KR20050042965A - Apparatus for chemical vapor deposition - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학기상증착 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 화학기상증착 장치는 챔버 내에 일정하게 이격되도록 구비되어, 플라즈마를 형성하는 상부전극 및 하부전극과, 상기 하부전극을 관통하여 상기 기판의 하면을 지지하는 핀과, 상기 핀과 자력에 의해 접착되어 상기 핀을 통해 상기 기판을 상승 또는 하강시키는 리프트 바를 포함하여 구성되며, 이와 같이 핀과 리프트 바를 자력에 의해 접착하여 고정시킴으로써, 핀이 기울어져 발생할 수 있는 마찰과 이물질과의 마찰로 인해 발생하는 핀의 상승 또는 하강의 불량을 방지함과 아울러, 핀에 의해 지지되는 유리기판의 상승 또는 하강구동을 안정적으로 수행하여, 유리기판에 수행되는 공정 불량을 방지할 수 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, the chemical vapor deposition apparatus of the present invention is provided to be uniformly spaced in the chamber, the upper electrode and the lower electrode to form a plasma, and through the lower electrode to the lower surface of the substrate And a support bar and a lift bar bonded by the pin and a magnetic force to raise or lower the substrate through the pin. Thus, by pinning and fixing the pin and the lift bar by magnetic force, the pin may be inclined. It prevents the rise or fall of the pin caused by the friction between the friction and the foreign matter, and also stably raises or lowers the glass substrate supported by the pin and stably performs the process defect performed on the glass substrate. Can be prevented.
Description
본 발명은 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 자력(magnetic)에 의해 핀과 리프트 바를 고정하는 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition : PECVD) 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for fixing the pin and the lift bar by a magnetic force.
일반적으로, 액정표시장치(liquid crystal display)는 투명한 유리기판인 박막트랜지스터 어레이(thin film transistor array) 기판과 컬러필터(color filter) 기판이 일정한 간격으로 합착되고, 그 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이의 이격된 공간에 액정이 충진된 액정패널(liquid crystal display panel)과, 상기 액정패널에 주사신호와 화상정보를 공급하여 액정패널의 동작을 수행하는 구동부를 구비하여 구성된다.In general, a liquid crystal display includes a thin film transistor array substrate and a color filter substrate, which are transparent glass substrates, and are bonded at regular intervals, and the thin film transistor array substrate and the color filter substrate are bonded to each other at regular intervals. A liquid crystal panel in which liquid crystal is filled in the spaces spaced therebetween, and a driving unit for supplying scan signals and image information to the liquid crystal panel to perform an operation of the liquid crystal panel.
상기 액정패널에는 횡으로 일정하게 이격되어 배열되는 복수의 게이트라인과, 종으로 일정하게 이격되어 배열되는 복수의 데이터라인이 서로 교차하고, 상기 교차영역이 화소(pixel)로 정의된다. 상기 화소들에는 스위칭(switching) 소자가 개별적으로 구비되는데, 상기 스위칭소자는 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 연결되며, 상기 구동부의 주사신호에 따라 작동하여 화상정보를 화소에 인가한다.In the liquid crystal panel, a plurality of gate lines that are regularly spaced apart laterally and a plurality of data lines that are regularly spaced apart longitudinally intersect each other, and the intersection area is defined as a pixel. Switching elements are separately provided in the pixels, and the switching elements are electrically connected to gate lines and data lines, and operate according to a scan signal of the driving unit to apply image information to the pixels.
상기 컬러필터 기판에는 상기 화소들에 대응하는 위치에 적색, 녹색 및 청색의 컬러필터층이 형성되고, 각각의 적색, 녹색 및 청색 컬러필터층 사이에는 블랙매트릭스(black matrix)가 형성되어 화소를 통과하는 빛의 색간섭을 방지한다.Red, green, and blue color filter layers are formed on the color filter substrate at positions corresponding to the pixels, and a black matrix is formed between each of the red, green, and blue color filter layers to pass light through the pixels. To prevent color interference.
전술한 바와 같은 액정표시장치의 게이트라인, 데이터라인 및 박막 트랜지스터 등을 유리기판 상에 형성하기 위한 제조공정은 유리판 전면에 금속, 절연막 및 반도체층을 증착하는 박막증착공정(thin film deposition process), 증착된 박막을 포토레지스트(photo-resist)로 패터닝(patterning)하기 위한 사진공정(photolithography process), 포토레지스트의 패턴을 박막에 전사하기 위한 식각공정(etching process) 등의 단위 공정들로 이루어진다.The manufacturing process for forming the gate line, data line, thin film transistor, etc. of the liquid crystal display device as described above on a glass substrate includes a thin film deposition process for depositing a metal, an insulating film, and a semiconductor layer on the entire glass plate, Unit processes include a photolithography process for patterning the deposited thin film into a photoresist and an etching process for transferring a pattern of the photoresist onto the thin film.
상기와 같은 공정들(즉, 증착공정, 사진공정, 시각공정)은 하나의 액정패널을 형성하기 위해 단지 1회만 수행되는 것이 아니라 수회 반복된다. 특히, 액정표시소자에서는 금속으로 이루어진 전극(게이트전극, 화소전극 등)이나 금속라인(게이트라인 및 데이터라인)만이 존재하는 것이 아니라 반도체층과 절연층도 존재한다. 다시 말해서, 다양한 물질로 이루어진 다양한 패턴이 존재하는 것이다. 따라서, 하나의 액정패널을 형성하기 위해 상기 공정들이 수회 반복될뿐만 아니라 패턴의 종류에 따라 공정의 방식도 달라질 것이다.The above processes (ie, deposition process, photographic process, and visual process) are repeated several times, not just once, to form one liquid crystal panel. In particular, in the liquid crystal display device, not only metal electrodes (gate electrodes, pixel electrodes, etc.) or metal lines (gate lines and data lines) exist, but also semiconductor layers and insulating layers. In other words, there are different patterns of different materials. Therefore, not only the above processes are repeated several times to form one liquid crystal panel but also the method of the process varies according to the type of pattern.
