KR20050086231A - 평판 표시 소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터형성된 전자 방출원 - Google Patents

평판 표시 소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터형성된 전자 방출원 Download PDF

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Abstract

본 발명은 평판 표시 소자의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물 및 이로부터 형성된 전자 방출원에 관한 것으로서, 카본나노튜브(CNT); 글래스 프릿(glass frit); 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함하는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 저온 및 환원 분위기에서 소성 가능한 바인더 수지를 포함하여 카본나노튜브의 열화 문제를 해결함으로써 이로부터 형성된 전자 방출원은 카본나노튜브의 전류 밀도를 증가시킬 수 있어 전자 방출 효율이 매우 우수하다.

Description

평판 표시 소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전자 방출원{A COMPOSITION FOR FORMING A ELECTRON EMITTER OF FLAT PANEL DISPLAY AND ELECTRON EMITTER PREPARED THEREFROM}
[산업상 이용 분야]
본 발명은 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물 및 이로부터 형성된 전자 방출원에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 저온 및 환원 분위기 소성이 가능한 바인더 고분자를 포함하여 카본나노튜브(CNT)의 전류 밀도를 증가시켜 전자방출표시장치의 전자방출 문제점을 해결할 수 있는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 전자 방출원에 관한 것이다.
[종래 기술]
평면 표시 소자 중, 초기에 제안된 전계 방출 표시 소자(FED: Field Emission Display)와 같은 전자방출표시장치의 전자 방출원으로서 몰리브덴이나 실리콘 등의 물질을 적층시켜 선단을 뾰족하게 구성한 스핀트(spindt) 타입을 사용하였으나, 상기 스핀트 타입의 전자 방출원은 초미세 구조로서 제조 방법이 복잡하고, 고정밀도의 제조 기술이 요구되어 전계 방출 표시 소자를 대면적화하여 제작하는 데 한계가 있다.
따라서, 최근에는 낮은 일함수(work function)을 갖는 탄소계 물질을 전자 방출원으로 적용하는 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 상기 탄소계 물질 가운데 특히 높은 종횡비를 갖는 카본 나노 튜브(CNT: Carbon Nano Tube)는 끝단의 곡률 반경이 100Å 정도로 극히 미세하여 1 내지 3V/㎛의 외부 전압에 의해서도 전자 방출을 원활하게 일으켜 이상적인 전자 방출원으로 기대되고 있다.
일반적으로 상기 카본 나노 튜브와 같은 카본계 물질은 용매 및 수지 등과 함께 페이스트 형태로 구비되어, 기판 사이에 스크린 인쇄된 후 열처리 과정을 거쳐 전자 방출원으로 형성되어 전극을 제조한다. 이러한 카본 나노 튜브는 낮은 일함수 특성에 의해 저전압 구동이 가능하고, 제조가 용이하여 대면적 디스플레이 구현에 보다 유리한 장점을 갖는다.
일반적으로, 카본 나노 튜브를 전자 방출원으로 구비한 전계 방출 표시 장치는 전자방출을 용이하게 조절하기 위하여 삼극관(triode) 구조로 제작되며, 이때 카본 나노튜브 전자 방출원은 진공 증착을 이용한 박막 공정이나 페이스트를 인쇄하는 후막 공정에 의해 형성된다. 상기 후막에 의한 방법은 카본 나노 튜브를 주성분으로 하는 페이스트를 제작하여, 이를 캐소드 전극에 인쇄하여 전자 방출원을 형성하는 방법으로, 박막 공정에 비하여 제조 설비가 단순하여 공정이 간단하므로 대량 생산에 유리하다는 장점이 있다.
상기 카본 나노 튜브 전자 방출원은 카본 나노 튜브 분말, 바인더 및 용매를 포함하는 페이스트 조성물을 제조하고, 이 페이스트를 전극 위에 스크린 인쇄하여 형성한 후 공기 분위기 하에서 400℃ 이상의 고온에서 소성하여 제조된다.
