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하여 반도체 소자의 수율을 향상시킬 뿐만 아니라 EBR 공정 불량을 실시간으로 모니터링하여 불필요한 공정 손실을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the edge bead removal apparatus and method of the present invention improves the inter-layer EBR reproducibility by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the underlying layer, thereby increasing the number of net dies and securing the net die yield reproducibility, In addition to improving the yield, the EBR process defects can be monitored in real time to prevent unnecessary process loss.

Description

에지 비드 제거 장치 및 방법{Apparatus and method for removing edge bead} Apparatus and method for removing edge bead}

본 발명은 에지 비드 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 공정의 재현성을 향상시켜 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하기 위한 에지 비드 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an edge bead removal device and method, and more particularly, by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the underlying layer to improve the reproducibility of the inter-layer EBR process to increase the number of net dies and calculate the net die An apparatus and method for removing edge beads for ensuring reproducibility.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 발전에 따라 반도체 소자 제조 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 상기 반도체 소자는 집적도, 미세화, 동작속도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이에 따라 집적도 향상을 위한 포토 리소그래피 공정과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구 특성 또한 엄격해지고 있다. In recent years, with the rapid development of information media such as computers, semiconductor device manufacturing technology is also rapidly developing. The semiconductor device has been developed in the direction of improving the degree of integration, miniaturization, operating speed and the like. As a result, requirements for microfabrication techniques, such as photolithography processes for improved integration, are becoming more stringent.

포토 리소그래피 기술은 마스크(mask) 상에 형성된 패턴을 기판으로 전사하는 사진 기술로서 반도체 소자의 미세화 및 고집적화를 주도하는 핵심 기술이다. 일반적으로, 포토 리소그래피 공정은 감광막(photoresist)를 코팅하는 단계, 소프트베이크(softbake)하는 단계, 정렬 및 노광하는 단계, 노광후베이크(Post Exposure Bake, 이하 PEB)하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는 일련의 공정을 거쳐 수행된다.Photolithography is a photo technology that transfers a pattern formed on a mask to a substrate and is a key technology that leads to miniaturization and high integration of semiconductor devices. Generally, photolithography processes include coating a photoresist, softbake, aligning and exposing, post exposure baking (PEB), and developing. It is carried out through a series of processes.

감광막은 하부층을 식각할 때 내식각성을 가지고 빛에 반응하는 감광성을 가진 재료로 양성 감광막(positive photoresist)과 음성 감광막(negative photoresist)이 존재한다. 양성 감광막은 빛에 노출된 영역에서 분해, 분자쇄 절단 등의 반응이 일어나 용해성이 크게 증가하여 현상시 제거되는 것으로서 내식각성이 강하고 해상력이 뛰어나 고집적도 반도체 공정에 많이 사용되고 있다. 이에 비해 음성 감광막은 빛에 노출된 영역에서 가교 등의 반응이 일어나 분자량이 크게 증가하여 현상시 제거되지 않고 남는 특성을 보이는 감광막이다.The photoresist film is a material having a photoresist that reacts to light with etching resistance when etching the lower layer, and includes a positive photoresist film and a negative photoresist film. The positive photoresist film is removed during development due to a large increase in solubility due to decomposition, molecular chain cleavage, and the like, and is widely used in high-density semiconductor processes due to its strong etching resistance and high resolution. On the other hand, the negative photoresist film is a photoresist film that exhibits a characteristic of being left unremoved during development due to a large increase in molecular weight due to a reaction such as crosslinking in a region exposed to light.

반도체 소자의 미세화, 고집적화에 따라 감광막 또한 엄격한 두께 조절 및 균일한 코팅을 필요로 하고 있으며 주로 스핀 코팅 장치를 이용하여 감광막을 코팅하고 있다.With the miniaturization and high integration of semiconductor devices, the photoresist also requires strict thickness control and uniform coating, and is mainly coated with a spin coating apparatus.

