KR20050054141A - 카본나노튜브 에미터의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출표시소자의 제조방법 - Google Patents

카본나노튜브 에미터의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출표시소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

개시된 카본나노튜브 에미터의 형성방법은, 전극이 형성된 기판의 상면에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝하여 전극 위에 포토레지스트 도트를 형성하는 단계; 기판의 상면에 포토레지스트 도트를 덮도록 카본나노튜브 패이스트를 도포하는 단계; 건조 공정을 통하여 포토레지스트 도트와 카본나노튜브 패이스트 사이에서 발생되는 상호 확산에 의하여 전극 위에 카본나노튜브 에미터를 형성하는 단계; 및 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 카본나노튜브 패이스트를 제거하는 단계;를 포함한다.

Description

카본나노튜브 에미터의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출 표시소자의 제조방법{Method for forming carbon nanotube emitter and method for mamufacturing field emission display}
본 발명은 카본나노튜브 에미터의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 포토레지스트와 카본나노튜브의 상호 확산(interdiffusion)을 이용하여 고순도의 카본나노튜브 에미터를 형성하는 방법 및 이를 이용하여 전계방출 표시소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래의 정보전달매체의 중요 부분인 표시장치의 대표적인 활용 분야로는 개인용 컴퓨터의 모니터와 텔레비젼 수상기 등을 들 수 있다. 이러한 표시장치는 고속 열전자 방출을 이용하는 음극선관(CRT; Cathode Ray Tube)과, 최근에 급속도로 발전하고 있는 평판 표시장치(Flat Panel Display)로 크게 분류될 수 있다. 상기 평판 표시장치로는 액정 표시소자(LCD; Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel), 전계방출 표시소자(FED; Field Emission Display) 등이 있다.
전계방출 표시소자는, 음극 전극(cathode) 위에 일정한 간격으로 배열된 전계방출원(field emitter)에 게이트 전극으로부터 강한 전기장을 인가함으로써 상기 전계방출원으로부터 전자를 방출시키고, 이 전자를 양극 전극(anode)의 형광물질에 충돌시켜 발광되도록 하는 표시장치이다.
전계방출 표시소자의 전계방출원으로서 종래에는 몰리브덴(Mo)과 같은 금속으로 이루어진 마이크로 팁이 많이 사용되었으나, 최근에는 카본나노튜브(CNT; Carbon NanoTube) 에미터(emitter)가 주로 사용되고 있다. 카본나노튜브 에미터(CNT emitter)를 사용하는 전계방출 표시소자는 넓은 시야각, 높은 해상도, 저전력 및 온도 안정성 등에 있어서 장점을 가지므로, 자동차 항법(var navigation) 장치, 전자적인 영상장치의 뷰 파인더(view finder) 등의 다양한 분야에 이용 가능성이 있다. 특히, 개인용 컴퓨터, PDA(Personal Data Assistants) 단말기, 의료기기, HDTV(High Definition Television) 등에서 대체 디스플레이 장치로서 이용될 수 있다. 한편, 액정 표시소자 등에 사용되는 백라이트(backlight)에서도 전계방출원으로 카본나노튜브 에미터가 적용될 수 있다.
이러한 카본나노튜브 에미터는 일반적으로 카본나노튜브 패이스트(paste)를 노광시킴으로써 형성되는데, 그 형성방법이 도 1a 내지 도 1e 및 도 2a 내지 도 2e에 도시되어 있다.
도 1a 내지 도 1e는 전면(front-side) 노광법을 이용하여 전계방출 표시소자에 적용되는 카본나노튜브 에미터를 형성하는 방법을 설명하는 도면들이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 음극 전극(12), 절연층(14) 및 게이트 전극(16)이 순차적으로 적층되고, 상기 음극 전극(12)의 일부를 노출시키는 게이트 홀이 형성된 기판(10)의 전 표면에 카본나노튜브 패이스트(20)를 프린팅법에 의하여 도포한다. 이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 마스크(30)를 이용하여 기판(10)의 전면쪽에서 자외선(UV)를 조사하여 상기 카본나노튜브 패이스트(20)를 선택적으로 노광시킨다. 이때, 상기 카본나노튜브 패이스트(20) 중 자외선에 노출된 부위는 노광되어 경화(curing)된다. 다음으로, 도 1c에 도시된 바와 같이, 아세톤 등의 현상제를 사용하여 노광되지 않은 카본나노튜브 패이스트(20)를 제거하면, 에미터 홀 내부에는 노광된 카본나노튜브 패이스트(20')만 남게 된다. 이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 카본나노튜브 패이스트(20')를 소성(firing) 공정을 통하여 수축시키면 소정 형상의 카본나노튜브 에미터(21)가 형성된다. 마지막으로, 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 카본나노튜브 에미터(21)을 접착성 테이프(adhesive tape)로 표면처리하면, 카본나노튜브 에미터(21)의 선단에는 순수한 카본나노튜브(21a)가 형성된다.
