KR20050068768A - Photolithography process system possible measurement of depth - Google Patents
Photolithography process system possible measurement of depth Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050068768A KR20050068768A KR1020030100573A KR20030100573A KR20050068768A KR 20050068768 A KR20050068768 A KR 20050068768A KR 1020030100573 A KR1020030100573 A KR 1020030100573A KR 20030100573 A KR20030100573 A KR 20030100573A KR 20050068768 A KR20050068768 A KR 20050068768A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- thickness
- coating
- heat treatment
- treatment unit
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 두께 측정이 가능한 포토리소그래피 공정 시스템은 기 설정된 코팅 리사이프에 따라 웨이퍼 상에 PR을 도포한 후 열처리 과정을 실시하는 코팅 및 열처리부와, 코팅 및 열처리부로부터 PR이 도포된 웨이퍼를 이송받아 상기 PR의 두께를 측정하여 기 설정된 두께의 PR이 상기 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 측정된 PR의 두께 값을 상기 코팅 및 열처리부에 제공하고, 기 설정된 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포된 경우 노광 공정을 수행하는 노광 장비로 웨이퍼를 이송시키는 두께 측정부를 포함하며, 코팅 및 열처리부는, 상기 PR의 두께 값을 제공받아 상기 기 설정된 코팅 리사이프를 변경하여 상기 웨이퍼 상에 PR을 재도포하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a photolithography process system capable of measuring a thickness includes a coating and heat treatment unit for applying heat treatment after applying PR on a wafer according to a predetermined coating reef, and a wafer coated with PR from the coating and heat treatment unit. When the thickness of the PR is measured and the PR of the predetermined thickness is not applied on the wafer, the thickness value of the measured PR is provided to the coating and heat treatment unit, and the PR of the predetermined thickness is applied on the wafer. And a thickness measuring unit for transferring the wafer to an exposure apparatus that performs an exposure process, wherein the coating and heat treatment unit receives the thickness value of the PR to change the preset coating relief to reapply the PR onto the wafer. It is characterized by.
이와 같이, 본 발명은 트랙 장비와 노광 장비 사이에 두께 측정 장비를 설치하여 트랙 장비에서 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정한 후 원하는 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 웨이퍼를 트랙 장비로 재이송시킨 후 크팅 리사이프를 조절하여 웨이퍼 상에 PR 재도포함으로써, 원하는 두께의 PR을 웨이퍼 상에 도포할 수 있는 효과가 있다. As such, the present invention measures the thickness of the PR applied on the wafer in the track equipment by installing a thickness measuring device between the track equipment and the exposure equipment, and then tracks the wafer when the PR of the desired thickness is not applied on the wafer. After re-transferring, the PR can be coated on the wafer by adjusting the retouching and re-coating the PR onto the wafer.
Description
본 발명은 포토리소그래피 공정 시스템에 관한 것으로, 특히 두께 측정이 가능한 포토리소그래피 공정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a photolithography process system, and more particularly to a photolithography process system capable of measuring thickness.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 17단계 이상의 포토리소그래피 단계를 이용한다. 각 단계에서 반도체(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 표면포토레지스트(pr) 재료 가증착되고, 이 PR 상에 패턴을 카피하기 위해 광학처리가 사용된다. 그 후 패터닝된 PR은 에칭, 주입(implanting), 증착(deposition), 각인(scribe), 연마(grinding) 등의 후속 처리 단계에서 마스킹층으로서 사용된다. 즉 이러한 포토리소그래피 공정은 트랙 장비에서 웨이퍼 상에 PR을 도포 및 열처리 과정을 거친 후 웨이퍼를 노광 장비로 이송하여 원하는 패턴을 가진 마스크를 사용하여 웨이퍼 상의 PR를 노광한 후 다시 트랙 장비로 반송하여 현상 및 열처리 과정을 통해 웨이퍼 상에 원하는 PR 패턴을 형성하는 것이다.In general, semiconductor manufacturing processes employ more than 17 photolithography steps. In each step, a semiconductor (eg silicon wafer) surface photoresist (pr) material is deposited and an optical treatment is used to copy the pattern onto this PR. The patterned PR is then used as a masking layer in subsequent processing steps such as etching, implanting, deposition, scribe, grinding and the like. In other words, the photolithography process is carried out by applying the PR on the wafer in the track equipment and the heat treatment process, and then transfer the wafer to the exposure equipment to expose the PR on the wafer using a mask having a desired pattern and then return it to the track equipment. And forming a desired PR pattern on the wafer through a heat treatment process.