도 1은 에지 비드가 형성된 상태를 개념적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram conceptually showing a state in which an edge bead is formed.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상부에 코팅되는 감광막(20)은 유동성을 가지는 액체이므로 상기 기판(10)이 고속 회전함에 따라 원심력에 의해 상기 기판(10)의 가장자리로 밀리게 된다. 상기 기판(10)의 가장자리로 밀린 감광막은 표면장력에 의해 상기 기판(10)의 다른 부분보다 더 부풀어 오르게 되어 에지 비드(edge bead, 30)를 형성하게 된다. 상기 에지 비드(30)는 공정 수행 중 기판 카세트 등과 접촉하게 되면 카세트에 묻게 되고 이것은 후속 공정에서 오염물질로 작용하게 된다. 따라서, 상기 감광막(20) 코팅 공정이 완료된 후에는 상기 에지 비드(30)를 제거하는 에지 비드 제거(Edge Bead Removal, 이하 EBR) 공정을 거친 후 후속 공정이 진행된다. 상기 EBR 공정을 위한 EBR 장치는 트랙(track) 장치 내의 감광막 코팅 장치에서 수행되는 것이 일반적이나 별도의 EBR 장치에 의해 수행되기도 한다.As shown in FIG. 1, since the photosensitive film 20 coated on the upper portion of the substrate 10 is a liquid having fluidity, the substrate 10 is pushed to the edge of the substrate 10 by centrifugal force as the substrate 10 rotates at a high speed. do. The photoresist film pushed to the edge of the substrate 10 is swelled more than other portions of the substrate 10 by surface tension to form an edge bead 30. When the edge bead 30 comes into contact with the substrate cassette or the like during the process, it is buried in the cassette, which acts as a contaminant in a subsequent process. Therefore, after the photoresist film coating process is completed, an edge bead removal process (EBR) to remove the edge beads 30 is performed, and then a subsequent process is performed. The EBR apparatus for the EBR process is generally performed in the photoresist coating apparatus in the track apparatus, but may be performed by a separate EBR apparatus.

도 2는 종래 기술에 의한 에지 비드 제거 장치를 포함한 감광막 코팅 장치를 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a photoresist coating device including the edge bead removal device according to the prior art.

도 2에 도시된 바와 같이, 상부가 개방된 본체(100) 내부에 진공흡착으로 기판(W)을 지지하는 진공척(vacuum chuck, 102)이 존재하며 상기 진공척(102)과 회전부(106)를 연결해 주는 회전축(104)이 상기 진공척(102)에 연결되어 있다. 본체의 상부에는 감광막을 기판(W) 상에 공급하는 감광막 분사 노즐부(108)와 기판(W)의 가장자리에 형성되는 에지 비드 제거를 위한 신나(thinner)를 분사하는 EBR 노즐부(110)가 형성되어 있다. 상기 감광막 분사 노즐부(108)와 EBR 노즐부(110)는 수직 방향으로 움직일 수 있도록 형성된다. 본체의 하부에는 코팅되지 않고 남은 감광막, 신나 및 본체 내의 오염물을 배출하기 위한 배출부(112)가 있다.As shown in FIG. 2, there is a vacuum chuck 102 supporting the substrate W by vacuum adsorption inside the main body 100 having an open top, and the vacuum chuck 102 and the rotating part 106. The rotary shaft 104 connecting the vacuum chuck 102 is connected. On the upper part of the main body, there is a photoresist injection nozzle unit 108 for supplying a photoresist film on the substrate W and an EBR nozzle unit 110 for spraying thinner for removing edge beads formed at the edge of the substrate W. Formed. The photoresist injection nozzle unit 108 and the EBR nozzle unit 110 are formed to be movable in the vertical direction. The lower part of the main body has an uncoated photosensitive film, a thinner and a discharge part 112 for discharging contaminants in the main body.

