KR20050085502A - Susceptor system - Google Patents
Susceptor system Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050085502A KR20050085502A KR1020057010511A KR20057010511A KR20050085502A KR 20050085502 A KR20050085502 A KR 20050085502A KR 1020057010511 A KR1020057010511 A KR 1020057010511A KR 20057010511 A KR20057010511 A KR 20057010511A KR 20050085502 A KR20050085502 A KR 20050085502A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- susceptor
- processing chamber
- elements
- slide
- hollow
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 기판 및/또는 웨이퍼 처리 장치용 서셉터 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to susceptor systems for substrates and / or wafer processing apparatus.
집적 회로를 생산하기 위해서는 기판 및/또는 웨이퍼를 처리하여야 한다. 이들 기판 및/또는 웨이퍼는 단일 재료(반도체 또는 절연 재료) 또는 몇 가지 재료(전도성, 반도체 및 절연 재료)로 제조될 수 있다. 실제에 있어서, "기판" 및 "웨이퍼"라는 용어는 종종 동일한 것, 즉 디스크 형태의 얇은 요소를 지칭한다. "기판"이라는 용어는 보통, 그 요소가 기본적으로, 반도체 재료층 또는 반도체 재료 구조를 지지하는 역할을 하는 경우에 사용되고, "웨이퍼"는 대체로 다른 모든 경우에 사용된다.In order to produce integrated circuits, substrates and / or wafers must be processed. These substrates and / or wafers may be made of a single material (semiconductor or insulating material) or several materials (conductive, semiconductor and insulating materials). In practice, the terms "substrate" and "wafer" often refer to the same thing, a thin element in the form of a disc. The term " substrate " is usually used where the element serves primarily to support the semiconductor material layer or semiconductor material structure, and " wafer " is generally used in all other cases.
가열을 수반하는 화학적/물리적 처리 및 순수한 열처리가 있다.There are chemical / physical treatments and pure heat treatments that involve heating.
일반적으로, 성장돤 재질이 마이크로일렉트로닉스 용례에 적합하려면, 기판 상에서 반도체 재료(Si, Ge, SiGe, GaAs, AlN, GaN, SiC,...)를 에피택셜(epitaxial)식으로 성장시키기 위해서 고온이 요구된다. 실리콘과 같은 반도체 재료에 대해서는, 통상 1000℃ 내지 1100℃의 온도가 이용된다. 실리콘 탄화물와 같은 반도체 재료의 경우에는 훨씬 더 높은 온도가 요구된다. 특히, 1500℃ 내지 2000℃의 온도가 이용된다.In general, in order for the grown material to be suitable for microelectronics applications, the high temperature is applied to epitaxially grow semiconductor materials (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlN, GaN, SiC, ...) on the substrate. Required. For semiconductor materials such as silicon, temperatures of 1000 ° C to 1100 ° C are usually used. Much higher temperatures are required for semiconductor materials such as silicon carbide. In particular, temperatures of 1500 ° C to 2000 ° C are used.
따라서, 실리콘 탄화물 또는 유사한 재료의 에피택셜 성장을 위한 반응기는 다른 무엇보다도, 반응 챔버 내에서 그 온도가 달성될 수 있도록 열을 발생시키는 시스템을 필요로 한다. 자연히, 효과적으로 그리고 효율적으로 열을 발생시키는 시스템이 바람직하게 된다. 이러한 이유 때문에, 고온벽이 있는 반응 챔버가 그 종류의 반응기에 사용된다.Thus, reactors for epitaxial growth of silicon carbide or similar materials require, among other things, a system that generates heat so that temperature can be achieved in the reaction chamber. Naturally, systems that generate heat efficiently and efficiently are desirable. For this reason, reaction chambers with hot walls are used in reactors of that kind.
반응 챔버의 벽을 가열하는 가장 적절한 방법 중 하나는 전자기 유도를 기초로 한 방법이다. 도전 재료로 이루어진 요소, 인덕터 및 교류 전류(통상 2 kHz 내지 20 kHz의 주파수를 갖고 있다)가 제공되는데, 그 교류 전류는 가변 자계를 발생시키도록 그 인덕터 내로 흐르게 되며, 그 요소는 그 가변 자계 내에 놓이는 방식으로 배치된다. 그 가변 자계로 인해 그 요소에 유도된 전류는 주울 효과에 의해 그 요소를 가열한다. 이러한 종류의 가열 요소는 서셉터라고 알려져 있으며, 적절한 재료를 사용하면 그 반응 챔버의 벽으로서 직접 사용할 수 있다.One of the most suitable methods of heating the walls of the reaction chamber is a method based on electromagnetic induction. An element made of a conductive material, an inductor, and an alternating current (usually having a frequency of 2 kHz to 20 kHz) are provided, the alternating current flowing into the inductor to generate a variable magnetic field, the element within the variable magnetic field. It is placed in a laid way. The current induced in the element due to its variable magnetic field heats the element by the joule effect. This kind of heating element is known as a susceptor and can be used directly as a wall of the reaction chamber with suitable materials.
실리콘 탄화물 또는 유사한 재료의 에피택셜 성장을 위한 반응기는, 특히 열 손실을 제한하기 위하여 그 반응 챔버를 외부 환경으로부터 열적으로 차단해야 하고, 한편으로는 외부 환경을 오염시키는 반응 가스가 유포되는 것을 방지하고, 다른 한편으로는 반응 환경을 오염시키는 가스가 외부 환경으로부터 유입되는 것을 방지하기 위하여 그 반응 챔버를 잘 밀봉해야 한다.Reactors for epitaxial growth of silicon carbide or similar materials must thermally shut off the reaction chamber from the external environment, in particular to limit heat losses, while preventing the diffusion of reactant gases that contaminate the external environment. On the other hand, the reaction chamber must be well sealed to prevent the gas from contaminating the reaction environment from entering the environment.
