KR20050078471A - 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050078471A KR20050078471A KR1020040006590A KR20040006590A KR20050078471A KR 20050078471 A KR20050078471 A KR 20050078471A KR 1020040006590 A KR1020040006590 A KR 1020040006590A KR 20040006590 A KR20040006590 A KR 20040006590A KR 20050078471 A KR20050078471 A KR 20050078471A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- formula
- group
- substituted
- unsubstituted
- transition metal
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 20
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 15
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IMRWILPUOVGIMU-UHFFFAOYSA-N 2-bromopyridine Chemical compound BrC1=CC=CC=N1 IMRWILPUOVGIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 6
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 methoxy, ethoxy, propoxy, isobutyloxy, sec-butyloxy, pentyloxy, iso-amyloxy Chemical group 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N naphthalen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CC=C21 KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 3
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- GOXICVKOZJFRMB-UHFFFAOYSA-N (3-phenylphenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 GOXICVKOZJFRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USYQKCQEVBFJRP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-phenylbenzene Chemical group BrC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 USYQKCQEVBFJRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSQCQINLJMEVNJ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroisoquinoline Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=NC=CC2=C1 MSQCQINLJMEVNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHWIDTQQBWGUCD-UHFFFAOYSA-N 2-(4-fluorophenyl)pyridine Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C1=CC=CC=N1 MHWIDTQQBWGUCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBENTMPUKROOOE-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 DBENTMPUKROOOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZIAABRFQASVSW-UHFFFAOYSA-N Isoquinoline N-oxide Chemical compound C1=CC=CC2=C[N+]([O-])=CC=C21 RZIAABRFQASVSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000006268 biphenyl-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WCIZHDREQJXEQO-UHFFFAOYSA-N 1-(3-methylphenyl)isoquinoline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=CN=2)=C1 WCIZHDREQJXEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEBZSJMXGPNUJX-UHFFFAOYSA-N 2-(3-methylphenyl)-1H-isoquinoline Chemical compound CC=1C=CC=C(C1)N1CC2=CC=CC=C2C=C1 PEBZSJMXGPNUJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBJOTRVJJWIIER-UHFFFAOYSA-N 3-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2C=N1 RBJOTRVJJWIIER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(F)C=C1 LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KWGGJZXOWDPECA-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C=1N=CC2=CC=CC=C2C1.C1(=CC=CC=C1)C=1N=CC2=CC=CC=C2C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C=1N=CC2=CC=CC=C2C1.C1(=CC=CC=C1)C=1N=CC2=CC=CC=C2C1 KWGGJZXOWDPECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOMMHGBNSUWNQK-UHFFFAOYSA-N ClC1=NC=CC2=CC=CC=C12.ClC1=NC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound ClC1=NC=CC2=CC=CC=C12.ClC1=NC=CC2=CC=CC=C12 GOMMHGBNSUWNQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004674 methylcarbonyl group Chemical group CC(=O)* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYPQHBHBZRWKQ-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ylboronic acid;naphthalen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CC=C21.C1=CC=C2C(B(O)O)=CC=CC2=C1 TZYPQHBHBZRWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/87—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing platina group metals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 전계 발광 소자용 도판트 재료로서 사용가능한 전이금속 배위 화합물을 제공하며, 이 전이금속 배위 화합물은 L2ML'으로 표시되며, M은 Ir, Pt, Zn, Os 중에서 선택된 전이금속이며, L과 L'는 서로 독립적으로 질소(N)와 탄소(C)를 통하여 M과 결합되어 있는 사이클로메탈화 두자리 리간드(cyclometalating bidendate ligand)를 나타내고, L과 L'중 적어도 하나는 리간드내 π 전자의 수가 14 내지 20개 사이이다. 본 발명의 전이 금속 배위 화합물은 유기 전계 발광 소자의 유기막 형성 재료로 이용되며, 이를 이용하면 효율, 구동전압, 색순도 및 수명 특성이 개선된다.