이러한 구성을 갖는 에지 비드 제거 장치를 포함한 감광막 코팅 장치의 동작을 간단히 살펴보면, 진공척(102) 상에 기판(W)을 진공흡착하여 고정한 후 회전부(106)와 연동하여 회전축(104)이 회전하면 진공척(102)에 놓여진 기판(W)도 회전한다. 이후, 기판(W)의 회전속도가 증가하여 일정 속도로 유지되면, 감광막 분사 노즐부(108) 및 EBR 노즐부(110)가 아래쪽으로 이동하고, 노즐부(108)를 통하여 소정량의 감광막이 기판(W) 상에 공급된다. 이때, 상기 회전부(106)는 기판(W)을 일정 속도로 고속회전시키는 역할을 하며 원심력에 의해 감광막이 기판(W) 상에 균일하게 퍼져 코팅된다.Looking at the operation of the photoresist coating device including the edge bead removal device having such a configuration, if the rotary shaft 104 is rotated in conjunction with the rotating part 106 after fixing the substrate (W) by vacuum suction on the vacuum chuck 102 The substrate W placed on the vacuum chuck 102 also rotates. Subsequently, when the rotational speed of the substrate W is increased and maintained at a constant speed, the photosensitive film spray nozzle unit 108 and the EBR nozzle unit 110 move downward, and a predetermined amount of the photosensitive film is transferred through the nozzle unit 108. It is supplied on the substrate W. At this time, the rotating unit 106 serves to rotate the substrate (W) at a high speed at a constant speed, and the photosensitive film is uniformly spread and coated on the substrate (W) by centrifugal force.

상기 EBR 노즐부(110)에서는 감광막을 용해시키는 용해제인 신나가 분사되어 기판(W)의 가장자리부에 형성된 에지 비드를 제거하게 되고 상기 신나, 원심력에 의해 흩어진 감광막 및 오염물은 배출부(112)를 통해 배출된다. In the EBR nozzle unit 110, a thinner, which is a solvent for dissolving the photosensitive film, is sprayed to remove edge beads formed at the edge of the substrate W. The thinner and contaminants scattered by the thinner and centrifugal force discharge the 112. Is discharged through.

감광막이 기판(W)에 코팅되면, 감광막 분사 노즐부(108) 및 EBR 노즐부(110)는 위쪽으로 움직이고, 진공척(102)의 회전이 정지하면 감광막이 코팅된 기판(W)을 다음 공정으로 이송시킴으로써 EBR 공정을 포함한 코팅작업이 완료된다.When the photoresist film is coated on the substrate W, the photoresist injection nozzle unit 108 and the EBR nozzle unit 110 move upward, and when the rotation of the vacuum chuck 102 stops, the substrate W coated with the photoresist film is next processed. The coating process, including the EBR process, is completed by transferring to.

상기 에지 비드(30) 제거를 위한 다른 방법으로 광학적 에지 비드 제거(Optical Edge Bead Removal, 이하 OEBR) 공정을 사용하기도 한다. OEBR 공정은 기판의 가장자리에 형성된 에지 비드(30)를 제거하기 위해 가장자리 부분만 별도로 노광하여 감광막을 제거하는 방법이다. 상기 OEBR 장치는 트랙(track) 장치 내에 존재하는 것이 일반적이다. Another method for removing the edge bead 30 may be an optical edge bead removal (OEBR) process. The OEBR process is a method of removing the photoresist by separately exposing only the edge portion to remove the edge bead 30 formed on the edge of the substrate. The OEBR device is typically present in a track device.

EBR 공정은 기판이 EBR 장치의 진공척(102)에 놓여지는 정도에 따라 EBR 공정의 정밀도 및 모양이 결정된다. 그러나, 보통 그 정밀도는 낮아서 약 1 mm 정도이다. 즉, 기판 상에 여러 층을 적층하고 EBR 공정을 진행할 때마다 그 모양과 정밀도가 다르기 때문에 각 층간 EBR 영역의 불일치로 인해 기판에서 산출되는 넷 다이(net die)의 개수가 줄어들고 넷 다이 산출에 대한 재현성의 확보가 어려워 반도체 소자의 수율이 저하되는 문제가 있다.In the EBR process, the precision and shape of the EBR process are determined by the degree to which the substrate is placed on the vacuum chuck 102 of the EBR apparatus. However, the accuracy is usually low, about 1 mm. That is, since the shape and the precision are different each time the multiple layers are stacked on the substrate and the EBR process is performed, the number of net dies calculated on the substrate is reduced due to the inconsistency of the EBR regions between the layers, and There is a problem that the reproducibility is difficult to secure and the yield of semiconductor elements is lowered.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 공정의 재현성을 향상시켜 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하기 위한 에지 비드 제거 장치 및 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다. Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by improving the reproducibility of the inter-layer EBR process by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the base layer to increase the number of net dies and net It is an object of the present invention to provide an edge bead removal apparatus and method for ensuring die yield reproducibility.

