KR20050065946A - Driving method of electro luminescence panel - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 일렉트로 루미네센스 패널의 구동방법은, 한 쌍의 스캔라인(제 1스캔라인 및 제 2스캔라인)과, 상기 한 쌍의 스캔라인과 교차되게 배열된 데이터 라인과, 상기 한 쌍의 스캔라인과 데이터 라인의 교차부에 설치되는 EL셀(OLED) 및 상기 EL셀을 구동시키기 위한 EL셀 구동회로가 구비된 화소를 포함하는 EL 패널의 구동방법에 있어서,A method of driving an electroluminescence panel according to the present invention includes a pair of scan lines (first scan line and a second scan line), data lines arranged to intersect the pair of scan lines, and the pair A method of driving an EL panel comprising an EL cell (OLED) provided at an intersection of a scan line and a data line of the pixel and a pixel provided with an EL cell driving circuit for driving the EL cell.
n번째 화소에 연결된 제 1스캔라인 및 n+1번째 화소에 연결된 제 1스캔라인에 제 1스캔신호가 소정 부분 중첩되어 인가되는 단계와; 상기 n번째 화소 및 n+1번째 화소에 상기 제 1스캔신호가 중첩 인가되는 중에 제 2스캔신호가 상기 n번째 화소의 제 2스캔라인에 인가되는 단계와; 상기 n번째 화소에 인가되는 상기 제 2스캔신호에 동기되어, 상기 제 2스캔신호의 입력 완료 후 제 2스캔신호가 상기 n+1번째 화소의 제 2스캔라인에 인가되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다. applying a first scan signal to a first scan line connected to the n-th pixel and a first scan line connected to the n + 1-th pixel by overlapping a predetermined portion; Applying a second scan signal to a second scan line of the nth pixel while the first scan signal is superimposed on the nth pixel and n + 1th pixel; Synchronizing with the second scan signal applied to the n-th pixel, and applying a second scan signal to the second scan line of the n + 1 th pixel after completion of the input of the second scan signal. It is done.
Description
본 발명은 일렉트로 루미네센스 패널에 관한 것으로, 특히 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 패널에서 전류 미러를 형성하는 박막트랜지스터의 폭 비율을 크게하면서, 개구율 감소를 극복하는 일렉트로 루미네센스 패널의 구동방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent panel, and more particularly, to a method of driving an electroluminescent panel that overcomes a decrease in aperture ratio while increasing a width ratio of a thin film transistor forming a current mirror in a current driven electroluminescent panel. It is about.
최근 들어 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes.
이러한 평판표시장치들로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 PDP) 및 일렉트로 루미네센스(Electro-Luminescence : 이하 EL) 표시장치 등이 있으며, 이와 같은 상기 평판표시장치에 대해서 표시 품질을 높이고, 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. Such flat panel displays include a liquid crystal display (LCD), a field emission display, a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence (EL). There is a display device, and studies are being actively conducted to improve the display quality and to make a large screen for such a flat panel display device.
상기 평판표시장치 중 EL 소자는 스스로 발광하는 자발광소자로, 전자 및 정공 등의 캐리어를 이용하여 형광물질을 여기 시킴으로써, 화상 또는 영상을 표시하게 되며, 직류 저전압으로 구동이 가능하고 응답속도가 빠른 장점이 있다.Among the flat panel display devices, the EL element is a self-luminous element that emits self, and displays an image or an image by exciting a fluorescent material using carriers such as electrons and holes, and is capable of driving at a low DC voltage and having a fast response speed. There is an advantage.
도 1은 종래의 EL 패널을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a conventional EL panel.
도 1을 참조하면, EL 패널은 기판(10) 상에 서로 교차되게 배열되는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm) 및 데이터 라인(DL1 내지 DLn)과, 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터 라인(DL1 내지 DLn)의 교차부들 각각에 배열되어진 화소 소자들(PE)이 구비되어 있다.Referring to FIG. 1, the EL panel includes gate lines GL1 to GLm and data lines DL1 to DLn, gate lines GL1 to GLm, and a data line arranged on the substrate 10 to cross each other. Pixel elements PE are arranged at each of the intersections of DL1 to DLn.
상기 화소 소자들(PE) 각각은 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)의 게이트 신호들이 인에이블(enable)될 때에 구동되어 데이터 라인(DL)상의 화소 신호의 크기에 상응하는 빛을 발생하게 된다. Each of the pixel elements PE is driven when gate signals of the gate lines GL1 to GLn are enabled to generate light corresponding to the magnitude of the pixel signal on the data line DL.
이러한 EL 패널을 구동하기 위하여 게이트 드라이버(12)가 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)에 접속됨과 아울러 데이터 드라이버(14)가 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되며, 상기 게이트 드라이버(12)는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)을 순차적으로 구동시키고, 데이터 드라이버(14)는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 화소들(PE)에 화소신호를 공급하게 된다.In order to drive such an EL panel, the gate driver 12 is connected to the gate lines GL1 to GLm, and the data driver 14 is connected to the data lines DL1 to DLn. The gate lines GL1 through GLm are sequentially driven, and the data driver 14 supplies the pixel signals to the pixels PE through the data lines DL1 through DLn.
도 2는 도 1에 도시된 화소 소자의 일 실시예를 도시한 회로도로서, 이는 전류 구동형 EL 패널의 한 화소 소자(PE)에 대한 회로 구조이다. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the pixel element shown in FIG. 1, which is a circuit structure for one pixel element PE of the current-driven EL panel.
