KR20050088148A - 재료 처리 시스템의 감시방법 및 장치 - Google Patents

재료 처리 시스템의 감시방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 처리시스템내의 처리를 감시하는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것으로서, 재료처리 시스템은 적어도 하나의 처리 챔버를 포함하는 처리수단와,처리수단에 연결되며, 그 처리수단에 대한 처리 데이터를 생성하고 그 처리 데이터를 전송하도록 구성된 다수개의 RF응답 처리 센서와, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 수신하도록 구성된 센서 인터페이스 어셈블리를 포함한다.

Description

재료 처리 시스템의 감시방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING A MATERIAL PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 처리 시스템내에서의 처리를 감시 하는 것에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 일체적인 트랜스미션장치를 구비한 감시장치를 이용하여 처리를 감시하는 것에 관한 것이다.
반도체 산업에 있어서의 집적회로(IC)의 제조는, 전형적으로는 기판상에 재료를 증착하거나 재료를 제거하기 위하여 필요한 플라즈마 반응로내에서 표면 화학반응을 일으키거나 보조하기 위하여 플라즈마를 채택하고 있다. 일반적으로, 공급된 처리가스와의 이온화 충돌을 유지하는데 충분한 에너지를 생성하기 위하여 플라즈마가 진공조건하에서 가열전자에 의하여 플라즈마 반응로내에서 형성된다. 더우기, 가열된 전자들은 해리충돌을 유지하는데 충분한 에너지를 가질 수 있으며, 따라서, 소정의 조건(예를 들면, 챔버압력, 가스유량등)하에서 특정한 가스세트들이 선택되어 챔버내에서 수행될 특정한 처리에 적절한 화학적 반응종 및 전하종의 집단을 생성하게 된다.
예를 들어, 에칭처리 동안에, 플라즈마 처리시스템의 상태를 결정하고 처리되는 장치의 품질을 결정함에 있어 플라즈마 처리시스템을 감시하는 것은 매우 중요할 수 있다. 시스템의 상태 및 처리되는 제품의 상태에 관하여 오류적인 결론을 방지하기 위하여 부가적인 처리데이터들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 처리시스템의 연속적인 사용은 플라즈마 처리성능의 점진적인 열화로 도출될 수 있으며, 궁극적으로 시스템의 오류를 일으키게 된다. 부가적인 처리관련 데이터 및 장비관련 데이터는 플라즈마 처리 시스템의 관리 및 처리되는 제품의 품질을 개선하게 된다.
본 발명의 이들 및 기타의 장점들은 첨부된 도면과 함께 다음의 본 발명의 실시에에 대한 상세한 설명으로부터 보다 명백하지며 보다 명확하게 파악될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 재료 처리 시스템의 간략한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 응답 처리 센서 및 센서 인터페이스 어셈블리(SIA)의 간략한 블록도이다.
도 3a-3c는 본 발명의 실시예들에 따른 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다.
도 4a-4c는 본 발명의 부가적인 실시예들에 따른 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다.
도 5a-5c는 본 발명의 부가적인 실시예들에 따른 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다.
도 6a-6c는 본 발명의 실시예들에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다.
도 7a-7c는 본 발명의 부가적인 실시예들에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다.
도 8a-8c는 본 발명의 부가적인 실시들예에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 재료 처리 시스템의 감시 방법을 도시한다.
본 발명은 처리시스템내의 처리를 감시하는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것으로서, 보다 상세하게는, 일체적인 트랜스미션 장치를 가지는 처리감시장치 및, 일체적인 트랜스미션장치를 가지는 처리감시장치를 사용한 처리시스템내의 처리감시용 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 재료처리시스템내의 플라즈마 처리를 감시하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것으로서, 보다 상세하게는, 일체적인 트랜스미션 장치를 가지는 플라즈마 감시장치 및, 일체적인 트랜스미션장치를 가지는 플라즈마 감시장치를 사용한 재료처리 시스템내의 플라즈마 처리감시용 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명은 적어도 하나의 센서 인터페이스 어셈블리(SIA)에 결합된 적어도 하나의 RF응답센서를 포함하는 재료처리 시스템내의 처리를 감시하기 위한 수단을 제공하는 것이다.
본 발명은 하나 또는 그 이상의 처리 챔버로 이루어지는 처리 수단을 포함하는 개선된 재료 처리 시스템을 제공한다. 또한, 플라즈마 처리 시스템은 처리 데이터를 생성하고 전송하도록 처리 수단에 연결되는 복수의 RF 응답 처리 센서와 복수의 RF 응답 처리 센서 중 적어도 하나로 부터 처리 데이터를 수신하도록 구성된 센서 인터페이스 어셈블리(SIA)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 재료 처리 시스템의 간략한 블록도이다. 예를 들어, 재료 처리 시스템(100)은 플라즈마 에처(Plasma Etcher)와 같은 에칭 시스템을 포함하여 구성될 수 있다. 선택적으로, 재료 처리 시스템(100)은 포토레지스트 스핀 코팅 시스템과 같은 포토레지스트 코팅 시스템을 포함하여 구성될 수 있으며, 또한 재료 처리 시스템(100)은 리소그라피 시스템과 같은 포토레지스트 패터닝 시스템을 포함하여 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, 재료 처리 시스템(100)은 스핀 온 글래스(SOG) 또는 스핀 온 디일렉트릭(SOD)과 같은 유전 코팅 시스템을 포함하여 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 재료 처리 시스템(100)은 화학 기상 증착(CVD) 시스템, 물리 기상 증착(PVD) 시스템, 원자층 증착(ALD) 시스템, 및/또는 그들의 조합과 같은 증착 챔버를 포함하여 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 재료 처리 시스템(100)은 급속 열 처리(RTP) 시스템과 같은 열 처리 시스템을 포함하여 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 재료 처리 시스템(100)은 배치확산로 또는 다른 반도체 처리 시스템을 포함하여 구성될 수 있다.
도시된 실시예에서, 재료 처리 시스템(100)은 처리 챔버(110), 상부 어셈블리(120), 기판(135)을 지지하기 위한 기판 홀더(130), 펌핑 시스템(160), 및 컨트롤러(170)를 포함하여 구성된다. 예를 들어, 처리 챔버(110)는 기판(135)에 인접한 처리공간(115)내에서의 처리가스의 형성을 용이하게 한다. 재료처리 시스템(100)은 200mm 기판, 300mm 기판, 또는 더 대형의 기판을 처리하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 재료처리 시스템은 하나 이상의 처리 챔버내에서 플라즈마를 발생하도록 작동될 수 있다.
예를 들어, 기판(135)은, 기판 홀더(130)내에 수납된 기판 리프트핀(도시않됨)에 의하여 받아들여질 수 있고 내부에 수납된 장치에 의하여 기계적으로 반송될 수 있는 로봇식 기판반송 시스템을 거쳐 슬롯밸브(도시않됨) 및 챔버 공급구(도시않됨)를 통하여 처리 챔버(110)의 안팎으로 반송될 수 있다. 일단 기판(135)이 기판반송 시스템으로부터 받아들여진 후, 기판 홀더(130)의 상부표면으로 내려질 수 있다.
기판(135)은, 예를 들면, 정전 클램프 시스템을 통하여 기판 홀더(130)에 고정될 수 있다. 또한, 기판 홀더(130)는 기판 홀더(130)로부터의 열을 받아서 그 열을 열교환 시스템(도시않됨)으로 전달하거나, 또는 가열시에 그 열을 열교환 시스템으로 전달하는 재순환 냉매류를 포함하는 냉각시스템을 더욱 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 예를 들어, 기판(135)과 기판 홀더(130) 사이의 가스-간극 전열성을 개선하기 위하여 이면 가스 시스템을 경유하여 기판(135)의 이면으로 가스가 공급될 수도 있다. 그러한 시스템은 기판의 온도제어가 상승 또는 감소된 온도에 있는 것을 필요로 하는 경우에 이용될 수 있다. 다른 실시예에 있어서는, 저항성 가열소자와 같은 가열소자나, 전열 히터/냉각기 등이 포함될 수 있다.
