KR20050078488A - Semiconductor chip testing device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자와 접촉되는 접촉부가 돌출되도록 형성되어 상기 반도체소자를 통해 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성을 정확하게 판단할 수 있도록 하는 기판을 포함하여 구성되는 반도체소자 검사장치에 관한 것으로써, 외부와 신호의 송수신이 이루어지도록 하는 반도체소자와 상기 반도체소자와 접촉되는 부분이 돌출되어 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성이 왜곡없이 감지되도록 하는 인쇄회로기판을 포함하여 구성되어, 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성이 왜곡없이 감지되어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한 상기 기판의 사용가능 횟수가 증가하게 되므로 제작비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus including a substrate formed to protrude a contact portion in contact with the semiconductor device to accurately determine the transmission and reception frequency band characteristics of a signal input and output through the semiconductor device. And a printed circuit board for transmitting and receiving signals, and a printed circuit board for protruding a portion contacting the semiconductor device so that transmission and reception frequency band characteristics of a signal input and output from the semiconductor device can be detected without distortion. Transmitting and receiving frequency band characteristics of the signal input and output from the device can be detected without distortion to improve the reliability of the product, and also increase the number of usable substrates, there is an effect that can reduce the manufacturing cost.
Description
본 발명은 반도체소자 검사장치에 관한 것으로, 특히 반도체소자와 접촉되는 접촉부가 돌출되도록 형성되어 상기 반도체소자를 통해 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성을 정확하게 판단할 수 있도록 하는 기판을 포함하여 구성되는 반도체소자 검사장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus, and more particularly, to a semiconductor including a substrate formed to protrude a contact portion in contact with the semiconductor device so as to accurately determine transmission and reception frequency band characteristics of a signal input and output through the semiconductor device. It relates to an element inspection device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치의 구성 및 문제점을 설명하면 다음과 같다. 도 1는 종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치 기판의 제 1실시예를 도시한 도이고, 도 2은 종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치 기판의 제 2실시예를 도시한 도이다. Hereinafter, a configuration and a problem of a semiconductor device inspection apparatus according to the prior art will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a view showing a first embodiment of a semiconductor device inspection device substrate according to the prior art, Figure 2 is a view showing a second embodiment of a semiconductor device inspection device substrate according to the prior art.
종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치는 주파수 대역특성을 검사하고자 하는 반도체소자와, 상기 반도체 소자와 접촉되어 상기 소자의 특성을 감지하는 인쇄회로 기판을 포함하여 구성된다. The semiconductor device inspection apparatus according to the related art includes a semiconductor device for inspecting frequency band characteristics and a printed circuit board in contact with the semiconductor element to sense characteristics of the device.
또한, 상기 반도체소자가 신호의 송수신이 모두 이루어지도록 하는 반도체소자 등과 같은 경우에는 상기 반도체 칩에 형성되는 송수신호 검사포트와 상기 인쇄회로 기판이 연결되어 상기 반도체 칩의 신호 송수신 특성을 판단하게 된다. In addition, in the case of a semiconductor device such that the semiconductor device transmits and receives signals, the transmission / reception call inspection port formed on the semiconductor chip and the printed circuit board are connected to determine signal transmission / reception characteristics of the semiconductor chip.
이때, 상기 인쇄회로기판은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반도체소자(2)로부터 입출력되는 신호(3)가 상기 송수신호 검사포트로 전달되도록 상기 반도체소자(2)와 기판(1a)이 서로 접촉시에 나타나는 불균형을 방지하기 위하여 고무패널(4)을 상기 반도체소자(2)와 기판(1a) 사이에 설치한다.In this case, as shown in FIG. 1, the semiconductor device 2 and the substrate 1a are connected to each other such that a signal 3 input / output from the semiconductor device 2 is transmitted to the transmission / reception call inspection port. In order to prevent the imbalance which appears at the time of contact, the rubber panel 4 is provided between the semiconductor element 2 and the substrate 1a.
상기 고무패널(4)은 고무로 형성되며, 내부에 미세한 철심이 있어, 상기 표면탄성파 듀플렉서와 기판을 연결하여 신호를 전달한다.The rubber panel 4 is formed of rubber and has a fine iron core therein, and connects the surface acoustic wave duplexer and a substrate to transmit a signal.
그러나, 상기와 같이 구성되는 종래 기술에 따른 인쇄회로기판은 850MHz 대역의 DCN을 측정하는 데에는 문제가 없으나, 1750MHz 대역의 KPCS를 측정시에는 상기 주파수 대역의 감쇄특성이 매우 저하되는 문제점이 발생한다.However, the printed circuit board according to the related art, which is configured as described above, has no problem in measuring DCN in the 850 MHz band, but when a KPCS in the 1750 MHz band is measured, the attenuation characteristic of the frequency band is very deteriorated.
또한, 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 고무패널을 제거하면 상기 반도체소자(2) 및 기판(1a)이 서로 연결되는 연결부의 평탄도에 차이가 생겨, 측정시 왜곡된 파형이 나타나는 문제점이 발생하게 된다. In addition, in order to solve the above problems, as shown in FIG. 2, when the rubber panel is removed, a flatness of a connection portion between the semiconductor device 2 and the substrate 1a is connected to each other, and thus the measurement is performed. There is a problem that a distorted waveform appears.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체소자와 접촉되는 부분이 돌출되도록 형성되는 인쇄회로기판을 포함하여 구성됨으로써, 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성이 왜곡없이 감지되도록 하는 반도체소자 검사장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and comprises a printed circuit board formed to protrude a portion in contact with the semiconductor device, thereby the transmission and reception frequency band characteristics of the signal input and output from the semiconductor device It is an object of the present invention to provide a semiconductor device inspection apparatus that can be detected without distortion.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 외부와 신호의 송수신이 이루어지도록 하는 반도체소자와, 상기 반도체소자와 접촉되는 부분이 돌출되어 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역 특성이 왜곡없이 감지되도록 하는 인쇄회로기판(PCB)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. The semiconductor device inspection apparatus according to the present invention for solving the above problems is the transmission and reception frequency band of the signal to be input and output from the semiconductor device and the semiconductor device for transmitting and receiving a signal to the outside, and the semiconductor device protruding Characterized in that it comprises a printed circuit board (PCB) to be detected without distortion.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다. 도 4는 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치 기판을 도시한 도이며, 도 5는 종래 기술 및 본 발명에 따른 검사장치에서의 표면탄성파 신호의 감쇄 특성을 비교, 도시한 도이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 4 is a diagram illustrating a semiconductor device inspection apparatus substrate according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram illustrating a comparison of attenuation characteristics of surface acoustic wave signals in the inspection apparatus according to the related art.
본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 신호특성을 검사하고자 하는 반도체소자(11)와, 상기 반도체소자(11)와 접촉되어 상기 반도체소자(11)의 신호(12) 송수신 특성을 감지하도록 하는 인쇄회로기판(10)을 포함하여 구성된다. The semiconductor device inspecting apparatus according to the present invention includes a semiconductor device 11 for examining signal characteristics and a printed circuit contacting with the semiconductor device 11 to detect the signal 12 transmission and reception characteristics of the semiconductor device 11. It comprises a substrate 10.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 인쇄회로 기판(10)은 커버메탈(cover metal)과 백메탈(back metal)로 구성되며, 상기 커버메탈에는 상기 반도체소자와 접촉되어 신호의 송수신 주파수 대역 특성을 감지하는 접촉부(10a)와, 상기 접촉부로 입력되는 송신호의 특성을 감지하는 송신호 특성감지포트와, 상기 접촉부로부터 출력되는 수신호 특성을 감지하는 수신호 특성 감지포트가 형성된다. In addition, as shown in FIG. 4, the printed circuit board 10 includes a cover metal and a back metal, and the cover metal is in contact with the semiconductor element to transmit and receive a frequency band of a signal. A contact portion 10a for detecting a characteristic, a transmission call characteristic detection port for sensing a characteristic of a transmission call input to the contact portion, and a hand signal characteristic detection port for sensing a hand signal characteristic output from the contact portion are formed.
상기 백메탈에는 외부와 신호의 송수신이 이루어지도록 하는 안테나가 형성된다.An antenna is formed on the back metal to transmit and receive a signal to and from the outside.
이때, 상기 접촉부(10a)는 상기 반도체소자와 접촉되는 방향으로 돌출되도록 형성되어 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호(12)의 주파수 대역의 감쇄특성을 명확하게 감지할 수 있다.In this case, the contact portion 10a may be formed to protrude in a direction in contact with the semiconductor device to clearly detect the attenuation characteristic of the frequency band of the signal 12 input and output from the semiconductor device.
보다 상세하게 설명하자면, 상기 기판에 접촉되는 상기 반도체소자(11)는 상기 기판(10)과 접촉되는 방향으로 SiO2와 같은 절연성 보호막이 도포되는데, 상기 보호막에 의해 오염물질 또는 수분 등에 의해 발생할 수 있는 상기 반도체소자 패턴의 부식을 방지할 수 있다.In more detail, an insulating protective film such as SiO 2 is coated on the semiconductor device 11 in contact with the substrate 10 in a direction in contact with the substrate 10, and may be caused by contaminants or moisture by the protective film. Corrosion of the semiconductor device pattern can be prevented.
그러나, 상기 반도체소자(11)는 상기 보호막에 의해 상기 측정기판(10)과 접촉하는 부분이 평탄하지 않게 되며, 따라서 상기 반도체소자(11)로부터 출력되어 상기 기판을 통해 감지되는 주파수의 감쇄특성이 왜곡되게 된다.However, the semiconductor device 11 is not flattened by the passivation layer to be in contact with the measurement substrate 10. Therefore, the attenuation characteristic of the frequency output from the semiconductor device 11 and sensed through the substrate is reduced. It becomes distorted.
따라서, 상기 기판(10)의 평균두께보다 더 두껍게 되도록 상기 접촉부(10a)가 형성되면 상기의 문제점을 해소할 수 있게 되며, 이때 상기의 두께(d)는 10㎛ 내지 100㎛의 높이로 돌출되도록 형성되는 것이 바람직하며, 도 4에 도시된 바와 같이 특정대역에서의 주파수 감쇄 특성(S1)이 뚜렷하게 나타나지 않는 종래 기술과 달리, 본 발명에 따른 검사장치에서의 주파수 감쇄특성(S2)는 뚜렷하게 나타나게 된다. Therefore, when the contact portion 10a is formed to be thicker than the average thickness of the substrate 10, the above problem can be solved, and the thickness d is projected to a height of 10 μm to 100 μm. It is preferable that the frequency attenuation characteristic S2 in the inspection apparatus according to the present invention is distinctly different from the prior art in which the frequency attenuation characteristic S1 in a specific band does not appear clearly as shown in FIG. 4. .
또한, 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 상기와 같이 형성되는 반도체 소자라면 당업자에 의해 그 적용이 용이하며, 특히 외부로부터 송수신되는 신호의 주파수를 분리하여 필요한 주파수 대역의 신호만을 걸러내고 불필요한 주파수 대역의 신호는 제거할 수 있도록 하는 표면탄성파 듀플렉서가 실장되는 반도체소자의 경우 상기 표면탄성파 듀플렉서의 신호 송수신특성을 감지하는데 사용될 수 있다. In addition, the semiconductor device inspection apparatus according to the present invention can be easily applied by those skilled in the art if the semiconductor device is formed as described above, in particular, by separating the frequency of the signal transmitted and received from the outside to filter only the signal of the required frequency band and unnecessary frequency band In the case of a semiconductor device in which a surface acoustic wave duplexer is mounted to remove a signal, the signal may be used to detect signal transmission / reception characteristics of the surface acoustic wave duplexer.
이상과 같이 본 발명에 의한 반도체소자 검사장치를 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않고, 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 당업자에 의해 충분히 응용될 수 있다. As described above, the semiconductor device inspection apparatus according to the present invention has been described with reference to the illustrated drawings. However, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, and is sufficiently limited by those skilled in the art within the scope of the technical idea. Can be applied.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 반도체소자와 접촉되는 부분이 돌출되도록 형성되는 기판을 포함하여 구성되어, 상기 반도체소자로부터 입출력되는 신호의 송수신 주파수 대역특성이 왜곡없이 감지되며, 또한 사용가능 횟수가 증가하게 되므로 상기 기판의 제작비용이 감소하게 되는 효과가 있다. The semiconductor device inspection apparatus according to the present invention configured as described above includes a substrate formed to protrude a portion in contact with the semiconductor device, and the transmission / reception frequency band characteristic of the signal input and output from the semiconductor device is sensed without distortion, In addition, since the number of available uses increases, the manufacturing cost of the substrate is reduced.
도 1 는 종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치 기판의 제 1실시예를 도시한 도,1 is a view showing a first embodiment of a semiconductor device inspection apparatus substrate according to the prior art;
도 2 은 종래 기술에 따른 반도체소자 검사장치 기판의 제 2실시예를 도시한 도,2 is a view showing a second embodiment of a semiconductor device inspection apparatus substrate according to the prior art;
도 3 는 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치 기판을 도시한 도,3 is a view showing a semiconductor device inspection apparatus substrate according to the present invention;
도 4 는 종래 기술 및 본 발명에 따른 검사장치에서의 표면탄성파 신호의 감쇄 특성을 비교, 도시한 도이다. 4 is a view illustrating comparison and attenuation characteristics of surface acoustic wave signals in the inspection apparatus according to the prior art and the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
10: 측정기판 11: 반도체소자10: measuring substrate 11: semiconductor element
10a: 접촉부 10a: contact
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