도 2를 참조하면, 상기 화소 소자(PE)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차부에 적용된 구동회로로 4개의 TFT(T1, T2, T3, T4)로 구성되며, 이는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, EL 셀(OLED) 및 데이터 라인(DL) 사이에 접속되어진 EL 셀(OLED) 구동회로(16)를 구비한다.상기 EL 셀 구동회로(16)는 EL 셀(OLED), 공급전압라인(VDD)에 전류 미러를 형성하게 접속되어진 제1 및 제2 PMOS TFT(T1, T2)와; 제1 PMOS TFT(T1), 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(GL)에 접속되어 게이트 라인(GL) 상의 신호에 응답되는 제3 PMOS TFT(T3)와; 제1 PMOS TFT(T1) 및 제2 PMOS TFT(T2)의 게이트 전극, 게이트 라인(GL) 및 제3 PMOS TFT(T3)에 접속되는 제4 PMOS TFT(T4); 제1 PMOS TFT(T1) 및 제2 PMOS TFT(T2)의 게이트 전극과 공급전압라인(VDD) 사이에 접속되어진 캐패시터(CST)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the pixel element PE is a driving circuit applied to an intersection portion of the gate line GL and the data line DL, and includes four TFTs T1, T2, T3, and T4. And an EL cell OLED connected to the front panel GND, and an EL cell OLED driving circuit 16 connected between the EL cell OLED and the data line DL. 16, first and second PMOS TFTs T1 and T2 connected to form an electric current mirror on the EL cell OLED and the supply voltage line VDD; A third PMOS TFT T3 connected to the first PMOS TFT T1, the data line DL, and the gate line GL and responsive to a signal on the gate line GL; A fourth PMOS TFT (T4) connected to the gate electrode, the gate line (GL), and the third PMOS TFT (T3) of the first PMOS TFT (T1) and the second PMOS TFT (T2); A capacitor C ST connected between the gate electrode of the first PMOS TFT T1 and the second PMOS TFT T2 and the supply voltage line VDD is provided.
이의 동작을 살펴보면, 게이트 라인(GL)에 도 3에서와 같이 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)이 턴-온 된다. 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-온 되면 데이터 라인(DL)으로부터 스캔신호와 동기되게 입력되는 일정한 크기를 가진 비디오 신호가 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)를 통하여 캐패시터(Cst)에 충전된다.In operation, when the low input signal is input to the gate line GL, the third PMOS TFT T3 and the fourth PMOS TFT T4 are turned on. When the third PMOS TFT T3 and the fourth PMOS TFT T4 are turned on, a video signal having a constant magnitude inputted in synchronization with the scan signal from the data line DL is input to the third PMOS TFT T3 and the fourth. The capacitor Cst is charged through the PMOS TFT T4.
상기 캐패시터(Cst)는 제1 PMOS TFT(T1) 및 제2 PMOS TFT(T2)의 게이트 전극과 공급전압(VDD)에 접속되어 게이트 라인(GL)의 로우입력 시간동안 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 비디오 신호를 충전한다.The capacitor Cst is connected to the gate electrode and the supply voltage VDD of the first PMOS TFT T1 and the second PMOS TFT T2 and supplied from the data line DL during the low input time of the gate line GL. The video signal being charged.
또한, 상기 캐패시터(Cst)는 데이터라인(DL)으로부터 공급되어 충전된 비디오신호를 1 프레임 동안 홀딩(Holding) 시킨다. 이러한 홀딩시간으로 인해 데이터라인(DL)에서 공급되는 비디오신호가 EL 셀(OLED)에 공급되는 것을 캐패시터(Cst)에 의해 유지하게 된다. 또한 이러한 구조에서도 RGB 등의 각 비디오신호가 입력되는 만큼 각 화상신호를 입력하는 데이터 라인(DL)의 수가 구비되어야 한다.In addition, the capacitor Cst holds a video signal supplied and charged from the data line DL for one frame. Due to this holding time, the capacitor Cst maintains that the video signal supplied from the data line DL is supplied to the EL cell OLED. In this structure, the number of data lines DL for inputting each image signal should be provided as long as each video signal such as RGB is input.
1프레임 동안 홀드된 후 캐패시터(Cst)에 충전된 비디오 신호는 EL셀(OLED)에 공급되어 표시패널 상에 영상을 표시하게 된다.After being held for one frame, the video signal charged in the capacitor Cst is supplied to the EL cell OLED to display an image on the display panel.
그러나 종래의 기술의 경우에는 데이터 라인(DL)으로 입력되는 구동전류(Id)로 매우 작은 전류를 사용하기 때문에 제한된 게이트라인 주사시간 안에 구동전류(Id)로 스토리지 캐패시터(Cst)를 충/방전 시켜 해당전압으로 바꾸어 주는 데에 어려움이 있다. 여기서 게이트라인 주사시간은 제3 및 제4 PMOS TFT(T3, T4)기 동시에 턴-온 되어 있는 시간을 말한다.However, in the conventional technology, since a very small current is used as the driving current Id input to the data line DL, the storage capacitor Cst is charged / discharged with the driving current Id within a limited gate line scanning time. There is a difficulty in changing to the corresponding voltage. Here, the gate line scan time refers to the time when the third and fourth PMOS TFTs T3 and T4 are turned on at the same time.
또한, 상기와 같은 전류 미러 회로에서 상기 제1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2)의 폭(Width)과 길이(Length)의 비율이 같다면 같은 크기의 전류가 제1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2)로 흐른다. Also, in the current mirror circuit as described above, if the ratio of the width and length of the first PMOS TFT T1 and the second PMOS TFT T2 is the same, a current having the same magnitude is equal to that of the first PMOS TFT ( T1) and the second PMOS TFT (T2).
