상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 먼저 무방향성 전기강판의 구성성분중 불순물원소의 종류별 영향을 조사하였는 바, 그 중에서도 Nb가 자성을 크게 저하시키는 것으로 조사되었다. Nb 는 강의 제조시 불순물로 함유되는 바, 그 함유되는 양에 따라서 자기적 특성이 크게 변화되는 것을 관찰하였다. Nb 는 강에서 N 및 C과 결합하여 NbN 및 NbC 의 미세한 질화물 및 탄화물을 형성함으로써 결정립성장을 억제하고 자성에 해로운 (222)면의 집합조직을 조장하는 것으로 조사되었다. 따라서 N 와 C의 양을 가급적 줄이고, 또 Nb의 양을 줄이는 것이 철손을 낮추고, 자속밀도를 높이는 방법이 될 수 있다. 또한 Nb는 용강중에서 O와도 강하게 결합하는 특성을 갖고 있어서 Nb2O5 및 NbO2, Nb2O3 등의 석출물을 만든다.
이러한 Nb와 유사한 특성을 갖고 있는 원소가 있는데, 이는 Zr, Ti, V등이다. 여기서 Zr은 자성에 큰 영향이 없으며, 따라서 무방향성 전기강판의 제조에 있어서 Nb를 포함하여 Ti 및 V은 그 함유량이 가능하다면 낮게 관리되어야 한다. 그리고 O의 영향을 줄이기 위해서는 Al을 가능하면 많이 첨가하는 것이 바람직하며, 이러한 Al은 N의 미세한 AlN의 형성을 억제하여 N의 영향도 줄여준다. 그리고 Nb에 의한 질화를 방지하기 위하여 Sb 또는 Sn을 소량 함유시키는 것이 보다 효과가 큰 것으로 나타났다. Nb가 탄화물과 질화물을 만들지만 Sb나 Sn을 첨가하여 질화를 다소 억제시킴으로써 자성을 보다 향상시킬 수 있는 것으로 조사되었다.
이와 같이 Nb, Ti, Zr 및 V 을 가능한 낮게 함유시키되, Al을 적량 첨가하고, 또 Sb 및 Sn을 적량 첨가함으로써 N, O, C 에 의한 미세석출물의 형성을 극력 억제할 수 있고, 이로써 보다 향상된 특성의 무방향성 전기강판을 제조할 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 중량%로, C:0.005%이하, Si : 3.5%이하, Mn:0.7% 이하, P:0.005~0.04%, S:0.005%이하, Al: 0.005~1.5%, N:0.003%이하, Nb:0.001% 이하, Sb:0.007~0.20%, 또는 Sn 과 Sb의 합이 0.01~0.20%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 조성되는 것을 특징으로 하는 무방향성 전기강판을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 있어서는 중량%로, C : 0.005% 이하, Si : 3.5% 이하, Mn : 1.0% 이하, P : 0.005~0.04%, S:0.005% 이하, Al:0.005~1.5%, N:0.003% 이하, Nb+Ti+V+Zr: 0.008% 이하, Sb: 0.007~0.20%, Sn : 0.007~0.20%, 또는 Sn 과 Sb의 합이 0.01~0.20%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 조성되는 것을 특징으로 하는 무방향성 전기강판을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 조성의 슬라브를 재가열한 다음 페라이트상에서 열간압연하고, 600~800℃ 의 범위에서 권취한 다음 열연판소둔을 생략하거나 또는 열연판소둔한 후, 산세하고, 냉간압연 및 최종소둔하는 것을 특징으로 하는 무방향성 전기강판의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 무방향성 전기강판의 성분 함량 제한 이유부터 살펴본다.
C : 0.005 중량 %이하
상기 C는 최종제품에서 자기시효를 일으켜서 사용중 자기적 특성을 저하시키므로, 일반적으로 C의 함량을 낮을수록 자기적 특성에 바람직한 것으로 알려져 있다. 따라서 강을 정련하는 단계에서 그 양을 줄이고, 슬라브에서는 0.005 중량% 이하로 함유시킴으로써 자성이 향상된다. 0.005 중량% 이상으로 슬라브에 함유시킬 경우 열연판 혹은 최종소둔전에 탈탄소둔을 하여야 하는 바, 그 경우 물을 사용하게 되므로 표면에 산화층 발생으로 자성이 저하되기 때문에 슬라브에서는 0.005%이하로 한다. 최종제품에서는 가능하다면 0.003 중량%이하로 함유시키는 것이 자기시효를 억제할 수 있다.