선택적인 실시예에 있어서, 기판 홀더(130)는 예를 들면, 기판 홀더(130) 및 처리 챔버(110)에 결합된 벨로우즈(도시않됨)에 의하여 둘러싸일 수 있으며 처리 챔버(110)내의 감압 분위기로부터 수직 이동장치를 밀폐하도록 구성된 수직이동기구(도시않됨)을 더욱 포함하여 구성될 수 있다. 부가적으로, 벨로우즈 차폐물(도시않됨)이, 예를 들면 기판 홀더(130)에 결합되어 벨로우즈를 보호하도록 구성될 수 있다. 기판 홀더(130)는, 예를 들면 포커스 링(도시않됨)과, 차폐 링(도시않됨) 및 배플판(도시않됨)을 더욱 구비할 수 있다.
도 1에서 나타낸 바와 같이, 도시된 실시예에 있어서는, 기판 홀더(130)는 처리공간(115)내의 처리플라즈마에 RF전력이 결합될 수 있는 전극(도시않됨)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더(130)는 RF 시스템(150)으로부터의 RF 전력의 전달을 통하여 RF 전압으로 전기적으로 바이어스될 수 있다. RF 바이어스는 전자를 가열하여 플라즈마를 생성 및 유지하는데 사용될 수 있다. 이러한 구성에서, 재료 시스템은 반응 이온 에치(RIE) 리엑터로써 기능할 수 있으며, 여기서 챔버와 상부 가스 분사 전극은 그라운드면으로 기능한다. RF 바이어스를 위한 전형적인 주파수는 1MHz 내지 100MHz 이다. 예를 들어, 플라즈마 처리용으로 13.56MHz 를 사용하는 반도체 처리시스템은 당업계에 주지되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 상부 어셈블리(120)는 처리 챔버(110)에 결합될 수 있으며 이하의 기능중 적어도 하나를 수행하도록 구성된다: 가스분사 시스템을 제공함, 용량적으로 결합된 플라즈마(CCP)원을 제공함, 유도적으로 결합된 플라즈마(ICP)원을 제공함, 변압기 결합된 플라즈마(TCP)원을 제공함, 마이크로웨이퍼 전력화된 플라즈마원을 제공함, 전자 싸이클로트론 공명(ECR) 플라즈마원을 제공함, 헬리콘파 플라즈마원을 제공함 및 표면파 플라즈마원을 제공함.
예를 들어, 상부 어셈블리(120)는 전극, 유전체 링, 안테나, 트랜스미션선, 및/또는 다른 RF 구성요소(도시하지 않음)을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 상부 어셈블리(120)는 영구자석, 전자석, 및/또는 자석 시스템 구성요소(도시하지 않음)을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 상부 어셈블리(120)는 공급선, 분사장치, 매스플로우(mass flow) 컨트롤러 및/또는 다른 가스 공급 시스템 구성요소(도시하지 않음)을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 상부 어셈블리(120)는 하우징, 덮개, 밀폐장치, 및/또는 다른 기계적 구성요소(도시하지 않음)을 포함하여 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, 처리 챔버(10)는 플라즈마 처리 공간(115)내의 처리 플라즈마로부터 처리 챔버(110)의 보호를 위해 예를 들어, 챔버 라이너(도시하지 않음) 또는 처리 튜브(도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 처리 챔버(110)는 감시 포트(도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다. 감시 포트는 예를 들어, 처리 공간(115)의 광학 감시를 허용할 수 있다.
또한, 재료 처리 시스템(100)은 일체적인 트랜스미션 수단을 구비하는 적어도 하나의 측정장치를 포함하여 구성된다. 실시예에서 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서(190)가 처리 데이터와 같은 데이터를 생성하여 전송하도록 사용될 수 있다. 예를 들어, 챔버(100)는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서(190), 및/또는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서(190)를 포함하는 상부 어셈블리(120), 및/또는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서(190)를 포함하는 기판 홀더를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 재료 처리 시스템(100)은 일체적인 트랜스미션 수단을 구비하는 적어도 하나의 인터페이스 장치를 포함하여 구성된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 센서 인터페이스 어셈블리(SIA)(180)는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서(190)와 통신하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, SIA(180)는 처리 데이터를 수신할 수 있다.
일 실시예에서, RF 응답 처리 센서(190)는 처리 센서(도시하지 않음) 및 일체형 트랜스미터(도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있고, SIA(180)는 일체형 리시버(도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다. RF 응답 처리 센서(190)는 데이터를 전송하는 트랜스미터를 사용할 수 있고, SIA(180)는 전송된 데이터를 수신하는 리시버를 사용할 수도 있다. RF 응답 처리 센서(190)는 동일 또는 다른 주파수를 사용하여 작동될 수 있고, SIA(180)는 하나 이상의 주파수를 사용하여 작동될 수도 있다.
또한, 재료 처리 시스템(100)은 컨트롤러(170)를 포함하여 구성된다. 컨트롤러(170)는 챔버(110), 상부 어셈블리(120), 기판 홀더(130), RF 시스템(150), 펌핑 시스템(160), 및 SIA(180)에 연결될 수 있다. 컨트롤러는 제어 데이터를 SIA로 전송하고 SIA로부터 ID 데이터를 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(170)는 마이크로프로세서, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 및 처리 시스템(100)과 통신하고 입력 및 처리시스템(100)으로부터의 감시출력을 활성화하기에 충분한 제어전압을 생성할 수 있는 디지털 I/O 포트를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 컨트롤러(170)는 챔버(110), 상부 어셈블리(120), 기판 홀더(130), RF 시스템(150), 펌핑 시스템(160), 및 SIA(180)와 정보를 주고 받을 수 있다. 예를 들어, 메모리에 저장된 프로그램은 처리 방법에 따라 재료 처리 시스템(100)의 상술한 구성요소들을 제어하도록 사용될 수 있다. 또한, 컨트롤러(170)는 처리 데이터를 분석하고, 처리 데이터를 목표 처리 데이터와 비교하며, 그 비교를 이용하여 플라즈마 처리수단을 제어 및/또는 처리를 변경하도록 구성될 수 있다. 또한, 컨트롤러(170)는 처리 데이터를 분석하고, 처리 데이터를 시간 경과적 처리 데이터와 비교하며, 비교를 이용하여 에러를 예측, 방지 및 선언할 수 있도록 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 응답 처리 센서 및 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다. 도시된 예에서, SIA(180)는 SIA 리시버(181)와 SIA 트랜스미터(182)를 포함하여 구성되며, RF 응답 처리 센서(190)는 처리 센서(191)와 RF 응답 트랜스미터(192)를 포함하여 구성된다.
SIA(180)는 통신 링크(195)를 이용하여 RF 응답 처리센서(190)에 연결될 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리센서(190)와 SIA(180)는 0.01MHz~110.0GHz 범위내의 하나 이상의 RF 주파수를 이용하여 작동될 수 있다. 선택적으로, 통신 링크(195)는 광학 수단을 포함하여 구성될 수 있다.
SIA 리시버(181)는 하나 이상의 RF 응답 처리 센서로부터 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, SIA 리시버(181)는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서로부터 응답 신호를 수신하도록 구성될 수 있으며, 그 응답 신호는 처리 데이터를 포함할 수 있는 데이터를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, SIA 트랜스미터(182)는 하나 이상의 RF 응답 처리 센서로 신호를 전송하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, SIA 트랜스미터(182)는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서로 입력 신호를 전송하도록 구성될 수 있으며, 입력 신호는 제어 데이터를 포함할 수 있는 데이터를 포함하여 구성될 수 있다.
처리 센서(191)는 특성과 관련된 하나 이상의 성분을 제공하도록 구성될 수 있다.
처리 센서(191)는 처리 데이터를 생산하고, RF 응답 트랜스미터(192)로 처리 데이터를 제공하도록 구성될 수 있다. 처리 데이터는 온도 데이터, 압력 데이터, 처리 화학 데이터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 처리 센서(191)은 시스템 요소에 결합될 수 있고, 온도 데이터, 압력 데이터, 처리 화학 데이터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 처리 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 처리 화학 데이터는 플로우 레이트(flow rates), 플로우 타임(flow time), 및/ 또는 가스 종(gas species) 데이터를 포함할 수 있다. 처리 데이터는 처리, 처리 챔버 및/또는 처리 툴을 컨트롤하는 데 사용될 수 있는 측정된 및/ 또는 처리된 데이터를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에서, 처리 센서(191)는 온도 센서, 압력 센서, 플로우 센서(flow sensor) 및 매스 플로우 콘트롤러(mass flow controller) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 온도 센서는 써모커플(thermocouple), 더미스터(thermistor), 온도계(thermometer), 고온측정(pyrometer), 마이크로-일렉트로미케니컬(micro-electromechanical, MEM), RTD 및 다른 반도체 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
온도 센서는 시스템 요소에 결합될 수 있고, 온도 데이터를 생성시키도록 구성될 수 있다. 온도 센서는 마노미터(manometer), 엠이엠(MEM) 장치 및 압력 트랜스듀서(transducer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 플로우 센서(flow sensor)는 매스(mass) 플로우 센서, 차등 트랜스듀서(differential transducer), 전자기 센서, 초음파 센서, 광학 센서 및 엠이엠(MEM) 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 덧붙여서, 에스에이더블유(SAW), 비에이더블유(BAW), 엠이엠(MEM) 리조네이터(resonator)는 처리 데이터를 생성 하는 데 사용될 수 있다. 덧붙여서, 센서는 처리 데이터를 측정, 저장 및/ 또는 분석할 수 있다.
선택적으로, 처리 센서(191)는 또한 전원, 리시버, 트랜스미터, 컨트롤러, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 및 하우징 중 적어도 하나를 더욱 포함하여 구성될 수 있다.
처리 센서(191)는 장시간 또는 단시간 동안 처리 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 처리 센서는 연속적으로 동작하는 타이머와 트리거 타이머 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있으며, 트리거 타이머는 처리 관련 사상 또는 비처리 관련 사상에 의해 트리거될 수 있다. 처리 센서는 RF 에너지를 DC 에너지로 변환할 수 있고, DC 전원을 센서를 동작하는데 사용할 수 있다. 이와 같은 방법으로 RF 시간 데이터와 같은 처리 관련 데이터가 생성될 수 있다.
RF 응답 트랜스미터(192)는 적어도 하나의 SIA(180)으로 신호를 전송하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, RF 응답 트랜스미터(192)는 응답 신호를 전송하도록 구성될 수 있고, 응답 신호는 처리 데이터 및/또는 에로젼(erosion) 데이터를 포함할 수 있는 데이터를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 트랜스미터는 AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호를 포함하는 협대역 또는 광대역 신호를 전송 및 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, 트랜스미터는 반도체 처리시설과 같은 높은 간섭 환경내에서의 성능을 향상시키기 위해 암호화된 신호 및 확산 스펙트럼 신호를 전송 및 처리할 수 있다.
다양한 실시예에서, RF 응답 트랜스미터(192)는 전원, 신호원, 변조기, 증폭기, 안테나, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 하우징, 및 컨트롤러 중 적어도 하나를 더욱 포함하여 구성될 수 있다. 하나의 경우에 있어서, RF 응답 트랜스미터(192)는 RF 필드내에 위치할 때 백스캐터링(backscattering)장치로서 사용되는 안테나(도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, RF 응답 처리 센서(190)는 또한 전원, 신호원, 리시버, 안테나, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 타이머, 하우징 및 컨트롤러 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231749US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231750US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템내의 부품 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231227US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231228US6YA호에서 설명된 바와 같이 센서를 포함하여 구성될 수 있으며, 이들은 본 명세서에 참고사항으로서 결합되는 것이다.
도 3a-3c는 본 발명의 실시예에 따른 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예들에서, RF 응답 처리 센서(190)는 처리 센서(191), RF 응답 트랜스미터(192), 및 전원(194)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 전원(194)은 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(194)은 RF 응답 트랜스미터(192)내에 내장될 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 전원(194)은 처리 센서(191)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(194)은 처리 센서(191)내에 내장될 수 있다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 전원(194)은 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(194)은 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)의 내에 내장될 수 있다.
전원(194)은 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터, 및 배터리 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, RF-DC 컨버터는 안테나, 다이오드, 및 필터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 하나의 경우에서, RF-DC 컨버터는 적어도 하나의 플라즈마 관련 주파수를 DC 신호로 변환할 수 있다. 다른 경우에서, RF-DC 컨버터는 적어도 하나의 비플라즈마 관련 주파수를 DC 신호로 변환할 수 있다. 예를 들어, 입력 및/또는 외부 신호가 컨버터로 제공될 수 있다.
다른 실시예로써, RF-DC 컨버터는 적어도 하나의 플라즈마와 관련된 주파수를 DC 신호로 변환할 수 있다.
도 4a-4c는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예에서, RF 응답 처리 센서(190)는 처리 센서(191), RF 응답 트랜스미터(192), 및 리시버(196)를 포함하여 구성된다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 리시버(196)는 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 리시버(196)는 RF 응답 트랜스미터(192)내에 내장될 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 리시버(196)는 처리 센서(191)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 리시버(196)는 처리 센서(191)내에 내장될 수 있다. 도 4c에 도시된 바와 같이, 리시버(196)는 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 리시버(196)는 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)내에 내장될 수 있다.
리시버(196)는 전원, 신호원, 안테나, 다운 컨버터, 복조기, 디코더, 컨트롤러, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 및 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 리시버는 AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호를 포함하는 협대역 또는 광대역 신호를 수신 및 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, 리시버는 반도체 처리시설과 같은 높은 간섭 환경내에서의 성능을 향상시키기 위해 암호화된 신호 및 확산 스펙트럼 신호를 전송 및 처리할 수 있다.
도 5a-5c는 본 발명의 실시예에 부가적인 RF 응답 처리 센서의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예에서, RF 응답 처리 센서(190)는 처리 센서(191), RF 응답 트랜스미터(192), 및 컨트롤러(198)를 포함하여 구성된다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(198)는 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(198)는 RF 응답 트랜스미터(192)내에 내장될 수 있다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(198)는 처리 센서(191)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(198)는 처리 센서(191)내에 내장될 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(198)는 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(198)는 처리 센서(191) 및 RF 응답 트랜스미터(192)내에 내장될 수 있다.
컨트롤러(198)는 리시버, 마이크로프로세서, 마이크로콘트롤러, 타이머, 디지털 신호 프로세서(DSP), 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), A/D 컨버터, 및 D/A 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러는 AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호로부터 수신된 데이터를 처리하고, AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호로 전송된 데이터를 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, 컨트롤러(198)는 암호화된 신호 및/또는 확산 스펙트럼 신호를 처리하도록 사용된다. 또한, 컨트롤러(198)는 측정된 데이터, 지시코드, 센서정보, 및/또는 부품정보와 같은 정보를 저장할 수 있으며, 이들은 센서 식별 및 부품 식별 데이터를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 입력 신호 데이터는 컨트롤러(198)로 제공될 수 있다.
도 6a-6c는 본 발명의 실시예들에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예에서, SIA(180)는 SIA 리시버(181), SIA 트랜스미터(182), 및 전원(184)을 포함하여 구성된다.
SIA 트랜스미터(182)는 입력 신호를 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서로 전송하도록 구성될 수 있고, 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서는 입력 신호를 동작을 제어하는데 사용할 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리 센서는 처리 데이터를 생성하는 때 및/또는 응답 신호를 전송하는 때를 결정하는데 입력 신호 정보를 사용할 수 있다.
SIA 트랜스미터(182)는 전원, 신호원, 안테나, 업 컨버터, 증폭기, 변조기, 암호기, 타이머, 컨트롤러, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), D/A 컨버터, 및 A/D 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 트랜스미터는 AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호를 포함하는 협대역 또는 광대역 신호를 전송 및 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, SIA 트랜스미터(182)는 반도체 처리시설과 같은 높은 간섭환경내에서 성능을 향상시키기 위해 암호화된 신호 및 확산 스펙트럼 신호를 전송 및 처리할 수 있다.
SIA 리시버(181)는 하나 이상의 RF 응답 처리 센서로부터 신호를 수신하도록 구성될 수 있고, 응답 신호는 처리 데이터를 포함하여 구성될 수 있다.
SIA 리시버(181)는 전원, 신호원, 안테나, 다운 컨버터, 복조기, 디코더, 타이머, 컨트롤러, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), D/A 컨버터 및 A/D 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, SIA 리시버는 AM 신호, FM 신호, 및/또는 PM 신호를 포함하는 협대역 또는 광대역 신호를 수신 및 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, SIA 리시버(181)는 반도체 처리시설과 같은 높은 간섭환경내에서 성능을 향상시키기 위해 암호화된 신호 및 확산 스펙트럼 신호를 전송 및 처리할 수 있다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 전원(184)은 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(184)은 SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 전원(184)은 SIA 리시버(181)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(184)은 SIA 리시버(181)내에 내장될 수 있다. 도 6c에 도시된 바와 같이, 전원(184)은 SIA 리시버(181) 및 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 전원(184)은 SIA 리시버(181) 및 SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수 있다.
전원(194)은 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터, 배터리, 필터, 타이머, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리) 및 컨트롤러 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 전원은 챔버 외부에 있을 수 있고 하나 이상의 케이블을 사용하여 SIA에 연결될 수도 있다.
도 7a-7c는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예에서, SIA(180)는 SIA 리시버(181), SIA 트랜스미터(182), 및 컨트롤러(186)를 포함하여 구성된다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(186)는 SIA 리시버(181)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(186)는 SIA 리시버(181)내에 내장될 수도 있다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(186)는 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(186)는 SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수도 있다. 도 7c에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(186)는 SIA 리시버(181) 및 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 컨트롤러(186)는 SIA 리시버(181) 및 SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수도 있다.
컨트롤러(198)는 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 디지털신호 프로세서(DSP), 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), A/D 컨버터, 및 D/A 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러는 응답 신호로부터 수신된 데이터를 처리하고, 입력 신호로 전송된 데이터를 처리하도록 사용될 수 있다. 또한, 컨트롤러(198)는 측정된 데이터, 지시코드, 센서정보, 및/또는 부품정보와 같은 정보를 저장할 수 있으며, 이들은 센서식별 및 부품 식별 데이터를 포함하여 구성될 수 있다.
도 8a-8c는 본 발명의 부가적인 실시예들에 따른 센서 인터페이스 어셈블리의 간략한 블록도이다. 도시된 실시예에서, SIA(180)는 SIA 리시버(181), SIA 트랜스미터(182), 및 인터페이스(188)를 포함하여 구성된다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 인터페이스(188)는 SIA 리시버(181)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 인터페이스(188)는 SIA 리시버(181)내에 내장될 수도 있다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 인터페이스(188)는 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 인터페이스(188) SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수도 있다. 도 8c에 도시된 바와 같이, 인터페이스(188) SIA 리시버(181) 및 SIA 트랜스미터(182)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 인터페이스(188)는 SIA 리시버(181)의 내부 및 SIA 트랜스미터(182)내에 내장될 수도 있다.
인터페이스(188)는 전원, 신호원, 리시버, 트랜스미터, 컨트롤러, 프로세서, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 및 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 인터페이스는 컨트롤러(170)(도1)과 같은 시스템 레벨의 구성요소로부터 송수신되는 데이터를 처리하도록 사용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야에 통상의 지식을 가진 자는 리시버와 트랜스미터가 하나의 트랜시버에 결합될 수 있다는 사실을 주지하고 있을 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 재료 처리 시스템의 감시 방법을 도시한다. 수순(900)은 910에서 시작한다.
920에서, 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서가 마련된다. RF 응답 처리 센서는 재료 처리 시스템의 다수의 다른 위치에 마련될 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리 센서가 챔버벽, 상부 요소, 및 기판 홀더요소 내에 결합할 수 있다. 또한, RF 응답 처리 센서는 재료 처리 시스템내에 사용될 때 챔버 라이너(처리 튜브)내에 설치될 수도 있다. 또한, RF 응답 처리 센서는 반송 시스템 구성요소, RF 시스템 구성요소, 가스 공급 시스템 구성요소, 및/또는 배기 시스템 구성요소등에, 이들 구성요소 중 하나 이상이 재료 처리 시스템에 사용될 때, 연결될 수도 있다.
RF 응답 처리 센서는 처리 센서에 연결된 RF 응답 트랜스미터를 포함하여 구성될 수 있다. 다양한 실시예에서, 처리 센서는 온도 센서, 압력센서, 플로우 센서 및 처리 화학 센서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 처리 센서는 처리 챔버에서 및/ 또는 처리챔버의 외부에서의 처리 변수(parameters)를 측정하는데 사용될 수 있다. 덧붙여서, 센서는 처리 챔버와 처리 툴에 RF 신호를 제공하기 위하여 사용되는 요소에 결합될 수 있다.
처리 센서는 처리 데이터과 같은 데이터를 생성하도록 구성될 수 있으며, 데이터를 RF 응답 트랜스미터로 제공한다. 또한, 처리 센서는 프로세서, 메모리(예를 들면, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리), 타이머, 전원 및 센서 중 적어도 하나를 포함하여 구성되며, 내부의 제어 프로시져를 사용하여 부분 ID 데이터와 같은 데이터를 생성, 저장 및/또는 분석하고, 그 데이터를 RF 응답 트랜스미터로 제공한다. 처리 센서는 언제 작동해야 하는 지를 결정하기 위해 처리 관련 및/또는 비처리 관련 신호를 사용할 수 있다. 선택적으로, 처리 센서는 또한 리시버, 트랜스미터, 및 하우징 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.
다양한 실시예에서, RF 응답 트랜스미터는 트랜스미터와 안테나를 포함하여 구성된다. 예를 들어, 트랜스미터는 처리 데이터와 같은 데이터로 입력 신호를 변조 및/또는 코드화하도록 구성될 수 있으며, 안테나는 그 입력 신호를 전송하도록 구성될 수 있다.
다른 경우에 있어서, RF 응답 트랜스미터는 변조기와 안테나를 포함하여 구성될 수 있고, 변조기는 처리 데이터로 입력 신호를 변조하고 안테나는 그 변조된 신호를 전송하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, RF 응답 트랜스미터는 안테나와 백스캐터(backscatter) 변조기를 포함하여 구성될 수도 있다.
930에서, 센서 인터페이스 어셈블리(SIA)가 마련된다. SIA는 재료 처리 시스템의 다수의 다른 위치에 마련될 수 있다. 예를 들어, SIA가 챔버벽, 상부 어셈블리, 및 기판 홀더 내에 결합될 수 있다. 다른 실시예에서, 만일 RF 응답 처리 센서와의 통신 링크가 설정될 수 있다면 SIA가 챔버 외부에 설치될 수도 있다. 선택적으로 SIA는 감시 포트 또는 다른 입력 포터에 연결될 수 있다.
SIA는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서로부터 응답신호를 수신하도록 구성된 리시버를 포함하여 구성될 수 있고, 응답신호는 처리 데이터와 같은 데이터를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리 센서는 내부 제어 프로시져를 이용하여 응답 신호를 생성 및 전송하도록 구성될 수 있다.
또한, SIA는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서로 입력 신호를 전송하도록 구성된 트랜스미터를 포함하여 구성될 수 있고, 입력 신호는 적어도 하나의 RF 응답 처리 센서를 위한 작동 데이터를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리 센서는 SIA로부터 입력 신호를 수신할 때 응답신호를 생성 및 전송하도록 구성될 수 있다.
다른 경우에서, SIA는 SIA 트랜스미터 및 SIA 리시버에 연결될 수 있는 전원을 포함하여 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, SIA는 SIA는 SIA 트랜스미터 및 SIA 리시버에 연결될 수 있는 컨트롤러를 포함하여 구성될 수 있다.
940에서, 처리 센서 및 RF 응답 트랜스미터를 구비한 RF 응답 처리 센서는 처리 데이터와 같은 데이터를 생성하는데 사용될 수 있다. 처리 센서는 처리 전, 도중, 및 후의 처리 데이터를 생성할 수 있다. 예를 들어, RF 응답 처리 센서는 챔버 구성요소, 상부 어셈블리 구성요소, 및 기판 홀더 구성요소를 위한 처리 데이터를 생성할 수 있다. 또한, RF 응답 처리 센서는 재료 처리 시스템내에서 사용될 때 챔버 라이너(처리 튜브)를 위한 처리 데이터를 생성할 수 있다. 게다가, RF 응답 처리 센서는 반송 시스템 구성요소, RF 시스템 구성요소, 가스 공급 시스템 구성요소, 및/또는 배기 시스템 구성요소를 위한 처리 데이터를 생성할 수 있다.
RF 응답 처리 센서는 특성과 관련된 하나 또는 그 이상의 요소를 제공하기 위하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 처리 센서는 온도 데이터, 압력 데이터, 플로우 데이터 및 처리 화학 데이터 중 적어도 하나를 포함할 수 있는 처리 데이터를 생성하고, 처리 데이터를 RF 응답 트랜스미터에 제공하도록 구성될 수 있다.
처리 데이터는 처리, 처리 챔버, 처리 툴을 컨트롤하기 위하여 사용될 수 있는 측정된 및/ 또는 처리된 데이터를 포함할 수 있다.
또한, 처리 데이터는 설치, 작동, 유지과정에서 사용될 수 있다. 처리 데이터는 플라즈마 처리 전, 처리 동안, 처리 후에 얻어진 측정을 포함할 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, RF 응답 처리 센서는 전원을 포함하여 구성될 수 있고, 전원은 RF 응답 처리 센서가 처리 데이터를 발생시키도록 플라즈마 관련 주파수를 사용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전원은 플라즈마 챔버로 공급되는 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환하고 DC 신호를 이용하여 RF 응답 처리 센서내의 처리 센서를 구동시킨다. 선택적으로, RF 응답 처리 센서는 처리 센서에 연결된 배터리를 포함하여 구성될 수 있고, DC 신호는 처리 센서가 처리 데이터를 생성하는데 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, RF응답 처리 센서는 전원을 포함하여 구성될 수 있으며, 전원은 RF응답 처리 센서가 처리 데이터를 생성하도록 비플라즈마 관련 주파수를 사용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전원은 입력신호에 의하여 제공된 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환할 수 있으며, DC 신호를 RF응답 처리 센서내의 처리 센서를 작동하도록 사용할 수 있다. 또한, RF응답 처리 센서는 처리 센서에 결합된 배터리를 포함하여 구성될 수 있으며, 입력신호는 처리 센서가 처리 데이터를 생성하기 시작하도록 사용될 수 있다.
부가적인 실시예에서, RF응답 처리 센서는 플라즈마 처리 시스템에서 사용될 수 있고, 처리 데이터와 같은 데이터를 생성하기 위하여 플라즈마 관련 또는 비플라즈마 관련 주파수를 사용할 수 있다.
950에 있어서, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 데이터를 전송하도록 RF응답 트랜스미터를 사용한다. 예를 들어, RF응답 트랜스미터는 처리 데이터를 포함하는 응답신호를 전송할 수 있다. 선택적인 실시예에 있어서, RF응답 트랜스미터는 적어도 하나 이상의 처리 센서에 결합될 수 있고, RF응답 트랜스미터는 적어도 하나 이상의 부가적인 센서에 결합될 수 있다.
RF-응답 처리 센서는 재료처리 시스템내의 다수의 상이한 위치에 마련될 수 있으며 재료처리 시스템에 의하여 수행되는 플라즈마 처리전, 도중 및/또는 후의 처리 데이터를 전송하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, RF응답 처리 센서들은 챔버벽, 상부 어셈블리 및 기판 홀더 중 적어도 하나에 연결될 수 있으며, 시스템내의 상이한 위치로부터 처리 데이터를 전송할 수 있다. 부가적으로, RF응답 처리 센서는 재료처리 시스템내에서 사용되는 챔버 라이너(처리 튜브)로부터 처리 데이터를 전송할 수 있다. 게다가, RF응답 처리 센서는 반송시스템 구성요소, RF 시스템 구성요소, 가스공급 시스템 구성요소 및/또는 배기시스템 구성요소로부터 처리 데이터를 전송할 수 있다.
어떤 실시형태에 있어서, RF응답 처리 센서는 전원을 포함하여 구성될 수 있으며, 전원은, RF응답 처리 센서가 처리 데이터를 전송하도록 플라즈마 관련 주파수를 사용할 수 있다. 예를 들어, 전원은 입력신호에 의하여 공급된 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환할 수 있으며, 그 DC 신호를 RF응답 처리 센서내에서 트랜스미터를 작동하도록 사용할 수 있다. 또, RF응답 처리 센서는 트랜스미터에 연결된 배터리를 포함하여 구성될 수 있으며, 처리 관련 신호는 RF 응답 트랜스미터가 데이터 전송하기 시작하도록 사용될 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, RF응답 처리 센서는 전원을 포함하여 구성될 수 있으며, 전원은, RF응답 처리 센서가 처리 데이터를 전송하도록 비플라즈마 관련 주파수를 사용할 수 있다. 예를 들어, 전원은 입력신호에 의하여 공급된 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환할 수 있으며, 그 DC 신호를 RF응답 처리 센서내에서 트랜스미터를 작동하도록 사용할 수 있다. 또, RF응답 처리 센서는 트랜스미터에 연결된 배터리를 포함하여 구성될 수 있으며, 입력 신호는 RF 응답 트랜스미터가 데이터 전송하기 시작하도록 사용될 수 있다.
그러므로, RF 응답 처리 센서는 플라즈마 처리 시스템에서 사용될 수 있고, 처리 데이터와 같은 데이터를 전송할 때 플라즈마 관련 또는 비플라즈마 관련 주파수를 사용하는 응답 신호를 전송하도록 구성할 수 있다.
선택적인 실시예에 있어서, RF응답 처리 센서는 입력신호를 수신하는데 사용될 수 있는 리시버를 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 리시버는 입력신호를 수신하고, 그 입력신호를 RF응답 처리 센서를 제어하기 위한 운용데이터를 생성하는데 사용하도록 구성될 수 있다. 또한, RF 응답 처리 센서는 데이터를 생성할 때 및/ 또는 데이터를 전송할 때 정의하기 위한 입력 신호를 사용할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, RF응답 처리 센서는 처리 데이터를 저장하는데 사용될 수 있는 메모리를 포함하여 구성될 수 있다. 처리 데이터는 처리의 일부분 동안 저장되고 처리의 다른 부분동안에 전송된다. 예를 들어, 처리 데이터는 플라즈마 사상의 이행시에 저장되고, 플라즈마 사상이 종료한 후에 전송된다.
다른 실시예에 있어서, RF응답 처리 센서는 컨트롤러를 포함하여 구성될 수 있으며, 컨트롤러는 RF응답 처리 센서의 작동을 제어하는데 사용될 수 있다. 컨트롤러는 운용데이터를 포함하여 구성될 수 있으며, SIA 로부터 운용데이터를 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러는 처리 데이터를 언제 생성하는지 및/또는 언제 데이터를 전송할 것인지를 결정하기 위하여 사용할 수 있다.
어떤 실시예에 있어서, RF응답 처리 센서는 타이머를 포함하여 구성될 수 있다. 타이머는 적어도 하나의 연속적으로 동작하는 타이머 및 트리거 타이머 중 하나를 포함하여 구성될 수 있으며, 트리거 타이머는 처리관련 또는 비처리 관련 주파수에 의하여 트리거될 수 있다. 예를 들어, 타이머는 RF 에너지를 DC 신호로 변환하고 그 DC 신호를 타이머를 작동하는데 사용할 수 있다. 이러한 방식으로 RF 시간데이터가 생성될 수 있다. 또한, 타이머는 RF응답 처리 센서에 의하여 수신된 입력신호에 의하여 트리거될 수 있다.
960에서, SIA는 하나 이상의 RF응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 포함하는 응답신호를 수신하는데 사용될 수 있고, 응답신호는 처리데이터와 같은 데이터를 포함할 수 있다. 예를 들어, SIA 내의 리시버는 전체 처리 중 또는 처리의 일부 중에 하나 이상의 응답신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 어떤 경우에, RF응답 처리 센서는 RF신호가 처리 챔버로 공급되었을 때 처리 데이터를 전송할 수 있다.
부가적으로, SIA는 하나 이상의 RF응답 처리 센서로 입력신호를 전송하는데 사용될 수 있다. 예를 들어 SIA내의 트랜스미터는 전체 처리 중 또는 처리의 일부 중에 하나 이상의 응답신호를 전송하도록 구성될 수 있다. 어떤 경우에, RF응답 처리 센서는 SIA로부터의 입력신호를 수신할 때, SIA로 처리 데이터를 전송할 수 있다. 예를 들어, 입력신호는 RF응답 처리 센서에 대한 운용데이터를 포함하여 구성될 수 있다.
SIA는 언제 신호를 수신 및 전송하여야 하는 지를 결정하기 위하여 내부 및/또는 외부 제어 데이터를 이용할 수 있다. 예를 들어, SIA는 재료처리 시스템에 의하여 수행된 처리 전, 도중 및/또는 후에 작동하도록 구성될 수 있다.
SIA 재료처리 시스템내의 다수의 상이한 위치에 마련될 수 있다. 예를 들어, SIA는 처리 챔버 벽, 상부 어셈블리 및 기판 홀더 중 적어도 하나에 연결될 수 있으며, 시스템내의 상이한 위치로부터의 처리 데이터를 수신할 수 있다. 부가적으로, SIA는 재료처리 시스템내에서 사용되는 챔버 라이너(처리 튜브)로부터의 처리 데이터를 수신할 수 있다. 더욱이, SIA는 반송시스템 구성요소, RF 시스템 구성요소, 가스공급 시스템 구성요소 및/또는 배기시스템 구성요소로부터 처리 데이터를 전송할 수 있다.
어떤 실시형태에 있어서, SIA는 전원을 포함하여 구성될 수 있으며, 전원은, SIA가 작동하도록 플라즈마 관련 주파수를 사용할 수 있다. 예를 들어, 전원은 플라즈마 챔버에 공급된 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환하고 그 DC 신호는 SIA 내의 트랜스미터 및/또는 리시버를 작동하도록 사용될 수 있는 RF-DC 컨버터를 포함하여 구성될 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, SIA는 전원을 포함하여 구성될 수 있으며, 전원은, SIA가 작동하도록 비플라즈마 관련 주파수를 사용할 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전원은 외부신호에 의하여 공급된 RF 에너지의 일부를 DC 신호로 변환하고 그 DC 신호는 SIA 내의 트랜스미터 및/또는 리시버를 작동하도록 사용될 수 있는 RF-DC 컨버터를 포함하여 구성될 수 있다.
부가적으로, 전원은 처리 챔버의 외부에 있을 수 있으며, 하나 이상의 케이블을 사용하여 SIA 에 연결될수 있다. 또한 전원은 배터리를 포함하여 구성될 수 있다.
970에서, SIA는 처리 데이터와 같은 데이터를 컨트롤러로 보낸다. 부가적으로, SIA는 처리 데이터를 전처리할 수 있다. 예를 들어, SIA는 데이터를 압축 및/또는 암호화할 수 있다. 수순 900은 980에서 종료한다.
SIA 및/또는 시스템 컨트롤러는 처리 데이터와 같은 데이터를 분석하고, 또한 처리를 제어 및/또는 처리수단을 제어하기 위하여 그 분석결과를 이용하도록 구성될 수 있다. SIA 및/또는 시스템 컨트롤러는 처리 데이터를 목표 처리 데이터와 비교하고, 처리 및/또는 처리수단을 제어하기 위하여 그 비교결과를 이용하도록 구성될 수 있다. 또한, SIA 및/또는 시스템 컨트롤러는 처리 데이터를 시간 경과적 처리 데이터와 비교하고, 오류를 예측, 방지 및/또는 선언하는데 그 비교결과를 이용할 수 있다. 또한, SIA 및/또는 시스템 컨트롤러는 처리 데이터와 같은 데이터를 분석하고, 그 분석결과를 구성요소의 보수유지를 언제 행할지를 결정하는데 사용할 수 있다.
비록 본 발명은 상술한 내용으로 예시되었으나, 본 발명의 신규한 특징 및 장점을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변경이 가능함은 당업자에게 주지된 사실이다. 따라서, 그러한 모든 변경은 본 발명의 범위내에 포함되는 것으로 의도된 것이다.
[관련출원들의 상호참조]
본 발명은 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231749US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231750US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템의 감시방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231227US6YA와, 발명의 명칭이 "재료처리시스템내의 플라즈마를 감시하기 위한 방법 및 장치"이고, 동일자로 출원된 공동계류중인 출원번호 10/ 호로서 대리인의 파일번호가 231228US6YA호와 관련된 것이다. 이들 각 출원의 전체적인 내용은 참고로 본 명세서와 관련되어 있다.

Claims (84)

  1. 적어도 하나의 처리 챔버를 포함하는 처리수단와;
    상기 처리수단에 연결되며, 그 처리수단에 대한 처리 데이터를 생성하고 그 처리 데이터를 전송하도록 구성된 다수개의 RF응답 처리 센서; 및,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 수신하도록 구성된 센서 인터페이스 어셈블리(Sensor Interface Assembly:SIA)를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 데이터는 온도 데이터, 압력 데이터, 플로우 데이터(flow data) 및 처리 화학 데이터(process chemistry data) 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    처리 데이터를 생성하기 위한 온도 센서; 및
    처리 데이터를 전송하기 위하여 안테너(antenna)에 연결된 RF 응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 응답처리 센서는:
    처리 데이터를 생성하기 위한 압력 센서와,
    처리 데이터를 전송하기 위하여 컨트롤러에 연결된 RF 응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    처리 데이터를 생성하기 위한 처리 센서; 및
    상기 처리 데이터를 전송하기 위하여 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 처리 센서는 온도 센서, 압력 센서, 플로우 센서(flow sensor) 및 처리 화학 센서 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 챔버 구성요소에 연결되는 재료처리 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    상기 챔버 구성요소에 대한 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서; 및
    상기 챔버 구성요소에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상부 어셈블리를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 전기적 센서가 상기 상부 어셈블리의 적어도 하나의 구성요소에 연결된 재료처리 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 전기적 센서는:
    상기 상부 어셈블리의 적어도 하나의 구성요소에 대한 전기적 데이터를 생성하도록 구성된 전기적 센서;및
    상기 상부 어셈블리의 적어도 하나의 구성요소에 대한 전기적 데이터를 전송하기 위하여 전기적 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    기판 홀더를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서가 상기 기판 홀더에 연결되는 재료처리 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 홀더는, 척, 정전기 척(ESC), 차폐, 포커스 링, 배플 및 전극 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    상기 기판 홀더에 대한 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서; 및
    상기 기판 홀더에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    상기 기판 홀더상의 웨이퍼에 대한 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서; 및
    상기 웨이퍼에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서,
    링을 더욱 포함하여 구성되며, 그 링에 적어도 하나의 RF응답 처리 센서가 연결된 재료처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 링은, 포커스링, 차폐링, 증착링, 전극링 및 절연링 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  17. 제 15 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    상기 링에 대한 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서; 및
    상기 링에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  18. 제 1 항에 있어서,
    플레이트를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 플레이트에 적어도 하나의 RF응답 처리 센서가 연결된 재료처리 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    플레이트는, 배기 플레이트, 배플 플레이트, 전극 플레이트, 및 절연 플레이트 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    상기 플레이트에 대한 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서; 및
    상기 플레이트에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  21. 제 5 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 RF응답 트랜스미터 중 적어도 하나에 연결된 타이머를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  22. 제 5 항에 있어서,
    RF응답 트랜스미터는 응답신호를 전송하도록 구성된 안테나와, 상기 안테나에 연결된 트랜스미터를 포함하여 구성되며, 상기 트랜스미터는 처리 데이터로 응답신호를 변조 및/또는 암호화하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  23. 제 5 항에 있어서,
    RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 RF응답 트랜스미터 중 적어도 하나에 연결된 전원을 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서,
    전원은, 처리 관련 신호로부터 방출된 에너지를 DC 신호로 변환하도록 구성된 RF-DC 컨버터, 비처리 관련 신호를 DC 신호로 변환하도록 구성된 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 및 배터리 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    전원은 처리 센서로 DC 신호를 제공하는 재료처리 시스템.
  26. 제 24 항에 있어서,
    전원은 RF응답 트랜스미터에 DC 신호를 제공하는 재료처리 시스템.
  27. 제 5 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는, 처리 센서 및 RF응답 트랜스미터 중 적어도 하나에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러, 타이머, 디지털 신호 프로세서(DSP), 메모리, 리시버, A/D 컨버터 및 D/A 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  29. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    처리 데이터를 생성하기 위한 처리 센서와;
    처리 데이터를 전송하기 위하여 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터 및;
    상기 처리 센서와 RF응답 트랜스미터 중 적어도 하나에 연결된 리시버를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  30. 제 29 항에 있어서,
    RF응답 트랜스미터는 안테나 및 백스캐터(backscatter) 변조기를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  31. 제 29 항에 있어서,
    RF응답 트랜스미터는, 응답신호를 전송하도록 구성된 안테나와, 상기 안테나에 연결된 트랜스미터를 포함하여 구성되며, 상기 트랜스미터는 처리 데이터로 응답신호를 변조 및/또는 암호화하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  32. 제 31 항에 있어서,
    RF응답 트랜스미터는, RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 및 배터리 중 적어도 하나를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  33. 제 29 항에 있어서,
    RF응답 트랜스미터는 적어도 하나의 전원을 더욱 포함하여 구성되며, 전원은 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 및 배터리 중 적어도 하나를 사용하여 DC 신호를 생성하는 재료처리 시스템.
  34. 제 29 항에 있어서,
    리시버는 안테나 및 프로세서를 포함하여 구성되며, 상기 안테나는 입력신호를 수신하도록 구성되고, 상기 프로세서는 운용데이터를 생성하기 위하여 입력신호를 이용하고, 상기 운용데이터를 RF응답 트랜스미터, 리시버 및 처리 센서 중 적어도 하나를 제어하기 위하여 사용하도록 구성된 재료처리 시스템.
  35. 제 34 항에 있어서,
    리시버는 처리 관련 신호로부터 방출된 에너지를 DC 신호로 변환하도록 구성된 RF-DC 컨버터, 비처리 관련 신호를 DC 신호로 변환하도록 구성된 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 및 배터리 중 적어도 하나를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  36. 제 29 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는, 리시버, 처리 센서 및 RF응답 트랜스미터 중 적어도 하나에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  37. 제 36 항에 있어서,
    컨트롤러는 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러, 타이머, 디지털 신호 프로세서(DSP), 메모리, A/D 컨버터 및 D/A 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  38. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는:
    처리 데이터를 생성하기 위한 처리 센서;
    처리 데이터를 전송하기 위하여 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜시버를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  39. 제 38 항에 있어서,
    RF응답 트랜시버는 응답신호를 전송하도록 구성된 안테나와, 상기 안테나에 연결되고 처리 데이터로 응답신호를 변조 및/또는 암호화하도록 구성되는 트랜스미터와, 제 2 안테나와, 리시버와, 프로세서를 포함하여 구성되며, 상기 제 2 안테나는 입력신호를 수신하도록 구성되며, 상기 리시버는 운용데이터를 생성하도록 입력신호를 사용하도록 구성되며, 상기 프로세서는 RF응답 트랜시버를 제어하도록 그 운용데이터를 사용하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  40. 제 38 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 RF응답 트랜시버 중 적어도 하나에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  41. 제 40 항에 있어서,
    컨트롤러는 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러, 타이머, 디지털 신호 프로세서(DSP), 타이머, 메모리, A/D 컨버터 및 D/A 컨버터 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  42. 제 38 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 RF응답 트랜시버 중 적어도 하나에 연결된 전원을 더욱 포함하여 구성되며, 전원은 RF-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 및 배터리 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템.
  43. 제 1 항에 있어서,
    SIA는:
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 포함하는 응답신호를 수신하도록 구성된 리시버; 및
    입력신호를 적어도 하나의 RF응답 처리 센서로 전송하도록 구성된 트랜스미터를 포함하여 구성되며, 상기 입력신호는 적어도 하나의 RF응답 처리 센서로 하여금 응답신호를 리시버로 보내도록 하는 재료처리 시스템.
  44. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하도록 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 목표 전기성능 데이터와 비교하고, 그 비교결과를 처리를 변경시키도록 사용하는 재료처리 시스템.
  45. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하도록 구성되며, 컨트롤러는 처리 데이터를 시간 경과적 처리 데이터와 비교하고, 그 비교결과를 오류를 예측하도록 사용하는 재료처리 시스템.
  46. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하도록 구성되며, 컨트롤러는 처리 데이터를 시간경과적 처리 데이터와 비교하고, 그 비교결과를 오류를 선언하도록 사용하는 재료처리 시스템.
  47. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 SIA로 지시데이터를 제공하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  48. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하고 처리수단을 제어하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  49. 제 1 항에 있어서,
    RF 시스템을 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서가 적어도 하나의 RF 시스템의 구성요소에 연결된 재료처리 시스템.
  50. 제 1 항에 있어서,
    가스공급 시스템을 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서가 적어도 하나의 가스공급 시스템의 구성요소에 연결된 재료처리 시스템.
  51. 제 1 항에 있어서,
    반송시스템을 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서가 적어도 하나의 반송시스템의 구성요소에 연결된 재료처리 시스템.
  52. 제 1 항에 있어서,
    배기시스템을 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서가 적어도 하나의 배기시스템의 구성요소에 연결된 재료처리 시스템.
  53. 제 1 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하고 언제 처리수단에 대한 보수유지를 수행해야 하는 지를 결정하기 위하여 그 분석결과를 사용하도록 구성되는 재료처리 시스템.
  54. 재료처리 시스템내의 구성요소에 대한 처리 데이터를 생성하기 위한 처리 센서 및;
    구성요소에 대한 처리 데이터를 전송하기 위하여 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터 포함하여 구성된 RF응답 처리 센서.
  55. 제 54 항에 있어서,
    구성요소는 에칭시스템의 일부인 RF응답 처리 센서.
  56. 제 54 항에 있어서,
    구성요소는 증착시스템의 일부인 RF응답 처리 센서.
  57. 제 54 항에 있어서,
    구성요소는 세정시스템의 일부인 RF응답 처리 센서.
  58. 제 54 항에 있어서,
    구성요소는 반송시스템의 일부인 RF응답 처리 센서.
  59. 플라즈마 챔버를 포함하는 처리수단와;
    상기 플라즈마 챔버에 연결되며, 처리 데이터를 생성 및 전송하도록 상기 처리수단에 연결된 다수개의 RF응답 처리 센서; 및,
    다수개의 RF응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 수신하도록 구성된 센서 인터페이스 어셈블리(Sensor Interface Assembly:SIA)를 포함하여 구성되는 플라즈마 처리시스템.
  60. 제 59 항에 있어서,
    SIA에 연결된 컨트롤러를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 컨트롤러는 처리 데이터를 분석하고, 플라즈마 처리시스템을 제어하도록 구성된 플라즈마처리 시스템.
  61. 처리수단을 포함하여 구성되며, 처리수단은 적어도 하나의 처리 챔버를 포함하는 재료처리 시스템의 감시방법으로서:
    처리수단에 연결되고, 처리 데이터를 생성 및 전송하도록 구성되는 RF응답 처리 센서를 마련하는 단계와;
    RF-응답 처리 센서로부터의 처리 데이터를 수신하도록 구성되는 센서 인터페이프 어셈블리(SIA)를 마련하는 단계를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  62. 제 61 항에 있어서,
    처리 데이터를 생성하는 단계와;
    처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 운용데이터를 포함하여 구성되는 입력신호를 수신하고, 응답신호를 사용한 처리 데이터를 전송하도록 상기 운용데이터를 사용하는 재료처리 시스템의 감시방법.
  63. 제 61 항에 있어서,
    처리 데이터를 생성하는 단계와;
    처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 처리 데이터는 온도 데이터, 압력 데이터, 플로우 데이터 및 처리 화학 데이터 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  64. 제 61 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서를 챔버 구성요소에 연결하는 단계와;
    상기 챔버 구성요소에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 챔버 구성요소에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  65. 제 61 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서를 상부 어셈블리의 구성요소에 연결하는 단계와;
    상기 상부 어셈블리의 구성요소에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 상부 어셈블리의 구성요소에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  66. 제 61 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서를 기판 홀더에 연결하는 단계와;
    상기 기판 홀더에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 기판 홀더에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  67. 제 61 항에 있어서,
    적어도 하나의 RF응답 처리 센서를 웨이퍼에 연결하는 단계와;
    상기 웨이퍼에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 웨이퍼에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  68. 제 61 항에 있어서,
    RF응답 처리 센서를, 반송 시스템 구성요소, RF 시스템 구성요소, 가스 공급시스템 구성요소 및 배기 시스템 구성요소 중 적어도 하나에 연결하는 단계와;
    상기 구성요소에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 구성요소에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  69. 제 61 항에 있어서,
    RF응답 처리 센서를 링에 연결하는 단계와;
    상기 링에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 링에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  70. 제 69 항에 있어서,
    링은, 포커스링, 차폐링, 증착링, 전극링 및 절연링 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  71. 제 61 항에 있어서,
    RF응답 처리 센서를 플레이트에 연결하는 단계와;
    상기 플레이트에 대한 처리 데이터를 생성하는 단계 및;
    상기 플레이트에 대한 처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, 적어도 하나의 RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  72. 제 71 항에 있어서,
    플레이트는, 배플 플레이트, 배기 플레이트, 전극 플레이트 및 주입 플레이트 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  73. 제 61 항에 있어서,
    적어도 하나의 전원을 RF응답 처리 센서에 연결하며, RF응답 처리 센서는 처리 센서 및 상기 처리 센서에 연결된 RF응답 트랜스미터를 포함하여 구성되는 단계와;
    DC 신호를 생성하는 단계 및;
    DC 신호를, RF응답 트랜스미터 및 처리 센서 중 적어도 하나에 제공하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  74. 제 73 항에 있어서,
    배터리, 필터, RF-DC 컨버터 및 DC-DC 컨버터 중 적어도 하나를 사용하여 DC 신호를 생성하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  75. 제 61 항에 있어서,
    트랜스미터를 포함하여 구성되는 SIA를 사용하여 운용데이터를 포함하여 구성되는 입력신호를 전송하는 단계와,
    처리 데이터를 수신하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, SIA는 적어도 하나의 RF응답 처리 센서로부터의 응답신호를 수신하도록 구성된 리시버를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  76. 제 75 항에 있어서,
    처리 데이터를 생성하는 단계; 및,
    처리 데이터를 전송하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 입력신호를 수신하고, 응답신호를 사용하여 처리 데이터를 전송하도록 운용데이터를 사용하는 재료처리 시스템의 감시방법.