그러나, 제1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2)의 비율이 K:1 이라면 제2 PMOS TFT(T2)로 흐르는 전류 즉, EL 셀(OLED)에 인가되는 전류(IOLED) 는 제1 PMOS TFT(T1)로 흐르는 전류(Id)의 1/K 배의 크기를 가지는 전류가 흐르게 된다.However, if the ratio of the first PMOS TFT T1 and the second PMOS TFT T2 is K: 1, the current flowing to the second PMOS TFT T2, that is, the current I OLED applied to the EL cell OLED is A current having a magnitude 1 / K times the current Id flowing to the first PMOS TFT T1 flows.
여기서, K는 제 1 PMOS TFT(T1)의 폭과 길이의 비율 대 제 2 PMOS TFT(T2)의 폭과 길이의 비율이다(W1/L1 : W2/L2).Here, K is the ratio of the width and length of the first PMOS TFT (T1) to the width and length of the second PMOS TFT (T2) (W1 / L1: W2 / L2).
따라서, 상기 EL 셀(OLED)을 통해 흐르는 전류(IOLED)와 데이터 라인을 통해 흐르는 전류(Id)는, 상기 T2와 T1의 폭(Width) 비에 비례하게 되고, 상기 비율을 크게 할수록 즉, T1의 폭을 크게 할수록 데이터 라인을 통해 공급되는 전류(Id)의 양을 비례하여 증가시킬 수 있어 큰 부하의 데이터 라인을 충전이 가능하게 된다.Therefore, the current I OLED flowing through the EL cell OLED and the current Id flowing through the data line are proportional to the ratio of the widths of the T2 and the T1, that is, the larger the ratio, As the width of T1 is increased, the amount of current Id supplied through the data line may be proportionally increased, thereby enabling charging of the data line of a large load.
그러나, 상기 T1의 폭이 커지게 되면 그에 따라 T1의 크기도 커지게 되어 결과적으로 화소의 개구율이 감소한다는 문제가 있다. However, when the width of the T1 is increased, the size of the T1 is also increased, resulting in a decrease in the aperture ratio of the pixel.
또한, 상기 구조에서 제3 및 제4 PMOS TFT(T3,T4)는 동일한 하나의 게이트 라인에 연결되어 상기 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 동시에 턴-온 되는데, 이 경우 상기 게이트 라인의 저항이 상기 게이트 라인을 따라 점진적으로 증가하기 때문에 게이트 신호가 지연 및 왜곡되는 문제점이 발생하게 된다.Further, in the structure, the third and fourth PMOS TFTs T3 and T4 are connected to the same one gate line and turned on at the same time according to a gate signal applied to the gate line. In this case, the resistance of the gate line Since it gradually increases along the gate line, the gate signal is delayed and distorted.
이러한 게이트 신호의 지연 및 왜곡은 상기 캐패시터의 충전된 전압과 좌우 휘도차 값에 영향을 주어, 패널 전체적으로 휘도 및 화질이 저하되는 문제점이 있다.This delay and distortion of the gate signal affects the value of the left and right luminance difference between the charged voltage of the capacitor, and thus, the luminance and the image quality of the entire panel are deteriorated.
본 발명은 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 패널에 있어서, 상, 하로 인접한 화소의 제 1 스캔 신호를 소정 구간 중첩하여 구동함으로써, 상기 이웃하는 화소에 각각 구비된 전류 미러를 형성하는 박막트랜지스터(T1)가 병렬로 연결되어 상기 박막트랜지스터의 폭이 증가하는 효과가 발생되며, 그에 따라 개구율 감소를 극복하는 일렉트로 루미네센스 패널의 구동방법을 제공함에 그 목적이 있다.According to the present invention, a thin film transistor (T1) for forming a current mirror provided in each of the neighboring pixels by driving the first scan signal of the pixels adjacent to each other up and down for a predetermined period in a current driven type electro luminescence panel. Is connected in parallel to generate an effect of increasing the width of the thin film transistor, and thus an object of the present invention is to provide a method of driving an electroluminescent panel that overcomes the decrease in aperture ratio.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 일렉트로 루미네센스 패널의 구동방법은, 한 쌍의 스캔라인(제 1스캔라인 및 제 2스캔라인)과, 상기 한 쌍의 스캔라인과 교차되게 배열된 데이터 라인과, 상기 한 쌍의 스캔라인과 데이터 라인의 교차부에 설치되는 EL셀(OLED) 및 상기 EL셀을 구동시키기 위한 EL셀 구동회로가 구비된 화소를 포함하는 EL 패널의 구동방법에 있어서,In order to achieve the above object, a method of driving an electroluminescence panel according to the present invention includes a pair of scan lines (a first scan line and a second scan line) and data arranged to intersect the pair of scan lines. 10. A driving method of an EL panel comprising a line, a pixel having an EL cell (OLED) provided at an intersection of the pair of scan lines and a data line, and an EL cell driving circuit for driving the EL cell.
n번째 화소에 연결된 제 1스캔라인 및 n+1번째 화소에 연결된 제 1스캔라인에 제 1스캔신호가 소정 부분 중첩되어 인가되는 단계와; 상기 n번째 화소 및 n+1번째 화소에 상기 제 1스캔신호가 중첩 인가되는 중에 제 2스캔신호가 상기 n번째 화소의 제 2스캔라인에 인가되는 단계와; 상기 n번째 화소에 인가되는 상기 제 2스캔신호에 동기되어, 상기 제 2스캔신호의 입력 완료 후 제 2스캔신호가 상기 n+1번째 화소의 제 2스캔라인에 인가되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다. applying a first scan signal to a first scan line connected to the n-th pixel and a first scan line connected to the n + 1-th pixel by overlapping a predetermined portion; Applying a second scan signal to a second scan line of the nth pixel while the first scan signal is superimposed on the nth pixel and n + 1th pixel; Synchronizing with the second scan signal applied to the n-th pixel, and applying a second scan signal to the second scan line of the n + 1 th pixel after completion of the input of the second scan signal. It is done.
여기서, 상기 EL셀 구동회로는, 공급전압라인(VDD)에 전류 미러를 형성하게 접속되어진 제1 및 제2 구동 박막트랜지스터(D1, D2)와; 상기 제1 구동 TFT(D1), 데이터 라인(DL) 및 제 1 스캔라인(SCAN1)에 접속되어 제 1스캔라인(SCAN1)으로부터의 신호에 응답되는 제 1 스위칭 TFT(S1)와; 상기 제 1 스위칭 TFT(S1)에 직렬로 연결되고 제 2 스캔라인(SCAN2)에 접속되어 제 2 스캔라인(SCAN2) 상의 신호에 응답되는 제 2 스위칭 TFT(S2)와; 제2 구동 TFT(D2)의 게이트 전극과 공급전압라인(VDD) 사이에 접속되어진 스토리지 캐패시터(CS)가 포함되어 있다.Here, the EL cell driving circuit includes: first and second driving thin film transistors D1 and D2 connected to form a current mirror on the supply voltage line VDD; A first switching TFT S1 connected to the first driving TFT D1, the data line DL, and the first scan line SCAN1 in response to a signal from the first scan line SCAN1; A second switching TFT (S2) connected in series with the first switching TFT (S1) and connected to a second scan line (SCAN2) and responsive to a signal on a second scan line (SCAN2); A storage capacitor C S connected between the gate electrode of the second driving TFT D2 and the supply voltage line VDD is included.
또한, 상기 순차적으로 인가되는 제 2스캔신호와 동기되어 일정한 크기를 가진 비디오 신호가 상기 각 화소에 인가되는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 한다. The method may further include applying a video signal having a predetermined size to each pixel in synchronization with the sequentially applied second scan signal.
또한, 상기 n+1번째 화소에 중첩 인가되는 상기 제 1스캔신호는, 상기 n번제 화소에 인가되는 제 1스캔신호와 동시에 인가될 수 있다. The first scan signal superimposed on the n + 1 th pixel may be simultaneously applied to the first scan signal applied to the n th pixel.
또한, 상기 n번째 화소에 인가되는 제 2스캔신호는 상기 n번째 화소에 인가되는 제 1스캔신호와 동시에 인가될 수 있다. In addition, the second scan signal applied to the nth pixel may be simultaneously applied to the first scan signal applied to the nth pixel.
또한, 상기 제 2스캔신호의 펄스폭은 상기 제 1스캔신호의 펄스폭의 1/2일 수 있다. The pulse width of the second scan signal may be 1/2 of the pulse width of the first scan signal.
이와 같은 본 발명에 의하면, 전류 미러를 형성하는 박막트랜지스터의 폭이 증가하는 효과가 발생하며, 그에 따라 개구율 감소를 극복하여, 고 개구율에 의한 휘도 및 화질이 향상된다. According to the present invention, the effect of increasing the width of the thin film transistor forming the current mirror occurs, thereby overcoming the reduction of the aperture ratio, thereby improving the brightness and image quality due to the high aperture ratio.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 의한 EL 패널에 형성되는 화소 소자를 도시한 회로도로서, 이는 전류 구동형 EL 패널에 대해 상, 하로 인접한 소정 화소 소자들의 회로 구조를 나타내고 있다. Fig. 4 is a circuit diagram showing a pixel element formed in the EL panel according to the present invention, which shows the circuit structure of predetermined pixel elements adjacent up and down with respect to the current driving EL panel.
도 4를 참조하면, 상기 화소 소자들은 게이트 라인(SCAN1, SCAN2)과 데이터 라인(DL)의 교차부에 각각 구비되어 있으며, 이는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, EL 셀(OLED) 및 데이터 라인(DL) 사이에 접속되어진 EL 셀(OLED) 구동회로(46)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the pixel elements are respectively provided at the intersections of the gate lines SCAN1 and SCAN2 and the data line DL, which are EL cells OLED connected to the base electrode GND, and EL. An EL cell OLED driving circuit 46 connected between the cell OLED and the data line DL is provided.
본 발명의 경우 상기 게이트 라인(SCAN1, SCAN2)은 한 쌍으로 형성되어 있으며, 그에 따라 각 화소에는 제 1 스캔라인(SCAN1_n, SCAN1_n+1, ...) 및 제 2 스캔라인(SCAN2_n, SCAN2_n+1, ...)이 연결된다.In the present invention, the gate lines SCAN1 and SCAN2 are formed in pairs, and thus, each pixel includes a first scan line SCAN1_n, SCAN1_n + 1, ..., and a second scan line SCAN2_n, SCAN2_n +. 1, ...) is connected.
