KR20050059908A

KR20050059908A - A masking blade of a wafer level

Info

Publication number: KR20050059908A
Application number: KR1020030091633A
Authority: KR
Inventors: 김윤회
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2003-12-15
Filing date: 2003-12-15
Publication date: 2005-06-21

Abstract

본 발명은 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드에 관한 것으로, 노광공정시 기능을 향상시키고 노광 및 현상공정후 웨이퍼 에지부에서 유발되는 결함을 억제하기 위하여, 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 스테이지와, 상기 웨이퍼 스테이지의 에지부에 지지되며 상기 웨이퍼 스테이지의 상측으로 일정거리 이격되고 상기 에지부를 따라 상기 웨이퍼 스테이지 내측으로 연장된 조리개로 형성되는 마스킹 블레이드를 형성함으로써 상기 웨이퍼 에지부에서 결함이 유발되는 현상을 방지하고 노광공정시 노광면적을 용이하게 조절할 수 있도록 노광장비의 기능을 향상시킬 수 있는 기술이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer-level masking blade, in which a wafer stage on which a wafer is mounted and an edge portion of the wafer stage are provided to improve a function during an exposure process and to suppress defects caused at the wafer edge after an exposure and development process. And a masking blade formed by an aperture extending a predetermined distance apart from the upper side of the wafer stage and extending into the wafer stage along the edge part to prevent a phenomenon in which the defect occurs in the wafer edge part and to be exposed during the exposure process. It is a technology that can improve the function of the exposure equipment so that the area can be easily adjusted.

Description

A masking blade of a wafer level

본 발명은 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드에 관한 것으로, 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 스테이지에 마스킹 블레이드를 장착하여 노광영역 이외의 영역에 형성된 감광막의 노광을 방지할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer-level masking blade, and more particularly, to a technique in which a masking blade is mounted on a wafer stage on which a wafer is mounted to prevent exposure of a photosensitive film formed in an area other than an exposure area.

기존의 일정한 웨이퍼 노광 방법은, 웨이퍼 하단의 플랫존 ( flat zone ) 이 존재하고 원형의 웨이퍼 내에 제한된 다이수를 만들어 내기 때문에 X 축과 Y 축의 다이 크기에 따라 제한된 웨이퍼 내에 임의의 다이수를 만들어 낼 수밖에 없다. Conventional wafer exposure methods generate random die numbers within a limited wafer depending on the die size of the X and Y axes since there is a flat zone at the bottom of the wafer and a limited number of dies are formed in the circular wafer. There is no choice but to.

일반적으로 노광 장비는 축소 노광 장비로서, 마스크에 디자인된 다이를 웨이퍼에 축소시켜 전사시키는 역할을 한다. In general, the exposure equipment is a reduction exposure equipment, and serves to shrink and transfer the die designed in the mask onto the wafer.

0.1 ㎛ 이하의 디자인 룰 ( design rule )을 갖는 256 M DRAM를 형성하는 노광마스크는, 칩 ( chip ) 의 크기가 크기 때문에 6 인치 크기의 사각형 노광마스크 상에 최대 6개 정도의 다이를 디자인하여 한번에 최대 6개의 다이를 노광할 수 있도록 형성한다.An exposure mask that forms 256 M DRAM with a design rule of 0.1 μm or less has a large chip size, so that up to six dies can be designed on a six inch square exposure mask at a time. Form up to six dies to be exposed.

상기 6개의 다이 패턴 ( die pattern ) 은 1/4 크기로 축소되어 통상의 스캐너 노광에 의한 한번의 스캔 노광으로 웨이퍼에 전사된다. The six die patterns are reduced to a quarter size and transferred to the wafer in one scan exposure by normal scanner exposure.

한편, 200 ㎜ 직경의 웨이퍼는 상기 6 개의 다이 주변에 계속해서 다른 다이가 전사되고 후속 공정으로 패터닝 함으로써 웨이퍼에 수백 개의 다이가 형성된다.On the other hand, in a 200 mm diameter wafer, hundreds of dies are formed on the wafer by continuously transferring another die around the six dies and patterning in a subsequent process.

상기한 바와 같이 웨이퍼 내에 다수의 노광 샷을 실시하여 수백 개의 다이를 배치하는 방법을 다이 맵 ( die map ) 형성 잡 ( job ) 이라 한다. As described above, a method of arranging hundreds of dies by performing a plurality of exposure shots in a wafer is called a die map forming job.

초기 웨이퍼에 다이 맵 구성은 한번 세팅 ( setting ) 으로 칩 수를 결정하게 된다. The die map configuration on the initial wafer determines the number of chips in one setting.

