KR20050069871A - Common voltage regulator for lcd - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화질의 향상을 기대할 수 있는 공통전압 발생회로에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a common voltage generation circuit capable of improving image quality.

이는 종래에 공통전압 스윙출력을 위한 공통전압 발생회로에서 노이즈 반입을 막기 위해 구성한 커패시터와 저항의 로드에 의해 발생되던 공통전압 정상상태 충진 시간 지연현상을, 별도의 저항을 더욱 부가하고 이의 스위칭 연결을 통한 저항 값의 변경을 통해 출력되는 이득을 조절함으로써 충진 시간의 단축을 수행하고 있다.This adds an additional resistance to the common voltage steady-state filling time delay phenomenon caused by the load of a capacitor and a resistor configured to prevent noise in the common voltage generating circuit for the common voltage swing output. The filling time is shortened by adjusting the gain output by changing the resistance value.

이러한 오버 드라이빙 방법은 스윙방식의 공통전압 인가 구동에서 정상상태로 충진되는 시간의 지연 현상을 개선하여 프레임 구동 타이밍에 맞추어 입력되는 비디오 데이터의 정상적인 표현을 가능하게 하기 때문에 화질의 품질 향상 효과가 있다. Such an overdriving method improves the quality of image quality because the normal driving time of the video data input in accordance with the frame driving timing can be improved by improving the delay of the filling time in the steady state in the swing-type common voltage application driving.

Description

공통전압 발생회로{common voltage regulator for LCD} Common Voltage Regulator Circuit {common voltage regulator for LCD}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공통전압의 스윙 구동에서 지연 시간을 줄임으로서 블락 딤과 물결 노이즈 현상을 개선할 수 있는 공통전압 발생회로를 제시하고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to provide a common voltage generation circuit capable of improving block dim and wave noise by reducing delay time in swing driving of a common voltage.

TFT-LCD는 두 기판 사이에 주입되어 있는 이방성 유전율을 갖는 액정 물질에 전계를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써, 원하는 화상 신호를 얻는 표시장치이다. A TFT-LCD is a display device that obtains a desired image signal by applying an electric field to a liquid crystal material having an anisotropic dielectric constant injected between two substrates, and controlling the amount of light transmitted through the substrate by adjusting the intensity of the electric field.

이러한 TFT-LCD의 기판 위에는 서로 평행한 복수의 게이트선과 이 게이트라인에 절연되어 교차하는 복수의 데이터선이 형성되며, 이들 게이트선과 데이터라인에 의해 둘러싸인 영역이 하나의 화소를 규정한다. 각 화소의 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에는 TFT가 형성된다.On the substrate of such a TFT-LCD, a plurality of gate lines parallel to each other and a plurality of data lines insulated from and intersecting the gate lines are formed, and an area surrounded by the gate lines and the data lines defines one pixel. TFTs are formed at portions where the gate lines and the data lines of each pixel cross each other.

이러한 TFT-LCD를 구동시키기 위해서는 게이트라인을 순차적으로 구동시킴과 동시에 구동하는 게이트라인에 연결된 TFT의 소스단에 인가될 데이터 전압을 데이터 선을 통해 인가한다. 이때, TFT에 형성된 화소에 방향의 전계가 계속해서 인가됨에 따라 발생하는 액정의 열화를 방지하기 위해, 데이터 전압을 매 프레임마다 공통 전압에 대해 극성이 반전되도록 한다. 이러한 데이터 전압의 극성을 반전시키는 TFT-LCD 구동 방식을 반전 구동 방식이라 한다.In order to drive such a TFT-LCD, a gate line is sequentially driven and a data voltage to be applied to a source terminal of a TFT connected to the driving gate line is applied through the data line. At this time, in order to prevent deterioration of the liquid crystal generated as the electric field in the direction is continuously applied to the pixels formed in the TFT, the polarity of the data voltage is inverted with respect to the common voltage every frame. The TFT-LCD driving method for inverting the polarity of the data voltage is called an inversion driving method.

도 1은 통상의 액티브 매트릭스형 액정표시장치를 도시한 도면으로서, 액정 셀들이 두장의 투명기판들 사이에 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널(2)과, 액정패널(2)의 게이트라인들(GL1 내지 GLm)에 접속되어진 게이트 드라이버(6)와, 액정패널(2)의 데이터라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되어진 데이터 드라이버(4) 및 데이터 드라이버(4)에 접속되어진 감마전압 발생부(8)를 구비한다. FIG. 1 is a diagram illustrating a conventional active matrix liquid crystal display device, in which a liquid crystal cell is arranged in a matrix form between two transparent substrates, and gate lines GL1 of the liquid crystal panel 2. Gamma voltage generator 8 connected to gate driver 6 connected to GLm), data driver 4 connected to data lines DL1 to DLn of liquid crystal panel 2, and data driver 4; ).

상기 m 개의 게이트라인들(GL1 내지 GLm)과 n 개의 데이터라인들(DL1 내지 DLn)의 교차부에는 스위칭소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 설치된다. 게이트 드라이버(6)는 스캐닝신호를 m 개의 게이트라인들(GL1 내지 GLm)에 순차적으로 공급하여 해당 게이트라인에 접속된 TFT를 구동시키게 된다. A thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") is provided as a switching element at an intersection of the m gate lines GL1 to GLm and the n data lines DL1 to DLn. The gate driver 6 sequentially supplies the scanning signals to the m gate lines GL1 to GLm to drive the TFTs connected to the corresponding gate lines.

상기와 같은 구조를 가지는 액정표시장치 중 특히 IPS 모드 액정표시장치는 그 공통전압의 레벨 스윙을 위해 도 2와 같은 공통전압 발생회로를 가지는데, 이러한 공통전압 발생회로는 도 3과 같이 구형파 제어신호(CNT)가 입력될 경우, 반전증폭기의 원리에 의해 출력되는 공통전압은 수식(1)과 같다.Among the liquid crystal display devices having the above structure, in particular, the IPS mode liquid crystal display device has a common voltage generating circuit as shown in FIG. 2 for the level swing of the common voltage. Such a common voltage generating circuit has a square wave control signal as shown in FIG. When (CNT) is input, the common voltage output by the principle of the inverting amplifier is as shown in Equation (1).

수식(1) Formula (1)

여기서 상기 (VLCD)는 액정구동전압이다.Where (VLCD) is the liquid crystal driving voltage.

도 4의 신호출력파형도의 결과와 같이, 상기 도 2의 회로 구조에서 노이즈의 반전증폭기로의 유입을 막기 위해 구성한 상기 저항(RF)과 커패시터(CF)에 의해 수식 {(RF//R1)× CF}로 나타나는 부하(load)와, 액정 패널 라인 자체에 기생되는 로드에 의해 공통전압(Vcom) 신호의 상승(rising) 또는 하강(falling)시에 시간 지연(D) 현상이 발생하게 된다. 여기서, 상기 (RF//R1)는 저항(RF)와 저항(R1)간의 병렬연결에 의한 합성저항을 말한다. As shown in the signal output waveform diagram of FIG. 4, the following equation {(RF // R1) is applied by the resistor RF and the capacitor CF configured to prevent the inflow of noise into the inverting amplifier in the circuit structure of FIG. The time delay D occurs when the common voltage Vcom signal rises or falls due to the load represented by x CF} and the load parasitic on the liquid crystal panel line itself. Here, (RF // R1) refers to the combined resistance by the parallel connection between the resistor (RF) and the resistor (R1).