또한, 상기 EL 셀 구동회로(46)는 한 쌍의 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT)와, 한 쌍의 구동 박막트랜지스터(driving TFT) 및 캐패시터(Cs)로 구성되며, 상기 한 쌍의 스위칭 TFT는 제 1 스위칭 TFT(S1) 및 제 2 스위칭 TFT(S2)로 나뉘고, 상기 한 쌍의 구동 박막트랜지스터는 제 1 구동 TFT(D1) 및 제 2 구동 TFT(D2)로 나뉜다.Further, the EL cell driving circuit 46 is composed of a pair of switching TFTs, a pair of driving TFTs, and a capacitor Cs, and the pair of switching TFTs is formed of a second TFT. It is divided into a first switching TFT (S1) and a second switching TFT (S2), and the pair of driving thin film transistors are divided into a first driving TFT (D1) and a second driving TFT (D2).
여기서, 상기 제 1 스위칭 TFT(S1)의 게이트 전극은 상기 제 1 스캔라인(SCAN1)에 연결되고, 소스 전극은 데이터 라인과 연결되어 있으며, 상기 제 2 스위칭 TFT(S2)는 제 1 스위칭 TFT(S1)과 직렬 연결되어 있다.Here, a gate electrode of the first switching TFT S1 is connected to the first scan line SCAN1, a source electrode is connected to a data line, and the second switching TFT S2 is a first switching TFT ( It is connected in series with S1).
또한, 제 2 스위칭 TFT(S2)의 게이트 전극은 상기 제 2스캔라인(SCAN2)에 연결되어 있으며, 제 2 스위칭 TFT(S2)의 드레인 전극은 서로 마주보는 제 1 및 제 2 구동 TFT(D1, D2)에서 제 2 구동 TFT(D2)의 게이트 전극과 연결되어 있고, 제 2 구동 TFT(D2)의 드레인 전극은 EL 셀(OLED)의 애노드 전극과 연결되어 있다.In addition, the gate electrode of the second switching TFT S2 is connected to the second scan line SCAN2, and the drain electrode of the second switching TFT S2 faces the first and second driving TFTs D1, which face each other. In D2), the gate electrode of the second driving TFT D2 is connected, and the drain electrode of the second driving TFT D2 is connected with the anode electrode of the EL cell OLED.
또한, 제 1 구동 TFT(D1)의 게이트 전극과, 드레인 전극은 직렬 연결된 제 1 및 2 스위칭 TFT(S1, S2)의 사이 즉, 제 1 스위칭 TFT(S1)의 드레인 전극과, 제 2 스위칭 TFT(S2)의 소스 전극에 연결되어 있으며, 결과적으로 상기 제 1 구동 TFT(D1)은 다이오드의 역할을 하게 된다. Further, the gate electrode of the first driving TFT D1 and the drain electrode are connected between the first and second switching TFTs S1 and S2 connected in series, that is, the drain electrode of the first switching TFT S1 and the second switching TFT. It is connected to the source electrode of S2, and as a result, the first driving TFT D1 serves as a diode.
또한, 제 1 및 제 2 구동 TFT(D1, D2)의 소스 전극은 공급전압라인(VDD)과 연결되어 있고, EL 셀(OLED)의 캐소드 전극은 접지되어 있으며, 스토리지 캐패시터(Cs)는 상기 제 2 구동 TFT(D2)의 게이트 전극과, 제 1 및 제 2 구동 TFT(D1, D2)의 소스 전극에 연결되어 있다. In addition, the source electrodes of the first and second driving TFTs D1 and D2 are connected to the supply voltage line VDD, the cathode electrode of the EL cell OLED is grounded, and the storage capacitor Cs is the first electrode. The gate electrodes of the second driving TFTs D2 and the source electrodes of the first and second driving TFTs D1 and D2 are connected.
즉, 상기 화소 소자는 EL 셀(OLED)과; 공급전압라인(VDD)에 전류 미러를 형성하게 접속되어진 제1 및 제2 구동 TFT(D1, D2)와; 제1 구동 TFT(D1), 데이터 라인(DL) 및 제 1 스캔라인(SCAN1)에 접속되어 제 1스캔라인(SCAN1) 상의 신호에 응답되는 제 1 스위칭 TFT(S1)와; 제 1 스위칭 TFT(S1)에 직렬로 연결되고 제 2 스캔라인(SCAN2)에 접속되어 제 2 스캔라인(SCAN2) 상의 신호에 응답되는 제 2 스위칭 TFT(S2)와; 제2 구동 TFT(D2)의 게이트 전극과 공급전압라인(VDD) 사이에 접속되어진 스토리지 캐패시터(CS)를 구비한다.That is, the pixel element includes an EL cell (OLED); First and second driving TFTs D1 and D2 connected to supply voltage lines VDD to form current mirrors; A first switching TFT S1 connected to the first driving TFT D1, the data line DL, and the first scan line SCAN1 in response to a signal on the first scan line SCAN1; A second switching TFT S2 connected in series with the first switching TFT S1 and connected to a second scan line SCAN2 and responsive to a signal on the second scan line SCAN2; A storage capacitor C S is connected between the gate electrode of the second driving TFT D2 and the supply voltage line VDD.
여기서, 상기 제 1 구동 TFT(D1)의 게이트 전극과, 드레인 전극은 직렬 연결된 제 1 및 2 스위칭 TFT(S1, S2)의 사이에 연결되어 있어 결과적으로 다이오드의 역할을 하게 된다. Here, the gate electrode and the drain electrode of the first driving TFT D1 are connected between the first and second switching TFTs S1 and S2 connected in series, and as a result, serve as a diode.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EL 패널의 화소 소자를 구동하기 위해 인가되는 신호의 타이밍도이다.5 is a timing diagram of a signal applied to drive a pixel element of an EL panel according to an embodiment of the present invention.