다이 맵을 웨이퍼에 어떻게 배치하느냐에 따라 칩의 수가 많게는 3∼4 개 차이날 수 있는 경우가 많다.Depending on how the die map is placed on the wafer, the number of chips can vary from three to four.

도 1 은 종래기술에 따라 노광된 웨이퍼를 도시한 평면도로서, 한번의 노광공정으로 6 개의 다이가 형성되는 노광마스크를 이용하여 실시한 것이다. 1 is a plan view showing a wafer exposed in accordance with the prior art, using an exposure mask in which six dies are formed in one exposure process.

도 1을 참조하면, 6 개의 다이가 디자인된 노광마스크를 이용하여 웨이퍼(11)를 노광한다. 이때, 한번의 노광샷(15)은 6개이 다이를 노광시킨다. Referring to FIG. 1, the wafer 11 is exposed using an exposure mask on which six dies are designed. At this time, one exposure shot 15 exposes six dies.

이때, 상기 웨이퍼(11)의 노광 면적(13) 내에 유효 다이(17)가 형성된다.At this time, the effective die 17 is formed in the exposure area 13 of the wafer 11.

여기서, 상기 웨이퍼(11)의 에지부에 위치한 별표부분은 유효 다이를 살리기 위한 노광공정시 마스킹 블레이드가 불가능한 지역을 도시한다. Here, an asterisk portion located at the edge portion of the wafer 11 shows an area where a masking blade is impossible during an exposure process for saving an effective die.

일반적으로, 유효 다이를 살리기 위한 방법으로 샷 레벨의 마스킹 블레이드 ( masking blade of shot level ) 은 상하좌우 4 곳에 위치한 블레이드를 이동시켜 마스킹하는 방식으로 실시하는 것이다.In general, the masking blade of the shot level (masking blade of the shot level) is a method to save the effective die by moving the mask to move the four positions in the top, bottom, left and right.

이상에서 설명한 바와 같이 종래기술에 따른 마스킹 블레이드는, 웨이퍼의 에지부에 위치한 다이들의 마스킹 블레이드가 어렵고 그에 의하여 웨이퍼 에지부의 불필요한 부분이 노광됨으로써 반도체소자의 제조 공정시 결점으로 작용할 수 있다. 결과적으로 다이의 수율 및 생산성을 저하시키는 문제점으로 대두된다. As described above, the masking blade according to the prior art may act as a defect in the manufacturing process of the semiconductor device because the masking blade of the dies located at the edge portion of the wafer is difficult and thereby unnecessary portions of the wafer edge portion are exposed. As a result, there is a problem of lowering the yield and productivity of the die.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드로 노광공정을 실시함으로써 다이의 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a wafer level masking blade capable of improving die yield and productivity by performing an exposure process with a wafer level masking blade in order to solve the above problems of the prior art.

이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드는, In order to achieve the above object, the wafer-level masking blade according to the present invention,

웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 스테이지와, A wafer stage on which the wafer is mounted,

상기 웨이퍼 스테이지의 에지부를 따라 구비되는 지지부에 의해 지지되며 상기 웨이퍼 스테이지의 상측으로 일정거리 이격되고, Supported by a support provided along the edge of the wafer stage and spaced apart a predetermined distance above the wafer stage,

상기 에지부를 따라 상기 웨이퍼 스테이지 내측으로 연장된 조리개로 형성되는 마스킹 블레이드와,A masking blade formed of an aperture extending into the wafer stage along the edge portion;

상기 마스킹 블레이드는 상기 조리개로 크기를 조절하는 것과,The masking blade is to adjust the size with the aperture,

상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼 스테이지와 마스킹 블레이드 사이에 개재된 형태로 탑재되어 노광되는 것을 특징으로 한다. The wafer is mounted and exposed in a form interposed between the wafer stage and the masking blade.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드를 도시한 평면도 및 단면도이다. 2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view showing a wafer-level masking blade according to an embodiment of the present invention.

상기 도 2 는 본 발명에 따라 노광된 웨이퍼(21)를 도시한 평면도로서, 웨이퍼 스테이지(도시안됨) 상에 설치된 조리개형 마스킹 블레이드(23)를 도시한 것이다. FIG. 2 is a plan view showing an exposed wafer 21 according to the present invention, showing an aperture masking blade 23 mounted on a wafer stage (not shown).

이때, 상기 노광 공정은 한번의 노광공정으로 6 개의 다이가 형성되는 노광마스크를 이용하여 실시한 것이다. In this case, the exposure process is performed using an exposure mask in which six dies are formed in one exposure process.