도 2a 내지 도 2e는 후면(back-side) 노광법을 이용하여 전계방출 표시소자에 적용되는 카본나노튜브 에미터를 형성하는 방법을 설명하는 도면들이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 음극 전극(52), 절연층(54) 및 게이트 전극(56)이 순차적으로 적층되고, 상기 음극 전극(52)의 일부를 노출시키는 게이트 홀이 형성된 기판(50)의 전 표면에 포토레지스트로 이루어진 희생층(40)을 도포한 뒤, 이를 패터닝하여 상기 게이트 홀 하부의 음극 전극(52)을 노출시킨다. 이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 도 2a에 도시된 결과물 전 표면에 카본나노튜브 패이스트(60)를 프린팅법에 의하여 도포한다. 그리고, 기판(50)의 후면쪽에서 자외선(UV)를 조사하여 카본나노튜브 패이스트(60)를 선택적으로 노광시킨다. 이때, 상기 카본나노튜브 패이스트(60) 중 자외선에 노출된 부위는 노광되어 경화(curing)된다. 다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 아세톤 등의 현상제를 사용하여 노광되지 않은 카본나노튜브 패이스트(60)를 제거하면, 에미터 홀 내부에는 노광된 카본나노튜브 패이스트(60')만 남게 된다. 이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 카본나노튜브 패이스트(60')를 소성(firing) 공정을 통하여 수축시키면 소정 형상의 카본나노튜브 에미터(61)가 형성된다. 마지막으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 카본나노튜브 에미터(61)을 접착성 테이프로 표면처리하면, 카본나노튜브 에미터(61)의 선단에는 순수한 카본나노튜브(61a)가 형성된다.
그러나, 전술한 카본나노튜브 에미터의 형성방법들은 카본나노튜브 패이스트의 감광(photo-sentitive) 특성을 이용하기 때문에 카본나노튜브의 함량을 높이는데에는 한계가 있다. 또한, 후막의 카본나노튜브 패이스트에 노광을 하기 때문에 높은 에너지(대략 1000mJ 이상)의 노광량이 필요하며, 노광시 카본나노튜브 패이스트 내부에서 발생되는 빛의 산란(scattering)으로 인해 원하는 패턴의 형성 및 얼라인(align)이 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 포토레지스트와 카본나노튜브의 상호 확산을 이용하여 고순도의 카본나노튜브 에미터를 형성하는 방법 및 이를 이용한 전계방출 표시소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에 따른 카본나노튜브 에미터의 형성방법은,
전극이 형성된 기판의 상면에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝하여 상기 전극 위에 포토레지스트 도트를 형성하는 단계;
상기 기판의 상면에 상기 포토레지스트 도트를 덮도록 카본나노튜브 패이스트를 도포하는 단계;
건조 공정을 통하여 상기 포토레지스트 도트와 상기 카본나노튜브 패이스트 사이에서 발생되는 상호 확산에 의하여 상기 전극 위에 카본나노튜브 에미터를 형성하는 단계; 및
상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트를 제거하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트와 카본나노튜브 패이스트의 혼합물로 이루어진다.
상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트인 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트는 베이스 물질로서 노볼락(novolak)을 포함하며, 상기 카본나노튜브 패이스트는 점성을 조절하는 물질로서 텍사놀(Texanole)을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트의 노볼락과 상기 카본나노튜브 패이스트의 텍사놀이 상호 확산되어 형성된다. 여기서, 상기 카본나노튜 에미터는 상기 텍사놀이 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 상기 노볼락을 녹이고, 녹은 상기 노볼락은 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 형성된다.
상기 건조 공정은 상기 카본나노튜브 패이스트를 80℃에서 20분간 가열하는 것이 바람직하다.