단, 도 5는 설명의 편의를 위하여 인접하는 2개의 화소에 대한 제 1스캔신호를 중첩하여 구동함을 설명하고 있으나, 이는 하나의 실시예로 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.For convenience of description, FIG. 5 illustrates that the first scan signals for two adjacent pixels are overlapped and driven, but the embodiment is not limited thereto.
도 4 및 5를 참조하여 본 발명에 의한 EL 패널의 화소 소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.4 and 5, the operation of the pixel element of the EL panel according to the present invention will be described.
도 5에 도시된 바와 같이, n번째 화소에 대해 제 1스캔라인에 로우(low) 입력신호(제 1스캔신호(SCAN1_n))가 입력될 때, n+1번째 화소에 대한 제 1스캔라인에 대해서도 이와 동일한 펄스폭을 갖는 로우 입력신호(SCAN1_n+1)가 중첩되어 입력된다.As shown in FIG. 5, when a low input signal (first scan signal SCAN1_n) is input to the first scan line for the nth pixel, the first scan line for the n + 1th pixel is input to the nth pixel. Also, the row input signals SCAN1_n + 1 having the same pulse width are overlapped and input.
또한, 상기 n번째 화소에 대한 상기 제 2스캔라인의 입력신호(제 2스캔신호(SCAN2_n))는 상기 제 1스캔신호(SCAN1_n)와 동시에 입력되기는 하나 그 펄스폭이 상기 제 1스캔신호 펄스폭보다 적으며, 상기 n+1번째 화소에 대한 상기 제 2스캔라인의 입력신호(SCAN2_n+1) 는 상기 n번째 화소에 입력되는 제 2스캔신호(SCAN2_n)에 동기되어 상기 제 2스캔신호(SCAN2_n)의 입력이 완료된 후 입력된다. 즉, 제 2스캔신호(SCAN2_n, SCAN2_n+1, SCAN2_n+2, SCAN2_n+3 ...)는 순차적으로 각 화소에 인가된다.In addition, although the input signal of the second scan line (second scan signal SCAN2_n) for the nth pixel is input simultaneously with the first scan signal SCAN1_n, the pulse width thereof is the first scan signal pulse width. Less than, and the input signal SCAN2_n + 1 of the second scan line with respect to the n + 1th pixel is synchronized with the second scan signal SCAN2_n input to the nth pixel with the second scan signal SCAN2_n Input is completed after). That is, the second scan signals SCAN2_n, SCAN2_n + 1, SCAN2_n + 2, and SCAN2_n + 3 ... are sequentially applied to each pixel.
또한, 상기 순차적으로 인가되는 제 2스캔신호(SCAN2_n, SCAN2_n+1, SCAN2_n+2, SCAN2_n+3 ...)와 동기되어 일정한 크기를 가진 비디오 신호도 상기 각 화소에 인가되며, 이는 제 1 및 2 스위칭 TFT(S1, S2)를 통하여 캐패시터(Cs)에 충전된다. 상기와 같은 신호의 입력은 도 5에 도시된 바와 같이 이후 n+2, n+3 번째 화소에 대해서도 동일한 방식으로 이루어진다.In addition, a video signal having a predetermined size is also applied to each pixel in synchronization with the sequentially applied second scan signals SCAN2_n, SCAN2_n + 1, SCAN2_n + 2, and SCAN2_n + 3. 2 is charged in the capacitor Cs via the switching TFTs S1 and S2. As described above, the input of the signal is performed in the same manner with respect to the n + 2 and n + 3 th pixels.
결과적으로, 상, 하로 인접하는 화소(n번째 화소와 n+1번째 화소, n+2번째 화소와 n+3번째 화소, ...)에 대해 입력되는 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)는 상기 상, 하로 각각 인접하는 화소에 동일한 펄스폭을 갖으며 중첩되어 인가되고, 그에 반해 제 2스캔신호(SCAN2)는 화소의 상, 하 인접 여부에 관계없이 위에서 아래로 즉, n번째 화소에서 n+1번째 화소 순으로 순차적으로 소정의 펄스 폭을 갖으며 인가된다. As a result, the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 input to the pixels adjacent to each other (upper and lower) (nth pixel and n + 1th pixel, n + 2th pixel and n + 3th pixel, ...). ) Is applied to the pixels adjacent to each other up and down with the same pulse width and overlapped with each other, whereas the second scan signal SCAN2 is applied from top to bottom, that is, the nth pixel regardless of whether the pixels are adjacent to each other. Are sequentially applied with a predetermined pulse width in order of the n + 1 th pixel.
여기서, 일례로 상기 제 2스캔신호(SCAN2)의 펄스폭은 상기 제 1스캔신호(SCAN1)의 펄스폭의 반으로 구동될 수 있다. 단, 이는 하나의 실시예로 이에 한정된 것은 아니다. Here, for example, the pulse width of the second scan signal SCAN2 may be driven at half the pulse width of the first scan signal SCAN1. However, this is not limited thereto.
다만, 피드 쓰루(feed through)에 의한 왜곡을 줄이기 위해 제 2스캔신호를 제 1스캔신호 보다 작게 구동하는 것이 바람직하다. However, in order to reduce distortion caused by feed through, it is preferable to drive the second scan signal smaller than the first scan signal.
상기와 같은 방식 즉, 상, 하로 인접한 화소에 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)를 중첩 구동하게 되면, 상기 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)가 인가될 때, 상, 하로 인접한 화소(일례로 n번째 화소와 n+1번째 화소)의 제 1 스위칭 TFT가 동시에 턴-온(turn-on)된다.When the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are superimposed on the above-described method, that is, when the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are applied to each other, the upper and lower adjacent ones are applied. The first switching TFTs of the pixels (for example, the nth pixel and the n + 1th pixel) are turned on at the same time.