Si : 3.5중량%이하
상기 Si는 비저항을 증가시켜서 철손중 와류손실을 낮추는 성분이지만, 3.5 중량%이상 첨가되면 냉간압연이 곤란하여지기 때문에 3.5 중량%이하로 제한하는 것이 바람직한다.
Mn : 1.0 중량%이하
상기 Mn은 비저항을 증시킬 뿐만 아니라 집합조직을 향상시키는 성분으로, 1.05 중량%을 초과하여 첨가되면 자성향상의 효과가 포화되므로, 그 함량을 1.0 중량%이하로 제한하는 것이 바람직하다.
P : 0.005~0.04 중량%,
상기 P는 비저항을 증가시키고, 결정립계에 편석하며, 집합조직을 발달시키는 원소로서 그 효과를 보려면 적어도 0.005 중량% 이상으로 첨가되어야 하며, 많이 첨가되면 냉간압연이 곤란하여지고, 편석이 증가하여 자성이 저하되므로, 그 함량을 0.04 중량% 이하로 제한하는 것이 바람직하다. 특히 P가 0.005%이하로 함유될 경우 Nb가 0.0003%이하로 낮아야 그 효과가 나타나므로 P는 적어도 0.005% 이상 첨가된다.
S : 0.007 중량% 이하
상기 S는 미세한 석출물인 MnS를 형성하여 자기특성을 열화시키므로 가급적 낮게 관리하는 것이 유리하며, 0.007 중량%를 초과하여 함유되면 자기특성이 매우 열화되므로, 그 함량을 0.007 중량% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
Al : 0.005~1.5중량%
상기 Al은 비저항을 증가시켜 와류손실을 낮추는데 유효한 성분으로, 0.005 중량% 미만 첨가되면 그 첨가효과가 없으며, 1.5 중량%를 초과하여 첨가되면 첨가량에 비해 자성향상의 정도가 떨어지며, 냉간압연성도 떨어지므로, 그 함량을 0.005~1.5 중량%로 제한하는 것이 바람직하다. 또한 Al을 0.2%이상 1.5%이하로 첨가시 그 효과는 더욱 커지며, O의 영향을 크게 감소시키며, 미세하게 석출되는 AlN를 조대한 AlN의 석출물로 형성시키게 된다.
N: 0.003중량% 이하
상기 N은 미세하고 긴 AlN 석출물을 형성시키며, Nb와 결합하여 NbN 의 미세한 석출물을 만들기 때문에 가능한 적게 함유토록 하며, 본 발명에서는 0.003 중량% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
Nb : 0.001중량% 이하
상기 Nb 는 미세한 NbN 석출물을 형성시켜서 결정립의 성장을 억제하고, 자성에 불리한 (222)면의 집합조직을 발달시키기 때문에 억제하며, N 와 결합하여 NbN의 미세한 석출물을 만든다. 또한 Nb 는 C와 결합하여 미세한 탄화물을 만들기 때문에 슬라브에서 C는 가능한 감소시키는 것이 필요하다. 이 같은 Nb는 그 첨가량의 영향이 아주 크므로 0.001중량%이하로 함유시키는 것이 자기적 특성향상에 보다 바람직한 것으로 조사되었다.
Nb, Ti, Zr, V의 합 : 0.008중량% 이하
상기 Ti, V 및 Zr 은 Nb 에 대비하여 다소 약하지만 강한 질화물 형성원소인 바, 미세한 질화 석출물을 형성시켜서 결정립의 성장을 억제하고, 강판의 자기적 특성에 불리한 (222)면의 집합조직을 발달시키기 때문에 억제하며, Nb, Ti, V의 합이 0.006%이하로 함유되도록 한다. 특히 Nb는 0.001%를 넘지 않도록 한다. 이들 원소는 C와 결합하여 미세한 탄화물을 만들기 때문에 슬라브에서 C는 가능한 감소시키는 것이 필요하다.