이러한 포토리소그래피 공정은 반도체 산업에서 사용되는 가장 어려운 기술 중 하나이다. 중요층에 프린팅된 패턴은 전체 기술에 대한 치수 한계를 설정한다. 오늘날생산물에서 얻어지는 최소 선폭은 0.18㎛이므로, 다음 세대의 기술에서는 0.1㎛이하의 최소 선폭을 필요로 한 것으로 기대된다.This photolithography process is one of the most difficult technologies used in the semiconductor industry. The pattern printed on the critical layer sets the dimensional limits for the entire technology. Since the minimum line width obtained in today's products is 0.18 μm, it is expected that the next generation of technologies will require a minimum line width of less than 0.1 μm.
웨이퍼 내에 그리고 웨이퍼간에 높은 균일성을 갖는 최소 선폭을 얻기 위해서는 포토리소그래피 공정에서 각 변수를 제어하는 것이 가장 중요하다. 각 변수들 중 노출 에너지, PR의 화학 조성, 현상 시간 및 소성 온도들은 최조의 임계치수(CD) 및 그 균일성에 영향을 줄 수 있는 변수의 일부에 지나지 않으며, 가장 중요한 변수는 PR의 두께이다. 포토리소그래피의 광학적 성질 때문에 층 두께에서 수 나노미터의 변동이 있으면 최종 임계 수치에 상당한 영향을 줄 수 있다.Controlling each variable in a photolithography process is of paramount importance to achieve a minimum line width with high uniformity within and between wafers. Of these variables, the exposure energy, the chemical composition of the PR, the development time and the firing temperatures are only some of the variables that can affect the maximum critical dimension (CD) and its uniformity, the most important being the thickness of the PR. Because of the optical nature of photolithography, variations in layer thickness of several nanometers can have a significant impact on the final critical value.
포토리소그래피 공정에서는, 고속 회전하는 척(chuck), 소위 스피너(spinner)에 PR막을 공급한다. 웨이퍼는 회전척에 놓고 PR을 웨이퍼의 중심에 분배하면서 척을 이용하여 웨이퍼를 저속으로 회전시킨다. 분배 후, 척을 고속(300∼5000RPM)으로 회전시킨다. PR에 작용하는 원심력으로 인하여 PR액은 웨이퍼 에지 쪽으로 유동하게 된다. 여기서, PR의 대부분, 대략 95%는 웨이퍼로부터 제거되어 용기에 수집된 후 드레인되고, 웨이퍼 면과 PR 사이의 접착력으로 웨이퍼 상에는 소량의 PR이 남게 된다. 최종 두께는 원심력, 표면 점착 및 이 액체의 점성에 의해 생기는 전단력의 함수이다. 점성은 용제의 증발에 의해 회전 중에 증가되며 따라서 용제 증발 속도도 최종 두께에 영향을 준다. In the photolithography step, the PR film is supplied to a chuck that rotates at a high speed, a so-called spinner. The wafer is placed on a rotary chuck and the wafer is rotated at low speed using the chuck while distributing PR to the center of the wafer. After dispensing, the chuck is rotated at high speed (300 to 5000 RPM). The centrifugal force acting on the PR causes the PR liquid to flow toward the wafer edge. Here, most of the PR, approximately 95%, is removed from the wafer, collected in a container and then drained, leaving a small amount of PR on the wafer due to the adhesion between the wafer surface and the PR. The final thickness is a function of the shear force created by the centrifugal force, surface adhesion and the viscosity of this liquid. Viscosity is increased during rotation by evaporation of the solvent, so solvent evaporation rate also affects the final thickness.