이는 공통전압(Vcom)의 상승과 하강을 통한 스윙(swing) 시간이 프레임 구동간의 간격 시간(Blank time)이 끝나기 전에 정상상태에 도달하여야 화상표시에 이상 없는 구동이 이루어지게 되는데, 상기 도시와 같이 데이터가 인가되는 신호타이밍에 공통전압(Vcom)이 정상상태에 도달하지 못할 경우 휘도 저하와 같은 화질 불량이 발생하는 원인이 된다. This is because the swing time through rising and falling of the common voltage Vcom reaches a steady state before the interval time between frame driving ends. If the common voltage Vcom does not reach a steady state in the signal timing to which data is applied, image quality defects such as luminance degradation may occur.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 데이터 신호가 인가되기 전에 정상상태 준위로 충전되어야 하는 공통전압의 충전 속도를 더욱 상승시켜 화질불량의 원인을 제거하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to further increase the charging speed of a common voltage that should be charged to a steady state level before a data signal is applied, thereby eliminating the cause of image quality defects.

이를 위해 본 발명은 상승과 하강을 교대로 반복하는 공통전압의 스윙에 있어서, 충전시간의 지연이 없는 공통전압 발생회로를 제안하는데 또다른 목적이 있다. To this end, another object of the present invention is to propose a common voltage generating circuit having no delay in charging time in a swing of a common voltage alternately repeating rising and falling.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 제1실시예로서, 반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동되며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 제1저항과; 상기 연산소자의 반전입력단과 일단이 연결되는 제2저항과; 상기 제2저항의 타단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단에 각각 연결되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단으로 구동전압이 입력되는 제3저항과; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제5저항과; 상기 제5저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터와; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제6저항을 포함하는 공통전압 발생회로를 제안한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a first embodiment, comprising: a computing device having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; A push-pull circuit unit which is driven by receiving an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; A first resistor configured between the inverting input terminal of the computing element and the common voltage output terminal of the push-pull circuit portion; A second resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element; A first switching transistor connected to the other end of the second resistor and the common voltage output terminal of the push-pull circuit unit and driven by receiving a first switching signal; A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; A fifth resistor whose one end is connected to the non-inverting input terminal of the computing element; A second switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the ground terminal and driven by receiving a second switching signal; A common voltage generating circuit including a sixth resistor having one end connected to an inverting input terminal of the operation element and a control signal input to the other end thereof is proposed.

또한 본 발명은 제2실시예로서, 반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동하며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와; 상기 연산소자의 반전입력단과 일단이 연결되는 제1저항과; 일단이 상기 제1저항과 직렬 연결되고 타단이 상기 공통전압출력단과 연결되는 제2저항과; 상기 제2저항의 양단 사이에 구성되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단에 구동전압이 입력되는 제3저항과; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제5저항과; 상기 제5저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터와; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제6저항을 포함하는 공통전압 발생회로를 제시한다.The present invention also provides a second embodiment, comprising: a computing element having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; A push-pull circuit unit which receives and drives an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; A first resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element; A second resistor having one end connected in series with the first resistor and the other end connected with the common voltage output terminal; A first switching transistor configured between both ends of the second resistor and driven by receiving a first switching signal; A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; A fifth resistor whose one end is connected to the non-inverting input terminal of the computing element; A second switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the ground terminal and driven by receiving a second switching signal; A common voltage generating circuit including a sixth resistor having one end connected to an inverting input terminal of the operation element and a control signal input to the other end thereof.

아울러 본 발명은 그 제3실시예로서, 반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동되며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 제1저항과; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제2저항과; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단으로 구동전압이 입력되는 제3저항과; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과; 일단으로 구동전압이 입력되는 제5저항과; 상기 제5저항의 타단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제6저항과; 상기 제6저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터를 포함하는 공통전압 발생회로를 제시한다.In addition, the present invention provides a third embodiment of the present invention, comprising: an operation element having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; A push-pull circuit unit which is driven by receiving an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; A first resistor configured between the inverting input terminal of the computing element and the common voltage output terminal of the push-pull circuit portion; A second resistor having one end connected to an inverting input terminal of the operation element and a control signal input to the other end; A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; A fifth resistor to which the driving voltage is input; A first switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the non-inverting input end of the arithmetic element and driven by receiving a first switching signal; A sixth resistor having one end connected to the non-inverting input terminal of the operation element; A common voltage generation circuit including a second switching transistor configured between the other end of the sixth resistor and a ground terminal and driven by receiving a second switching signal is provided.

이하 상기 각 실시예에 적용되는 특징으로서,As features to be applied to each of the above embodiments,

상기 연산소자는 연산 증폭기인 것을 특징으로 한다.The operational element is characterized in that the operational amplifier.

상기 푸시-풀 회로부는 하나 이상의 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다. The push-pull circuit portion may be composed of one or more transistors.

상기 푸시-풀 회로부는 구동전압을 입력받고 접지단과 연결되는 것을 특징으로 한다.The push-pull circuit part may receive a driving voltage and be connected to a ground terminal.

상기 제4저항은 가변저항인 것을 특징으로 한다.The fourth resistor is a variable resistor.

상기 제어신호는 구형파인 것을 특징으로 한다.The control signal is characterized in that the square wave.

상기 제어신호는 반주기가 16.7ms 인 것을 특징으로 한다.The control signal is characterized in that the half period is 16.7ms.

상기 제1스위칭신호는 상기 제어신호의 상승시점에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 동작 상태를 전환시키는 것을 특징으로 한다.The first switching signal may change an operating state of the first switching transistor when the control signal rises.

상기 제2스위칭신호는 상기 제어신호의 하강시점에서 상기 제2스위칭 트랜지스터의 동작상태를 전환시키는 것을 특징으로 한다.The second switching signal may change an operating state of the second switching transistor at the time when the control signal falls.

상기 각 스위칭 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.Each switching transistor is characterized in that the P-type or N-type transistor.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 따른 공통전압 발생회로와 그 특징에 대해 설명한다.Hereinafter, a common voltage generating circuit and its features according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제1실시예First embodiment

도 5는 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제1실시예를 도시한 회로도로서, 연산소자로서 반전증폭기(AMP)와, 푸시-풀 회로부(P/P)와, P-타입 및 N-타입 트랜지스터(TR1)(TR2), 다수의 저항(R1~R6) 및 커패시터(CF)로 구성되는 공통전압 발생회로를 도시하고 있다. FIG. 5 is a circuit diagram showing a first embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention, in which an inverting amplifier (AMP), a push-pull circuit section (P / P), a P-type and an N-type are used as operational elements. A common voltage generation circuit composed of transistors TR1 and TR2, a plurality of resistors R1 to R6, and a capacitor CF is shown.