실리콘 탄화물의 성장을 위한 반응기에 사용하기에 적합한 몇몇 공지의 서셉터를 이하에서 간략하게 설명한다.Some known susceptors suitable for use in a reactor for the growth of silicon carbide are briefly described below.
미국 특허 번호 제5,879,462호는 종방향으로 연장되고 실질적으로 사각형 단면의 (반응 챔버로서 작용하는) 내부 공동이 있는 (원형 단면의) 원통형 서셉터를 개시하고 있다. 그 서셉터는 전체가 분체 형태의 실리콘 탄화물로 제조된다. 그 서셉터를 에워싸고 무선 주파수장을 방출하는 수단에 의해 가열이 이루어진다.U. S. Patent No. 5,879, 462 discloses a cylindrical susceptor (of circular cross section) with a longitudinally extending and internal cavity (acting as a reaction chamber) of substantially rectangular cross section. The susceptor is made entirely of silicon carbide in powder form. Heating takes place by means of enclosing the susceptor and emitting a radio frequency field.
미국 특허 번호 제5,674,320호는 종방향으로 연장되고, 동일하며, 실질적으로 사각형 단면의 (반응 챔버로서 작용하는) 2개의 내부 공동이 있는 (실질적으로 타원형 단면의) 원통형 서셉터를 개시하고 있다. 그 서셉터는 단일 부재로 형성될 수 있고, 또는 각각에 내부 공동이 있는 2개의 동일한 부재로 형성될 수 있다. 그 서셉터의 부재는 그라파이트로 제조되고 실리콘 탄화물층으로 코팅된다. 두 부재로 이루어진 서셉터에 있어서, 그 2개의 부재는 그라파이트 나사에 의해 기계식으로 함께 결합되고, 특히 실리콘 탄화물 층에 의해 전기적으로 서로 절연된다. 그 서셉터를 에워싸는 수단에 의한 전자기 유도에 의해 가열이 일어난다. 그 그라파이트에 유도된 전류는 각 공동 전체 둘레를 흐른다.U. S. Patent No. 5,674, 320 discloses a cylindrical susceptor (substantially elliptical in cross section) with two internal cavities extending in the longitudinal direction, identical, substantially rectangular in cross section (acting as a reaction chamber). The susceptor may be formed of a single member, or may be formed of two identical members, each having an internal cavity. The member of the susceptor is made of graphite and coated with a silicon carbide layer. In a two member susceptor, the two members are mechanically joined together by graphite screws, in particular electrically insulated from each other by a silicon carbide layer. Heating occurs by electromagnetic induction by means of enclosing the susceptor. The current induced in the graphite flows around each cavity.
미국 특허 번호 제5,695,567호는 종방향으로 연장되는 사각형 단면의 (반응 챔버로서 작용하는) 내부 공동이 있는 각기둥형(prismatic) 서셉터를 개시하고 있다. 이 서셉터는 4개의 부재로 구성되어 있다. 그 서셉터의 부재들은 그라파이트로 제조되고 실리콘 탄화물층으로 코팅된다. 그 부재들은 그라파이트 나사에 의해 기계식으로 함께 결합된다. 2개의 실리콘 탄화물 플레이트가 그 서셉터의 상부 부재 및 하부 부재를 덮어 측면 부재들을 상부 및 하부 부재로부터 분리한다. 그 서셉터를 에워싸는 수단에 의한 전자기 유도에 의해 가열이 일어난다. 그 그라파이트에 유도된 전류는 그 공동의 경계를 정하는 각 부재 내에 흐른다.U. S. Patent No. 5,695, 567 discloses a prismatic susceptor with an internal cavity (acting as a reaction chamber) of a rectangular cross section extending longitudinally. This susceptor consists of four members. The members of the susceptor are made of graphite and coated with a silicon carbide layer. The members are mechanically joined together by graphite screws. Two silicon carbide plates cover the upper and lower members of the susceptor to separate the side members from the upper and lower members. Heating occurs by electromagnetic induction by means of enclosing the susceptor. The current induced in the graphite flows in each member delimiting the cavity.
도 1은 몇몇 추가 요소가 구비되어 있는, 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 개략적인 부등각 투영도이다.1 is a schematic isometric view of a susceptor system according to the invention with some additional elements.
도 2는 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 제1 실시예를 보여주는 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a susceptor system according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 제2 실시예를 보여주는 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of a susceptor system according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 제3 실시예를 보여주는 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of a susceptor system according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 제4 실시예를 보여주는 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view showing a fourth embodiment of a susceptor system according to the present invention.
도 6a 및 도 6b는 슬라이드가 구비된 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 하부벽의 개략적인 부등각 투영도로서, 도 6a는 슬라이드가 완전히 삽입된 상태를, 도 6b는 슬라이드가 제거된 상태를 보여준다.6A and 6B are schematic isometric views of the bottom wall of the susceptor system according to the invention with slides, where FIG. 6A shows the slide fully inserted and FIG. 6B shows the slide removed.
도면에 도시한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다.Although the present invention will be described with reference to the embodiments shown in the drawings, the present invention is not limited to these embodiments.
본 발명의 목적은 기판 및/또는 웨이퍼 처리 장치용 서셉터 시스템을 제공하는 것으로서, 이 시스템은 처리 챔버를 균일하게, 효과적으로 그리고 효율적으로 가열하고, 특히 열 관성(thermal inertia)은 작지만 가열 용량은 우수하며 또한 간단한 구조로 이루어진 솔레노이드에 의한 전자기 유도에 의해 가열되기에 적합하다.It is an object of the present invention to provide a susceptor system for a substrate and / or wafer processing apparatus, which heats the processing chamber uniformly, effectively and efficiently, in particular with low thermal inertia but good heating capacity. It is also suitable for heating by electromagnetic induction by solenoid of simple structure.
상기의 목적은 청구항 1에 한정되어 있는 특징들을 갖고 있는 서셉터 시스템에 의해 달성된다. The above object is achieved by a susceptor system having the features defined in claim 1.