본 발명의 상기 목적은 소정의 하지층이 형성된 기판 상의 에지 비드 제거를 위한 신나를 분사하는 노즐, 상기 노즐을 지지하는 노즐 지지부, 상기 노즐 지지부 구동을 위한 모터를 포함한 제 1 구동부, 상기 기판에 조사하기 위한 빛을 생성하는 제 1 광원, 상기 제 1 광원에서 송출된 후 상기 기판에서 반사된 빛으로 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 디텍터 및 상기 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시하도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a nozzle for spraying a thinner for removing edge beads on a substrate on which a predetermined base layer is formed, a nozzle support for supporting the nozzle, a first driver including a motor for driving the nozzle support, and irradiating the substrate. EBR process in the same region as the first light source for generating light, the detector for detecting the EBR region of the base layer with the light emitted from the first light source and reflected from the substrate and the detected EBR region of the base layer It is achieved by the edge bead removal device, characterized in that it comprises a control unit for controlling the first drive unit to implement.

본 발명의 상기 목적은 소정의 하지층이 형성된 기판 상에 감광막을 코팅하는 단계, 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 단계 및 상기 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법에 의해서도 달성된다.The object of the present invention includes coating a photoresist film on a substrate on which a predetermined underlayer is formed, detecting an EBR region of the underlayer, and performing an EBR process on the same region as the EBR region of the underlayer. It is also achieved by the edge bead removal method characterized in that.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 에지 비드 제거 장치의 구성도로서 EBR 장치와 OEBR 장치가 별도로 존재하는 경우의 일례를 나타낸 것이다.Figure 3 is a block diagram of the edge bead removal device according to the present invention showing an example of the case where the EBR device and the OEBR device is present separately.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 에지 비드 제거 장치는 EBR 유닛(200)과 OEBR 유닛(300)으로 구성되며 상기 EBR 유닛(200)과 상기 OEBR 유닛(300)은 제어부(218)를 통해 데이터를 송, 수신할 수 있는 구조를 가지고 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 EBR 유닛(200)과 OEBR 유닛(300)은 각각 별도의 EBR 장치와 OEBR 장치를 구성하는 것이 가능하다. 또한, 상기 EBR 유닛(200)과 OEBR 유닛(300)이 합쳐진 하나의 에지 비드 제거 장치를 구성할 수도 있다. 아울러, 상기 에지 비드 제거 장치는 트랙 장치 내의 감광막 코팅 장치에 부속되어 존재할 수도 있다.As shown in FIG. 3, the edge bead removing apparatus of the present invention is composed of an EBR unit 200 and an OEBR unit 300, and the EBR unit 200 and the OEBR unit 300 are controlled through a control unit 218. It has a structure that can send and receive data. As shown in FIG. 3, the EBR unit 200 and the OEBR unit 300 may configure separate EBR units and OEBR units, respectively. In addition, one edge bead removal device in which the EBR unit 200 and the OEBR unit 300 are combined may be configured. In addition, the edge bead removal device may be present in addition to the photoresist coating device in the track device.