그리고, 상기 조리개형 마스킹 블레이드(23) 내측으로 유효 다이(27)가 노광된다. The effective die 27 is exposed to the inside of the diaphragm masking blade 23.

상기 조리개형 마스킹 블레이드(23)는 상기 노광공정시 노광 영역 바깥쪽에 위치한 감광막의 노광을 방지하여 후속 공정시 그로 인한 문제점을 유발을 억제할 수 있다. The diaphragm masking blade 23 may prevent exposure of the photoresist film positioned outside the exposure area during the exposure process, thereby suppressing the problem caused by the subsequent process.

한편, 상기 조리개형 마스킹 블레이드(23)는 필요에 따라 상기 웨이퍼(23)의 내측 또는 외측으로 마스킹 블레이드의 크기를 조절 할 수 있도록 조리개가 형성된 것이다. On the other hand, the diaphragm masking blade 23 is formed with an aperture to adjust the size of the masking blade to the inside or the outside of the wafer 23 as necessary.

상기 도 4 는 상기 도 3 의 ⓐ-ⓐ 절단면을 따라 도시한 단면도로서, 상기 웨이퍼 스테이지(31) 상에 조리개형 마스킹 블레이드(23)가 설치된 것이다. 4 is a cross-sectional view taken along the line ⓐ-ⓐ of FIG. 3, in which an aperture type masking blade 23 is installed on the wafer stage 31.

여기서, 상기 마스킹 블레이드(23)는 상기 웨이퍼 스테이지(31)의 에지부를 따라 형성된 지지부(33)가 구비되어 상기 웨이퍼 스테이지(31)의 상측으로 일정거리 이격되어 구비된다. Here, the masking blade 23 is provided with a support 33 formed along the edge of the wafer stage 31 is spaced a predetermined distance above the wafer stage 31.

상기 마스킹 블레이드(23)는 ⓧ 와 같이 조리개가 구비되어 필요에 따라 크기를 조절 할 수 있다. The masking blade 23 is provided with an aperture, such as ⓧ can be adjusted in size as needed.

이때, 상기 웨이퍼(21)는 상기 웨이퍼 스테이지(31)와 조리개형 마스킹 블레이드(23) 사이에 개재된 형태로 상기 웨이퍼 스테이지(31) 상에 탑재된 것이다.In this case, the wafer 21 is mounted on the wafer stage 31 in a form interposed between the wafer stage 31 and the aperture masking blade 23.

또한, 노광공정시 상기 마스킹 블레이드(23)의 조리개 ⓧ를 조절하여 노광면적의 크기를 조절할 수 있다. In addition, the size of the exposure area may be adjusted by adjusting the aperture ⓧ of the masking blade 23 during the exposure process.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드는, 대신 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드를 사용하여 노광 공정을 실시함으로써 종래의 샷 레벨의 마스킹 블레이드 ( masking blade of shot level ) 의 처리 불가 여부와 관계없이 노광공정을 실시할 수 있어 노광공정으로 인하여 유발될 수 있는 결함 유발을 방지할 수 있고 노광장비의 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다. As described above, the wafer level masking blade according to the present invention is related to whether the masking blade of shot level can be processed by performing an exposure process using a wafer level masking blade instead. The exposure process can be carried out without the defects that can be caused by the exposure process can be prevented and the function of the exposure equipment can be improved.

도 1 은 종래기술에 따라 노광된 웨이퍼를 도시한 평면도.1 is a plan view of a wafer exposed in accordance with the prior art;

도 2 는 본 발명에 따라 노광되는 웨이퍼와 매뉴얼 블레이드를 도시한 평면도.2 is a plan view of a wafer and a manual blade exposed in accordance with the present invention;

도 3 은 상기 도 2 의 ⓐ-ⓐ 절단면을 따라 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line ⓐ-ⓐ of FIG. 2.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

11,21 : 웨이퍼 13 : 노광면적11,21: wafer 13: exposure area

15 : 노광샷 17,27 : 유효 면적15: exposure shot 17,27: effective area

23 : 마스킹 블레이드 31 : 웨이퍼 스테이지23: masking blade 31: wafer stage

33 : 지지부33: support part

Claims

A wafer stage on which the wafer is mounted,

Supported by a support provided along the edge of the wafer stage and spaced apart a predetermined distance above the wafer stage,

And a masking blade formed of a diaphragm extending into the wafer stage along the edge portion.

The method of claim 1,

The masking blade is wafer-level masking blade, characterized in that for adjusting the size of the aperture.

The method of claim 1,

The wafer is a wafer level masking blade, characterized in that the wafer is mounted in the form interposed between the wafer stage and the masking blade.