KR20050059244A - 발광 디스플레이 제조 방법 - Google Patents
발광 디스플레이 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050059244A KR20050059244A KR1020057005933A KR20057005933A KR20050059244A KR 20050059244 A KR20050059244 A KR 20050059244A KR 1020057005933 A KR1020057005933 A KR 1020057005933A KR 20057005933 A KR20057005933 A KR 20057005933A KR 20050059244 A KR20050059244 A KR 20050059244A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- electrode layer
- substrate
- emitting display
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 10
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylenevinylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 기판에 발광 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 기판 또는 이 위에 제 1 전극층을 증착하는 단계와, 상기 제 1 전극층의 적어도 일부 또는 이 위에 복수의 발광층 세그먼트(light emitting layer segment)를 형성하는 단계와, 상기 발광층 세그먼트의 적어도 일부 또는 이 위에 적어도 한 장의 보호층(protective layer)을 도포하는 단계와, 제 2 전극층을 증착하는 단계를 포함한다. 발광층 세그먼트 위에 보호층을 제공해서, 후속층의 증착 및/또는 패턴화시 가공 조건에 관해 보다 큰 자유도가 얻어지는데, 이는 민감한 발광층 세그먼트가 보호층에 의해 보호되기 때문이다.
Description
본 발명은, 기판에 발광 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이러한 기판을 포함하는 전기 디바이스와 발광 디스플레이에 관한 것이다.
US 5,962,970호는 유기 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 개시하는데, 제 1 디스플레이 전극과, 이 제 1 디스플레이 전극의 노출된 부분에 형성된 적어도 하나의 유기 전기발광 매체를 포함하는 유기 기능층과, 이 유기 기능층에 형성된 제 2 디스플레이 전극이 기판 위에 증착된다. 기판에서 최대 0.5㎛의 높이로 돌출된 전기 절연 램파트(rampart)는, 금속 증착에 의해 증착된 인접한 제 2 디스플레이 전극과의 연결을 전기적으로 차단하기 위해 사용된다.
그러나, 발광 디스플레이를 제조하는 이러한 방법은, 예를 들어 전기 절연 램파트의 사용에 관한 여러 단점을 갖고 있다. 이러한 단점 중 한 가지는 제 2 전극 두께에 대한 한정으로, 이로 인해 이러한 제 2 전극의 전기 저항은 크다. 또한, 램파트는 주변 영향으로부터 발광 디스플레이를 실링 또는 캡슐화하는 경우 문제를 일으켜서 값비싼 실링 배열을 낳는다. 또한 램파트는 불안정해서 구조의 조심스런 취급을 필요로 한다. 또한 발광 디스플레이를 위한 가공 유연성(processing flexibility)은 디스플레이의 발광층 세그먼트의 민감성(susceptibility) 때문에 어떤 한계를 갖는다.
도 1 내지 4는, 발광 디스플레이를 제조하는 제 1 내지 제 4 제조 단계를 개략적으로 나타낸 도면.
도 5는, 도 4에 기재된 제 4 제조 단계에서 상면도를 개략적으로 나타낸 도면.
도 6은, 발광 디스플레이를 위한 제 5 제조 단계를 개략적으로 나타낸 도면.
도 7은, 제 5 제조 단계 동안 발광 소자의 확대도를 개략적으로 나타낸 도면.
도 8 내지 13은, 발광 디스플레이를 위한 제 6 내지 제 11 제조 단계를 개략적으로 나타낸 도면.
도 14는, 발광 디스플레이를 개략적으로 나타낸 도면.
본 발명의 목적은, 발광 디스플레이를 제조하는 향상된 방법을 제공하는 것으로, 상술된 단점 중 적어도 한 가지는 방지되거나 최소한 감소된다.