Description
본 발명은 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 유기 전계 발광 소자용 발광 재료인 전이금속 배위 화합물과 이를 유기막 형성 재료로 이용하여 효율, 구동전압, 및 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
일반적인 유기 전계 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가지고 있다. 여기에서 홀 수송층, 발광층 및 전자 수송층은 유기 화합물로 이루어진 유기 박막들이다. 이와 같은 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 구동원리를 살펴보면 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면 애노드로부터 주입된 홀은 홀 수송층을 경유하여 발광층에 이동된다. 한편, 전자는 캐소드로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층에 주입되고 발광층 영역에서 캐리어들이 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변화되고, 이로 인하여 발광층의 분자가 발광함으로서 화상이 형성된다. 발광 재료는 그 발광 메카니즘에 따라 일중항 상태의 엑시톤을 이용하는 형광 재료와 삼중항 상태를 이용하는 인광 재료로 나뉜다. 인광 재료는 일반적으로 무거운 원자를 함유하는 유기무기 화합물 구조를 가지고 있으며 무거운 원자에 의해 원래 금지 전이이던 삼중항 상태의 엑시톤이 허용 전이를 거쳐 인광 발광 하게 된다. 인광 재료는 75% 생성 확률을 갖는 삼중항 엑시톤을 사용할 수 있게 되어 25% 일중항 엑시톤을 이용하는 형광 재료보다 매우 높은 발광 효율을 가질 수 있다.
최근 적색 발광 재료로는, 페닐-1-티오펜(phenyl-1-thiophene) 리간드 혹은 페닐-1-이소퀴놀린(phenyl-1-isoquinoline: piq) 리간드를 이용한 이리듐 화합물, piq 리간드에 F를 도입한 유도체의 이리듐 화합물이 보고되었다(US 2003/0162299A, US 2003/0068526A, US2003/0189216A) 상기 화합물중 piq 리간드를 갖고 있는 이리듐 화합물 특히 Ir(piq)3의 경우 적색 발광 특성이 우수하지만 열적 안정성이 너무 높아 증착이 쉽지 않고 합성이 어려운 문제점들을 갖고 있다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열적 안정성이 적당하여 공정이 쉽고 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자용 발광 재료와 이를 유기막 형성 재료로 이용하여 효율, 구동전압, 색좌표 및 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, L2ML'으로 표시되며, M은 Ir, Pt, Zn, Os 중에서 선택된 전이금속이며, L과 L'는 서로 독립적으로 질소(N)와 탄소(C)를 통하여 M과 결합되어 있는 사이클로메탈화 두자리 리간드(cyclometalating bidendate ligand)를 나타내고, L과 L'중 적어도 하나는 리간드내 π전자의 수가 14 내지 20개인 전이금속 배위 화합물을 제공한다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 한 쌍의 전극사이에 유기막이 형성된 유기 전계 발광 소자에 있어서,
상기 유기막이 상술한 전이금속 배위 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 의하여 이루어진다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 유기 전계 소자용 발광 재료 특히 인광 도펀트로서 사용 가능한 전이금속 배위 화합물을 제공하며, 이 전이금속 배위 화합물은 L2ML'으로 표시되며, M은 Ir, Pt, Zn, Os 중에서 선택된 전이금속이며, L과 L'는 서로 독립적으로 질소(N)와 탄소(C)를 통하여 M과 결합되어 있는 사이클로메탈화 두자리 리간드(cyclometalating bidendate ligand)를 나타내고, 상기 전이금속 배위 화합물이 적색 발광 재료 성격을 갖기 위해서는 L과 L'중 적어도 하나는 리간드내 π 전자의 수가 14 내지 20개 사이이다. 여기에서 용어 "π 전자"는 π 결합에 참여하는 전자를 의미하는 것으로 정의된다.
만약 L과 L'중 적어도 하나는 리간드내 π 전자의 수가 14개 미만인 경우에는 π 결합의 전체 길이가 적색 을 구현하기에 충분치 않고 20개를 초과하는 경우에는 너무 장파장으로 이동할 수 있어 바람직하지 못하다.
이러한 화합물은 상술한 구조로 인하여 에너지 전달이 우수하며 이로 인하여 높은 발광 효율을 나타낸다.
본 발명의 전이금속 배위 화합물로서 하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물을 들 수 있다.
[화학식 1]
상기식중, R1 내지 R10은 서로 독립적으로 수소, 시아노기, 하이드록시기, 티올기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C4-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로사이클로알킬기, -Si(R')(R")(R"') 또는 - N(R')(R") 이며, R', R" 및 R"'은 서로에 관계없이 수소 또는 C1-C30의 알킬기이고, R1 내지 R10중 서로 인접된 기는 연결되어 포화 또는 불포화 고리를 형성하며,
L'은 하기 화학식 2로 표시되는 그룹중에서 선택되며,
[화학식 2]
단, 상기 R6과 R7이 서로 연결되어 고리를 형성하는 경우, L'은 하기 화학식 3a로 표시되며,
[화학식 3a]
상기식중, R1 내지 R8은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, R11 및 R
12는 서로 독립적으로 수소, C1-C12의 알킬기, 또는 C6-C20의 아릴기이고,
단, 상기 R1 내지 R7, R9 및 R10이 모두 수소이고, R
8이 메틸기인 경우, L'은 하기 화학식 3b로 표시된다.