일반적으로, 박막은 화학기상증착(chemical vapor deposition)방법과 물리기상증착(physical vapor deposition)방법에 의해 형성된다. 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 탄탈륨(Ta) 등의 금속박막과 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 박막의 경우 스퍼터링(sputtering) 등의 물리기상증착 방법에 의해 형성하고, 비정질 실리콘(a-Si), 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx) 박막 등은 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; 이하 PECVD) 방법을 주로 사용하여 형성한다.In general, thin films are formed by chemical vapor deposition and physical vapor deposition. Metal thin films such as aluminum (Al), chromium (Cr) and tantalum (Ta) and indium tin oxide (ITO) thin films are formed by physical vapor deposition such as sputtering, and the like. a-Si), silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) thin films and the like are mainly formed using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.
보통, 화학기상증착에 의해 박막을 만드는 경우, 고온을 필요로 하게 된다. 현재 공업적으로 확산되어 있는 박막증착 공정으로 여러 가지 박막 제작에 이용되고 있다. 그러나 일반적으로 이 방법을 이용하여 실용성이 높은 박막을 만들때에는 고온을 필요로 한다. 따라서, 플라스틱(plastic)이나 유리(glass) 등 저융점의 기판을 사용할 수 없게 될뿐만 아니라, 박막 원자가 화학기상증착 장치 내에서 확산되어 기판 상에 제대로 박막이 증착되지 않을 수 있고, 상온에서의 공정 중에 열에의한 내부파괴가 일어날 수 있다. 이와 같은 단점을 극복하기 위해 플라즈마 화학기상증착(PECVD)공정을 도입하였다. Usually, when a thin film is formed by chemical vapor deposition, a high temperature is required. At present, industrially spreading thin film deposition process is used in the production of various thin films. In general, however, high temperatures are required to produce highly practical thin films using this method. Therefore, not only the low melting point substrate such as plastic or glass can be used, but also thin film atoms can diffuse in the chemical vapor deposition apparatus so that the thin film cannot be deposited properly on the substrate. Internal destruction by heat can occur. In order to overcome this disadvantage, plasma chemical vapor deposition (PECVD) process was introduced.
상기 플라즈마 화학기상증착 공정은 화학기상(chemical vapor)을 진공상태의 챔버(chamber)에 주입하고, 높은 전계를 형성하여 플라즈마를 유도함으로써 실행되는데, 전계에 의해 높은 에너지를 얻은 이온이 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고, 이 분해된 가스분자가 기판에 증착되는 반응을 이용하여 박막을 형성하는 공정이다. 따라서, 기존의 화학기상증착 공정이 열에너지를 반응에 필요한 에너지원으로 이용하고 있는 반면, 플라즈마 화학기상증착 방법은 플라즈마를 이용하므로, 저온에서도 박막을 형성할 수 있다. 이와 같은 장점때문에, 플라즈마 화학기상증착 공정을 사용하면, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNX), 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등을 낮은 온도에서 유리기판 상에 증착할 수 있다.The plasma chemical vapor deposition process is performed by injecting a chemical vapor into a vacuum chamber, forming a high electric field to induce plasma, and the ions obtained with high energy by the electric field are neutral gases. It is a process of forming a thin film using the reaction which collides with a molecule and decomposes a gas molecule, and this decomposed gas molecule is deposited on a board | substrate. Accordingly, the conventional chemical vapor deposition process uses thermal energy as an energy source for the reaction, whereas the plasma chemical vapor deposition method uses plasma, so that a thin film can be formed even at a low temperature. Because of this advantage, using a plasma chemical vapor deposition process, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN X ), amorphous silicon (amorphous silicon) and the like can be deposited on the glass substrate at a low temperature.
상기한 바와 같은 플라스마 화학기상증착 공정을 수행하는 챔버의 내부구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Referring to the internal structure of the chamber for performing the plasma chemical vapor deposition process as described above in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a plasma chemical vapor deposition apparatus.
도1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 화학기상증착 장치는 박막 증착을 수행하기 위한 밀폐된 반응용기인 챔버(10)와, 상기 챔버(10)에 형성되어 반응기체가 주입되는 가스주입구(12)와, 높은 전계를 형성하여 상기 가스주입구(12)로부터 주입되는 반응기체를 챔버(10) 내에서 플라즈마로 변화시키는 상부전극(15)과 하부전극(20)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the plasma chemical vapor deposition apparatus includes a chamber 10 which is a sealed reaction vessel for performing thin film deposition, a gas inlet 12 formed in the chamber 10, and into which a reactant is injected; And an upper electrode 15 and a lower electrode 20 for forming a high electric field and converting the reactor body injected from the gas inlet 12 into plasma in the chamber 10.
이하, 상기와 같이 구성된 플라즈마 화학기상증착 장치로 수행되는 박막증착 공정을 설명한다. Hereinafter, a thin film deposition process performed by the plasma chemical vapor deposition apparatus configured as described above will be described.
먼저, 분해할 반응기체가 가스주입구(12)를 통해 챔버(10)내로 유입되며, 그 반응기체는 챔버(10) 내에서 확산된다. 이 상태에서 상부전극(15)과 하부전극(20) 사이에 고전압을 인가되고, 상기 반응기체는 플라즈마 상태가 되어 분해된 반응기체의 일부가 상기 하부전극(20) 상에 로딩(loading)되는 유리기판(22) 상에 증착되어 박막을 형성한다. 그리고, 나머지 기체들은 배기구(13)를 통해 배출된다. 한편, 상기 유리기판(22)은 챔버 내부에 반응기체가 공급되기 전에 외부에서 로봇 암(robot arm) 등과 같은 이송장치에 의해 운반되어 상기 하부전극(20) 상에 로딩된다.First, the reactive gas to be decomposed is introduced into the chamber 10 through the gas inlet 12, and the reactive gas is diffused in the chamber 10. In this state, a high voltage is applied between the upper electrode 15 and the lower electrode 20, and the reactor is in a plasma state, and a part of the decomposed reactor is loaded on the lower electrode 20. It is deposited on the substrate 22 to form a thin film. Then, the remaining gases are discharged through the exhaust port 13. On the other hand, the glass substrate 22 is transported by a transfer device such as a robot arm from the outside before the reactor is supplied into the chamber is loaded on the lower electrode 20.
