KR20050079699A - 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

표시 품질을 향상시키기 위한 표시장치 및 이의 제조 방법을 개시한다. 표시장치는 제1 및 제2 유기 절연막 및 반사 전극을 갖는 제1 기판 및 제1 기판과 결합하는 제2 기판을 구비한다. 제1 유기 절연막은 상면에 광을 정면 반사하도록 형성된 다수의 요철부를 갖는다. 제2 유기 절연막은 다수의 요철부로 인해 불균일한 셀 갭을 균일하게 유지하도록 평탄화 작용을 한다. 이에 따라, 표시장치는 균일한 셀갭을 유지할 수 있으므로, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

표시장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질을 향상시키기 위한 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시장치는 액정에 의한 빛의 변조를 이용하여 영상을 표시하는 평판 표시장치이다. 액정표시장치는 광을 이용하여 화상을 표시하는 액정표시패널 및 광을 액정표시패널로 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다.

액정표시패널은 각 화소를 스위칭하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)가 형성된 TFT 기판과, 색화소가 형성된 컬러필터 기판 및 TFT 기판 및 컬러필터 기판과의 사이에 밀봉된 액정층으로 구성된다.

액정층을 이루는 액정은 두 개의 기판 사이에 가해지는 전계에 따라서 배열이 변경되고, 배열에 따라서 광 투과도(light transmittance)가 변경되는 특징을 갖는다.

액정표시장치의 동작 모드는 액정 분자의 배열 방향에 따라 분류된다. 액정표시장치의 동작 모드는 트위스틱 네마틱 모드(twisted nematic mode; 이하, TN 모드), 인플레인 스위칭 모드(In-Plane Switching mode : 이하, IPS 모드) 및 수직배향 모드(Vertical Alignment mode : 이하, VA 모드) 등이 있다. VA 모드는 두 기판에 형성되는 두 전극에 대하여 수직 배열되는 액정을 이용한다. VA 모드는 시야각을 향상시키고, 표시 품질을 향상시킨다.

액정표시장치는 액정에 인가되는 전압의 크기를 조절하여 화면에 영상 정보를 표시하는 장치이므로, 전압에 따라 빛이 투과되는 정도가 다른 특성을 바탕으로 계조를 조절한다. 액정에 인가되는 전압은 일반적으로 가변 저항과 고정 저항을 써서 제어한다.

도 1은 종래의 반사-투과형 액정표시장치에서 전압에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 2는 종래의 반사-투과형 액정표시장치에서 전압에 따른 반사율의 변화를 나타낸 그래프이다.

여기서, 도 1은 VA 모드를 적용한 반사-투과형 액정표시장치에서 셀 갭에 따른 전압-투과율(Voltage-Transmittance : 이하, T-V) 곡선을 나타내고, 도 2는 VA 모드를 적용한 반사-투과형 액정표시장치에서 셀 갭에 따른 전압-반사율(Voltage-Reflectance : 이하, T-R) 곡선을 나타낸다.

액정표시장치의 셀 갭은 부분적으로 조금씩 차이를 갖는다. 도 1 및 도 2는 액정표시장치가 제1 내지 제4 셀 갭(A, B, C, D)을 갖고, 제1 셀 갭(A)으로부터 제4 셀 갭(D)으로 갈수록 그 값이 커질 경우를 일례로한 그래프이다.

액정표시장치의 전압-투과율 곡선을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 액정표시장치는 셀 갭의 차이와 관계없이 전압의 변화에 따라 거의 동일한 투과율을 나타낸다.

액정표시장치의 전압-반사율 곡선을 살펴보면, 도 2 도시된 바와 같이, 전압이 약 3V일 때, 범프(bump)가 발생한다. 또한, 전압이 상승할수록 셀 갭에 따른 반사율도 조금씩 다르게 나타난다. 이때, 반사율은 제1 셀 갭(A), 제4 셀 갭(D), 제3 셀 갭(C) 및 제2 셀 갭(B) 순으로 갈수록 줄어든다.

전압-반사율 곡선에서 나타나는 범프 현상은 TFT 기판 및 컬러필터 기판의 결합 시, 두 기판 사이의 얼라인 결함에 의해 발생된다. 즉, 투과 영역으로 제공되어야 할 전압이 미스 얼라인으로 인해 반사 영역으로 제공되어 범프 현상을 유발함으로써, 휘도 분포의 불균일을 초래하여 표시 품질이 저하된다.

