KR20050047879A - Liquid crystal display and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 액정표시장치 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 복수 색상영역의 컬러필터를 형성하는 단계와; 제2기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상에 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터에 있어서 복수 색상영역의 각 경계부에 대응하여 상기 층간절연막에 오목부를 형성하는 단계와; 상기 층간절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 액정표시장치의 표시특성을 향상시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a color filter of a plurality of color regions on a first substrate; Forming a thin film transistor on the second substrate; Forming an interlayer insulating film on the thin film transistor; Forming a recess in the interlayer insulating film corresponding to each boundary of a plurality of color regions in the color filter; Forming a pixel electrode on the interlayer insulating film; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate. Thereby, the display characteristic of a liquid crystal display device can be improved.

Description

액정표시장치 및 제조방법{Liquid crystal display and manufacturing Method thereof}Liquid crystal display and manufacturing method

본 발명은, 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 컬러필터의 오버랩으로 형성된 단차부에 대응하는 박막트랜지스터 기판의 층간절연막에 오목부를 형성하여 액정배향의 틀어짐 현상을 개선한 것으로 고개구율과 화면의 잔상 및 회위(disclination) 등의 현상을 방지하는 액정표시장치 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, by forming a recess in an interlayer insulating film of a thin film transistor substrate corresponding to a stepped portion formed by overlapping a color filter, thereby improving liquid crystal alignment distortion. The present invention relates to a liquid crystal display and a manufacturing method for preventing a phenomenon such as high aperture ratio, afterimage and disclination of a screen.

액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 2개의 얇은 유리기판 사이에 액체와 고체의 중간 상인 액정을 주입해 전원 공급 시 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 액정의 전기적-광학적 성질을 표시장치에 응용한 것이다. Liquid crystal display is an application of the electro-optical properties of the liquid crystal to the display device by changing the arrangement of the liquid crystal molecules at the time of power supply by injecting a liquid crystal, which is an intermediate phase of a liquid and a solid between two thin glass substrates.

도 1a 와 도 1b는 각각 종래의 박막트랜지스터의 단면도와 종래의 박막트랜지스터 상에 콘택홀 형성을 나타내는 도면이다.1A and 1B are cross-sectional views of a conventional thin film transistor and a view showing contact hole formation on a conventional thin film transistor.

도 1a에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)(560)는 제2기판(510T) 상에 전류가 들어가는 소스(Source)(590s)와 전류가 나가는 드레인(Drain)(590d)과 전류 흐름의 차폐를 담당하는 게이트(Gate)(570)로 이루어져 있다. 게이트(570) 전극 상에는 게이트 절연막(575)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1A, a thin film transistor 560 includes a source 590s through which current enters on the second substrate 510T, a drain 590d through which current flows out, and a current flow. Gate 570 is responsible for the shielding of the. A gate insulating film 575 is formed on the gate 570 electrode.

게이트(570) 전극에 전압이 인가되면 반도체인 채널부(580)에서 전류가 흐를 수 있도록 채널이 형성되고, 데이터(Data)가 그 채널을 통과하여 드레인 전극(590d)에 전달한다. When a voltage is applied to the gate 570 electrode, a channel is formed to allow a current to flow in the channel portion 580, which is a semiconductor, and data passes through the channel to the drain electrode 590d.

도 1b에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(560)를 보호하기 위해 층간절연막(600)이 박막트랜지스터(560) 상에 형성된다. 여기서 층간절연막(560)으로부터 층간절연막(560) 하부에 있는 드레인(590d) 전극까지 구멍을 뚫어 콘택홀(630)을 형성한다. As shown in FIG. 1B, an interlayer insulating film 600 is formed on the thin film transistor 560 to protect the thin film transistor 560. The contact hole 630 is formed by drilling a hole from the interlayer insulating film 560 to the drain 590d electrode under the interlayer insulating film 560.

콘택홀(630)은 층간절연막(560) 상에 형성되는 투명전도막(610)과 박막트랜지스터(560)를 연결하는 역할을 한다. 콘택홀(630)을 형성한 후 제1기판(510T) 전체에 투명전도성 물질을 형성하고, 포토마스크 기법을 사용하여 투명전도막(610)의 패턴을 형성한다. 여기서, 투명전도막(610)은 드레인(590d) 전극에 전달된 전압으로 추후에 형성될 액정셀(690)을 구동하여 빛의 투과를 온-오프(on-off) 시켜 화상을 구현하게 된다. The contact hole 630 connects the transparent conductive film 610 and the thin film transistor 560 formed on the interlayer insulating film 560. After forming the contact hole 630, a transparent conductive material is formed on the entire first substrate 510T, and a pattern of the transparent conductive film 610 is formed using a photomask technique. Here, the transparent conductive film 610 drives the liquid crystal cell 690 to be formed later by the voltage delivered to the drain 590d electrode to turn on and off the transmission of light to implement an image.

도 2는 종래의 컬러필터 기판의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a conventional color filter substrate.