그러나, 카본나노튜브(CNT)를 이용한 전계방출표시장치(FED)에서는 캐소드 인쇄가 매우 문제가 되고 있다. 즉, FED와 램프 등에서 음극원으로 사용되고 있는 카본나노튜브(CNT)의 경우 기판에 위치시키기 위하여 주로 인쇄법을 이용하는데, 인쇄 후 소성 과정에서 공기나 산소와 같은 산소 분위기에서는 CNT의 열화가 심각한 문제가 되고 있다. 따라서, 현재에는 질소와 같은 환원 분위기에서 소성을 하는데 바인더의 분해가 제대로 이루어지지 않아 CNT로부터 발생하는 전류 밀도가 만족할 만한 수준에 이르고 있지 못한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 저온 및 환원 분위기 소성을 통하여 카본나노튜브(CNT)의 전류 밀도를 향상시켜 전자방출표시장치의 전자방출 특성을 증가시킬 수 있는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전자 방출원 형성용 조성물로 제조되는 전자 방출 특성이 우수한 전자 방출원을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전자 방출원 형성용 조성물로 제조되는 전자 방출원을 포함하는 평판 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 카본나노튜브(CNT); 글래스 프릿; 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함하는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 카본나노튜브(CNT); 글래스 프릿(glass frit); 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 기판 위에 인쇄하고, 불활성 또는 환원 분위기 하에서 소성하는 단계를 포함하는 전자 방출원의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄 코팅하여 형성된 전자 방출원을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄 코팅하여 형성된 전자 방출원을 포함하는 평판표시소자를 제공한다. 상기 평판표시소자는 전자방출표시소자인 것이 바람직하며며, 이중에서 전계방출표시장치인 것이 더욱 바람직하다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 전자 방출 표시 장치의 전자 방출원으로 사용되는 카본나노튜브 페이스트 조성물에 저온 및 환원분위기에서 소성 가능한 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지를 포함하여, 인쇄 후 소성과정에서 카본나노튜브의 열화를 방지함으로써 카본나노튜브로부터 발생하는 전류밀도를 증가시켜 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있는 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전자 방출원을 제공한다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물은 카본나노튜브(CNT); 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함한다.
이때, 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물의 성분으로 사용되는 바인더 수지, 및 용매는 조성물의 인쇄가 용이하도록 도와주는 물질로 비이클(vehicle) 성분이라고 한다. 이러한 비이클은 조성물을 인쇄한 후, 소정 공정을 실시하면 완전 제거된다. 본 발명의 전자 방출원 조성물에서 비이클의 양은 주된 성분인 카본 나노 튜브와 글래스 프릿의 사용량에 따라 적절히 조절하면 된다.
상기 카본나노튜브의 함량은 1 내지 10 중량부로 포함하는 것이 바람직하며, 상기에서 카본나노튜브의 함량이 1 중량부 미만이면 전류방출 특성과 수명이 저하되고, 10 중량부보다 많으면 인쇄특성이 나빠진다.
상기 글래스 프릿은 카본 나노 튜브를 기판에 고정할 접착제 역할을 한다. 상기 글래스 프릿의 함량은 특별히 한정되지는 않으나, 바람직하게 카본나노튜브 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 바인더 수지는 상기한 바와 같이, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌옥사이드를 사용한다. 상기 바인더 수지는 종래 사용되는 에틸셀룰로오스, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타아크릴레이트 등에 비해 보다 낮은 온도 및 환원분위기에서 소성이 가능할 뿐 아니라, 소성과정에서 바인더의 분해가 잘 이루어져 카본나노튜브의 열화를 방지함으로써, 카본나노튜브의 전류밀도를 크게 향상시킬 수 있다.
상기 폴리에틸렌옥사이드는 분자량 1,000,000 내지 8,000,000의 범위를 갖는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2,000,000 내지 6,000,000 범위의 분자량을 가진다. 이때 폴리에틸렌옥사이드의 분자량이 1,000,000 미만이거나 8,000,000을 초과하면 잔류탄소에 의한 전류밀도 감소 문제가 있다.
상기 폴리프로필렌카보네이트는 분자량 10,000 내지 1,000,000의 범위를 갖는 것이 바람직하며, 이때 분자량이 10,000 미만이거나 1,000,000을 초과하면 잔류탄소에 의한 전류밀도 감소 문제가 있다.
상기 바인더 수지의 함량은 0.5 내지 20 중량부인 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 0.5 중량부 미만일 경우 점도가 낮아 스크린 인쇄기를 통한 균일한 전자방출원 형성이 어려우며, 20 중량부를 초과할 경우 점도가 높아 비이클의 인쇄 특성이 저하되게 된다.
상기 용매로는 부틸 셀루솔브(BC; Butyl Cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA; butyl carbitol acetate), 및 테르피네올(TP; terpineol) 등의 유기 용매가 사용 가능하다.
상기 용매의 함량은 10 내지 80 중량부인 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 10 중량부 미만일 경우 점도가 상승되어 인쇄 특성이 저하되며, 80 중량부를 초과할 경우 분산의 안정성 저하가 발생될 수 있다.
또한 본 발명의 조성물은 필요에 따라 분산제, 소포제, 가소제, 산화방지제, 평활제 등의 첨가제를 더욱 첨가할 수 있으며, 이들은 모두 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 상업적으로 입수할 수 있을 정도로 공지되어 있다. 상기 첨가제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량부정도가 되도록 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 조성물은 필요에 따라 감광성 성분을 추가로 더욱 포함하여 감광성 페이스트 조성물일 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 통상의 종래 사용되는 아크릴레이트와 비닐계 같은 비감광성 폴리머를 더욱 포함할 수도 있다.
상기 감광성 성분으로는 통상의 감광성 모노머, 광개시제, 폴리에스테르 아크릴레이트계와 같은 감광성 수지 등을 사용할 수 있으며, 이들은 모두 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 상업적으로 입수할 수 있을 정도로 공지되어 있다.
바람직한 일례로, 상기 감광성 모노머는 광경화성 모노머로서 패턴의 분해 향상제로 첨가되며, 다관능성 아크릴레이트계 모노머, 벤조페논계 모노머, 아세트페논계 모노머, 또는 티오키산톤계 모노머 등이 있으며, 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 2,4-디에틸옥산톤(2,4-diethyloxanthone), 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논을 사용할 수 있다. 상기 감광성 모노머의 함량은 특별히 한정되지는 않으나, 바람직하게는 전체 조성물에 대하여 1 내지 70 중량부로 사용될 수 있다.
상기 광개시제의 종류는 통상 사용되는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 트리아진 트리할로 메틸(triazine trihalo methyl) 화합물, 벤조페논계 화합물, 아민계 화합물 등을 사용할 수 있다. 상기 광개시제로는 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질, 벤질디메틸케탄올, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미니벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미히라케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)-벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)-이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐-비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠말린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오-테트라졸, 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오-테트라졸 등이 있다. 상기 광개시제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물의 제조방법은, 용매에 바인더 수지를 녹인 용액에 카본나노튜브와 글래스 프릿을 넣어 혼합함으로써 제조된다.
이러한 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 5,000 내지 100,000 cps의 점도를 가지는 페이스트 상태의 조성물이다.
또한, 본 발명의 전자 방출원의 형성 방법은 페이스트 상태의 상기 조성의 전자 방출원 형성용 조성물을 금속, 반도체, 절연체 등의 기판에 인쇄하여 후막을 형성하고, 바인더 고분자 및 기타 유기물을 완전히 제거하는 소성단계로 전자 방출 특성이 우수한 평판 표시 소자의 전자 방출원을 제조한다.
상기 소성 공정은 진공 또는 가스 분위기에서 실시할 수 있으며, 상기 가스 분위기는 N2 가스나 불활성 가스(아르곤 등)의 환원분위기에서 실시할 수 있다.
바람직하게, 상기 소성공정은 환원분위기 하에 300 내지 600 ℃, 보다 바람직하게는 380 내지 550 ℃의 저온에서 30 내지 60분 동안 실시하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 소성 온도가 너무 낮거나 시간이 짧은 경우에는 패턴의 형광막에 바인더 고분자의 제거가 어려우며, 소성 온도가 너무 높거나 소성 시간이 긴 경우는 형광체의 열화가 발생될 우려가 크다.
또한, 본 발명의 조성물이 감광성 성분이 포함된 감광성 페이스트 조성물인 경우에는, 인쇄, 노광, 현상 및 소성 공정을 거쳐 전자 방출원을 제조할 수 있다. 바람직한 일례로는 상기 인쇄 공정 후에는 평행광 노광기로 노광하고(노광 에너지: 10 내지 20000 mJ/㎠), 아세톤이나 알칼리 용액을 이용한 스프레이 방법으로 현상한다. 소성 조건은 소성로에서 300 내지 600 ℃, 보다 바람직하게는 380 내지 550 ℃에서 실시할 있으며, 소성 후에는 CNT 막을 표면처리하여 전자 방출원을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 소성시에도 분해가 용이하여 카본나노튜브의 열화를 방지할 수 있는 폴리에틸렌옥사이드를 바인도 고분자로 포함하는 페이스트 조성물을 이용하여, 카본나노튜브의 전류밀도 향상으로 전자 방출 특성이 우수한 전자 방출원을 포함하는 평판 표시 소자를 제공할 수 있다. 상기 평판 표시 소자는 전계 방출 표시 장치인 것이 바람직하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확히 표현하기 위한 목적으로 기재될 뿐 본 발명의 내용은 하기 실시예에 한정되지 않는다.
(실시예 1)
카본나노튜브(CNT) 6.0 g, 글래스 프릿(glass frit) 30.0 g, 바인더 고분자로 폴리에틸렌옥사이드 3.2 g, 용매로서 부틸 카비톨 아세테이트 156.8 g, 및 첨가제로 분산제 4.0g을 혼합한 후 교반하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
상기 페이스트 조성물을 유리기판에 인쇄기로 스크린 프린팅(Screen Printing)한 후 90 ℃에서 10분간 열처리하여 후막 패턴을 형성하였다. 이후, 패턴이 형성된 유리기판을 하기 표 1과 같은 조건으로 소성한 후, 소성된 CNT 막은 표면처리하여 전자 방출원을 얻었다. 소성 후 고분자의 분해거동을 알아보기 위하여 열중량분석(TGA)을 실시하였다. 분석 조건은 25 ℃부터 600 ℃까지 분당 30 ℃씩 열을 가해가며 질소분위기 하에서 고분자의 분해 거동을 측정하였고 그 결과는 표 1에 나타내었다.
(실시예 2)
바인더 수지로 폴리에틸렌옥사이드 대신 폴리프로필렌카보네이트를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 방출원을 제조하고, 소성후의 고분자의 분해거동을 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.
(비교예 1 및 2)
바인더 수지로 폴리에틸렌옥사이드 대신 각각 에틸 셀룰로오스와 폴리(메틸메타 아크릴레이트)를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 방출원을 제조하고, 소성후의 고분자의 분해거동을 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.
이때, 상기 실시예 1과 비교예 1 내지 3의 바인더 수지에 대한 열분해 거동 특성은 각각 도 1 내지 4에 나타내었다.
분위기 1단계 2단계 최종 잔류 카본양(at 600℃)
분해점 무게감량 분해점 무게감량
실시예 1(PEO) 질소(N2) 289∼424℃ 99.52% - - 0.23%
실시예 2(PPC) 질소(N2) 89∼341℃ 99.28% - - 0.70%
비교예 1(EC) 질소(N2) 268∼389℃ 92.68% - - 6.84%
비교예 2(PMMA) 질소(N2) 136∼306℃ 32.52% 306∼448℃ 65.42% 1.67%
상기 표 1과 도 1 내지 4의 결과에서 나타나듯이, 본 발명의 실시에 1의 폴리에틸렌옥사이드의 최종 잔류 카본량은 0.23%로 가장 적고, 실시예 2의 폴리프로필렌 카보네이트 경우도 카본량이 0.70%로 적으며, 육안으로도 잔류 탄소의 양에 의한 분체의 색을 구별할 수 있었다.
(실험예)
본 발명의 실시예 1에 의해 형성된 전자 방출원 및 종래 비교예 1의 전자 방출원에 대하여 전류밀도를 측정하였고, 실시예 1 및 비교예 1의 전자 방출 특성결과를 도 5에 나타내었다.
도 5에서 보면, 본 발명의 경우 종래 비교예 1과 비교하여 I-V 특성이 크게 향상되었음을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물은 저온 및 환원 분위기 소성이 가능한 바인더 수지를 포함하여 전자방출표시장치, 특히 전계방출표시장치(FED)의 전류 밀도를 크게 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예로서 폴리에틸렌옥사이드를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 소성 후 고분자의 분해거동을 측정한 열중량분석(TGA) 결과를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예로서 폴리프로필렌카보네이트를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 소성 후 고분자의 분해거동을 측정한 열중량분석(TGA) 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 종래 비교예 1로서 에틸셀룰로오스를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 소성 후 고분자의 분해거동을 측정한 열중량분석(TGA) 결과를 나타낸 것이다.
도 4는 종래 비교예 2로서 폴리메틸메타아크릴레이트를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 소성 후 고분자의 분해거동을 측정한 열중량분석(TGA) 결과를 나타낸 것이다.
도 5는 종래 비교예 1 및 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 전자 방출원의 전자방출 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.

Claims (18)

  1. 카본나노튜브(CNT); 글래스 프릿(glass frit); 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함하는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 카본나노튜브 1 내지 10 중량부; 상기 카본나노튜브 100 중량부에 대하여 글래스 프릿(glass frit) 0.1 내지 20 중량부; 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지 0.5 내지 10 중량부; 및 용매 10 내지 80 중량부를 포함하는 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 폴리에틸렌옥사이드의 평균분자량이 1,000,000 내지 8,000,000인 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 폴리프로필렌카보네이트의 평균분자량이 10,000 내지 1,000,000인 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 용매는 부틸 셀로솔브(BC; Butyl Cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA), 및 테르피네올(TP)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 페이스트 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 분산제, 가소제, 산화방지제, 평활제, 및 결착제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 더욱 포함하는 페이스트 조성물.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 감광성 모노머, 광개시제, 및 감광성 수지로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 감광성 성분; 또는 비감광성 폴리머를 더욱 포함하는 페이스트 조성물.
  8. 카본나노튜브(CNT); 글래스 프릿(glass frit); 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지; 및 용매를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 기판 위에 인쇄하고, 불활성 또는 환원 분위기 하에서 소성하는 단계를 포함하는 전자 방출원의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 조성물은 카본나노튜브 1 내지 10 중량부; 상기 카본나노튜브 100 중량부에 대하여 글래스 프릿(glass frit) 0.1 내지 20 중량부; 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌카보네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 바인더 수지 0.5 내지 10 중량부; 및 용매 10 내지 80 중량부를 포함하는 전자 방출원의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 폴리에틸렌옥사이드의 평균분자량이 1,000,000 내지 8,000,000인 전자 방출원의 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 폴리프로필렌카보네이트의 평균분자량이 10,000 내지 1,000,000인 전자 방출원의 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 용매는 부틸 셀로솔브(BC; Butyl Cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA), 및 테르피네올(TP)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 전자 방출원의 제조방법.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 조성물은 분산제, 가소제, 산화방지제, 평활제, 및 결착제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 더욱 포함하는 전자 방출원의 제조방법.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 조성물은 감광성 모노머, 광개시제, 및 감광성 수지로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 감광성 성분; 또는 비감광성 폴리머를 더욱 포함하는 전자 방출원의 제조방법.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 소성은 300 내지 600 ℃의 온도에서 실시되는 전자 방출원의 제조방법.
  16. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄 코팅하여 형성된 전자 방출원.
  17. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄 코팅하여 형성된 전자 방출원을 포함하는 평판표시소자.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 소자는 전자 방출 표시 장치인 평판표시소자.
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