최근 들어 반도체 공정의 선폭 미세화가 진전되면서 웨이퍼 상에 도포되는 PR의 두께 유지는 공정 능력 향상을 위해 그 중요도를 더해가고 있다. 따라서 공정 엔지니어들은 웨이퍼에 PR을 도포시키는 각 트랙 장비에서 사용 중인 PR별로 정기적인 PR의 두께를 측정하고 있다.Recently, as the line width of the semiconductor process has been advanced, maintaining the thickness of the PR applied on the wafer has increased the importance for improving the process capability. As a result, process engineers are measuring the thickness of the PR on a regular basis for each PR in use on each track equipment that applies PR to the wafer.
또한, PR 중에서 높은 점도를 갖는 폴리이미드(polyimide) 계열의 PR은 트랙 장비에 장착한 후 그 점도가 점점 증가하기 때문에 일정 시간 단위로 그 두께를 측정하고, 점도 변화에 따른 두께 증감을 트랙 장비에서의 PR 도포 시 회전 속도의 가감을 통해 웨이퍼 상에 원하는 두께를 갖는 PR을 도포하였다.In addition, since the viscosity of polyimide-based PR having high viscosity among PR is gradually increased after mounting on the track equipment, the thickness is measured in a unit of time, and the thickness increase or decrease according to the change of viscosity is increased in the track equipment. PR having a desired thickness was applied onto the wafer through the addition or decrease of the rotational speed during the PR application of.
이러한 종래 기술에 의한 PR 두께 유지 방법은 트랙 장비에서 PR을 웨이퍼 상에 도포한 후 별도의 PR 두께 측정 장비로 웨이퍼를 이송하여 PR의 두께를 측정하고, 측정된 PR의 두께가 원하는 두께가 아닌 경우 트랙 장비의 PR 도포 시 회전 속도를 가감하는 도포 리사이프(recipe)를 엔지니어가 직접 조정하여 원하는 두께를 갖는 PR을 웨이퍼에 도포한다.The PR thickness maintaining method according to the related art is to apply the PR on the wafer in the track equipment and then transfer the wafer to a separate PR thickness measuring device to measure the thickness of the PR, and if the measured thickness of the PR is not the desired thickness When the PR of the track equipment is applied, the engineer directly adjusts a coating recipe that reduces the rotational speed to apply a PR having a desired thickness to the wafer.
그러나, 이와 같은 종래의 PR 두께 유지 방법은 PR 두께 측정 장비와 트랙 장비가 독립적인 시스템으로 구성되어 있고, 엔지니어가 PR 두께를 제어하기 위한 도포 리사이프를 직접 조정하기 때문에 공정의 안정성 및 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.However, this conventional method of maintaining PR thickness consists of a system in which the PR thickness measuring equipment and the track equipment are independent, and because the engineer directly adjusts the coating reef for controlling the PR thickness, the process stability and reliability are inferior. There is a problem.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 트랙 장비와 노광 장비 사이에 두께 측정 장비를 설치하여 트랙 장비에서 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정한 후 원하는 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 웨이퍼를 트랙 장비로 재이송시킨 후 크팅 리사이프를 조절하여 웨이퍼 상에 PR 재도포함으로써, 원하는 두께의 PR을 웨이퍼 상에 도포할 수 있는 두께 측정이 가능한 포토리소그래피 공정 시스템을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, by installing a thickness measuring device between the track equipment and the exposure equipment to measure the thickness of the PR applied on the wafer in the track equipment after the PR of the desired thickness is If it is not applied on the wafer, the photolithography process system enables the thickness measurement to transfer the PR on the wafer by re-applying the wafer to the track equipment and then adjusting the reclining resurfacing on the wafer. To provide.