여기서, 상기 연산소자(AMP)는 반전증폭을 수행하며, 반전입력단(-)과 비반전입력단(+) 및 출력단을 구비하고 있는 연산증폭기(OP-AMP)로서, 공통전압의 스윙출력을 위한 제어신호(CNT)를 입력받는다. Here, the operation element AMP performs an inverted amplification, and is an operational amplifier OP-AMP having an inverting input terminal (-), a non-inverting input terminal (+), and an output terminal, and controls for a swing output of a common voltage. It receives a signal CNT.

상기 푸시-풀 회로부(P/P)는 액정구동전압(VLCD)을 입력받고, 공통전압(Vcom)의 스윙 속도를 더욱 증대시키기 위한 구성으로서, 하나 이상의 트랜지스터가 조합되며 접지단(GND)과 더욱 연결되는 구성이다. The push-pull circuit unit P / P receives a liquid crystal driving voltage VLCD and further increases the swing speed of the common voltage Vcom. The push-pull circuit unit P / P is combined with one or more transistors and further includes a ground terminal GND. It is a connected configuration.

또한 바람직하게는 가변저항(Variable resistance)으로 구성되는 제4저항(R4)은 그 저항 값의 조절을 통해 화상에 나타나는 블락 딤(block dim) 등을 조정할 수 있도록 하기 위한 구성이다.In addition, the fourth resistor R4, which is preferably constituted by variable resistance, is configured to adjust a block dim or the like appearing in the image by adjusting the resistance value.

커패시터(CF)와 제1저항(R1)은 노이즈나 리플전압이 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되어 증폭된 후 출력되는 것을 막기 위한 것으로서, 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되는 노이즈는 패널에 유입되어 화면전체에 물결 노이즈를 발생시키는 원인이 되기 때문이다.The capacitor CF and the first resistor R1 are for preventing noise or a ripple voltage from being fed back and amplified by the input terminal of the operational element AMP, and being fed back to the input terminal of the operational element AMP. This is because the wave enters the panel and causes wave noise in the entire screen.

상기 제어신호(CNT)는 16.7ms의 반주기를 가지고 상기 반전증폭기(AMP)의 반전입력단(-)으로 입력되는 구형파로서, 상기 회로를 통해 출력되는 공통전압(Vcom)이 레벨의 변화를 가지도록 레벨스윙(swing)을 수행하게 된다. 상기 제어신호(CNT)의 하이 레벨과 로우 레벨간의 전압차이는 약 3.3V 이다.The control signal CNT is a square wave input to the inverting input terminal (-) of the inverting amplifier AMP with a half cycle of 16.7 ms, and has a level such that the common voltage Vcom output through the circuit has a change in level. Swing will be performed. The voltage difference between the high level and the low level of the control signal CNT is about 3.3V.

상기 제1스위칭신호(SW1)와 제2스위칭신호(SW2)는 구형파로서, 각각 상기 제어신호(CNT)의 상승과 하강 시점에 각 스위칭 트랜지스터의 구동을 위한 전압신호가 인가되며, 각 신호의 인가에 따라 상기 제1저항(R1), 제2저항(R2), 제6저항(R6)간의 저항합성관계 및 제3저항(R3), 제4저항(R4), 제5저항(R5) 간의 저항합성관계의 변환이 수행되어 공통전압의 스윙에 따른 정상상태 응답시간을 제어한다.The first switching signal SW1 and the second switching signal SW2 are square waves, and voltage signals for driving each switching transistor are applied at the time when the control signal CNT rises and falls, respectively. According to the resistance synthesis relationship between the first resistor (R1), the second resistor (R2), the sixth resistor (R6) and the resistance between the third resistor (R3), fourth resistor (R4), fifth resistor (R5) The conversion of the composite relationship is performed to control the steady state response time according to the swing of the common voltage.

이하 도 6의 구동 타이밍도와 도 7의 출력 그래프를 참조하여 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 구동과 그 효과에 대해 설명한다.Hereinafter, the driving of the common voltage generating circuit and its effect will be described with reference to the driving timing diagram of FIG. 6 and the output graph of FIG. 7.

먼저, 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 P-타입이라 하면, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 하이(high) 레벨일 때 오프(off)되고 상기 제1스위칭신호(SW1)가 로우(low) 레벨일 때 온(on) 된다. 또한, 상기 제2스위칭 트랜지스터(TR2)가 N-타입이라 하면, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 하이(high) 레벨일 때 온(on)되고, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 로우(low) 레벨일 때 오프(off)된다. First, when the first switching transistor TR1 is P-type, when the first switching signal SW1 is at a high level, the first switching signal TR1 is turned off and the first switching signal SW1 is low. On at the level. In addition, when the second switching transistor TR2 is N-type, the second switching signal SW2 is turned on when the high level is high and the second switching signal SW2 is turned low. Off at low level.

타이밍도를 보면, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 하이레벨에서 로우레벨 상태로 변화되면, 다시 말해 P-타입의 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 온 상태를 유지하는 구간에서의 출력이득은 (-Rt/R6)로 표현된다. 이때, 상기 Rt=(R2//R1)=(R2×R1)/(R2+R1)이다. Referring to the timing diagram, when the first switching signal SW1 is changed from the high level to the low level, that is, the output gain in the period in which the P-type first switching transistor TR1 is kept in the on state is ( -Rt / R6). At this time, Rt = (R2 // R1) = (R2 × R1) / (R2 + R1).

이후, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 로우레벨에서 하이레벨로 전환되면 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 오프 상태가 되어 상기 반전증폭기(AMP)의 반전입력단(-)으로 입력되는 신호의 증폭이득(gain)은 (-R1/R6)으로 전환된다. Subsequently, when the first switching signal SW1 is switched from the low level to the high level, the first switching transistor TR1 is turned off to amplify the signal input to the inverting input terminal (−) of the inverting amplifier AMP. Gain is switched to (-R1 / R6).

즉, 상기 제1스위칭신호(SW1)에 의해 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 오프 상태를 유지하는 구간에서는 증폭이득을 위한 합성저항이 (R2//R1)보다 더욱 큰 제1저항(R1)으로 변화되기 때문에 상기 공통전압 상승(rising)시에 반전증폭기(AMP)에 의한 출력이득이 더욱 증대되고, 증대된 출력 이득에 의해 공통전압의 상승(rising)시 오버 드라이빙(over driving) 되어 (T)시간 만큼의 충전시간 감소 효과를 얻게 된다. That is, in a section in which the first switching transistor TR1 is turned off by the first switching signal SW1, the first resistor R1 having a larger synthetic resistance for amplification gain is greater than R2 // R1. Since the output gain is increased by the inverting amplifier AMP at the time of the common voltage rising, the overdrive is overdriven when the common voltage is raised by the increased output gain (T). As a result, the charging time reduction effect is obtained.