[화학식 3b]
상기 R6과 R7이 서로 연결되어 고리를 형성한 경우, L'은 상기 화학식 3a로 표시되어 화학식 4로 표시된다.
[화학식 4]
상기식중, R1 내지 R8은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, R11 및 R
12는 서로 독립적으로 수소, C1-C12의 알킬기, 또는 C6-C20의 아릴기이다.
상기 화학식 4에서 R1 내지 R10은 수소이고, R11 및 R12는 모두 메틸기인 것이 바람직하며, 이는 하기 화학식 10으로 표시된다.
[화학식 10]
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물의 예로서, 하기 화학식 5, 6, 7, 8, 9, 11, 13, 14 내지 20으로 표시되는 화합물이 있다.
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 11]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
본 발명의 전이 금속 배위 화합물의 다른 예로서, 하기 화학식 12로 표시되는 화합물이 있다.
[화학식 12]
본 발명에서 사용되는 치환기인 비치환된 C1-C30의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있고, 상기 알킬중 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원자, C1-C30의 알킬기, C1-C30의 알콕시기, 저급 알킬아미노기, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기, 술폰산기, 인산기 등의 치환기로 치환될 수 있다.
상기 본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 비치환된 C1-C30의 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소부틸옥시, sec-부틸옥시, 펜틸옥시, iso-아밀옥시, 헥실옥시 등을 들 수 있고, 상기 알킬중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴기는 하나 이상의 고리를 포함하는 탄소수 6 내지 30개의 카보사이클 방향족 시스템을 의미하며, 상기 고리들은 펜던트 방법으로 함께 부착되거나 또는 융합(fused)될 수 있다. 아릴이라는 용어는 페닐, 나프틸, 테트라히드로나프틸과 같은 방향족 시스템을 포함한다. 또한 상기 아릴기중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴알킬기는 상기 정의된 바와 같은 아릴기에서 수소원자중 일부가 저급알킬, 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필 등과 같은 그룹으로 치환된 것을 의미한다. 예를 들어 벤질, 페닐에틸, 4-(터트부틸)벤질, 3,5-디-(터트부틸)벤질, 3,5-디(이소프로필)벤질 등이 있다. 상기 아릴알킬기중 하나 이상의 수소원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 헤테로아릴기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 고리 원자가 C인 고리원자수 2 내지 30의 1가 모노사이클릭 고리 화합물 또는 상기 고리들은 펜던트 방법으로 함께 부착되거나 또는 융합(fused)될 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 예로는 피리딜, 티에닐, 퓨릴 등이 있다.
상기 헤테로아릴알킬기는 상기 헤테로아릴기의 수소 원자 일부가 저급 알킬기로 치환된 것을 의미하며, 헤테로아릴알킬기중 헤테로아릴에 대한 정의는 상술한 바와 같다. 상기 헤테로아릴알킬기중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 사이클로알킬기는 탄소원자수 4 내지 30의 1가 모노사이클릭을 의미한다. 상기 사이클로알킬기중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 헤테로사이클로알킬기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 고리원자가 C인 고리원자수 1 내지 30의 1가 모노사이클릭을 의미하며, 상기 사이클로알킬기의 수소원자 일부가 저급 알킬기로 치환된 것을 의미한다. 상기 사이클로알킬기중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화학식에서 사용된 C1-C30의 알킬카르보닐기의 예로는 메틸카르보닐기 등이 있고, C6-C30의 아릴카르보닐기의 예로는 페닐카르보닐기 등이 있고, C1-C30의 알킬티오기의 예로는 메틸티오기 등이 있고, C6-C30의 아릴티오기의 예로는 페닐티오기 등이 있다. 그리고 이들 그룹은 상술한 C1-C20의 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 금속 배위 화합물의 제조방법을 살펴보기로 하되, 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물(R1 내지 R10이 모두 수소인 경우)의 합성방법을 대표적인 예로서 살펴보기로 한다.
먼저, 하기 반응식 1에 나타난 바와 같이 화합물 (A)를 합성한다.