  77. 제 61 항에 있어서,
    트랜스미터를 포함하여 구성되는 SIA를 사용하여 운용데이터를 포함하여 구성되는 입력신호를 전송하는 단계와,
    입력신호를 수신하는 단계와, RF응답 처리 센서는 입력신호를 수신하고 그 입력신호로부터 운용데이터를 얻도록 구성되는 리시버를 포함하여 구성되며;
    처리 데이터를 생성하는 단계와, RF응답 처리 센서는 처리 데이터를 생성하도록 구성된 처리 센서를 포함하여 구성되며;
    처리 데이터를 전송하는 단계와, RF응답 처리 센서는 응답신호를 사용하여 처리 데이터를 전송하도록 구성된 트랜스미터를 포함하여 구성되며;
    처리 데이터를 수신하는 단계와, SIA는 적어도 하나의 RF응답 처리 센서로부터의 응답신호를 수신하도록 구성된 리시버를 포함하는 재료처리 시스템의 감시방법.
  78. 제 77 항에 있어서,
    플라즈마가 생성되지 않을 때 SIA를 사용하여 입력신호를 전송하는 단계; 및
    플라즈마가 생성되지 않을 때 입력신호를 수신하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  79. 제 77 항에 있어서,
    처리가 수행될 때, 처리 데이터를 생성하는 단계와;
    플라즈마가 생성되지 않을 때 RF응답 처리 센서를 사용하여 응답신호를 전송하는 단계; 및
    플라즈마가 생성되지 않을 때 응답신호를 수신하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  80. 제 77 항에 있어서,
    처리 데이터를 저장하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 처리 데이터를 저장하도록 구성된 메모리를 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  81. 제 77 항에 있어서,
    DC 신호를 제공하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 DC 신호를 생성하고 그 신호를 RF응답 처리 센서 리시버 및 RF응답 처리 센서 트랜스미터 중 적어도 하나로 제공하도록 구성되는 전원을 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  82. 제 81 항에 있어서,
    DC 신호를 제공하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 적어도 하나의 플라즈마 관련 주파수를 DC 신호로 변환함으로써 DC 신호를 생성하도록 구성된 전원을 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  83. 제 81 항에 있어서,
    DC 신호를 제공하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 적어도 하나의 비플라즈마 관련 주파수를 DC 신호로 변환함으로써 DC 신호를 생성하도록 구성된 전원을 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
  84. 제 81 항에 있어서,
    DC 신호를 제공하는 단계를 더욱 포함하여 구성되며, RF응답 처리 센서는 입력신호의 일부를 DC 신호로 변환함으로써 DC 신호를 생성하도록 구성된 전원을 포함하여 구성되는 재료처리 시스템의 감시방법.
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050224899A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
JP3916549B2 (ja) * 2002-10-31 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 プロセスモニタ及び半導体製造装置
US6985787B2 (en) * 2002-12-31 2006-01-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring parts in a material processing system
TWI386578B (zh) * 2003-01-17 2013-02-21 Applied Materials Inc 避免一質量流量控制器涉及一質量流量控制器陣列中之干擾的方法
US7358966B2 (en) * 2003-04-30 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Selective update of micro-electromechanical device
US20050120805A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 John Lane Method and apparatus for substrate temperature control
US7437944B2 (en) * 2003-12-04 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for pressure and mix ratio control
US20060025957A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Battelle Memorial Institute Quality assurance system and method
US8486845B2 (en) * 2005-03-21 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7314835B2 (en) * 2005-03-21 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7535688B2 (en) * 2005-03-25 2009-05-19 Tokyo Electron Limited Method for electrically discharging substrate, substrate processing apparatus and program
US20060234398A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 International Business Machines Corporation Single ic-chip design on wafer with an embedded sensor utilizing rf capabilities to enable real-time data transmission
US7893697B2 (en) * 2006-02-21 2011-02-22 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
GB2450261A (en) 2006-02-21 2008-12-17 Cyberoptics Semiconductor Inc Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
US8026113B2 (en) * 2006-03-24 2011-09-27 Tokyo Electron Limited Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network
WO2008042199A2 (en) 2006-09-29 2008-04-10 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Particles sensor integrated with substrate
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8074677B2 (en) 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
TW200849444A (en) * 2007-04-05 2008-12-16 Cyberoptics Semiconductor Inc Semiconductor processing system with integrated showerhead distance measuring device
US7907260B2 (en) * 2007-06-29 2011-03-15 Lam Research Corporation Collimator arrangements including multiple collimators and implementation methods thereof
US20090015268A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Gardner Delrae H Device and method for compensating a capacitive sensor measurement for variations caused by environmental conditions in a semiconductor processing environment
US7888949B2 (en) * 2008-03-21 2011-02-15 Electro Scientific Industries, Inc. Electrical tester setup and calibration device
US7939456B2 (en) * 2009-09-25 2011-05-10 Lambda Technologies, Inc. Method and apparatus for uniform microwave treatment of semiconductor wafers
JP2015228797A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 国立大学法人金沢大学 幹細胞の製造方法
JP6415889B2 (ja) * 2014-08-01 2018-10-31 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御装置用プログラム、及び、流量制御方法
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
CN108369922B (zh) 2016-01-26 2023-03-21 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10504738B2 (en) * 2017-05-31 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Focus ring for plasma etcher
CN110998820B (zh) 2017-08-17 2023-10-20 东京毅力科创株式会社 用于实时感测工业制造设备中的属性的装置和方法
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
IT201800002486A1 (it) * 2018-02-08 2019-08-08 Gd Spa Macchina automatica per la lavorazione di prodotti e corrispondente metodo di controllo
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
WO2019245729A1 (en) 2018-06-18 2019-12-26 Tokyo Electron Limited Reduced interference, real-time sensing of properties in manufacturing equipment
US11861446B2 (en) * 2018-07-24 2024-01-02 Illinois Tool Works Inc. Method and apparatus for using encoded information for material preparation and analysis equipment
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
CN112017931B (zh) * 2019-05-30 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 应用于等离子体系统的方法及相关等离子体系统
IT201900019852A1 (it) * 2019-10-28 2021-04-28 Gd Spa Metodo di assistenza per l’esecuzione di un cambio formato in una macchina automatica per la produzione o l’impacchettamento di prodotti da fumo, igienici, alimentari, oppure farmaceutici e corrispondente macchina automatica
US20210280399A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-09 Applied Materials, Inc. Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0676193A (ja) * 1992-06-10 1994-03-18 Seiko Epson Corp 真空チャンバー内の情報計測方法およびその装置
CN2335132Y (zh) * 1997-05-14 1999-08-25 姜虹 电磁型液态金属液位检控装置
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
CN2366839Y (zh) * 1999-02-04 2000-03-01 浙江大学工业自动化工程研究中心 蒸球温度自动连续测量装置
US6617963B1 (en) * 1999-02-26 2003-09-09 Sri International Event-recording devices with identification codes
US6455437B1 (en) * 1999-04-07 2002-09-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for monitoring the process state of a semiconductor device fabrication process
US6691068B1 (en) * 2000-08-22 2004-02-10 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US6668618B2 (en) * 2001-04-23 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Systems and methods of monitoring thin film deposition
JP2002346463A (ja) 2001-05-24 2002-12-03 Toppan Printing Co Ltd 単板塗布装置
US6936842B2 (en) * 2001-06-27 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for process monitoring
US7352814B2 (en) * 2001-10-26 2008-04-01 Nxp B.V. Video artifact identification and counting
US6727655B2 (en) * 2001-10-26 2004-04-27 Mcchesney Jon Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber
TW595128B (en) * 2002-04-09 2004-06-21 Mstar Semiconductor Inc Radio frequency data communication device in CMOS process
US6830650B2 (en) * 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US6773931B2 (en) * 2002-07-29 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic targeting for a process control system

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