상기 EBR 유닛(200)은, 기판(W1)을 지지하는 제 1 진공척(204), 상기 제 1 진공척(204)을 지지하며 기판을 회전시키기 위한 회전수단(도시하지 않음)과 연결하는 회전축(202)이 존재하며 상기 기판(W1) 상에 존재하는 하지층(sub-layer)의 EBR 영역을 측정하기 위한 제 1 광원(206), 제 1 광학계(208) 및 디텍터(detector, 210)를 포함하여 구성된다. 하지층의 EBR 영역 검출시, 감광막이 노광되어 제거되는 것을 방지하기 위해 상기 제 1 광원(206)은 노광용 광원과 다른 파장의 빛을 생성하거나 상기 광학계(208)에 포함된 필터(도시하지 않음)를 통해 노광용 광원과 다른 파장의 빛을 선택하도록 한다.The EBR unit 200 includes a first vacuum chuck 204 for supporting the substrate W1 and a rotation shaft for supporting the first vacuum chuck 204 and connecting with a rotating means (not shown) for rotating the substrate. A first light source 206, a first optical system 208, and a detector 210 for measuring the EBR area of the sub-layer present on the substrate W1 are present. It is configured to include. In detecting the EBR region of the underlying layer, the first light source 206 generates light having a wavelength different from that of the exposure light source or is included in the optical system 208 to prevent the photosensitive film from being exposed and removed. Through to select the light of a wavelength different from the light source for exposure.

또한 상기 EBR 유닛(200)은, 신나를 분사하기 위한 노즐(212), 노즐 지지부(214), 상기 노즐 지지부를 구동하기 위한 모터를 포함한 제 1 구동부(216) 및 제어부(218)를 포함하여 구성된다.In addition, the EBR unit 200 includes a nozzle 212 for injecting thinner, a nozzle supporter 214, a first driver 216 including a motor for driving the nozzle supporter, and a controller 218. do.

상기 기판(W1)이 원형이 아닌 사각형 기판, 예를 들어 액정표시장치의 유리기판일 경우 상기 회전축(202)에 의한 기판(W1) 회전보다는 상기 노즐(212) 및 노즐 지지부(214)의 왕복운동에 의해 에지 비드를 제거하는 것이 보다 바람직하다.When the substrate W1 is not a circular rectangular substrate, for example, a glass substrate of a liquid crystal display device, the reciprocating motion of the nozzle 212 and the nozzle support 214 rather than the rotation of the substrate W1 by the rotating shaft 202. It is more preferable to remove the edge beads by.

또한, 상기 신나를 분사하는 과정에서 신나가 기판의 중앙으로 옮겨가서 패턴 부위의 감광막까지 제거될 가능성이 있으므로 에지 비드 제거 장치는 탈이온수와 고압의 청정건조공기(CDA : Clean Dried Air)를 분사하는 세정부를 포함하는 것이 가능하다. 특히, 액정표시장치의 유리기판과 같이 직사각형의 기판일 경우에는 상기 기판(W1)을 회전시키지 않고 상기 노즐(212) 및 노즐 지지부(214)를 왕복운동하면서 EBR 공정을 실시하는 것이 바람직하기 때문에 신나가 기판 중앙으로 옮겨갈 가능성이 많아 상기 세정부를 설치하는 것이 유용하다.In addition, in the process of spraying the thinner, the thinner may move to the center of the substrate and be removed to the photoresist of the pattern portion. Therefore, the edge bead removal device may spray deionized water and high pressure clean dried air (CDA). It is possible to include a cleaning part. In particular, in the case of a rectangular substrate such as a glass substrate of a liquid crystal display device, it is preferable to perform an EBR process while reciprocating the nozzle 212 and the nozzle support 214 without rotating the substrate W1. Since it is likely to move to the center of the substrate, it is useful to provide the cleaning section.

상기 OEBR 유닛(300)은 OEBR 공정을 실시하기 위해 필요한 노광용 광원을 생성하는 제 2 광원(304), 소정의 제 2 광학계(306) 및 기판(W2)의 가장자리 영역만을 선택적으로 노광하기 위한 광섬유(308) 및 상기 제어부(218)로부터 전송된 신호를 바탕으로 상기 광섬유(308)를 왕복운동하여 OEBR 공정을 실시하기 위한 모터를 포함한 제 2 구동부(302)를 포함하여 구성된다. 상기 OEBR 유닛(300)이 상기 EBR 유닛(200)과 별도의 장치에서 공정을 수행할 경우에는 기판(W2)을 지지하기 위한 제 2 진공척(310), 제 2 회전축(312)이 존재한다. OEBR 공정에서 노광하는 영역은 상기 제어부(218)에서 전송된 하지층의 EBR 영역과 동일하게 설정하거나 소정의 오프셋, 예를 들어 1 mm 이하를 설정하여 기판(W2) 상의 감광막(P2)를 노광하여 EBR 공정에서 제거되지 않은 에지 비드를 제거한다.The OEBR unit 300 may include an optical fiber for selectively exposing only the edge region of the second light source 304, the predetermined second optical system 306, and the substrate W2 to generate an exposure light source necessary for performing the OEBR process ( 308 and a second driver 302 including a motor for performing an OEBR process by reciprocating the optical fiber 308 based on the signal transmitted from the controller 218. When the OEBR unit 300 performs a process in a separate device from the EBR unit 200, there is a second vacuum chuck 310 and a second rotating shaft 312 for supporting the substrate W2. The exposure area in the OEBR process is set equal to the EBR area of the underlying layer transferred from the control unit 218 or by setting a predetermined offset, for example, 1 mm or less, to expose the photosensitive film P2 on the substrate W2. Remove the edge beads that were not removed in the EBR process.