[반응식 1]
상기 화합물 (A)를 이리듐 클로라이드와 반응하여 이리듐 다이머 (B)를 제조한다(반응식 2).
[반응식 2]
이어서, 하기 반응식 3에 나타난 바와 같이 상기 이리듐 다이머 (B)와 리간드 L'을 함유하는 화합물과 반응하여 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물을 얻는다.
[반응식 3]
본 발명에 따른 상기 화학식 1의 이리듐 화합물은 Ir 금속을 포함하는 물질로서 효율과 구동 전압이 우수하며 이를 이용하여 발광층을 형성하며, 통상적인 발광 화합물을 사용한 경우와 비교하여 휘도 특성이 개선된다.
이하, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
먼저 기판 상부에 애노드 전극용 물질을 코팅하여 애노드 전극을 형성한다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 전계 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO)등을 사용한다.
상기 애노드 전극 상부에 홀 주입층 물질을 진공, 또는 스핀 코팅한다. 상기 홀 주입층 물질로는 특별히 제한되지 않으며 CuPc 또는 IDE406을 홀 주입층으로 사용할 수 있다. 홀 수송층 물질을 진공 증착 또는 스핀 코팅하여 홀 수송층을 형성한다. 상기 홀 수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으며, N,N'-비스(3-메틸페닐)- N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘 등이 사용된다. 이어서 홀 수송층 상부에 발광층이 도입되며 발광층 재료는 특별히 제한되지 않으며 호스트로서 CBP 등을 사용하며, 도판트로서 상기 화학식 1의 이리듐 착물이 공증착될 수 있다.
만약 화학식 1의 이리듐 착물이 도펀트로 사용되는 경우, 도펀트의 함량은 특별히 제한 되지 않으나, 발광층 형성재료 (즉, 호스트와 도펀트의 총중량) 100 중량부에 대하여 5 내지 35 중량부를 사용한다. 또한 발광층위에 전자 수송층이 진공 증착 방법,또는 스핀 코팅 방법으로서 박막을 형성한다. 홀 수송층 재료로서는 Alq3를 이용할수 있다. 또한 홀 수송층위에 홀 주입층이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다. 전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF 등의 물질을 이용할 수 있다.
그리고 나서, 홀 주입층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공 증착하여 캐소드 전극을 형성함으로써 유기 EL 소자가 완성된다. 여기에서 캐소드 형성용 금속으로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 이용된다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 애노드 전극, 홀주입층, 홀수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드 전극에 필요에 따라 한층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 제시한다. 다만 본 발명이 하기하는 실시 예 들에 한정되는 것은 아니다.
하기 합성예에서 사용된 포스포러스옥시클로라이드(POCl3), 클로로포름, 톨루엔, 에탄올, 소디움카보네이트(Na2CO3), 에틸셀로솔브, 글리세롤, THF, n-BuLi, 헥산, HCl은 Wako 제품을 사용하였고, 이소퀴놀린 N-옥사이드, 페닐보로닉 애시드, 2-브로모피리딘, 4-플루오로페닐보로닉 애시드는 TCI 제품을 사용하였고 벤조퀴놀린, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(Pd(Ph3)4), 이리듐 클로라이드, 2-나프탈렌 애시드, 2-페닐피리딘, 3-브로모비페닐, 트리메틸보레이트는 알드리치 제품을 사용하였다. 그리고 모든 새로운 화합물은 1H-NMR, 그리고 UV 와 스펙트로플루오미터(spectrofluorometer)로 그 구조를 확인하였다. 1H-NMR 과 13C-NMR은 Bruker AM-300 분광기를 사용하여 기록하였고 UV는 BECKMAN DU-650, 스펙트로플루오로미터(spectrofluorometer)는 JASCO FP-7500을 사용하였다. 모든 화학적 이동도는 용매를 기준으로 ppm 단위로 기록되었다.
합성예 1: 화합물 (A)의 제조
이소퀴놀린-N-옥사이드(137.8mmol)과 200ml 클로로포름을 넣고 잘 녹인 후 혼합물의 온도를 50ㅊC를 유지하면서 포스포러스 옥시클로라이드(826.7mmol)를 적가하였다. 이어서, 혼합물을 5시간동안 환류한 다음, 반응 혼합물을 에틸 아세테이트를 이용하여 추출하고, 이를 물로 세척하였다.