본 발명이 기초로 하고 있는 개념은, 일부가 기판 및/또는 웨이퍼의 처리 챔버에 근접 배치되며(양호한 열교환을 위해) 일부는 솔레노이드에 근접 배치되는(양호한 자기 커플링을 위해) 방식으로 형성된 중공의 서셉터 요소를 사용하는 것이다.The concept on which the present invention is based is that the hollow formed in such a way that a part is placed close to the processing chamber of the substrate and / or wafer (for good heat exchange) and part is placed close to the solenoid (for good magnetic coupling). Is to use a susceptor element.
본 발명에 따른 서셉터 시스템의 유리한 특징은 청구항 1의 종속항들에 한정되어 있다.Advantageous features of the susceptor system according to the invention are defined in the dependent claims of claim 1.
다른 양태에 따르면, 본 발명은 청구항 15에 한정된 특징들을 갖고 있는 기판 및/또는 웨이퍼를 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.According to another aspect, the invention relates to an apparatus for processing a substrate and / or a wafer having the features defined in claim 15.
본 발명에 따른 그 장치의 유리한 특징은 청구항 15의 종속항에 한정되어 있다.Advantageous features of the device according to the invention are defined in the dependent claims of claim 15.
본 발명은 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.The present invention will become more apparent from the following description taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 서셉터 시스템은 특히 기판 및/또는 웨이퍼의 처리 장치용으로 설계되며, 적어도 2개의 벽들에 의해 경계가 정해지는 처리 챔버와 적어도 하나의 가열 솔레노이드가 제공된다. 그 시스템은, 외면에 의해 경계가 정해지고 전자기 유도에 의해 가열되기에 적합한 전기 전도성 재료로 제조되는 특성을 갖고 있는 적어도 하나의 서셉터 요소를 포함한다. 이러한 특성을 갖고 있는 그 서셉터 요소 중 하나 이상은 중공 형태이고, 그 처리 챔버의 벽으로 작용하기에 적합한 외면의 제1 부분, 그 가열 솔레노이드에 근접 배치하기에 적합한 외면의 제2 부분을 갖고 있다.The susceptor system according to the invention is especially designed for the processing apparatus of a substrate and / or wafer, and is provided with a processing chamber and at least one heating solenoid delimited by at least two walls. The system includes at least one susceptor element having the property of being made of an electrically conductive material bounded by an outer surface and suitable for heating by electromagnetic induction. At least one of the susceptor elements having this property is hollow and has a first portion of the outer surface suitable for acting as a wall of the processing chamber and a second portion of the outer surface suitable for placing in close proximity to the heating solenoid. .
도 1을 참조하면, 그 처리 챔버는 도면 부호 1로 표시되어 있고, 솔레노이드는 도면 부호 9로 표시되어 있다. 도 1의 실시예에서, 전기 전도성 재료로 제조된 2개의 중공형 서셉터 요소(2, 3)와 2개의 비중공형 서셉터 요소(4, 5)가 있다. 각각의 서셉터 요소(2, 3, 4, 5)는 그 처리 챔버(1)의 벽으로 작용하기에 적합한 외면의 제1 부분, 그 가열 솔레노이드(9)에 근접 배치하기에 적합한 외면의 제2 부분을 갖고 있다.Referring to FIG. 1, the processing chamber is indicated by reference numeral 1, and the solenoid is indicated by reference numeral 9. In the embodiment of FIG. 1, there are two hollow susceptor elements 2, 3 and two non-hollow susceptor elements 4, 5 made of an electrically conductive material. Each susceptor element 2, 3, 4, 5 has a first portion of the outer surface suitable for acting as a wall of the processing chamber 1, and a second outer surface suitable for positioning close to the heating solenoid 9. Has a part.
이러한 구조에 있어서, 그 서셉터 요소는 그 일부가 처리 챔버에 근접 배치되어 열교환을 양호하게 하고 일부가 솔레노이드에 근접 배치되어 양호한 자기 커플링을 야기하는 방식으로 형성될 수 있다. 전기적인 관점에서 그 중공형 서셉터 요소가 실질적으로 메쉬를 구성하기 때문에, 실질적으로 유도 전류 전부가 그 부분들에서 순환하고, 매우 중요하게도, (가열을 일으키는) 유도 전류의 실질적으로 전부가 그 처리 챔버의 최근방에서 순환한다. 그 서셉터 요소가 중공형이기 때문에, 그 질량은 현저하게 작고, 그 열 관성 역시 결과적으로 현저히 낮다.In such a structure, the susceptor element can be formed in such a way that a portion thereof is placed in close proximity to the processing chamber to facilitate heat exchange and a portion is placed close to the solenoid resulting in good magnetic coupling. From the electrical point of view, since the hollow susceptor element substantially constitutes the mesh, substantially all of the induced current circulates in the parts, and very importantly, substantially all of the induced current (which causes heating) is processed. Circulate in the most recent chamber. Since the susceptor element is hollow, its mass is remarkably small, and its thermal inertia is also remarkably low as a result.
그 처리 챔버의 벽으로서 작용하는 그 서셉터 요소의 외면 부분은 고온 및 처리 챔버의 공격적 환경을 견딜 수 있어야 한다. 이러한 작용을 용이하게 하기 위하여, 그 서셉터 요소에는 적어도 그 부분에 열 및 화학적 보호가 제공되는 것이 유리하다.The outer portion of the susceptor element, which acts as a wall of the processing chamber, must be able to withstand high temperatures and the aggressive environment of the processing chamber. In order to facilitate this action, it is advantageous for the susceptor element to be provided with thermal and chemical protection at least in its part.