도 4는 본 발명에 따른 에지 비드 제거 방법의 흐름도이다. 이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 에지 비드 제거 방법을 살펴보기로 한다.4 is a flowchart of an edge bead removal method according to the present invention. Hereinafter, an edge bead removal method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

먼저 소정의 하지층이 형성된 기판(W1)을 트랙 장치 내의 코팅 장치로 이송하여 감광막(P1)을 코팅한다(S100). First, the substrate W1 on which the predetermined base layer is formed is transferred to the coating apparatus in the track apparatus to coat the photosensitive film P1 (S100).

다음, 상기 기판(W1)에 형성되어 있는 하지층의 EBR 영역을 검출한다(S101). 하지층의 EBR 영역을 검출하기 위해 기판에 조사되는 빛은 노광용 파장과는 다른 파장을 사용함으로써 감광막이 반응하여 현상시 제거되지 않도록 한다. 상기 제 1 광원(206)에서 송출된 빛은 소정의 제 1 광학계(208)를 통과한 후 기판(W1)에서 반사되어 디텍터(210)에 인입된다. 상기 디텍터(210)에 인입된 빛을 화상처리하여 하지층의 EBR 영역을 검출한다.Next, the EBR region of the underlayer formed on the substrate W1 is detected (S101). The light irradiated onto the substrate to detect the EBR region of the underlying layer uses a wavelength different from the wavelength for exposure so that the photoresist film does not react and is removed during development. The light emitted from the first light source 206 passes through the first optical system 208 and is reflected by the substrate W1 to be introduced into the detector 210. The EBR region of the underlying layer is detected by image processing the light introduced into the detector 210.

상기 기판(W1)에는 이전 공정에서 형성된 하지층이 존재하게 되며 상기 하지층으로 구성되는 패턴과 기판을 구성하는 실리콘 또는 유리와 같은 물질을 구별함으로써 하지층의 EBR 영역을 검출한다.In the substrate W1, an underlayer formed in a previous process is present, and the EBR region of the underlayer is detected by distinguishing a pattern composed of the underlayer from a material such as silicon or glass constituting the substrate.

다음, EBR 영역을 설정한다(S102). 상기 EBR 영역은 하지층의 EBR 영역과 동일하도록 하며 상기 디텍터에서 검출된 하지층의 EBR 영역과 관련된 데이터를 상기 제어부(218)에 전송하고 제어부(218)는 제 1 구동부(216)를 제어한다. Next, the EBR area is set (S102). The EBR region is the same as the EBR region of the underlayer, and the data related to the EBR region of the underlayer detected by the detector is transmitted to the controller 218, and the controller 218 controls the first driver 216.

다음, 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시한다(S103). 상기 디텍터(210)에서 검출된 하지층의 EBR 영역에 대한 데이터를 바탕으로 상기 제어부(218)는 상기 제 1 구동부(216)에 포함된 모터를 조절하여 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 신나를 분사하여 에지 비드를 제거한다. 도면에 도시되지 않았으나 상기 기판(W1)의 하부에도 노즐을 설치하여 신나를 분사하는 것이 바람직하다. Next, an EBR process is performed on the same region as the detected EBR region of the underlayer (S103). Based on the data on the EBR area of the underlayer detected by the detector 210, the controller 218 adjusts a motor included in the first driver 216 to apply thinner to the same area as the EBR area of the underlayer. Spray to remove edge beads. Although not shown in the drawing, it is preferable to spray the thinner by installing a nozzle on the lower portion of the substrate W1.