도면에 도시하진 않았지만, 상기 하부전극(20)에는 상승 및 하강가능한 복수개의 핀이 상기 하부전극(20)을 관통하여 형성되어 있다. 상기 로봇 암에 의해 운반된 상기 유리기판(22)은 하부전극(20) 위로 상승된 복수개의 핀(미도시) 상에 로딩되고, 로봇 암이 챔버 외부로 빠져 나가면, 상기 핀이 하강하여 상기 하부전극(20)에 유리기판(22)을 밀착시킨다.Although not shown in the drawing, the lower electrode 20 has a plurality of pins that can be raised and lowered through the lower electrode 20. The glass substrate 22 carried by the robot arm is loaded on a plurality of pins (not shown) that are raised above the lower electrode 20, and when the robot arm exits the chamber, the pins descend to lower the lower electrode 20. The glass substrate 22 is brought into close contact with the electrode 20.
도2a 및 도2b에 핀을 구비한 하부전극이 도시되어 있다.2A and 2B show a bottom electrode with fins.
이 때, 도2a는 핀이 상승된 상태를 보여주는 도면이고, 도2b는 핀이 하강된 상태를 보여주는 도면이다.At this time, Figure 2a is a view showing a state in which the pin is raised, Figure 2b is a view showing a state in which the pin is lowered.
도면에 도시된 바와 같이, 하부전극(20)을 관통하며, 유리기판을 지지하는 핀(pin, 25)과, 상기 핀(25)에 의해 관통되는 하부전극(20)의 내면에 형성되어, 상기 핀(25)의 구동방향을 가이드하는 핀 가이드(pin guide, 28)와, 상기 핀(25)의 하부에 구비되어, 무게에 의해 상기 핀(25)을 하강시키는 핀 웨이트(26)와, 상기 핀(28)을 상부로 구동시키는 리프트 바(lift bar, 24)를 구비하여 구성된다.As shown in the figure, a pin (25) penetrating the lower electrode (20) and supporting the glass substrate and formed on the inner surface of the lower electrode (20) penetrated by the pin (25), A pin guide 28 for guiding the driving direction of the pin 25, a pin weight 26 provided below the pin 25 to lower the pin 25 by weight, and And a lift bar 24 for driving the pin 28 upwards.
상기 하부전극(20) 내면에 구비되는 핀 가이드(28)는 핀(25)이 상승 또는 하강할때, 다른 방향으로 구동되지 않도록 방향을 상하로 가이드하는 역할을 한다.The pin guide 28 provided on the inner surface of the lower electrode 20 serves to guide the direction up and down so that the pin 25 is not driven in another direction when the pin 25 is raised or lowered.
상기 핀(25)의 상부는 유리기판(20)을 충분히 지지하기 위해 상대적으로 넓은 면적으로 형성되고, 상기 핀웨이트(pin weight, 26)는 일정한 면적과 무게로 형성되어 리프트 바(24)가 하강할때, 상기 핀(25)을 중력에 의해 하강시킨다. 물론, 상기 핀(25)의 하강은 상기 핀(25)의 자체무게와 그 위에 놓여지는 유리기판(20)에 의해 이루어질 수도 있지만, 이격된 핀(25)과 핀가이드(28) 사이의 마찰 등에 의해 핀(25)의 하강이 원활하게 이루어지지 않을 수도 있기 때문에, 상기와 같이 핀웨이트(26)를 구비하는 것이 바람직하다.The upper portion of the pin 25 is formed in a relatively large area to sufficiently support the glass substrate 20, the pin weight 26 is formed with a constant area and weight so that the lift bar 24 is lowered When the pin 25 is lowered by gravity. Of course, the lowering of the pin 25 may be made by the weight of the pin 25 itself and the glass substrate 20 placed thereon, but the friction between the spaced pin 25 and the pin guide 28, etc. Since the lowering of the pin 25 may not be performed smoothly, it is preferable to provide the pin weight 26 as mentioned above.
상기 리프트 바(24)가 상승할 때, 상기 리프트 바(24)가 상기 핀(25)의 하부에 구비된 상기 핀 웨이트(26)를 지지하여, 상기 핀(25)을 하부전극(20) 위로 상승시킨다. 이때, 유리기판(20)도 상기 핀(25)을 통해 상승하게 된다.When the lift bar 24 is raised, the lift bar 24 supports the pin weight 26 provided below the pin 25 so that the pin 25 is positioned above the lower electrode 20. Raise. At this time, the glass substrate 20 also rises through the pin 25.
그리고, 상기 리프트 바(24)가 하강할 때, 상기 핀(25)은 상기 핀 웨이트(26)의 무게에 의해 상기 리프트 바(24)에 밀착하여 동일한 속도로 하강하게 되고, 상기 유리기판(20)도 상기 핀(25)에 지지되어 하강하게 된다. 이때, 상기 핀(25)의 하강은 상기 핀 웨이트(26), 핀(25) 및 기판(20)의 무게에 따른 중력에 의해 자연스럽게 일어나며, 상기 리프트 바(24)에 지지되어 일정한 속도로 하강한다. 한편, 하강하던 핀(25)은 그 핀(25)의 상부가 상기 핀 가이드(28)에 걸리면서 멈추지만, 상기 리프트 바(24)는 조금 더 하강하여 상기 핀(25)과 일정거리 떨어진 상태에서 멈춘다. 이와 같이, 핀(25)과 리프트바(24)를 이격시키는 것은 상기 리프트바(24)와 상기 핀(25)이 밀착된 상태로 유리기판(20 상에 공정이 진행되면, 상기 리프트 바(24)의 미세한 유동이나 외부 충격 등이 상기 핀(25)을 통해 상기 유리기판(20)으로 그대로 전달되어 공정불량을 일으킬 수 있기 때문이다.Then, when the lift bar 24 is lowered, the pin 25 is in close contact with the lift bar 24 by the weight of the pin weight 26 is lowered at the same speed, the glass substrate 20 ) Is also supported by the pin 25 is lowered. At this time, the lowering of the pin 25 occurs naturally by the gravity according to the weight of the pin weight 26, the pin 25 and the substrate 20, is supported by the lift bar 24 to descend at a constant speed. . On the other hand, the pin 25 that has been lowered stops while the upper portion of the pin 25 is caught by the pin guide 28, but the lift bar 24 is lowered a little further in a state away from the pin 25 by a predetermined distance. Stop As such, the space between the pin 25 and the lift bar 24 is that when the process is performed on the glass substrate 20 while the lift bar 24 and the pin 25 are in close contact, the lift bar 24 is provided. This is because the minute flow or external impact of) may be transferred to the glass substrate 20 as it is through the pin 25 and cause a process defect.