다음으로, 상기 반전증폭기(AMP)의 비반전입력단(+)으로 입력되는 액정구동전압(VLCD)에 의한 공통전극 DC 레벨은, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화될 때 (R4×VLCD)/(R3+R4)에서 (Rb×VLCD)/(R3+Rb)로 변화되며, 이때 상기 Rb=(R4//R5)=(R4×R5)/(R4+R5)이다. Next, the common electrode DC level of the liquid crystal driving voltage VLCD input to the non-inverting input terminal (+) of the inverting amplifier AMP may change the second switching signal SW2 from a low level to a high level. When (R4 x VLCD) / (R3 + R4) is changed to (Rb x VLCD) / (R3 + Rb), where Rb = (R4 / / R5) = (R4 × R5) / (R4 + R5) to be.

즉, N-타입의 제2스위칭-트랜지스터(TR2)가 온 되면, 상기 제2스위칭-트랜지스터(TR2)가 오프 구간에서 가지던 제4저항(R4)값이 (R4×R5)/(R4+R5)값으로 대체되어 저항 값이 감소하기 때문에 인가되는 DC 레벨이 급속히 떨어지는 오버 드라이빙이 발생하게 되므로 공통전압의 하강(falling)시 반전 상태의 정상 레벨로 충전되는 시간이 (T)시간 만큼 감소되는 효과를 얻게 된다. That is, when the N-type second switching transistor TR2 is turned on, the value of the fourth resistor R4 that the second switching transistor TR2 has in the off period is (R4 × R5) / (R4 + As the resistance value decreases because it is replaced by the value of R5), overdriving occurs that the applied DC level drops rapidly, and thus, the charging time to the normal level of the inverted state is reduced by (T) time when the common voltage falls. You get an effect.

이후, 상기 DC 레벨은 상기 제2스위칭신호(SW2)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화될 때 다시 높아진다. Thereafter, the DC level is increased again when the second switching signal SW2 is changed from a high level to a low level.

전술한 본 발명에 따른 제1실시예 회로에서는 제1 및 제2스위칭 트랜지스터(TR1)(TR2)를 각각 P-타입과 N-타입으로 구성하여 이의 스위칭 구동에 따른 합성 저항의 변경을 제1 및 제2스위칭신호에 의해 유도하는 구성을 예시하였으나, 도시된 회로를 제외한 서로 다른 타입의 트랜지스터 또는 모두 동일한 타입의 트랜지스터로 구성할 수 있으며, 이에 따라 각 스위칭 트랜지스터의 온/오프제어를 위한 각 스위칭신호 역시 전술한 방법으로 오버 드라이빙을 수행할 수 있도록 적절한 신호로 변경되어야 함은 당연할 것이다.In the above-described first embodiment circuit according to the present invention, the first and second switching transistors TR1 and TR2 are configured as P-type and N-type, respectively, to change the synthesis resistance according to the switching driving thereof. Although the configuration induced by the second switching signal is illustrated, the transistors of different types or all of the same type except for the illustrated circuit may be configured, and accordingly, each switching signal for on / off control of each switching transistor. It should be obvious that the signal must be changed to an appropriate signal so that overdriving can be performed in the above-described manner.

제2실시예Second embodiment

도 8은 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제2실시예를 도시한 회로도로서, 연산소자로서 반전증폭기(AMP)와, 푸시-풀 회로부(P/P)와, 제1 및 제2스위칭 트랜지스터(TR1)(TR2), 다수의 저항(R1~R6) 및 커패시터(CF)로 구성되는 공통전압 발생회로를 도시하고 있다. FIG. 8 is a circuit diagram showing a second embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention, in which an inverting amplifier AMP, a push-pull circuit section P / P, and first and second switching transistors are used as operational elements. A common voltage generation circuit composed of (TR1) (TR2), a plurality of resistors R1 to R6, and a capacitor CF is shown.

여기서, 상기 연산소자(AMP)는 반전증폭을 수행하며, 반전입력단(-)과 비반전입력단(+) 및 출력단을 구비하고 있는 연산증폭기(OP-AMP)로서, 공통전압의 스윙출력을 위한 제어신호(CNT)를 입력받는다. Here, the operation element AMP performs an inverted amplification, and is an operational amplifier OP-AMP having an inverting input terminal (-), a non-inverting input terminal (+), and an output terminal, and controls for a swing output of a common voltage. It receives a signal CNT.

상기 푸시-풀 회로부(P/P)는 구동전압(VLCD)을 입력받고, 공통전압(Vcom)의 스윙 속도를 더욱 증대시키기 위한 구성으로서, 하나 이상의 트랜지스터가 조합되며 접지단(GND)과 더욱 연결되는 구성이다. The push-pull circuit part P / P is configured to receive a driving voltage VLCD and further increase a swing speed of the common voltage Vcom. One or more transistors are combined and further connected to the ground terminal GND. It is a configuration.

또한 바람직하게 가변저항(Variable resistance)으로 구성되는 제4저항(R4)은 그 저항 값의 조절을 통해 화상에 나타나는 블락 딤(block dim) 등을 조정할 수 있도록 하기 위한 구성이다.In addition, the fourth resistor R4, which is preferably composed of variable resistance, is configured to adjust a block dim appearing in the image by adjusting the resistance value.

커패시터(CF)는 노이즈나 리플전압이 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되어 증폭된 후 출력되는 것을 막기 위한 것으로서, 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되는 노이즈는 패널에 유입되어 화면전체에 물결 노이즈를 발생시키는 원인이 되기 때문이다.The capacitor CF is to prevent the noise or the ripple voltage from being fed back to the input terminal of the arithmetic element AMP and amplified. This is because wave noise is generated.

상기 제어신호(CNT)는 16.7ms의 반주기를 가지고 상기 반전증폭기(AMP)의 반전입력단(-)으로 입력되는 구형파로서, 상기 회로를 통해 출력되는 공통전압(Vcom)이 레벨의 변화를 가지도록 레벨스윙(swing)을 수행하게 된다. 상기 제어신호(CNT)의 하이 레벨과 로우 레벨간의 전압차이는 약 3.3V 이다.The control signal CNT is a square wave input to the inverting input terminal (-) of the inverting amplifier AMP with a half cycle of 16.7 ms, and has a level such that the common voltage Vcom output through the circuit has a change in level. Swing will be performed. The voltage difference between the high level and the low level of the control signal CNT is about 3.3V.

상기 제1스위칭신호(SW1)와 제2스위칭신호(SW2)는 구형파로서, 각각 상기 제어신호(CNT)의 상승과 하강 시점에 각 스위칭 트랜지스터의 구동을 위한 전압신호가 인가되며, 각 신호의 인가에 따라 상기 제1저항(R1), 제2저항(R2), 제6저항(R6)간의 저항합성관계 및 제3저항(R3), 제4저항(R4), 제5저항(R5) 간의 저항합성관계의 변환이 수행되어 공통전압의 스윙에 따른 정상상태 응답시간을 제어한다.The first switching signal SW1 and the second switching signal SW2 are square waves, and voltage signals for driving each switching transistor are applied at the time when the control signal CNT rises and falls, respectively. According to the resistance synthesis relationship between the first resistor (R1), the second resistor (R2), the sixth resistor (R6) and the resistance between the third resistor (R3), fourth resistor (R4), fifth resistor (R5) The conversion of the composite relationship is performed to control the steady state response time according to the swing of the common voltage.

이하 기 도시된 도 6의 구동 타이밍도와 도 7의 출력 그래프를 다시 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 공통전압 발생회로의 구동과 그 효과에 대해 설명하는 바, 공통전압 오버드라이빙을 위한 원리는 전술한 제1실시예와 동일하다. Hereinafter, the driving and effects of the common voltage generation circuit according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the driving timing diagram of FIG. 6 and the output graph of FIG. 7 again. Is the same as the first embodiment described above.

먼저, 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 P-타입이라 하면, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 하이(high) 레벨일 때 오프(off)되고 상기 제1스위칭신호(SW1)가 로우(low) 레벨일 때 온(on) 된다. 또한, 상기 제2스위칭 트랜지스터(TR2)가 N-타입이라 하면, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 하이(high) 레벨일 때 온(on)되고, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 로우(low) 레벨일 때 오프(off)된다. First, when the first switching transistor TR1 is P-type, when the first switching signal SW1 is at a high level, the first switching signal TR1 is turned off and the first switching signal SW1 is low. On at the level. In addition, when the second switching transistor TR2 is N-type, the second switching signal SW2 is turned on when the high level is high and the second switching signal SW2 is turned low. Off at low level.

타이밍도를 보면, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 하이레벨에서 로우레벨 상태로 변화되면, 다시 말해 P-타입의 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 온 상태를 유지하는 구간에서의 출력이득은 (-R1/R6)로 표현된다. Referring to the timing diagram, when the first switching signal SW1 is changed from the high level to the low level, that is, the output gain in the period in which the P-type first switching transistor TR1 is kept in the on state is ( -R1 / R6).

이후, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 로우레벨에서 하이레벨로 전환되면 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 오프 상태가 되어 상기 반전증폭기(AMP)의 반전입력단(-)으로 입력되는 신호의 증폭이득(gain)은 -(R1+R2)/(R6)로 전환된다. Subsequently, when the first switching signal SW1 is switched from the low level to the high level, the first switching transistor TR1 is turned off to amplify the signal input to the inverting input terminal (−) of the inverting amplifier AMP. The gain is switched to-(R1 + R2) / (R6).

즉, 상기 제1스위칭신호(SW1)에 의해 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 오프 상태를 유지하는 구간에서는 증폭이득을 위한 합성저항이 (R1)보다 더욱 큰 (R1+R2)으로 변화되기 때문에 상기 공통전압 상승(rising)시에 반전증폭기(AMP)에 의한 출력이득이 증대되고, 증대된 출력 이득에 의해 공통전압의 상승(rising)시 오버 드라이빙(over driving) 되어 (T)시간 만큼의 충전시간 감소 효과를 얻게 된다. That is, in the period in which the first switching transistor TR1 is turned off by the first switching signal SW1, the synthesis resistance for amplification gain is changed to (R1 + R2) larger than that of (R1). The output gain of the inverting amplifier AMP is increased when the common voltage rises, and the driving gain is overdriven when the common voltage is raised by the increased output gain, thereby charging for (T) hours. The time reduction effect is obtained.

다음으로, 상기 반전증폭기(AMP)의 비반전입력단(+)으로 입력되는 액정구동전압(VLCD)에 의한 공통전극 DC 레벨은, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화될 때 {R4×VLCD /(R3+R4)}에서 {Rb×VLCD /(R3+Rb)}로 변화되며, 이때 상기 Rb=(R4×R5)/(R4+R5)이다. Next, the common electrode DC level of the liquid crystal driving voltage VLCD input to the non-inverting input terminal (+) of the inverting amplifier AMP may change the second switching signal SW2 from a low level to a high level. Is changed from {R4 × VLCD / (R3 + R4)} to {Rb × VLCD / (R3 + Rb)}, where Rb = (R4 × R5) / (R4 + R5).

즉, N-타입의 제2스위칭-트랜지스터(TR2)가 온 되면, 상기 제2스위칭-트랜지스터(TR2)가 오프 구간에서 가지던 제4저항(R4)값이 (R4×R5)/(R4+R5)값으로 대체되어 저항 값이 감소하기 때문에 인가되는 DC 레벨이 급속히 떨어지는 오버 드라이빙이 발생하게 되므로 공통전압의 하강(falling)시 반전 상태의 정상 레벨로 충전되는 시간이 (T)시간 만큼 감소되는 효과를 얻게 된다. That is, when the N-type second switching transistor TR2 is turned on, the value of the fourth resistor R4 that the second switching transistor TR2 has in the off period is (R4 × R5) / (R4 + As the resistance value decreases because it is replaced by the value of R5), overdriving occurs that the applied DC level drops rapidly, and thus, the charging time to the normal level of the inverted state is reduced by (T) time when the common voltage falls. You get an effect.

이후, 상기 DC 레벨은 상기 제2스위칭신호(SW2)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화될 때 다시 높아진다. 결국, 기 도시된 도 7과 같이 오버 드라이빙된 공통전압 스윙출력을 얻을 수 있다.Thereafter, the DC level is increased again when the second switching signal SW2 is changed from a high level to a low level. As a result, as shown in FIG. 7, the overdriven common voltage swing output may be obtained.

전술한 제2실시예의 회로 역시 스위칭 트랜지스터 구성을 서로 다른 타입의 트랜지스터 또는 동일한 타입의 트랜지스터를 이용할 수 있으며, 이에 따라 각 스위칭 트랜지스터의 온/오프제어를 위한 각 스위칭신호 역시 전술한 방법으로 오버 드라이빙을 수행할 수 있는 적절한 신호로 변경되어야 함은 당연할 것인데, 이의 일예시로서 도 9의 타이밍도는 전술한 제1실시예와 제2실시예에서 제1스위칭 트랜지스터(TR1)로 N-타입의 트랜지스터를 제2스위칭 트랜지스터로 P-타입의 트랜지스터를 구성하였을 경우의 적절히 변경되어 입력되는 제1 및 제2스위칭신호를 예시하고 있다. The circuit of the above-described second embodiment may also use different types of transistors or transistors of the same type as the switching transistor configuration. Accordingly, each switching signal for on / off control of each switching transistor is also overdriven in the above-described manner. Naturally, the timing diagram of FIG. 9 is an example of an N-type transistor as the first switching transistor TR1 in the above-described first and second embodiments. Illustrates first and second switching signals that are appropriately changed and input when a P-type transistor is configured as the second switching transistor.

제3실시예Third embodiment

도 10은 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제3실시예를 도시한 등가회로도이며, 연산소자로서 반전증폭기(AMP)와, 푸시-풀 회로부(P/P)와, 동일 타입의 제1 및 제2스위칭 트랜지스터(TR1)(TR2), 다수의 저항(R1~R6) 및 커패시터(CF)로 구성되는 공통전압 발생회로를 도시하고 있다. Fig. 10 is an equivalent circuit diagram showing a third embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention, in which an inverting amplifier AMP, a push-pull circuit section P / P, and a first type of the same type are used as operational elements. A common voltage generation circuit including a second switching transistor TR1 (TR2), a plurality of resistors R1 to R6, and a capacitor CF is shown.

여기서, 상기 연산소자(AMP)는 반전증폭을 수행하며, 반전입력단(-)과 비반전입력단(+) 및 출력단을 구비하고 있는 연산증폭기(OP-AMP)로서, 공통전압의 스윙출력을 위한 제어신호(CNT)를 입력받는다. Here, the operation element AMP performs an inverted amplification, and is an operational amplifier OP-AMP having an inverting input terminal (-), a non-inverting input terminal (+), and an output terminal, and controls for a swing output of a common voltage. It receives a signal CNT.

상기 푸시-풀 회로부(P/P)는 구동전압(VLCD)을 입력받고, 공통전압(Vcom)의 스윙 속도를 더욱 증대시키기 위한 구성으로서, 하나 이상의 트랜지스터가 조합되며 접지단(GND)과 더욱 연결되는 구성이다. The push-pull circuit part P / P is configured to receive a driving voltage VLCD and further increase a swing speed of the common voltage Vcom. One or more transistors are combined and further connected to the ground terminal GND. It is a configuration.

또한 바람직하게 가변저항(Variable resistance)으로 구성되는 제4저항(R4)은 그 저항 값의 조절을 통해 화상에 나타나는 블락 딤(block dim) 등을 조정할 수 있도록 하기 위한 구성이다.In addition, the fourth resistor R4, which is preferably composed of variable resistance, is configured to adjust a block dim appearing in the image by adjusting the resistance value.

커패시터(CF)는 노이즈나 리플전압이 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되어 증폭된 후 출력되는 것을 막기 위한 것으로서, 상기 연산소자(AMP)의 입력단으로 피드백되는 노이즈는 패널에 유입되어 화면전체에 물결 노이즈를 발생시키는 원인이 되기 때문이다.The capacitor CF is to prevent the noise or the ripple voltage from being fed back to the input terminal of the operational element AMP and then amplified. The noise fed back to the input terminal of the operational element AMP flows into the panel to provide the entire screen. This is because wave noise is generated.

상기 제어신호(CNT)는 16.7ms의 반주기를 가지고 상기 반전증폭기(AMP)의 반전입력단(-)으로 입력되는 구형파로서, 상기 회로를 통해 출력되는 공통전압(Vcom)이 레벨의 변화를 가지도록 레벨스윙(swing)을 수행하게 된다. 상기 제어신호(CNT)의 하이 레벨과 로우 레벨간의 전압차이는 약 3.3V 이다.The control signal CNT is a square wave input to the inverting input terminal (-) of the inverting amplifier AMP with a half cycle of 16.7 ms, and has a level such that the common voltage Vcom output through the circuit has a change in level. Swing will be performed. The voltage difference between the high level and the low level of the control signal CNT is about 3.3V.

상기 제1스위칭신호(SW1)와 제2스위칭신호(SW2)는 구형파로서, 각각 상기 제어신호(CNT)의 상승과 하강 시점에 각 스위칭 트랜지스터의 구동을 위한 전압신호가 인가되며, 각 신호의 인가에 따라 상기 제3저항(R3), 제4저항(R4), 제5저항(R5), 제6저항(R6) 간의 저항합성관계의 변환이 수행되어 공통전압의 스윙에 따른 정상상태 응답시간을 제어한다.The first switching signal SW1 and the second switching signal SW2 are square waves, and voltage signals for driving each switching transistor are applied at the time when the control signal CNT rises and falls, respectively. In accordance with the above, the conversion of the resistance synthesis relationship between the third resistor R3, the fourth resistor R4, the fifth resistor R5, and the sixth resistor R6 is performed to obtain a steady state response time according to the swing of the common voltage. To control.

이하 기 도시된 도 6의 구동 타이밍도와 도 7의 출력 그래프를 참조하여 본 발명의 제3실시예에 따른 공통전압 발생회로의 구동과 그 효과에 대해 설명하는 바, 공통전압 오버드라이빙을 위한 원리는 전술한 제1 및 제2실시예와 동일하나 연산소자의 비반전입력단으로 입력되는 구동전압의 DC 레벨 변환을 통한 공통전압 레벨스윙을 수행하는 점에서 차이를 가진다.Hereinafter, the driving and effects of the common voltage generation circuit according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the driving timing diagram of FIG. 6 and the output graph of FIG. 7. The same as the first and second embodiments described above, except that the common voltage level swing is performed through the DC level conversion of the driving voltage input to the non-inverting input terminal of the operation element.

먼저, 상기 회로에 구성된 제1스위칭 트랜지스터(TR1) 및 제2스위칭 트랜지스터(TR2)는 동일한 타입으로서, 예를 들어 도시된 바와 같이 모두 N-타입이라 하면, 도 6과 같은 제어신호 및 스위칭신호 타이밍을 통해 구동되며 각 스위칭신호(SW1)(SW2)가 하이(high) 레벨일 때 온(on)되고, 각 스위칭신호(SW1)(SW2)가 로우(low) 레벨일 때 오프(off)된다. First, when the first switching transistor TR1 and the second switching transistor TR2 configured in the circuit are the same type, for example, all of them are N-types as shown, the control signal and the switching signal timing as shown in FIG. It is driven through and is turned on when each switching signal SW1 (SW2) is at a high level, and turned off when each switching signal SW1 (SW2) is at a low level.

타이밍도를 보면, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 로우레벨 상태의 구간에서는, 상기 N-타입의 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 오프 상태를 유지하는 구간이므로 출력 레벨은 (R4×VLCD)/(R3+R4)로 표현된다. Referring to the timing diagram, in the section in which the first switching signal SW1 is in the low level state, the output level is (R4 x VLCD) / in the section in which the N-type first switching transistor TR1 is in the off state. It is represented by (R3 + R4).

이후, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 하이레벨로 전환되면 상기 제1스위칭 트랜지스터(TR1)가 온 상태가 되어 상기 반전증폭기(AMP)의 비반전입력단(+)으로 입력되는 DC 레벨은 (R4×VLCD)/(Rh+R4){여기서, Rh=(R3//R5), 즉 Rh=(R3×R5)/(R3+R5)}로 전환되어 높은 DC 레벨의 입력이 수행되며, 증대된 출력에 의해 공통전압의 상승(rising)시 오버 드라이빙(over driving)되어 (T)시간 만큼의 충전시간 감소 효과를 얻게 된다. Subsequently, when the first switching signal SW1 is switched to the high level, the first switching transistor TR1 is turned on and the DC level input to the non-inverting input terminal (+) of the inverting amplifier AMP is (R4). × VLCD) / (Rh + R4) {where Rh = (R3 // R5), i.e. Rh = (R3 × R5) / (R3 + R5)}, to achieve high DC level input and increase The output is overdried when the common voltage rises, thereby reducing the charging time by (T) time.

이후, 상기 제1스위칭신호(SW1)가 다시 로우레벨로 전환되면 DC 레벨은 낮아지게 된다. Subsequently, when the first switching signal SW1 is switched to the low level again, the DC level becomes low.