이와 같이 상기 상, 하로 인접한 화소의 제 1 스위칭 TFT가 동시에 턴-온되면, n번째 화소의 제 1 구동 TFT와 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT가 병렬로 연결되게 된다.As described above, when the first switching TFTs of the upper and lower adjacent pixels are turned on at the same time, the first driving TFT of the nth pixel and the first driving TFT of the n + 1th pixel are connected in parallel.
또한, 상기 n번째 화소에 인가되는 제 2스캔신호(SCAN2_n)는 상기 제 1스캔신호(SCAN1_n)와 동시에, 제 1스캔신호(SCAN1_n)의 펄스폭보다 적은 펄스폭을 갖으며 입력되고, 상기 제 2스캔신호(SCAN2_n)가 입력된 후에는, 순차적으로 상기 n+1번째 화소에 상기 n번째 화소에 입력된 제 2스캔신호와 같은 펄스폭을 갖는 제 2스캔신호(SCAN2_n+1)가 신호가 입력된다.In addition, the second scan signal SCAN2_n applied to the n-th pixel is input with a pulse width smaller than the pulse width of the first scan signal SCAN1_n simultaneously with the first scan signal SCAN1_n. After the second scan signal SCAN2_n is input, the second scan signal SCAN2_n + 1 having the same pulse width as the second scan signal input to the nth pixel is sequentially input to the n + 1th pixel. Is entered.
따라서, 상기 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1, ...)가 상, 하로 인접한 화소에 중첩되어 인가되어도 각 화소에 순차적으로 인가되는 제 2스캔신호(SCAN2_n, SCAN2_n+1, ...)가 존재하고, 상기 제 2스캔신호(SCAN2_n, SCAN2_n+1, ...)에 의해 턴-온(turn-on)되는 제 2 스위칭 TFT(S2)가 제 2 구동 TFT(D2)를 제어하기 때문에 결과적으로 각 화소의 독립적인 동작은 보장된다. Therefore, even if the first scan signals SCAN1_n, SCAN1_n + 1, ... are superimposed on the pixels adjacent to each other, the second scan signals SCAN2_n, SCAN2_n + 1, ... are sequentially applied to each pixel. ) And a second switching TFT S2 turned on by the second scan signals SCAN2_n, SCAN2_n + 1, ... to control the second driving TFT D2. As a result, independent operation of each pixel is guaranteed.
또한, 상기 상, 하로 인접한 화소에 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)를 중첩 구동하여 상기 제 1 스위칭 TFT가 동시에 턴-온(turn-on)되면, 상기 제 1스위칭 TFT를 통해 데이터 라인으로부터 인가되는 비디오 신호가 상기 n번째 화소의 제 1 구동 TFT및 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT에 동시에 인가되게 된다. 즉, 상기 n번째 화소의 제 1 구동 TFT및 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT는 병렬로 연결된다.In addition, when the first switching TFTs are turned on at the same time by driving the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 to the pixels adjacent to each other in the upper and lower regions, a data line is provided through the first switching TFT. The video signal applied from is simultaneously applied to the first driving TFT of the nth pixel and the first driving TFT of the n + 1th pixel. That is, the first driving TFT of the nth pixel and the first driving TFT of the n + 1th pixel are connected in parallel.
이 때, 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)가 중첩 인가되는 중에 n번째 화소에 제 2스캔신호(SCAN2_n)가 인가되면, 상기 n번째 화소는 구동하게 되는데, 여기서 n번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1)는 상기 n+1번째 화소의 제 1구동 TFT(D1 )와 병렬로 연결된 상태이므로, 결과적으로 상기 n번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1)의 폭이 2배로 증가하는 효과가 발생하여 결국 데이터 라인의 전류도 2배로 증가시킬 수 있게 된다.In this case, when the second scan signal SCAN2_n is applied to the nth pixel while the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are overlapped, the nth pixel is driven, where the first pixel of the nth pixel is driven. Since the driving TFT D1 is connected in parallel with the first driving TFT D1 of the n + 1 th pixel, the width of the first driving TFT D1 of the n th pixel is doubled. And eventually increase the current in the data line.
마찬가지로 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)가 중첩 인가되는 중에 n+1번째 화소에 제 2스캔신호(SCAN2_n+1)가 인가되면, 상기 n+1번째 화소는 구동하게 되는데, 여기서 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1)는 상기 n번째 화소의 제 1구동 TFT(D1)와 병렬로 연결된 상태이므로, 결과적으로 상기 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1')의 폭이 2배로 증가하는 효과가 발생하여 결국 데이터 라인의 전류도 2배로 증가시킬 수 있게 된다.Similarly, when the second scan signal SCAN2_n + 1 is applied to the n + 1 th pixel while the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are overlapped, the n + 1 th pixel is driven, where n + Since the first driving TFT D1 of the first pixel is connected in parallel with the first driving TFT D1 of the nth pixel, the width of the first driving TFT D1 'of the n + 1th pixel is consequently. This doubling effect occurs, resulting in a doubling of the current in the data line.
도 6은 본 발명에 의한 EL 패널의 화소 소자를 구동하기 위해 인가되는 다른 실시예에 의한 신호의 타이밍도이다.6 is a timing diagram of a signal according to another embodiment applied to drive a pixel element of an EL panel according to the present invention.
