KR20050119237A - The lamp plate of the process chamber for fabricating the semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조설비용 프로세스 챔버에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 제조설비용 프로세스 챔버의 램프 플레이트에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 제조설비용 프로세스 챔버의 램프 플레이트는 제 1구경의 상부와 제 1구경보다 작은 제 2구경의 하부로 이루어져 단면이 T형인 석영재질의 상판과, 상기 상판의 하부 외주부위에 SUS재질의 링과, 상기 상판과 상기 링을 결합시키는 오링으로 구성됨을 특징으로 한다. 그리하여 PM 등을 목적으로 램프 플레이트를 프로세스 챔버에서 분리할 경우 램프 플레이트의 브로큰을 방지할 수 있는 효과를 갖는다. The present invention relates to a process chamber for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a lamp plate of a process chamber for semiconductor manufacturing equipment. The lamp plate of the process chamber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention comprises a top plate of a quartz material having a T-shaped cross section consisting of an upper portion of a first diameter and a lower portion of a second diameter smaller than the first diameter, and SUS on a lower outer peripheral portion of the upper plate. Ring of material, characterized in that consisting of the O-ring to combine the top plate and the ring. Thus, when the lamp plate is separated from the process chamber for the purpose of PM or the like, there is an effect of preventing the lamp plate from being broken.
Description
본 발명은 반도체 제조설비용 프로세스 챔버에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 제조설비용 프로세스 챔버의 램프 플레이트에 관한 것이다. The present invention relates to a process chamber for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a lamp plate of a process chamber for semiconductor manufacturing equipment.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 장치로 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼에 대하여 증착, 포토리소그래피(photolithography), 식각, 이온 주입, 연마, 세정 등의 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들 중 상기 식각 공정은 습식 식각 및 건식 식각에 의해 수행할 수 있는데, 최근의 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(design rule)을 요구하는 미세 패턴(pattern)을 형성하기 위한 식각은 주로 건식 식각에 의해 수행되고 있다.In general, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing unit processes such as deposition, photolithography, etching, ion implantation, polishing, and cleaning on a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device. Among the unit processes, the etching process may be performed by wet etching and dry etching. An etching for forming a fine pattern requiring a design rule of 0.15 μm or less is mainly performed by dry etching. Is being performed by
상기 식각 공정에는 상기 반도체 기판 상에 형성된 피가공막을 선택적으로 식각하기 위한 식각 마스크(mask)가 필요하고, 상기 식각 마스크는 반도체 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정과 상기 포토레지스트 조성물을 특정 패턴으로 형성하기 위한 노광 및 현상 공정을 통해 반도체 기판 상에 형성된다.The etching process requires an etching mask for selectively etching the processed film formed on the semiconductor substrate, the etching mask is a process of applying a photoresist composition on the semiconductor substrate and a specific pattern of the photoresist composition It is formed on a semiconductor substrate through an exposure and development process for forming.
상기 식각 공정이 종료된 후에는 상기 식각 공정에서 식각 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴을 제거하는 애싱 공정이 수행되어야 한다. 상기와 같은 애싱 공정은 반도체 기판 상에 형성되는 다층막들의 가공과 더불어 수 차례 반복되어 수행된다.After the etching process is completed, an ashing process of removing the photoresist pattern used as an etching mask in the etching process should be performed. The ashing process as described above is repeatedly performed several times along with the processing of the multilayer films formed on the semiconductor substrate.
포토레지스트 레지듀를 제거하는 방법으로는 RF(radio frequency) 파워(power)를 이용하여 플라즈마(plasma)를 발생시키고, 상기 플라즈마를 이용하여 상기 포토레지스트 레지듀를 제거하는 방법이 상용화되어 왔다. 즉, 플라즈마의 이온이나 라디칼(radical) 성분이 상기 포토레지스트 막과 화학적인 반응을 함과 동시에 상기 이온들이 포토레지스트 레지듀에 충돌하면서 상기 포토레지스트 레지듀를 제거하게 된다. As a method of removing the photoresist residue, plasma has been commercialized using radio frequency (RF) power, and a method of removing the photoresist residue using the plasma has been commercialized. That is, while the ions or radicals of the plasma chemically react with the photoresist film, the ions collide with the photoresist residue to remove the photoresist residue.
또한, 상기 포토레지스트 레지듀를 제거하는 다른 방법으로는 오존(ozone)의 라디칼 성분으로 상기 포토레지스트 레지듀와 화학적인 반응만을 일으켜서 상기 포토레지스트 레지듀를 제거하는 방법이 있다. 상세하게 설명하면, 상기 포토레지스트 레지듀는 C-H-O의 기본 구조로 이루어져 있고, 그 각각을 연결하는 고리는 오존의 라디칼 성분과 화학적인 반응이 일어나면 쉽게 끊어진다. 그리고 오존은 일정한 온도에 도달하면 쉽게 라디칼 성분으로 변환되기 때문에 용이하게 공정을 진행시킬 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 레지듀에 충격을 가하지 않고, 단지 포토레지스트 레지듀의 연결고리를 끊는 화학적인 반응만을 일으켜서 상기 포토레지스트 레지듀를 제거하게 된다.In addition, another method of removing the photoresist residue is a method of removing the photoresist residue by causing only a chemical reaction with the photoresist residue with a radical component of ozone. In detail, the photoresist residue is composed of the basic structure of C-H-O, and the ring connecting each of them is easily broken when a chemical reaction occurs with the radical component of ozone. And ozone is easily converted to the radical component when a certain temperature is reached, it is easy to proceed with the process. Thus, the photoresist residue is removed by only causing a chemical reaction that does not impact the photoresist residue and breaks the connection of the photoresist residue.
상기 플라즈마를 이용하여 포토레지스트 레지듀를 제거하는 애싱 공정에서는 산소(O2) 가스가 사용될 수 있다. 간략하게 설명하면, 플라즈마 발생 챔버로 산소 가스를 공급하고, RF 파워를 인가하여 산소 플라즈마를 발생시키고, 상기 산소 플라즈마와 포토레지스트 레지듀의 반응을 이용하여 포토레지스트 레지듀를 제거한다. 상기와 같이 산소 플라즈마를 사용하는 애싱 방법은, S. M. Irving에 의해 개발되어, Solid State Technology, vol. 14(June 1971) 47에 발표되어 있다.In an ashing process of removing the photoresist residue using the plasma, oxygen (O 2 ) gas may be used. Briefly, the oxygen gas is supplied to the plasma generating chamber, the RF power is applied to generate the oxygen plasma, and the photoresist residue is removed by using the reaction of the oxygen plasma and the photoresist residue. The ashing method using the oxygen plasma as described above is developed by SM Irving, Solid State Technology, vol. 14 (June 1971).
상기와 같은 애싱 공정에는 산소 이외에 질소, 오존, 불화탄소 등의 가스가 더 첨가될 수 있으며, 상기와 같은 첨가 가스는 애싱 공정의 속도 및 포토레지스트 레지듀의 제거 효과에 상당한 영향을 준다.In addition to oxygen, a gas such as nitrogen, ozone, and fluorocarbon may be further added to the ashing process, and the additive gas may significantly affect the speed of the ashing process and the removal effect of the photoresist residue.
이와 같은 애싱 공정을 수행하기 위한 애싱 설비는 전체적으로 보아 웨이퍼가 본 공정을 시작하기 전에 대기하는 웨이퍼 대기 챔버, 포토레지스트가 제거되는 프로세스 챔버, 고온으로 가열된 웨이퍼를 상온으로 냉각시켜주는 쿨링 챔버, 애싱공정이 원활히 진행될 수 있도록 웨이퍼를 이송시켜주는 로봇 암 및 공정을 전체적으로 제어하는 중앙제어장치로 구성된다.The ashing facility for performing the ashing process as a whole is a wafer waiting chamber in which the wafer waits before starting the present process, a process chamber in which photoresist is removed, a cooling chamber for cooling the wafer heated to a high temperature, and ashing. It consists of a robot arm that transfers the wafer so that the process proceeds smoothly and a central controller that controls the process as a whole.
이때 프로세스 챔버는 원활한 애싱을 위해 안정적인 가스공급과 파티클(Particle) 유입차단 그리고, 적정 자기전원 공급 및 적정 진공상태의 유지 등의 여러 가지 독특한 환경을 구현한다.At this time, the process chamber realizes various unique environments such as stable gas supply, particle inflow blocking, proper self-power supply, and proper vacuum for smooth ashing.
즉, 애싱 설비의 프로세스 챔버에는 프로세스 챔버 내부를 약 270℃ 내외의 고온으로 가열하는 가열유닛과, 프로세스 챔버 내부에 애싱 가스(Gas)를 공급해주는 가스공급유닛과, 프로세스 챔버 내부에 13.56MHz의 고주파나 2.45GHz의 마이크로파(Micro)를 공급해주는 자기전원유닛과, 프로세스 챔버 내부에 할로겐(Halogen) 빛 등을 투과시켜주는 발광유닛 및 프로세스 챔버내 압력을 최적화해주는 진공배기유닛 등의 공정보조수단이 선택적으로 결합된다.That is, in the process chamber of the ashing facility, a heating unit for heating the inside of the process chamber to a high temperature of about 270 ° C, a gas supply unit for supplying ashing gas (Gas) inside the process chamber, and a high frequency of 13.56 MHz inside the process chamber. B) process auxiliary means such as a magnetic power supply unit supplying 2.45GHz microwave, a light emitting unit that transmits halogen light, etc. inside the process chamber, and a vacuum exhaust unit that optimizes the pressure in the process chamber. Are combined.
이 중 발광유닛은 프로세스 챔버의 상측에 결합되는 바, 할로겐 빛 등이 발광되도록 발광 램프가 삽입된 램프 하우징(Lamp housing)과, 이 램프 하우징과 프로세스 챔버 사이에 결합되어 프로세스 챔버가 고진공을 유지하도록 하면서 할로겐 빛이 프로세스 챔버 내로 투과되게 하는 램프 플레이트로 구성된다. Among them, the light emitting unit is coupled to the upper side of the process chamber, and includes a lamp housing in which a light emitting lamp is inserted to emit halogen light and the like, and is coupled between the lamp housing and the process chamber to maintain a high vacuum. And a lamp plate that allows halogen light to be transmitted into the process chamber.
이때, 램프 플레이트는 프로세스 챔버에 끼워져서 결합되게 되는 바, 프로세스 챔버와 램프 플레이트의 사이에는 프로세스 챔버의 밀페가 유지되도록 별도의 오링이 삽입되게 된다. 이에, 프로세스 챔버는 밀폐가 유지되고 외부와 차단되어 공정이 진행되도록 독특한 환경이 구현되게 된다.At this time, the lamp plate is inserted into the process chamber to be coupled, a separate O-ring is inserted between the process chamber and the lamp plate to maintain the sealing of the process chamber. As a result, the process chamber is kept closed and isolated from the outside, so that a unique environment is realized so that the process proceeds.
도 1은 종래 기술에 의한 애싱 설비의 프로세스 챔버를 도시한 분리사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a process chamber of an ashing facility according to the prior art.
도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(100)는 크게 공정이 진행되며, 챔버몸체 역할을 하는 제 1챔버몸체(120) 및 제 2챔버몸체(140) 그리고, 공정을 보조해주는 공정보조수단인 발광유닛과, 가열유닛(미도시) 및 진공배기유닛(미도시)으로 구성되며, 프로세스 챔버(100)로 웨이퍼가 로딩되면 웨이퍼 위의 포토레지스트가 제거되도록 하는 역할을 한다.As shown in Figure 1, the process chamber 100 is a process is largely progressed, the first chamber body 120 and the second chamber body 140, which serves as the chamber body and the process aid means for assisting the process It consists of a light emitting unit, a heating unit (not shown) and a vacuum exhaust unit (not shown), and serves to remove the photoresist on the wafer when the wafer is loaded into the process chamber 100.
보다 구체적으로 설명하면, 제 1챔버몸체(120)는 상면이 개구된 통체형상으로, 선행공정을 수행한 웨이퍼가 로딩되는 곳이며, 내부에 웨이퍼가 안착되도록 웨이퍼 플레이트(미도시)가 설치된다.In more detail, the first chamber body 120 is a cylindrical shape having an upper surface opened, and is a place where a wafer having been subjected to the preceding process is loaded, and a wafer plate (not shown) is installed to seat the wafer therein.
그리고, 제 2챔버몸체(140)는 상면이 소정 직경으로 개구된 통체형상으로, 제 1챔버몸체(120)와 연통되어 제 1챔버몸체(120)에 로딩(Loading)되는 웨이퍼의 포토레지스트(Photo-resist)가 제거되도록 제반 환경이 구현되는 곳이며, 제 1챔버몸체(120)의 상측에 결합된다.In addition, the second chamber body 140 has a cylindrical shape having an upper surface opened at a predetermined diameter, and communicates with the first chamber body 120 to be loaded on the first chamber body 120. -resist) is where the general environment is implemented to be removed, is coupled to the upper side of the first chamber body (120).
이때, 제 2챔버몸체(140)의 일측면에는 포토레지스트가 제거되도록 플라즈마(Plasma) 공급챔버(미도시)로부터 플라즈마가 공급되는 플라즈마 공급구(143)가 형성되고, 상측면 즉 개구된 소정 직경의 원주면에는 공정의 진행을 보조해주는 공정보조수단의 하나인 발광유닛이 끼워지도록 끼움부(145)가 형성되며, 제 2챔버몸체(140)의 바닥면(141)에는 제 2챔버몸체(140)에 공급된 플라즈마가 제 1챔버몸체(120)에 다시 균일하게 공급되도록 하는 가스분배홀(Hole,142)이 다수개 형성된다.In this case, a plasma supply port 143 through which a plasma is supplied from a plasma supply chamber (not shown) is formed on one side of the second chamber body 140 to remove the photoresist, and the upper surface, that is, the predetermined diameter opened. The circumferential surface of the fitting portion 145 is formed so that the light emitting unit, which is one of the process assisting means to assist the progress of the process is formed, the second chamber body 140 on the bottom surface 141 of the second chamber body 140 ), A plurality of gas distribution holes (Hole) 142 are formed to uniformly supply the plasma supplied to the first chamber body 120 again.
한편, 이상과 같은 제 2챔버몸체(140)의 끼움부(145)에 끼워지는 발광유닛은 프로세스 챔버(100)에 할로겐 빛을 투과시켜 플라즈마에 의한 웨이퍼의 애싱율을 보다 높이는 역할을 하는 것으로, 할로겐 빛이 발광되는 발광램프(미도시)와, 이 발광램프가 삽입되는 램프 하우징(180) 및 프로세스 챔버(100)가 고진공을 유지하도록 하면서 할로겐 빛이 프로세스 챔버(100) 내로 투과되도록 하는 램프 플레이트(190)로 구성되는 바, 램프 플레이트(190)는 제 2챔버몸체(140)의 끼움부(145)에 끼워지게 되고, 램프 하우징(180)은 발광램프를 내부에 삽입시킨 채로 이러한 램프 플레이트(190)에 결합되게 된다. 여기서 램프 플레이트(190)는 빛이 잘 투과될 수 있도록 전부가 석영재질로 구성되며 원형의 판 형상을 한다.On the other hand, the light emitting unit fitted to the fitting portion 145 of the second chamber body 140 as described above serves to increase the ashing rate of the wafer by the plasma by transmitting the halogen light through the process chamber 100, A light emitting lamp (not shown) in which halogen light is emitted, and a lamp plate in which the halogen light is transmitted into the process chamber 100 while maintaining the high vacuum in the lamp housing 180 and the process chamber 100 into which the light emitting lamp is inserted. Bar plate 190 is fitted to the fitting portion 145 of the second chamber body 140, the lamp housing 180 is such a lamp plate (with the light emitting lamp inserted therein) 190). Here, the lamp plate 190 is made of a quartz material and has a circular plate shape so that light can be transmitted through well.
즉, 램프 플레이트(190)는 일측 단부가 램프 하우징(180)에 결합되고, 타측 단부는 제 2챔버몸체(140)의 끼움부(145)에 끼워져서 램프 하우징(180)과 제 2챔버몸체(140)를 연결시켜주고 제 2챔버몸체(140)에 고진공이 유지되도록 한다. 이에, 이러한 램프 플레이트(190)와 제 2챔버몸체(140) 사이에는 리크(Leak)가 발생되지 않도록 오링(160)이 삽입되게 된다.That is, the lamp plate 190 is coupled to one end of the lamp housing 180, the other end is fitted to the fitting portion 145 of the second chamber body 140, the lamp housing 180 and the second chamber body ( 140 is connected and high vacuum is maintained in the second chamber body (140). Thus, the O-ring 160 is inserted between the lamp plate 190 and the second chamber body 140 so that leakage does not occur.
또한, 가열유닛은 프로세스 챔버(100) 내부를 공정이 진행되는 적정온도인 약 270℃ 내외의 고온으로 가열하여 공정의 진행을 보조해주는 역할을 하며, 진공배기유닛은 프로세스 챔버(100) 내 압력을 공정이 진행되도록 최적화해주는 역할을 한다. In addition, the heating unit serves to assist the progress of the process by heating the inside of the process chamber 100 to a high temperature of about 270 ℃, which is the proper temperature at which the process proceeds, the vacuum exhaust unit is the pressure in the process chamber 100 It optimizes the process.
이하, 이상과 같이 구성된 애싱 설비에 사용되는 프로세스 챔버(100)의 조립 및 분리와 함께 작용에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation together with the assembly and separation of the process chamber 100 used in the ashing facility configured as described above will be described in detail.
이상과 같은 애싱 설비의 프로세스 챔버(100)는 앞에서 설명한 바와 같이 제 1챔버몸체(120)의 상측에 제 2챔버몸체(140)가 결합되고, 제 2챔버몸체(140)의 상면에는 발광유닛이 결합된다. 즉, 제 2챔버몸체(140)의 끼움부(145)에는 오링(160)과 함께 램프 플레이트(190)가 끼워지게 되고, 램프 플레이트(190)의 상측 단부에는 램프 하우징(180)이 끼워지게 된다. 그리고, 프로세스 챔버(100)의 도시되지 않은 일측에는 가열 유닛 및 진공배기유닛이 결합되고, 제 2챔버몸체(140)의 일측에 형성된 플라즈마 공급구(143)에는 플라즈마 공급챔버가 연결된다.As described above, in the process chamber 100 of the ashing facility, the second chamber body 140 is coupled to the upper side of the first chamber body 120, and the light emitting unit is disposed on the upper surface of the second chamber body 140. Combined. That is, the lamp plate 190 is fitted to the fitting portion 145 of the second chamber body 140 together with the O-ring 160, and the lamp housing 180 is fitted to the upper end of the lamp plate 190. . The heating unit and the vacuum exhaust unit are coupled to one side of the process chamber 100, which is not shown, and the plasma supply chamber is connected to the plasma supply port 143 formed at one side of the second chamber body 140.
이상과 같이 프로세스 챔버(100)의 조립이 완료되면, 프로세스 챔버(100)는 가열 유닛 및 진공배기유닛에 의해 적정온도 약 270℃로 가열됨과 동시에 적정 진공압으로 변압되게 된다.When the assembly of the process chamber 100 is completed as described above, the process chamber 100 is heated to an appropriate temperature of about 270 ° C. by a heating unit and a vacuum exhaust unit, and is transformed to an appropriate vacuum pressure.
이후, 애싱을 위한 제반 환경이 구현되면, 웨이퍼는 유저(미도시) 또는 소정 이송장치(미도시)에 의해 프로세스 챔버(100) 내로 공급되게 된다.Then, when the overall environment for ashing is implemented, the wafer is supplied into the process chamber 100 by a user (not shown) or a predetermined transfer device (not shown).
계속해서, 웨이퍼의 공급이 완료되면, 플라즈마 공급구(143)에는 플라즈마 공급챔버로부터 플라즈마가 공급되게 되고, 이와 동시에 발광유닛은 할로겐 빛을 플라즈마가 공급된 프로세스 챔버(100) 내부로 투과시키게 된다.Subsequently, when the wafer is supplied, the plasma is supplied from the plasma supply chamber to the plasma supply port 143, and at the same time, the light emitting unit transmits halogen light into the plasma-processed process chamber 100.
이후, 웨이퍼는 가열유닛 및 진공배기유닛에 의해 구현되는 제반 환경구현과, 챔버(100) 내부로 공급 및 투과되는 플라즈마와 할로겐 빛 등에 의해 애싱되게 된다. Thereafter, the wafer is ashed by various environmental implementations implemented by the heating unit and the vacuum exhaust unit, and plasma and halogen light, which are supplied and transmitted into the chamber 100.
여기에서, 이와 같은 애싱 설비의 프로세스 챔버(100)는 종종 트레이스나 PM(Preventive maintenance : 사전 예방정비)등을 목적으로 다시 분리할 경우가 발생된다. 이에, 유저는 먼저 램프 하우징(180)을 램프 플레이트(190)로부터 분리한 다음, 이후에 램프 플레이트(190)를 제 2챔버몸체(140)로부터 분리하게 된다.Here, the process chamber 100 of such an ashing facility is often separated again for the purpose of trace or preventive maintenance (PM). Accordingly, the user first separates the lamp housing 180 from the lamp plate 190, and then separates the lamp plate 190 from the second chamber body 140.
그러나, 이때, 램프 플레이트(190)는 프로세스 챔버(100)의 고온열과 진공압 등에 의해 오링(160)과 융착(여기에서, 융착은 고온열과 진공압력에 의해 오링이 프로세스 챔버와 램프 플레이트 사이에서 매우 강하게 밀착된 상태를 말하며, 이와 같은 융착은 통온과 통압에서도 유지된다)된 상태이기 때문에 분리가 용이하지 않으며, 무리하게 램프 플레이트(190)를 힘으로 분리시킬 경우 램프 플레이트(190)의 에지부는 브로큰 되어 다시 사용이 불가능하게 되는 문제점이 발생된다.However, at this time, the lamp plate 190 is fused with the O-ring 160 by the high temperature heat and vacuum pressure of the process chamber 100 (in this case, the fusion is caused by the O-ring between the process chamber and the lamp plate by the high temperature heat and vacuum pressure). It refers to a state in which it is in close contact with each other, and such fusion is maintained at room temperature and pressure), and thus it is not easy to separate, and when the force is separating the lamp plate 190 by force, the edge portion of the lamp plate 190 is broken. Problem occurs that becomes unusable again.
도 2는 램프 플레이트(210)의 브로큰이 발생하는 에지부(212)를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the edge portion 212 where the crack of the lamp plate 210 occurs.
또한, 이러한 램프 플레이트의 브로큰은 브로큰 가루를 발생시키게 되고, 이 브로큰 가루는 나중에 챔버 내로 떨어져 챔버 내부를 전체적으로 오염시키게 되는 문제점이 발생된다. In addition, the broken of the lamp plate generates a broken powder, a problem that is broken into the chamber later to contaminate the inside of the chamber as a whole.
본 발명의 목적은 반도체 제조설비용 프로세스 챔버에 끼워진 램프 플레이트를 분리할 경우, 램프 플레이트의 브로큰을 방지하는 반도체 제조장치용 프로세스 챔버의 램프 플레이트를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lamp plate of a process chamber for a semiconductor manufacturing apparatus which prevents the lamp plate from breaking when the lamp plate inserted into the process chamber for semiconductor manufacturing equipment is separated.
상기의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 프로세스 챔버의 램프 플레이트는 제 1구경의 상부와 제 1구경보다 작은 제 2구경의 하부로 이루어져 단면이 T형인 석영재질의 상판과, 상기 상판의 하부 외주부위에 SUS재질의 링과, 상기 상판과 상기 링을 결합시키는 오링으로 구성됨을 특징으로 한다. 그리하여 PM 등을 목적으로 램프 플레이트를 분리할 경우 램프 플레이트의 브로큰을 방지할 수 있다. The lamp plate of the process chamber according to an aspect of the present invention for achieving the above objects consists of an upper plate of the first diameter and the lower portion of the second diameter smaller than the first diameter of the quartz plate of the cross section T-shaped, and the top plate The outer peripheral portion of the SUS material ring, characterized in that consisting of the O-ring for coupling the top plate and the ring. Thus, when the lamp plate is separated for the purpose of PM or the like, it is possible to prevent the lamp plate from breaking.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다양한 실시예에서의 설명들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도 없이 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The descriptions in the various embodiments are only shown and limited by way of example and without intention other than the intention to help those having ordinary knowledge in the art to which the present invention pertains more thoroughly, thus limiting the scope of the present invention. It should not be used as a limitation.
도 3는 본 발명의 일실시예에 의한 램프 플레이트를 나타낸 평면도와 단면도이다.3 is a plan view and a cross-sectional view showing a lamp plate according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 의한 램프 플레이트(300)는 제 1구경의 상부와 제 1구경보다 작은 제 2구경의 하부로 이루어져 단면이 T형인 석영재질의 상판(310)과, 상기 상판의 제 1구경과 제 2구경의 크기 차이에 의한 하부 외주부의 공간 즉 에지부에 SUS재질의 링(314)이 오링(312)에 의하여 결합된 구성을 갖는다. 오링(312)의 내경과 외경의 차이는 상기 상판의 제 1구경과 제 2구경의 크기 차이와 같아 상기 상판(310)과 오링(312)이 결합되어 있을 경우에 전체적으로 상기 상판의 제 1구경을 가진 원형 판의 형상을 띠게 된다. As shown in Figure 3, the lamp plate 300 according to an embodiment of the present invention consists of an upper portion of the first diameter and the lower portion of the second diameter smaller than the first diameter of the quartz plate having a cross-section T-shaped 310 ) And a ring 314 of SUS material coupled to the space of the lower outer circumferential portion, that is, the edge portion, by the size difference between the first diameter and the second diameter of the upper plate. The difference between the inner diameter and the outer diameter of the O-ring 312 is the same as the size difference between the first and second diameters of the upper plate, and thus, when the upper plate 310 and the O-ring 312 are combined, the first diameter of the upper plate as a whole. It takes the shape of a circular plate.
이때 오링(312)으로 상판과 링(314)을 결합하기 위하여, 링(314)은 가운데 부분이 홈(316)이 패인 형상으로 구성되어 있다. At this time, in order to couple the top plate and the ring 314 to the O-ring 312, the ring 314 is configured in a shape in which the groove 316 in the center portion.
그리하여 본 발명은 상판(310)을 석영으로 하여 할로겐 빛이 프로세스 챔버 내로 투과되도록 하는 램프 플레이트의 기능을 하면서도, 에지부의 링(314)을 SUS재질로 구성하여 브로큰 현상이 쉽게 일어나지 않게 한다. 또한 상판(310)과 링(314)을 오링(312)에 의하여 결합하여 프로세스 챔버가 고진공을 유지하도록 한다. Thus, the present invention functions as a lamp plate to allow halogen light to be transmitted into the process chamber by using the upper plate 310 as quartz, and the ring 314 of the edge portion is made of SUS material so that a cracking phenomenon does not easily occur. In addition, the upper plate 310 and the ring 314 are coupled by the O-ring 312 so that the process chamber maintains a high vacuum.
이와 같이 본 발명에 의하면, 프로세스 챔버에 끼워진 램프 플레이트를 분리할 경우, 램프 플레이트의 브로큰을 방지하는 반도체 제조장치용 프로세스 챔버의 램프 플레이트를 제공할 수 있는 특징이 있다.Thus, according to this invention, when removing the lamp plate inserted in the process chamber, the lamp plate of the process chamber for semiconductor manufacturing apparatuses which prevents a broken of the lamp plate is provided.
이상에서 설명한 본 발명은 애싱 설비에 사용되는 프로세스 챔버(100)의 램르 플레이트를 일실시예로 하여 설명하였지만, 본 발명 반도체 제조설비용 프로세스 챔버의 램프 플레이트는 애싱 설비 뿐만 아니라 다른 설비에도 적용 가능하다.Although the present invention described above has been described with reference to one embodiment of the lamble plate of the process chamber 100 used for ashing equipment, the lamp plate of the process chamber for semiconductor manufacturing equipment of the present invention can be applied to other equipment as well as ashing equipment. .
본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버의 램프 플레이트는 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명한 사실이라 할 것이다. The lamp plate of the process chamber according to the embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment, and can be variously designed and applied without departing from the basic principles of the present invention. It will be obvious to those who have knowledge.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 프로세스 챔버의 램프 플레이트는 에지부에 SUS재질의 링을 결합하여, PM 등을 목적으로 프로세스 챔버에서 램프 플레이트를 분리할 경우 램프 플레이트의 브로큰을 방지할 수 있는 효과가 있다. As described above, the lamp plate of the process chamber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention is coupled to the ring of the SUS material in the edge portion, when the lamp plate is separated from the process chamber for the purpose of PM, etc. There is an effect that can be prevented.
도 1은 종래 기술에 의한 애싱 설비의 프로세스 챔버를 도시한 분리사시도Figure 1 is an exploded perspective view showing a process chamber of the ashing facility according to the prior art
도 2는 램프 플레이트의 브로큰이 발생하는 에지부를 나타낸 단면도2 is a cross-sectional view showing an edge portion in which a crack of the lamp plate occurs;
도 3는 본 발명의 일실시예에 의한 램프 플레이트를 나타낸 평면도와 단면도 3 is a plan view and a cross-sectional view showing a lamp plate according to an embodiment of the present invention
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
300 : 램프 플레이트 310 : 상판300: lamp plate 310: top plate
312 : 오링 314 : 링312: O-ring 314: ring
316 : 홈 316: home
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040044286A KR20050119237A (en) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | The lamp plate of the process chamber for fabricating the semiconductor device |
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| KR20050119237A true KR20050119237A (en) | 2005-12-21 |
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ID=37291976
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| KR1020040044286A KR20050119237A (en) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | The lamp plate of the process chamber for fabricating the semiconductor device |
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|---|---|
| KR (1) | KR20050119237A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837627B1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus including upper and lower chamber |
-
2004
- 2004-06-16 KR KR1020040044286A patent/KR20050119237A/en not_active Application Discontinuation
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