O : 0.003 중량%이하
상기 O는 여러가지 산화물을 만들어 결정립성장을 억제하기 때문에 가능한 낮은 것이 좋으며, Al 첨가등으로 탈산하여 산소량을 줄이는 것이 바람직하다. 또, O는 Nb와 결합하여 용강중에서 산화물을 만들기 때문에 가능한 적게 함유토록 하며, 본 발명에서는 0.003중량% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
Sb : 0.007~0.2중량%, Sn : 0.007~0.2중량%, 또는 합 : 0.01~0.2중량%
상기 Sb 및 Sn은 결정립계에 편석하는 원소이며, 강판의 표면에 농축함으로써 강이 질화되는 것을 억제한다. 따라서 미세한 결정립형성을 억제하고 균일한 결정립을 형성시킨다. 이들 원소는 0.007% 이하로 함유시 그 효과가 떨어지고, 0.2 중량% 이상 함유시 냉간압연이 곤란하여지며, 자성향상의 정도가 떨어지므로, 그 함량을 0.007~0.2 중량%로 제한하는 것이 바람직하다. 또한 Sb 와 Sn을 합하여 첨가할 수도 있으며, 함유범위는 0.01~0.02%로 제한한다.
상기한 조성 이외에 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 조성된다.
상기와 같이 조성되는 강 슬라브를 1250℃로 이하로 재가열한 다음 열간압연한다.
열간압연시 마무리압연의 종료온도는 페라이트상에서 실시하며, 강 슬라브를 조압연하고 사상압연시 사상압연의 초기는 오스테나이트상에서 압연이 될 수도 있다.
Si 과 Al이 페라이트형성 원소이므로 대체로 Si 이 1.4%이상, Al 이 0.2% 이상이 함유되면 통상의 압연조건에서는 마무리압연의 온도는 페라이트상이 된다. 이때 통상의 압연조건이라 함은 재가열 온도가 1250℃ 이하인 경우이다. 페라이트상은 열간압연중에 잔류응력이 많이 남아 있게 되어서 600℃ 이상으로 권취할 경우 결정립성장이 촉진되며, 최종제품에서 결정립이 크게 성장될 수 있다. Si 과 Al 함량이 낮은 경우는 열간압연중 오스테나이트상의 구역을 지나게 되므로 열간압연의 마무리압연시에는 이 영역을 회피하여야 한다.
상기와 같이 제조된 열연판을 600~750℃의 온도에서 권취하고, 이후 공기중에서 코일 상태로 또는 비산화성 분위기로 넣어서 냉각한다. 상기 권취온도가 750℃를 초과하면 냉각시 산화가 많아질 수 있어서 산세성이 나빠질 수 있으므로, 상기 권취온도는 750℃ 이하로 제한하는 것이 바람직하다. 또한 권취온도가 600℃ 이하로 되면 결정립성장이 미흡하기 때문에 600~750℃의 범위에서 권취한다.
상기 권취된 열연판을 산세하고 냉각압연한다. 또한 산세하기 전에 통상 800℃이상에서 열연판소둔한 다음 산세할 수도 있다. 상기 열연판소둔 온도가 800℃미만이면 소둔효과가 적으며, 판형상을 고려하여 최대 1100℃로 제한한다. 상기 냉간압연은 1회 냉간압연법으로 냉간압연하거나, 또는 1차 냉간압연후 중간소둔한 다음 2차 냉간압연하는 2회 냉간압연법을 사용하는 것이 가능하다.
최종 목표로 하는 두께로 냉간압연된 강판은 700~1100℃에서 최종소둔한다. 상기 소둔온도가 700℃ 미만이면 결정립 성장이 미흡하고, 1100℃를 초과하면 표면온도가 과다하게 높아져 판형상이 나빠지며, 표면결함이 발생될 수 있다. 또한, 상기 소둔시 소둔분위기는 비산화성 분위기에서 습도가 없는 건조한 분위기에서 실시한다. 수분이 있으면 수분중의 O가 강의 C와 결합하여 탈탄은 될 수 있으나, 강판의 Si 및 Al등과 결합하여 강판내부에 산화층을 형성하여 자기적 특성을 저하시키므로 건조한 환원성 분위기로 소둔한다. 미량으로 함유된 Sb와 Sn은 결정립계에 편석하는 원소이어서 열간압연 이후 냉연판을 최종소둔시 까지 강판의 표면에 농축하며, 외부의 O나 N등의 칩입을 억제하여 주기 때문에 표면하의 산화층 형성은 크게 억제된다.
상기 소둔판은 절연피막처리후 수요가로 출하된다. 상기 절연피막은 유기질, 무기질 및 유무기 복합피막으로 처리될 수 있으며, 기타 절연이 가능한 피막제로 처리하는 것도 가능한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
[실시예1]
하기 표1과 같이 조성되는 강 슬라브를 1150℃의 온도에서 재가열하고, 2.2mm로 열간압연한 후, 600℃에서 공기중에 권취냉각하였다. 상기 권취 냉각된 열연판을 950℃에서 3분간 소둔하고, 산세한 다음 0.5mm 두께로 냉간압연하였다. 냉간압연된 강판은 1020℃의 온도로 수소 30%, 질소 70% 혼합가스 분위기에서 30초간 최종소둔하였다. 상기 소둔판은 절단후 자기적 특성이 조사되었으며, 그 결과는 하기 표2와 같다.
구분 |
C |
Si |
Mn |
P |
S |
Al |
N |
Nb |
O |
Sb |
Sn |
발명강A |
0.0025 |
1.95 |
0.21 |
0.015 |
0.0021 |
0.32 |
0.0015 |
0.0003 |
0.0016 |
0.003 |
0.04 |
발명강B |
0.0026 |
1.97 |
0.20 |
0.014 |
0.0022 |
0.33 |
0.0014 |
0.0006 |
0.0019 |
0.03 |
0.003 |
발명강C |
0.0025 |
1.94 |
0.22 |
0.015 |
0.0024 |
0.32 |
0.0016 |
0.0009 |
0.0018 |
0.002 |
0.003 |
발명강D |
0.0026 |
0.50 |
0.19 |
0.015 |
0.0022 |
0.29 |
0.0015 |
0.0010 |
0.0016 |
0.05 |
0.03 |
발명강E |
0.0024 |
0.51 |
0.20 |
0.016 |
0.0024 |
0.31 |
0.0014 |
0.0009 |
0.0017 |
0.06 |
0.05 |
비교강A |
0.0025 |
1.95 |
0.21 |
0.015 |
0.0023 |
0.33 |
0.0013 |
0.0042 |
0.0018 |
0.05 |
Tr |
비교강B |
0.0023 |
1.97 |
0.20 |
0.014 |
0.0024 |
0.34 |
0.0015 |
0.0056 |
0.0017 |
0.05 |
Tr |
구분 |
Ti |
Zr |
V |
Nb+Ti+Zr+V |
발명강A |
0.0014 |
0.0025 |
0.0016 |
0.0058 |
발명강B |
0.0015 |
0.0022 |
0.0017 |
0.0060 |
발명강C |
0.0013 |
0.0025 |
0.0019 |
0.0066 |
발명강D |
0.0014 |
0.0019 |
0.0018 |
0.0061 |
발명강E |
0.0013 |
0.0020 |
0.0017 |
0.0059 |
비교강A |
0.0014 |
0.0022 |
0.0018 |
0.0096 |
비교강B |
0.0015 |
0.0023 |
0.0016 |
0.0110 |
구분 |
강종 |
철손(W15/50)(W/kg) |
자속밀도(B50)(Tesla) |
결정립크기(㎛) |
발명재1 |
발명강A |
2.75 |
1.765 |
118 |
발명재2 |
발명강B |
2.72 |
1.763 |
110 |
발명재3 |
발명강C |
2.95 |
1.764 |
98 |
발명재4 |
발명강D |
4.53 |
1.779 |
85 |
발명재5 |
발명강E |
4.42 |
1.780 |
88 |
비교재1 |
비교강A |
3.65 |
1.727 |
75 |
비교재2 |
비교강B |
3.72 |
1.719 |
74 |
-W15/50 : 50Hz에서 1.5Tesla 로 자화했을 때의 발생되는 손실
-B50 : 50Hz에서 5000A/m로 자기장을 부가했을 때의 유기되는 자속밀도
상기 표2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 성분범위를 만족하는 발명강(A~E)을 이용하여 본 발명의 제조조건으로 제조한 발명재(1~5)는 비교재(1~2)에 비하여 철손이 낮고, 자속밀도가 높은 것을 알 수 있다. Nb를 0.001% 이하로 하고, Ti, Zr, V을 발명의 범위로 제한한 결과 자속밀도가 크게 향상되며, 철손이 낮아짐을 알 수 있다.
또한 여기에 Sn 또는 Sb를 첨가함으로서 질화물과 탄화물이 극력 억제되기 때문에 특히 자성이 향상되는 것으로 보여진다.