이 목적은 기판 위에 발광 디스플레이를 제조하는 방법을 제공해서 이루어지는데, 이 방법은,
- 상기 기판 또는 이 위에 제 1 전극층을 증착하는 단계와,
- 상기 제 1 전극층의 적어도 일부 또는 이 위에 복수의 발광층 세그먼트를 형성하는 단계와,
- 상기 발광층 세그먼트의 적어도 일부 또는 이 위에 적어도 한 장의 보호층을 도포하는 단계와,
- 제 2 전극층을 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명은 또한 발광 디스플레이에 관한 것으로, 이 발광 디스플레이는,
- 기판과,
- 상기 기판 또는 이 위에 증착된 제 1 전극층과,
- 상기 제 1 전극층 또는 이 위에 형성된 복수의 발광층 세그먼트와,
- 상기 발광층 세그먼트의 적어도 일부 또는 이 위에 도포된 적어도 한 장의 보호층과,
- 제 2 전극층을 포함한다.
발광층 세그먼트 위에 보호층을 제공해서, 후속층의 증착 및/또는 패턴화시 가공 조건에 관해서 더 많은 자유가 얻어지는데, 이는 민감한 발광층 세그먼트가 보호층에 의해 보호되기 때문이다. 습식 에칭 수단을 이용한 가공은, 예를 들어 보호층의 적용 후 도포된 층을 구조화하기 위해 수행될 수 있다. 발광층 세그먼트는 전적으로 보호층으로 덮인 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 보호층은 몰리브덴이나 티타늄을 포함하거나 이들로 이루어진다. 이러한 물질을 포함하는 몰리브덴 또는 티타늄 층 또는 층들은 습식 에칭 수단을 위해 발광층 세그먼트를 보호하는데 적합하다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 제 2 전극층은 알루미늄이고/이거나 포토리쏘그래피와 다음의 에칭에 의해 패턴화된다. 이러한 공정에 의한 제 2 전극층의 패턴화는 발광층 세그먼트에 보호층을 도포해서 가능하게 되었고, 예를 들어 습식 에칭제로부터 민감한 세그먼트를 보호한다. 그래서, 종래 기술의 전기 절연 램파트는 제 2 전극층을 패턴화하기 위해 도포될 필요가 없고, 이로 인해 이러한 제 2 전극층의 두께가 크게 증가할 수 있다. 0.5㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 내지 3㎛의 두꺼운 제 2 전극층은 낮은 전기 저항과 짧은 RC 시간을 낳는데, 이는 높은 변환 주파수에 중요하다. 또한, 종래 기술의 램파트의 모양은, 구조를 캡슐화하기 위해 적절한 실링 막(sealing film)을 구하는 것에 관한 문제를 제공했다. 제 2 전극층의 포토리쏘그래픽 패턴화는 발광 디바이스를 더 캡슐화하기 위한 적절한 출발점, 예를 들어 매끄러운 표면을 제공한다.
본 발명의 실시예에서, 패턴화된 제 2 전극층은 보호층이 제거된 리세스(recess)를 포함한다. 결과적으로 얻은 구조를 캡슐화하기 위한 실링 막은 패턴화된 제 2 전극과 리세스에 증착되는 것이 바람직하다. 실링 막은, 두께가 0.3 내지 1mm인 디스플레이에, 예를 들어, 각각의 구조 또는 발광 디바이스에 대한 개별 금속 캡(metal cap)을 사용하는 일반적으로 도포된 두꺼운 캡슐화 배열에 비해서 얇게 (예를 들어, 0.5㎛) 만들어질 수 있다. 개별 금속 캡은 일반적으로 기판에 접착되고 게터 물질(getter material)을 포함한다. 이러한 실시예에 따른 접근방법은 게터 물질을 사용하지 않는 실질적으로 모든 디스플레이 구조의 캡슐화를 가능하게 해서, 상당한 비용 효율을 가져온다.
이전의 실시예, 또는 그 양상이 결합될 수 있다는 것을 알아야만 한다.
본 발명은 또한 이전 단락에서 기술된 발광 디스플레이를 포함하는 전기 디바이스에 관한 것이다. 이러한 전기 디바이스는, 휴대 전화, 개인정보 이동 단말기(personal digital assistant)(PDA) 또는 휴대용 컴퓨터와 같은 핸드 헬드 디바이스(handheld device)뿐만 아니라, 개인용 컴퓨터(PC), 텔레비전 세트 또는 예를 들어, 자동차 계기판의 디스플레이와 같은 디바이스에 관한 것일 수 있다.