그 보호는 그 서셉터 요소 내부에 불활성의 내화 재료로 이루어진 적어도 하나의 표면층에 의해 구성될 수 있다. 이는 도 2 및 도 3에 도시한 실시예의 중공형 서셉터 요소들(2, 3)의 경우이다. 두 실시예에 있어서, 그 층은 처리 챔버의 경계를 넘어 연장된다.The protection may be constituted by at least one surface layer of inert refractory material inside the susceptor element. This is the case for the hollow susceptor elements 2, 3 of the embodiment shown in FIGS. 2 and 3. In both embodiments, the layer extends beyond the boundaries of the processing chamber.
대안으로서, 그 보호는 그 서셉터 요소의 외면 부근에 불활성의 내화 재료로 제조된 적어도 하나의 플레이트에 의해 구성될 수 있다. 이것은 도 4 및 도 5에 도시한 중공형 서셉터 요소들(2, 3)의 경우이다. 두 실시예에 있어서, 그 플레이트는 처리 챔버의 경계를 넘어 연장된다.As an alternative, the protection may be constituted by at least one plate made of inert refractory material near the outer surface of the susceptor element. This is the case for the hollow susceptor elements 2, 3 shown in FIGS. 4 and 5. In both embodiments, the plate extends beyond the boundaries of the processing chamber.
또한, 그 보호는 다르게는, 그 서셉터 요소 내부에 불활성의 내화 재료로 이루어진 적어도 하나의 표면층, 그 서셉터 요소의 외면 부근에 불활성 의 내화 재료로 제조된 적어도 하나의 플레이트를 조합하여 구성할 수도 있다.In addition, the protection may alternatively be constructed by combining at least one surface layer of inert refractory material inside the susceptor element, and at least one plate made of inert refractory material near the outer surface of the susceptor element. have.
(솔레노이드에 의해 유도된) 전류는 그 서셉터 요소를 통해 흐르기 때문에, 몇몇 경우에 있어서, 처리 챔버에서의 전기적 스파크 및/또는 전기 누설을 방지하기 위하여, 그 불활성의 내화 재료층 및/또는 플레이트를 전기적으로 절연 상태로 하는 것이 유리할 수 있다.Since the current (induced by the solenoid) flows through the susceptor element, in some cases, the inert refractory material layer and / or plate may be removed to prevent electrical sparks and / or electrical leakage in the processing chamber. It may be advantageous to be in an electrically insulated state.
도전 재료로 제조된 서셉서 요소를 생산하는 데에 특히 적합한 물질은 그라파이트이다. 그러나, 그라파이트는 처리 챔버의 통상적인 환경을 견딜 수 없고, 따라서 화학적 및 열적 관점에서 보다 저항성이 있는 재료에 의해 보호하여야 한다. 그라파이트의 보호는 챔버 부근의 영역에서만 엄격히 필요하지만, 완전한 보호 또는 적어도 요구되는 최소한 이상으로 보호를 만드는 것이 때로는 보다 편리하거나 및/또는 유리할 수 있다.Particularly suitable materials for producing susceptor elements made of conductive material are graphite. However, graphite cannot withstand the conventional environment of the processing chamber and must therefore be protected by a more resistant material from a chemical and thermal point of view. The protection of graphite is strictly necessary only in the area near the chamber, but it may sometimes be more convenient and / or advantageous to make full protection or at least the protection required at least.
그 보호층 및/또는 플레이트를 생산하는 데에 적합한 화합물은 실리콘 탄화물이다. 그러나, 그 챔버가 실리콘 탄화물의 에피택셜 성장을 위해 사용되는 경우에는, 니오븀 탄화물, 보론 탄화물 또는 탄탈륨 탄화물와 같이 보다 저항성 있는 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 그 중에서도 후자의 두 화합물은 전기적 전도체의 성질을 갖고 있다.Suitable compounds for producing the protective layer and / or plate are silicon carbide. However, when the chamber is used for epitaxial growth of silicon carbide, it is desirable to use more resistant compounds, such as niobium carbide, boron carbide or tantalum carbide, among which the latter two compounds have the properties of electrical conductors. Have
그 보호층 및/또는 플레이트를 생산하는 데에 사용 가능한 다른 화합물로 몇 가지 질화물이 있다. 그 중에서도, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 특히 보론 질화물을 들 수 있다. 예컨대, 실리콘 탄화물을 그 챔버 내에서 처리한다면, 질화물은 주의를 기울여 사용하여야 한다. 사실, 질소 원자가 코팅층으로부터 분리된다면, 그 질소 원자는 실리콘 탄화물에 도핑될 것이다.Some nitrides are other compounds that can be used to produce the protective layer and / or plate. Among these, silicon nitride, aluminum nitride, especially boron nitride can be mentioned. For example, if silicon carbide is to be treated in the chamber, nitride should be used with care. In fact, if nitrogen atoms were to be separated from the coating layer, they would be doped into the silicon carbide.
그 층 및/또는 플레이트를 전기적으로 전도성 있는 재료로 제조한다면, 예컨대 탄탈륨 탄화물 또는 보론 탄화물을 사용할 수 있다.If the layer and / or plate is made of an electrically conductive material, for example tantalum carbide or boron carbide can be used.
전술한 화학 물질들은 그 동소체 형태 및 생산 공정에 의존하는 물리적 성질을 갖고 있다. 예컨대, 탄소, 실리콘 탄화물, 보론 질화물은 상당히 다른 물리적 성질을 갖고 있는 2개 이상의 안정한 동소체 형태를 갖고 있다. 다시, 예컨대, 그라파이트로, 열 전도성 및 전기 전도성이 양호한 재료 및 열 전도성 및 전기 전도성이 나쁜 재료를 생성할 수 있다. 최종적으로, 소정의 재료에 화학적 화합물을 첨가하여 그 물리적 성질을 변형할 수 있다.The aforementioned chemicals have physical properties that depend on their allotopic form and production process. For example, carbon, silicon carbide, and boron nitride have two or more stable allotropes with significantly different physical properties. Again, for example, graphite can produce materials with good thermal and electrical conductivity and materials with poor thermal and electrical conductivity. Finally, chemical compounds can be added to a given material to modify its physical properties.