상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트는 소정의 현상액에 의해 현상되어 제거된다. 여기서, 상기 현상액은 아세톤 또는 탄산나트륨(Na2CO3) 용액이 사용될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 전계방출 표시소자의 제조방법은,
기판의 상면에 음극 전극, 절연층 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 음극 전극의 일부를 노출시키는 에미터 홀을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝하여 상기 에미터 홀의 상기 음극 전극 위에 포토레지스트 도트를 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 포토레지스트 도트를 덮도록 카본나노튜브 패이스트를 도포하는 단계;
건조 공정을 통하여 상기 포토레지스트 도트와 상기 카본나노튜브 패이스트 사이에서 발생되는 상호 확산에 의하여 상기 음극 전극 위에 카본나노튜브 에미터를 형성하는 단계; 및
상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트를 제거하는 단계;를 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 카본나노튜브 에미터의 형성방법을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 전극(112)이 소정 형태로 형성된 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)으로는 일반적으로 유리기판이 사용되며, 상기 전극(112)은 투명한 도전성 재료인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 이러한 전극(112)은 기판(110) 상에 스트라이프 형태나 그 밖의 다른 형태로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 전극(112) 위에 포토레지스트 도트(photoresist dot,140)들을 형성한다. 상기 포토레지스트 도트들(140)은 전극(112)이 형성된 기판(110)의 상면에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝함으로써 형성된다. 도 4a는 기판(110) 상에 형성된 포토레지스트 도트들(140)을 ??은 사진이다. 여기서, 상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트인 것이 바람직하다. 상기 양성 포토레지스트에는 빛에 민감한 반응을 보이는 감응물질(sensitizer), 베이스 물질인 기본 합성물질(resin), 상기 기본 합성물질을 녹이는 유기 용제(solvent) 등이 포함되며, 본 실시예서는 상기 기본 합성물질로서 노볼락(Novolak)이 사용된다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 도트들(140)이 형성된 기판(110)의 상면에 포토레지스트 도트들(140)을 덮도록 카본나논튜브 패이스트(120)를 도포한다. 이러한 카본나노튜브 패이스트(120)는 일반적으로 프린팅 방법에 의하여 도포된다. 본 실시예에서, 상기 카본나노튜브 패이스트(120)에는 점도(viscosity)를 조절하는 물질로서 텍사놀(Texanole)이 포함된다.
다음으로, 상기 카본나노튜브 패이스트(120)를 소정의 조건 하에 건조시킨다. 이 건조 과정에서는, 상기 카본나노튜브 패이스트(120)를 대략 80℃에서 20분간 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같은 건조 공정에 의하여 상기 포토레지스트 도트들(140)와 카본나노튜브 패이스트(120) 사이에는 도 3b에 도시된 바와 같이 서로 상호 확산(interdiffusion)이 일어나게 된다. 상세하게는, 먼저 카본나노튜브 패이스트(120)의 구성 성분인 텍사놀이 포토레지스트 도트들(140) 내부로 확산되어 포토레지스트의 구성 성분인 노볼락을 녹이게 된다. 이어서, 이렇게 녹은 노플락이 카본나노튜브 패이스트(120)의 내부로 확산되게 된다.
이와 같은 상호 확산에 의하여 상기 포토레지스트 도트들(140)은 도 3c에 도시된 바와 같이 포토레지스트와 카본나노튜브 패이스트(120)의 혼합물로 이루어진 카본나노튜브 에미터들(150)로 변하게 된다. 이 과정에서, 카본나노튜브 패이스트(120)의 양을 조절하게 되면 고순도의 카본나노튜브 에미터(150)를 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 카본나노튜브 에미터(150)을 덮고 있는 카본나노튜브 패이스트(120)를 현상액으로 현상하여 제거하면 전극(112) 위에는 카본나노튜브 에미터(150)만이 남게 된다. 상기 현상제로는 아세톤 또는 탄산나트륨(Na2CO3) 용액 등이 사용될 수 있다. 도 4b는 기판(110) 상에 형성된 카본나노튜브 에미터들(150)을 찍은 사진이다.
이상과 같이, 본 발명에서는 카본나노뉴브 패이스트(120)를 이용하여 카본나노튜브 에미터(150)를 형성할 때, 노광을 사용하지 않고 포토레지스트 도트(140)와 카본나노튜브 패이스트(120)의 상호확산을 이용함으로써 원하는 형상의 카본나노튜브 에미터(150)를 용이하게 형성할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 전계방출 표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 음극 전극(cathode,212), 절연층(214) 및 게이트 전극(gate electrode,216)을 순차적으로 형성한 뒤, 상기 음극 전극(212)의 일부를 노출시키는 에미터 홀(emitter hole,260)을 형성한다. 상기 기판(210)으로는 일반적으로 유리기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 음극 전극(212)은 도전성이 있는 투명한 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있으며, 상기 게이트 전극(216)은 도전성이 있는 금속, 예컨대 크롬(Cr) 등으로 이루어질 수 있다.
구체적으로는, 기판(210) 상에 ITO로 이루어진 음극 전극층을 소정 두께로 증착한 뒤, 이 음극 전극층을 소정 형상, 예컨대 스트라이프 형상으로 패터닝하면 음극 전극(212)이 형성된다. 다음으로, 음극 전극(212) 및 기판(210)의 전 표면에 절연층(214)을 소정 두께로 형성한다. 이어서, 상기 절연층(214) 상에 게이트 전극층을 형성한다. 상기 게이트 전극층은 도전성이 있는 금속을 스퍼터링(sputtering) 등의 방법에 의해 소정 두께로 증착함으로써 형성되며, 이 게이트 전극층을 소정 형상으로 패터닝하면 게이트 전극(216)이 형성된다. 다음으로, 상기 게이트 전극(216)을 통해 노출된 절연층(214)을 식각하여 에미터 홀(260)을 형성한다. 이때, 상기 에미터 홀(260)을 통하여 음극 전극(212)의 일부가 노출된다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 에미터 홀(260)을 통해 노출된 음극 전극(212) 위에 포토레지스트 도트(240)를 형성한다. 구체적으로, 상기 포토레지스트 도트(240)는 도 5a에 도시된 결과물의 전 표면에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝함으로써 형성된다. 전술한 바와 같이 상기 포토레지스트는 양성 포토레지스트인 것이 바람직하고, 이 양성 포토레지스트에는 기본 합성물질인 노볼락(Novolak)이 포함되어 있다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 도 5b의 결과물 전 표면에 상기 포토레지스트 도트(240)를 덮을 수 있도록 카본나노튜브 패이스트(220)를 도포한다. 이러한 카본나노튜브 패이스트(220)는 프린팅 방법에 의하여 도포될 수 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 상기 카본나노튜브 패이스트(220)에는 점도를 조절하는 물질인 텍사놀(Texanole)이 포함되어 있다.
다음으로, 상기 카본나노튜브 패이스트(220)를 소정의 조건 하에 건조시킨다. 이 건조 과정에서는, 상기 카본나노튜브 패이스트(220)를 대략 80℃에서 20분간 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같은 건조 공정으로 인하여 상기 포토레지스트 도트(240)와 카본나노튜브 패이스트(220) 사이에는 도 5c에 도시된 바와 같이 서로 상호 확산(interdiffusion)이 일어나게 된다. 이에 대한 상세한 설명은 전술하였으므로 생략한다.
이와 같은 상호 확산에 의하여 상기 포토레지스트 도트(240)는 도 5d에 도시된 바와 같이 포토레지스트와 카본나노튜브 패이스트(220)의 혼합물로 이루어진 카본나노튜브 에미터(250)로 변하게 된다. 이 과정에서, 카보나노튜브 패이스트(220)의 양을 조절하게 되면, 고순도의 카본나노튜브 에미터(250)를 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 카본나노튜브 에미터(250)를 덮고 있는 카본나노튜브 패이스트(220)를 현상액으로 현상하여 제거하면, 음극 전극(212) 위에는 카본나노튜브 에미터(250)만이 남게 된다. 여기서, 상기 현상제로는 아세톤 또는 탄산나트륨(Na2CO3) 용액 등이 사용될 수 있다.
도 6에는 본 발명에 따른 제조방법에 의하여 제조된 2전극 전계방출 표시소자의 화면을 찍은 사진이 도시되어 있는데, 이 도 6을 참조하면, 본 발명에 제조방법에 의하여 제조된 전계방출 표시소자에서도 종래와 같은 화상이 재현될 수 있음을 알 수 있다.
그리고, 도 7에는 본 발명에 따른 제조방법에 의하여 제조된 전계방출 표시소자의 전류(I)-전압(V) 특성을 도시한 그래프가 도시되어 있다. 도 7의 그래프를 참조하면, 본 발명에 따른 제조방법에 의하여 제조된 전계방출 표시소자에서는 종래보다 전압(V)에 따른 전류(I) 특성이 향상되었음을 보여주고 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 카본나노튜브 패이스트를 이용하여 카본나노튜브 에미터를 형성할 때, 카본나노튜브 패이스트와 포토레지스트의 상호 확산을 이용함으로써 원하는 형상의 카본나노튜브 에미터를 형성할 수 있다. 그리고, 이와 같은 카본나노튜브 에미터의 형성방법을 이용하면 전계방출 표시소자나 백라이트 등에도 용이하게 제조할 수 있다.
둘째, 기존의 노광법을 사용하지 않고 카본나노튜브 에미터를 형성하므로, 카본나노튜브 패이스트에 대한 빛의 투과율 문제를 고려할 필요가 없다. 이에 따라 카본나노튜브 패이스트 내의 카본나노튜브의 함량을 높여 고순도의 카본나노튜브 에미터를 형성할 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 카본나노튜브의 형성방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2a 내지 2e는 종래 다른 카본나노튜브의 형성방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 카본나노튜브 에미터의 형성방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 기판 상에 포토레지스트 도트(photoresist dot) 및 카본나노튜브 에미터가 형성된 상태를 찍은 사진들이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 전계방출 표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명에 따라 형성된 카본나노튜브 에미터가 적용된 전계방출 표시소자의 화면을 찍은 사진이다.
도 7은 본 발명에 따라 형성된 카본나노튜브 에미터가 적용된 전계방출 표시소자의 전류-전압 특성을 도시한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110,210... 기판 112... 전극
120,220... 카본나노튜브 패이스트 140,240... 포토레지스트
150,250... 카본나노튜브 에미터
212... 음극 전극 214... 절연층
216... 게이트 전극 260... 에미터 홀

Claims (20)

  1. 전극이 형성된 기판의 상면에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝하여 상기 전극 위에 포토레지스트 도트를 형성하는 단계;
    상기 기판의 상면에 상기 포토레지스트 도트를 덮도록 카본나노튜브 패이스트를 도포하는 단계;
    건조 공정을 통하여 상기 포토레지스트 도트와 상기 카본나노튜브 패이스트 사이에서 발생되는 상호 확산에 의하여 상기 전극 위에 카본나노튜브 에미터를 형성하는 단계; 및
    상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트와 카본나노튜브 패이스트의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 카보나노튜브 에미터의 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 베이스 물질로서 노볼락(Novolak)을 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 패이스트는 점성을 조절하는 물질로서 텍사놀(Texanole)을 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트의 노볼락과 상기 카본나노튜브 패이스트의 텍사놀이 상호 확산되어 형성되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 카본나노튜 에미터는 상기 텍사놀이 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 상기 노볼락을 녹이고, 녹은 상기 노볼락은 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 형성되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조 공정은 상기 카본나노튜브 패이스트를 80℃에서 20분간 가열하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트는 소정의 현상액에 의해 현상되어 제거되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 현상액은 아세톤 또는 탄산나트륨(Na2CO3) 용액인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 에미터의 형성방법.
  11. 기판의 상면에 음극 전극, 절연층 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 음극 전극의 일부를 노출시키는 에미터 홀을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝하여 상기 에미터 홀의 상기 음극 전극 위에 포토레지스트 도트를 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 포토레지스트 도트를 덮도록 카본나노튜브 패이스트를 도포하는 단계;
    건조 공정을 통하여 상기 포토레지스트 도트와 상기 카본나노튜브 패이스트 사이에서 발생되는 상호 확산에 의하여 상기 음극 전극 위에 카본나노튜브 에미터를 형성하는 단계; 및
    상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트와 카본나노튜브 패이스트의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 베이스 물질로서 노볼락(novolak)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 패이스트는 점성을 조절하는 물질로서 텍사놀(Texanole)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터는 상기 포토레지스트의 노볼락과 상기 카본나노튜브 패이스트의 텍사놀이 상호 확산되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 카본나노튜 에미터는 상기 텍사놀이 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 상기 노볼락을 녹이고, 녹은 상기 노볼락은 상기 카본나노튜브 패이스트로 확산되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 건조 공정은 상기 카본나노튜브 패이스트를 80℃에서 20분간 가열하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 카본나노튜브 에미터를 덮고 있는 상기 카본나노튜브 패이스트는 소정의 현상액에 의해 현상되어 제거되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 현상액은 아세톤 또는 탄산나트륨(Na2CO3) 용액인 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법.
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