WO 00/16938호는 컬러 유기 발광 디바이스 구조를 제조하는 방법을 개시하는데, 습식 가공 방법을 사용해서 컬러 변화 매체의 리쏘그래픽 패턴화를 허용하는 패시베이션 층이 사용된다. 그러나, 이 패시베이션 층은 기판에 집적된 OLED 드라이버의 제 2 전극층 위에 증착된다.
US 5,998,926호는 유기 전기발광 디바이스를 제조하는 방법을 개시하는데, 포토리쏘그래피에 의해 캐쏘드(cathode)가 미세한 패턴으로 형성된다. 그러나, 캐쏘드 층은 기판에 직접 증착되고 유기 전기발광 층이 제공되기 전 패턴화된다.
본 발명은, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도시하는 첨부된 도면에 관해 추가 예시될 것이다.
도 1에서, 기판(1)은 발광 디스플레이(14)(도 14에 도시)를 제조하기 위해 제공된다. 기판(1)은 발광층 세그먼트(7R,7B)(도 6에 도시)에 의해 발광될 광에 대해 투명하다. 적절한 기판 물질은 구부러지거나 구부러지지 않을 수 있는 합성 수지, 석영, 세라믹 및 유리를 포함한다. 기판의 전체 두께는 일반적으로 100 내지 700㎛이다.
보통 애노드(anode)로 불리는 제 1 전극층(2)은, 예를 들어 진공 증착 또는 스퍼터링을 통해 기판(1) 또는 기판 위에 증착된다. 제 1 전극층은 이어서 포토리쏘그래피를 통해 패턴화될 수 있다. 제 1 전극층(2)은 발광 디스플레이(14) 작동시 발광층 세그먼트에 의해 발광될 광에 대해 투명한 것이 바람직하다. 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO)과 같이 투명한 홀 주입 전극 물질(hole-injecting electrode material)이 사용된다. 폴리아닐린(PANI) 및 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)과 같은 전도성 중합체가 또한 적절한 투명 홀 주입 전극 물질이다. PANI 층의 두께는 50 내지 200nm이고, PEDOT 층의 두께는 100 내지 300nm인 것이 바람직하다.
도 2에는 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(MAM) 층(3)과 같은 낮은 저항 금속이 제 1 전극층(2) 또는 이 위에 증착되는 다음 제조 단계가 도시된다. MAM 층(3)은 다음에, 예를 들어 광이 생성되지 않을 위치에서 포토리쏘그래피적으로 한정된다. MAM 층(3)은 접촉의 목적과 전기 저항을 제 1 전극층(2)으로 낮추기 위해 도포된다. MAM 층(3)의 전체 두께는 일반적으로 최대 0.5㎛이다.
도 3에는 노볼락(novolack) 또는 아크릴레이트와 같은 절연층이 도 2에 도시된 구조 위에 스핀 코팅되고, 이후 포토리쏘그래피에 의해 패턴화되는 다음 제조 단계가 도시된다. 절연층은, 예를 들어 220℃에서 30분 동안 베이킹된다. 패턴화시, 절연층 한정 수단(insulating layer delimiting means)(4)은 계속해서 증착될 발광 소자(7R과 7B)를 위해 한정 수단(4) 간 공동(cavity)이나 영역(site)(5)을 한정한다. 또한, 한정 수단(4)은 아래에서 보다 상세히 기술될 제 2 전극층의 분리를 보조한다. 한정 수단(4)의 폭은 일반적으로 20㎛이고, 두께는 약 3㎛이다. 절연층 또는 한정 수단(4)은 친수성으로, 즉 액체 상태의 물질에 대해 인력을 가할 수 있다.