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 로딩된 웨이퍼 상에 PR을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 통해 상기 웨이퍼 상에 PR 패턴을 형성시키는 포토리스그래피 공정 시스템에 있어서, 기 설정된 코팅 리사이프에 따라 상기 웨이퍼 상에 PR을 도포한 후 열처리 과정을 실시하는 코팅 및 열처리부와, 상기 코팅 및 열처리부로부터 PR이 도포된 웨이퍼를 이송받아 상기 PR의 두께를 측정하여 기 설정된 두께의 PR이 상기 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 상기 측정된 PR의 두께 값을 상기 코팅 및 열처리부에 제공하고, 상기 기 설정된 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포된 경우 상기 노광 공정을 수행하는 노광 장비로 웨이퍼를 이송시키는 두께 측정부를 포함하며, 상기 코팅 및 열처리부는, 상기 PR의 두께 값을 제공받아 상기 기 설정된 코팅 리사이프를 변경하여 상기 웨이퍼 상에 PR을 재도포하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the photolithography process system for forming a PR pattern on the wafer through the exposure and development process after coating the PR on the loaded wafer, a predetermined coating resipe According to the coating and the heat treatment unit for performing a heat treatment process after applying the PR on the wafer and the wafer is coated with the PR coated PR from the coating and heat treatment to measure the thickness of the PR PR of the predetermined thickness is When the thickness of the PR is not applied to the wafer is provided to the coating and the heat treatment unit, when the PR of the predetermined thickness is applied on the wafer to transfer the wafer to the exposure equipment to perform the exposure process And a thickness measuring unit, wherein the coating and heat treatment unit receives the thickness value of the PR to change the preset coating re sipe. W characterized in that the re-application of the PR on the wafer.
이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 두께 측정이 가능한 포토리소그래피 공정 시스템을 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a photolithography process system capable of measuring thickness according to the present invention.
도 1을 참조하면, 포토리소그래피 공정 시스템은, 트랙 장비로 웨이퍼를 로딩시키는 웨이퍼 로딩부(100)와, 로딩된 웨이퍼에 PR을 도포한 후 열처리 과정을 실시하고 노광 공정을 수행한 웨이퍼에 현상 공정을 실시하는 트랙 장비(200)와, PR 도포 및 열처리 과정이 끝난 웨이퍼를 제공받아 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정한 후 기 설정된 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 웨이퍼를 트랙 장비(200)로 이송시키고 기 설정된 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포된 경우 웨이퍼를 노광 장비로 이송시키는 두께 측정 장비(300)와, 이송된 웨이퍼에 노광 공정을 수행한 후 이를 트랙 장비(200)로 이송시키는 노광 장비(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the photolithography process system includes a wafer loading unit 100 for loading a wafer with track equipment, a process of applying a PR to the loaded wafer, performing a heat treatment process, and then performing an exposure process on the wafer. Track equipment 200 for carrying out the process, and after receiving the wafer that has been subjected to PR coating and heat treatment, measuring the thickness of the PR coated on the wafer, and if the PR of the predetermined thickness is not coated on the wafer, When the thickness is transferred to the 200 and the predetermined thickness PR is applied on the wafer, the thickness measuring equipment 300 for transferring the wafer to the exposure equipment, and after performing the exposure process on the transferred wafer, it is transferred to the track equipment 200. And exposure equipment 400 for transferring.
트랙 장비(200)는 코팅 리사이프를 조절하여 웨이퍼 상에 도포되는 PR의 두께를 조절하고 로딩된 웨이퍼 상에 PR을 도포한 열처리 과정을 실시하는 코팅 및 열처리부(210)와, 노광 공정을 수행한 웨이퍼에 현상 공정을 실시한 후 이를 외부로 언로딩시키는 현상부(220)를 포함한다. 여기서, 코팅 및 열처리부(210)는 PR 도포 시 웨이퍼의 회전 속도를 가감시키는 코팅 리사이프를 이용하여 웨이퍼 상에 도포되는 PR의 두께를 조절한다.The track equipment 200 adjusts the coating reef, adjusts the thickness of the PR applied on the wafer, and performs a heat treatment process of the coating and heat treatment unit 210 to apply the PR on the loaded wafer, and performs an exposure process. After the development process is performed on one wafer, it includes a developing unit 220 for unloading it to the outside. Here, the coating and heat treatment unit 210 adjusts the thickness of the PR is applied on the wafer by using a coating reef to reduce the rotational speed of the wafer during the PR coating.
두께 측정 장비(300)는 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1의 두께 측정 장비를 구체적으로 도시한 도면이다.The thickness measuring device 300 will be described with reference to FIG. 2. 2 is a view showing in detail the thickness measuring equipment of FIG.
도 2를 참조하면, 두께 측정 장비(300)는 웨이퍼 상에 도포된 PR(포토레지스트)를 투과하여 웨이퍼 면에 입사되는 광과 웨이퍼 상에 도포된 PR 면에 입사되는 광을 제공하는 광원(310)과, 광원(310)에서 제공된 광에 의해 웨이퍼 면에서 반사된 제 1 반사광과 PR 면에서 반사된 제 2 반사광의 파장간 간섭 신호를 검출하여 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정하는 검출기(320)와, 검출기(320)에서 측정된 PR의 두께가 기 설정된 두께와 일치하지 않은 경우 측정된 PR의 두께를 코팅 및 열처리부(210)에 제공하는 두께 측정 제어기(330)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the thickness measuring device 300 transmits a PR (photoresist) applied on a wafer to provide light incident on the wafer surface and light incident on the PR surface applied on the wafer. And a detector for detecting an interference signal between wavelengths of the first reflected light reflected from the wafer surface by the light provided from the light source 310 and the second reflected light reflected from the PR surface to measure the thickness of the PR applied on the wafer ( 320, and a thickness measurement controller 330 which provides the thickness of the measured PR to the coating and heat treatment unit 210 when the thickness of the PR measured by the detector 320 does not match the preset thickness.
상기와 같은 구성을 갖는 포토리소그래피 공정 시스템의 동작 과정은 아래와 같다.An operation process of the photolithography process system having the above configuration is as follows.
먼저, 웨이퍼 로딩부(100)에서 웨이퍼를 트랙 장비(200)의 코팅 및 열처리부(210)로 로딩시키면, 코팅 및 열처리부(210)는 기 설정된 코팅 리사이프에 따라 PR을 웨이퍼 상에 도포한 후 열처리 과정을 수행하고, PR 도포 및 열처리 과정을 거친 웨이퍼를 두께 측정 장비(300)에 이송시킨다.First, when the wafer is loaded from the wafer loading unit 100 to the coating and heat treatment unit 210 of the track equipment 200, the coating and heat treatment unit 210 applies PR onto the wafer according to a predetermined coating reef. After the heat treatment is performed, the wafer subjected to the PR coating and heat treatment process is transferred to the thickness measurement equipment (300).
두께 측정 장비(300)는 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정하고, 측정된 PR의 두께가 기 설정된 값과 일치하는지를 판단한다.The thickness measuring apparatus 300 measures the thickness of the PR applied on the wafer, and determines whether the measured thickness of the PR coincides with a preset value.
상기 판단 결과, PR의 두께가 기 설정된 값과 일치하지 않은 경우 두께 측정 장비(300)는 측정된 PR의 두께를 코팅 및 열처리부(210)에 제공함과 더불어 웨이퍼를 코팅 및 열처리부(210)로 재 이송시킨다.As a result of the determination, when the thickness of the PR does not match the preset value, the thickness measuring apparatus 300 provides the measured thickness of the PR to the coating and heat treatment unit 210 and the wafer to the coating and heat treatment unit 210. Resend.
이에 따라 코팅 및 열처리부(210)는 두께 측정 장비(300)에서 제공받은 PR 두께값에 따라 코팅 리사이프를 재 설정한 후 웨이퍼 상에 PR을 재도포 및 열처리 과정을 실시한 후 이를 두께 측정 장비(300)로 이송시킨다.Accordingly, the coating and heat treatment unit 210 resets the coating rerecipe according to the PR thickness value provided by the thickness measuring apparatus 300 and then re-coats and heat-treats the PR on the wafer, and then measures the thickness of the thickness measuring equipment ( 300).
이와 과정을 통해 원하는 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포된 경우 두께 측정 장비(300)는 웨이퍼를 노광 장비(400)로 이송시키고, 노광 장비(400)는 PR이 도포된 웨이퍼에 노광 공정을 실시한 후 이를 현상부(220)로 이송시킨다.When the PR of the desired thickness is coated on the wafer through this process, the thickness measuring apparatus 300 transfers the wafer to the exposure apparatus 400, and the exposure apparatus 400 performs an exposure process on the wafer to which the PR is applied. This is transferred to the developing unit 220.
현상부(220)는 노광 공정이 적용된 웨이퍼에 현상 공정을 실시하여 웨이퍼 상에 원하는 PR 패턴을 형성시킨 후 이를 외부로 언로딩시킨다.The developing unit 220 performs a developing process on the wafer to which the exposure process is applied to form a desired PR pattern on the wafer, and then unloads it to the outside.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 트랙 장비와 노광 장비 사이에 두께 측정 장비를 설치하여 트랙 장비에서 웨이퍼 상에 도포된 PR의 두께를 측정한 후 원하는 두께의 PR이 웨이퍼 상에 도포되지 않은 경우 웨이퍼를 트랙 장비로 재이송시킨 후 크팅 리사이프를 조절하여 웨이퍼 상에 PR 재도포함으로써, 원하는 두께의 PR을 웨이퍼 상에 도포할 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention measures the thickness of the PR applied on the wafer in the track equipment by installing a thickness measuring device between the track equipment and the exposure equipment, and then if the PR of the desired thickness is not applied on the wafer, After re-transfer to the track equipment, by adjusting the reclining resurfacing PR re-coating on the wafer, there is an effect that the PR of the desired thickness can be applied on the wafer.
도 1은 본 발명에 따른 두께 측정이 가능한 포토리소그래피 공정 시스템을 도시한 블록도,1 is a block diagram illustrating a photolithography process system capable of measuring thickness according to the present invention;
도 2는 도 1의 두께 측정 장치를 상세하게 도시한 도면.FIG. 2 is a detailed view of the thickness measuring apparatus of FIG. 1. FIG.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030100573A KR100598262B1 (en) | 2003-12-30 | 2003-12-30 | Photolithography process system possible measurement of depth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030100573A KR100598262B1 (en) | 2003-12-30 | 2003-12-30 | Photolithography process system possible measurement of depth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050068768A true KR20050068768A (en) | 2005-07-05 |
| KR100598262B1 KR100598262B1 (en) | 2006-07-07 |
Family
ID=37259289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030100573A KR100598262B1 (en) | 2003-12-30 | 2003-12-30 | Photolithography process system possible measurement of depth |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100598262B1 (en) |
-
2003
- 2003-12-30 KR KR1020030100573A patent/KR100598262B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100598262B1 (en) | 2006-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5393624A (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device | |
| US6177133B1 (en) | Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process | |
| JP2002523763A (en) | Method and apparatus for measuring film thickness on semiconductor substrate, especially photoresist film thickness | |
| CN113171936B (en) | Glue spreading method in photoetching process | |
| JP2816866B2 (en) | Processing method and processing apparatus | |
| US8927058B2 (en) | Photoresist coating process | |
| KR100598262B1 (en) | Photolithography process system possible measurement of depth | |
| US6551751B2 (en) | Method and apparatus for controlling a stepper | |
| JPH05234869A (en) | Coater | |
| CN109309028B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR100724188B1 (en) | Semiconductor spinner equipment | |
| JP3017762B2 (en) | Resist coating method and apparatus | |
| US6417912B1 (en) | Method and apparatus for controlling optical-parameters in a stepper | |
| JPS6351976A (en) | Coating apparatus | |
| KR0139814B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a simiconductor device | |
| Crowell | Determining photoresist coat sensitivities of 300-mm wafers | |
| JPH05259063A (en) | Semiconductor substrate spin coating method | |
| KR100772245B1 (en) | Method for coating photo-resist | |
| JPS6362323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6324621A (en) | Coating applicator of photoresist | |
| KR0137724B1 (en) | Method for selecting an optimum thickness of photoresist using reflection rate curve | |
| JPH03227009A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR20010036694A (en) | Coating method of wafer for fabricating semiconductor device | |
| WO2002071152A2 (en) | Method of controlling the thickness of layers of photoresist | |
| JP2010097989A (en) | Method for forming rotary coating film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |