KR20050110197A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 포함하는 제1기판; 및 b) 유지 전극들, 상기 유지 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 유전체층 위에 코팅된 MgO 보호막을 포함하는 제2기판을 포함하며, 상기 제1기판과 제2기판이 봉합되어 형성되는 방전셀 내에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 불량이 개선된 특징이 있으며, 또한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 흡습성이 강한 MgO 보호막을 공정 중의 수분으로부터 보호하는 장점이 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND THE PREPARATION METHOD THEREOF}

[산업상 이용분야]

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 불량을 개선할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

[종래기술]

플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 현상을 이용한 표시 장치로서, 비진공 상태의 기체 분위기에서 공간적으로 분리된 두 접전간에 어느 이상의 전위차가 인가되면 방전이 발생되는데, 이를 기체 방전 현상으로 지칭한다.

플라즈마 표시 소자는 이러한 기체 방전 현상을 화상 표시에 응용한 평판 표시 소자이다. 현재 일반적으로 사용되고 있는 플라즈마 디스플레이 패널은 반사형 교류 구동 플라즈마 디스플레이 패널로서, 후면기판(이하 제1기판이라 한다.) 구조의 경우 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층이 형성되어 있다. 또한, 전면기판(이하 제2기판이라 한다.)의 경우에는 방전 유지전극과 상기 유지전극을 덮는 유전체층을 포함하고 있다.

현재 상용되는 모든 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 유전체층을 보호하고, 방전을 용이하게 하기 위하여, 상기 유전체층 위에 MgO 보호막을 사용하고 있다. 그러나, 상기 MgO는 흡습성이 강하고, 특히, 물은 배기속도가 매우 늦기 때문에, 배기공정 후에도 일정량의 물이 패널 내부에 잔존하게 되어 MgO와 반응하여 Mg(OH)₂와 같은 불순물의 형태로 변하게 된다. MgO 보호막 표면에 상기 Mg(OH)₂와 같은 불순물이 존재하게 되면, 방전전압이 올라가고, 저방특성이 발생하는 등, 방전 불량의 원인이 된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO 보호막 내에 불순물인 Mg(OH)₂의 함량이 적어, 방전특성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은 상기 MgO 보호막 위에 흡습성이 낮은 금속산화물을 도포하여 물과 MgO의 반응을 막는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 포함하는 제1기판; 및 b) 유지 전극들, 상기 유지 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 유전체층 위에 코팅된 MgO 보호막을 포함하는 제2기판을 포함하며, 상기 제1기판과 제2기판이 봉합되어 형성되는 방전셀 내에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

본 발명은 또한 a) i) 기판에 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층을 형성한 후, ii) 상기 유전체층 전면에 격벽을 형성하고, iii) 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 형성하여 제1기판을 준비하는 단계; b) i) 기판에 유지 전극들을 형성하고, ii) 상기 유지 전극을 덮는 투명 유전체층을 형성한 후, iii) 상기 유전체층 위에 MgO 보호막을 코팅하고, iv) 상기 MgO 보호막 위에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 코팅하여 제2기판을 준비하는 단계; 및 c) 상기 제조된 제1기판과 제2기판을 조립, 봉착, 배기, 가스주입 및 에이징하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공한다.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 분해 사시도이다. 도면을 참고하면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 제1기판(1) 상에 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 어드레스 전극들(3)이 형성되고, 어드레스 전극들(3)을 덮으면서 제1기판(1)의 전면에 유전체층(5)이 형성된다. 이 유전체층(5) 위로 각 어드레스 전극(3) 사이에 격벽(7)이 형성되며, 각각의 격벽(7) 사이에 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(9)이 위치한다.

또한, 제1기판(1)에 대향하는 제2기판(11)의 일면에는 어드레스 전극(3)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 한쌍의 투명 전극(13a)과 버스 전극(13b)으로 구성되는 방전유지 전극들(13)이 형성되고, 방전유지 전극들(13)을 덮으면서 제2기판(11) 전체에 투명 유전체층(15)과 MgO 보호막(17)이 위치한다. 이로서 어드레스 전극(3)과 방전유지 전극(13)의 교차 지점이 방전 셀을 구성하게 되며, 방전 셀들은 방전 가스로 채워져 있고, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 방전 셀 내에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물(도 1에는 미도시)을 포함한다.

이러한 구성에 의해, 어드레스 전극(3)과 어느 하나의 방전유지 전극(13) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고, 다시 한쌍의 방전유지 전극(13) 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하면, 유지 방전시 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체층(9)을 여기시켜 투명한 전면 기판(11)을 통해 가시광을 방출하게 된다.

일반적으로 MgO는 흡습성이 강하고, 특히, 물은 배기속도가 매우 늦기 때문에, 배기공정 후에도 일정량의 물이 패널 내부에 잔존하게 되어 MgO와 반응하여 Mg(OH)₂와 같은 불순물의 형태로 변하게 된다. MgO 보호막 표면에 상기 Mg(OH)₂와 같은 불순물이 존재하게 되면, 방전전압이 올라가고, 저방특성이 발생하는 등, 방전 불량의 원인이 된다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 방전셀 내에 포함하는 상기 금속산화물은 방전 불량의 원인이 되는 Mg(OH)₂의 생성을 막기 위하여 공정 중에 사용된 것이며, 최종적으로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 내에도 존재하게 된다.

상기 금속산화물은 MgO 보다 흡습성이 낮은 것이라면 특별한 제한 없이 어느 것이나 사용할 수 있으며, 흡습성이 낮을수록 좋다. 바람직하게는 동일한 환경 조건에서 측정한 MgO 보호막의 흡습성 대비 90% 이하의 흡습성을 갖는 것을 사용할 수 있고, 더 바람직하게는 30 내지 90%의 흡습성을 갖는 것을 사용할 수 있다. 상기 금속산화물의 흡습성이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 방전불량이 생기거나 수명특성이 저하될 염려가 있다. 상기 흡습성은 열탈착스펙트럼(thermal desorption spectroscopy:TDS)의 300 내지 800 K범위에서 나타나는 피크의 면적 값을 기준으로 측정한다.

상기 금속산화물의 구체적인 예로는 Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 또는 ZrO₂ 등을 들 수 있으며, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에는 이들 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 금속산화물을 포함한다. 또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에는, 패널의 제조공정에서 상기 금속산화물이 수분과 결합되어 환원된 Al(OH)₃, Zn(OH)₂, Si(OH)₄ 또는 Zr(OH)₄의 금속화합물이 소량 존재할 수도 있다.

도 2는 MgO 보호막 위에 금속산화물 코팅층(18)의 일부가 존재하는 모습을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도이며, 도 3은 MgO 보호막 위에 금속산화물이 나노크기의 섬구조(8) 형태로 존재하는 모습을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도이다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에 포함되는 금속산화물은 도 2에 도시한 것과 같이 방전셀 내에서 상기 MgO 보호막(17)을 부분적으로 덮고 있는 코팅층(18)의 형태로 존재할 수도 있고, 더 바람직하게는 도 2 및 도 3에 도시한 것과 같이 나노 크기의 섬구조(8) 형태로 존재할 수도 있다. 상기 금속산화물의 형태는 MgO 보호막의 표면 구조, 코팅물질인 금속산화물의 종류, 금속산화물 층의 코팅 두께, 배기온도 등의 인자에 의해서 영향을 받으므로, 상기 인자들을 적절히 조합하여 섬구조 형태(8)로 존재하도록 조절할 수 있다. 다만, 상기 어떠한 경우라도 MgO 보호막의 방전기능을 저하시키지 않기 위해서는 어떠한 방식으로든지 MgO 보호막(17)이 방전셀에 노출되어 있어야 한다.

상기 금속산화물이 MgO 보호막 위에 코팅층(도 2의 18)의 형태로 존재하는 경우에, 각 방전셀에서 상기 금속산화물 코팅층이 차지하는 면적은 평균적으로 70% 이하인 것이 바람직하다. 금속산화물 코팅층의 면적이 70%를 초과하는 경우에는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전특성을 저하시킬 염려가 있다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법은 a) i) 기판에 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층을 형성한 후, ii) 상기 유전체층 전면에 격벽을 형성하고, iii) 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 형성하여 제1기판을 준비하는 단계; b) i) 기판 상에 유지 전극들을 형성하고, ii) 상기 유지 전극을 덮는 투명 유전체층을 형성한 후, iii) 상기 유전체층 위에 MgO 보호막을 코팅하고, iv) 상기 MgO 보호막 위에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 코팅하여 제2기판을 준비하는 단계; 및 c) 상기 제조된 제1기판과 제2기판을 조립, 봉착, 배기, 가스주입 및 에이징하는 단계를 포함한다.

이 때, 상기 b)단계의 iii)까지는 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 그대로 사용할 수 있다.

다만, 상기 b) 단계의 iv)에서 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 상기 MgO 보호막 위에 다시 한번 코팅하여 공정 중의 수분으로부터 MgO 보호막을 보호하는 공정이 포함된다. 도 4는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정 중, MgO 보호막 위에 금속산화물 코팅층(18)을 형성시킨 모습을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도이다.

본 발명에서 사용되는 금속산화물은 MgO 보다 흡습성이 낮은 것이라면 특별한 제한 없이 어느 것이나 사용할 수 있으며, 흡습성이 낮을수록 좋다. 바람직하게는 동일한 환경 조건에서 측정한 MgO 보호막의 흡습성 대비 90% 이하의 흡습성을 갖는 것을 사용할 수 있고, 더 바람직하게는 30 내지 90%의 흡습성을 갖는 것을 사용할 수 있다. 상기 금속산화물의 흡습성이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 방전불량이 생기거나 수명특성이 저하될 염려가 있다. 상기 흡습성은 열탈착스펙트럼(thermal desorption spectroscopy:TDS)의 300 내지 800 K범위에서 나타나는 피크의 면적 값을 기준으로 측정한다.

상기 금속산화물의 구체적인 예로는 Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 또는 ZrO₂ 등을 들 수 있으며, 본 발명에서는 이들 중에서 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 금속산화물은 통상적인 증착법 또는 코팅방법에 따라 코팅될 수 있으며, 바람직하게는 물리증착법(PVD), 화학증착법(CVD) 또는 플라즈마 증착법으로 코팅할 수 있고, 더 바람직하게는 물리증착법으로 코팅할 수 있다.

또한, 상기 금속산화물을 코팅함에 있어서, 상기 유전체층의 전면에 코팅하거나, 또는 격벽과 맞닿는 부분을 제외하고 방전셀에 해당되는 부분에만 코팅할 수도 있다.

상기 금속산화물은 상기 c) 단계에서 플라즈마 디스플레이 패널을 고온 배기 또는 에이징하는 동안에 스퍼터링되어 MgO 표면에서 제거되거나, 섬구조의 형태로 변하게 된다.

상기 c) 단계의 고온 배기 공정은 550 내지 800 K의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다. 배기 온도가 550 K 미만인 경우에는 상기 금속산화물 코팅층이 벗겨지지 못하여 MgO층이 방전셀에 노출되지 않을 수 있으며, 800 K를 초과하는 경우에는 플라즈마 디스플레이 패널이 변형될 염려가 있다.

또한, 상기 에이징 공정은 150 내지 400 V의 전압으로 실시하는 것이 바람직하며, 220 내지 320 V의 전압으로 실시하는 것이 더 바람직하다. 에이징 전압이 150 V 미만인 경우에는 에이징 효과가 미미하고, 상기 금속산화물 코팅층이 벗겨지지 못하여 MgO층이 방전셀에 노출되지 않을 수 있으며, 400 V를 초과하는 경우에는 유전층이 파괴되어 패널이 손상될 염려가 있다.

또한, 상기 금속산화물이 MgO 위에 100 nm 이하의 초박막으로 코팅되었을 때에는, 상기 에이징 온도 조건에서 나노크기의 섬구조 형태로 변한다. 따라서, 상기 금속산화물은 1 내지 100 nm의 두께로 코팅하는 것이 바람직하다. 코팅 두께가 1 nm 미만인 경우에는 수분 방어의 효과가 부족할 수 있으며, 100 nm를 초과하는 경우에는 에이징 후, 방전셀에 노출되는 MgO 보호막 표면의 면적이 줄어든다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

(제1기판의 제조)

부틸카르비톨아세테이트와 테르피네올의 중량비 3:7 혼합용매 100 중량부에 대하여 바인더인 에틸셀룰로오스 6 중량부를 혼합하고, 청색 형광체인 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu를 혼합하여 형광체 슬러리를 제조하였다

상기 제조된 형광체 슬러리를 격벽이 형성되어 있는 제1기판의 방전셀 내부에 스크린인쇄법으로 도포하고, 상기 형광체 슬러리가 도포된 제1기판을 120 ℃에서 건조 및 소성시켜 청색 형광체 층을 형성하였다.

또한, 동일한 방법으로 적색 및 녹색 방전셀에 각각 (Y,Gd)BO₃:Eu와 ZnSiO₄:Mn의 형광체층을 형성하여 제1기판을 제조하였다.

(제2기판의 제조)

바인더인 에틸셀룰로오스를 부틸카르비톨아세테이트와 테르피네올의 3:7 혼합용매에 녹였다. 또한, PbO, SiO₂를 포함하는 모유리 파우더(파우더 세라믹 : ㈜ 대주파우더) 90 중량% B₂O₃, Al₂O₃, TiO₂, CaO, 및 ZnO의 혼합물 10 중량%를 혼합한 후, 상기 바인더가 용해된 혼합용매를 넣어 고형분 함량이 75 %가 되도록 혼합하여 유전체 슬러리를 제조하였다.

상기 제조된 유전체 슬러리를 전극층이 형성된 상부기판의 전극 층 위에 도포하여 유전체층을 형성하였다.

상기 유전체층 위에 MgO 보호막을 물리증착법(PVD)으로 증착하여 MgO 보호막을 형성하였으며, 상기 MgO 보호막 위에 다시 Al₂O₃를 평균 10 nm의 두께로 증착하여 금속산화물 코팅층을 형성하여 제2기판을 제조하였다.

(패널 조립 등)

상기 제조된 제1기판과 제2기판을 조립하고, 봉착하여, 380℃에서 고온 배기 과정을 거친 후, 280 V에서 에이징하는 단계를 거침으로써, 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.

[비교예 1]

상기 제2기판의 MgO 보호막 위에 금속산화물 코팅층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.

상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 전 백색(Full White) 모드에서 방전 전압 및 200시간 경과 후의 휘도와 색온도의 유지율을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.

[표 1]

	비교예 1	실시예 1
방전전압(Full White)	240 V	230 V
휘도 유지율(수명)	92%/200hr	97%/200hr
색온도 유지율	90%/200hr	95%/200hr

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널은 비교예 1에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 비하여, 방전전압이 낮으며, 휘도유지율과 색온도 유지율이 우수한 것을 알 수 있다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 불량이 개선된 특징이 있으며, 또한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 흡습성이 강한 MgO 보호막을 공정 중의 수분으로부터 보호하는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널을 모식적으로 나타낸 부분분해사시도.

도 2는 MgO 보호막 위에 금속산화물 코팅층의 일부가 존재하는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도.

도 3은 MgO 보호막 위에 금속산화물이 섬구조 형태로 존재하는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도.

도 4는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정 중, MgO 보호막 위에 금속산화물 코팅층을 형성시킨 모습을 모식적으로 나타낸 부분분해 사시도.

Claims (16)

1. a) 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 포함하는 제1기판; 및

   b) 유지 전극들, 상기 유지 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 유전체층 위에 코팅된 MgO 보호막을 포함하는 제2기판을 포함하며,

   상기 제1기판과 제2기판이 봉합되어 형성되는 방전셀 내에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 동일한 환경 조건에서 열탈착스펙트럼(thermal desorption spectroscopy:TDS)으로 측정한 흡습성이 MgO 보호막의 흡습성에 대하여 90% 이하인 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제2항에 있어서, 상기 금속산화물은 동일한 환경 조건에서 열탈착스펙트럼으로 측정한 흡습성이 MgO 보호막의 흡습성에 대하여 30 내지 90%인 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 및 ZrO₂ 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 금속산화물은 방전셀 내에서 상기 MgO 보호막을 부분적으로 덮고 있는 코팅층의 형태로 존재하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 금속산화물은 방전셀 내에서 섬구조 형태로 존재하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
7. a) i) 기판에 어드레스 전극과 이를 덮는 유전체층을 형성한 후, ii) 상기 유전체층 전면에 격벽을 형성하고, iii) 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층을 형성하여 제1기판을 준비하는 단계;

   b) i) 기판에 유지 전극들을 형성하고, ii) 상기 유지 전극을 덮는 투명 유전체층을 형성한 후, iii) 상기 유전체층 위에 MgO 보호막을 코팅하고, iv) 상기 MgO 보호막 위에 MgO 보다 흡습성이 낮은 금속산화물을 코팅하여 제2기판을 준비하는 단계; 및

   c) 상기 제조된 제1기판과 제2기판을 조립, 봉착, 배기, 가스주입 및 에이징하는 단계

   를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 b)단계의 iv)에 사용되는 금속산화물은 동일한 환경 조건에서 열탈착스펙트럼으로 측정한 흡습성이 MgO 보호막의 흡습성에 대하여 90% 이하인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 b)단계의 iv)에 사용되는 금속산화물은 동일한 환경 조건에서 열탈착스펙트럼으로 측정한 흡습성이 MgO 보호막의 흡습성에 대하여 30 내지 90%인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
10. 제7항에 있어서, 상기 b)단계의 iv)에 사용되는 금속산화물은 Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 및 ZrO₂로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
11. 제7항에 있어서, 상기 b) 단계의 iv)에 사용되는 금속산화물을 1 내지 100 nm의 두께로 코팅하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
12. 제7항에 있어서, 상기 b) 단계의 iv)의 금속산화물을 물리증착법(PVD), 화학증착법(CVD) 또는 플라즈마 증착법으로 코팅하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
13. 제7항에 있어서, 상기 b) 단계의 iv)의 금속산화물을 상기 MgO 보호막의 전면에 코팅하거나, 또는 방전셀에 해당되는 부분에만 코팅하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
14. 제7항에 있어서, 상기 c) 단계의 배기는 550 내지 800 K의 온도에서 실시하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
15. 제7항에 있어서, 상기 c) 단계의 에이징은 150 내지 400 V의 전압으로 실시하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
16. 제7항에 있어서, 상기 c) 단계의 에이징은 220 내지 320 V로 실시하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.