도 4에는 이후 증착될 유체 발광 물질을 미는 부분(6)이 한정 수단(4) 또는 이 위에 도포되어, 발광 소자의 영역(5)을 한정하는 다음 제조 단계가 도시된다. 이러한 반발 부분(6)은, 예를 들어 반발 물질 조각일 수 있다. 이러한 반발 물질(6)은 여러 가지 방법으로 얻을 수 있다. 반발 물질(6)은 출원인의 공동 계류 중인 출원의 주제이다. 반발 부분(6)의 폭은 5 내지 15㎛, 예를 들어 10㎛일 수 있다.
도 5는 반발 부분(6) 도포 후 발광 디스플레이의 일 부분에 대한 상면도를 도시한다. 도 5에는, 반발 부분(6)이 여러 방법으로 공동이나 영역(5)을 한정하기 위해 도포될 수 있다는 것이 예시된다. 도 5는, 예로, 영역(5)의 전체 둘레를 따른 반발 부분(6)에 의한 한정 {공동이나 영역(5)의 왼쪽 열}과 반발 부분(6)에 의한 부분적인 한정 {공동이나 영역(5)의 오른쪽 열}을 도시한다. 반발 부분(6)이 영역(5)을 한정하는 방법은 유체 발광 물질의 증착을 위해 선택된 공정이나 여러 공동이나 영역(5)을 위한 컬러의 배열에 의존할 수 있다. 예를 들어, 동일한 컬러가 한 열에 증착되어야만 한다면, 도 5의 오른쪽 열에 따라, 부분적으로만 영역(5)을 한정하는 반발 부분(6)이 사용될 수 있는데, 이는 이 열에서 영역(5) 간 물질의 흐름이 해롭지 않을 수 있기 때문이다.
도 6에는 발광 소자 또는 층 세그먼트(7)를 얻기 위해 공동이나 영역(5)에 유체 발광 물질이 증착되는 다음 제조 단계가 도시된다. 발광 소자 또는 층 세그먼트(7)는, 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT) 층과 폴리페닐렌비닐렌(PPV)과 같은 여러 전도성 중합체 층을 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 컬러 발광 디스플레이에 대해서, 서로 다른 물질이 사용될 수 있다. 도 6에서, 발광 소자 또는 층 세그먼트(7R)는 적색 발광 물질을 가리키고, 발광 소자 또는 층 세그먼트(7B)는 청색 발광 물질을 가리킨다. 녹색광을 방출하는 종래의 제 3 물질(G)이 또한 도포된다. 발광 물질(R,G,B)은 전기발광 물질이고 잉크젯 인쇄를 통해 증착되는 것이 바람직하다. 발광 소자의 길이는 예를 들어 240㎛이다.
도 7은 유체 적색 발광 물질이 증착되고, 증착 후 건조 공정의 여러 단계로 도시된 공동 또는 영역(5)의 상세도를 도시한다. 사용된 용매의 증발로 인해, 화살표로 표시된 수축이 일어나서 적색 발광 물질을 공동 또는 영역(5)의 뒤에 남긴다. 발광 물질층은 필연적으로 영역(5)에 대해 다소 크기가 커서, 발광 디스플레이가 작동하면, 즉 발광층에 전압이 가해지면 발생하는 단락을 방지한다. 한정 수단(4)은 친수성 성질을 갖기 때문에, 크기가 큰 발광 물질이 얻어진다.
그러나, 발광 소자 또는 층 세그먼트(7R)의 유체 발광 물질은, 서로 다른 컬러의 발광을 포함하는 인접한 발광 소자 또는 층 세그먼트(7B)로 흐르지 말아야 한다. 이러한 효과는 반발 부분(6)으로 소수성 장벽(hydrophobic barrier)을 사용해서 이루어지는 것으로 예시된다.