[실시예2]
하기 표3과 같이 조성되는 강 슬라브를 1180℃에서 재가열하고, 표4 와 같이 마무리압연 온도를 변경하여 2.1mm로 열간압연 한 후, 표4와 같은 조건으로 권취하였다. 상기 권취된 열연판은 950℃에서 소둔하였으며, 다만 발명재8은 열연판소둔하지 않고, 산세한 다음 0.5mm 두께로 냉간압연하였다. 냉간압연강판은 950℃에서 20%의 수소 및 80% 질소의 혼합가스 분위기에서 1분간 냉연판소둔하였다. 상기 소둔판은 절단후 자기적 특성 및 결정립 크기가 조사되었으며, 그 결과는 하기 표 4와 같다.
구분 |
C |
Si |
Mn |
P |
S |
Al |
N |
Nb |
O |
Sb |
Sn |
발명강D |
0.0026 |
0.92 |
0.50 |
0.019 |
0.0009 |
0.25 |
0.0014 |
0.0009 |
0.0015 |
0.06 |
Tr |
발명강E |
0.0027 |
0.95 |
0.23 |
0.013 |
0.0011 |
0.30 |
0.0016 |
0.0007 |
0.0016 |
0.06 |
0.006 |
비교강E |
0.0028 |
0.93 |
0.26 |
0.015 |
0.0009 |
Tr |
0.0014 |
0.0010 |
0.0017 |
0.05 |
Tr |
비교강F |
0.0026 |
0.92 |
0.25 |
0.062 |
0.0012 |
0.30 |
0.0016 |
0.009 |
0.0017 |
0.05 |
0.005 |
구분 |
Ti |
Zr |
V |
Nb+Ti+Zr+V |
발명강D |
0.0016 |
0.0024 |
0.0009 |
58 |
발명강E |
0.0018 |
0.0022 |
0.0008 |
55 |
비교강E |
0.0018 |
0.0012 |
0.0008 |
53 |
비교강F |
0.0018 |
0.0015 |
0.0007 |
54 |
구분 |
강종 |
열간압연시마무리압연구역 |
권취온도(℃) |
철손(W15/50)(W/kg) |
자속밀도(B50)(Tesla) |
결정립크기(㎛) |
발명재6 |
발명강D |
페라이트상 |
650 |
4.13 |
1.812 |
86 |
비교재3 |
발명강D |
오스테나이트상 |
650 |
4.43 |
1.765 |
72 |
발명재7 |
발명강E |
페라이트상 |
720 |
4.15 |
1.803 |
81 |
발명재8 |
발명강E |
페라이트상 |
760 |
4.03 |
1.799 |
80 |
발명재9 |
발명강E |
페라이트상 |
760 |
4.16 |
1.770 |
75 |
비교재4 |
발명강E |
오스테나이트상 |
720 |
4.46 |
1.764 |
69 |
비교재5 |
비교강E |
페라이트상 |
720 |
4.52 |
1.753 |
70 |
비교재6 |
비교강F |
페라이트상 |
720 |
4.42 |
1.752 |
58 |
-W15/50 : 50Hz에서 1.5Tesla 로 자화했을 때의 발생되는 손실
-B50 : 50Hz에서 5000A/m로 자기장을 부가했을 때의 유기되는 자속밀도
비교재3 및 4는 오스테나이트상에서 열간압연시 마무리압연되었기에 결정립이 작았다.
비교재5는 성분에서 Al이 함유되지 않았으며, 비교재 6은 P가 과도하게 높아서 자성을 나쁘게 하였다.
[실시예3]
중량%로, C : 0.0018%, Si : 2.80%, Mn : 0.19%, P : 0.013%, S : 0.0012%, Al : 1.1%, N : 0.0012%, Nb : 0.006%, O : 0.0018%, Ti : 0.0016%, Zr : 0.0019%, V : 0.0006%, Sb : 0.05%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 조성되는 슬라브를 1120℃로 재가열한 다음 열간압연하여 2.0mm 두께의 강판을 제조하였다. 상기 강판을 660℃에서 권취한 다음 1000℃에서 3분간 소둔하고, 산세후 0.20mm의 두께로 냉간압연하였다. 상기 냉연판을 1050℃에서 1분간 수소 30%와 질소 70%의 혼합분위기에서 최종 소둔하였다. 상기 소둔후 자기적 특성 및 결정립 크기를 조사하였다. 상기한 강판의 자기적 특성중 철손(W10/400)은 0.098W/kg 이었으며, 자속밀도(B50)는 1.67Tesla 이었고, 결정립 크기는 140㎛이었다.