다음, EBR 공정이 완료된 기판(W2)을 이용하여 노광 공정을 통해 기판(W2)에 원하는 패턴을 전사한 후 노광 공정이 완료된 기판(W2)을 OEBR 유닛(300)으로 이송한다(S104).Next, the desired pattern is transferred to the substrate W2 through the exposure process using the substrate W2 on which the EBR process is completed, and then the substrate W2 on which the exposure process is completed is transferred to the OEBR unit 300 (S104).

그리고, 상기 제 2 광원(304)에서 송출된 빛을 소정의 제 2 광학계(306)를 통과시킨 후 광섬유(308)에 입사시켜 상기 기판(W2) 상의 감광막(P2)을 노광하는 OEBR 공정을 실시한다(S105). 상기 OEBR 공정을 통해 EBR 공정에서 제거되지 않은 에지 비드 및 기판 가장자리의 감광막을 완벽하게 제거한다. 상기 제어부(218)는 상기 디텍터(210)로부터 받은 하지층의 EBR 영역 데이터를 바탕으로 OEBR 영역을 결정하고 상기 제 2 구동부(302)를 구동하여 OEBR 공정을 실시한다. 상기 OEBR 영역은 상기 EBR 영역과 동일한 영역을 설정하거나 1 mm 이하의 오프셋(offset)을 설정하는 것이 바람직하다.Then, an OEBR process of exposing the photosensitive film P2 on the substrate W2 is performed by passing the light emitted from the second light source 304 through a predetermined second optical system 306 and then entering the optical fiber 308. (S105). The OEBR process completely removes the edge bead and the photoresist film at the edge of the substrate that are not removed in the EBR process. The controller 218 determines the OEBR region based on the EBR region data of the underlying layer received from the detector 210 and drives the second driver 302 to perform an OEBR process. In the OEBR region, it is preferable to set the same region as the EBR region or set an offset of 1 mm or less.

이와 같이, 상기 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 재현성을 확보하여 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하여 반도체 소자의 수율율 향상시킬 수 있다. 또한 EBR 불량을 실시간으로 모니터링할 수 있어 불필요한 공정 손실을 방지할 수 있다.As such, by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the underlayer, the yield of semiconductor devices can be improved by increasing the number of net dies and securing the net die calculation reproducibility by securing EBR reproducibility between layers. In addition, EBR failures can be monitored in real time, avoiding unnecessary process losses.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 에지 비드 제거 장치 및 방법은 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정과 OEBR 공정을 실시함으로써 각 층간 EBR 재현성을 향상시켜 넷 다이 개수 증가 및 넷 다이 산출 재현성을 확보하여 반도체 소자의 수율을 향상시킬 뿐만 아니라 EBR 공정 불량을 실시간으로 모니터링하여 불필요한 공정 손실을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the edge bead removal apparatus and method of the present invention improves the inter-layer EBR reproducibility by performing the EBR process and the OEBR process in the same region as the EBR region of the underlying layer, thereby increasing the number of net dies and securing the net die yield reproducibility, In addition to improving the yield, the EBR process defects can be monitored in real time to prevent unnecessary process loss.

도 1은 에지 비드가 형성된 상태를 개념적으로 나타낸 도면.1 conceptually illustrates a state in which edge beads are formed.

도 2는 종래 기술에 의한 에지 비드 제거 장치를 포함한 감광막 코팅 장치를 나타낸 구성도.Figure 2 is a block diagram showing a photoresist coating device including the edge bead removal device according to the prior art.

도 3은 본 발명에 의한 에지 비드 제거 장치를 나타낸 구성도.Figure 3 is a block diagram showing an edge bead removal apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 의한 에지 비드 제거 방법의 흐름도.4 is a flow chart of the edge bead removal method according to the present invention.