그 보호층은 기본적으로 두 가지 방식, 즉 화학적 반응 또는 물리적 반응으로 생성할 수 있다. 예컨대, 탄화물로 제조된 층은 일반적으로 화학적 반응에 의해 그라파이트 부재 상에 보다 쉽게 생성할 수 있다. 이러한 층을 생성하는 데에 전문화된 회사들이 있다.The protective layer can basically be produced in two ways: chemically or physically. For example, layers made of carbides can generally be more easily produced on graphite members by chemical reactions. There are companies specialized in creating such layers.
그 보호층의 두께와 관련하여, 실리콘 탄화물의 경우, 예컨대 100 m이고, 탄탈륨 탄화물의 경우, 예컨대 20 m일 수 있다. 이용되는 두께는 다른 무엇보다도 그 재료의 성질 및 요구되는 작용에 따라 달라질 수 있다.Regarding the thickness of the protective layer, it may be, for example, 100 m for silicon carbide and 20 m for tantalum carbide. The thickness used may depend, among other things, on the nature of the material and the required action.
유리하게도, 그 서셉터 요소는 종방향으로 연장되는 적어도 하나의 구멍, 바람직하게는 관통공을 갖도록 중공형으로 제작될 수 있다. 유도 전류는 따라서, 필연적으로 주변 영역에 국한되고, 따라서 처리 챔버에 매우 가깝게 흐른다. 이것은 도면에 도시한 모든 실시예의 경우인데, 서셉터 요소(2)에는 관통공(21)이 있고, 서셉터 요소(3)에는 관통공(31)이 있다. 사실, 각 서셉터 요소당 관통공의 갯수는 2개 이상일 수 있지만, 그 효과는 실질적으로 변하지 않는다.Advantageously, the susceptor element can be made hollow in order to have at least one hole, preferably through hole, extending in the longitudinal direction. The induced current is therefore inevitably confined to the surrounding area and thus flows very close to the processing chamber. This is the case for all the embodiments shown in the figures, in which the susceptor element 2 has a through hole 21 and the susceptor element 3 has a through hole 31. In fact, the number of through holes per susceptor element may be two or more, but the effect is substantially unchanged.
도면에 도시한 모든 실시예는 2개의 중공형 서셉터 요소들(2, 3)를 포함하고 있다. 두 서셉터 요소 중 하나의 외면의 제1 부분과, 다른 서셉터 요소의 외면의 제1 부분은 각각, 처리 챔버(1)의 상측벽과 하측벽으로 작용하기에 적합하다. 두 서셉서 요소 중 하나의 외면의 제2 부분과 다른 서셉터 요소의 외면의 제2 부분은 가열 솔레노이드(9) 부근에 배치하기에 적합하다. 따라서, 그 이점은 정량적으로 두 배가 된다.All the embodiments shown in the figures comprise two hollow susceptor elements 2, 3. The first portion of the outer surface of one of the two susceptor elements and the first portion of the outer surface of the other susceptor elements are each suitable for acting as an upper wall and a lower wall of the processing chamber 1. The second part of the outer surface of one of the two susceptor elements and the second part of the outer surface of the other susceptor element are suitable for placement near the heating solenoid 9. Thus, the benefit is quantitatively doubled.
두 벽은, 적절히 성형된다면, (상단 및 바닥에서) 처리 챔버의 경계를 완전히 규정하기에 충분하다. 그러나, 도면에 도시한 모든 실시예에 있어서, 각각 처리 챔버(1)의 우측벽과 좌측벽으로서 작용하기에 적합한 2개의 서셉터 요소들(4, 5)를 더 포함하는 것이 바람직하다.Both walls, if properly shaped, are sufficient to fully define the boundaries of the processing chamber (at the top and bottom). However, in all the embodiments shown in the figures, it is preferred to further comprise two susceptor elements 4, 5, each suitable for acting as the right and left walls of the processing chamber 1.
도면에 도시한 모든 실시예에서처럼, 본 발명에 따른 서셉터 시스템이 4개의 서셉터 요소로 구성될 때 조차도, 그 구성은 매우 간단하다. 사실, 그 벽들은 함께 근접하도록 간단히 배치할 수 있고, 도 1에 도시한 것과 같이, 적합한 격실 내에 삽입될 수 있다. 그러나, 그 서셉터 시스템의 구조는 그 요소들을 상호 결합하기 위한 간단한 종방향 리브(rib) 및/또는 홈에 의해 더욱 견고하게 할 수 있다.As in all the embodiments shown in the figures, even when the susceptor system according to the invention consists of four susceptor elements, the configuration is very simple. In fact, the walls can simply be placed in close proximity together and can be inserted into a suitable compartment, as shown in FIG. 1. However, the structure of the susceptor system can be made more robust by simple longitudinal ribs and / or grooves for joining the elements together.
이들 측부 서셉터 요소는 전기 절연성이고 불활성이며 내화성이 있는 재료로 제조할 수 있다. 따라서, 이들 요소는 처리 챔버의 고온 및 공격적 환경을 견딜 수 있고, 동시에, 그 중공형 서셉터 내를 순환하고 전기적 스파크 가능성을 감소시키는 전류의 전기적 누설을 방지할 수 있다.These side susceptor elements can be made of electrically insulating, inert and fire resistant materials. Thus, these elements can withstand the high temperature and aggressive environment of the processing chamber and at the same time prevent electrical leakage of current that circulates within the hollow susceptor and reduces the likelihood of electrical sparks.
그 측부 서셉터 요소를 제조하는 데에 특히 적합한 화합물은 실리콘 탄화물이다. 또한, 이러한 경우에, 그 측부 서셉터 요소들은 열을 잘 전도시키고 따라서 양호한 간접 가열(passive heating)을 달성한다.Particularly suitable compounds for preparing the side susceptor elements are silicon carbide. Also in this case, the side susceptor elements conduct heat well and thus achieve good passive heating.
그 측부 서셉터 요소들을 제조하는 데에 특히 적합한 다른 화합물은 보론 질화물이다. 이 경우에도, 그 요소들은 열을 잘 전도시켜 양호한 간접 가열을 달성한다. 사실, 그 보론 화합물은 그래파이와 유사한 물리적 성질을 갖고 있는 육방정계 동소체 형태와, 다이아몬드와 유사한 물리적 성질을 갖고 있는 입방정계 동소체 형태를 갖고 있다. 생산 공정에 따라 하나 또는 다른 동소체 형태를 생성할 수 있다.Another compound particularly suitable for preparing the side susceptor elements is boron nitride. Even in this case, the elements conduct heat well and achieve good indirect heating. In fact, the boron compounds have hexagonal allotropes with graphene-like physical properties and cubic allotropes with diamond-like physical properties. Depending on the production process, one or the other allotrope may be produced.
대안적으로, 측부 서셉터 요소들은 전기 전도성 물질로 제조될 수 있고, 처리 챔버의 가열에 능동적으로 기여한다. 이 경우에도, 처리 챔버에 인접한 표면의 일부는 처리 챔버의 높은 온도 및 공격적인 환경을 견딜 수 있도록 하여야 한다. 이러한 기능을 촉진하기 위하여, 그 서셉터 요소들에는 적어도 그 영역에 열 및 화학적 보호를 제공하는 것이 유리할 수 있다.Alternatively, the side susceptor elements can be made of an electrically conductive material and actively contribute to the heating of the processing chamber. Even in this case, a portion of the surface adjacent to the processing chamber must be able to withstand the high temperature and aggressive environment of the processing chamber. To facilitate this function, it may be advantageous for the susceptor elements to provide thermal and chemical protection at least in that area.
도 3 및 도 4의 실시예에서, 그 측부 서셉터 요소들(4, 5)에는 그 내부에 불활성의 내화 재료로 이루어진 적어도 하나의 표면층으로 구성된 보호가 제공된다.In the embodiment of FIGS. 3 and 4, the side susceptor elements 4, 5 are provided therein with at least one surface layer made of inert refractory material.
도 5의 실시예에서, 그 측부 서셉터 요소(4, 5)에는 그 표면 부근에 불활성의 내화 재로로 이루어진 적어도 하나의 플레이트로 구성된 보호가 제공된다.In the embodiment of FIG. 5, the side susceptor elements 4, 5 are provided with protection consisting of at least one plate of inert refractory material near its surface.
서셉터 요소들(2, 3)가 어떻게 제조되는가에 따라서, 그 측부 서셉터 요소의 보호는 전기 전도성 또는 전기 절연성 재료로 제조될 수 있다.Depending on how the susceptor elements 2, 3 are made, the protection of the side susceptor element can be made of an electrically conductive or electrically insulating material.
그 측부 서셉터 요소들이 가열 챔버를 가열하는 주 소스로서 사용되지 않는다면, 그 요소들이 중공형이 아니라면 더 간단하고 따라서 유리하다. 이러한 경우에, 그 측부 서셉터 요소들은 상부 및 하부 서셉터 요소들보다 훨씬 더 작다. 이는 도면에 도시한 모든 실시예의 경우이다.If the side susceptor elements are not used as the main source for heating the heating chamber, they are simpler and therefore advantageous if they are not hollow. In this case, the side susceptor elements are much smaller than the upper and lower susceptor elements. This is the case for all the embodiments shown in the figures.
도면에 도시한 모든 실시예에서 공통적인 최적의 기하학적 해결 수단은 종방향으로 실질적으로 균일하게 연장되고 외형이 실질적으로 원 또는 타원형인 단면을 갖고 있는 중공형 서셉터 요소들과, 종방향으로 실질적으로 균일하게 연장되고 단면이 실질적으로 사각형 또는 사다리꼴 형태인 비중공형 서셉터 요소들로 구성된다.Optimal geometric solutions common to all the embodiments shown in the figures include hollow susceptor elements having a substantially uniformly extending cross section and having a substantially circular or oval cross section in the longitudinal direction, and substantially the same in the longitudinal direction. It consists of non-hollow susceptor elements that extend uniformly and are substantially rectangular or trapezoidal in cross section.
이러한 형태의 서셉터 시스템은 보통, 기판들 및/또는 웨이퍼들 처리에 적합한 종류의 장치에 사용 가능하다. 이것은 본 발명의 다른 양태이다.This type of susceptor system is usually available for a type of device suitable for processing substrates and / or wafers. This is another aspect of the present invention.
이하에서는, 본 발명에 따른 장치를 도 1을 비제한적으로 참조하여 설명한다.In the following, a device according to the invention is described with reference to FIG. 1 without limitation.
본 발명에 따른 장치에는 적어도 2개의 벽에 의해 경계가 정해지는 처리 챔버가 제공되고, 이 처리 챔버 부근에 중공형 서셉터 요소가 마련된 서셉터 시스템과, 그 서셉터 시스템 및 처리 챔버 부근에 권취되어 있고 전자기 유도에 의해 그 서셉터 시스템을 가열하기에 적합한 적어도 하나의 솔레노이드를 포함한다.The apparatus according to the invention is provided with a processing chamber bounded by at least two walls, a susceptor system provided with a hollow susceptor element in the vicinity of the processing chamber, and wound around the susceptor system and the processing chamber. And at least one solenoid suitable for heating the susceptor system by electromagnetic induction.
도 1에서, 처리 챔버는 도면 부호 1로 표시되어 있다. 서셉터 시스템은 도면부호 2, 3, 4, 5로 표시되는 4개의 서셉터 요소들로 구성되어 있고, 그 중 2개, 즉 서셉터 요소들(2, 3)는 중공형이고, 솔레노이드는 도면 부호 9로 표시되어 있다.In FIG. 1, the processing chamber is indicated with reference 1. The susceptor system consists of four susceptor elements, indicated by reference numerals 2, 3, 4 and 5, of which two, ie susceptor elements 2 and 3, are hollow and the solenoid is It is indicated by the symbol 9.
유리하게도, 그 서셉터 시스템은 그 장치 내에서 종방향으로 연장되고, 본 발명에 따른 서셉터 시스템의 단면의 외형은 종방향으로 실질적으로 균일하고, 실질적으로 원형 또는 타원형이다. 그 서셉터 시스템은 사실 제조하기가 용이하고, 그 시스템을 가열하기 위한 솔레노이드와 쉽게 잘 결합될 수 있다.Advantageously, the susceptor system extends longitudinally within the device, the contour of the cross section of the susceptor system according to the invention being substantially uniform in the longitudinal direction and substantially circular or elliptical. The susceptor system is in fact easy to manufacture and can be easily combined with a solenoid for heating the system.
그 장치의 처리 챔버의 단면 형태는 종방향으로 실질적으로 균일한 것이 유리하다. 이와 같이, 실제 실시는 단순화된다.Advantageously, the cross-sectional shape of the processing chamber of the device is substantially uniform in the longitudinal direction. As such, the actual implementation is simplified.
공지의 반응기에서, 그 챔버의 단면은 종방향으로 감소되어, 감소된 전구 물질 농도를 보상한다. 대신에, 본 발명은 기판 또는 웨이퍼를 회전시키고 큰 반응 가스류를 이용하여 이러한 문제를 해결한다. 그 고 가스류는 또한 임의의 고체 입자를 반응 챔버로부터 효과적으로 그리고 빠르게 제거하는 이점을 갖고 있다.In known reactors, the cross section of the chamber is reduced in the longitudinal direction to compensate for the reduced precursor concentration. Instead, the present invention solves this problem by rotating the substrate or wafer and using a large flow of reactant gas. The high gas flow also has the advantage of effectively and quickly removing any solid particles from the reaction chamber.
그 처리 챔버의 평균 폭은 바람직하게는 그 처리 챔버의 평균 높이의 적어도 3배, 훨씬 더 바람직하게는 적어도 5배이다. 사실, 처리 챔버의 가열은 상당 정도 그 중공형 서셉터 요소들의 벽에 기인한다.The average width of the processing chamber is preferably at least three times, even more preferably at least five times the average height of the processing chamber. In fact, the heating of the processing chamber is due in large part to the walls of the hollow susceptor elements.
본 발명에 따른 장치는, 그 처리 챔버(1)와 서셉터 시스템(2, 3, 4, 5)을 에워싸고, 실질적으로, 종방향으로 연장되는 내화성의 열절연 물질로 이루어진 튜브에 의해 구성되는 제1 구조(7)를 포함하는 것이 유리하다. 이러한 경우에, 그 솔레노이드(9)는 그 제1 구조(7) 둘레에 권취된다.The device according to the invention comprises a tube made of a refractory heat insulating material extending substantially in the longitudinal direction, surrounding the processing chamber 1 and the susceptor systems 2, 3, 4, 5. It is advantageous to include the first structure 7. In this case, the solenoid 9 is wound around its first structure 7.
본 발명에 따른 장치는 그 제1 구조(7)를 에워싸기에 적합한 제2의 기밀형 구조(8)를 포함하는 것이 유리하다. 이러한 경우에, 그 솔레노이드(9) 역시 제2 구조(8) 둘레에 권취된다.The device according to the invention advantageously comprises a second hermetic structure 8 suitable for enclosing the first structure 7. In this case, the solenoid 9 is also wound around the second structure 8.
이들 구조는 단일편으로 또는 함께 적절히 결합된 여러 부재로 형성될 수 있다.These structures may be formed from a single piece or from several members suitably joined together.
도면에 도시한 실시예에서와 같이, 그 장치의 서셉터 시스템이 관통공이 형성된 벽을 구비하고 있다면, 그 장치는 적어도 하나의 가스류가 그 관통공 중 적어도 하나 내부에서 흐르도록 하기에 적합한 수단을 포함하는 것이 유리하다. 그 가스류는 그 관통공의 내벽에서 떨어진 임의의 입자들을 제거하는 역할을 할 수 있다. 그 가스류는 서셉터 시스템의 온도를 약간 변경하는 역할을 할 수도 있다. 아르곤, 또는 보다 일반적으로, 불활성 가스가 전자의 작용을 위해 특히 적합하다. 예컨대, 수소는 후자의 작용, 특히 냉각을 위해 특히 적합하다.As in the embodiment shown in the figure, if the susceptor system of the device has a wall having a through hole formed therein, the device may be provided with means suitable for causing at least one gas stream to flow inside at least one of the through holes. It is advantageous to include. The gas stream may serve to remove any particles that fall away from the inner wall of the through hole. The gas stream may serve to change the temperature of the susceptor system slightly. Argon, or more generally, an inert gas, is particularly suitable for the action of electrons. For example, hydrogen is particularly suitable for the latter action, in particular for cooling.
본 발명에 따른 장치는 도 6a에서 도면 부호 6으로 나타낸 슬라이드를 포함하는 것이 유리할 수 있는데, 그 슬라이드는 처리 챔버 내부에 장착되고, 적어도 하나의 기판 또는 적어도 하나의 웨이퍼를 지지하는 데에 적합하다. 그 슬라이드는 종방향으로 안내되는 방식으로 활주할 수 있다. 이와 같이, 기판을 삽입 및 제거하는 동작이 용이해진다. 사실, 기판 또는 웨이퍼는 처리 챔버 외부에서 조종되고, 그 슬라이드의 이동에 의해 삽입되고 제거된다.It may be advantageous for the device according to the invention to comprise a slide indicated at 6 in FIG. 6A, which slide is mounted inside the processing chamber and is suitable for supporting at least one substrate or at least one wafer. The slide can slide in a manner that is guided in the longitudinal direction. As such, the operation of inserting and removing the substrate becomes easy. In fact, the substrate or wafer is steered outside the processing chamber and inserted and removed by the movement of the slide.
실제, 가이드(도 6b에서 도면 부호 32로 나타냄)가 구비된 서셉터 시스템(도 6의 실시예에서, 하부 서셉터 요소(3))을 배치하는 것이 편리한데, 이 가이드는 그 슬라이드(도 6a에서 도면 부호 6으로 나타냄)를 수용하기에 적합하고, 그 슬라이드가 그 가이드를 따라 활주할 수 있는 방식으로 종방향으로 연장된다. 도 6의 실시예에서, 가이드(32)는 그 전체가 서셉터 요소(3) 내부에 형성되어 있고, 슬라이드(6)에는 실질적으로 서셉터 요소(3)의 상면과 정렬된 평평한 상면이 있다. 처리 챔버(1)의 효과적인 단면은 실질적으로 사각형이고 (마치 슬라이드(6)가 제공되지 않은 것처럼) 규칙적이다.Indeed, it is convenient to arrange a susceptor system (in the embodiment of FIG. 6, the lower susceptor element 3) equipped with a guide (indicated by reference numeral 32 in FIG. 6B), which guide slides (FIG. 6A). And a slide extending in the longitudinal direction in such a way that the slide can slide along the guide. In the embodiment of FIG. 6, the guide 32 is entirely formed inside the susceptor element 3, and the slide 6 has a flat top surface substantially aligned with the top surface of the susceptor element 3. The effective cross section of the processing chamber 1 is substantially square and regular (as if the slide 6 is not provided).
그 기판 또는 웨이퍼를 보다 균일하게 처리하기 위하여, 그 슬라이드는 적어도 하나의 기판 또는 웨이퍼를 지지하기에 적합한 적어도 하나의 디스크를 포함할 수 있고, 그 슬라이드에는 상기 디스크를 회전 가능하게 수용하는 홈이 제공될 수 있다. 도 6의 실시예에서, 슬라이드(6)는 단일 디스크(도 6a에서 도면 부호 61로 표시)를 포함하고, 그 디스크를 수용하기 위한 대응 홈(도 6a에도 도면 부호 62로 표시)이 제공되어 있다.In order to process the substrate or wafer more uniformly, the slide may comprise at least one disk suitable for supporting at least one substrate or wafer, the slide being provided with a groove rotatably receiving the disk. Can be. In the embodiment of FIG. 6, the slide 6 comprises a single disc (indicated by reference numeral 61 in FIG. 6A) and provided with a corresponding groove (indicated by reference numeral 62 in FIG. 6A) for receiving the disc. .
본 발명에 따른 장치는 기판 상에 실리콘 탄화물 또는 유사한 재료를 에피택셜 성장시키기 위한 반응기로서, 추가의 구성 요소들을 구비하여 사용할 수 있다.The device according to the invention can be used with additional components as a reactor for epitaxially growing silicon carbide or similar materials on a substrate.
실리콘 탄화물은 매우 유망한 재료이지만 다루기가 어려운 반도체 재료이다. 전술한 대부분의 특성들은 특히 이러한 용도 및 재료에 맞게 설계되어 있다.Silicon carbide is a very promising but difficult to handle semiconductor material. Most of the properties described above are specifically designed for this use and material.
본 발명에 따른 장치는 웨이퍼를 고온 열처리하기 위한 장치로서, 추가의 구성 요소들을 구비하여 사용할 수도 있다.The apparatus according to the invention is an apparatus for high temperature heat treatment of a wafer, which may be used with additional components.
Claims (26)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020057010511A KR20050085502A (en) | 2005-06-10 | 2002-12-10 | Susceptor system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020057010511A KR20050085502A (en) | 2005-06-10 | 2002-12-10 | Susceptor system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050085502A true KR20050085502A (en) | 2005-08-29 |
Family
ID=37269947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057010511A KR20050085502A (en) | 2005-06-10 | 2002-12-10 | Susceptor system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050085502A (en) |
-
2002
- 2002-12-10 KR KR1020057010511A patent/KR20050085502A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1570108B1 (en) | Susceptor system | |
| EP1570107B1 (en) | Susceptor system | |
| US8696814B2 (en) | Film deposition apparatus and film deposition method | |
| EP2099062B1 (en) | Film deposition apparatus and film deposition method | |
| KR20040107477A (en) | Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor | |
| JP4759572B2 (en) | CVD reactor with RF-heated process chamber | |
| KR980011810A (en) | Silicon Carbide Compounds Useful for Plasma Reactors | |
| US5648006A (en) | Heater for chemical vapor deposition equipment | |
| JP2004514287A (en) | Apparatus and method for heating a heat treatment system by resistance | |
| JP2008140647A (en) | Heater | |
| KR20080079263A (en) | Differentiated-temperature reaction chamber | |
| KR20050085502A (en) | Susceptor system | |
| RU2305718C2 (en) | System of current collector | |
| Li et al. | Improvement of temperature uniformity of induction-heated T-shape susceptor for high-temperature MOVPE | |
| KR20180074847A (en) | Device for growing large diameter single crystal | |
| JP2006041358A (en) | Susceptor and chemical vapor phase deposition method | |
| KR20050084238A (en) | Susceptor system | |
| RU2304635C2 (en) | Current collector system | |
| US20150013608A1 (en) | Ceramic heater | |
| JP3419992B2 (en) | Ceramic members | |
| US20220349057A1 (en) | Semiconductor wafer carrier structure and metal-organic chemical vapor deposition equipment | |
| CN111058094B (en) | SiC single crystal manufacturing apparatus | |
| JP4888219B2 (en) | Film forming apparatus and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP7065857B2 (en) | Susceptor | |
| JP2008159944A (en) | Apparatus and method for forming film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |