KR20050052513A - Polishing pad with window for planarization - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 연마 패드에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 연마 패드는 윈도를 포함할 수 있다. 본 발명의 연마 패드는 연마 제품에 유용할 수 있고, 특히 마이크로엘렉트로닉 소자, 예컨대 반도체 웨이퍼의 화학적 기계적 연마 또는 평탄화에 유용할 수 있다. 연마 패드의 윈도는 적어도 부분적으로 투명해서, 쓰루-더-플래튼(through-the-platen) 웨이퍼 계량법을 갖춘 연마 또는 평탄화 기구에 특히 유용할 수 있다. The present invention relates to a polishing pad. In particular, the polishing pad of the present invention may comprise a window. The polishing pad of the present invention may be useful in abrasive articles and may be particularly useful for chemical mechanical polishing or planarization of microelectronic devices such as semiconductor wafers. The window of the polishing pad is at least partially transparent, which can be particularly useful for polishing or planarization instruments with through-the-platen wafer metrology.
일반적으로, 마이크로엘렉트로닉 소자의 비평탄 표면을 실질적으로 평탄한 표면으로 연마 또는 평탄화하는 것은, 조절되고 반복적인 움직임을 이용하여 연마 패드의 작업면으로 비평탄 표면을 문지르는 것을 포함한다. 연마 슬러리가 연마될 제품의 거친 표면과 연마 패드의 작업면 사이에 삽입될 수 있다. In general, polishing or planarizing the non-planar surface of the microelectronic device to a substantially flat surface involves rubbing the non-planar surface with the working surface of the polishing pad using controlled and repetitive movement. An abrasive slurry can be inserted between the rough surface of the product to be polished and the working surface of the polishing pad.
마이크로엘렉트로닉 소자 예컨대 반도체 웨이퍼의 가공은 일반적으로, 예컨대, 실리콘 또는 갈륨 비소화물을 포함하는 웨이퍼 상에 다수의 집적 회로를 형성하는 것을 포함한다. 집적 회로는 물질, 예컨대 전도성 물질, 절연 물질 및 반전도성 물질의 패턴화된 층이 기판 위에 형성되는 일련의 공정 단계에 의해 형성될 수 있다. 웨이퍼 당 집적 회로의 밀도를 최대화하기 위해서는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에 걸친 다양한 단계에서 실질적으로 평탄하게 연마된 기판을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 제조는 하나 이상의 연마 단계, 보다 전형적으로는 다수의 연마 단계를 포함할 수도 있고, 이는 하나 이상의 연마 패드를 사용할 수 있다.Processing of microelectronic devices such as semiconductor wafers generally involves forming a plurality of integrated circuits on a wafer that includes, for example, silicon or gallium arsenide. Integrated circuits may be formed by a series of process steps in which a patterned layer of material, such as conductive, insulating, and semiconducting materials, is formed over a substrate. In order to maximize the density of integrated circuits per wafer, it is desirable to have a substrate that is substantially flat polished at various stages throughout the semiconductor wafer fabrication process. Thus, fabrication of a semiconductor wafer may include one or more polishing steps, more typically multiple polishing steps, which may use one or more polishing pads.
화학적 기계적 연마(CMP) 공정은 마이크로엘렉트로닉 기판을 연마 패드와 접촉하도록 위치시키는 단계; 마이크로엘렉트로닉 소자의 뒷면에 힘을 가하면서 패드를 회전시키는 단계; 및 일반적으로 "슬러리"로 지칭되는, 연마제를 함유한 화학적 반응성 용액을 연마 과정 동안 패드에 적용시키는 단계를 포함할 수 있다. CMP 연마 슬러리는 연마 물질, 예컨대 실리카, 알루미나, 세리아 또는 이의 혼합물을 함유할 수 있다. 슬러리가 소자/패드 계면에 제공되는 동안 기판에 대한 패드의 회전 운동은 연마 공정을 촉진시킬 수 있다. 일반적으로, 연마는 요구되는 필름 두께가 제거될 때까지 이러한 방법으로 계속될 수 있다. The chemical mechanical polishing (CMP) process includes positioning a microelectronic substrate in contact with a polishing pad; Rotating the pad while applying force to the back side of the microelectronic element; And applying a chemically reactive solution containing an abrasive, generally referred to as a "slurry", to the pad during the polishing process. CMP polishing slurries may contain abrasive materials such as silica, alumina, ceria or mixtures thereof. Rotational movement of the pads relative to the substrate can facilitate the polishing process while the slurry is provided at the device / pad interface. Generally, polishing can continue in this way until the required film thickness is removed.
연마 패드 및 연마제, 및 다른 첨가제의 선택에 따라, CMP 공정은 표면 결함, 흠, 부식 및 침식을 감소 또는 최소화하면서 요구되는 연마 속도로 효과적인 연마를 제공할 수 있다.Depending on the choice of polishing pads and abrasives, and other additives, the CMP process can provide effective polishing at the required polishing rate while reducing or minimizing surface defects, nicks, corrosion, and erosion.
연마 또는 평탄화 특성은 패드에 따라, 그리고 주어진 패드의 작동 수명에 걸쳐 변할 수 있다. 패드의 연마 특성의 편차는 유용하지 못한, 불충분하게 연마 또는 평탄화된 기판을 생성할 수 있다. 따라서, 당업계에서는 연마 또는 평탄화 특성면에서 편차가 감소된 연마 패드를 개발하는 것이 요망된다. 패드의 작동 수명 동안 연마 또는 평탄화 특성면에서 편차가 감소된 연마 패드를 개발하는 것 또한 바람직하다. Polishing or planarization properties may vary depending on the pad and over the operating life of a given pad. Variations in the polishing properties of the pads can result in insufficiently polished or planarized substrates that are not useful. Therefore, there is a desire in the art to develop polishing pads with reduced variations in polishing or planarization properties. It is also desirable to develop polishing pads with reduced variation in polishing or planarization properties over the pad's operating life.
웨이퍼가 기구에 고정되어 패드와 접촉한 상태로 평탄화 공정의 진행 경과를 측정하는 능력을 갖는 평탄화 기구가 당업계에 알려져 있다. 평탄화 공정 동안 마이크로엘렉트로닉 소자의 평탄화 진행 경과를 측정하는 것은 당업계에서 "동일 반응계 계량법"으로 지칭될 수 있다. 미국 특허 제 5964643호 및 제 6159073호; 및 유럽 특허 제 1108501호는 연마 또는 평탄화 기구 및 동일 반응계 계량 시스템을 개시하고 있다. 일반적으로, 동일 반응계 계량법은 기구의 가압판에 위치된 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 통해 광선을 쏘는 단계; 및 광선이 웨이퍼의 표면에서 반사되어, 가압판 윈도를 통해, 검출기로 돌아가는 단계를 포함할 수 있다. 연마 패드는 계량 시스템에 사용되는 파장에 대해 적어도 부분적으로 투명하고, 본질적으로 가압판 윈도와 일직선상의 윈도를 포함할 수 있다.Planarization instruments are known in the art that have the ability to measure the progress of the planarization process with the wafer fixed to the instrument and in contact with the pad. Measuring the progress of the planarization of the microelectronic device during the planarization process may be referred to in the art as "same reaction system metric". US Patent Nos. 5964643 and 6159073; And EP 1108501 disclose a polishing or planarizing device and an in-situ metering system. In general, in-situ metering includes the steps of: shooting a beam of light through at least partially transparent windows located on the platen of the instrument; And the light beam is reflected at the surface of the wafer and returned to the detector through the platen window. The polishing pad is at least partially transparent to the wavelengths used in the metering system and may comprise essentially platen windows and windows in line.
따라서, 동일 반응계 계량법에 유용한 윈도 영역을 포함하는 연마 패드를 개발하는 것이 요망된다. 또한 윈도가 패드의 작동 수명 동안 적절한 투명성을 제공하는 것이 바람직하다.Accordingly, it is desirable to develop polishing pads comprising window regions useful for in situ metric. It is also desirable for the window to provide adequate transparency over the operating life of the pad.
연마 표면과 동일 평면 상에 있는 윈도를 갖는 공지된 패드의 단점은 패드 표면보다 더 느린 속도로 윈도 부분이 마멸되는 것을 포함할 수 있다. 동일 평면 상의 윈도를 갖는 공지된 패드의 다른 단점은 연마 또는 평탄화 공정 동안 슬러리 중의 연마성 입자와 접촉한 결과로써 윈도가 스크래칭되는 것을 포함할 수 있다. 스크래칭된 윈도는 일반적으로 윈도의 투명성을 감소시킬 수 있고 계량 신호를 감쇠시킬 수 있다. A disadvantage of known pads having windows coplanar with the polishing surface may include abrasion of the window portion at a slower rate than the pad surface. Another disadvantage of known pads having windows on the same plane may include scratching the window as a result of contact with abrasive particles in the slurry during the polishing or planarization process. Scratched windows can generally reduce the transparency of the window and attenuate the metering signal.
본 발명은 윈도를 갖는 연마 패드를 포함한다. 비한정 양태에서, 연마 패드는 제1 층 및 제2 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 패드의 작업면 또는 연마층으로 작용할 수 있다. 제2 층의 적어도 일부는 연마 기구의 계량 기기가 사용하는 파장에 대해 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 포함할 수 있다. 또한, 제1 층은 그 총 중량 기준으로 2 중량% 이상의 연마 슬러리를 흡수할 수 있다. The present invention includes a polishing pad having a window. In a non-limiting embodiment, the polishing pad can include a first layer and a second layer. The first layer can serve as the working surface or polishing layer of the pad. At least a portion of the second layer may comprise a window that is at least partially transparent to the wavelength used by the metering device of the polishing instrument. In addition, the first layer can absorb at least 2% by weight of the polishing slurry, based on its total weight.
본 발명의 연마 패드는 제1 층 및 제2 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 패드의 연마 표면 또는 작업면으로 작용하여 연마될 기판 및 연마 슬러리와 적어도 부분적으로 상호 작용할 수 있다. 비한정 양태에서, 제1 층은 다공성일 수 있고 연마 슬러리에 대해 투과성일 수 있다. 비한정 양태에서, 제2 층은 실질적으로 비-다공성일 수 있고 연마 슬러리에 대해 실질적으로 불투과성일 수 있다. The polishing pad of the present invention may comprise a first layer and a second layer. The first layer can act as the polishing surface or working surface of the pad to interact at least partially with the substrate and polishing slurry to be polished. In a non-limiting embodiment, the first layer can be porous and can be permeable to the polishing slurry. In a non-limiting embodiment, the second layer can be substantially non-porous and substantially impermeable to the polishing slurry.
상세한 설명 및 청구항에서 사용된 바와 같이, "실질적으로 비-다공성인"이라는 용어는 일반적으로 액체, 기체 및 세균의 통과에 있어 불투과성인 것을 의미한다. 거시적 규모에서, 실질적으로 비-다공성인 물질은, 만약 있더라도, 공극을 거의 나타내지 않는다. 상세한 설명 및 청구항에서 사용된 바와 같이, "다공성"이라는 용어는 공극을 갖는 것을 의미하고 "공극"이라는 용어는 이를 통해 물질이 통과하는 미세 구멍을 나타낸다. As used in the description and claims, the term "substantially non-porous" generally means impermeable to the passage of liquids, gases and bacteria. On a macro scale, substantially nonporous materials, if any, show little voids. As used in the description and claims, the term "porous" means having voids and the term "porosity" refers to the micropores through which material passes.
본 상세한 설명에 사용된 바와 같이, 단수형은 명시적이고 명료하게 단수로 한정되지 않으면 복수형을 포함한다는 것을 유의해야 한다. As used in this specification, it should be noted that the singular forms "a", "an", and "the" include plural unless it is expressly and explicitly defined.
본 상세한 설명의 목적에 있어서, 다르게 지시되지 않는다면, 상세한 설명 및 청구항에 사용되는 성분의 양, 반응 조건 등을 표현하는 모든 수치는 모든 경우에 있어서 "약"이라는 용어로 변형됨을 이해해야 한다. 따라서, 다르게 지시되지 않으면, 상세한 설명 및 첨부된 청구항에 개시되는 수치 변수는 본 발명에 의해 수득되고자 하는 바람직한 물성에 따라 변할 수 있는 근사치이다. 최소한, 그리고 청구 범위에 균등론의 적용을 제한하고자 하는 시도가 아닌 것으로써, 각각의 수치 변수는 적어도 기록된 유효 숫자의 개수의 견지에서 그리고 일반적인 반올림 기법을 적용함으로써 해석되어야 한다.For the purposes of this specification, it is to be understood that all values expressing quantities of ingredients, reaction conditions, and the like used in the description and claims are to be modified in all instances to the term "about". Thus, unless indicated to the contrary, the numerical parameters set forth in the description and the appended claims are approximations that may vary depending upon the desired physical properties to be obtained by the present invention. At the very least, and not as an attempt to limit the application of the doctrine of equivalents to the claims, each numerical variable should be construed at least in terms of the number of significant digits recorded and by applying general rounding techniques.
본 발명의 넓은 범위를 개시하는 수치 범위 및 변수가 근사치임에도 불구하고, 구체적인 실시예에서 개시되는 수치는 가능한 정확하게 기록된다. 그러나, 임의의 수치는 그 각각의 시험 측정에서 발견되는 표준 편차로부터 필연적으로 발생하는 임의의 오차를 본질적으로 함유한다.Notwithstanding that the numerical ranges and parameters setting forth the broad scope of the invention are approximations, the numerical values set forth in the specific examples are reported as precisely as possible. However, any numerical value essentially contains any errors that inevitably arise from the standard deviation found in its respective test measurement.
제1 층은 당업계에 알려진 다양한 물질을 포함할 수 있다. 제1 층을 포함하는 적절한 물질의 비한정 예는 미국 특허 제 6477926B1호에 기술된 입자성 중합체 및 가교 중합체 결합제; 미국 특허 출원 제 10/317982호에 기술된 입자성 중합체 및 유기 중합체 결합제; 미국 특허 제 6062968호, 제 6117000호 및 제 6126532호에 기술된 열가소성 수지의 소결 입자; 및 미국 특허 제 6231434B1호, 제 6325703B2호, 제 6106754호 및 제 6017265호에 기술된 열가소성 중합체의 가압 소결 분말 압분체를 포함할 수 있지만 이로 한정되지는 않는다. 제1 층을 포함하는 적절한 물질의 추가의 비한정 예는 미국 특허 제 5900164호 및 제 5578362호에 개시된, 그 각각이 빈 공간을 가질 수 있는, 다수의 중합성 미량 원소로 함침된 중합성 매트릭스를 포함할 수 있다. The first layer can comprise various materials known in the art. Non-limiting examples of suitable materials including the first layer include the particulate polymer and crosslinked polymer binder described in US Pat. No. 6477926B1; Particulate polymer and organic polymer binders described in US Patent Application No. 10/317982; Sintered particles of thermoplastic resins described in US Pat. Nos. 6062968, 6117000, and 6126532; And pressure sintered powder compacts of the thermoplastic polymers described in US Pat. Nos. 6231434B1, 6325703B2, 6106754, and 6017265. Further non-limiting examples of suitable materials comprising the first layer include polymerizable matrices impregnated with a plurality of polymerizable trace elements, each of which may have an empty space, disclosed in US Pat. Nos. 5900164 and 5578362. It may include.
제1 층의 두께는 다양할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층은 0.020인치 이상, 또는 0.040인치 이상; 또는 0.150인치 이하, 또는 0.080인치 이하의 두께를 가질 수 있다. The thickness of the first layer can vary. In another non-limiting embodiment, the first layer is at least 0.020 inches, or at least 0.040 inches; Or 0.150 inches or less, or 0.080 inches or less.
다른 비한정 양태에서, 제1 층은 공극을 포함할 수 있어서 연마 슬러리가 적어도 부분적으로 제1 층에 의해 흡수될 수 있다. 공극의 개수는 다양할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층은 그 총 부피 기준으로 2 부피% 이상, 또는 50 부피% 이하, 또는 2 내지 50 부피%의 공극률을 가질 수 있다(% 공극 부피로 표현됨). In another non-limiting embodiment, the first layer can include voids such that the polishing slurry can be at least partially absorbed by the first layer. The number of voids can vary. In another non-limiting embodiment, the first layer can have a porosity of at least 2% by volume, or at most 50% by volume, or from 2 to 50% by volume, expressed in% pore volume.
연마 패드 층의 % 공극 부피는 당업계에 알려진 다양한 기법을 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 다음 식이 % 공극 부피를 계산하는데 사용될 수 있다: The percent pore volume of the polishing pad layer can be determined using various techniques known in the art. In a non-limiting embodiment, the following formula can be used to calculate the% pore volume:
100 X (패드 층의 밀도) X (패드 층의 공극 부피)100 X (density of pad layer) X (pore volume of pad layer)
밀도는 g/cm3 단위로 표현될 수 있고, 당업계에 알려진 다양한 기존의 방법에 의해 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 밀도는 ASTM D 1622-88에 따라 결정될 수 있다. 공극 부피는 cm3/g 단위로 표현될 수 있고, 당업계에 알려진 기존의 방법 및 장치를 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 공극 부피는 마이크로메리틱스(Micromeritics)의 오토포어(Autopore) III 수은 공극 분포 측정기를 사용하여, ASTM D 4284-88의 수은 다공도 측정법에 따라 측정될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 공극 부피 측정은 다음의 조건 하에 수행될 수 있다: 140°의 접촉각; 480dynes/cm의 수은 표면 장력; 및 50μmHg의 진공 하에서의 연마 패드 층 샘플의 탈기.The density can be expressed in units of g / cm 3 and can be determined by various conventional methods known in the art. In a non-limiting embodiment, the density can be determined according to ASTM D 1622-88. The pore volume can be expressed in cm 3 / g and can be determined using existing methods and apparatus known in the art. In a non-limiting embodiment, the pore volume can be measured according to the mercury porosimetry of ASTM D 4284-88, using Micromeritics' Autopore III mercury pore distribution meter. In another non-limiting embodiment, the pore volume measurement can be performed under the following conditions: a contact angle of 140 °; Mercury surface tension of 480 dynes / cm; And degassing the polishing pad layer sample under a vacuum of 50 μmHg.
비한정 양태에서, 제1 층은 적어도 부분적으로 개방형 구조를 가질 수 있어서 슬러리를 흡수할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층은 그 총 중량 기준으로 2 중량% 이상, 또는 50 중량% 이하, 또는 2 내지 50 중량%의 연마 슬러리를 흡수할 수 있다. In a non-limiting embodiment, the first layer can have an at least partially open structure to absorb the slurry. In another non-limiting embodiment, the first layer can absorb at least 2% by weight, or at most 50% by weight, or from 2 to 50% by weight of the polishing slurry, based on the total weight thereof.
본 발명의 다른 비한정 양태에서, 연마 패드의 제1 층은 제2 층보다 더 큰 압축률을 가질 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, "압축률"이라는 용어는 %부피 압축률을 나타낸다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층의 %부피 압축률은 20psi의 하중이 가해질 때, 0.3% 이상, 또는 3% 이하, 또는 0.3 내지 3%일 수 있다. In another non-limiting aspect of the invention, the first layer of the polishing pad can have a higher compressibility than the second layer. As used herein, the term "compression rate" refers to percent volume compression rate. In another non-limiting embodiment, the% volume compressibility of the first layer can be at least 0.3%, or at most 3%, or 0.3 to 3% when a load of 20 psi is applied.
패드 층의 %부피 압축률은 당업계에 알려진 다양한 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 패드 층의 %부피 압축률은 다음 식을 사용하여 결정될 수 있다. The percent volume compressibility of the pad layer can be determined using various methods known in the art. In a non-limiting embodiment, the percent volume compressibility of the pad layer can be determined using the following equation.
비한정 양태에서, 하중이 가해질 때 패드 층의 면적은 변하지 않는다; 따라서 부피 압축률에 대한 위의 식은 다음의 식에 의해 패드 층 두께에 대한 것으로 표현될 수 있다. In a non-limiting embodiment, the area of the pad layer does not change when a load is applied; Therefore, the above equation for the volume compressibility can be expressed as for the pad layer thickness by the following equation.
패드 층 두께는 다양한 공지의 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 패드 층 두께는 패드 샘플에 하중(예컨대, 보정된 추(이로 한정되지는 않는다))을 가하여 하중의 결과로써 패드 층의 두께의 변화를 측정함으로써 결정될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 미츠토요 엘렉트로닉 인디케이터(Mitutoyo Electronic Indicator), 모델 ID-C112EB가 사용될 수 있다. 인디케이터는 그 아래에 패드 층이 위치되는 평탄 접촉부에 부합될 수 있는 스핀들(spindle) 또는 나사 막대를 한쪽 말단에서 갖는다. 스핀들은 다른 쪽 말단에서 접촉 영역, 예컨대 보정된 추를 수용하는 밸런스 팬(balance pan)(이로 한정되지는 않는다)에 규정 하중을 가하는 장치에 부합될 수 있다. 인디케이터는 하중을 가한 결과 생성되는 패드 층의 변위를 나타낸다. 인디케이터 디스플레이는 전형적으로 인치 또는 mm 단위로 나타낸다. 엘렉트로닉 인디케이터는 스탠드, 예컨대 미츠토요 프리시젼 그래니트 스탠드(Mitutoyo Precision Granite Stand)에 올려져서 측정을 실시하는 동안 안정성을 제공할 수 있다. 패드 층의 측면 크기는 임의의 가장자리로부터 0.5인치 이상 측정하는데 충분한 것일 수 있다. 패드 층의 표면은 충분한 면적에 걸쳐 평탄하고 평행해서 시험 패드 층과 평탄 접촉부 사이에서 균일한 접촉이 가능하게 할 수 있다. 시험될 패드 층을 평탄 접촉부 아래에 놓을 수 있다. 패드 층의 두께는 하중을 가하기 전에 측정될 수 있다. 특정한 생성 하중에 대한 보정된 저울추를 밸런스 팬에 부가할 수 있다. 패드 층은 그 후 규정 하중 하에서 압축될 수 있다. 인디케이터는 규정 하중 하에서 패드 층의 두께/높이를 나타낼 수 있다. 하중을 가하기 전의 패드 층의 두께에서 규정 하중 하에서의 패드 층의 두께를 뺀 값이 패드 층의 변위를 결정하는데 사용될 수 있다. 비한정 양태에서, 20psi의 하중을 패드 층에 가할 수 있다. 측정은 표준 온도 예컨대 상온에서 실행될 수 있다. 비한정 양태에서, 측정은 22℃+/-2℃의 온도에서 실행될 수 있다.Pad layer thickness can be determined using various known methods. In a non-limiting embodiment, the pad layer thickness can be determined by applying a load (eg, but not limited to) to the pad sample and measuring the change in the thickness of the pad layer as a result of the load. In another non-limiting embodiment, Mitsutoyo Electronic Indicator, Model ID-C112EB can be used. The indicator has at one end a spindle or threaded rod that can conform to the flat contact at which the pad layer is located below it. The spindle may be adapted to a device for applying a specified load to a contacting area at the other end, such as but not limited to a balance pan that receives a calibrated weight. The indicator represents the displacement of the pad layer resulting from the loading. Indicator displays are typically shown in inches or mm. The electronic indicator can be mounted on a stand such as the Mitutoyo Precision Granite Stand to provide stability during the measurement. The side size of the pad layer may be sufficient to measure at least 0.5 inches from any edge. The surface of the pad layer may be flat and parallel over a sufficient area to enable uniform contact between the test pad layer and the flat contact. The pad layer to be tested can be placed under the flat contact. The thickness of the pad layer can be measured before applying the load. A calibrated balance weight can be added to the balance pan for the specific production load. The pad layer can then be compressed under specified load. The indicator may indicate the thickness / height of the pad layer under specified loads. The thickness of the pad layer before applying the load minus the thickness of the pad layer under the specified load can be used to determine the displacement of the pad layer. In a non-limiting embodiment, a load of 20 psi can be applied to the pad layer. The measurement can be carried out at standard temperatures such as room temperature. In a non-limiting embodiment, the measurement can be performed at a temperature of 22 ° C. + / − 2 ° C.
다른 비한정 양태에서, 패드 층 두께를 측정하는 상기 기술된 방법은 적층된 패드 조립체 또는 적층된 패드 조립체를 포함하는 층에 적용될 수 있다. In another non-limiting aspect, the above described method of measuring pad layer thickness can be applied to a layered pad assembly or a layer comprising a layered pad assembly.
비한정 양태에서, %부피 압축률을 측정하는 과정은 접촉부를 그래니트 기부 상에 위치시키는 단계 및 인디케이터를 0점 조절하는 단계를 포함할 수 있다. 접촉부는 그 후 상승될 수 있고 표본은 접촉부 아래의 그래니트 스탠드 상에 접촉부의 가장자리가 표본의 임의의 가장자리로부터 0.5인치 이상인 상태로 위치될 수 있다. 접촉부를 표본 상으로 내릴 수 있고 표본 두께 측정은 5+/-1초 후에 실행될 수 있다. 표본 또는 접촉부를 움직이지 않고, 충분한 중량을 팬에 부가하여 접촉부에 의해 20psi의 힘을 표본에 가할 수 있다. 하중 하의 측정에서의 표본 두께에 대한 눈금을 15+/-1초 후에 판독할 수 있다. 측정 과정은 반복되어, 20psi의 압축력을 사용하여 0.25인치 이상 떨어진 표본 상의 각기 다른 위치에서 5회 측정될 수 있다.In a non-limiting embodiment, measuring the percent volume compressibility can include positioning the contact on the granite base and zeroing the indicator. The contact may then be raised and the specimen may be placed on a granite stand below the contact with the edge of the contact at least 0.5 inches from any edge of the specimen. The contact can be lowered onto the sample and the sample thickness measurement can be performed after 5 +/- 1 seconds. Sufficient weight may be added to the pan without applying the specimen or contact, and a force of 20 psi may be applied to the specimen by the contact. The scale for the sample thickness in the measurement under load can be read after 15 +/- 1 seconds. The measurement process may be repeated and measured five times at different locations on the specimen at least 0.25 inches using a compressive force of 20 psi.
비한정 양태에서, 제1 층의 부드러움이 측정될 수 있다. 상세한 설명 및 청구항에서 사용된 바와 같이, "부드러움"이란 용어는 물질의 쇼어 A 경도(Shore A Hardness)를 의미한다. 일반적으로, 더 부드러운 물질일수록, 쇼어 A 경도값이 더 낮다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층은 85 이상; 또는 99 이하; 또는 85 내지 99의 쇼어 A 경도를 가질 수 있다. 쇼어 A 경도값은 당업계에 알려진 다양한 방법 및 장치를 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 쇼어 A 경도는 최대 지표를 갖는 쇼어 "A형" 경도계(캘리포니아주 로스엔젤레스 소재의 PCT 인스트루먼트(PCT Instrument)로부터 이용 가능한)를 사용하여, ASTM D2240에 인용된 과정에 따라 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 쇼어 A 경도의 시험 방법은 특정 조건 하에서 특정 유형의 인덴터(indentor)에 실질적으로 힘을 가해 시험 물질로 침투되는 것을 포함할 수 있다. 이 양태에서, 쇼어 A 경도는 침투 깊이에 반비례할 수 있고 시험 물질의 탄성 계수 및 점탄성 거동에 의존할 수 있다. In a non-limiting embodiment, the softness of the first layer can be measured. As used in the description and claims, the term "soft" refers to the Shore A Hardness of a material. In general, the softer the material, the lower the Shore A hardness value. In another non-limiting embodiment, the first layer can be at least 85; Or 99 or less; Or Shore A hardness of 85-99. Shore A hardness values can be determined using various methods and apparatus known in the art. In a non-limiting embodiment, Shore A hardness can be determined according to the procedure recited in ASTM D2240, using a Shore “Type A” durometer (available from PCT Instrument, Los Angeles, California) with maximum indicators. have. In a non-limiting embodiment, the method of testing Shore A hardness can include penetrating into the test material by applying a substantial force to a particular type of indentor under certain conditions. In this embodiment, Shore A hardness may be inversely proportional to the depth of penetration and may depend on the elastic modulus and viscoelastic behavior of the test material.
다른 비한정 양태에서, 제1 층은 작업면 또는 연마 표면에 그루브(groove) 또는 패턴을 포함할 수 있다. 그루브 및/또는 패턴의 유형은 변할 수 있고 당업계에 알려진 다양한 유형을 포함할 수 있다. 그루브 및 패턴을 제조하는 과정 또한 다양할 수 있고 당업계에 알려진 다양한 기존의 방법을 포함할 수 있다.In another non-limiting embodiment, the first layer can include grooves or patterns in the working or abrasive surface. The type of grooves and / or patterns may vary and may include various types known in the art. The process of making grooves and patterns can also vary and can include a variety of existing methods known in the art.
본 발명의 연마 패드는 또한 제2 층을 포함한다. 비한정 양태에서, 제2 층은 제1 층의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제1 층은 제2 층의 적어도 일부와 연결될 수 있고, 제2 층은 선택적인 제3 층의 적어도 일부와 연결될 수 있다. The polishing pad of the present invention also includes a second layer. In a non-limiting embodiment, the second layer can be connected with at least a portion of the first layer. In another non-limiting aspect, the first layer can be connected with at least a portion of the second layer and the second layer can be connected with at least a portion of the optional third layer.
제2 층은 당업계에 알려진 다양한 물질을 포함할 수 있다. 제2 층은 실질적으로 부피 비압축성인 중합체 및 금속 필름 및 포일(foil)로부터 선택될 수 있다. 상세한 설명 및 청구항에서 사용된 바와 같이, "실질적으로 부피 비압축성"이라는 용어는 20psi의 하중이 가해질 때 1% 미만의 부피가 감소할 수 있다는 것을 의미한다. 비한정 양태에서, 앞서 본원에 기술된 하중을 가하여 부피 감소를 측정하는 방법이 사용될 수 있다. The second layer can comprise various materials known in the art. The second layer can be selected from polymers and metal films and foils that are substantially volume incompressible. As used in the description and claims, the term "substantially volume incompressible" means that a volume of less than 1% may decrease when a load of 20 psi is applied. In a non-limiting embodiment, a method of measuring volume reduction by applying a load described herein can be used.
실질적으로 부피 비압축성인 중합체의 비한정 예는 폴리올레핀, 예컨대 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고 분자량 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌(이로 한정되지는 않는다); 폴리비닐클로라이드; 셀룰로오스계 중합체, 예컨대 셀룰로오스 아세테이트 및 셀룰로오스 부티레이트(이로 한정되지는 않는다); 아크릴; 폴리에스터 및 코-폴리에스터, 예컨대 PET 및 PETG(이로 한정되지는 않는다); 폴리카보네이트; 폴리아미드, 예컨대 나일론 6/6 및 나일론 6/12(이로 한정되지는 않는다); 및 고성능 플라스틱, 예컨대 폴리에테르에테르케톤, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리술폰, 폴리이미드 및 폴리에테르이미드(이로 한정되지는 않는다); 및 이의 혼합물을 포함할 수 있다. Non-limiting examples of substantially volume incompressible polymers include, but are not limited to, polyolefins such as low density polyethylene, high density polyethylene, ultra high molecular weight polyethylene, and polypropylene; Polyvinyl chloride; Cellulosic polymers such as, but not limited to, cellulose acetate and cellulose butyrate; acryl; Polyesters and co-polyesters such as but not limited to PET and PETG; Polycarbonate; Polyamides such as, but not limited to nylon 6/6 and nylon 6/12; And high performance plastics such as, but not limited to, polyetheretherketones, polyphenylene oxides, polysulfones, polyimides and polyetherimides; And mixtures thereof.
금속 필름의 비한정 예는 알루미늄, 구리, 황동, 니켈, 스테인레스강, 및 이의 조합을 포함할 수 있지만 이로 한정되지는 않는다. Non-limiting examples of metal films may include, but are not limited to, aluminum, copper, brass, nickel, stainless steel, and combinations thereof.
제2 층의 두께는 변할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제2 층은 0.0005인치 이상, 또는 0.0010인치 이상; 또는 0.0650 인치 이하, 또는 0.0030인치 이하의 두께를 가질 수 있다. The thickness of the second layer can vary. In another non-limiting embodiment, the second layer can be at least 0.0005 inches, or at least 0.0010 inches; Or 0.0650 inches or less, or 0.0030 inches or less.
비한정 양태에서, 제2 층은 가요성이어서 연마 패드와 연마될 기판 표면 사이의 접촉의 균질성을 강화 또는 증가시킬 수 있다. 제2 층용 물질은 연마 패드의 작업면에 유연한 지지를 제공하여 제1 층이 연마될 소자의 거시적 윤곽 또는 장기 표면에 실질적으로 일치할 수 있게 하는 물질의 능력을 고려하여 선택될 수 있다. 상기 능력을 갖는 물질이 본 발명의 제2 층으로써 사용하기에 바람직할 수 있다.In a non-limiting embodiment, the second layer can be flexible to enhance or increase the homogeneity of contact between the polishing pad and the substrate surface to be polished. The material for the second layer may be selected in consideration of the ability of the material to provide flexible support to the working surface of the polishing pad such that the first layer can substantially conform to the macroscopic contour or long-term surface of the device to be polished. Materials having this capability may be desirable for use as the second layer of the present invention.
제2 층의 가요성은 변할 수 있다. 가요성은 당업계에 알려진 다양한 기존의 기법을 사용하여 결정될 수 있다. 상세한 설명 및 청구항에 사용된 바와 같이 "가요성"(F)이라는 용어는 제2 층 두께의 세제곱(t3)과 제2 층 물질의 굴곡 탄성률(E)의 반비례 관계, 즉, F=1/t3E 를 나타낸다. 다른 비한정 양태에서, 제2 층의 가요성은 0.5인치-1lb-1 이상; 또는 100인치-1lb-1 이하; 또는 1인치-1lb-1 내지 100인치-1lb-1 가 될 수 있다.The flexibility of the second layer can vary. Flexibility can be determined using a variety of existing techniques known in the art. As used in the description and claims, the term “flexible” (F) is inversely related to the cubic thickness t 3 of the second layer thickness and the flexural modulus E of the second layer material, ie F = 1 / It represents a t 3 E. In another non-limiting embodiment, the flexibility of the second layer is at least 0.5 inches -1 lb -1 ; Or 100 inches −1 lb −1 or less; Or 1 inch -1 lb -1 to 100 inch -1 lb -1 .
비한정 양태에서, 제2 층은 연마 패드가 연마될 제품의 표면에 실질적으로 일치할 수 있게 하는 압축력을 가질 수 있다. 마이크로엘렉트로닉 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼의 표면은 제조 공정의 결과로써 "웨이브" 윤곽을 가질 수 있다. 만약 연마 패드가 기판 표면의 "웨이브" 윤곽에 충분히 일치할 수 없다면, 연마 작업의 균질성이 저하될 수 있을 것으로 예측된다. 예를 들어, 만약 패드가 실질적으로 "웨이브"의 말단에 일치하지만, "웨이브"의 중간 부분에 실질적으로 일치 및 접촉할 수 없다면, "웨이브"의 단지 말단만이 연마 또는 평탄화될 수 있고 중간 부분은 실질적으로 연마되지 않거나 평탄화되지 않은 채로 남아있을 수 있다.In a non-limiting embodiment, the second layer can have a compressive force that allows the polishing pad to substantially match the surface of the article to be polished. The surface of the microelectronic substrate, such as a semiconductor wafer, may have a "wave" contour as a result of the fabrication process. If the polishing pad cannot be sufficiently consistent with the "wave" contour of the substrate surface, it is expected that the homogeneity of the polishing operation may be degraded. For example, if the pad is substantially coincident with the end of the "wave", but cannot substantially coincide and contact the middle portion of the "wave", only the end of the "wave" may be polished or planarized and the middle portion May remain substantially unpolished or flattened.
제2 층의 압축률은 변할 수 있다. 앞서 기술된 바와 같이, "압축률"이라는 용어는 % 부피 압축률을 나타낸다. 다른 비한정 양태에서, 제2 층의 % 부피 압축률은 1% 이상; 또는 3% 이하, 또는 1% 내지 3%가 될 수 있다. %부피 압축률은 당업계에 알려진 다양한 기존의 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, % 부피 압축률은 본원에서 앞서 기술된 바와 같이 결정될 수 있다. The compressibility of the second layer can vary. As described above, the term "compression rate" refers to percent volume compression rate. In another non-limiting embodiment, the% volume compressibility of the second layer is at least 1%; Or 3% or less, or 1% to 3%. The% volume compressibility can be determined using various conventional methods known in the art. In a non-limiting embodiment, the percent volume compressibility can be determined as described herein above.
다른 비한정 양태에서, 제2 층은 제1 층이 받는 압축력을 선택적인 제3 층의 보다 큰 영역에 걸쳐 분산시킬 수 있다. 비한정 양태에서, 제2 층은 실질적으로 부피 비압축성일 수 있다. In another non-limiting embodiment, the second layer can disperse the compressive force received by the first layer over a larger area of the optional third layer. In a non-limiting embodiment, the second layer can be substantially volume incompressible.
다른 비한정 양태에서, 제2 층은 제1 층과 적어도 부분적으로 제2 층과 연결된 선택적인 제3 층 사이의 유체 이동의 실질적인 차단막으로써 작용할 수 있다. 따라서, 제2 층을 포함하는 물질은 제1 층으로부터 선택적인 제3 층까지로의 연마 슬러리의 운반을 실질적으로 감소, 최소화 또는 본질적으로 차단시키는 물질의 능력을 고려하여 선택될 수 있다. 비한정 양태에서, 제2 층은 실질적으로 연마 슬러리를 투과시키지 않아서 선택적인 제3 층이 연마 슬러리로 포화되지 않게 할 수 있다. In another non-limiting embodiment, the second layer can act as a substantial barrier to fluid movement between the first layer and an optional third layer at least partially connected with the second layer. Thus, the material comprising the second layer may be selected in view of the ability of the material to substantially reduce, minimize or essentially block the transport of the polishing slurry from the first layer to the optional third layer. In a non-limiting embodiment, the second layer may not substantially permeate the polishing slurry such that the optional third layer is not saturated with the polishing slurry.
다른 비한정 양태에서, 제2 층은 천공되어 연마 슬러리가 제1 층 및 제2 층으로 침투하여 선택적인 제3 층을 적시게 할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 선택적인 제3 층은 연마 슬러리로 실질적으로 포화될 수 있다. 제2 층의 천공은 숙련된 기술자에게 알려진 다양한 기법, 예컨대 펀칭(punching), 다이 절단(die-cutting), 레이저 절단 또는 물 분사 절단(이로 한정되지는 않는다)에 의해 형성될 수 있다. 천공의 구멍 크기, 개수 및 배열은 변할 수 있다. 비한정 양태에서, 엇갈림식 구멍 패턴에 있어서, 천공 구멍 지름은 1/16인치 이상, 구멍의 개수는 26개/인치2 이상일 수 있다.In another non-limiting embodiment, the second layer can be perforated to allow the polishing slurry to penetrate into the first layer and the second layer to wet the optional third layer. In another non-limiting embodiment, the optional third layer can be substantially saturated with the polishing slurry. The perforation of the second layer can be formed by various techniques known to those skilled in the art, such as but not limited to punching, die-cutting, laser cutting or water jet cutting. The hole size, number and arrangement of perforations can vary. In a non-limiting embodiment, in a staggered hole pattern, the perforation hole diameter can be 1/16 inch or more and the number of holes can be 26 / inch 2 or more.
비한정 양태에서, 제1 층은 제2 층의 적어도 일부와 연결되어 적층된 패드 조립체를 생산할 수 있다. 상세한 설명 및 청구항에서 사용된 바와 같이, "연결된"이라는 용어는 직접 또는 하나 이상의 개입 물질에 의해 간접적으로 함께 결합하거나 연관되어 위치하는 것을 의미한다. 비한정 양태에서, 제1 층의 개구부가 적어도 부분적으로 제2 층의 적어도 부분적으로 투명한 윈도에 일직선이 되도록 제1 층 및 제2 층은 적어도 부분적으로 연결될 수 있다. In a non-limiting embodiment, the first layer can be connected with at least a portion of the second layer to produce a stacked pad assembly. As used in the description and claims, the term "connected" means to be bonded or associated together, either directly or indirectly by one or more intervening materials. In a non-limiting aspect, the first layer and the second layer can be at least partially connected such that the opening of the first layer is at least partially aligned with the at least partially transparent window of the second layer.
비한정 양태에서, 연마 패드의 제1 층은 접착제를 사용하여 제2 층의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 본 발명에 사용하기에 적합한 접착제는 충분한 박리 저항성을 제공할 수 있어서 사용하는 동안 패드 층이 실질적으로 그 위치를 유지할 수 있게 된다. 또한, 접착제는 연마 또는 평탄화 공정 동안 존재하는 전단 응력을 충분히 견디기 위해 선택될 수 있고, 사용하는 동안 화학 및 수분 분해에 충분하게 저항할 수 있다. 접착제는 숙련된 기술자에게 알려진 기존의 기법을 사용하여 적용될 수 있다. 비한정 양태에서, 접착제는 서로 평행하게 마주보는 제1 층의 상부 표면 및/또는 제2 층의 하부 표면에 적용될 수 있다. In a non-limiting embodiment, the first layer of the polishing pad can be connected with at least a portion of the second layer using an adhesive. Adhesives suitable for use in the present invention can provide sufficient peel resistance such that the pad layer can remain substantially in position during use. In addition, the adhesive may be selected to sufficiently withstand the shear stresses present during the polishing or planarization process, and may be sufficiently resistant to chemical and moisture degradation during use. The adhesive can be applied using existing techniques known to the skilled artisan. In a non-limiting embodiment, the adhesive can be applied to the top surface of the first layer and / or the bottom surface of the second layer facing parallel to each other.
접착제는 당업계에 알려진 매우 다양한 접착 물질, 예컨대 접촉 접착제, 감압성 접착제, 구조용 접착제, 고온 용융 접착제, 열가소성 접착제, 및 경화성 접착제(이로 한정되지는 않는다), 예컨대 열경화성 접착제로부터 선택될 수 있다. 구조용 접착제의 비한정 예는 폴리우레탄 접착제, 및 에폭시 수지 접착제; 예컨대 비스페놀 A의 다이글리시딜 에테르 계열로부터 선택될 수 있다. 감압성 접착제의 비한정 예는 탄성 중합체 및 점착 수지를 포함할 수 있다. The adhesive can be selected from a wide variety of adhesive materials known in the art, such as, but not limited to, contact adhesives, pressure sensitive adhesives, structural adhesives, hot melt adhesives, thermoplastic adhesives, and curable adhesives, such as thermosetting adhesives. Non-limiting examples of structural adhesives include polyurethane adhesives, and epoxy resin adhesives; Such as the diglycidyl ether family of bisphenol A. Non-limiting examples of pressure sensitive adhesives may include elastomers and adhesive resins.
탄성 중합체는 천연 고무, 부틸 고무, 염화 고무, 폴리아이소부틸렌, 폴리(비닐 알킬 에테르), 알키드 접착제, 아크릴 예컨대 2-에틸헥실 아크릴레이트 및 아크릴산의 공중합체 계열, 블록 공중합체 예컨대 스티렌-부타다이엔-스티렌, 및 이의 혼합물로부터 선택될 수 있다. 비한정 양태에서, 감압성 접착제는 톨루엔 또는 헥산과 같은 유기 용매를 사용하거나, 또는 수계 유화제 또는 용융에 의해 기판에 적용될 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, "고온 용융 접착제"는 가열되어 용융되고, 그 후 액체로써 기판에 적용되는 비휘발성의 열가소성 물질을 포함하는 접착제를 나타낸다. 고온 용융 접착제의 비한정 예는 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 스티렌-부타다이엔 공중합체, 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 폴리에스터, 폴리아미드 예컨대 다이아민과 이량체 산의 반응으로 형성된 것, 및 폴리우레탄으로부터 선택될 수 있다. Elastomers are natural rubbers, butyl rubbers, chlorinated rubbers, polyisobutylenes, poly (vinyl alkyl ethers), alkyd adhesives, copolymers of acrylics such as 2-ethylhexyl acrylate and acrylic acid, block copolymers such as styrene-butadiene En-styrene, and mixtures thereof. In a non-limiting embodiment, the pressure sensitive adhesive can be applied to the substrate using an organic solvent such as toluene or hexane, or by an aqueous emulsifier or melting. As used herein, “hot melt adhesive” refers to an adhesive comprising a nonvolatile thermoplastic that is heated to melt and then applied to the substrate as a liquid. Non-limiting examples of hot melt adhesives are those formed by the reaction of ethylene-vinyl acetate copolymers, styrene-butadiene copolymers, ethylene-ethylacrylate copolymers, polyesters, polyamides such as diamines and dimer acids, and It may be selected from polyurethane.
본 발명의 비한정 양태에서, 제1 층은 개구부를 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제2 층의 적어도 일부는 평탄화 장치의 계량 기기가 사용하는 파장에 대해 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 포함할 수 있다. 제1 층의 개구부의 크기, 모양 및 배치 및/또는 제2 층의 윈도는 패드의 연마 및/또는 평탄화에 사용될 계량 기기 및 연마 장치에 의존할 수 있다. 개구부는 당업계에 알려진 다양한 기존의 방법에 의해 생산될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 개구부는 펀칭, 다이 절단, 레이저 절단 또는 물 분사 절단에 의해 제조될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 개구부는 제1 층을 주조함으로써 형성될 수 있다. 또 다른 비한정 양태에서, 개구부는 적절한 크기 및 모양의 다이에 부합된 NAEF 모델 B 다이 프레스(뉴욕주 스토니 브룩 소재의 MS 인스트루먼트 컴퍼니(MS Instrument Company)로부터 상업적으로 이용 가능함)를 사용하여 제1 층으로 다이 절단될 수 있다. In a non-limiting aspect of the invention, the first layer can include an opening. In another non-limiting aspect, at least a portion of the second layer may comprise a window that is at least partially transparent to the wavelength used by the metering device of the planarization device. The size, shape and arrangement of the openings of the first layer and / or the window of the second layer may depend on the metering device and the polishing device to be used for polishing and / or planarizing the pad. The opening can be produced by various conventional methods known in the art. In other non-limiting embodiments, the openings can be made by punching, die cutting, laser cutting or water spray cutting. In another non-limiting embodiment, the opening can be formed by casting the first layer. In another non-limiting embodiment, the opening is formed in a first layer using a NAEF Model B die press (commercially available from MS Instrument Company, Stony Brook, NY), fitted with a die of appropriate size and shape. Can be die cut.
비한정 양태에서, 제1 층의 개구부는 제1 층과 제2 층을 함께 적층하고/하거나 적어도 부분적으로 연결하기 전에 생산될 수 있다.In a non-limiting embodiment, the openings in the first layer can be produced before laminating and / or at least partially joining the first and second layers together.
제2 층의 적어도 일부는 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 포함할 수 있다. 비한정 양태에서, 제2 층은 적어도 부분적으로 투명한 물질을 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제2 층은 실질적으로 불투명한 물질을 포함할 수 있고; 개구부는 제2 층으로 절단되어 제2 층의 일부를 제거할 수 있고; 적어도 부분적으로 투명한 물질은 제2 층의 개구부로 삽입될 수 있다. 개구부는 본원에서 앞서 기술된 다양한 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 비한정 예로, 제2 층은 금속 포일을 포함할 수 있고; 개구부는 금속 포일로 절단되어 금속 포일의 일부를 제거할 수 있고; 폴리에스터의 일부분은 개구부에 실질적으로 일치하는 크기 및 모양으로 절단될 수 있고; 폴리에스터는 금속 포일에서 개구부에 부합되어 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 형성할 수 있다. At least a portion of the second layer may comprise a window that is at least partially transparent. In a non-limiting embodiment, the second layer can comprise at least partially transparent material. In another non-limiting embodiment, the second layer can comprise a substantially opaque material; The opening can be cut into a second layer to remove a portion of the second layer; The at least partially transparent material may be inserted into the opening of the second layer. Openings can be made using the various methods described herein above. By way of example, and not limitation, the second layer may comprise a metal foil; The opening can be cut into a metal foil to remove a portion of the metal foil; A portion of the polyester can be cut to a size and shape that substantially matches the opening; The polyester may conform to the opening in the metal foil to form a window that is at least partially transparent.
비한정 양태에서, 제2 층은 접착 조립체를 포함할 수 있다. 접착 조립체는 상부 접착층과 하부 접착층 사이에 제2 층을 삽입하는 것을 포함할 수 있다. 비한정 양태에서, 접착 조립체의 상부 접착층은 적어도 부분적으로 제1 층의 하부 표면과 연결될 수 있다. 접착 조립체의 하부 접착층은 적어도 부분적으로 선택적인 제3 층의 상부 표면과 연결될 수 있다. 접착 조립체의 제2 층은 전술한 연마 패드의 제2 층에 적합한 물질로부터 선택될 수 있다. 접착 조립체의 상부 및 하부 접착층은 본원에서 앞서 언급된 접착제의 비한정 예로부터 선택될 수 있다. 비한정 양태에서, 상부 및 하부 접착층 각각은 접촉 접착제일 수 있다. 접착 조립체는 당업계에서 양면 또는 이중 피복 테잎으로 지칭될 수 있다. 상업적으로 이용 가능한 접착 조립체의 비한정 예는 3M, 인더스트리얼 테잎 앤 스페셜티즈 디비젼(Industrial Tape and Specialties Division)의 제품을 포함한다. In a non-limiting embodiment, the second layer can comprise an adhesive assembly. The adhesive assembly may include inserting a second layer between the upper adhesive layer and the lower adhesive layer. In a non-limiting embodiment, the top adhesive layer of the adhesive assembly can be at least partially connected with the bottom surface of the first layer. The lower adhesive layer of the adhesive assembly may be at least partially connected with the upper surface of the optional third layer. The second layer of adhesive assembly may be selected from materials suitable for the second layer of the polishing pad described above. The upper and lower adhesive layers of the adhesive assembly may be selected from non-limiting examples of adhesives previously mentioned herein. In a non-limiting embodiment, each of the upper and lower adhesive layers can be a contact adhesive. The adhesive assembly may be referred to in the art as a double sided or double coated tape. Non-limiting examples of commercially available adhesive assemblies include 3M, Industrial Tape and Specialties Division.
다른 비한정 양태에서, 접착층의 적어도 일부가, 접착 조립체의 적어도 부분적으로 투명한 중간층의 적어도 일부를 노출시키며 접착 조립체의 제2 층으로부터 제거되어 이에 의해 제2 층에 적어도 부분적으로 투명한 윈도가 형성될 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 접착제의 제거는 층의 적층 전에 또는 층이 적층된 후에 수행될 수 있다. 제거 공정은 용매 또는 수성 세제 용액 중에 접착제를 용해시키는 단계, 또는 제2 층으로부터 접착제를 물리적으로 스트리핑하는 단계를 포함하지만 이로 한정되지는 않는, 숙련된 기술자에게 알려진 다양한 방법을 포함할 수 있다. 비한정 양태에서, 물리적으로 접착제를 스트리핑하는 것은 접착제를 이것이 실질적으로 부착될 물질과 접촉시키고, 그 후 제2 층으로부터 물질을 끌어당겨 이에 의해 접착제가 물질로부터 제거되는 것을 포함할 수 있다. In another non-limiting embodiment, at least a portion of the adhesive layer may be exposed from at least a portion of the at least partially transparent intermediate layer of the adhesive assembly and removed from the second layer of the adhesive assembly, thereby forming at least partially transparent windows in the second layer. have. In another non-limiting embodiment, the removal of the adhesive can be performed before or after the layers are laminated. The removal process can include a variety of methods known to those skilled in the art, including but not limited to dissolving the adhesive in a solvent or aqueous detergent solution, or physically stripping the adhesive from the second layer. In a non-limiting embodiment, physically stripping the adhesive may include contacting the adhesive with the material to which it is substantially attached, and then drawing the material out of the second layer thereby removing the adhesive from the material.
다른 비한정 양태에서, 제2 층의 윈도는 패드의 제1 층의 두께와 동일한 거리만큼 패드의 연마 표면 아래로 함요될 수 있다.In another non-limiting embodiment, the window of the second layer can be recessed below the polishing surface of the pad by a distance equal to the thickness of the first layer of the pad.
다른 비한정 양태에서, 패드 조립체는 제2 층의 윈도의 상부면 및/또는 바닥면의 적어도 일부 상의 코팅을 포함할 수 있다. 코팅은 적어도 부분적으로 그 자리에서 접착제를 이용하거나 또는 접착제의 제거 후에 적용될 수 있다. 코팅은 적어도 부분적으로 층의 적층 전 또는 적층 후에 적용될 수 있다. 코팅은 다음의 물성 중 임의의 하나를 제공할 수 있다: 예컨대 윈도 영역의 개선된 투명성, 개선된 마모 저항성, 개선된 파열 저항성. 비한정 양태에서, 코팅은 수지 필름, 또는 캐스트-인-플레이스(cast-in-place) 수지 코팅을 포함할 수 있다.In another non-limiting aspect, the pad assembly can include a coating on at least a portion of the top and / or bottom of the window of the second layer. The coating can be applied at least partially in place with the adhesive or after removal of the adhesive. The coating can be applied at least partially before or after lamination of the layers. The coating can provide any one of the following physical properties: for example, improved transparency of the window area, improved wear resistance, improved burst resistance. In a non-limiting embodiment, the coating can include a resin film, or a cast-in-place resin coating.
본 발명에 사용하기에 적절한 수지 필름의 비한정 예는 제2 층에 대해 상기 기술된 물질을 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 코팅을 위해 선택되는 수지 필름은 제2 패드 층을 포함하는 것과 동일하거나 상이한 물질일 수 있다. 수지 필름은 숙련된 기술자에게 알려진 임의의 수단, 예컨대 패드 적층 접착제에 대해 상기 기록된 접착 방법 및 물질에 의해 제2 층의 윈도 영역에 적어도 부분적으로 접착될 수 있다. 비한정 양태에서, 코팅은 제2 층을 위해 사용된 물질과 동일할 수 있는 수지 필름의 층일 수 있다. 코팅은 패드의 조립체가 적층된 후에 적어도 부분적으로 적용될 수 있다. 코팅은 제2 층의 윈도 영역의 상부 및 바닥부 표면 둘 모두에 적어도 부분적으로 적용될 수 있고, 접착제는 적층 접착제로서 사용되는 접촉 접착제를 사용하여 적어도 부분적으로 접착될 수 있다.Non-limiting examples of suitable resin films for use in the present invention may include the materials described above for the second layer. In another non-limiting embodiment, the resin film selected for coating can be the same or different material as that comprising the second pad layer. The resin film may be at least partially adhered to the window region of the second layer by any means known to the skilled person, such as the above described adhesion method and material for the pad lamination adhesive. In a non-limiting embodiment, the coating can be a layer of resin film that can be the same as the material used for the second layer. The coating may be applied at least partially after the assembly of pads has been laminated. The coating can be applied at least partially to both the top and bottom surfaces of the window region of the second layer, and the adhesive can be at least partially bonded using a contact adhesive used as a lamination adhesive.
비한정 양태에서, 코팅은 캐스트-인-플레이스 수지 코팅일 수 있고, 이는 액체로써, 용매 용액, 분산제, 또는 수성 라텍스로써; 용융물, 또는 반응하여 코팅을 형성할 수 있는 수지 전구체의 혼합물로써 적용될 수 있다. 액체의 적용은 스프레이, 패딩(padding) 및 주입을 포함하는, 다양한 공지의 방법에 의해 이루어질 수 있다. 코팅을 위한 적절한 물질의 비한정 예는 열가소성 아크릴 수지, 열경화성 아크릴 수지, 예컨대 우레아-포름알데하이드 또는 멜라민-포름알데하이드 수지로 가교 결합된 하이드록실-작용성 아크릴 라텍스, 에폭시 수지로 가교 결합된 하이드록실-작용성 아크릴 수지, 또는 카보다이이미드 또는 폴리이민 또는 에폭시 수지로 가교 결합된 카복시 작용성 아크릴 라텍스; 우레탄 시스템, 예컨대 폴리아이소시아네이트로 가교 결합된 하이드록시 작용성 아크릴 수지, 수분-경화된 아이소시아네이트-종결 수지; 멜라민-포름알데하이드 수지로 가교 결합된 카바메이트-작용성 아크릴 수지; 에폭시 수지, 예컨대 비스페놀 A 에폭시 수지로 가교 결합된 폴리아미드 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지로 가교 결합된 페놀 수지; 폴리에스터 수지, 예컨대 멜라민-포름알데하이드 수지 또는 폴리아이소시아네이트 또는 에폭시 가교 결합제로 가교 결합된 하이드록실-종결 폴리에스터를 포함한다. In a non-limiting embodiment, the coating can be a cast-in-place resin coating, which is a liquid, as a solvent solution, a dispersant, or an aqueous latex; It can be applied as a melt, or as a mixture of resin precursors that can react to form a coating. Application of the liquid can be accomplished by a variety of known methods, including spraying, padding and injection. Non-limiting examples of suitable materials for the coating include hydroxyl-functional acrylic latex crosslinked with thermoplastic acrylic resins, thermosetting acrylic resins such as urea-formaldehyde or melamine-formaldehyde resins, hydroxyl-crosslinked with epoxy resins. Carboxy functional acrylic latex crosslinked with a functional acrylic resin, or carbodiimide or polyimine or epoxy resin; Urethane systems such as hydroxy functional acrylic resins crosslinked with polyisocyanates, moisture-cured isocyanate-terminated resins; Carbamate-functional acrylic resins crosslinked with melamine-formaldehyde resins; Epoxy resins such as polyamide resins crosslinked with bisphenol A epoxy resins, phenol resins crosslinked with bisphenol A epoxy resins; Polyester resins such as melamine-formaldehyde resins or hydroxyl-terminated polyesters crosslinked with polyisocyanates or epoxy crosslinkers.
비한정 양태에서, 코팅은 수성 아크릴 라텍스일 수 있고, 이는 패드 조립체의 적층 후에 적용될 수 있다. 코팅은 제2 층의 윈도 영역의 상부 및 바닥부 표면에 적어도 부분적으로 적용될 수 있다. 코팅의 적용은 윈도 영역으로부터 접착제를 제거시킨 후 수행될 수 있다. In a non-limiting embodiment, the coating can be an aqueous acrylic latex, which can be applied after lamination of the pad assembly. The coating can be applied at least partially to the top and bottom surfaces of the window region of the second layer. Application of the coating can be performed after removing the adhesive from the window area.
본 발명의 윈도 패드는 당업계에 알려진 다양한 연마 장치와 함께 사용될 수 있다. 비한정 양태에서, 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 어플라이드 미테리얼즈 인코포레이티드(Applied Materials Inc.)에 의해 생산된 미라(Mirra) 연마기가 사용될 수 있고, 여기서 개구부의 모양은 직사각형이고, 0.5인치x2인치의 크기를 갖고, 장축이 방사형으로 배향하도록 위치되고, 패드의 중심으로부터 4인치에 집중되어 있다. 미라 연마기를 위한 가압판은 직경이 20인치이다. 이 연마기와 함께 사용하기 위한 패드는 기술된 영역에 위치된 윈도를 갖는 직경 20인치의 원을 포함할 수 있다. The window pad of the present invention can be used with various polishing devices known in the art. In a non-limiting embodiment, a Mirra grinder produced by Applied Materials Inc., Santa Clara, CA may be used, wherein the openings are rectangular in shape and 0.5 inch × 2. It has an inch size and is positioned so that its major axis is radially oriented and concentrated 4 inches from the center of the pad. The platen for the mummy grinder is 20 inches in diameter. The pad for use with this polisher may comprise a circle 20 inches in diameter with a window located in the region described.
다른 비한정 양태에서, 캘리포니아주 프레몬트 소재의 램 리서치 코포레이션(Lam Research Corporation)으로부터 상업적으로 이용 가능한 테레스(Teres) 연마기가 사용될 수 있다. 이 연마기는 원형 가압판 대신 연속 벨트를 사용한다. 이 연마기를 위한 패드는 너비가 12인치이고 원주가 93.25인치인 연속 벨트일 수 있고, 이는 적절한 크기를 갖고 테레스 연마기의 계량 윈도에 일직선이 되도록 위치된 윈도 영역을 갖는다. 이는 제2 층의 적어도 부분적으로 투명한 윈도에 적어도 부분적으로 일직선일 수 있다. In another non-limiting embodiment, Teres grinders commercially available from Lam Research Corporation, Fremont, CA may be used. This grinder uses a continuous belt instead of a circular platen. The pad for this grinder may be a continuous belt 12 inches wide and 93.25 inches in circumference, which has a window area of appropriate size and positioned to align with the metering window of the Teres grinder. It may be at least partially straight with the at least partially transparent window of the second layer.
본원에서 앞서 명시된 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 부가적인 선택적 층을 포함할 수 있다. 부가층은 제1 층의 개구부 및 제2 층의 적어도 부분적으로 투명한 윈도와 실질적으로 일직선일 수 있는 개구부를 함유할 수 있다. As specified herein above, the polishing pad of the present invention may include additional optional layers. The additional layer may contain an opening that may be substantially straight with the opening of the first layer and the at least partially transparent window of the second layer.
비한정 양태에서, 본 발명의 연마 패드는 제3 층을 포함할 수 있다. 제3 층은 연마 기구의 가압판에 부착될 수 있는 패드의 바닥층으로 작용할 수 있다. In a non-limiting embodiment, the polishing pad of the present invention can include a third layer. The third layer can serve as the bottom layer of the pad that can be attached to the pressure plate of the polishing apparatus.
비한정 양태에서, 제3 층은 제1 층보다 더 부드러운 물질을 포함할 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, "부드러움"이라는 용어는 물질의 쇼어 A 경도를 나타낸다. 물질이 더 부드러울수록, 쇼어 A 경도가 더 작게 된다. 따라서, 본 발명에서, 제3 층의 쇼어 A 경도값은 제1 층의 쇼어 A 경도값보다 더 작을 수 있다. 비한정 양태에서, 제3 층은 15 이상의 쇼어 A 경도를 가질 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 제3 층의 쇼어 A 경도는 45 이상, 또는 75 이하, 또는 45 내지 75일 수 있다. 쇼어 A 경도는 당업자에게 알려진 다양한 기존의 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, 쇼어 A 경도는 본원에서 앞서 기술된 바와 같이 결정될 수 있다.In a non-limiting embodiment, the third layer can comprise a softer material than the first layer. As used herein, the term "soft" refers to the Shore A hardness of a material. The softer the material, the smaller the Shore A hardness. Thus, in the present invention, the Shore A hardness value of the third layer may be smaller than the Shore A hardness value of the first layer. In a non-limiting embodiment, the third layer can have a Shore A hardness of at least 15. In another non-limiting embodiment, the Shore A hardness of the third layer can be at least 45, or at most 75, or at 45 to 75. Shore A hardness can be determined using various conventional methods known to those skilled in the art. In a non-limiting embodiment, Shore A hardness can be determined as previously described herein.
비한정 양태에서, 제3 층은 연마 패드와 연마를 받는 기판의 표면 사이의 접촉의 균질성을 증가시키는데 사용될 수 있다. In a non-limiting embodiment, the third layer can be used to increase the homogeneity of contact between the polishing pad and the surface of the substrate being polished.
본 발명의 비한정 양태에서, 연마 패드의 제3 층을 포함하는 물질은 제1 층을 포함하는 물질보다 더 큰 압축률을 가질 수 있다. 앞서 기술된 바와 같이, "압축률"이라는 용어는 % 부피 압축률을 의미한다. 따라서, 제3 층의 % 부피 압축률은 제1 층의 % 부피 압축률보다 더 크다. 다른 비한정 양태에서, 제3 층의 % 부피 압축률은 20psi의 하중이 가해질 때 20% 미만일 수 있다. 또 다른 비한정 양태에서, 제3 층의 % 부피 압축률은 20psi의 하중이 가해질 때 10% 미만, 또는 5% 미만이 될 수 있다. 앞서 명시된 바와 같이 % 부피 압축률은 당업계에 알려진 다양한 기존의 방법에 의해 결정될 수 있다. 비한정 양태에서, % 부피 압축률은 본원에서 앞서 기술된 바와 같이 결정될 수 있다. In a non-limiting aspect of the invention, the material comprising the third layer of the polishing pad can have a higher compressibility than the material comprising the first layer. As described above, the term "compression rate" means percent volume compression rate. Thus, the% volume compressibility of the third layer is greater than the% volume compressibility of the first layer. In another non-limiting embodiment, the percent volume compressibility of the third layer can be less than 20% when a load of 20 psi is applied. In another non-limiting embodiment, the percent volume compressibility of the third layer can be less than 10%, or less than 5% when a load of 20 psi is applied. As stated above, the% volume compressibility can be determined by various conventional methods known in the art. In a non-limiting embodiment, the percent volume compressibility can be determined as described herein above.
제 3층의 두께는 다양할 수 있다. 일반적으로, 제3 층 두께는 패드가 너무 두껍지 않은 정도이어야 한다. 너무 두꺼운 패드는 평탄화 장치에 위치시켜 제거하기가 어려울 수 있다. 따라서, 다른 비한정 양태에서, 제1 층의 두께는 0.040인치 이상, 또는 0.045인치 이상; 또는 0.100인치 이하, 또는 0.080인치 이하, 또는 0.065인치 이하일 수 있다.The thickness of the third layer can vary. In general, the third layer thickness should be such that the pad is not too thick. Too thick pads can be difficult to remove by placing them in the flattening device. Thus, in other non-limiting embodiments, the thickness of the first layer may be at least 0.040 inches, or at least 0.045 inches; Or 0.100 inches or less, or 0.080 inches or less, or 0.065 inches or less.
하층은 당업계에 알려진 광범위한 물질을 포함할 수 있다. 적절한 물질은 천연 고무, 합성 고무, 열가소성 탄성체, 발포 시이트 및 이의 조합을 포함할 수 있다. 하층의 물질은 발포 또는 취입되어 다공성 구조를 생산할 수 있다. 다공성 구조는 열린 기포, 닫힌 기포 또는 이의 조합이 될 수 있다. 합성 고무의 비한정 예는 네오프렌 고무, 실리콘 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-프로필렌 고무, 부틸 고무, 폴리부타다이엔 고무, 폴리아이소프렌 고무, EPDM 중합체, 스티렌-부타다이엔 공중합체, 에틸렌과 에틸 비닐 아세테이트의 공중합체, 네오프렌/비닐 나이트릴 고무, 네오프렌/EPDM/SBR 고무, 및 이의 조합을 포함할 수 있다. 열가소성 탄성체의 비한정 예는 폴리올레핀, 폴리에스터, 폴리아미드, 폴리우레탄 예컨대 폴리에테르 및 폴리에스터계의 것, 및 이의 공중합체를 포함할 수 있다. 발포 시이트의 비한정 예는 에틸렌 비닐 아세테이트 시이트 및 폴리에틸렌 발포 시이트, 예컨대 뉴저지주 하이아니스 소재의 센티넬 프로덕츠(Sentinel Products)로부터 상업적으로 이용 가능한 것(이로 한정되지는 않는다); 폴리우레탄 발포 시이트, 예컨대 미네소타주 미네아폴리스 소재의 일브룩 인코포레이티드(Illbruck, Inc.)로부터 상업적으로 이용 가능한 것(이로 한정되지는 않는다); 및 폴리우레탄 발포 시이트, 및 폴리올레핀 발포 시이트, 예컨대 코네티컷주 우드스톡 소재의 로저스 코포레이션(Rogers Corporation)으로부터 이용 가능한 것(이로 한정되지는 않는다)을 포함할 수 있다. The underlayer can include a wide range of materials known in the art. Suitable materials may include natural rubber, synthetic rubber, thermoplastic elastomers, foam sheets and combinations thereof. The underlying material may be foamed or blown to produce a porous structure. The porous structure can be an open bubble, a closed bubble, or a combination thereof. Non-limiting examples of synthetic rubbers include neoprene rubber, silicone rubber, chloroprene rubber, ethylene-propylene rubber, butyl rubber, polybutadiene rubber, polyisoprene rubber, EPDM polymer, styrene-butadiene copolymer, ethylene and ethyl vinyl acetate Copolymers of neoprene / vinyl nitrile rubber, neoprene / EPDM / SBR rubber, and combinations thereof. Non-limiting examples of thermoplastic elastomers may include polyolefins, polyesters, polyamides, polyurethanes such as those of polyether and polyester systems, and copolymers thereof. Non-limiting examples of foam sheets include, but are not limited to, commercially available from ethylene vinyl acetate sheets and polyethylene foam sheets such as Sentinel Products, Hyannis, NJ; Polyurethane foam sheets, such as, but not limited to, commercially available from Illbruck, Inc., Minneapolis, Minnesota; And polyurethane foam sheets, and polyolefin foam sheets, such as but not limited to those available from Rogers Corporation of Woodstock, Connecticut.
다른 비한정 양태에서, 하층은 부직 또는 직조 섬유 매트, 및 이의 조합; 예컨대 수지로 함침된 폴리올레핀, 폴리에스터, 폴리아미드 또는 아크릴 섬유(이로 한정되지는 않는다)를 포함할 수 있다. 섬유는 스테이플일 수 있거나 섬유 매트(mat)에서 실질적으로 연속적일 수 있다. 비한정 예는 미국 특허 제 4728552호에서 기술된 바와 같은 폴리우레탄으로 함침된 부직 패브릭, 예컨대 폴리우레탄으로 함침된 펠트(felt)를 포함할 수 있지만 이로 한정되지는 않는다. 상업적으로 이용 가능한 부직포 서브패드(subpad)의 비한정 예는 델라웨어주 뉴어크 소재의 로델 인코포레이티드(Rodel, Inc.)의 SubaTMIV일 수 있다.In another non-limiting embodiment, the lower layer can be a nonwoven or woven fiber mat, and combinations thereof; Such as, but not limited to, polyolefins, polyesters, polyamides or acrylic fibers impregnated with resins. The fibers may be staples or may be substantially continuous in a fiber mat. Non-limiting examples can include, but are not limited to, nonwoven fabrics impregnated with polyurethane, such as described in US Pat. No. 4728552, such as felt impregnated with polyurethane. A non-limiting example of a commercially available nonwoven subpad may be Suba ™ IV from Rodel, Inc. of Newark, Delaware.
본 발명에서, 선택적인 제3 층은 개구부를 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 개구부는 당업계에 알려진 임의의 적절한 방법, 예컨대 제1 층의 개구부와 관련하여 앞서 명시된 것에 의해 생산될 수 있다. 또한, 앞서 명시된 바와 같이, 개구부의 크기, 모양 및 배치는 사용되는 계량 기기 및 연마 기구에 의존할 수 있다. In the present invention, the optional third layer may comprise an opening. In other non-limiting embodiments, the openings can be produced by any suitable method known in the art, such as those specified above in connection with the openings in the first layer. In addition, as noted above, the size, shape and placement of the openings may depend on the metering and grinding instruments used.
비한정 양태에서, 제3 층은 적어도 부분적으로 제2 층과 연결될 수 있고 평탄화 기계의 베이스에 접촉될 수 있다. 제3 층은 적어도 부분적으로 제1 층의 개구부 및 제2 층의 적어도 부분적으로 투명한 윈도 영역과 일직선인 개구부를 함유할 수 있다. In a non-limiting aspect, the third layer can be at least partially connected with the second layer and in contact with the base of the flattening machine. The third layer may contain an opening that is at least partially in line with the opening of the first layer and the at least partially transparent window region of the second layer.
다른 비한정 양태에서, 연마 패드의 제1 층은 제2 층의 적어도 일부와 연결될 수 있고, 제2 층은 접착제를 사용하여 제3 층의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 적절한 접착제는 본원에서 앞서 인용된 것을 포함할 수 있다. In another non-limiting embodiment, the first layer of the polishing pad can be connected with at least a portion of the second layer, and the second layer can be connected with at least a portion of the third layer using an adhesive. Suitable adhesives may include those previously cited herein.
다른 비한정 양태에서, 본 발명의 연마 패드는 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함할 수 있다. 제1 층 및 제3 층 각각은 개구부를 포함한다. 제1 층 및 제3 층의 개구부는 적어도 부분적으로 서로 일직선일 수 있다. 제2 층의 적어도 일부는 적어도 부분적으로 투명한 윈도를 포함할 수 있다. 윈도는 양쪽 면 모두의 적어도 일부가 접촉 접착제로 코팅될 수 있고, 층들은 함께 압축되어 적층된 패드 조립체를 형성할 수 있다. 그 후 접착제는 이것이 실질적으로 부착되는 물질을 사용하여 제2 층의 윈도 영역의 상부 및 바닥 표면으로부터 물리적으로 스트리핑될 수 있다. 접착제가 실질적으로 부착되는 물질의 비한정 예는 펜실베니아주 피츠버그 소재의 PPG 인더스트리즈, 인코포레이티드(PPG Industries, Inc.)로부터 상업적으로 이용 가능한 합성 시이트 물질인, TeslinR(등록 상표)SP-1000 이다.In another non-limiting embodiment, the polishing pad of the present invention can include a first layer, a second layer, and a third layer. Each of the first layer and the third layer includes an opening. The openings of the first layer and the third layer may be at least partially straight with each other. At least a portion of the second layer may comprise a window that is at least partially transparent. The window may be coated with at least a portion of both sides with a contact adhesive, and the layers may be compressed together to form a stacked pad assembly. The adhesive can then be physically stripped from the top and bottom surfaces of the window region of the second layer using the material to which it is substantially attached. Non-limiting examples of materials to which the adhesive is substantially attached are Teslin R (SP) SP-, a synthetic sheet material commercially available from PPG Industries, Inc., Pittsburgh, Pennsylvania. 1000.
본 발명의 연마 패드는 연마 슬러리, 예컨대 당업계에 알려진 연마 슬러리와 조합되어 사용될 수 있다. 본 발명의 패드와 함께 사용하는데 적절한 슬러리의 비한정 예는 둘 모두 2001년 6월 14일에 출원되어 계류중인 미국 특허 출원 제 09/882548호 및 제 09/882549호에 개시된 슬러리를 포함하지만 이로 한정되지는 않는다. 비한정 양태에서, 연마 슬러리는 패드의 제1 층과 연마될 기판 사이에 삽입될 수 있다. 연마 또는 평탄화 공정은 연마될 기판에 대한 연마 패드의 움직임을 포함할 수 있다. 다양한 연마 슬러리 또는 슬러리가 당업계에서 알려져 있다. 본 발명에 사용하기에 적합한 슬러리의 비한정 예는 연마성 입자를 포함하는 슬러리를 포함한다. 슬러리에 사용될 수 있는 연마제는 입자성 세륨 옥사이드, 입자성 알루미나, 입자성 실리카 등을 포함한다. 반도체 기판의 연마에 사용하기 위한 상용 슬러리의 예는 델라웨어주 뉴어크 소재의 로델 인코포레이티드로부터 이용 가능한 ILD 1200 및 ILD 1300, 및 일리노이주 오로라 소재의 카봇 마이크로엘렉트로닉스 머티리얼즈 디비전(Cabot Microelectronics Materials Division)으로부터 이용 가능한 세미-스퍼스(Semi-Sperse) AM100 및 세미-스퍼스 12를 포함하지만 이로 한정되지는 않는다.The polishing pad of the present invention can be used in combination with polishing slurry, such as polishing slurry known in the art. Non-limiting examples of slurries suitable for use with the pads of the present invention include, but are not limited to, the slurries disclosed in pending US patent applications 09/882548 and 09/882549, filed June 14, 2001. It doesn't work. In a non-limiting embodiment, the polishing slurry can be inserted between the first layer of pad and the substrate to be polished. The polishing or planarization process can include the movement of the polishing pad relative to the substrate to be polished. Various polishing slurries or slurries are known in the art. Non-limiting examples of slurries suitable for use in the present invention include slurries that include abrasive particles. Abrasives that can be used in the slurry include particulate cerium oxide, particulate alumina, particulate silica and the like. Examples of commercial slurries for use in polishing semiconductor substrates include ILD 1200 and ILD 1300 available from Rodel Corporation of Newark, Delaware, and the Cabot Microelectronics Division, Aurora, Illinois. Semi-Sperse AM100 and Semi-Spurs 12 available from Materials Division.
비한정 양태에서, 본 발명의 연마 패드는 비평탄 표면을 갖는 제품을 평탄화하는 장치와 함께 활용될 수 있다. 평탄화 장치는 제품을 고정하는 유지 수단; 및 패드와 유지 수단을 서로에 대해 이동시켜, 패드와 유지 수단의 이러한 움직임이 이 패드의 평탄화 표면과 슬러리를 접촉시켜 제품의 비평탄 표면을 평탄화시키는, 패드 및 유지 수단을 움직이기 위한 동력 수단을 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 평탄화 장치는 패드의 연마 또는 평탄화 표면을 갱신하는 수단을 포함할 수 있다. 적절한 갱신 수단의 비한정 예는 패드의 작업면을 마멸시키는 연마 원판이 장착된 기계 팔을 포함한다. In a non-limiting embodiment, the polishing pad of the present invention can be utilized with an apparatus to planarize a product having a non-flat surface. The flattening device comprises: holding means for fixing the product; And a power means for moving the pad and the retaining means such that the pad and the retaining means move relative to each other such that this movement of the pad and the retaining means contacts the flattening surface of the pad with the slurry to smooth the non-flat surface of the product. It may include. In another non-limiting aspect, the planarization apparatus can include means for updating the polishing or planarization surface of the pad. Non-limiting examples of suitable updating means include a mechanical arm equipped with an abrasive disc that wears the working surface of the pad.
다른 비한정 양태에서, 평탄화 장치는 연마 또는 평탄화될 제품의 동일 반응계 계량을 수행하기 위한 장치를 포함할 수 있다. 상업적인 연마 또는 평탄화 장치는 어플라이드 미테리얼즈(Applied Materials), 램 리서치(LAM Research), 스피드팜-IPEC(SpeedFam-IPEC) 및 에바라 코포레이션(Ebara Corp.)과 같은 장치 제작사로부터 이용 가능하다. In another non-limiting embodiment, the planarization device can include an apparatus for performing in-situ metering of the product to be polished or planarized. Commercial polishing or planarizing devices are available from device manufacturers such as Applied Materials, LAM Research, SpeedFam-IPEC and Evara Corp.
비한정 양태에서, 본 발명의 패드는 원통형 금속 베이스에 놓여질 수 있고; 접착제의 층을 이용하여 베이스의 적어도 일부에 연결될 수 있다. 적절한 접착제는 매우 다양한 공지의 접착제를 포함할 수 있다. 다른 비한정 양태에서, 패드는 연마될 제품의 동일 반응계 계량을 수행하는 수단을 포함하는 연마 또는 평탄화 장치의 원통형 금속 베이스 또는 가압판에 놓여질 수 있다. 패드는 그 윈도가 가압판의 계량 윈도에 일직선이도록 위치될 수 있다.In a non-limiting embodiment, the pad of the present invention can be placed on a cylindrical metal base; The layer of adhesive may be used to connect to at least a portion of the base. Suitable adhesives can include a wide variety of known adhesives. In another non-limiting embodiment, the pad can be placed on a cylindrical metal base or platen of a polishing or planarization device that includes means for performing in-situ metering of the product to be polished. The pad may be positioned so that its window is in line with the metering window of the pressure plate.
실시예 1Example 1
윈도를 가진 연마 패드를 다음과 같이 제조하였다:Polishing pads with windows were prepared as follows:
1. 제1 층을 아래에 기술된 처리법 A에 따라 제조하였다. 1. The first layer was prepared according to Treatment A described below.
2. 곧은 자 및 스캘펠(scalpel) 형의 실용 칼을 사용하여 제1 층에서 1/2인치x2인치의 직사각형 구멍을 절단하였다. 2. A 1⁄2 inch by 2 inch rectangular hole was cut in the first layer using a straight knife and a utility knife of the scalpel type.
3. 3M 인더스트리얼 테잎 앤 스페셜티즈 디비전으로부터 상업적으로 수득되는 하이 퍼포먼스 더블 코티드 테잎 9500PC(High Performance Double Coated Tape 9500PC)를 사용하여 제2 층을 형성하였다. 테잎의 접착층을 제1 층의 바닥면에 부착시켜 테잎이 실질적으로 제1 층의 직사각형 개구부에 걸쳐졌다. 3. A second layer was formed using High Performance Double Coated Tape 9500PC, commercially available from 3M Industrial Tapes and Specialization Division. The adhesive layer of tape was attached to the bottom surface of the first layer so that the tape was substantially over the rectangular opening of the first layer.
4. 로저스 코포레이션으로부터 상업적으로 수득되는 상표명 PORON 4751-50을 갖는, 0.060인치 두께의 폴리우레탄 발포체를 사용하여 제3 층을 형성하였다. 곧은 자 및 스캘펠 형의 실용 칼을 사용하여 제3 층에 1/2인치x2인치의 직사각형 구멍을 절단하였다. 4. A third layer was formed using a 0.060 inch thick polyurethane foam having the trade name PORON 4751-50 obtained commercially from Rogers Corporation. A 1/2 inch by 2 inch rectangular hole was cut in the third layer using a straight knife and a utility knife of the Scalpel type.
5. 제2 층으로부터 박리지를 제거시키고 제3 층을 노출된 접착 필름에 적용시킴으로써 제3 층을 제2 층에 접착시켰다. 제1 층 및 제3 층의 직사각형 개구부가 실질적으로 일직선이 되도록 제3 층을 배치시켰다.5. The third layer was adhered to the second layer by removing the release paper from the second layer and applying the third layer to the exposed adhesive film. The third layer was placed such that the rectangular openings of the first and third layers were substantially straight.
6. 그 후 3층 적층 조립체를 함께 압축시켜 캘린더 롤 세트를 통해 통과시켰다. 6. The three layer laminate assembly was then compressed together and passed through a set of calender rolls.
7. 제2 층의 상부 및 하부면 상의 접착제의 일부를 제거시켜 윈도를 형성하였다. 접착제를 PPG 인더스트리즈, 인코포레이티드로부터 상업적으로 이용 가능한 테슬린(Teslin) SP-1000의 1/2인치x2인치 직사각형 조각과 접촉시키고, 손으로 이 조각을 눌러서 접착제와 테슬린 SP-1000이 잘 붙게 한 후, 테슬린 SP-1000을 벗겨내 접착제를 제거시켰다. 접착제가 테슬린 SP-1000에 선택적으로 부착되어 접착제가 없는 윈도의 실질적으로 깨끗한 필름을 남겼다.7. A portion of the adhesive on the top and bottom surfaces of the second layer was removed to form a window. The adhesive is brought into contact with a 1/2 inch by 2 inch rectangular piece of Teslin SP-1000, commercially available from PPG Industries, Inc., and pressed by hand to apply the adhesive and Teslin SP-1000. After adhering well, Teslin SP-1000 was peeled off to remove the adhesive. The adhesive was optionally attached to Teslin SP-1000, leaving a substantially clean film of the window without the adhesive.
생성된 패드 적층체는 1/2인치x2인치 크기를 갖는 직사각형 윈도를 가졌다.The resulting pad stack had a rectangular window having a size of 1/2 inch by 2 inch.
패드 제1 층 제조법 A: Pad first layer recipe A :
제1 단계First step
표 A에 열거된 성분을 사용하여 입자성의 가교 결합된 풀리우레탄을 제조하였다. Particulate crosslinked pulleyurethanes were prepared using the components listed in Table A.
투입제 1을 개방 용기에 첨가하여 용기의 내용물이 35℃의 온도에 도달할 때까지 가열판 상에서 교반하며 가온시켰다. 성분이 실질적으로 균일한 용액을 형성할 때까지 이 온도에서 교반을 계속하였다. 그 후 용기를 가열판으로부터 회수하였다. 투입제 2를 물 중탕을 사용하여 55℃까지 가온시키고 그 후 투입제 1에 첨가시켰다. 이를 전동 임펠러로 균일해질 때까지 3분간 혼합하였다. 그 후 탈이온화수를 격렬하게 교반하면서, 동시에, 용기의 내용물을 40℃에서 탈이온화수 10kg에 빠르게 쏟아 부었다. 용기의 내용물의 첨가를 완료한 후, 추가 60분간 격렬한 혼합을 계속하였다. 젖은 입자성의 가교 결합된 폴리우레탄을 두 개의 체의 적층을 사용하여 분류시켰다. 상부의 체는 50메쉬(mesh)(300μ의 체 개구부)의 메쉬 크기를 가졌고 바닥부의 체는 140메쉬(105μ의 체 개구부)의 메쉬 크기를 가졌다. 140메쉬로부터의 분리된 입자성의 가교 결합된 폴리우레탄을 80℃에서 하룻밤 동안 오븐에서 건조시켰다. Charge 1 was added to the open vessel and warmed with stirring on a heating plate until the contents of the vessel reached a temperature of 35 ° C. Stirring was continued at this temperature until the components formed a substantially uniform solution. The vessel was then recovered from the hot plate. Charge 2 was warmed to 55 ° C. using a water bath and then added to Charge 1. This was mixed for 3 minutes until homogeneous with an electric impeller. Thereafter, while deionized water was vigorously stirred, the contents of the vessel were rapidly poured into 10 kg of deionized water at 40 ° C. After the addition of the contents of the vessel was completed, vigorous mixing was continued for an additional 60 minutes. Wet particulate crosslinked polyurethane was classified using a stack of two sieves. The upper sieve had a mesh size of 50 mesh (300 micron sieve opening) and the bottom sieve had a mesh size of 140 mesh (105 micro sieve opening). The separated particulate crosslinked polyurethane from 140 mesh was dried in an oven at 80 ° C. overnight.
제2 단계2nd step
아래의 표 B에 요약된 성분을 사용하여 입자성의 가교 결합된 폴리우레탄 및 가교 결합된 폴리우레탄 결합제를 포함하는 연마층을 제조하였다. Abrasive layers comprising particulate crosslinked polyurethane and crosslinked polyurethane binder were prepared using the components summarized in Table B below.
투입제 2를 전동 스테인레스강 임펠러를 사용하여 실질적으로 균일해질 때까지 혼합시켰다. 투입제 2의 실질적으로 균일한 혼합물을 그 후 적절한 용기에서 투입제 1과 조합시켰고 전동 믹서를 이용하여 함께 혼합시켰다. 그 후 투입제 1 및 2의 조합물의 1040g 부분을 26인치x 26인치의 평탄한 주형에 주입시켰다. 주형을 주위 온도에서 한 쌍의 롤러를 통해 공급하여 0.100인치 두께의 시이트를 형성했다. 시이트를 25℃의 온도 및 80% 상대 습도에서, 18시간 동안 경화시키고; 그 후 130℃의 온도에서 1시간 동안 경화시켰다. 22.5인치의 직경을 갖는 원형 패드를 시이트로부터 잘라내고 그 후 패드의 상부 및 하부 표면을 밀링 머신을 사용하여 평행하게 만들었다.Charge 2 was mixed using a motorized stainless steel impeller until substantially uniform. A substantially uniform mixture of dosing agent 2 was then combined with dosing agent 1 in a suitable vessel and mixed together using an electric mixer. A 1040 g portion of the combination of dosing agents 1 and 2 was then injected into a 26 inch by 26 inch flat mold. The mold was fed through a pair of rollers at ambient temperature to form a 0.100 inch thick sheet. The sheet was cured at a temperature of 25 ° C. and 80% relative humidity for 18 hours; It was then cured for 1 hour at a temperature of 130 ° C. Circular pads having a diameter of 22.5 inches were cut out of the sheet and then the upper and lower surfaces of the pads were paralleled using a milling machine.
생성된 패드는 실시예 1에서 제1 층으로 사용되었다.The resulting pad was used as the first layer in Example 1.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140065932A1 (en) * | 2011-04-21 | 2014-03-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Laminated polishing pad |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
| US6676483B1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-01-13 | Rodel Holdings, Inc. | Anti-scattering layer for polishing pad windows |
| US20040209066A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
| US6984163B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
| US20060019417A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Atsushi Shigeta | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US20060089095A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
| US20060089094A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
| US20060089093A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
| TW200800489A (en) | 2006-04-19 | 2008-01-01 | Toyo Tire & Amp Rubber Co Ltd | Method for manufacturing polishing pad |
| JP4943233B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-05-30 | 東洋ゴム工業株式会社 | Polishing pad manufacturing method |
| US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
| TWI411495B (en) * | 2007-08-16 | 2013-10-11 | Cabot Microelectronics Corp | Polishing pad |
| EP2227350A4 (en) * | 2007-11-30 | 2011-01-12 | Innopad Inc | Chemical-mechanical planarization pad having end point detection window |
| JP5233621B2 (en) * | 2008-12-02 | 2013-07-10 | 旭硝子株式会社 | Glass substrate for magnetic disk and method for producing the same. |
| US20130012108A1 (en) * | 2009-12-22 | 2013-01-10 | Naichao Li | Polishing pad and method of making the same |
| US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
| US9156124B2 (en) * | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
| US8758659B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-06-24 | Fns Tech Co., Ltd. | Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad |
| JP5858576B2 (en) * | 2011-04-21 | 2016-02-10 | 東洋ゴム工業株式会社 | Hot melt adhesive sheet for laminated polishing pad and support layer with adhesive layer for laminated polishing pad |
| JP2014094424A (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Laminated polishing pad |
| CN111069994B (en) * | 2019-12-11 | 2021-11-16 | 江苏月生达机械制造有限公司 | Accurate processing equipment for bridge reinforcing steel plate |
| JP7105334B2 (en) * | 2020-03-17 | 2022-07-22 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device using the same |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3572232A (en) * | 1968-04-01 | 1971-03-23 | Itek Corp | Photographic film processing material |
| US5257478A (en) * | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
| US6120860A (en) * | 1990-08-23 | 2000-09-19 | American National Can Company | Multilayer film structure and packages therefrom for organics |
| US5212910A (en) * | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
| US6017265A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Rodel, Inc. | Methods for using polishing pads |
| US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6183872B1 (en) * | 1995-08-11 | 2001-02-06 | Daikin Industries, Ltd. | Silicon-containing organic fluoropolymers and use of the same |
| JPH10156705A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Polishing device and polishing method |
| US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
| TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
| JPH11277408A (en) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Cloth, method and device for polishing mirror finished surface of semi-conductor wafer |
| US6068539A (en) * | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
| US6585574B1 (en) * | 1998-06-02 | 2003-07-01 | Brian Lombardo | Polishing pad with reduced moisture absorption |
| US6159073A (en) * | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
| US6231428B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
| US6213845B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
| US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
| US6439968B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing pad having a water-repellant film theron and a method of manufacture therefor |
| DE60030752T2 (en) * | 1999-09-21 | 2007-09-06 | Honeywell HomMed LLC, Brookfield | HOME PATIENT MONITORING SYSTEM |
| US6402591B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Planarization system for chemical-mechanical polishing |
| US6561891B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-05-13 | Rodel Holdings, Inc. | Eliminating air pockets under a polished pad |
| US6685537B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-02-03 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool |
| US6477926B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
| US20030094593A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-22 | Hellring Stuart D. | Silica and a silica-based slurry |
| JP4131632B2 (en) * | 2001-06-15 | 2008-08-13 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and polishing pad |
| US6722249B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-04-20 | Rodel Holdings, Inc | Method of fabricating a polishing pad having an optical window |
| US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
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Cited By (1)
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