보통, 상기 핀(25)과 핀 가이드(28)는 세라믹(ceramic)으로 형성되고, 상기 리프트 바(24)는 SUS(stainless steel)로 형성된다. 또한, 상기 핀(25)과 핀 가이드(28) 사이의 간격은 일반적으로 0.05mm이내로 설정되어, 미세한 이격을 가진다.Usually, the pin 25 and the pin guide 28 are formed of ceramic, and the lift bar 24 is formed of stainless steel (SUS). In addition, the spacing between the pin 25 and the pin guide 28 is generally set within 0.05 mm, having a fine spacing.
상기 핀(25)을 세라믹으로 형성하는 것은 금속을 사용할 경우 챔버 내의 온도에 의해 금속핀이 팽창 또는 수축, 플라즈마에 의한 식각 및 금속핀에 의한 유리기판의 스크래치(scratch)등이 발생할 수 있기 때문이다.The fins 25 are formed of ceramics because metal pins may expand or contract due to the temperature in the chamber, and etching may be caused by plasma and scratches of the glass substrate by metal pins.
한편, 상기 하부전극(20)을 관통하는 핀(25)은 복수개가 구비되어, 상기 유리기판(20)을 지지하게 된다. 상기 유리기판(20)을 지지하는 핀(25)들은 상기 유리기판(20) 무게에 의해 기울어지며, 상기 핀(25)들이 상하 구동될 때, 상기 핀 가이드(28)와의 마찰이 강해지는 원인이 되어, 핀(25)의 하강을 방해한다.Meanwhile, a plurality of pins 25 penetrating the lower electrode 20 are provided to support the glass substrate 20. The pins 25 supporting the glass substrate 20 are inclined by the weight of the glass substrate 20, and when the pins 25 are driven up and down, friction with the pin guide 28 is increased. This prevents the pin 25 from lowering.
그리고, 상기 핀(25)과 핀 가이드(28) 사이에 이물질이 끼이는 경우, 상기 핀(25)과 이물질 사이의 마찰력에 의해, 핀(25)을 상하구동시키기 어려워지며, 심지어는 핀(25)의 상하구동이 중지될 수도 있다.In addition, when a foreign matter is caught between the pin 25 and the pin guide 28, it is difficult to drive the pin 25 up and down by the friction force between the pin 25 and the foreign matter, even the pin 25. Up and down drive of) may be stopped.
전술한 바와 같이, 유리기판(20)의 무게에 의한 핀(25)의 기울어짐, 핀(25)과 이물질 사이의 마찰 등 다양한 원인으로 핀(25)의 구동불량이 일어날 수 있다. 즉, 마찰에 의해 복수의 핀(25)들이 일정한 속도로 상승 또는 하강하는 것이 어려워지므로, 상기 핀(25)들 각각에 상승 또는 하강한 높이의 차이가 발생하여, 지지하고 있는 유리기판(20)이 한쪽으로 쏠릴 수 있다. 또한, 마찰이 심한 경우에는 유리기판(20)의 상승 또는 하강 자체가 불가능해 질 수도 있다.As described above, the driving failure of the pin 25 may occur due to various factors such as the inclination of the pin 25 due to the weight of the glass substrate 20 and the friction between the pin 25 and the foreign matter. That is, since it is difficult for the plurality of pins 25 to rise or fall at a constant speed due to friction, a difference in the heights of the raised or lowered portions occurs in each of the pins 25, thereby supporting the glass substrate 20. This can be directed to one side. In addition, when the friction is severe, the glass substrate 20 may not be able to rise or fall itself.
따라서, 유리기판(20) 상에 수행되는 박막 증착 등의 공정불량을 유발할 수 있다.Therefore, a process defect such as thin film deposition performed on the glass substrate 20 may be caused.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출되었으며, 본 발명의 목적은 자력에 의해 핀과 리프트 바를 고정시켜 핀의 마찰에 대해 핀을 상승 또는 하강시키는 힘을 증가시킴으로써, 유리기판의 상승 또는 하강을 안정적으로 수행하여, 유리기판의 공정불량을 방지하는 화학기상증착 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to fix the pin and the lift bar by magnetic force, thereby increasing the force to raise or lower the pin against friction of the pin, The present invention provides a chemical vapor deposition apparatus that stably raises or lowers a substrate to prevent a process defect of a glass substrate.
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 화학기상증착 장치는 챔버 내에 일정하게 이격되도록 구비되어, 플라즈마를 형성하는 상부전극 및 하부전극과, 상기 하부전극을 관통하여 상기 기판의 하면을 지지하는 핀과, 상기 핀과 자력에 의해 접착되어 상기 핀을 통해 상기 기판을 상승 또는 하강시키는 리프트 바를 포함하여 구성된다.The chemical vapor deposition apparatus for achieving the object of the present invention as described above is provided to be spaced uniformly in the chamber, to support the lower surface of the substrate through the upper electrode and the lower electrode to form a plasma, and the lower electrode And a lift bar bonded by the pin and the magnetic force to lift or lower the substrate through the pin.