Claims (10)

에지 비드 제거 장치에 있어서,In the edge bead removal device, 소정의 하지층이 형성된 기판 상의 에지 비드 제거를 위한 신나를 분사하는 노즐;A nozzle for spraying a thinner for removing edge beads on a substrate on which a predetermined underlayer is formed; 상기 노즐을 지지하는 노즐 지지부;A nozzle supporter for supporting the nozzle; 상기 노즐 지지부 구동을 위한 모터를 포함한 제 1 구동부;A first driver including a motor for driving the nozzle support; 상기 기판에 조사하기 위한 빛을 생성하는 제 1 광원;A first light source for generating light for irradiating the substrate; 상기 제 1 광원에서 송출된 후 상기 기판에서 반사된 빛으로 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 디텍터; 및 A detector for detecting an EBR region of the base layer by light reflected from the substrate after being emitted from the first light source; And 상기 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시하도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 제어부 Control unit for controlling the first driving unit to perform an EBR process in the same region as the detected EBR region of the underlayer 를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치.Edge bead removal apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 광원은 노광용 광원의 파장과 다른 파장의 빛을 생성하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치. And the first light source generates light having a wavelength different from that of the exposure light source. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 비드 제거 장치는 상기 기판 중앙으로 옮겨가는 신나를 제거하기 위한 세정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치.The edge bead removal device further comprises a cleaning unit for removing the thinner moving to the center of the substrate. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 에지 비드 제거 장치는 OEBR 유닛을 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 EBR 공정에서 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 OEBR 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치.The edge bead removal device further comprises an OEBR unit, wherein the control unit performs an OEBR process in the same region as the EBR region of the underlayer detected in the EBR process. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 OEBR 유닛은The OEBR unit 상기 OEBR 공정에 필요한 노광용 광원을 생성하는 제 2 광원;A second light source for generating an exposure light source required for the OEBR process; 상기 제 2 광원에서 생성된 빛을 상기 기판의 가장자리만을 선택적으로 노광하기 위한 광섬유; 및An optical fiber for selectively exposing only the edges of the substrate to the light generated by the second light source; And 상기 제어부로부터 전송된 신호를 바탕으로 상기 광섬유를 구동하기 위한 제 2 구동부A second driver for driving the optical fiber based on the signal transmitted from the controller 를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 장치.Edge bead removal apparatus comprising a. 에지 비드 제거 방법에 있어서,In the edge bead removal method, 소정의 하지층이 형성된 기판 상에 감광막을 코팅하는 단계;Coating a photosensitive film on a substrate on which a predetermined underlayer is formed; 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 단계; 및Detecting an EBR region of the underlayer; And 상기 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 EBR 공정을 실시하는 단계Performing an EBR process in the same region as the EBR region of the underlayer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법.Edge bead removal method comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 하지층의 EBR 영역을 검출하는 단계는Detecting the EBR region of the base layer 상기 기판에 상기 감광막을 노광하기 위한 노광용 광원의 파장과 다른 파장을 가지는 측정용 광원을 조사하는 단계;Irradiating a measurement light source having a wavelength different from a wavelength of an exposure light source for exposing the photosensitive film to the substrate; 상기 기판에서 반사된 빛을 수신하여 화상처리하는 단계; 및Receiving and reflecting light reflected from the substrate; And 상기 화상처리된 데이터를 바탕으로 상기 하지층의 EBR 영역을 설정하는 단계Setting an EBR region of the underlayer based on the image processed data 를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법.Edge bead removal method comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 EBR 공정은 상기 기판이 정지된 상태에서 왕복운동하는 노즐을 통해 신나를 분사하여 에지 비드를 제거하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법.The EBR process removes edge beads by spraying thinner through a reciprocating nozzle while the substrate is stopped. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판은 사각형의 유리기판임을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법.Edge substrate removal method characterized in that the substrate is a rectangular glass substrate. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 EBR 공정이 진행된 기판을 상기 검출된 하지층의 EBR 영역과 동일한 영역에 OEBR 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 비드 제거 방법.And performing an OEBR process in the same region as the detected EBR region of the substrate under which the EBR process has been performed.
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