도 8에는 발광 소자 또는 층 세그먼트(7R과 7B) 또는 이 위에 금속화가 적용되는 다음 제조 단계가 도시된다. 이러한 금속화는, 예를 들어 전자를 주입하기 위해 장벽 레벨(barrier level)을 감소시키는 바륨층(8')으로 이루어지고, 이 상부에 캐쏘드로도 불리는 제 2 전극층(9)이 증착된다. 그러나, 여기 적용된 제조 공정에서, 몰리브덴 또는 티타늄 층(8'')이 도포되어, 습식 에칭 용액에 대해 발광 소자 또는 층 세그먼트(7R과 7B)를 보호하는 확산 장벽(diffusion barrier)으로 작용한다. 도 8에서 바륨층(8')과 티타늄 또는 몰리브덴 층(8'')은 단일층으로 도시된다. 바륨층(8')의 두께는 예를 들어 5nm이고, 티타늄 또는 몰리브덴 층(8'')의 두께는 예를 들어 100nm이며, 캐쏘드 층(9)의 두께는 예를 들어 2㎛이다. 종래 기술의 캐쏘드 층의 두께는 최대 약 0.5㎛이다. 본 발명의 이 실시예에서 두꺼운 캐쏘드 층(9)에 의해, 발광 소자(7)에 전압을 가하기 위한 전기 저항은 크게 감소되었다.
도 9에는 캐쏘드 층(9)이 패턴화되는 제조 공정의 다음 단계가 도시된다. 캐쏘드 층(9)은, 예를 들어 알루미늄으로 만들어진다. 캐쏘드 층(9)의 패턴화는 포토리쏘그래피에 이어 캐쏘드 층(9)에서의 습식 에칭 리세스(10)에 의해 수행된다. 습식 에칭 공정은 발광 소자 또는 층 세그먼트(7R과 7B)에 영향을 주지 않는데, 이는 티타늄 또는 몰리브덴 층(8'')이 습식 에칭 수단에 대한 확산 장벽으로 작용하기 때문이다. 알루미늄을 에칭하기 위해서는, 예를 들어 아세트산, 인산 및 질산의 혼합물이 사용될 수 있다. 전형적으로, 패턴화된 캐쏘드 층(9)의 부분은 실질적으로 발광 층 세그먼트(7R,7B)를 완전히 덮는다. 캐쏘드 층(9)의 패턴화된 부분이 발광층 세그먼트(7R,7B)와 일치해서, 즉 캐쏘드 층(9)의 패턴화 부분을 이용해서 이러한 발광층 세그먼트(7R,7B)에 의해 광이 방출될 수 있도록 패턴화가 수행될 수 있다.
도 10에는 CF4/Ar 환경에서 플라즈마 에칭을 통해 보호층(8)이 리세스(10)에서 부분적으로 제거되는 다음 제조 공정 단계가 도시된다.
도 11에는 도 10에 도시된 구조 위에 SiN 막(11)이 증착되는 다음 제조 공정 단계가 도시된다. 이 막(11)은, 예를 들어 리세스(10)를 통해 발광층 또는 소자(7R과 7B)에 영향을 줄 수 있는 액체 또는 수분으로부터 구조를 밀봉 실링한다. 도 10과 11에 도시된 제조 공정 단계는, 클러스터 도구 시스템(cluster tool system)을 사용해서, 예를 들어 에칭 및 증착 도구 모듈(deposition tool module)과 함께 수행될 수 있다는 것이 주목된다. 이 경우, 구조는, 확산 장벽의 에칭과 SiN을 이용한 밀봉 실링 사이의 공기에 노출되지 않는다. SiN 층(11)의 두께는, 예를 들어 0.5㎛이다. 한 가지 대안으로, 실링 막(11)으로 옥시질화물 SiN(x)O(y)이 사용될 수 있다. 막(11)의 이러한 작은 두께는 실링에 충분한데, 이는 종래 기술의 음각 모양의 각(negatively shaped angle)을 구비한 전기 절연 램파트가, 보호층(8)을 이용한 새로운 방법의 캐쏘드 구조화(cathode structuring)로 인해 더 이상 도포되지 않기 때문이다.