다음으로, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 로우상태인 구간에서는, 상기 N-타입의 제2스위칭 트랜지스터(TR2)가 오프 상태를 유지하는 구간이므로 출력레벨은 (R4×VLCD)/(R3+R4)로 표현된다. Next, in the section in which the second switching signal SW2 is in the low state, the output level is (R4 × VLCD) / (R3 + because the N-type second switching transistor TR2 is in the off state. R4).

이후, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 하이레벨로 전환되면 상기 제2스위칭 트랜지스터(TR2)가 온 상태가 되어 상기 반전증폭기(AMP)의 비반전입력단(+)으로 입력되는 DC 레벨은 (Rm×VLCD)/(R3+Rm),{여기서, Rm=(R4//R6), 즉 Rh=(R4×R6)/(R4+R6)}로 전환되어 저항-전압 분배 관계에 의해 낮은 DC 레벨이 비반전입력단으로 입력되며, 이처럼 낮아진 DC 레벨은 공통전압의 하강(falling)시 오버 드라이빙(over driving) 되어 (T)시간 만큼의 충전시간 감소 효과를 얻게 된다. Thereafter, when the second switching signal SW2 is switched to the high level, the second switching transistor TR2 is turned on and the DC level input to the non-inverting input terminal (+) of the inverting amplifier AMP is (Rm). × VLCD) / (R3 + Rm), {where Rm = (R4 // R6), that is, Rh = (R4 × R6) / (R4 + R6)}, resulting in a low DC level due to the resistance-voltage distribution relationship. The lowered DC level is input to the non-inverting input terminal, so that the driving time is reduced by over driving when the common voltage falls.

이후, 상기 제2스위칭신호(SW2)가 다시 로우레벨로 전환되면 DC 레벨은 높아지게 된다. 결국, 기 도시된 도 7과 같이 오버 드라이빙된 공통전압 스윙출력을 얻을 수 있다. Thereafter, when the second switching signal SW2 is switched to the low level again, the DC level becomes high. As a result, as shown in FIG. 7, the overdriven common voltage swing output may be obtained.

전술한 제3실시예의 회로 역시 스위칭 트랜지스터를 모두 P-타입의 트랜지스터로 구성할 수 있으며, 이에 따라 각 스위칭 트랜지스터의 온/오프제어를 위한 각 스위칭신호 역시 전술한 방법으로 오버 드라이빙을 수행하기 위해 기 도시된 도 9의 타이밍도에 도시된 바와 같이 적절하게 변경되어야 함은 당연하다. In the above-described third embodiment, the switching transistors may be configured as all P-type transistors. Accordingly, each switching signal for on / off control of each switching transistor may also be overdriven by the above-described method. Naturally, it should be changed as shown in the timing diagram of FIG.

상기와 같이 설명한 본 발명에 따른 공통전압 발생회로는 종래의 노이즈 반입을 막기 위해 구성한 커패시터와 저항의 로드에 의해 발생되던 공통전압 스윙에서의 충진 시간 지연 현상을 별도의 저항을 더욱 부가하고 이의 스위칭 연결을 통한 저항 값의 변경을 통해 반전 증폭되는 이득을 조절함으로써 지연시간의 단축을 수행하고 있다.The common voltage generation circuit according to the present invention as described above further adds a separate resistance to the charge time delay phenomenon in the common voltage swing generated by a load of a capacitor and a resistor configured to prevent a conventional noise input, and the switching connection thereof. The delay time is reduced by controlling the gain that is inverted and amplified by changing the resistance value.

이러한 방법은 스윙방식의 공통전압 인가 구동에서 정상상태로 충전되는 시간의 지연 현상이 없어 데이터의 정 구동이 가능하게 하여 화질의 품질 향상 효과가 있다.In this method, since there is no delay of the charging time in the steady state in the swing type common voltage application driving, the data can be positively driven, thereby improving the quality of image quality.

도 1은 종래의 액티브 메트릭스형 액정표시장치를 도시한 도면1 is a view showing a conventional active matrix liquid crystal display device

도 2는 종래의 공통전압 발생회로를 도시한 등가 회로도2 is an equivalent circuit diagram showing a conventional common voltage generating circuit.

도 3은 종래의 스윙 방식의 공통전압 발생회로에서의 스윙 제어신호 파형을 도시한 도면3 is a diagram illustrating a swing control signal waveform in a common voltage generation circuit of a conventional swing method.

도 4는 도 2의 공통전압 발생회로에서 출력되는 공통전압 스윙 파형을 도시한 도면4 is a diagram illustrating a common voltage swing waveform output from the common voltage generator of FIG. 2.

도 5는 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제1실시예 회로를 도시한 등가회로도5 is an equivalent circuit diagram showing a circuit of a first embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 공통전압 발생회로에 인가되는 신호를 도시한 신호파형도6 is a signal waveform diagram showing a signal applied to a common voltage generation circuit according to a first embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 공통전압 발생회로를 통해 출력되는 공통전압 스윙 파형을 도시한 도면7 is a diagram illustrating a common voltage swing waveform output through a common voltage generation circuit according to a first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제2실시예 회로를 도시한 등가 회로도8 is an equivalent circuit diagram showing a circuit of a second embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제1 및 제2실시예에서 N-타입의 제1스위칭 트랜지스터와 P-타입의 제2스위칭 트랜지스터를 구성한 경우의 구동을 위한 제어 및 스위칭신호 타이밍도9 is a control and switching signal timing diagram for driving when the N-type first switching transistor and the P-type second switching transistor are configured in the first and second embodiments of the common voltage generation circuit according to the present invention.

도 10은 본 발명에 따른 공통전압 발생회로의 제3실시예 회로를 도시한 등가 회로도 10 is an equivalent circuit diagram showing a circuit of a third embodiment of a common voltage generating circuit according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

VLCD : 액정구동전압 Vcom : 공통전압VLCD: Liquid Crystal Driving Voltage Vcom: Common Voltage

AMP : 반전증폭기 CNT : 제어신호AMP: Inverting amplifier CNT: Control signal

SW1, SW2 : 제1 및 제2스위칭신호SW1, SW2: first and second switching signals

TR1, TR2 : 제1 및 제2스위칭 트랜지스터 TR1, TR2: first and second switching transistors

Claims (30)

반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와;A computing element having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동되며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와;A push-pull circuit unit which is driven by receiving an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와;A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 제1저항과;A first resistor configured between the inverting input terminal of the computing element and the common voltage output terminal of the push-pull circuit portion; 상기 연산소자의 반전입력단과 일단이 연결되는 제2저항과;A second resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element; 상기 제2저항의 타단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단에 각각 연결되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와;A first switching transistor connected to the other end of the second resistor and the common voltage output terminal of the push-pull circuit unit and driven by receiving a first switching signal; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단으로 구동전압이 입력되는 제3저항과;A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과; A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제5저항과;A fifth resistor whose one end is connected to the non-inverting input terminal of the computing element; 상기 제5저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터와;A second switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the ground terminal and driven by receiving a second switching signal; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제6저항A sixth resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element and a control signal inputted to the other end 을 포함하는 공통전압 발생회로Common voltage generating circuit including 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 연산소자는 연산 증폭기인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The operational element is a common voltage generator, characterized in that the operational amplifier 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 푸시-풀 회로부는 하나 이상의 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part includes a common voltage generation circuit comprising one or more transistors. 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 푸시-풀 회로부는 구동전압을 입력받고 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part receives a driving voltage and is connected to a ground terminal. 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제4저항은 가변저항인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The fourth resistor is a common resistor, characterized in that the variable resistor 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제어신호는 구형파인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal is a square wave, characterized in that the common voltage generating circuit 청구항 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, The method according to claim 1 or 6, 상기 제어신호는 반주기가 16.7ms 인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal has a half period of 16.7 ms, the common voltage generating circuit 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1스위칭신호는 상기 제어신호의 상승시점에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 동작상태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로Wherein the first switching signal switches an operating state of the first switching transistor at the time when the control signal rises. 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제2스위칭신호는 상기 제어신호의 하강시점에서 상기 제2스위칭 트랜지스터의 동작상태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The second switching signal is a common voltage generation circuit, characterized in that for switching the operation state of the second switching transistor at the time of falling of the control signal. 청구항 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 각 스위칭 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로Each switching transistor is a P-type or N-type transistor, characterized in that the common voltage generating circuit 반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와;A computing element having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동하며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와;A push-pull circuit unit which receives and drives an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와;A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; 상기 연산소자의 반전입력단과 일단이 연결되는 제1저항과;A first resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element; 일단이 상기 제1저항과 직렬 연결되고 타단이 상기 공통전압출력단과 연결되는 제2저항과;A second resistor having one end connected in series with the first resistor and the other end connected with the common voltage output terminal; 상기 제2저항의 양단 사이에 구성되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와;A first switching transistor configured between both ends of the second resistor and driven by receiving a first switching signal; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단에 구동전압이 입력되는 제3저항과;A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과;A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제5저항과;A fifth resistor whose one end is connected to the non-inverting input terminal of the computing element; 상기 제5저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터와;A second switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the ground terminal and driven by receiving a second switching signal; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제6저항A sixth resistor having one end connected to the inverting input terminal of the operation element and a control signal inputted to the other end 을 포함하는 공통전압 발생회로Common voltage generating circuit including 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 연산소자는 연산 증폭기인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The operational element is a common voltage generator, characterized in that the operational amplifier 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 푸시-풀 회로부는 하나 이상의 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part includes a common voltage generation circuit comprising one or more transistors. 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 푸시-풀 회로부는 구동전압을 입력받고 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part receives a driving voltage and is connected to a ground terminal. 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제4저항은 가변저항인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The fourth resistor is a common resistor, characterized in that the variable resistor 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제어신호는 구형파인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal is a square wave, characterized in that the common voltage generating circuit 청구항 제 11 항 또는 제 16 항에 있어서, The method according to claim 11 or 16, 상기 제어신호는 반주기가 16.7ms 인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal has a half period of 16.7 ms, the common voltage generating circuit 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1스위칭신호는 상기 제어신호의 상승시점에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 동작생태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The first switching signal converts an operating state of the first switching transistor at the time when the control signal rises. 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제2스위칭신호는 상기 제어신호의 하강시점에서 상기 제2스위칭 트랜지스터의 동작상태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The second switching signal is a common voltage generation circuit, characterized in that for switching the operation state of the second switching transistor at the time of falling of the control signal. 청구항 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 각 스위칭 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로Each switching transistor is a P-type or N-type transistor, characterized in that the common voltage generating circuit 반전입력단과 비반전입력단 및 출력단을 구비한 연산소자와;A computing element having an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal; 상기 연산소자의 출력을 입력받아 구동되며, 공통전압출력단을 통해 공통전압을 출력하는 푸시-풀 회로부와;A push-pull circuit unit which is driven by receiving an output of the operation element and outputs a common voltage through a common voltage output terminal; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 커패시터와;A capacitor configured between an inverting input terminal of said computing element and a common voltage output terminal of said push-pull circuit portion; 상기 연산소자의 반전입력단과 상기 푸시-풀 회로부의 공통전압출력단 사이에 구성되는 제1저항과;A first resistor configured between the inverting input terminal of the computing element and the common voltage output terminal of the push-pull circuit portion; 일단이 상기 연산소자의 반전입력단과 연결되고 타단으로 제어신호가 입력되는 제2저항과;A second resistor having one end connected to an inverting input terminal of the operation element and a control signal input to the other end; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단과 연결되고 타단으로 구동전압이 입력되는 제3저항과;A third resistor having one end connected to a non-inverting input terminal of the operation element and a driving voltage input to the other end; 접지단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되는 제4저항과;A fourth resistor configured between a ground terminal and a non-inverting input terminal of the computing element; 일단으로 구동전압이 입력되는 제5저항과;A fifth resistor to which the driving voltage is input; 상기 제5저항의 타단과 상기 연산소자의 비반전입력단 사이에 구성되고 제1스위칭신호를 입력받아 구동되는 제1스위칭 트랜지스터와;A first switching transistor configured between the other end of the fifth resistor and the non-inverting input end of the arithmetic element and driven by receiving a first switching signal; 일단이 상기 연산소자의 비반전입력단에 연결되는 제6저항과;A sixth resistor having one end connected to the non-inverting input terminal of the operation element; 상기 제6저항의 타단과 접지단 사이에 구성되고 제2스위칭신호를 입력받아 구동되는 제2스위칭 트랜지스터A second switching transistor configured between the other end of the sixth resistor and a ground terminal and driven by receiving a second switching signal; 를 포함하는 공통전압 발생회로Common voltage generation circuit including 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 연산소자는 연산 증폭기인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The operational element is a common voltage generator, characterized in that the operational amplifier 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 푸시-풀 회로부는 하나 이상의 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part includes a common voltage generation circuit comprising one or more transistors. 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 푸시-풀 회로부는 구동전압을 입력받고 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The push-pull circuit part receives a driving voltage and is connected to a ground terminal. 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제4저항은 가변저항인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The fourth resistor is a common resistor, characterized in that the variable resistor 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제어신호는 구형파인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal is a square wave, characterized in that the common voltage generating circuit 청구항 제 21 항 또는 제 26 항에 있어서, The method of claim 21 or 26, 상기 제어신호는 반주기가 16.7ms 인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The control signal has a half period of 16.7 ms, the common voltage generating circuit 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1스위칭신호는 상기 제어신호의 상승시점에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 동작 상태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The first switching signal switches the operating state of the first switching transistor at the time when the control signal rises. 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제2스위칭신호는 상기 제어신호의 하강시점에서 상기 제2스위칭 트랜지스터의 동작상태를 전환시키는 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로The second switching signal is a common voltage generation circuit, characterized in that for switching the operation state of the second switching transistor at the time of falling of the control signal. 청구항 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 각 스위칭 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 공통전압 발생회로Each switching transistor is a P-type or N-type transistor, characterized in that the common voltage generating circuit
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