제1기판(510C)에는 RGB 색상의 컬러수지(520R,520G,520B)를 도포하고, 노광하여 컬러필터(530) 패턴을 형성한다. 일반적으로 컬러수지(520R,520G,520B)의 색상영역을 구획하는 블랙매트리스를 제1기판(510C)에 형성한 후, 컬러수지(520R,520G,520B)를 제1기판(510C) 상에 도포하고, 노광하여 컬러필터(530)를 형성하였다. 그리고 컬러필터(530) 상에 평탄화막(overcoat)을 형성하여 제1기판(510C)을 평탄하게 하고 평탄화막 상에 대향전극(550)을 형성하였다.Color resins 520R, 520G, and 520B of RGB colors are coated on the first substrate 510C and exposed to form a color filter 530 pattern. In general, a black mattress is formed on the first substrate 510C to partition the color gamut of the color resins 520R, 520G, and 520B, and then the color resins 520R, 520G, and 520B are coated on the first substrate 510C. Then, it was exposed to form a color filter 530. An overcoat is formed on the color filter 530 to make the first substrate 510C flat and the counter electrode 550 is formed on the planarization film.

그러나, 블랙매트릭스를 사용하게 되면 개구율이 떨어지는 단점이 있고, 블랙매트릭스의 패턴을 형성하는 공정이 더 필요하게 된다. 평탄화막을 생략할 경우 컬러필터(530)의 향상된 RGB 프로파일(profile)과 대향전극(550)의 면저항(sheet resistance)을 감소시킬 수 있다. 또한 블랙매트릭스와, 평탄화막을 사용하지 않고 컬러필터(530)를 형성하게 되면 재료비를 절감시킬 수 장점이 있다.However, when the black matrix is used, there is a disadvantage that the opening ratio is lowered, and a process of forming a pattern of the black matrix is further required. If the planarization layer is omitted, an improved RGB profile of the color filter 530 and sheet resistance of the counter electrode 550 may be reduced. In addition, when the color filter 530 is formed without using the black matrix and the planarization layer, the material cost may be reduced.

그래서 최근에는 컬러수지(520R,520G,520B)를 오버랩하는 방식으로 고개구율 컬러필터(530)를 형성하고자 하는 요구가 증가하고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 제1기판(510) 상에 RBG의 색상수지(520R,520G,520B)를 도포하고, 노광하여 컬러필터(530)를 형성한다. 이 때 RGB 색상수지(520R,520G,520B)의 색상 구획과 오정열(misalign)을 방지하기 위해 RBG 색상수지(520R,520G,520B)의 경계부를 오버랩하여 형성하게 된다. 이 과정에서 오버랩되는 색상영역의 경계부는 단차가 발생하게 된다. Therefore, in recent years, there is an increasing demand for forming the high-aperture color filter 530 by overlapping the color resins 520R, 520G, and 520B. As shown in FIG. 2, color resins 520R, 520G, and 520B of RBG are coated on the first substrate 510 and exposed to form a color filter 530. At this time, in order to prevent misalignment and color division of the RGB color resins 520R, 520G and 520B, the boundary portions of the RBG color resins 520R, 520G and 520B are overlapped. In this process, the boundary of the overlapping color gamut causes a step.

도 3은 종래의 제1기판과 제2기판을 합착하여 액정층 형성을 나타내는 도면이다. 제1기판(510C)과 제2기판(510T)을 합착하여 두 기판(510C,510T) 사이에 액정층(700)을 형성한다. 액정층(700)의 액정은 박막트랜지스터(560)에 형성되어 있는 투명전도막(610)에 의해 전계를 받아 구동하게 된다. 3 is a view illustrating a liquid crystal layer formed by bonding a first substrate and a second substrate to a conventional substrate. The liquid crystal layer 700 is formed between the two substrates 510C and 510T by bonding the first substrate 510C and the second substrate 510T together. The liquid crystal of the liquid crystal layer 700 is driven by receiving an electric field by the transparent conductive film 610 formed in the thin film transistor 560.

여기서 액정은 유전성과 같은 액체의 성질과 장거리 질서(long range order)와 같은 결정체(고체)의 성질을 동시에 지니는, 액체와 고체의 중간 상태에 있는 물질을 말한다. 액정의 분자는 막대모양의 독특한 구조를 하고 있어 굴절율, 유전율, 전도성, 점성율 등의 물성값이 분자 장축에 평행한 방향과 수직한 방향에 따라 서로 다르게 나타나는 이방성의 성질을 갖게 되며, 이는 표시소자의 특성을 나타내기 위해서는 매우 중요한 물성이 된다.Herein, liquid crystal refers to a material in the intermediate state between a liquid and a solid, which has both liquid properties such as dielectric properties and crystals (solids) such as long range order. Liquid crystal molecules have a unique rod-shaped structure, and thus have anisotropic properties in which physical properties such as refractive index, dielectric constant, conductivity, and viscosity are different from each other in a direction parallel to and perpendicular to the major axis of the molecule. In order to exhibit the properties, it becomes a very important physical property.

액정의 광학적 이방성은 액정분자의 장축방향으로 진동하는 빛의 굴절율이 서로 다른 굴절율 이방성에 의하여 복굴절성을 나타내는 것을 말한다. 액정의 굴절율 이방성은 액정을 통과하는 빛의 편광 상태나 편광의 진동방향을 변화시키는 역할을 한다.Optical anisotropy of liquid crystal means that the refractive index of light oscillating in the major axis direction of liquid crystal molecules exhibits birefringence due to different refractive index anisotropy. The refractive anisotropy of the liquid crystal serves to change the polarization state of the light passing through the liquid crystal or the vibration direction of the polarization.

액정의 유전율 이방성은 액정분자의 장축방향과 장축에 수직인 방향의 유전율(Dielectric Constant)이 다른 성질을 말한다. 이로 인해 액정층(700)에 가해지는 전압의 세기에 따라 액정의 반응이 달라지게 되며, 결국 광학적 이방성에 의해 투과되는 빛의 양이 조절된다. 장축방향의 유전율이 단축보다 센 액정을 P형 액정, 장축방향의 유전율이 단축방향보다 약한 액정을 N형 액정이라 하며, 일반적으로는 P형 액정을 사용한다.The dielectric anisotropy of the liquid crystal refers to a property in which the dielectric constant in the direction perpendicular to the long axis of the liquid crystal molecule is different. As a result, the response of the liquid crystal is changed according to the intensity of the voltage applied to the liquid crystal layer 700, and thus the amount of light transmitted by the optical anisotropy is controlled. Liquid crystals whose dielectric constant in the major axis direction is shorter than the short axis are called P-type liquid crystals, and liquid crystals whose dielectric constant in the major axis direction is weaker than the minor axis direction are referred to as N-type liquid crystals.

액정의 탄성계수는 액정이 외부의 힘에 의해 균일한 분자 배열이 변화되는 상태를 계량화한 값으로, 전압에 의하여 반응을 한 후 제자리로 돌아오는 힘의 세기를 나타낸다. The elastic modulus of the liquid crystal is a value obtained by quantifying a state in which the uniform molecular arrangement of the liquid crystal is changed by an external force, and represents the strength of the force that returns to its original position after reacting with a voltage.

액정의 이러한 특성 때문에 상호 전극(550,610)의 거리에 영향을 받게 된다. 상호 전극(550,610)의 간격에 의해서 액정의 배열이 변화하기 때문에 화면의 잔상 및 회위가 발생하여 디스플레이 특성을 저하시키는 원인이 된다. Due to this property of the liquid crystal, the distance between the mutual electrodes 550 and 610 is affected. Since the arrangement of the liquid crystals is changed by the distance between the mutual electrodes 550 and 610, afterimages and shifts of the screen occur, which causes a decrease in display characteristics.

그리고 도 3에 도시된 바와 같이 제1기판(510C)에 컬러수지(520R,520G,520B)가 오버랩 되어 형성되어 있고, 제1기판(510C) 상에 컬러수지(520R,520G,520B)의 오버랩에 의해 생긴 단차부(540)로 인해 제1기판(510C)과 제2기판(510T)의 전극 간격이 일정하지 않게 된다. 이로 인해 액정배열의 틀어짐 현상이 발생하게 된다. 이에 따라 화면 상에 잔상이나 회위 등의 문제점등이 발생하였다.3, color resins 520R, 520G, and 520B overlap each other on the first substrate 510C, and overlapping color resins 520R, 520G, and 520B overlap the first substrate 510C. Due to the stepped portion 540, the electrode gap between the first substrate 510C and the second substrate 510T is not constant. As a result, distortion of the liquid crystal array occurs. As a result, problems such as afterimage and rotation occurred on the screen.

이와 같이 종래의 컬러수지(520R,520G,520B)를 오버랩하여 컬러필터(530)를 형성함으로 제1기판(510C)과 제2기판(510T) 사이에 형성되는 액정층(700)의 간격이 일정하게 형성되지 않아 액정배열의 틀어짐 현상이 발생하게 되고, 액정표시장치의 표시특성 저하를 야기하는 문제점이 있다. As such, the color filter 530 is formed by overlapping the conventional color resins 520R, 520G, and 520B so that the interval between the liquid crystal layer 700 formed between the first substrate 510C and the second substrate 510T is constant. In this case, the liquid crystal array may be distorted, and thus the display characteristics of the liquid crystal display may be degraded.

따라서, 본 발명의 목적은, 제1기판(510C) 상에 오버랩 되어 형성된 컬러필터(530)와 제2기판(510T) 상에 형성된 박막트랜지스터(560)를 합착하여 액정층(700)을 형성하는데 있어서 액정배열의 틀어짐 현상을 개선하여 표시특성이 향상된 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to form a liquid crystal layer 700 by bonding the color filter 530 formed on the first substrate 510C and the thin film transistor 560 formed on the second substrate 510T. The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which have improved display characteristics by improving distortion of the liquid crystal array.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 액정표시장치 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 복수 색상영역의 컬러필터를 형성하는 단계와; 제2기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상에 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터에 있어서 복수 색상영역의 각 경계부에 대응하여 상기 층간절연막에 오목부를 형성하는 단계와; 상기 층간절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 것에 의해 달성된다. According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device manufacturing method comprising the steps of: forming a color filter of a plurality of color regions on a first substrate; Forming a thin film transistor on the second substrate; Forming an interlayer insulating film on the thin film transistor; Forming a recess in the interlayer insulating film corresponding to each boundary of a plurality of color regions in the color filter; Forming a pixel electrode on the interlayer insulating film; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.

여기서, 상기 오목부를 형성하는 단계 후 상기 층간절연막를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하며, 열처리를 통해 층간절연막의 형성 각을 낮출 수 있어 화소전극 증착시 들뜸현상을 방지할 수 있고, 화소의 경계부에서 화소전극과 화소전극의 간격(separation)을 증가시켜 인접 불량을 줄일 수 있다. The method may further include heat treating the interlayer insulating layer after forming the concave portion, and the formation angle of the interlayer insulating layer may be lowered through heat treatment to prevent lifting of the pixel electrode. Adjacent defects can be reduced by increasing the separation between the pixel electrode and the pixel electrode at the boundary portion.

또한, 상기 층간절연막에 상기 오목부를 형성하는 단계에 있어서, 상기 화소전극과 박막트랜지스터를 연결하는 콘택홀을 더 형성하는 것이 바람직하다. In the forming of the recess in the interlayer insulating layer, it is preferable to further form a contact hole connecting the pixel electrode and the thin film transistor.

여기서, 상기 오목부와 상기 콘택홀이 형성된 층간절연막 상에 추가의 층간절연막을 더 형성하는 단계와; 상기 콘택홀에 다중의 단차가 형성되도록 상기 추가의 층간절연막에 비아홀을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.Forming an additional interlayer insulating film on the interlayer insulating film on which the concave portion and the contact hole are formed; And forming a via hole in the additional interlayer insulating film so that a plurality of steps are formed in the contact hole.

한편으로, 액정표시장치에 있어서, 컬러필터가 형성된 제1기판과; 박막트랜지스터가 형성된 제2기판과; 상기 제2기판 상에 형성된 층간절연막과; 상기 층간절연막 상에 형성된 오목부와; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 형성된 액정층을 특징으로 하는 것에 의해 달성된다.On the other hand, a liquid crystal display device comprising: a first substrate on which a color filter is formed; A second substrate on which a thin film transistor is formed; An interlayer insulating film formed on the second substrate; A recess formed on the interlayer insulating film; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate.

이하에서는, 일예로 액정표시장치에 사용되는 박막트랜지스터 상에 형성된 층간절연막에 오목부를 형성시켜 표시특성 향상을 위한 액정표시장치에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a liquid crystal display for improving display characteristics by forming a recess in an interlayer insulating film formed on a thin film transistor used in the liquid crystal display as an example will be described.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서 설명한다. Prior to the description, in various embodiments, components having the same configuration will be described in the representative embodiments using the same reference numerals.

이하에서는, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 6은 본 발명에 따른 액정 패널을 나타낸 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing a liquid crystal panel according to the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이 컬러필터(30)는 제1기판(10C) 상에 컬러수지(20R,20G,20B)등의 재료를 사용하여 도포한다. 여기서 컬러수지(20R,20G,20B)는 세가지 기본색(R,G,B)의 염료나 안료를 포함하는 수지이다. 컬러필터(30)는 추후에 형성될 액정층(200)을 통과한 빛이 색깔을 갖도록 하는 역할을 한다.As shown in FIG. 6, the color filter 30 is applied onto the first substrate 10C by using materials such as color resins 20R, 20G, and 20B. Here, the color resins 20R, 20G, and 20B are resins containing dyes or pigments of three primary colors (R, G, and B). The color filter 30 serves to make the light passing through the liquid crystal layer 200 to be formed later have a color.

여기서 컬러필터(30) 패턴을 형성할 때 컬러수지(20R,20G,20B)의 색상의 구획과 오정열을 막기 위해서 도 6에 도시된 바와 같이 각 컬러수지(20R,20G,20B)의 경계부에는 컬러수지(20R,20G,20B)를 오버랩하여 형성한다. 이렇게 오버랩하여 형성한 컬러수지(20R,20G,20B)로 인해 색상영역의 경계부에는 단차가 형성된다. Here, in order to prevent the division of color of the color resins 20R, 20G, and 20B and misalignment when forming the color filter 30 pattern, a color is formed at the boundary of each color resin 20R, 20G, and 20B, as shown in FIG. The resins 20R, 20G, and 20B overlap each other. The step is formed at the boundary of the color gamut due to the overlapping color resins 20R, 20G, and 20B.

여기서 컬러필터(30) 상에 투명한 전기전도체 전극물질로 액정셀(190)에 전압을 형성해 주는 대향전극(50)을 형성할 수 있다.Here, the counter electrode 50 may be formed on the color filter 30 to form a voltage in the liquid crystal cell 190 with a transparent electrically conductive electrode material.

도6 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터(60)는 게이트(70) 전극과 데이터(90) 전극은 서로 직교하여 제2기판(10T) 상에 형성되고 게이트(70)의 신호와 데이터의 신호는 채널부(80)를 통해 추후에 형성될 화소전극(110)에서 반응하게 된다. 그리고 게이트 전극(70) 상에는 게이트 절연막(75)을 형성한다.As shown in FIG. 6, the thin film transistor 60 is formed on the second substrate 10T so that the gate 70 electrode and the data 90 electrode are orthogonal to each other, and the signal of the gate 70 and the signal of the data are channels. The unit 80 reacts with the pixel electrode 110 to be formed later. The gate insulating layer 75 is formed on the gate electrode 70.

도 6에 도시된 바와 같이 형성된 박막트랜지스터(60) 상에 박막트랜지스터(60)를 보호하는 층간절연막(100)을 형성한다. 층간절연막(100)은 SiNx, 유기막 등의 물질로 형성할 수 있다. An interlayer insulating film 100 that protects the thin film transistor 60 is formed on the thin film transistor 60 formed as shown in FIG. 6. The interlayer insulating film 100 may be formed of a material such as SiNx or an organic film.

여기서, 층간절연막(100)의 두께는 액정표시장치의 개구율, 신호잡음(cross talk), 투과율 등에 영향을 미치기 때문에 층간절연막(100)의 종류와 층간절연막(100) 두께는 원하는 특성 상황에 따라 선택하는 것이 바람직하다.Since the thickness of the interlayer insulating film 100 affects the aperture ratio, cross talk, and transmittance of the liquid crystal display device, the type of the interlayer insulating film 100 and the thickness of the interlayer insulating film 100 are selected according to desired characteristics. It is desirable to.

층간절연막(100) 상에는 화소전극(110)을 형성한다. 화소전극(110)은 투명하고 전기 전도성을 갖는 물질로 형성하며 박막트랜지스터(60)를 통하여 인가된 신호전압을 액정셀(190)에 가해주는 역할을 한다. The pixel electrode 110 is formed on the interlayer insulating film 100. The pixel electrode 110 is formed of a transparent and electrically conductive material and serves to apply a signal voltage applied through the thin film transistor 60 to the liquid crystal cell 190.

여기서 제1기판(10C)과 제2기판(10T) 사이에 액정층(200)이 형성된다. 액정층(200)은 박막트랜지스터(60)에 형성되어 있는 화소전극(110)에 의해 전계를 받아 구동을 하게 된다.The liquid crystal layer 200 is formed between the first substrate 10C and the second substrate 10T. The liquid crystal layer 200 is driven by receiving an electric field by the pixel electrode 110 formed in the thin film transistor 60.

여기서 제1기판(10C)과 제2기판(10T)을 합착하고, 제1기판(10T) 상에 컬러필터(30) 경계부에 컬러수지(20R,20G,20B)가 오버랩 되어 형성되어 있기 때문에 오버랩된 경계부에 단차부(40)가 형성된다. Here, the first substrate 10C and the second substrate 10T are bonded to each other, and the color resins 20R, 20G, and 20B overlap each other at the boundary of the color filter 30 on the first substrate 10T. A stepped portion 40 is formed at the boundary.

액정층(200)의 액정은 전계에 의해서 액정셀(190)을 구동하게 된다. 구동된 액정은 대향전극(50)과 화소전극(110)의 간격에 영향을 받게 된다. 전극 간격이 일정하게 형성되지 않는 경우에는 액정 배열의 비틀어짐 현상이 발생하여 표시특성 저하의 요인이 된다. The liquid crystal of the liquid crystal layer 200 drives the liquid crystal cell 190 by an electric field. The driven liquid crystal is affected by the distance between the counter electrode 50 and the pixel electrode 110. When the electrode gap is not formed uniformly, the liquid crystal array is distorted, which causes deterioration of display characteristics.

그래서, 제1기판(10C)과 제2기판(10T) 사이에 형성된 액정층(200)의 간격을 일정하게 형성하기 위해 층간절연막(100)에 오목부(120)를 형성한다. 제2기판(10T) 상에 오목부(120)는 제1기판(10C)의 단차부(40)에 대응하는 위치에 형성되어 액정셀(190)의 틀어짐 현상을 방지할 수 있도록 한다. Thus, the recess 120 is formed in the interlayer insulating film 100 to form a constant gap between the liquid crystal layer 200 formed between the first substrate 10C and the second substrate 10T. The recess 120 on the second substrate 10T is formed at a position corresponding to the step 40 of the first substrate 10C to prevent the liquid crystal cell 190 from being twisted.

그리고 층간절연막(100) 상에 화소전극(110)을 형성한다. 여기서, 화소전극(110)과 데이터 신호를 받는 드레인 전극(90d)을 연결하기 위해서 콘택홀(130)을 더 형성한다.The pixel electrode 110 is formed on the interlayer insulating film 100. The contact hole 130 is further formed to connect the pixel electrode 110 and the drain electrode 90d receiving the data signal.

그리고, 제1기판(10C)과 제2기판(10T) 사이에 형성된 액정층(200)의 액정은 액체와 같은 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정과 같이 규칙적으로 배열된 상태의 것으로, 이 분자배열이 외부 전계에 의해 변화하는 성질을 이용하여 디스플레이 할 수 있도록 하는 역할을 한다.The liquid crystal of the liquid crystal layer 200 formed between the first substrate 10C and the second substrate 10T is in a state in which liquid crystals, which are organic molecules having fluidity such as liquid, are regularly arranged like crystals. It serves to display the array using the property that is changed by the external electric field.

여기서 액정의 간격은 제1기판(10C)의 화소전극(110)과 제2기판(10T)의 대향전극(50) 간격에 의해서 영향을 받기 때문에 양 전극(50,110)의 간격을 일정하게 형성하는 것이 바람직하다. Since the distance between the liquid crystals is affected by the distance between the pixel electrode 110 of the first substrate 10C and the counter electrode 50 of the second substrate 10T, it is necessary to form a constant gap between the electrodes 50 and 110. desirable.

도 4a 내지 도4d는 제1기판 상에 컬러필터가 형성되는 과정을 나타내는 도면이다.4A to 4D illustrate a process of forming a color filter on a first substrate.

컬러필터(30)는 추후에 형성될 액정층(200)을 통과한 빛이 색깔을 갖도록 하는 역할을 한다. 도4a 내지 4d에 도시된 바와 같이 제1기판을 준비하고, 컬러수지(20R,20G,20B) 중에 레드색상의 수지(20R)를 도포하고 노광하여 레드의 컬러수지(20R)의 패턴을 형성한다. 그리고 그린(G)컬러수지(20G)를 도포하고 노광하여 그린의 컬러수지(20G)의 패턴을 형성하게 된다. 블루(20B)도 같은 방법으로 형성하게 된다. The color filter 30 serves to make the light passing through the liquid crystal layer 200 to be formed later have a color. As shown in Figs. 4A to 4D, the first substrate is prepared, and a red resin 20R is coated and exposed in the color resins 20R, 20G, and 20B to form a pattern of the red color resin 20R. . Then, the green (G) color resin 20G is applied and exposed to form a pattern of the green color resin 20G. Blue 20B is formed in the same manner.

컬러필터(30)의 컬러수지(20R,20G,20B)는 색깔이 있는 안료나 염료등을 사용한다. 그리고 컬러수지(20R,20G,20B)는 빛을 받은 영역이 경화되는 음성(negative)반응 PR(photoresist)을 사용한다. 각 색상의 컬러수지(20R,20G,20B)는 색상의 경계부에서 색상의 구획 및 컬러수지(20R,20G,20B)의 오정렬에 의한 불량을 방지하기 위해 오버랩하여 형성한다. The color resins 20R, 20G, and 20B of the color filter 30 use colored pigments or dyes. In addition, the color resins 20R, 20G, and 20B use a negative reaction photoresist (PR) in which a lighted area is cured. The color resins 20R, 20G, and 20B of each color are formed by overlapping each other to prevent defects due to color division and misalignment of the color resins 20R, 20G, and 20B at the boundary of the color.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 제2기판상에 박막트랜지스터가 형성하는 과정을 나타내는 도면이다.5A to 5F illustrate a process of forming a thin film transistor on a second substrate according to the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이 제2기판(10T) 상에 게이트 전극(70)과 데이터 전극(90)과 채널부(80)를 형성한다. 게이트 전극(70)은 크롬과 알루미늄 합금 등을 사용하여 증착 후 식각하여 형성하고, 게이트 전극(70) 상에 PECVD로 게이트 절연막(75)을 제2기판(10T) 전체에 형성한다. 게이트 절연막(75) 상에 채널부(80)를 형성한다. 채널부(80)는 비정질 실리콘(a-Si)이나 폴리 실리콘(poly-Si) 등의 반도체 물질 등으로 PECVD 방법으로 형성할 수 있다. 데이터 전극(90)은 채널부(80) 상에 데이터 전극(90)물질을 증착하고, 식각하여 패턴을 형성한다. 데이터 전극(90) 물질로는 크롬, 몰리브덴, 알루미늄합금 등이 사용 될 수 있다.As shown in FIG. 5A, the gate electrode 70, the data electrode 90, and the channel unit 80 are formed on the second substrate 10T. The gate electrode 70 is formed by etching and etching using chromium, an aluminum alloy, or the like, and forms the gate insulating layer 75 on the entire second substrate 10T by PECVD on the gate electrode 70. The channel portion 80 is formed on the gate insulating layer 75. The channel portion 80 may be formed of a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (poly-Si) by PECVD. The data electrode 90 forms a pattern by depositing and etching the material of the data electrode 90 on the channel portion 80. As the data electrode 90 material, chromium, molybdenum, aluminum alloy, or the like may be used.

도 5b에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(60) 상에 박막트랜지스터(60)를 보호하는 층간절연막(100)을 형성한다. 층간절연막(100)은 SiNx, 유기막 등으로 형성할 수 있다. 본 발명에서는 유기막을 일실시예로 설명한다. As shown in FIG. 5B, an interlayer insulating layer 100 is formed on the thin film transistor 60 to protect the thin film transistor 60. The interlayer insulating film 100 may be formed of SiNx, an organic film, or the like. In the present invention, an organic film is described as an embodiment.

도 5c에 도시된 바와 같이 유기막으로 형성된 층간절연막(100)은 제1기판(도 6 참조부호 10C) 상에 형성된 단차부(40)에 대응하는 위치에 단차부(40) 정도의 유기막을 노광하여 제1기판(10C)과 제2기판(10T)의 합착 시에 양 기판(10C,10T)의 간격을 일정하게 형성되도록 오목부(120)를 형성한다. As shown in FIG. 5C, the interlayer insulating film 100 formed of the organic film exposes the organic film having the stepped portion 40 at a position corresponding to the stepped portion 40 formed on the first substrate 10C. Thus, when the first substrate 10C and the second substrate 10T are bonded together, the concave portion 120 is formed to uniformly form a gap between the two substrates 10C and 10T.

여기서, 오목부(120)를 노광하여 형성할 때에, 데이터 전극(90)과 화소전극(도 6 참조부호 110)을 연결하기 위한 콘택홀(130)을 더 형성할 수 있다.In this case, when the recess 120 is exposed and formed, a contact hole 130 for connecting the data electrode 90 and the pixel electrode 110 (see FIG. 6) may be further formed.

도 5d에 도시된 바와 같이 추가의 층간절연막(100a)을 더 도포할 수 있다. 추가의 층간절연막(100a)을 도포하고, 도포된 추가의 층간절연막(100a)을 노광함으로서 콘택홀(130)에 계단식 프로파일을 형성하도록 할 수 있다. 추가의 층간절연막(100a)을 노광할 때는 노광량을 조절하여 비아 홀(135)을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 5D, an additional interlayer insulating film 100a may be further applied. A stepped profile may be formed in the contact hole 130 by applying an additional interlayer insulating film 100a and exposing the applied additional interlayer insulating film 100a. When exposing the additional interlayer insulating film 100a, the via amount 135 may be formed by adjusting the exposure amount.

도 5e에 도시된 바와 같이 계단식 프로파일은 노광한 후 형성된 층간절연막(100,100a)의 경사가 급격하여 콘택홀(130) 상에 형성될 화소전극(110) 물질이 유기막 상에 접촉이 되지 않아 발생하는 들뜸현상을 방지해 준다. 여기서 유기막을 여러번 도포하고 노광하여 계단식 프로파일을 다중으로 형성할 수 있음은 물론이다. As shown in FIG. 5E, the stepped profile is generated because the inclination of the interlayer insulating layers 100 and 100a formed after exposure is abrupt and the material of the pixel electrode 110 to be formed on the contact hole 130 does not come into contact with the organic layer. To prevent the lifting phenomenon. Here, the organic film may be applied several times and exposed to form a multi-stepped profile.

도 5e에 도시된 바와 같이 콘택홀(130)에 형성된 각이 급격하여 화소전극(110) 물질이 단락되는 현상이 발생할 수 있게 된다. 여기서, 유기막을 열처리하여 콘택홀(130)과 오목부(120)의 형성된 급경사를 낮출 수 있다. 열처리를 통해 경사를 낮추어 화소전극(110)이 단락되는 것을 방지할 수 있음은 물론이다.As illustrated in FIG. 5E, an angle formed in the contact hole 130 may be suddenly shorted to cause a short circuit of the material of the pixel electrode 110. Here, the steep slope formed of the contact hole 130 and the recess 120 may be lowered by heat treating the organic layer. Of course, the inclination may be lowered through heat treatment to prevent the pixel electrode 110 from being short-circuited.

도 5f에 도시된 바와 같이 층간절연막(100) 상에 투명전도성 물질을 증착하고 식각하여 화소전극(110)을 형성하되 오목부(120)에서는 화소전극(110)이 연결되지 않아야 한다. 오목부(120)는 화소전극(110)과 화소전극(110) 간의 간격(separation)(150)을 증가시켜 화소 간의 인접 불량을 개선할 수 있다. As illustrated in FIG. 5F, the pixel electrode 110 is formed by depositing and etching a transparent conductive material on the interlayer insulating layer 100, but the pixel electrode 110 should not be connected to the recess 120. The recess 120 may improve adjacent defects between pixels by increasing a separation 150 between the pixel electrode 110 and the pixel electrode 110.

도 6은 도시된 바와 같이 제1기판(10C)과 제2기판(10T)을 합착하여 양 기판 사이에 액정층(200)을 형성한다. 본 발명에 따라 형성된 제2기판(10T) 상에는 액정층(200)의 간격을 일정하게 형성하는 오목부(120)가 형성되어 있어 액정의 틀어짐 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 액정표시장치의 화면 상에 발생하는 잔상, 회위 등의 문제점을 해결할 수 있게 된다.6, the first substrate 10C and the second substrate 10T are bonded to each other to form the liquid crystal layer 200 between the two substrates. On the second substrate 10T formed according to the present invention, a recess 120 is formed to form a constant gap between the liquid crystal layers 200, thereby preventing the liquid crystal from being distorted. Accordingly, problems such as afterimages and rotations occurring on the screen of the liquid crystal display can be solved.

이와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 액정배열의 틀어짐 현상을 방지하는 오목부(120)를 형성함으로써 액정배열의 회위, 잔상 등의 문제점을 해결할 수 있으며 화소전극 간의 간격(150)을 넓혀 화소전극(110)과 화소전극(110) 간의 인접 불량을 해결할 수 있다. 또한 층간절연막(100) 상에 추가의 층간절연막(100a)을 도포하고 노광함으로써 콘택홀(130)에 계단식 프로파일로 형성하여 콘택홀(130)에서 발생하는 데이터(90) 전극과 화소전극(110)간에 접촉 불량을 개선할 수 있다. 또한 공정상에서 오목부(120)와 콘택홀(130)을 계단식 프로파일을 2중단차로 형성하는 경우, 도포하고 노광하는 공정은 종래의 공정과 비해 마스크를 사용하는 횟수가 증가하지 않고 형성할 수 있어 공정이 용이하고, 액정표시장치의 품질을 향상시킬 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention forms a concave portion 120 that prevents the liquid crystal array from being distorted, thereby solving problems such as repositioning and afterimage of the liquid crystal array, and widening the interval 150 between the pixel electrodes. Adjacent defects between the electrode 110 and the pixel electrode 110 can be solved. In addition, by applying and exposing an additional interlayer insulating film 100a on the interlayer insulating film 100, the contact hole 130 is formed in a stepped profile to generate the data 90 electrode and the pixel electrode 110 generated in the contact hole 130. Poor contact between the liver can be improved. In addition, when the recess 120 and the contact hole 130 are formed in two steps in the stepped profile in the process, the process of applying and exposing can be formed without increasing the number of times of using the mask as compared with the conventional process. This is easy and the quality of the liquid crystal display device can be improved.

이와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 액정배열의 틀어짐 현상을 방지하는 오목부(120)를 형성함으로써 액정배열의 회위, 잔상 등의 문제점을 해결할 수 있으며 화소전극 간의 간격(150)을 넓혀 화소전극(110)과 화소전극(110) 간의 인접 불량을 해결할 수 있다. 또한 층간절연막(100) 상에 추가의 층간절연막(100a)을 도포하고 노광함으로써 콘택홀(130)에 계단식 프로파일로 형성하여 콘택홀(130)에서 발생하는 데이터(90) 전극과 화소전극(110)간에 접촉 불량을 개선할 수 있다. 또한 공정상에서 오목부(120)와 콘택홀(130)을 계단식 프로파일을 2중단차로 형성하는 경우, 도포하고 노광하는 공정은 종래의 공정과 비해 마스크를 사용하는 횟수가 증가하지 않고 형성할 수 있어 공정이 용이하고, 액정표시장치의 품질을 향상시킬 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention forms a concave portion 120 that prevents the liquid crystal array from being distorted, thereby solving problems such as repositioning and afterimage of the liquid crystal array, and widening the interval 150 between the pixel electrodes. Adjacent defects between the electrode 110 and the pixel electrode 110 can be solved. In addition, by applying and exposing an additional interlayer insulating film 100a on the interlayer insulating film 100, the contact hole 130 is formed in a stepped profile to generate the data 90 electrode and the pixel electrode 110 generated in the contact hole 130. Poor contact between the liver can be improved. In addition, when the recess 120 and the contact hole 130 are formed in two steps in the stepped profile in the process, the process of applying and exposing can be formed without increasing the number of times of using the mask as compared with the conventional process. This is easy and the quality of the liquid crystal display device can be improved.

도 1a는 종래의 박막트랜지스터의 단면도다.1A is a cross-sectional view of a conventional thin film transistor.

도 1b는 종래의 박막트랜지스터 상에 콘택홀 형성을 나타내는 도면,1B is a view illustrating a contact hole formation on a conventional thin film transistor;

도 2는 종래의 컬러필터 기판의 단면도,2 is a cross-sectional view of a conventional color filter substrate,

도 3은 종래의 제1기판과 제2기판을 합착하여 액정층 형성을 나타내는 도면,3 is a view showing a liquid crystal layer formed by bonding a conventional first substrate and a second substrate;

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따라 제1기판 상에 컬러필터가 형성되는 과정을 나타내는 도면,4A to 4D are views illustrating a process of forming a color filter on a first substrate according to the present invention;

도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따라 제2기판 상에 박막트랜지스터가 형성되는 과정을 나타내는 도면,5A to 5F illustrate a process of forming a thin film transistor on a second substrate according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 액정 패널의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 기판 15 : 마스크 10 substrate 15 mask

20 : 컬러수지 30 : 컬러필터  20: color resin 30: color filter

40 : 단차부 50 : 대향전극 40: step 50: counter electrode

60 : 박막트랜지스터 70 : 게이트  60: thin film transistor 70: gate

75 : 게이트 절연막 80 : 채널부  75 gate insulating film 80 channel portion

90 : 데이터 전극 100 : 층간절연막  90 data electrode 100 interlayer insulating film

105 : 추가의 층간절연막 110 : 화소전극105: additional interlayer insulating film 110: pixel electrode

120 : 오목부 130 : 콘택홀120: recess 130: contact hole

190 : 액정셀 200 : 액정층190: liquid crystal cell 200: liquid crystal layer

Claims (5)

액정표시장치 제조방법에 있어서,In the liquid crystal display manufacturing method, 제1기판 상에 복수 색상영역의 컬러필터를 형성하는 단계와;Forming a color filter of a plurality of color regions on the first substrate; 제2기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the second substrate; 상기 박막트랜지스터 상에 층간절연막을 형성하는 단계와;Forming an interlayer insulating film on the thin film transistor; 상기 컬러필터에 있어서 복수 색상영역의 각 경계부에 대응하여 상기 층간절연막에 오목부를 형성하는 단계와;Forming a recess in the interlayer insulating film corresponding to each boundary of a plurality of color regions in the color filter; 상기 층간절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계와;Forming a pixel electrode on the interlayer insulating film; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법. Forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오목부를 형성하는 단계 후 상기 층간절연막를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.And heat-treating the interlayer insulating film after the forming of the recesses. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 층간절연막에 상기 오목부를 형성하는 단계에 있어서, 상기 화소전극과 박막트랜지스터를 연결하는 콘택홀을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.And forming a recess in the interlayer insulating layer, further forming a contact hole connecting the pixel electrode and the thin film transistor. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 오목부와 상기 콘택홀이 형성된 층간절연막 상에 추가의 층간절연막을 더 형성하는 단계와;Forming an additional interlayer insulating film on the interlayer insulating film on which the concave portion and the contact hole are formed; 상기 콘택홀에 다중의 단차가 형성되도록 상기 추가의 층간절연막에 비아홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.Forming a via hole in the additional interlayer insulating film such that a plurality of steps are formed in the contact hole. 액정표시장치에 있어서,In the liquid crystal display device, 컬러필터가 형성된 제1기판과; A first substrate on which a color filter is formed; 박막트랜지스터가 형성된 제2기판과;A second substrate on which a thin film transistor is formed; 상기 제2기판 상에 형성된 층간절연막과;An interlayer insulating film formed on the second substrate; 상기 층간절연막 상에 형성된 오목부와;A recess formed on the interlayer insulating film; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 형성된 액정층을 특징으로 하는 액정표시장치.And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate.
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