도 12에는 도 11에 도시된 구조 또는 이 위에 보호층(12)이 도포되는 다음 제조 공정 단계가 도시된다. 이 보호층(12)은, 예를 들어 레지스트를 스핀 코팅하거나 건조한 막 레지스트(dry film resist)를 적층해서 얻어지고, 예를 들어 10㎛의 두께를 갖는다. 리세스(13)는 포토리쏘그래피를 통해 얻어질 수 있다. 레지스트(12)는, 예를 들어 120℃에서 30분간 베이킹된다.
도 13에는, 발광 디스플레이를 작동시키기 위해 리드선을 연결해서 캐쏘드 층(9)이 접촉되는 위치에서 SiN 막(11)이 부분적으로 제거되는 최종 제조 공정 단계가 도시된다. SiN 막(11)은, 예를 들어 CF4 플라즈마에서 제거될 수 있다.
도 14에서, 중합체 또는 작은 분자의 발광 다이오드 디바이스일 수 있는 발광 디스플레이(14)는 전기 디바이스(15)의 일부로 도시된다. 발광 디스플레이(14)는, 예를 들어 컬러 디스플레이로서, 이 컬러 디스플레이는 적색, 녹색 및 청색 발광층 세그먼트(7R,7G 및 7B)를 포함하는 행렬 매트릭스로 배열된 디스플레이 픽셀(16)을 포함한다. 이러한 발광층 세그먼트는 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드(7R,7G,7B)는, 직사각형이나 삼각형 형태와 같은 디스플레이 픽셀(16)을 형성하기 위해 여러 형태로 배열될 수 있다. 발광층 세그먼트(7R과 7B)는 적절한 방식으로 제 1 전극 층(2) 및/또는 제 2 전극 층(9)에 신호를 가해서 작동할 수 있다.
본 발명을 교시하기 위해, 발광 디스플레이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예가 앞에서 기술되었다. 당업자에게는, 본 발명의 다른 대안적이고 등등한 실시예를 생각할 수 있고 본 발명의 실제 사상을 벗어나지 않으면서 실행하도록 축소될 수 있으며, 본 발명의 범위는 청구항에 의해서만 제한된다는 것이 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은, 향상된 방법으로 발광 디스플레이를 제조하는데 사용된다.
Claims (12)
- 기판에 발광 디스플레이(light emitting display)를 제조하는 방법으로서,- 상기 기판 또는 이 위에 제 1 전극층을 증착하는 단계와,- 상기 제 1 전극층의 적어도 일부 또는 이 위에 복수의 발광층 세그먼트(light emitting layer segment)를 형성하는 단계와,- 상기 발광층 세그먼트의 적어도 일부 또는 이 위에 적어도 한 장의 보호층(protective layer)을 도포하는 단계와,- 제 2 전극층을 증착하는 단계를 포함하는,발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 상기 기판 또는 기판 위에 증착되고, 상기 발광 디스플레이 작동시 상기 발광 층 세그먼트에 의해 방출될 광에 투명한 물질을 포함하는, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 보호층은 몰리브덴 또는 티타늄을 포함하는, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 포토리쏘그래피를 적용하고 이후 상기 발광층 세그먼트에 해당하는 에칭을 적용해서 패턴화되는, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 제 2 전극층은, 상기 발광층 세그먼트를 포함하는 영역 밖에 리세스(recess)를 포함하고, 상기 리세스 밑에서 상기 보호층이 실질적으로 제거되도록 패턴화된, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 패턴화된 제 2 전극층과 상기 리세스는 적어도 한 장의 실링 막(sealing film)으로 덮인, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는 0.5㎛보다 크고 바람직하게는 0.5㎛ 내지 3㎛인, 발광 디스플레이 제조 방법.
- 발광 디스플레이로서,- 기판과,- 상기 기판 또는 이 위에 증착된 제 1 전극층과,- 상기 제 1 전극층 또는 이 위에 형성된 복수의 발광층 세그먼트와,- 상기 발광층 세그먼트의 적어도 일부 또는 이 위에 도포된 적어도 한 장의 보호층과,- 제 2 전극층을 포함하는,발광 디스플레이.
- 제 8항에 있어서, 상기 보호층은 몰리브덴 또는 티타늄을 포함하는, 발광 디스플레이.
- 제 8항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는 0.5㎛ 내지 3㎛인, 발광 디스플레이.
- 제 8항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 상기 발광층 세그먼트와 일치하도록 패턴화되고 상기 패턴화된 제 2 전극층은 적어도 한 장의 실링 막으로 덮인, 발광 디스플레이.
- 제 8항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 기재된 발광 디스플레이 및/또는 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 발광 디스플레이를 포함하는 전기 디바이스(electric device).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02079148 | 2002-10-07 | ||
| EP02079148.9 | 2002-10-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050059244A true KR20050059244A (ko) | 2005-06-17 |
Family
ID=32050061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057005933A KR20050059244A (ko) | 2002-10-07 | 2003-09-12 | 발광 디스플레이 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1557073A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006502537A (ko) |
| KR (1) | KR20050059244A (ko) |
| CN (1) | CN1689379A (ko) |
| AU (1) | AU2003256025A1 (ko) |
| TW (1) | TW200417283A (ko) |
| WO (1) | WO2004032575A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060089839A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패터닝된 유기전계발광소자의 제조 방법 |
| WO2010029460A1 (en) | 2008-09-09 | 2010-03-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Contacting a device with a conductor |
| BR112013008571B1 (pt) | 2010-10-12 | 2021-02-23 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd | Método de fabricação de dispositivos eletrónicos orgânicos |
| CN107507931A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板的封装方法、封装结构及显示装置 |
| JPWO2022153150A1 (ko) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172459B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
| US6137223A (en) * | 1998-07-28 | 2000-10-24 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure |
| EP1191821B1 (en) * | 2000-09-25 | 2009-05-27 | Konica Corporation | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent material used therefor |
| US6551725B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices |
| ATE540437T1 (de) * | 2001-03-02 | 2012-01-15 | Fujifilm Corp | Herstellungsverfahren einer organischen dünnschicht-vorrichtung |
| SG92833A1 (en) * | 2001-03-27 | 2002-11-19 | Sumitomo Chemical Co | Polymeric light emitting substance and polymer light emitting device using the same |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2004541026A patent/JP2006502537A/ja not_active Withdrawn
- 2003-09-12 KR KR1020057005933A patent/KR20050059244A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-09-12 AU AU2003256025A patent/AU2003256025A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 CN CNA038238578A patent/CN1689379A/zh active Pending
- 2003-09-12 EP EP03798979A patent/EP1557073A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 WO PCT/IB2003/003930 patent/WO2004032575A1/en active Application Filing
- 2003-10-03 TW TW092127426A patent/TW200417283A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003256025A1 (en) | 2004-04-23 |
| JP2006502537A (ja) | 2006-01-19 |
| TW200417283A (en) | 2004-09-01 |
| EP1557073A1 (en) | 2005-07-27 |
| CN1689379A (zh) | 2005-10-26 |
| WO2004032575A1 (en) | 2004-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6656611B2 (en) | Structure-defining material for OLEDs | |
| US20090209161A1 (en) | Method for manufacturing a light emitting display | |
| US6566156B1 (en) | Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays | |
| KR100643376B1 (ko) | 표시장치와 표시장치의 제조방법 | |
| US7573195B2 (en) | Display panel comprising conductive barrier structures | |
| WO1997048139A9 (en) | Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays | |
| JP2018152339A (ja) | 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法 | |
| KR101431466B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조 방법 | |
| US7473924B2 (en) | Electroluminescent device with a blocking layer and a dummy electrode region | |
| KR20050059244A (ko) | 발광 디스플레이 제조 방법 | |
| KR20040039608A (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR100360328B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 | |
| US7375461B2 (en) | Organic, electroluminescent display and method for producing the same | |
| KR100337493B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법 | |
| US20060154550A1 (en) | Method for manufacturing a light emitting display | |
| KR100413856B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR100417922B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법 | |
| KR100415433B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR20030042074A (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR20030030792A (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR20070054051A (ko) | 디스플레이장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |