KR20050120412A - 침수 리소그래피 공정을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조 공정 중 리소그래피 공정에 관한 것이며, 더 자세히는 침수 리소그래피(immersion lithography) 공정을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 침수 리소그래피 공정시 노광 렌즈와 포토레지스트 사이의 매개로 작용하는 유체의 포토레지스트 내부로의 흡수를 방지할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 침수 리소그래피 공정 적용시 포토레지스트와 노광 렌즈 사이에 매개체로서 적용되는 유체(물, 유기 용매 등)의 포토레지스트 내부로의 흡수를 방지하기 위하여, 포토레지스트 도포 후 그 표면을 소수성 물질로 처리하여 포토레지스트 표면 부분에 소수성 인터페이스층을 형성해 준다.

Description

침수 리소그래피 공정을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법{METHOD FOR FORMING FINE PATTERN IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING IMMERSION LITHOGRAPHY PROCESS}
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조 공정 중 리소그래피 공정에 관한 것이며, 더 자세히는 침수 리소그래피(immersion lithography) 공정을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 디자인 룰 축소가 가속되고 있는 추세에 따라 반도체 소자를 구성하는 각종 패턴의 사이즈 역시 점차 줄어들고 있다.
현재 양산 반도체 소자 제조 공정 중 라인 형태의 패턴 형성을 위하여 248nm(KrF) 또는 193nm(ArF)의 파장을 가지는 노광원이 사용되고 있으며, 157nm(F2)의 파장을 가지는 노광원에 대한 연구가 진행 중에 있다.
일반적인 리소그래피 공정의 경우, 노광 장비(구체적으로는 노광 장비의 렌즈)와 포토레지스트 사이의 중간 노광 빔의 매개체로 굴절율 1.0의 값을 가지는 공기가 사용되고 있다. 한편, 최근에는 노광원의 해상도 한계를 극복하기 위하여 침수 리소그래피 공정이 도입되고 있다.
침수 리소그래피 공정은 노광 장비 자체적으로 노광 렌즈와 포토레지스트 사이의 매개체로 1.0 이상의 굴절율을 갖는 물, 유기 용매 등의 다른 유체들을 적용함으로써 상대적으로 노광 장비의 개구(numerical aperture, NA) 값을 증가시키고, 적용 노광원의 파장치가 본래 수치보다 더 작은 값으로 입사될 수 있도록 함으로써 패턴의 해상력을 증가시켜 노광원의 해상도 한계를 넘는 미세 패턴을 형성할 수 있다.
현재 적용되고 있는 침수 리소그래피 공정에서는 주로 레지스트 표면 위에 물을 중간 매개체로서 적용하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 침수 리소그래피 공정을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 침수 리소그래피 공정은, 우선 소정의 공정을 마치고 식각 대상층(12)이 증착된 기판(10) 상부에 포토레지스트(14)를 도포하고, 침수 노광장비를 이용하여 노광 공정을 진행한다. 노광 공정시 노광 렌즈(18)와 포토레지스트(14) 사이에는 물(16)이 매개체로 적용된다.
이후, 통상적인 노광후 베이크(post-exposure bake, PEB) 공정, 현상 공정 등을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 대상층(12)에 대한 식각을 수행함으로써 식각 대상층(12)을 패터닝하게 된다.
그런데, 상기와 같이 수행되는 종래의 침수 리소그래피 공정시 노광 렌즈(18)와 포토레지스트(14) 사이의 매개체로서 적용된 물(16)이 포토레지스트(14) 내의 수지(resin) 또는 광감응제(photoactive compound, PAC) 성분에 흡수되어 노광 및 현상 공정을 거치면서 포토레지스트(14)을 팽창(swelling)시키는 현상이 발생하고 있다.
또한, 물(16)의 포트레지스트(14) 내부로의 흡수는 노광 공정 및 PEB 공정시 진행되는 PAG(photo acid generator)의 산 확산 속도를 불균일하게 만들어 라인 패턴의 가장자리 부분의 프로파일 열화를 유발하고 있으며, 포트레지스트(14)의 물리적인 팽창과 더불어 CD(critical dimension) 균일도를 떨어뜨려 반도체 소자의 특성을 열화시키는 요인이 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 침수 리소그래피 공정시 노광 렌즈와 포토레지스트 사이의 매개로 작용하는 유체의 포토레지스트 내부로의 흡수를 방지할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 식각 대상층이 증착된 기판 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트 표면을 소수성 물질로 처리하여 포토레지스트 표면 부분에 소수성 인터페이스층을 형성하는 단계; 침수 노광장비를 이용하여 노광 공정을 진행하는 단계; 상기 포토레지스트에 대한 현상 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상층에 대한 식각을 수행하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법이 제공된다.
여기서, 상기 소수성 물질은 헥사 메틸 디실라잔(HMDS), 테트라 메틸 디실라잔(TMDS), 비스디메틸아미노 디메틸실란, 비스디메틸 아미노 메틸실란, 디메틸실릴 디메틸아민, 디메틸실릴 디에틸아민, 트리메틸실릴 디메틸아민, 트리메틸실릴 디에틸아민, 디메틸아미노 펜타메틸디실란 중 선택된 적어도 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 소수성 인터페이스층을 형성하는 단계에서, 상기 소수성 물질을 포토레지스트 표면에 처리하기 위하여 기체 상태로 분사하거나 액체 상태로 코팅하는 과정을 수행하는 것이 바람직하며, 이러한 표면 처리 과정은 60∼150℃ 온도에서 50∼150초 동안 수행하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 노광 공정을 진행하는 단계에서, 상기 침수 노광장비와 상기 소수성 인터페이스층의 매개체로서 물, 핵산, 크실렌, 사이클로옥탄, 퍼플루로폴리에테르 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 매개체의 온도는 20∼30℃가 적당하며, 상기 매개체에 0.01∼2wt%의 LiOH, NaOH, KOH, CsOH 중 선택된 어느 하나를 첨가하는 것도 가능하다.
한편, 상기 식각 대상층으로 실리콘질화막, 실리콘산화막, BPSG막, PSG막, USG막, PE-TEOS산화막, 실리콘산화질화막, 폴리실리콘막, 유기계 난반사막, 무기계 난반사막 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 가능하다.
그리고, 상기 포토레지스트로는 폴리 비닐 페놀계, 폴리 하이드록시 스타일렌계, 폴리 노르보넨계, 폴리 아다만계, 폴리 이미드계, 폴리 아크릴레이트계, 폴리 메타 아크릴레이트계, 폴리 플루오린계, F로 치환된 단중합체 또는 공중합체 중 선택된 어느 하나의 레진을 포함하는 것이 사용 가능하다.
나아가, 상기 포토레지스트로는 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 이옥산, 디메틸 포름아미드 중 선택된 적어도 어느 하나의 용매를 포함하는 것이 사용 가능하다.
본 발명에서는 침수 리소그래피 공정 적용시 포토레지스트와 노광 렌즈 사이에 매개체로서 적용되는 유체(물, 유기 용매 등)의 포토레지스트 내부로의 흡수를 방지하기 위하여, 포토레지스트 도포 후 그 표면을 소수성 물질로 처리하여 포토레지스트 표면 부분에 소수성 인터페이스층을 형성해 준다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 침수 리소그래피 공정을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 침수 리소그래피 공정은, 우선 소정의 공정을 마치고 200∼20000Å 두께의 식각 대상층(22)이 증착된 기판(20) 상부에 포토레지스트(24)를 700∼10000Å 두께로 도포한다. 이때, 식각 대상층(22)으로는 실리콘질화막, 실리콘산화막, BPSG막, PSG막, USG막, PE-TEOS산화막, 실리콘산화질화막, 폴리실리콘막 등 반도체 제조 공정에서 사용되는 거의 모든 물질막이 사용될 수 있으며, 식각 대상층(22) 상에 유기 또는 무기계 난반사막을 증착한 상태에서 공정을 진행할 수도 있다. 한편, 포토레지스트(24)로는 폴리 비닐 페놀계, 폴리 하이드록시 스타일렌계, 폴리 노르보넨계, 폴리 아다만계, 폴리 이미드계, 폴리 아크릴레이트계, 폴리 메타 아크릴레이트계, 폴리 플루오린계, F로 치환된 단중합체 또는 공중합체의 레진을 이용한 포토레지스트를 적용할 수 있으며, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 이옥산, 디메틸 포름아미드 등의 단독용매 또는 이들의 혼합용매를 이용한 포토레지스트를 적용할 수 있다.
이어서, 포토레지스트(24) 표면을 소수성 물질로 처리하여 포토레지스트(24) 표면 부분에 소수성 인터페이스층(26)을 형성한다. 이때, 소수성 물질로는 헥사 메틸 디실라잔(HMDS), 테트라 메틸 디실라잔(TMDS), 비스디메틸아미노 디메틸실란, 비스디메틸 아미노 메틸실란, 디메틸실릴 디메틸아민, 디메틸실릴 디에틸아민, 트리메틸실릴 디메틸아민, 트리메틸실릴 디에틸아민, 디메틸아미노 펜타메틸디실란 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 소수성 물질을 포토레지스트(24) 표면에 처리하기 위하여 기체 상태로 분사하거나 액체 상태로 코팅하는 과정을 1회 또는 다수번 수행하는 방식을 적용한다. 한편, 소수성 표면 처리는 60∼150℃ 온도에서 50∼150초 동안 수행하는 것이 바람직하다.
다음으로, 침수 노광장비를 이용하여 노광 공정을 진행한다. 이때, 노광 렌즈(30)와 소수성 인터페이스층(24)의 매개체로 사용되는 유체(28)로는 물, 핵산, 크실렌, 사이클로옥탄, 퍼플루로폴리에테르 등을 적용할 수 있으며, 상기 유체(28)에 0.01∼2wt%의 LiOH, NaOH, KOH, CsOH 등을 추가로 첨가하여 적용할 수 있다. 한편, 상기 유체(28)의 온도는 20∼30℃가 적당하며, 분위기 가스로는 질소, 산소, 아르곤, 헬륨 가스 등을 사용할 수 있다.
이후, 통상적인 노광후 베이크 공정, 현상 공정 등을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 대상층(22)에 대한 식각을 수행함으로써 식각 대상층(22)을 패터닝하게 된다.
이하에서는 전술한 본 발명을 적용한 몇 개의 실험예를 소개하기로 한다.
실험예 1
화학증폭형의 KrF용 폴리하이드록시 스타일렌계의 포토레지스트를 SiON 기판 상에 4100Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 핵사 메틸 디실라잔을 90℃에서 120초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(23℃)을 사용하였다.
실험예 2
화학증폭형의 KrF용 폴리하이드록시 스타일렌계의 포토레지스트를 폴리실리콘 기판 상에 3500Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 핵사 메틸 디실라잔을 100℃에서 90초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(25℃)을 사용하였다.
실험예 3
화학증폭형의 KrF용 폴리 아크릴레이트계의 포토레지스트를 폴리실리콘 기판 상에 2300Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 HMDS를 110℃에서 90초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(24℃)을 사용하였다.
실험예 4
화학증폭형의 KrF용 폴리 아크릴레이트계의 포토레지스트를 실리콘산화막 기판 상에 1800Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 HMDS를 130℃에서 70초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(26℃)을 사용하였다.
실험예 5
화학증폭형의 KrF용 폴리 노르보넨계의 포토레지스트를 실리콘산화막 기판 상에 1800Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 비스디메틸 아미노 메틸실란을 150℃에서 60초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(27℃)을 사용하였다.
실험예 6
화학증폭형의 KrF용 폴리 말레익 안하이드로계의 포토레지스트를 유기 난반사방지막 기판 상에 1600Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 비스디메틸 아미노 메틸실란을 140℃에서 80초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(24℃)을 사용하였다.
실험예 7
화학증폭형의 F2용 F로 치환된 폴리 아크릴레이트계의 포토레지스트를 유기 난반사방지막 기판 상에 1500Å 두께로 도포하고, 포토레지스트 표면에 대해 비스디메틸 아미노 메틸실란을 100℃에서 80초 동안 기체 상태로 표면 분사 처리한후, 침수 노광 장비를 이용한 노광 및 현상 공정을 거쳐 미세 패턴을 형성하였다. 이때, 침수 노광에 적용되는 유체로 물(25℃)을 사용하였다.
전술한 실험예들은 본 발명에서 바람직한 표면 처리 조건을 제안하기 위하여 기판 종류, 포토레지스트 종류, 표면처리 방식을 조금씩 바꿔가면서 수행한 수많은 실험 중 일부를 소개한 것이며, 소개된 7개의 실험예에 대해서는 모두 만족할 만한 결과를 얻을 수 있었다. 즉, 본 발명의 적용을 통해 미세 패턴 특히 100nm 이하의 미세 패턴 형성시 균일한 CD를 가지는 안정된 패턴을 얻을 수 있었다.
도 3은 실험예 3에 따라 형성된 라인 패턴의 전자현미경 사진이며, 도 4는 실험예 4에 따라 형성된 라인 패턴의 전자현미경 사진이며, 도 5는 실험예 5에 따라 형성된 아일랜드 패턴의 전자현미경 사진이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 패턴의 가장자리 프로파일이 비교적 양호하며, 패턴 CD가 균일함을 확인할 수 있으며, 이는 본 발명의 적용에 의해 물의 포토레지스트 내부로의 흡수가 거의 없었음을 반증하는 것이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 본 발명은 침수 리소그래피 공정을 통해 안정된 미세 패턴을 형성할 수 있도록 하는 효과가 있으며, 이로 인하여 반도체 소자의 특성을 개선하고 수율을 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 침수 리소그래피 공정을 개념적으로 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 침수 리소그래피 공정을 개념적으로 나타낸 도면.
도 3은 실험예 3에 따라 형성된 라인 패턴의 전자현미경 사진.
도 4는 실험예 4에 따라 형성된 라인 패턴의 전자현미경 사진.
도 5는 실험예 5에 따라 형성된 아일랜드 패턴의 전자현미경 사진.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 기판 22 : 식각 대상층
24 : 포토레지스트 26 : 소수성 인터페이스층
28 : 유체 30 : 노광 렌즈

Claims (10)

  1. 식각 대상층이 증착된 기판 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계;
    상기 포토레지스트 표면을 소수성 물질로 처리하여 포토레지스트 표면 부분에 소수성 인터페이스층을 형성하는 단계;
    침수 노광장비를 이용하여 노광 공정을 진행하는 단계;
    상기 포토레지스트에 대한 현상 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상층에 대한 식각을 수행하는 단계
    를 포함하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소수성 물질은 헥사 메틸 디실라잔(HMDS), 테트라 메틸 디실라잔(TMDS), 비스디메틸아미노 디메틸실란, 비스디메틸 아미노 메틸실란, 디메틸실릴 디메틸아민, 디메틸실릴 디에틸아민, 트리메틸실릴 디메틸아민, 트리메틸실릴 디에틸아민, 디메틸아미노 펜타메틸디실란 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 소수성 인터페이스층을 형성하는 단계에서,
    상기 소수성 물질을 포토레지스트 표면에 처리하기 위하여 기체 상태로 분사하거나 액체 상태로 코팅하는 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기체 상태로 분사하거나 액체 상태로 코팅하는 과정은 60∼150℃ 온도에서 50∼150초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노광 공정을 진행하는 단계에서,
    상기 침수 노광장비와 상기 소수성 인터페이스층의 매개체로서 물, 핵산, 크실렌, 사이클로옥탄, 퍼플루로폴리에테르 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 매개체에 0.01∼2wt%의 LiOH, NaOH, KOH, CsOH 중 선택된 어느 하나를 첨가하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 매개체의 온도는 20∼30℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 식각 대상층은 실리콘질화막, 실리콘산화막, BPSG막, PSG막, USG막, PE-TEOS산화막, 실리콘산화질화막, 폴리실리콘막, 유기계 난반사막, 무기계 난반사막 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 폴리 비닐 페놀계, 폴리 하이드록시 스타일렌계, 폴리 노르보넨계, 폴리 아다만계, 폴리 이미드계, 폴리 아크릴레이트계, 폴리 메타 아크릴레이트계, 폴리 플루오린계, F로 치환된 단중합체 또는 공중합체 중 선택된 어느 하나의 레진을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 이옥산, 디메틸 포름아미드 중 선택된 적어도 어느 하나의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
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US7932019B2 (en) 2006-11-13 2011-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Gettering members, methods of forming the same, and methods of performing immersion lithography using the same
CN112904675A (zh) * 2021-01-27 2021-06-04 宁波南大光电材料有限公司 一种疏水光刻胶薄膜的制备方法以及疏水光刻胶薄膜

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100811434B1 (ko) * 2005-12-26 2008-03-07 주식회사 하이닉스반도체 이머전 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
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