상기 결과물을 고진공 감압 증류로 용매를 제거한 후, 클로로포름과 헥산을 용리액으로 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 실시한 후 건조하여 1-클로로이소퀴놀린(1-chloroisoquinoline)를 얻었다.(수율: 96.7%)
상기 반응에서 얻어진 1-클로로이소퀴놀린(133.3mmol)과 페닐보로닉애시드(133.7mmol), 에탄올(50ml), 톨루엔(220ml), 염기로 2N의 Na2CO3(160.4mmol)를 넣고 질소 가스를 주입하며 교반하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(1.732mmol)을 부가하고 10시간 동안 환류시켰다.
상기 혼합물을 에틸 아세테이트를 이용하여 추출하고 이를 물로 세척한 다음, 고진공 감압 증류로 용매를 제거한 후 클로로포름과 메탄올을 용리액으로 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 실시하고 나서 이를 건조하여 화합물 (A)을 얻었다. (수율: 64.3%)
합성예 2: 이리듐 다이머 착물 (B)의 제조
실온에서 에틸셀로솔브(78ml) 및 물(26ml)에 이리듐 클로라이드(22.11mmol)과 화합물 (A) (55.05mmol)을 혼합하고 100ㅊC 에서 24시간 동안 질소하에서 가열하였다. 이어서, 혼합물을 에틸 아세테이트를 이용하여 추출하고 이를 물로 세척하고 상기 결과물을 고진공 감압 증류로 용매를 제거한 후 화합물 (B)를 얻었다. (수율: 84.6%)
합성예 3: 화학식 5의 화합물 제조
실온에서 글리세롤(100ml)에 질소를 주입하며 30분간 교반한 뒤에 이리듐 다이머 착물 (B) (3.99mmol)과 벤조퀴놀린(15.7mmol)을 넣고 염기로 2N K2CO3 (39.07mmol)을 부가하였다. 질소 가스 분위기하에서 반응 혼합물을 24시간동안 환류한 후, 상온으로 냉각시킨 뒤 고진공 감압증류로 용매를 제거한 뒤 여과하여 물로 세척하였다. 여과한 뒤 다이클로로메탄을 용리액으로 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 실시한 후 건조하여 화학식 5의 화합물을 얻었다. (수율: 10%)
상기 화학식 5의 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 조사하였고, 그 결과는 도 1에 나타난 바와 같다.
상기 화학식 5의 화합물의 고성능 크로마토그래피(HPLC)를 이용하여 분석하였고, 그 결과는 도 2에 나타난 바와 같다.
도 1 및 2를 참조하여, 화학식 5의 화합물은 250nm 에서 흡광 피크를 보이며 HPLC 결과로부터 100% 순수한 물질임을 알 수 있었다.
합성예 4: 화학식 (D)의 화합물 제조
2-브로모피리딘 (73mmol)과 2-나프탈렌보로닉 애시드(naphthaleneboronic acid)(73mmol), 에탄올(30ml), 톨루엔(190ml), 염기로 2N의 Na2CO3 (98.1mmol)를 넣고 질소 가스를 주입하며 교반하였다. 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0.92mmol)을 넣고 10시간 동안 환류시킨 다음, 에틸 아세테이트를 이용하여 추출하고 이를 물로 세척하였다. 상기 결과물을 고진공 감압 증류로 용매를 제거한 후 클로로포름과 메탄올을 용리액으로 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 실시한 후 건조하여 2-(2-나프틸)피리딘 (D)을 얻었다. (수율: 36.2%)
합성예 5: 화학식 6의 화합물 제조
합성예 3에서 벤조퀴놀린 대신 2-(2-나프틸)피리딘 (D)을 이용하여 화학식 6의 화합물을 얻었다. (수득율: 10%)
1H-NMR(CDCl3, 300MHz): δ(ppm) 9.00 (m, 1H), 8.4-8.1 (m, 6H), 7.73-6.83 (m, 23H)
상기 화학식 6로 표시되는 화합물의 흡광(Absorption) 파장 스펙트럼을 조사하여 도 3에 표시하였다.
도 3을 참조하면, 흡광 피크는 310nm 근처에서 얻어짐을 알 수 있었다.
합성예 6: 화학식 7의 화합물
합성예 4의 화학식 (D) 합성예에서 2-브로모피리딘 대신에 3-클로로이스퀴놀린을, 2-나프탈렌보로닉애시드 대신에 페닐보로닉애시드를 사용하여 3-페닐이소퀴놀린을 얻었다. (수율 40%)
벤조퀴놀린 대신 3-페닐이소퀴놀린(3-phenylisoquinoline)을 이용한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 화학식 7의 화합물을 얻었다. (수율: 10%)
상기 화학식 7의 화합물을 흡광 파장 스펙트럼을 조사하여 그 결과는 도 5에 나타내었다. 도 5를 참조하면, 흡광 피크는 350nm에서 나타남을 알 수 있었다.
