KR20050080316A - Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices - Google Patents
Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050080316A KR20050080316A KR1020040008390A KR20040008390A KR20050080316A KR 20050080316 A KR20050080316 A KR 20050080316A KR 1020040008390 A KR1020040008390 A KR 1020040008390A KR 20040008390 A KR20040008390 A KR 20040008390A KR 20050080316 A KR20050080316 A KR 20050080316A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- flow
- chuck
- catch cup
- substrate
- wafer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 31
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B09—DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
- B09B—DISPOSAL OF SOLID WASTE
- B09B2101/00—Type of solid waste
- B09B2101/02—Gases or liquids enclosed in discarded articles, e.g. aerosol cans or cooling systems of refrigerators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B09—DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
- B09B—DISPOSAL OF SOLID WASTE
- B09B3/00—Destroying solid waste or transforming solid waste into something useful or harmless
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L9/00—Disinfection, sterilisation or deodorisation of air
- A61L9/015—Disinfection, sterilisation or deodorisation of air using gaseous or vaporous substances, e.g. ozone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F27/00—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders
- B01F27/05—Stirrers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/0084—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments specially adapted for disintegrating garbage, waste or sewage
- B02C18/0092—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments specially adapted for disintegrating garbage, waste or sewage for waste water or for garbage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
- C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
- C02F1/325—Irradiation devices or lamp constructions
Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조시 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 장치로, 상기 장치는 웨이퍼가 놓여지는 회전척과 포토레지스트를 공급하는 노즐을 가진다. 상기 회전척의 둘레에는 포토레지스트가 외부로 튀는 것을 방지하는 캐치컵이 배치되고, 상기 캐치컵의 내측면에는 상부에서 하부로 흐르는 자연 낙하 기류와 웨이퍼의 회전으로 발생되는 수평 방향 기류를 분리시키는 유동 분리판이 결합된다. 또한, 유동 분리판의 외측 끝단과 인접하는 위치에는 자연 낙하 기류를 따라 이동되는 공기가 아래로 흐르도록 하는 통공이 형성된다.The present invention is a device for applying a photoresist to a wafer in the manufacture of a semiconductor device, the device has a rotary chuck on which the wafer is placed and a nozzle for supplying the photoresist. A catch cup is disposed around the rotary chuck to prevent the photoresist from splashing to the outside, and a flow separation for separating the natural airflow flowing from the top to the bottom and the horizontal airflow generated by the rotation of the wafer is provided on the inner surface of the catch cup. The plates are combined. In addition, a hole is formed at a position adjacent to the outer end of the flow separation plate to allow the air moving along the natural falling airflow to flow downward.
Description
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼 상에 포토레지스트와 같은 약액을 도포하는 도포 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a coating apparatus for applying a chemical liquid such as a photoresist on a wafer.
반도체 웨이퍼 상에 집적회로를 형성함에 있어서, 집적회로의 회로요소에 대응하는 패턴은 사진식각 공정에 의해 이루어진다. 사진식각 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 층을 형성하는 도포공정과 웨이퍼에 도포된 포토레지스트에 회로패턴이 형성된 마스크를 통하여 노광하고 현상하는 사진 공정, 그리고 포토레지스트 패턴을 건식 또는 습식방법으로 식각함으로써 원하는 패턴을 형성하는 식각 공정으로 이루어진다. In forming an integrated circuit on a semiconductor wafer, a pattern corresponding to a circuit element of the integrated circuit is formed by a photolithography process. The photolithography process is a process of forming a photoresist layer on a wafer, a photolithography process of exposing and developing a circuit pattern formed on a photoresist applied to a wafer, and a photoresist pattern by dry or wet etching. It consists of an etching process to form a pattern.