이러한 현상을 방지하기 위해서는 TFT 기판 상에 형성되는 유기 절연막의 최적 두께를 산출해야한다. 그러나, 반사 영역의 유기 절연막은 엠보싱 형상으로 형성되므로, 반사 영역의 셀 갭을 균일하게 유지하기가 어렵고, 유기 절연막의 적정 두께를 산출하기가 어렵다.

본 발명의 목적은 셀 갭을 균일하게 유지하여 표시 품질을 향상시키기 위한 표시장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 표시장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 표시장치는 제1 기판, 제2 기판 및 액정층으로 이루어진다.

제1 기판은 제1 투명기판, 박막 트랜지스터, 제1 유기 절연막, 화소 전극 및 제2 유기 절연막을 구비한다. 박막 트랜지스터는 상기 제1 투명기판 상에 구비된다. 제1 유기 절연막은 상기 박막 트랜지스터 상에 구비되고 상면에 외부로부터 제공되는 광의 반사 효율을 향상시키도록 형성된 요철부를 갖는다. 화소 전극은 상기 제1 유기 절연막 상에 구비된다. 제2 유기 절연막은 상기 화소 전극 상에 구비되어 균일한 셀 갭을 유지한다. 한편, 제2 기판은 상기 제1 기판과 서로 대향하게 결합한다. 액정층은 상기 제1 및 제2 기판과의 사이에 개재되어 상기 광의 굴절율을 조절한다.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 표시장치 제조 방법은 제1 기판을 형성하는 단계, 제2 기판을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 기판을 결합하는 단계 및 상기 제1 및 제2 기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계로 이루어진다. 상기 제1 기판을 형성하는 단계는 먼저, 제1 투명기판의 영역 중에서 광을 반사하는 제1 영역에 박막 트랜지스터를 형성한 후, 상기 제1 영역 상에 제1 유기 절연막을 형성한다. 이어, 상기 제1 유기 절연막의 상부 및 상기 광을 투과하는 제2 영역에 화소 전극을 형성하고, 상기 제1 영역의 화소 전극 상에 반사 전극을 형성한다. 이어, 상기 반사 전극 상에 제2 유기 절연막을 형성한다.

이러한 표시장치 및 이의 제조 방법에 의하면, 제2 유기 절연막을 이용하여 균일한 셀 갭을 유지할 수 있으므로, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.

보다 상세히는, 상기 액정표시장치(400)는 제1 기판(100), 상기 제1 기판(100)과 서로 대향하여 결합하는 제2 기판(200), 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)과의 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.

구체적으로, 상기 제1 기판(100)은 제1 투명기판(110), 상기 제1 투명기판(110) 상에 구비되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)(120), 상기 TFT(120)를 보호하는 보호막(130), 상기 보호막(130) 상에 구비되는 제1 유기 절연막(140), 상기 제1 유기 절연막(140) 상에 구비되는 화소 전극(150), 상기 화소 전극(150) 상에 구비되는 반사 전극(160), 및 상기 반사 전극(160) 상에 구비되는 제2 유기 절연막(170)을 포함한다.

구체적으로, 상기 제1 투명기판(110)은 외부로부터 제공되는 광을 투과시키기 위해 투명한 재질 예컨대, 유리, 석영 및 사파이어와 같은 재질로 이루어진다. 상기 제1 투명기판(110)은 상기 광을 반사하는 제1 영역(RA), 상기 광을 투과하는 제2 영역(TA)으로 이루어진다.

상기 제1 투명기판(110) 상에는 상기 TFT(120)가 구비된다. 상기 TFT(120)는 상기 제1 영역(RA)에 위치하고, 상기 액정층(300)에 신호 전압을 인가하거나 차단한다.

상기 TFT(120)가 형성된 상기 제1 투명기판(110) 상에는 상기 보호막(130)이 구비된다. 상기 보호막(130)은 상기 제1 및 제2 영역(RA,TA)에 형성된다.

상기 보호막(130)의 상부에는 상기 제1 유기 절연막(140)이 구비된다. 상기 제1 유기 절연막(140)은 상기 제1 영역(RA)에 위치한다.

상기 제1 유기 절연막(140)이 형성된 상기 보호막(130)의 상부에는 상기 화소 전극(150)이 구비된다. 상기 화소 전극(150)은 상기 제1 영역(RA)에서 상기 제1 유기 절연막(140)과 접하고, 상기 제2 영역(TA)에서 상기 보호막(130)과 접한다.

상기 화소 전극(150)의 상부에는 상기 반사 전극(160)이 구비된다. 상기 반사 전극(160)은 상기 제1 영역(RA)에 위치하고, 상기 광을 반사하여 상기 제2 기판(200)으로 출사한다.

상기 반사 전극(160)의 상부에는 상기 제2 유기 절연막(170)이 구비된다. 상기 제2 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(RA)에 위치한다.

한편, 상기 제2 기판(200)은 제2 투명기판(210), 상기 제2 투명기판(210) 상에 형성된 컬러필터 층(220), 상기 컬러필터 층(220) 상에 부분적으로 형성된 제1 절연층(230), 상기 제1 절연층(230) 및 상기 컬러필터 층(220) 상에 형성된 공통 전극(240), 및 상기 공통 전극(240) 상에 형성된 제2 절연층(250)을 포함한다. 상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 결합 시, 상기 컬러필터 층(220) 및 상기 제2 유기 절연막(170)이 서로 마주보도록 결합한다.

상기 제2 투명기판(210)은 상기 제1 투명기판(110)과 동일한 재질로 이루어진다.

상기 컬러필터 층(220)은 상기 광을 이용하여 소정의 색으로 발현하는 색화소(221) 및 상기 색화소(221)를 둘러싼 블랙 매트릭스(222)를 포함한다.

상기 색화소(221)는 박막 공정에 의해 형성된다. 일반적으로, 상기 색화소(221)로는 RGB 색화소가 사용되며, 하나의 화소 영역에는 하나의 색화소가 위치한다. 상기 색화소(221)는 적색, 녹색 및 푸른색의 안료 또는 염료를 갖는 포토레지스트를 이용하여 생성된다.

상기 색화소(221)는 상기 광을 상기 반사 전극(150)으로 제공하도록 일부분이 제거되어 형성된 홀(20)을 갖는다.

상기 색화소(221)는 화상을 디스플레이하기 위한 색을 배열하는 규칙에 따라 일정 패턴으로 배열되며, 약 1.0㎛ ~ 2.0㎛ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다.

상기 블랙 매트릭스(222)는 상기 색화소(221)를 둘러싸고, 색화소(221)로부터 출사된 광을 차단한다.

상기 블랙 매트릭스(222)는 상기 TFT(120)와 대응하게 배치되어 상기 TFT(120)를 상기 표시패널(400)의 외부에서 인식하지 못하도록 한다. 상기 블랙 매트릭스(222)는 크롬(Cr)을 이용하여 형성하거나, 카본(carbon) 안료 또는 RGB 혼합 안료가 분산된 포토레지스트를 이용하여 형성한다.

상기 컬러필터 층(220)의 상부에는 상기 제1 절연층(230)이 구비된다. 상기 제1 절연층(230)은 상기 제2 영역(TA)에 위치한다.

상기 제1 절연층(230)이 형성된 상기 컬러필터 층(220) 상에 상기 공통 전극(240)이 구비된다. 상기 공통 전극(240)은 상기 제1 및 제2 영역(RA, TA)에 위치한다. 이때, 상기 공통 전극(240)은 상기 제1 영역(RA)에서 상기 컬러필터 층(220) 상에 위치하고, 상기 제2 영역(TA)에서 상기 제1 절연층(230) 상에 위치한다. 상기 공통 전극(240)은 ITO와 같은 투명한 재질로 형성된 전극으로, 상기 액정층(300)에 공통 전압을 인가한다.

상기 공통 전극(240) 상에는 상기 제2 절연층(250)이 구비된다. 상기 제2 절연층(250)은 상기 제1 영역(RA)에 위치한다.

상기 제1 및 제2 절연층(230, 250)은 제2 기판(200)의 상기 액정층(300)과 접하는 면이 평탄하도록 형성하여 균일한 셀 갭을 유지한다.

한편, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)과의 사이에는 상기 액정층(300)이 개재된다. 상기 액정층(300)은 수직배향 모드 액정(Vertical Alignment mode liquid crystal)으로 이루어진다. 상기 수직배향 모드 액정은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 대해서 수직 방향으로 배치된다.

도 4는 도 3에 도시된 제1 기판을 나타낸 단면도이다.

도 4를 참조하면, 상기 제1 투명기판(110)의 제1 영역(RA)에 상기 TFT(120)가 형성된다. 상기 TFT(120)는 상기 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극(121), 상기 게이트 전극(121)을 보호하기 위한 게이트 절연막(122), 상기 게이트 절연막(122)의 상부에 형성된 액티브 층(123), 상기 액티브 층(123)의 상부에 형성된 오믹 콘택층(124) 및 상기 오믹 콘택층(124)의 상부 및 상기 게이트 절연막(122)의 상부의 일부에 형성된 소오스 및 드레인 전극(125, 126)을 포함한다.

구체적으로, 상기 게이트 전극(121)은 게이트 신호를 전송하는 게이트 라인(미도시)으로부터 소정의 길이로 연장되어 형성되며, 도전성 금속으로 이루어진다. 상기 도전성 금속으로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등이 사용되며, 이중에서도 주로 알루미늄(Al)이 사용된다. 상기 게이트 전극(121)은 도전성 금속을 마스크를 이용한 사진 식각 공정에 의해 패터닝하여 형성된다.

상기 게이트 전극(121)이 형성된 상기 제1 투명기판(110) 상에는 상기 게이트 절연막(122)이 증착된다. 상기 게이트 절연막(122)은 상기 제1 및 제2 영역(RA, TA)에 모두 위치한다. 상기 게이트 절연막(122)은 금속 물질과의 접착력이 좋고 계면에 공기층의 형성을 억제하는 산화실리콘(SiO₂)이나 질화실리콘(SiN_X)과 같은 무기 절연물질로 이루어진다. 상기 게이트 절연막(122)은 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition : 이하, PECVD) 방법에 의해 상기 제1 절연 기판(110) 상에 증착되며, 약 4500Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 게이트 절연막(122)의 상부에는 상기 게이트 전극(121)과 대응하는 위치에 비정질실리콘으로 이루어진 상기 액티브 층(123) 및 n+ 비정질실리콘으로 이루어진 상기 오믹 콘택층(124)이 순차적으로 적층된다.

상기 오믹 콘택층(124)은 약 500Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 중앙부가 식각되어 채널 영역을 형성한다. 상기 액티브 층(123)은 상기 채널 영역을 통해 일부분이 노출되며, 약 2000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 채널 영역을 중심으로 두 개로 분리된 상기 오믹 콘택층(124)의 상부에는 상기 소오스 및 드레인 전극(125, 126)이 각각 구비된다. 상기 소오스 및 드레인 전극(125, 126)은 일부분이 상기 오믹 콘택층(124)의 상면과 접하고, 나머지 부분은 상기 게이트 절연막(122)의 상면과 접한다.

상기 소오스 전극(125)은 데이터 신호를 전송하는 데이터 라인(미도시)으로부터 분기되어 형성된다. 상기 드레인 전극(126)은 상기 소오스 전극(125)으로부터 소정 간격 이격되어 형성되며, 상기 소오스 전극(125)과 상기 드레인 전극(126)의 사이에는 상기 채널 영역이 위치한다.

상기 소오스 및 드레인 전극(125, 126)의 상부에는 상기 보호막(140)이 증착된다. 상기 보호막(140)은 상기 제1 및 제2 영역(RA, TA)에 형성된다.

상기 보호막(140)의 상부에는 상기 제1 유기 절연막(150)이 구비된다. 상기 제1 유기 절연막(150)은 상기 제1 영역(RA)에 위치하고, 상면에 상기 광을 정면 반사하기 위한 다수의 요철부(141)가 형성된다. 상기 제1 유기 절연막(150) 및 상기 보호막(140)은 일부분이 제거되어 상기 드레인 전극(126)을 일부분 노출시키기 위한 콘택홀(10)을 형성한다.

상기 제1 유기 절연막(140)의 상부에는 상기 화소 전극(150)이 구비된다. 상기 화소 전극(150)은 상기 콘택홀(10)을 통해 상기 드레인 전극(125)과 접촉되어 상기 액정층(300)으로 신호 전압을 인가한다. 상기 화소 전극(150)은 투명한 전도성 재질의 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하, ITO)로 이루어진다.

상기 제1 영역(RA)에서 상기 화소 전극(150)의 상부에는 상기 반사 전극(160)이 구비된다. 이때, 상기 반사 전극(160)의 상면은 상기 제1 유기 절연막(140)에 형성된 다수의 요철부(141)와 동일한 형상을 갖는다.

상기 반사 전극(160) 상에는 상기 제2 유기 절연막(170)이 구비된다. 상기 제2 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(RA)의 균일한 셀 갭을 유지하도록 상기 제1 유기 절연막(140)과 달리 상면이 편평하게 형성된다.

상기 제1 영역(RA)은 상기 다수의 요철부(141)의 볼록한 부분의 셀 갭과 오목한 부분의 셀 갭이 다르게 나타나므로, 균일한 셀 갭을 유지하기 어렵다. 상기 제2 유기 절연막(170)은 평탄화 작용을 함으로써, 상기 제1 영역(RA)의 셀 갭을 균일하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 상기 액정표시장치(400)는 상기 전압-반사율 곡선에서 범프가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 제1 기판의 공정 과정을 나타낸 단면도이다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 TFT(120)가 형성된 상기 제1 투명기판(110) 상에 상기 보호막(130) 및 제1 포토 레지스트(40)를 순차적으로 증착한다. 상기 제1 포토 레지스트(40)의 상부에는 부분적으로 개구된 제1 마스크(500)가 구비된다. 상기 제1 마스크(500)는 상기 제1 포토 레지스트(40)와 소정의 거리로 이격되어 배치된다. 상기 제1 포토 레지스트(40)는 상기 마스크(500)의 상부로부터 조사되는 자외선(UV)에 의해 상기 제2 영역(TA)에 위치하는 제1 포토 레지스트(40)가 제거된다.

상기 제1 포토 레지스트(40)는 상기 자외선(UV)에 노출된 부분이 제거되는 포지티브 포토 레지스트 및 상기 자외선(UV)에 노출되지 않은 부분이 제거되는 네거티브 포토 레지스트가 있다. 이때, 상기 제1 마스크(500)는 상기 제1 포토 레지스트(40)의 종류에 따라 상기 자외선을 투과하는 개구부와 상기 자외선을 차단하는 차광부가 서로 다르게 형성된다.

도 5b는 상기 포지티브 포토 레지스트를 일례로 도시하였다. 따라서, 상기 제1 마스크(500)의 개구부는 상기 제2 영역(TA)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 포토 레지스트(40)는 상기 개구부에 대응하는 부분이 제거된다.

도 5c를 참조하면, 제2 마스크(미도시)에 의해 상기 제1 포토 레지스트(40)의 상면에 다수의 요철부(141)를 형성하여 상기 제1 유기 절연막(140)을 완성한다. 이때, 상기 제1 유기 절연막(140) 및 상기 보호막(130)은 일부분이 제거되어 상기 콘택홀(10)을 형성한다.

상기 다수의 요철부(141)는 약 5 ~ 15도의 주경사도를 갖는 것이 바람직하다. 상기 다수의 요철부(141)가 형성된 상기 제1 유기 절연막(140)은 베이크 공정에 의해 경화된다.

도 5d를 참조하면, 상기 제1 유기 절연막(140)의 상부 및 상기 보호막(130)의 상부에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하, ITO)와 같이 전도성 투명 재질로 이루어진 화소 전극(150)을 도포한다.

도 5e를 참조하면, 상기 화소 전극(150)의 상부에는 상기 반사 전극(160)을 형성하기 위한 도전성 금속이 증착된다. 상기 도전성 금속은 약 1500 ~ 4000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 금속은 제3 마스크(미도시)를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 제2 영역(TA)이 제거된 상기 반사 전극(160)을 형성한다. 이때, 상기 반사 전극(160)은 상기 제1 유기 절연막의 다수의 요철부(141)로 인해 엠보싱 형상을 갖는다. 상기 반사 전극(160)은 상기 엠보싱을 이용하여 상기 외부광을 정면 반사하므로, 정면 휘도를 향상시킬 수 있다.

도 5f를 참조하면, 상기 반사 전극(160)의 상부 및 상기 제2 영역(TA)에 위치하는 상기 화소 전극(150)의 상부에 제2 포토 레지스트가 증착된다. 상기 제2 포토 레지스트는 상기 제1 마스크(500)를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 제2 영역(TA)이 제거되어 상기 제2 유기 절연막(170)을 형성한다.

상기 제2 포토 레지스트는 상기 제1 포토 레지스트(40)(도 5b 참조)와 동일하게 제2 영역(TA)이 제거된다. 따라서, 와 동일하는 종류의 포토 레지스트일 경우 하나의 마스크를 이용하여 사진 식각 공정이 이루어질수 있으므로, 상기 제1 및 제2 포토 레지스트가 동일한 재질로 이루어진 것이 바람직하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 제1 기판은 광의 반사 효율을 향상시키도록 형성된 다수의 요철부를 갖는 제1 유기 절연막 및 반사 전극 상에 구비되는 제2 유기 절연막을 갖는다. 제2 유기 절연막은 다수의 요철부로 인해 불균일한 제1 영역의 셀 갭을 균일하게 유지하도록 평탄화 작용을 한다. 이에 따라, 액정표시장치는 휘도를 균일하게 유지할 수 있고, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 종래의 반사-투과형 액정표시장치에서 전압에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다.

도 2는 종래의 반사-투과형 액정표시장치에서 전압에 따른 반사율의 변화를 나타낸 그래프이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.

도 4는 도 3에 도시된 제1 기판을 나타낸 단면도이다.

도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 제1 기판의 공정 과정을 나타낸 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 제1 기판 200 : 제2 기판

300 : 액정층 400 : 액정표시장치

Claims (8)

1. 제1 투명기판, 상기 제1 투명기판 상에 구비되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 구비되고 상면에 외부로부터 제공되는 광의 반사 효율을 향상시키도록 형성된 요철부를 갖는 제1 유기 절연막, 상기 제1 유기 절연막 상에 구비되는 화소 전극, 및 상기 화소 전극 상에 구비되어 균일한 셀 갭을 유지하는 제2 유기 절연막을 갖는 제1 기판;

   상기 제1 기판과 서로 대향하게 결합하는 제2 기판; 및

   상기 제1 및 제2 기판과의 사이에 개재되어 상기 광의 굴절율을 조절하는 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판은,

   상기 화소 전극과 상기 제2 유기 절연막과의 사이에 개재되어 상기 광을 반사하는 반사 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 투명 기판은 상기 광을 반사하는 제1 영역 및 상기 광을 투과하는 제2 영역으로 이루어지고,

   상기 박막 트랜지스터, 상기 제1 및 제2 유기 절연막, 및 상기 반사 전극은 상기 제1 영역에 위치하며,

   상기 화소 전극은 상기 제1 및 제2 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 제2 기판은,

   제2 투명기판;

   상기 제2 투명기판 상에 구비되고, 상기 광을 이용하여 소정의 색을 발현하는 컬러필터 층;

   상기 컬러필터 층 상에 구비되고, 상기 제2 영역에 위치하는 제1 절연층;

   상기 제1 절연층을 커버하도록 상기 제1 및 제2 영역 상에 구비된 공통 전극; 및

   상기 제1 영역에서 상기 공통 전극 상에 위치하는 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
5. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유기 절연막은 동일한 포토 레지스트로 이루어지고,

   상기 제1 및 제2 유기 절연막은 네거티브 포토 레지스트 및 포지티브 포토 레지스트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
6. 제1 기판을 형성하는 단계;

   제2 기판을 형성하는 단계;

   상기 제1 및 제2 기판을 결합하는 단계; 및

   상기 제1 및 제2 기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,

   상기 제1 기판을 형성하는 단계는,

   제1 투명기판의 영역 중에서 광을 반사하는 제1 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;

   상기 제1 영역 상에 제1 유기 절연막을 형성하는 단계;

   상기 제1 유기 절연막의 상부 및 상기 광을 투과하는 제2 영역에 화소 전극을 형성하는 단계;

   상기 제1 영역의 화소 전극 상에 반사 전극을 형성하는 단계; 및

   상기 반사 전극 상에 제2 유기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 제1 유기 절연막을 형성하는 단계는,

   포토 레지스트를 상기 박막 트랜지스터가 형성된 제1 투명기판 상에 증착하는 단계;

   부분적으로 개구된 마스크를 이용하여 상기 제2 영역 상에 위치하는 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계; 및

   상기 제1 포토 레지스트의 상면에 요철부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 제2 유기 절연막을 형성하는 단계는,

   상기 포토 레지스트를 상기 화소 전극 상에 증착하는 단계; 및

   상기 마스크를 이용하여 상기 제2 영역 상에 위치하는 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조 방법.