이는 도 5를 통해 설명한 방식과 동일한 방식으로 화소를 구동하여 각 화소의 제 1 구동 TFT의 폭을 2배로 증가하는 효과를 발생시켜 데이터 라인의 전류도 2배로 증가시키도록 하는 것이다.This causes the effect of doubling the width of the first driving TFT of each pixel by driving the pixels in the same manner as described with reference to FIG. 5 so that the current of the data line is also doubled.
즉, 상, 하로 인접한 화소에 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1, ...)를 중첩적으로 인가하는 것인데, 다만 도 6의 실시예는 도 5에 도시된 바와 같이 동일한 펄스폭을 같은 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1, ...)를 동시에 중첩하여 인가하는 것이 아니라, 소정 부분에 대해서만 중첩되도록 일정한 시간차를 두고 상기 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1, ...)를 인가하는 것이다.That is, the first scan signals SCAN1_n, SCAN1_n + 1, ... are superimposed on the pixels adjacent to each other up and down, except that the embodiment of FIG. 6 has the same pulse width as shown in FIG. Instead of applying the first scan signals SCAN1_n, SCAN1_n + 1, ... at the same time, the first scan signals SCAN1_n, SCAN1_n + 1, ... with a certain time difference so as to overlap only a predetermined portion. Is to apply.
이에 따라 도 4 및 도 6을 참조하면, n번째 화소 및 n+1번째 화소에 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)가 중첩 인가되는 중에 n번째 화소에 제 2스캔신호(SCAN2_n)가 인가되면, 상기 n번째 화소는 구동하게 되는데, 여기서 n번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1)는 상기 n+1번째 화소의 제 1구동 TFT(D1')와 병렬로 연결된 상태이므로, 결과적으로 상기 n번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1)의 폭이 2배로 증가하는 효과가 발생하여 결국 데이터 라인의 전류도 2배로 증가시킬 수 있게 된다.Accordingly, referring to FIGS. 4 and 6, the second scan signal SCAN2_n is applied to the nth pixel while the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are applied to the nth pixel and the n + 1th pixel. When the n th pixel is driven, the first driving TFT D1 of the n th pixel is connected in parallel with the first driving TFT D1 ′ of the n + 1 th pixel. An effect in which the width of the first driving TFT D1 of the second pixel is doubled occurs, and thus, the current of the data line can also be doubled.
마찬가지로 n+1번째 화소 및 n+2번째 화소에 제 1스캔신호(SCAN1_n, SCAN1_n+1)가 중첩 인가되는 중에 n+1번째 화소에 제 2스캔신호(SCAN2_n+1)가 인가되면, 상기 n+1번째 화소는 구동하게 되는데, 여기서 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1')는 상기 n+2번째 화소의 제 1구동 TFT(D1")와 병렬로 연결된 상태이므로, 결과적으로 상기 n+1번째 화소의 제 1 구동 TFT(D1')의 폭이 2배로 증가하는 효과가 발생하여 결국 데이터 라인의 전류도 2배로 증가시킬 수 있게 되는 것이다. Similarly, if the second scan signal SCAN2_n + 1 is applied to the n + 1 pixel while the first scan signals SCAN1_n and SCAN1_n + 1 are overlapped and applied to the n + 1 th pixel and the n + 2 th pixel, the n The +1 th pixel is driven, where the first driving TFT D1 ′ of the n + 1 th pixel is connected in parallel with the first driving TFT D1 ″ of the n + 2 th pixel. The width of the first driving TFT D1 ′ of the n + 1 th pixel is increased by two times, and thus the current of the data line can also be doubled.
상기 설명한 본 발명의 실시예는 본 발명에 의한 일렉트로 루미네센스의 구동방법을 설명하기 위한 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양하고 균등한 예가 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 권리범위는 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.The embodiments of the present invention described above are merely illustrative for explaining the method of driving the electro luminescence according to the present invention, and those skilled in the art will understand that various and equivalent examples are possible therefrom. will be. Therefore, the true scope of the present invention will be defined by the claims.
본 발명에 의한 일렉트로 루미네센스의 구동방법에 의하면, 전류 미러를 형성하는 박막트랜지스터의 폭이 증가하는 효과가 발생하며, 그에 따라 개구율 감소를 극복하여, 고 개구율에 의한 휘도 및 화질이 향상된다는 장점이 있다. According to the electroluminescence driving method of the present invention, the width of the thin film transistor forming the current mirror is increased, thereby overcoming the reduction of the aperture ratio, thereby improving the brightness and image quality due to the high aperture ratio. There is this.
도 1은 종래의 EL 패널을 개략적으로 도시한 도면.1 is a diagram schematically showing a conventional EL panel.
도 2는 도 1에 도시된 화소 소자의 일 실시예를 도시한 회로도.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an embodiment of the pixel device shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 도 2의 화소 소자를 구동하기 위한 타이밍도.3 is a timing diagram for driving the pixel element of FIG. 2;
도 4는 본 발명에 의한 EL 패널에 형성되는 화소 소자를 도시한 회로도.4 is a circuit diagram showing a pixel element formed in an EL panel according to the present invention;
도 5는 본 발명에 의한 EL 패널의 화소 소자를 구동하기 위해 인가되는 신호의 타이밍도.5 is a timing diagram of a signal applied to drive a pixel element of an EL panel according to the present invention;
도 6은 본 발명에 의한 EL 패널의 화소 소자를 구동하기 위해 인가되는 다른 실시예에 의한 신호의 타이밍도.Fig. 6 is a timing diagram of a signal according to another embodiment applied to drive a pixel element of an EL panel according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
46 : EL셀 구동회로46: EL cell driving circuit
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