본 발명은 핀을 단순히 핀의 무게에 의존해 구동시키는게 아니라, 핀과 리프트바를 접촉시켜 고정함으로써, 그 접촉력에 의해 핀을 안정적으로 상하구동시키는데 특징이 있다. The present invention is characterized in that the pins are driven up and down stably by the contact force, instead of simply driving the pins depending on the weight of the pins.
종래의 핀의 마찰에 따라 발생하는 공정불량의 문제를 해결하기 위해, 핀을 고정하여 리프트 바에 의한 상승 또는 하강시 안정적으로 상하구동을 시켜야 하는데, 핀의 안정적인 구동을 위해 핀과 리프트 바를 볼트, 너트 등에 의한 강제 체결을 하게 되면, 세라믹의 재질 특성상 유리기판이나 리프트 바를 통한 미세한 유동이나 충격에도 쉽게 파손될 수 있다.In order to solve the problem of process failure caused by the friction of the conventional pins, the pins should be fixed so that they can be driven up and down stably when the lift bar is raised or lowered. When forced by the fastening, etc., due to the characteristics of the material of the ceramic can be easily broken even in the minute flow or impact through the glass substrate or the lift bar.
따라서, 본 발명에서는 핀과 리프트 바의 강제 체결을 통한 접촉방법이 아닌 자력에 의한 접촉방법을 안출해내게 되었다. 이와 같은 자력에 의해 접촉되는 핀과 리프트 바의 구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Therefore, in the present invention, a method of contact by magnetic force is devised rather than a method of contact by force of pin and lift bar. Referring to the accompanying drawings the structure of the pin and the lift bar which is contacted by the magnetic force in detail as follows.
도3a 및 도3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극 구조를 나타내는 도면으로, 도3a는 핀이 상승된 상태를 나타낸 도면이고, 도3b는 핀이 하강된 상태를 나타낸 도면이다.3A and 3B are views showing the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3A is a view showing a raised pin, and FIG. 3B is a view showing a pin lowered state. The figure shown.
도면을 참조하면, 전계에 의해 플라즈마를 형성하는 하부전극(120)및 상부전극(미도시)과, 상기 하부전극(120)을 관통하며, 유리기판(122)을 지지하는 핀(125)과, 상기 핀(125)에 의해 관통되는 하부전극(120)의 내면에 형성되는 핀 가이드(128)와, 상기 핀(125)과 자력에 의해 접착되고, 상기 핀(125)을 통해 유리기판(122)을 상승 또는 하강시키는 리프트 바(124)를 구비하여 구성된다.Referring to the drawings, a lower electrode 120 and an upper electrode (not shown) forming a plasma by an electric field, a pin 125 penetrating the lower electrode 120 and supporting a glass substrate 122; The pin guide 128 formed on the inner surface of the lower electrode 120 penetrated by the pin 125 and the pin 125 are bonded to each other by magnetic force, and the glass substrate 122 is formed through the pin 125. It is configured to include a lift bar 124 to raise or lower.
상기 핀 가이드(128)는 상기 리프트 바(124)에 의한 상기 핀(125)의 구동이 원활하게 수행되도록 상기 핀(125)의 상승 또는 하강방향을 가이드하기 위한 것이지만, 상기 핀가이드(128)없이 상기 하부전극(120)의 내면에 의해서 핀(125)의 구동을 가이드할 수 있으므로, 하부전극 구조에서 제거될 수도 있다. The pin guide 128 is for guiding the upward or downward direction of the pin 125 to smoothly drive the pin 125 by the lift bar 124, but without the pin guide 128. Since the driving of the pin 125 may be guided by the inner surface of the lower electrode 120, it may be removed from the lower electrode structure.
제 1 실시예는 종래의 하부전극 구조와 거의 동일하다. 그러나, 종래에 유리기판 무게에 의해 기울어진 핀과 핀가이드 사이의 마찰, 핀과 이물질 사이의 마찰 등의 문제들을 해결하기 위해 상기 핀(125) 또는 리프트 바(126)에 자성체를 적용한다. 특히, 제 1실시예에서는 상기 핀(125)과 리프트 바(126)를 자력에 의해 접착하여, 상기 핀(125)을 하강시키므로, 무게에 의해 핀을 하강시키는 종래의 핀웨이트가 불필요하여 제거하였다.The first embodiment is almost identical to the conventional lower electrode structure. However, in the related art, a magnetic material is applied to the pin 125 or the lift bar 126 to solve problems such as friction between the pin and the pin guide inclined by the glass substrate weight and friction between the pin and the foreign material. In particular, in the first embodiment, since the pin 125 and the lift bar 126 are bonded by magnetic force to lower the pin 125, the conventional pin weight which lowers the pin by weight is unnecessary. .
상기 핀(125)과 리프트 바(128) 중 어느 하나를 자성체로 형성할 수 있고, 둘 다 자성체로 형성할 수 있다. 만일, 상기 핀(125)과 리프트 바(128)중 어느 하나만 자성체로 형성하게 되면, 다른 하나는 자성체에 반응하여 접착력을 가지는 상자성체로 형성해야 한다. 예를 들어, 텅스턴 등과 같은 물질로 형성할 수 있다.Any one of the pin 125 and the lift bar 128 may be formed of a magnetic material, and both may be formed of a magnetic material. If only one of the pin 125 and the lift bar 128 is formed of a magnetic material, the other should be formed of a paramagnetic material having an adhesive force in response to the magnetic material. For example, it may be formed of a material such as tungsten.
도면에 도시된 바와 같이, 핀의 구동상태를 보면, 상기 리프트 바(124)의 상승시, 상기 리프트 바(124)와 자력에 의해 접착되어 고정된 상기 핀(125)도 상승한다. 이 때, 상기 핀(125)에 의해 하면이 지지되는 유리기판(122)도 상승한다.As shown in the figure, when the driving state of the pin, when the lift bar 124 ascends, the pin 125, which is bonded and fixed by the lift bar 124 by magnetic force, also rises. At this time, the glass substrate 122 on which the lower surface is supported by the pin 125 also rises.
그리고, 상기 리프트 바(124)의 하강시, 상기 리프트 바(124)와 자력에 의해 접착된 상기 핀(125)도 하강하며, 그 핀(125)에 지지된 유리기판(122)도 아울러 하강하게 된다. 이 때, 하강하던 핀(125)은 상기 핀가이드(128)에 상기 핀(125)의 상부가 걸려 하강을 멈추고, 상기 리프트 바(124)는 상기 핀(125)과 접촉이 떨어진 상태로 일정거리만큼 하강한 후 멈춘다.When the lift bar 124 descends, the pin 125 adhered to the lift bar 124 by magnetic force also descends, and the glass substrate 122 supported by the pin 125 also descends. do. At this time, the lower pin 125 is stopped by the upper portion of the pin 125 is caught by the pin guide 128, the lift bar 124 is a predetermined distance in contact with the pin 125 apart Descend by and stop.
상기 핀(125)과 리프트 바(124)는 자력에 의해 접착되어 고정되므로, 유리기판(122)의 무게를 극복하여, 그 유리기판(122) 무게에 의해 핀(125)이 기울어지는 현상을 방지한다. 또한, 핀가이드(128)에 낀 이물질과의 마찰력을 상기 핀(125)과 리프트 바(126) 사이의 자력으로 극복하여, 핀(125)을 구동시킬 수 있다.Since the pin 125 and the lift bar 124 are bonded and fixed by a magnetic force, the pin 125 is prevented from being inclined by the weight of the glass substrate 122 by overcoming the weight of the glass substrate 122. do. In addition, by overcoming the frictional force with the foreign matter caught in the pin guide 128 by the magnetic force between the pin 125 and the lift bar 126, it is possible to drive the pin 125.
일반적으로, 유리기판(122)의 하면을 지지하는 핀(125)은 고온에 의한 팽창 또는 수축, 플라즈마에 의한 식각 및 유리기판 하면의 스크래치 등을 방지하기 위해 세라믹으로 형성한다. 그런데, 본 발명의 제 1실시예에서는 핀(125) 전체를 금속재질인 자성체 또는 상자성체로 형성함으로써, 상기와 같은 문제점을 발생시킬 수 있다. 따라서, 제 1실시예를 보완하기 위하여 핀(125)의 일부를 자성체 또는 상자성체로 형성하는 제 2실시예 및 제 3실시예를 제안하게 되었다.In general, the pin 125 supporting the lower surface of the glass substrate 122 is formed of ceramic in order to prevent expansion or contraction due to high temperature, etching by plasma and scratching of the lower surface of the glass substrate. By the way, in the first embodiment of the present invention by forming the entire pin 125 of a magnetic material or a paramagnetic material of a metal material, the above problems can be generated. Therefore, in order to supplement the first embodiment, a second embodiment and a third embodiment in which a part of the pin 125 is formed of a magnetic body or a paramagnetic body have been proposed.
도4a 및 도4b는 본 발명의 제 2실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극 구조를 나타내는 도면으로, 도4a는 핀이 상승된 상태를 나타낸 도면이고, 도4b는 핀이 하강된 상태를 나타낸 도면이다.4A and 4B are views showing the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4A is a view showing a raised pin, and FIG. 4B is a view of a lowered pin. The figure shown.
도면을 참조하면, 전계에 의해 플라즈마를 형성하는 하부전극(220)및 상부전극(미도시)과, 상기 하부전극(220)을 관통하며, 유리기판(222)을 지지하는 핀(225)과, 상기 핀(225)에 의해 관통되는 하부전극(220)의 내면에 형성되는 핀 가이드(228)와, 상기 핀(225)의 하부에 형성되며, 소정의 접촉면적을 구비한 보조판(227)과, 상기 보조판(227)과 자력에 의해 접착되고, 상기 핀(225)을 통해 유리기판(222)을 상승 또는 하강시키는 리프트 바(224)를 구비하여 구성된다.Referring to the drawings, a lower electrode 220 and an upper electrode (not shown) forming a plasma by an electric field, a pin 225 penetrating the lower electrode 220 and supporting a glass substrate 222, A pin guide 228 formed on an inner surface of the lower electrode 220 penetrated by the pin 225, an auxiliary plate 227 formed under the pin 225, and having a predetermined contact area; The lift plate 227 is attached to the auxiliary plate 227 by a magnetic force and raises or lowers the glass substrate 222 through the pin 225.
본 발명의 제 2실시예에서는 상기 보조판(227)과 리프트 바(228) 중 어느 하나를 자성체로 형성하게 되며, 둘 다 자성체로 형성할 수도 있다. 만일, 상기 보조판(227)과 리프트 바(228)중 어느 하나만 자성체로 형성한다면, 다른 하나는 자성체에 반응하여 접착되는 상자성체로 형성한다.In the second embodiment of the present invention, any one of the auxiliary plate 227 and the lift bar 228 is formed of a magnetic material, and both may be formed of a magnetic material. If only one of the auxiliary plate 227 and the lift bar 228 is formed of a magnetic material, the other is formed of a paramagnetic material bonded to the magnetic material.
상기 제 1실시예에서는 핀과 리프트 바를 자력에 의해 접착하지만, 제 2실시예에서는 상기 핀(225) 전체를 자성체로 형성하지 않고, 상기 핀(225)의 하부에 소정의 면적을 가지는 보조판(227)만을 자성체로 형성하여, 상기 리프트 바(228)와 자력에 의해 접착될 수 있는 면적을 충분히 확보한다. 따라서, 상기 보조판(227)을 통해 충분히 접착력을 확보한 상기 핀(225)은 좀더 안정되게 구동된다.In the first embodiment, the pin and the lift bar are bonded by magnetic force. In the second embodiment, the subplate 227 has a predetermined area under the pin 225 without forming the entire pin 225 as a magnetic material. ) Is formed of a magnetic material to sufficiently secure the area that can be adhered to the lift bar 228 by a magnetic force. Therefore, the pin 225, which is sufficiently secured through the auxiliary plate 227, is driven more stably.
한편, 도면을 참조하여 핀의 구동을 살펴보면, 상기 리프트 바(224)의 상승시, 상기 리프트 바(224)와 자력에 의해 접착되어 고정된 상기 보조판(227)에 의해 상기 핀(225)도 상승한다. 이 때, 상기 핀(225)에 의해 하면이 지지되는 유리기판(222)도 함께 상승한다.On the other hand, referring to the driving of the pin with reference to the drawing, when the lift bar 224, the pin 225 is also raised by the auxiliary plate 227 fixed and bonded to the lift bar 224 by a magnetic force do. At this time, the glass substrate 222 on which the lower surface is supported by the pin 225 also rises together.
그리고, 상기 리프트 바(224)의 하강시, 상기 리프트 바(224)와 자력에 의해 접착된 상기 보조판(227)에 의해 상기 핀(225)도 하강하며, 그 핀(225)에 지지된 유리기판(222)도 아울러 하강한다. 이 때, 하강하던 상기 핀(225)은 상기 핀(225)의 상부가 상기 핀 가이드(228)에 걸리면서 하강을 멈추지만, 상기 리프트 바(224)는 상기 핀(225)과 접촉이 떨어진 상태로 일정거리만큼 하강한 후 멈춘다.When the lift bar 224 is lowered, the pin 225 is also lowered by the auxiliary plate 227 bonded to the lift bar 224 by magnetic force, and the glass substrate supported by the pin 225 is lowered. (222) also descends. At this time, the pin 225, which was lowered, stops descending while the upper portion of the pin 225 is caught by the pin guide 228, but the lift bar 224 is in contact with the pin 225 After descending a certain distance, stop.
상기 보조판(227)과 리프트 바(224)는 자력에 의해 접착되어 고정되므로, 유리기판(222)의 무게에 의해 핀(225)이 기울어지는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 핀 가이드(228)에 낀 이물질과의 마찰이 발생해도 충분히 핀(225)을 상승 또는 하강시킬 수 있다.Since the auxiliary plate 227 and the lift bar 224 are bonded and fixed by magnetic force, the pin 225 may be prevented from being inclined by the weight of the glass substrate 222. Moreover, even if friction with the foreign matter caught in the pin guide 228 occurs, the pin 225 can be raised or lowered sufficiently.
한편, 상기 보조판(227) 자체를 자성체로 형성하는 대신, 상기 보조판(227)의 하면에 자성물질을 얇게 입혀서, 상기 리프트 바(224)와 자력에 의해 접촉시키는 방법도 가능하다.On the other hand, instead of forming the auxiliary plate 227 itself as a magnetic material, by applying a thin layer of magnetic material on the lower surface of the auxiliary plate 227, it is also possible to contact the lift bar 224 by magnetic force.
도5a 및 도5b는 본 발명의 제 3실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극 구조를 나타낸 도면이다. 이 때, 도5a는 핀이 상승된 상태를 나타낸 도면이고, 도5b는 핀이 하강된 상태를 나타낸 도면이다.5A and 5B illustrate a lower electrode structure of a chemical vapor deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention. At this time, Figure 5a is a view showing a state in which the pin is raised, Figure 5b is a view showing a state in which the pin is lowered.
도면에 도시된 바와 같이, 전계에 의해 플라즈마를 형성하기 위한 상부전극(미도시) 및 하부전극(320)과, 그 하부전극(320)을 관통하며, 유리기판(322)의 하면을 지지하는 핀(325)과, 상기 핀(325)에 의해 관통되는 하부전극(320)의 내면에 구비되는 핀 가이드(328)와, 상기 핀(325)의 하부와 맞물려 그 핀(325)을 고정하는 캡(cab, 229)과, 상기 캡(329)과 자력에 의해 접착되어, 상기 핀(325)을 통해 상기 유리기판을 상승 또는 하강시키는 리프트 바(324)를 구비하여 구성된다.As shown in the drawing, an upper electrode (not shown) and a lower electrode 320 for forming a plasma by an electric field, a pin penetrating the lower electrode 320 and supporting a lower surface of the glass substrate 322. 325, a pin guide 328 provided on an inner surface of the lower electrode 320 penetrated by the pin 325, and a cap for engaging the lower portion of the pin 325 to fix the pin 325. and a lift bar 324 attached to the cab 229 and the cap 329 by a magnetic force to raise or lower the glass substrate through the pin 325.
상기 캡(329)과 리프트 바(324) 중 적어도 하나가 자성체로 형성되며, 둘 다 자성체로 형성할 수도 있다. 이 때, 상기 캡(329)과 리프트 바(324) 중 하나만 자성체로 형성되면, 다른 하나는 상자성체로 형성한다. At least one of the cap 329 and the lift bar 324 may be formed of a magnetic material, and both may be formed of a magnetic material. At this time, if only one of the cap 329 and the lift bar 324 is formed of a magnetic material, the other is formed of a paramagnetic material.
한편, 상기 핀(325)의 하부를 상기 캡(329)의 홈에 삽입함으로써, 상기 핀(325)과 상기 캡(329)은 서로 맞물려서 고정된다. 그리고, 상기 캡(329)과 리프트 바(324)는 자력에 의해 접착된다. 따라서, 상기 리프트 바(324)에 의해 상기 캡(329)이 구동되면, 상기 핀(325)로 함께 구동된다.On the other hand, by inserting the lower portion of the pin 325 into the groove of the cap 329, the pin 325 and the cap 329 is engaged with each other and fixed. In addition, the cap 329 and the lift bar 324 are bonded by magnetic force. Thus, when the cap 329 is driven by the lift bar 324, it is driven together by the pin 325.
도면을 참조하여 상기 핀(225)의 구동을 살펴보면, 상기 리프트 바(324)가 상승하면, 상기 리프트 바(324)와 자력에 의해 접착된 상기 캡(329)과 그 캡(329)과 맞물려 있는 상기 핀(325)도 아울러 상승한다. 이 때, 상기 핀(325)에 의해 하면이 지지되는 유리기판(322)도 함께 상승하게 된다.Looking at the driving of the pin 225 with reference to the drawings, when the lift bar 324 is raised, the cap 329 and the cap 329 bonded by the lift bar 324 and the magnetic force is engaged The pin 325 also rises. At this time, the glass substrate 322 on which the lower surface is supported by the pin 325 is also raised.
그리고, 상기 리프트 바(324)가 하강하면, 그 리프트 바(324)와 자력에 의해 접착된 상기 캡(329)과 아울러 상기 캡(329)에 삽입되어 고정된 상기 핀(325)도 하강하며, 상기 핀(325)에 의해 하면이 지지되는 유리기판(322)도 하강한다. 이 때, 하강하던 상기 핀(325)은 상기 핀(325)의 상부가 상기 핀 가이드(328)에 걸리면서 하강을 멈추지만, 상기 리프트 바(324)는 상기 핀(325)과 접촉이 떨어진 상태로 일정거리를 하강한 후 멈춘다. 이와 같이, 상기 핀(325)과 리프트 바(324) 사이에 일정 간격을 둠으로써, 상기 유리기판(322)의 공정시 상기 리프트 바(324)의 유동이나 충격 등이 상기 핀(325)을 통해 상기 유리기판(322)에 전달되는 것을 방지하여 상기 유리기판(322)의 공정불량을 예방한다.When the lift bar 324 is lowered, the pin 3325 inserted into and fixed to the cap 329 as well as the cap 329 adhered to the lift bar 324 by magnetic force is lowered. The glass substrate 322 on which the lower surface is supported by the pin 325 is also lowered. At this time, the pin 325 that was lowered stops descending while the upper portion of the pin 325 is caught by the pin guide 328, but the lift bar 324 is in contact with the pin 325. Stop after descending a certain distance. As such, by providing a predetermined interval between the pin 325 and the lift bar 324, the flow or impact of the lift bar 324 during the process of the glass substrate 322 through the pin 325 It is prevented from being transferred to the glass substrate 322 to prevent a process defect of the glass substrate 322.
상술한 바와 같이 본 발명의 화학기상증착 장치는 핀과 리프트 바를 자력에 의해 접착함으로써, 핀이 기울어져 발생할 수 있는 마찰과 이물질과의 마찰로 인해 발생하는 핀의 상승 또는 하강 등의 불량을 방지함과 아울러, 핀에 의해 지지되는 유리기판의 상승 또는 하강구동을 안정적으로 수행하여, 유리기판에 수행되는 공정상 불량을 방지할 수 있다.As described above, the chemical vapor deposition apparatus of the present invention adheres the pin and the lift bar by magnetic force, thereby preventing defects such as the rising or falling of the pin caused by the friction between the pin and the foreign matter and the friction caused by the pin. In addition, by stably performing the up or down driving of the glass substrate supported by the pin, it is possible to prevent the process defects performed on the glass substrate.
도1은 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면.1 schematically shows a plasma chemical vapor deposition apparatus.
도2a는 핀이 상승된 상태를 보여주는 도면.Figure 2a shows a state in which the pin is raised.
도2b는 핀이 하강된 상태를 보여주는 도면.Figure 2b is a view showing a state in which the pin is lowered.
도2c는 핀과 리프트바가 분리된 상태를 보여주는 도면.Figure 2c is a view showing a state in which the pin and the lift bar is separated.
도3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 상승된 상태를 보여주는 도면.Figure 3a is a view showing a state in which the pin is raised in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 하강된 상태를 보여주는 도면.Figure 3b is a view showing a pin is lowered in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀과 리프트바가 분리된 상태를 보여주는 도면.Figure 3c is a view showing a state in which the pin and the lift bar separated in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도4a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 상승된 상태를 보여주는 도면.Figure 4a is a view showing a state in which the pin is raised in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
도4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 하강된 상태를 보여주는 도면.Figure 4b is a view showing a pin is lowered in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
도4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀과 리프트바가 분리된 상태를 보여주는 도면. Figure 4c is a view showing a state in which the pin and the lift bar separated in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
도5a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 상승된 상태를 보여주는 도면.Figure 5a is a view showing a state in which the pin is raised in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the third embodiment of the present invention.
도5b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀이 하강된 상태를 보여주는 도면.Figure 5b is a view showing a pin is lowered in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the third embodiment of the present invention.
도5c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학기상증착 장치의 하부전극구조에서 핀과 리프트바가 분리된 상태를 보여주는 도면.Figure 5c is a view showing a state in which the pin and the lift bar separated in the lower electrode structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the third embodiment of the present invention.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
120,220,320: 하부전극 122,222,322: 유리기판120,220,320: lower electrode 122,222,322: glass substrate
124,224,324: 리프트 바(lift bar) 125,225,325: 핀124,224,324: lift bar 125,225,325: pin
128,228,328: 핀 가이드 227: 보조판128,228,328: Pin Guide 227: Auxiliary Edition
329: 캡329: cap
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| KR (1) | KR20050042965A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764628B1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-10-08 | 주식회사 에스에프에이 | Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display |
| KR20190011851A (en) * | 2017-07-25 | 2019-02-08 | 세메스 주식회사 | Lift pin unit and Unit for supporting substrate |
| KR102069364B1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-01-22 | 주식회사 포스코 | Ultrasonic cleaning device |
-
2003
- 2003-11-04 KR KR1020030077626A patent/KR20050042965A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764628B1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-10-08 | 주식회사 에스에프에이 | Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display |
| KR20190011851A (en) * | 2017-07-25 | 2019-02-08 | 세메스 주식회사 | Lift pin unit and Unit for supporting substrate |
| US11139195B2 (en) | 2017-07-25 | 2021-10-05 | Semes Co., Ltd. | Lift pin unit and substrate supporting unit having the same |
| KR102069364B1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-01-22 | 주식회사 포스코 | Ultrasonic cleaning device |
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