웨이퍼 상에 감광액을 도포하는 장치로 다양한 설비들이 있으나, 원심력을 이용하여 웨이퍼의 전면에 고르게 감광액 또는 현상액을 도포하는 도포 장치가 일반적으로 사용된다. 도 1은 일반적인 도포 장치를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 도포 장치는 웨이퍼(W)와 같은 반도체 기판이 놓여지는 척(320)과 척(320)의 상부에 위치되어 포토레지스트를 공급하는 노즐(360)을 가진다. 척(320)은 공정진행 중 고속으로 회전되며, 척(320)의 둘레에는 포토레지스트가 외부로 튀기는 것을 방지하기 위해 캐치컵(340)이 배치된다. 캐치컵(340)의 내측면 중 하부에는 경사면을 가지는 함입부(342)가 형성되고, 함입부(342)의 끝단에는 고리형 단면을 가진 돌기(342a)가 돌출 된다. 또한, 캐치컵(340)의 저면에는 배기관(326)이 연결되며, 캐치컵(340) 내에 잔류하는 포토레지스트 입자는 배기관(326)을 통해 배출된다. 공정진행 중 캐치컵(340) 내에는 두 개의 기류(220, 240)가 존재한다. 하나는 공정설비 내의 청정도 유지를 위해 설비 내의 상부에서 하부로 흐르는 자연 낙하 기류(240)와 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생되는 수평 방향 기류(220)이다. There are various equipments for applying the photoresist on the wafer, but a coating apparatus for applying the photoresist or developer evenly on the front surface of the wafer using centrifugal force is generally used. 1 is a view showing a general application device. Referring to FIG. 1, the coating apparatus has a chuck 320 on which a semiconductor substrate such as a wafer W is placed, and a nozzle 360 positioned above the chuck 320 to supply photoresist. The chuck 320 is rotated at high speed during the process, and the catch cup 340 is disposed around the chuck 320 to prevent the photoresist from splashing outward. A depression 342 having an inclined surface is formed at a lower side of the inner side of the catch cup 340, and a protrusion 342a having an annular cross section protrudes from an end of the depression 342. In addition, an exhaust pipe 326 is connected to the bottom of the catch cup 340, and photoresist particles remaining in the catch cup 340 are discharged through the exhaust pipe 326. Two airflows 220 and 240 exist in the catch cup 340 during the process. One is a natural airflow 240 flowing from the top to the bottom in the equipment and the horizontal airflow 220 generated by the rotation of the wafer W to maintain cleanliness in the process equipment.
도 2는 도 1의 'A' 부분에서 공정 진행시 기류의 흐름방향을 보여주는 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 캐치컵(340)의 내측면 중 척(320)에 놓여진 웨이퍼(W)와 수평선 근처에서 자연 낙하 기류(240)와 수평 방향 기류(220) 간에 충돌이 발생되고, 이로 인해 캐치컵(240)의 내측면을 따라 위로 상승하는 기류(260)가 발생된다. 웨이퍼(W)로부터 이탈된 포토레지스트 입자들 중의 일부는 상승기류(260)를 타고 승강하며, 승강 도중 다시 웨이퍼(W)로 떨어지게 된다. 또한, 캐치컵(340) 내의 하부로 이동된 기류들 중 일부는 함입부의 내측면을 따라 역류하게 되고, 이 역류 기류(280)를 타고 흐르는 포토레지스트 입자가 함입부의 돌기(342a)에 고드름처럼 맺힌다(인출번호 350). 이는 수평 방향 기류(220)의 원활한 유동을 방해하고 웨이퍼(W)의 가장자리에서 포토레지스트가 설정치보다 두껍게 도포된다. 이들을 제거하기 위해 세정 주기가 짧아져 설비 가동률이 저하된다.2 is a view showing the flow direction of the air flow during the process in the 'A' portion of FIG. As shown in FIG. 2, a collision occurs between the natural drop airflow 240 and the horizontal airflow 220 near the horizontal line and the wafer W placed on the chuck 320 of the inner side of the catch cup 340, This generates an air stream 260 rising upward along the inner surface of the catch cup 240. Some of the photoresist particles separated from the wafer W are lifted by the upward airflow 260 and fall back to the wafer W during the lift. In addition, some of the air flows moved downward in the catch cup 340 flows back along the inner surface of the recess, and photoresist particles flowing through the backflow air 280 form an icicle on the protrusion 342a of the recess. (Draw 350). This impedes the smooth flow of the horizontal airflow 220 and at the edge of the wafer W the photoresist is applied thicker than the set point. In order to remove these, the cleaning cycle is shortened, which lowers the facility operation rate.