합성예 7: 화학식 8의 화합물
3-브로모비페닐(133mmol)을 THF (500ml)에 녹이고, 드라이 아이스 배쓰를 이용하여 -78C로 온도를 낮추었다. 1.6M n-BuLi (167.7mmol)을 질소 분위기 하에서 서서히 넣어준 다음 약 1시간 정도 교반하였다. 트리메틸보레이트(404.2 mmol)을 부가하고, 온도를 상온으로 올린 다음 약 20시간 교반하였다. HCl(3N, 100ml) 을 넣고 에틸 아세테이트를 이용해 추출한 다음 유기층을 무수 마그네슘 설페이트를 이용해 건조한 후 감압하에서 유기 용매를 제거하여 3-비페닐보로닉애시드를 얻었다.
합성예 4에서 2-브로모피리딘과 2-나프탈렌보로닉 애시드 대신 3-비페닐보로닉 애시드 (78.3mmol)과 2-브로모피리딘(86.7mmol)을 이용하여 2-(3-비페닐)피리딘을 얻었다. (수율: 71%)
합성예 3에서 벤조퀴놀린 대신 2-(3-비페닐)피리딘을 이용하여 화학식 8의 화합물을 얻었다. (수율: 10%)
1H-NMR(CDCl3, 300MHz): δ(ppm) 8.98-8.95(m, 2H), 8.2-8.1(m, 2H), 8-7.8(m, 2H), 7.7-7.3(m, 16H), 7.1-6.7(m, 10H)
상기 화학식 8의 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 조사하였고, 그 결과는 도 6에 나타난 바와 같다. 도 6을 참조하면, 흡광 피크는 280nm에서 나타남을 알 수 있었다.
합성예 8: 화학식 9의 화합물
2-브로모피리딘과 2-나프탈렌보로닉 애시드 대신 2-브로모피리딘(158.2mmol)과 4-플루오로보로닉 애시드(178.7mmol)을 이용한 것을 제외하고는, 합성예 4와 동일한 방법에 따라 실시하여 2-(4-플루오로페닐)피리딘을 얻었다. (수율: 80%)
벤조퀴놀린 대신 2-(4-플루오로페닐)피리딘을 이용한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 화학식 9의 화합물을 얻었다. (수율: 10%)
상기 화학식 9의 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 조사하여 도 8에 나타내었다. 이를 참조하면, 흡광 피크는 280nm에서 얻어짐을 알 수 있었다.
상기 화학식 9의 화합물의 질량 분석을 실시하였고, 그 결과를 9에 나타내었다. 이들을 참조하면, 화학식 9의 화합물은 질량 773을 갖고 있는 것을 알 수 있었다.
합성예 9: 화학식 10의 화합물
화학식 10의 화합물의 흡광 파장 스펙트럼 및 PL 스펙트럼을 조사하여 도 10 및 11에 나타내었다. 이를 참조하면, 흡광 피크는 420nm에서, 발광 파장은 623nm에서 얻어짐을 알 수 있었다.
합성예 10: 화학식 11의 화합물
2-브로모피리딘과 2-나프탈렌보로닉 애시드 대신 1-클로로이소퀴놀린과 3-메틸보로닉 애시드를 이용한 것을 제외하고는 합성예 4와 동일한 방법에 따라 실시하여 2-(5-메틸페닐)이소퀴놀린을 얻었다.
합성예 2에서 화합물 (A) 대신에 2-(5-메틸페닐이소퀴놀린을 이용하여 화합물 (C)를 얻었다.
실온에서 글리세롤 (100ml)에 질소를 주입하며 30분간 교반한 뒤에 이리듐 다이머 착물 (C) (4.05mmol)과 페닐피리딘 (15.0mmol) 을 넣고 염기로 2N K2CO3 (39.00mmol)을 부가하였다. 질소 가스 분위기하에서 반응 혼합물을 24시간동안 환류한 후 상온으로 냉각시킨 뒤 고진공 감압증류로 용매를 제거한 뒤 여과하여 물로 세척하였다. 여과한 뒤 다이클로로메탄을 용리액으로 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 실시한 후 건조하여 화학식 11의 화합물을 얻었다. (수율: 10%)
상기 화학식 11의 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 조사하였고, 그 결과는 도 12에 나타난 바와 같다. 도 12를 참조하여, 흡광 파장은 350nm에서 얻어짐을 알 수 있었다.
상기 합성예들에 따라 얻은 화학식 5 내지 11로 표시되는 화합물의 메틸렌 클로라이드 용액안에서의 광발광 스펙트럼을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다. 하기 표 1에는 Ir(piq)3에 대한 광발광 및 열적 특성을 비교용으로 표시하였다.
| 화합물 | PL (nm) | m.p. (℃) |
| 화학식 5 | 608 | Not clear |
| 화학식 6 | 612 | 383.0 |
| 화학식 7 | 610 | 416.6 |
| 화학식 8 | 608 | 232.8 |
| 화학식 9 | 602 | Not clear |
| 화학식 10 | 623 | 423.3 |
| 화학식 11 | 627 | 396.2 |
| 비교 예 : Ir(piq)3 | 610 | 445.2 |
실시예 1
애노드는 코닝사의 10 Ω/㎠ ITO 기판을 사용하였고, 상기 기판 상부에 IDE406을 진공 증착하여 홀 주입층을 600Å 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀 주입층 상부에 상기 TPD 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층을 형성한 후, 이 정공 수송층 상부에 화학식 5의 화합물을 호스트 물질 CBP에 12 % 도핑하여 200Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 그 후 상기 발광층 상부에 BCP을 진공 증착하여 50Å 두께의 HBL층을 형성하였다. 그 후 상기 발광층 상부에 Alq3를 진공 증착하여 200Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 이 전자 수송층 상부에 LiF 10Å과 Al 3000Å을 순차적으로 진공 증착하여 LiF/Al 전극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
상기 실시예 1에 따라 제조된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 효율, 구동전압, 색순도 및 수명 특성을 조사하였다.
그 결과, 실시예 1의 유기 전계 발광 소자의 효율, 구동전압, 색순도 및 수명 특성이 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 전이금속 배위 화합물은 적색 발광 재료로서, 이는 유기 전계 발광 소자의 유기막 형성 재료로 이용되며, 이를 이용하면 효율, 구동전압, 색순도 및 수명 특성이 개선된다.
도 1은 본 발명의 화학식 5로 표시되는 화합물의 흡광(Absorption) 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 2는 본 발명의 화학식 5로 표시되는 화합물의 고성능 액체 크로마토그래피(High Performance Liquid Chromatography: HPLC) 분석 결과를 보여 주는 도면이고,
도 3은 본 발명의 화학식 6으로 표시되는 화합물의 흡광(Absorption) 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 4는 본 발명의 화학식 6의 화합물의 질량 분석 결과를 보여 주는 도면이고,
도 5는 본 발명의 화학식 7로 표시되는 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 6은 본 발명의 화학식 8로 표시되는 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 7은 본 발명의 화학식 8로 표시되는 화합물의 질량 분석 결과를 보여 주는 도면이고,
도 8은 본 발명의 화학식 9로 표시되는 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 9는 본 발명의 화학식 9로 표시되는 화합물의 질량 분석 결과를 보여 주는 도면이고,
도 10은 본 발명의 화학식 10으로 표시되는 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 11은 본 발명의 화학식 10으로 표시되는 화합물의 메틸렌 클로라이드 용액안에서 광발광(Photoluminescence: PL) 스펙트럼을 보여 주는 도면이고,
도 12는 본 발명의 화학식 11로 표시되는 화합물의 흡광 파장 스펙트럼을 보여 주는 도면이다.
Claims (8)
- L2ML'으로 표시되며, M은 Ir, Pt, Zn, Os 중에서 선택된 전이금속이며, L과 L'는 서로 독립적으로 질소(N)와 탄소(C)를 통하여 M과 결합되어 있는 사이클로메탈화 두자리 리간드(cyclometalating bidendate ligand)를 나타내고, L과 L'중 적어도 하나는 리간드내 π 전자의 수가 14 내지 20개인 전이금속 배위 화합물.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물인 것을 특징으로 하는 전이금속 배위 화합물.[화학식 1]상기식중, R1 내지 R10은 서로 독립적으로 수소, 시아노기, 하이드록시기, 티올기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C4-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로사이클로알킬기, -Si(R')(R")(R"') 또는 - N(R')(R") 이며, R', R" 및 R"'은 서로에 관계없이 수소 또는 C1-C30의 알킬기이고, R1 내지 R10중 서로 인접된 기는 연결되어 포화 또는 불포화 고리를 형성하며,L'은 하기 화학식 2로 표시되는 그룹중에서 선택되며,[화학식 2]단, 상기 R6과 R7이 서로 연결되어 고리를 형성하는 경우, L'은 하기 화학식 3a로 표시되며,[화학식 3a]상기식중, R1 내지 R8은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, R11 및 R 12는 서로 독립적으로 수소, C1-C12의 알킬기, 또는 C6-C20의 아릴기이고,단, 상기 R1 내지 R7, R9 및 R10이 모두 수소이고, R 8이 메틸기인 경우, L'은 하기 화학식 3b로 표시된다.[화학식 3b]
- 제2항에 있어서, 상기 R6과 R7이 서로 연결되어 고리를 형성하는 경우, L은 상기 화학식 3a로 표시되어 화학식 4로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전이금속 배위 화합물:[화학식 4]상기식중, R1 내지 R8은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, R11 및 R 12는 서로 독립적으로 수소, C1-C12의 알킬기, 또는 C6-C20의 아릴기이다.
- 제2항에 있어서, 상기 R1 내지 R10은 수소인 것을 특징으로 하는 전이금속 배위 화합물.
- 제2항에 있어서, 상기 화합물이 하기 화학식 12로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전이금속 배위 화합물:[화학식 12]
- 제2항에 있어서, 상기 화합물이 하기 화학식 5, 6, 7, 8, 9, 11, 13, 14 내지 20으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전이금속 배위 화합물:[화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8][화학식 9][화학식 11][화학식 13][화학식 14][화학식 15][화학식 16][화학식 17][화학식 18][화학식 19][화학식 20]
- 한 쌍의 전극사이에 유기막이 형성된 유기 전계 발광 소자에 있어서,상기 유기막이 제1항 내지 제6항중 어느 한 항의 전이금속 배위 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제7항에 있어서, 상기 유기막이 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040006590A KR100696467B1 (ko) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040006590A KR100696467B1 (ko) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050078471A true KR20050078471A (ko) | 2005-08-05 |
| KR100696467B1 KR100696467B1 (ko) | 2007-03-19 |
Family
ID=37265606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040006590A KR100696467B1 (ko) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100696467B1 (ko) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3929690B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体 |
| JP3945293B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 発光材料及び有機電界発光素子、並びに表示装置 |
-
2004
- 2004-02-02 KR KR1020040006590A patent/KR100696467B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100696467B1 (ko) | 2007-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100522697B1 (ko) | 4,4'-비스(카바졸-9-일)-비페닐계 실리콘 화합물 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102207559B1 (ko) | 인광성 물질 | |
| KR100611885B1 (ko) | 호스트용 화합물과 도판트용 화합물이 연결된 유기 금속화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그의제조방법 | |
| KR101320382B1 (ko) | 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자 | |
| US9985232B2 (en) | Biscarbazole derivative host materials for OLED emissive region | |
| EP3081617A1 (en) | Blue emitter with high efficiency based on imidazo [1,2-f] phenanthridine iridium complexes | |
| US7652136B2 (en) | Diarylaminofluorene-based organometallic phosphors and organic light-emitting devices made with such compounds | |
| WO2013187896A1 (en) | Biscarbazole derivative host materials and green emitter for oled emissive region | |
| KR101532303B1 (ko) | 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 | |
| KR20150100890A (ko) | 유기전계발광 소자용 재료 및 이것을 사용한 유기전계발광 소자 | |
| KR100730115B1 (ko) | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| US20060261730A1 (en) | Red-emitting electrophosphorescent devices | |
| KR100592254B1 (ko) | 카바졸 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자 | |
| KR101537521B1 (ko) | 신규한 대칭형 페닐렌계 화합물 및 이를 이용한유기발광소자 | |
| KR100696467B1 (ko) | 전이금속 배위 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100708700B1 (ko) | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 | |
| KR100522702B1 (ko) | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100913993B1 (ko) | 신규한 비대칭형 페닐렌계 화합물 및 이를 이용한유기발광소자 | |
| KR100669724B1 (ko) | 터페닐계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100563056B1 (ko) | 피라졸계 리간드 함유 금속 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자 | |
| KR100615215B1 (ko) | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100786471B1 (ko) | 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법 | |
| KR100732821B1 (ko) | 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법 | |
| KR101065311B1 (ko) | 금속 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100732820B1 (ko) | 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160229 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 14 |