본 발명은 포토레지스트를 도포하는 공정이 진행되는 동안 자연 낙하 기류와 수평 방향 기류의 충돌로 인하여 상승 기류가 발생되는 것을 방지할 수 있는 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a coating apparatus which can prevent the rise of the air flow due to the collision of the natural falling air and the horizontal air flow during the process of applying the photoresist.
또한, 본 발명은 캐치컵에 고드름 형상으로 포토레지스트 입자가 맺혀 수평 방향 기류의 원활한 흐름을 방해하는 것을 방지할 수 있는 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an application apparatus that can prevent the photoresist particles from forming in the catch cup in the form of icicles and preventing the smooth flow of the horizontal airflow.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 도포 장치는 기판이 놓여지며 공정진행 중 회전되는 척과 상기 척의 상부에 배치되며 기판 상에 약액을 공급하는 노즐을 가진다. 상기 척의 둘레에는 공정 도중 상기 약액이 외부로 튀기는 것을 방지하기 위해 캐치컵이 배치된다. 상기 캐치컵 내에는 유동 분리판이 설치되어, 상부에서 아래로 형성되는 기류의 일부와 상기 기판의 회전으로 인해 발생되는 기류의 흐름 방향을 분리한다. 또한, 상기 유동 분리판의 외측 끝단과 인접하는 위치에는 통공이 제공되어, 상기 기판으로부터 원심력에 의해 발생되는 기류와 상기 기판으로부터 튀겨져 나오는 약액 입자는 상기 유동 분리판의 하부면을 따라 아래로 흐르고, 상기 유동 분리판의 상부로부터 제공되는 기류는 상기 유동 분리판의 상부면을 따라 외측으로 흐른 후 통공을 통해 아래로 흐르도록 유도된다.In order to achieve the above object, the present invention coating apparatus has a chuck placed on the substrate and rotated during the process and a nozzle disposed on the chuck and supplying a chemical liquid on the substrate. A catch cup is arranged around the chuck to prevent the chemical liquid from splashing out during the process. A flow separating plate is installed in the catch cup to separate a part of the air flow formed from the top and the flow direction of the air flow generated by the rotation of the substrate. In addition, a hole is provided at a position adjacent to the outer end of the flow separation plate so that the air flow generated by the centrifugal force from the substrate and the chemical liquid particles splashed from the substrate flow down along the lower surface of the flow separation plate. The airflow provided from the top of the flow separator is directed to flow outward along the top surface of the flow separator and then down through the through hole.
일 예에 의하면, 상기 유동 분리판은 링 형상으로 형성되고, 상기 통공은 상기 유동 분리판의 외측 가장자리에 라운드진 슬릿으로 이루어진다. 선택적으로 상기 유동 분리판은 링 형상으로 형성되고, 끝단에는 상기 캐치컵의 내측면과 결합되는 결합부가 돌출됨으로써, 상기 유동 분리판의 외측 끝단과 상기 캐치컵의 내측면 사이에 상기 통공이 형성될 수 있다.In one example, the flow separating plate is formed in a ring shape, the through hole is formed of a slit rounded on the outer edge of the flow separating plate. Optionally, the flow separation plate is formed in a ring shape, and an end portion of the flow separation plate protrudes from the inner side of the catch cup by engaging a coupling portion coupled to the inner surface of the catch cup. Can be.
바람직하게는 상기 유동 분리판의 내측 끝단은 상기 척에 놓여진 기판보다 높게 위치되고, 상기 유동 분리판의 외측 끝단은 상기 척에 놓여진 기판보다 낮게 위치되고, 상기 캐치컵의 내측면은 평평하게 형성된다.Preferably, the inner end of the flow separator is positioned higher than the substrate placed on the chuck, the outer end of the flow separator is positioned lower than the substrate placed on the chuck, and the inner surface of the catch cup is formed flat. .
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 6을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 6. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
다음의 실시예에서는 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트를 도포하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 이는 일 예에 불과하며 본 발명의 기술적 사상은 회전척(120)을 사용하여 웨이퍼(W) 상에 소정의 약액을 도포하는 모든 장치에 적용될 수 있다. In the following embodiment, an apparatus for applying photoresist on the wafer W will be described as an example. However, this is merely an example, and the inventive concept may be applied to any apparatus for applying a predetermined chemical liquid on the wafer W using the rotary chuck 120.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 예에 따른 도포 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 도포 장치(1)는 척(chuck)(120), 캐치컵(catch cup)(140), 노즐(nozzle)(160), 그리고 유동 분리판(flow separation plate)(180)을 가진다. 척(120)은 공정 진행 중 웨이퍼(W)와 같은 반도체 기판을 지지하며, 상부면이 평평한 원판 형상을 가진다. 척(120)은 클램프와 같은 기계적 방식, 또는 진공에 의한 흡착 방식으로 웨이퍼(W)를 고정할 수 있다. 선택적으로 정전척(120)이 사용되어 웨이퍼(W)는 정전기력에 의해 척(120)에 고정될 수 있다. 척(120)의 저면에는 모터(도시되지 않음)에 의해 고속으로 회전되는 회전축(122)이 결합된다. 회전축(122)의 둘레에는 캐치컵(140)과 함께 배기라인을 형성하는 안내부(125)가 설치될 수 있다.3 is a view schematically showing a coating device 1 according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the applicator 1 includes a chuck 120, a catch cup 140, a nozzle 160, and a flow separation plate 180. Has The chuck 120 supports a semiconductor substrate such as a wafer W during the process and has a flat disc shape. The chuck 120 may fix the wafer W in a mechanical manner such as a clamp or in a suction method by vacuum. Alternatively, the electrostatic chuck 120 may be used so that the wafer W may be fixed to the chuck 120 by electrostatic force. The bottom surface of the chuck 120 is coupled to the rotating shaft 122 which is rotated at a high speed by a motor (not shown). A guide part 125 may be installed around the rotation shaft 122 to form an exhaust line together with the catch cup 140.
척(120)의 상부에는 척(120)에 놓여진 웨이퍼(W)로 포토레지스트와 같은 감광액을 공급하는 노즐(160)이 배치된다. 노즐(160)은 회전 가능하며, 웨이퍼(W)가 척(120)에 놓여지면 노즐(160)의 선단부가 척(120)의 중심으로부터 수직 상부에 위치되도록 이동된다. 척(120)이 고속으로 회전되고, 노즐(160)로부터 웨이퍼(W)의 중심으로 포토레지스트가 공급된다. 포토레지스트는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장자리로 퍼진다. A nozzle 160 for supplying a photoresist, such as a photoresist, to the wafer W disposed on the chuck 120 is disposed above the chuck 120. The nozzle 160 is rotatable, and when the wafer W is placed on the chuck 120, the tip of the nozzle 160 is moved to be positioned vertically upward from the center of the chuck 120. The chuck 120 is rotated at high speed, and photoresist is supplied from the nozzle 160 to the center of the wafer W. The photoresist spreads from the center of the wafer W to the edge by centrifugal force.
캐치컵(140)은 상부가 개방된 그릇 형상을 가지며, 포토레지스트가 외부로 튀기는 것을 방지한다. 캐치컵의 측벽(142)은 원통의 형상을 가지며, 바닥과 수직을 이루도록 배치된다. 측벽의 내측면(142a)에 경사면을 가진 함입부가 형성되는 경우 경사면을 따라 역류하는 기류가 발생되 수 있으므로, 본 실시예에서 캐치컵의 측벽의 내측면(142a)은 굴곡 없이 매끄럽게 형성된다. 캐치컵(140)의 저면에는 배기구(124)가 형성되며, 배기구(124)에는 펌프(128)가 설치된 배기관(126)이 연결된다. 캐치컵(140) 내의 공기는 포토레지스트 입자들과 함께 배기관(126)을 통해 외부로 강제 배기된다. The catch cup 140 has a bowl shape with an open top, and prevents the photoresist from splashing outward. The side wall 142 of the catch cup has a cylindrical shape and is disposed to be perpendicular to the bottom. When a recess having an inclined surface is formed in the inner side surface 142a of the side wall, airflow flowing back along the inclined surface may be generated. In this embodiment, the inner side surface 142a of the side wall of the catch cup is smoothly formed without bending. An exhaust port 124 is formed at the bottom of the catch cup 140, and an exhaust pipe 126 having a pump 128 is connected to the exhaust port 124. The air in the catch cup 140 is forced out through the exhaust pipe 126 together with the photoresist particles.
캐치컵(140) 내에는 두 개의 기류(도 5의 220, 240)가 존재한다. 기류들 중 하나는 반도체 설비 내 청정도를 유지하기 위해 설비 내의 상부면에 설치된 필터에 의해 여과된 공기의 흐름으로 상부로부터 하부로 흐르는 자연 낙하 기류(240)이고, 다른 하나는 웨이퍼(W)와 인접한 상부에 형성된 기류로 척(120)의 고속회전으로 인해 발생되는 수평 방향 기류(220)이다. 종래 기술의 문제점에서 지적한 바와 같이 이들 두 개의 기류(220, 240)가 충돌시 상승기류가 발생될 수 있다. In the catch cup 140 there are two air flows (220, 240 in FIG. 5). One of the airflows is a natural falling airflow 240 flowing from top to bottom with a stream of air filtered by a filter installed on the upper surface of the equipment to maintain cleanliness in the semiconductor equipment, and the other is adjacent to the wafer W. The air flow formed in the upper portion is a horizontal air flow 220 generated due to the high speed rotation of the chuck 120. As pointed out in the problems of the prior art, when these two air streams 220 and 240 collide, upward airflow may occur.
도 4는 유동 분리판(180)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 유동 분리판(180)은 링 형상을 가진 얇은 판으로, 자연 낙하 기류(240)와 수평 방향 기류(220)가 충돌하는 것을 방지한다. 유동 분리판(180)은 척(120)에 놓여진 웨이퍼(W)의 상부면과 인접하는 높이에 배치되도록 캐치컵(140)에 결합된다. 유동 분리판(180)은 내측 끝단(184)으로부터 외측 끝단(186)으로 갈수록 점진적으로 높이가 낮아지도록 경사지며, 내측 끝단(184)은 웨이퍼(W)보다 높게 위치되고, 외측 끝단(186)은 웨이퍼(W)보다 낮게 위치되는 것이 바람직하다. 유동 분리판(180)의 내측 끝단(184)은 측방향으로 웨이퍼(W)로부터 일정거리 이격되어 웨이퍼(W)가 척(120)에 로딩/언로딩시 웨이퍼(W)의 진로를 방해하지 않도록 한다. 또한, 유동 분리판(180)의 외측 끝단(186)과 인접하는 부분에는 통공이 형성된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 통공은 유동 분리판(180)의 외측 가장자리에 유동 분리판(180)과 동일한 곡률로 라운드진 슬릿(182)에 의해 형성될 수 있다.4 is a plan view illustrating an example of the flow separating plate 180. The flow separating plate 180 is a thin plate having a ring shape, and prevents the natural falling airflow 240 and the horizontal airflow 220 from colliding with each other. The flow separating plate 180 is coupled to the catch cup 140 to be disposed at a height adjacent to the upper surface of the wafer W placed on the chuck 120. The flow separating plate 180 is inclined so that its height gradually decreases from the inner end 184 to the outer end 186, the inner end 184 is positioned higher than the wafer W, and the outer end 186 is It is preferably located lower than the wafer W. The inner end 184 of the flow separating plate 180 is spaced a predetermined distance from the wafer W in the lateral direction so that the wafer W does not interfere with the path of the wafer W when loading / unloading the chuck 120. do. In addition, a hole is formed in a portion adjacent to the outer end 186 of the flow separating plate 180. As shown in FIG. 4, the through hole may be formed by the rounded slit 182 at the same curvature as the flow separating plate 180 at the outer edge of the flow separating plate 180.
도 5는 기류들의 흐름 방향을 보여주기 위한 것으로, 도 3의 'B'부분을 확대한 확대도이다. 유동 분리판(180)의 수직상부에서 아래로 형성된 자연 낙하 기류(244)를 따라 이동되는 공기는 유동 분리판(180)의 상부면을 따라 외측을 향해 흐른다. 이후 상술한 슬릿(또는 통공)(182)을 통해 아래로 흐르며, 상술한 안내부와 캐치컵의 바닥면(144) 사이에 형성된 배기라인을 따라 이동 후 배기관(126)을 통해 외부로 강제 배기된다. 또한, 수평 방향 기류(220)를 따라 이동되는 공기와 포토레지스트 입자, 그리고 웨이퍼(W)의 상부에서 자연 낙하 기류를 따라 이동되는 공기의 일부(242)는 유동 분리판(180)의 하부면을 따라 외측을 향해 흐르고, 이후 배기라인을 따라 이동 후 배기관(124)을 통해 외부로 배기된다. 5 is an enlarged view illustrating an 'B' portion of FIG. 3 to show a flow direction of air streams. Air moved along the natural falling airflow 244 formed downwardly from the vertical portion of the flow separator plate 180 flows outward along the upper surface of the flow separator plate 180. Thereafter, it flows down through the aforementioned slit (or through hole) 182 and is forced out through the exhaust pipe 126 after moving along the exhaust line formed between the above-described guide part and the bottom surface 144 of the catch cup. . In addition, the air and photoresist particles moving along the horizontal airflow 220, and the portion 242 of the air moving along the natural falling airflow at the top of the wafer W may form the lower surface of the flow separation plate 180. It flows toward the outside, and is then exhausted through the exhaust pipe 124 after moving along the exhaust line.
본 실시예에 의하면, 유동 분리판(180)이 자연 낙하 기류(244)를 수평 방향 기류(220)와 분리되도록 안내하므로 이들 기류들(220, 244)의 충돌로 인한 상승기류의 발생이 방지된다. 이로 인해 포토레지스트 입자가 상승기류를 타고 이동 중 웨이퍼(W) 상으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.According to the present embodiment, the flow separating plate 180 guides the natural falling air stream 244 to be separated from the horizontal air stream 220, thereby preventing the occurrence of rising air flow due to the collision of these air streams 220 and 244. . As a result, the photoresist particles may be prevented from falling onto the wafer W during the movement in the upward airflow.
또한, 유동 분리판(180)은 일 방향으로 경사지도록 형성되고 캐치컵의 측벽의 내측면(142a)이 평평하게 형성되므로 유동 분리판(180)의 아래로 이동된 공기의 역류가 방지된다. 따라서 수평 방향 기류(220)가 원활하게 배기되므로 웨이퍼(W)의 가장자리에서 포토레지스트가 설정치보다 두껍게 도포되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the flow separating plate 180 is formed to be inclined in one direction and the inner side surface 142a of the side wall of the catch cup is formed flat, backflow of air moved below the flow separating plate 180 is prevented. Therefore, since the horizontal airflow 220 is smoothly exhausted, it is possible to prevent the photoresist from being applied thicker than the set value at the edge of the wafer (W).
도 6은 도 4의 유동 분리판(180′)의 다른 예를 보여주는 평면도이다. 도 6을 참조하면, 유동 분리판(180′)은 원판형의 링 형상으로 형성되며, 외측 가장자리에는 캐치컵의 측벽(142)과 결합되는 복수의 연결부들(184)이 돌출된다. 유동 분리판(180)과 캐치컵(140)이 결합되면 연결부(184)가 형성되지 않은 유동 분리판의 외측 끝단(186)과 캐치컵의 측벽의 내측면(142a) 사이에는 이격된 공간이 형성되며, 이는 상술한 바와 같이 자연 낙하 기류(244)의 이동로인 통공으로서 기능 한다. 도 4의 유동 분리판(180) 사용시 통공은 캐치컵(140)의 내측면으로부터 일정거리 이격된 부분에 형성되므로, 유동 분리판(180)의 상부면을 따라 이동되는 기류 중 일부(244)는 슬릿을 지나 유동 분리판(180)과 캐치컵(140)이 접촉되는 부분에서 비록 미세하나마 역류될 수 있다. 그러나 도 6의 유동 분리판(180) 사용시 유동 분리판(180)의 상부면을 따라 이동되는 기류(244)는 모두 통공을 지나 아래로 흐르므로 기류가 역류되지 않는다.6 is a plan view illustrating another example of the flow separator 180 ′ of FIG. 4. Referring to FIG. 6, the flow separating plate 180 ′ is formed in a disk-shaped ring shape, and a plurality of connecting portions 184 coupled to the sidewall 142 of the catch cup protrude from the outer edge thereof. When the flow separator plate 180 and the catch cup 140 are coupled, a space is formed between the outer end 186 of the flow separator plate in which the connecting portion 184 is not formed and the inner side surface 142a of the side wall of the catch cup. As described above, it functions as a through hole which is a movement path of the natural falling airflow 244. When using the flow separator plate 180 of FIG. 4, since the through hole is formed at a portion spaced apart from the inner surface of the catch cup 140, some of the airflows 244 moved along the upper surface of the flow separator plate 180 may be At the portion where the flow separator plate 180 and the catch cup 140 are in contact with each other through the slit, it may be minutely flowed back. However, when the flow separation plate 180 of FIG. 6 is used, all of the air flows 244 moving along the upper surface of the flow separation plate 180 flows down through the through hole so that the air flow does not flow back.
본 발명에 의하면, 도포 장치는 유동 분리판을 구비하므로 상승기류 형성의 원인이 되는 수평 방향 기류와 자연 낙하 기류의 충돌이 방지된다. 따라서 일반적인 장치처럼 포토레지스트 입자가 웨이퍼로 다시 떨어지는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the coating apparatus includes a flow separating plate, collision between the horizontal airflow and the natural falling airflow, which causes the rise of the airflow, is prevented. Thus, the photoresist particles can be prevented from falling back to the wafer as in a general apparatus.
또한, 본 발명에 의하면, 유동 분리판은 일방향으로 경사지도록 형성되고 캐치컵의 내측면은 평평하게 형성되므로 유동 분리판의 아래로 이동된 공기가 캐치컵의 내측면을 타고 역류되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 웨이퍼의 회전으로 인해 발생되는 수평 방향 기류가 원활하게 배기되므로 웨이퍼의 가장자리에 포토레지스트가 설정치보다 두껍게 도포되는 것이 방지된다.In addition, according to the present invention, since the flow separator is formed to be inclined in one direction and the inner surface of the catch cup is formed flat, it is possible to prevent the air moved below the flow separator from flowing backward through the inner surface of the catch cup. have. Accordingly, the horizontal airflow generated by the rotation of the wafer is smoothly exhausted, thereby preventing the photoresist from being applied to the edge of the wafer thicker than the set value.
도 1은 일반적인 포토레지스트 도포 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;1 is a cross-sectional view schematically showing a general photoresist application apparatus;
도 2는 도 1의 장치에서 기류의 흐름을 보여주는 'A'부분의 확대도;FIG. 2 is an enlarged view of portion 'A' showing the flow of airflow in the device of FIG.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 예에 따른 포토레지스트 도포 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;3 is a cross-sectional view schematically showing a photoresist coating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
도 4는 도 3의 유동 분리판의 평면도;4 is a plan view of the flow separator of FIG. 3;
도 5는 도 3의 장치에서 기류의 흐름을 보여주는 'B'부분의 확대도; 그리고5 is an enlarged view of portion 'B' showing the flow of airflow in the apparatus of FIG. And
도 6은 도 4의 유동 분리판의 변형된 예를 보여주는 평면도이다.6 is a plan view illustrating a modified example of the flow separator of FIG. 4.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
120 : 척 140 : 캐치컵120: Chuck 140: Catch Cup
160 : 노즐 180 : 유동 분리판160: nozzle 180: flow separation plate
220 : 수평 방향 기류 240 : 자연 낙하 기류220: horizontal direction air flow 240: natural drop air flow
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040008390A KR100629917B1 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040008390A KR100629917B1 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050080316A true KR20050080316A (en) | 2005-08-12 |
KR100629917B1 KR100629917B1 (en) | 2006-09-28 |
Family
ID=37267133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040008390A KR100629917B1 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100629917B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101536718B1 (en) * | 2013-01-31 | 2015-07-15 | 세메스 주식회사 | Substrate support unit, substrate transffering unit, substrate treating apparatus and substrate treating method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102634281B1 (en) * | 2020-12-21 | 2024-02-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating a substrate |
KR20220108560A (en) | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of processing substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63181320A (en) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Nec Yamagata Ltd | Apparatus for applying resist |
JPS63283131A (en) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Hitachi Ltd | Rotary coater for semiconductor |
JPH0380527A (en) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Hitachi Ltd | Rotary resist coating apparatus |
US6527860B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-03-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
2004
- 2004-02-09 KR KR1020040008390A patent/KR100629917B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101536718B1 (en) * | 2013-01-31 | 2015-07-15 | 세메스 주식회사 | Substrate support unit, substrate transffering unit, substrate treating apparatus and substrate treating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100629917B1 (en) | 2006-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI529008B (en) | Liquid processing device | |
KR930010972B1 (en) | Coating apparatus of liquid material | |
JP5156114B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP5954266B2 (en) | Coating film forming device | |
JP6022430B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4008935B2 (en) | Substrate surface treatment equipment | |
KR20100100640A (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and resist coating method | |
JP4621038B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning method and semiconductor wafer cleaning apparatus | |
JP2020115513A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US11097318B2 (en) | Cup wash disk with shims | |
KR100689664B1 (en) | Apparatus for cleaning a wafer | |
KR100629917B1 (en) | Coating apparatus used in manufacturing semiconductor devices | |
JP5036415B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP2013207265A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4804407B2 (en) | Liquid processing equipment | |
US20050178321A1 (en) | Semiconductor substrate processing apparatus | |
KR100757846B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
US10379441B2 (en) | Liquid processing apparatus | |
JP4912020B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP4492939B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5375793B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP2006186117A (en) | Substrate holder and substrate rotating processor | |
JP2013207266A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4018232B2 (en) | Spin processing equipment | |
JP2007115775A (en) | Semiconductor wafer washing apparatus and method of washing semiconductor wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090903 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |