KR20050042950A - Field emission device - Google Patents
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- H01J1/304—Field-emissive cathodes
Abstract
본 발명은 전계 방출 에미터로 탄소 나노 튜브를 사용하는 카운터 전극 언더게이트 구조에서 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 탄소 나노 튜브를 형성하고, 게이트 전극을 상기 캐소드 전극 좌우측 동일 평면상에 형성하여 고휘도와 화면의 균일성을 향상시키기에 적합한 전계 방출 소자에 관한 것으로, 하부 기판(유리기판) 상부에 순차적으로 형성된 게이트 라인 및 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극 좌우측의 동일 평면상에 형성되며 상기 절연층에 형성된 관통홀(via)을 통해 상기 게이트 라인과 연결된 게이트 전극과; 상기 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 형성된 탄소 나노 튜브(CNT)를 포함하여 구성함으로써, 탄소 나노 튜브에서 방출된 전자가 형광체 면을 골고루 여기시켜 휘도를 증가시키고, 화면의 균일성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In the counter electrode undergate structure using carbon nanotubes as field emission emitters, the present invention forms carbon nanotubes on the left and right upper or side surfaces of the cathode electrode, and forms the gate electrode on the same plane on the left and right sides of the cathode electrode. A field emission device suitable for improving a uniformity of a screen, the method comprising: a gate line and an insulating layer sequentially formed on a lower substrate (glass substrate), and a cathode electrode formed on the insulating layer; A gate electrode formed on the same plane on left and right sides of the cathode electrode and connected to the gate line through a through hole formed in the insulating layer; By including carbon nanotubes (CNT) formed on the left and right upper or side surfaces of the cathode electrode, electrons emitted from the carbon nanotubes uniformly excite the phosphor surface to increase brightness and improve screen uniformity. It works.
Description
본 발명은 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히 전계 방출 에미터로 탄소 나노 튜브를 사용하는 카운터 전극 언더게이트 구조에서 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 탄소 나노 튜브를 형성하고, 게이트 전극을 상기 캐소드 전극 좌우측 동일 평면상에 형성하여 고휘도와 화면의 균일성을 향상시키기에 적합한 전계 방출 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a field emission device, in particular, in a counter electrode undergate structure using carbon nanotubes as field emission emitters, carbon nanotubes are formed on the upper or side surfaces of the cathode electrode, and the gate electrode is formed on the left and right sides of the cathode electrode. It relates to a field emission device suitable for forming on the same plane to improve high brightness and uniformity of the screen.
정보통신 기술의 급속한 발달과 다양화되는 정보의 시각화 요구에 따라 전자 디스플레이의 수요는 더욱 증가하고, 요구되는 디스플레이 모습 또한 다양해 지고 있다. 그 예로 휴대형 정보기기와 같이 이동성이 강조되는 환경에서는 무게, 부피 및 소비전력이 작은 디스플레이가 요구되며, 대중을 위한 정보 전달매체로 사용되는 경우에는 시야각이 넓은 대화면의 디스플레이 특성이 요구된다. Due to the rapid development of information and communication technology and the demand for the visualization of diversified information, the demand for electronic displays is increasing and the required display appearance is also diversified. For example, in an environment where mobility is emphasized such as a portable information device, a display having a small weight, volume, and power consumption is required, and when used as an information transmission medium for the public, display characteristics of a large viewing angle are required.
또한, 이와 같은 요구를 만족시켜 나가기 위해 전자 디스플레이는 대형화, 저가격화, 고성능화, 고정세화, 박형화, 경량화 등의 조건이 필수적이어서, 이러한 요구사항을 만족시키기 위해서는 기존의 CRT를 대체할 수 있는 가볍고 얇은 평판 디스플레이 장치의 개발이 절실히 필요하게 되었다.In addition, in order to satisfy such demands, electronic displays require conditions such as large size, low price, high performance, high definition, thinness, and light weight, so that light and thin that can replace the existing CRT are required to satisfy these requirements. There is an urgent need for the development of flat panel display devices.
이러한 다양한 표시 소자의 요구에 따라 최근에는 전계 방출(field emission)을 이용한 소자가 디스플레이 분야에 적용되면서, 크기 및 전력 소모를 감소시키면서도 높은 해상도를 제공할 수 있는 박막 디스플레이의 개발이 활발해지고 있다.Recently, as the needs of various display devices have been applied to display fields, devices using field emission have been actively developed for thin film displays that can provide high resolution while reducing size and power consumption.
상기 전계 방출 소자는 현재 개발 혹은 양산중인 평판 디스플레이들(LCD와 PDP, VFD등)의 단점을 모두 극복한 차세대 정보 통신용 평판 디스플레이로 주목을 받고 있다. 전계 방출 소자는 전극 구조가 간단하고, CRT와 같은 원리로 고속동작이 가능하며, 무한대의 칼라, 무한대의 그레이 스케일, 높은 휘도, 높은 비디오(video rate) 속도 등 디스플레이가 가져야 할 장점들을 고루 갖추고 있다. The field emission device is attracting attention as a next-generation information communication flat panel display that overcomes all the disadvantages of flat panel displays (LCD, PDP, VFD, etc.) currently being developed or produced. The field emission device has a simple electrode structure, high-speed operation using the same principle as the CRT, and has the advantages of display such as infinite color, infinite gray scale, high brightness, and high video rate. .
전계 방출 소자는 진공 속의 금속 또는 도체 표면(에미터)상에 고전계가 인가될 때 전자들이 금속 또는 도체로부터 진공 밖으로 나오는 양자역학적 터널링 현상을 이용한 것이다. 이 때 소자는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 법칙에 의하여 전류-전압 특성을 나타내게 된다. 전계 방출 소자는 전자 방출 원인 에미터와 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 애노드부, 상하판 사이를 지지하는 스페이서, 그리고 진공기밀을 유지하기 위한 실링부 등으로 구성되어 있다. Field emission devices utilize quantum mechanical tunneling which causes electrons to exit the vacuum from the metal or conductor when a high field is applied on the metal or conductor surface (emitter) in the vacuum. At this time, the device exhibits the current-voltage characteristic according to the Fowler-Nordheim law. The field emission device is composed of an anode portion which emits an electron emission source and the emitted electrons collide with each other to emit light, a spacer supporting the upper and lower plates, and a sealing portion for maintaining a vacuum tightness.
최근 들어 탄소 나노 튜브(CNT)가 기계적으로 강하고, 화학적으로 상당히 안정하여 비교적 낮은 진공도에서 전자방출 특성이 우수한 이유로 인해 이를 이용한 전계 방출 소자의 중요성이 인식되고 있다. 이와 같은 탄소 나노 튜브는 작은 직경(약 1.0∼수십[nm])을 갖기 때문에 종래의 마이크로팁형(spindt형) 전계 방출 팁에 비해 전계 강화 효과(field enhancement factor)가 상당히 우수하여 전자방출이 낮은 임계 전계(turn-on field, 약 1∼5[V/㎛])에서 이루어질 수 있게 되므로, 전력손실 및 생산단가를 줄일 수 있는 장점이 있다. 종래 전계방출소자 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Recently, the importance of the field emission device using the carbon nanotubes (CNT) because of the mechanically strong, chemically stable and excellent electron emission characteristics at a relatively low vacuum degree has been recognized. Since such carbon nanotubes have a small diameter (about 1.0 to several tens of nanometers), the field enhancement factor is considerably superior to the conventional microtip type spin emission field emission tips, and thus the emission threshold is low. Since it can be made in a turn-on field (about 1 to 5 [V / μm]), there is an advantage of reducing power loss and production cost. Referring to the conventional field emission device and a method of manufacturing the same in detail with reference to the accompanying drawings as follows.
도1은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 3전극 구조에 대한 일 예의 단면도를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 실리콘기판(11) 상부에 순차적으로 저항층(12), 절연층(14) 및 게이트 전극(15)을 형성하고, 사진식각을 통해 게이트 전극(15) 및 절연층(14) 일부를 식각하여 홀을 형성한 다음 증착(evaporation)을 통해 홀 바닥의 저항층(12) 상부에 촉매전이금속층(13)을 형성하고, 실리콘기판(11) 전체를 600∼900[℃] 정도의 온도범위로 가열하여 탄화수소(hydrocarbon) 가스를 이용한 열(thermal) 화학기상증착 방법 또는 플라즈마(plasma) 화학기상증착 방법을 통해 촉매전이금속층(13) 상부에만 선택적으로 탄소 나노 튜브(16)를 형성한다.1 is a cross-sectional view of an example of a three-electrode structure of a field emission device using a conventional carbon nanotube. As shown, the resistive layer 12, the insulating layer 14, and the gate electrode 15 are sequentially formed on the silicon substrate 11, and the gate electrode 15 and the insulating layer 14 are formed by photolithography. After etching a portion to form a hole, the catalyst transition metal layer 13 is formed on the resistive layer 12 at the bottom of the hole through evaporation, and the entire silicon substrate 11 is about 600-900 [deg.] C. The carbon nanotubes 16 are selectively formed only on the catalyst transition metal layer 13 through a thermal chemical vapor deposition method using a hydrocarbon gas or a plasma chemical vapor deposition method by heating to a temperature range. .
이때, 상기 탄소 나노튜브(16)는 촉매전이금속층(13) 상부에만 선택적으로 형성되므로, 촉매전이금속층(13)의 면적이 클수록 탄소 나노 튜브(16)의 면적도 커진다. 이와 같이 탄소 나노 튜브(16)의 면적이 커지게 되면, 게이트 전극(15)을 통하여 가해지는 전계가 집중되지 않아 방출전자의 빔이 퍼지게 될 뿐만 아니라 전자방출영역도 고르지 못하여 전계가 제일 강한 홀의 주변에서만 국부적으로 전자방출이 일어날 가능성이 높고, 비대칭적인 전계 분포에 의해 게이트 전극(15)으로의 누설전류가 많은 문제점을 안고 있다.In this case, since the carbon nanotubes 16 are selectively formed only on the catalyst transition metal layer 13, the larger the area of the catalyst transition metal layer 13, the larger the area of the carbon nanotubes 16. As such, when the area of the carbon nanotubes 16 increases, the electric field applied through the gate electrode 15 is not concentrated, so that the beam of the emitted electrons is spread and the electron emission region is not even. Only the electron emission is likely to occur locally, and due to an asymmetric electric field distribution, the leakage current to the gate electrode 15 has many problems.
상기와 같은 문제점을 개선하기 위해서 게이트 전극의 위치를 캐소드 전극과 같거나 더욱 낮은 위치에 형성한 탄소 나노 튜브 전계 방출 소자의 구조들이 제시되었다.In order to solve the above problems, structures of the carbon nanotube field emission device having the gate electrode positioned at the same or lower position than the cathode electrode have been proposed.
도2는 종래 탄소 나노 튜브를 이용한 언더게이트(under gate) 구조의 전계 방출 소자에 대한 일 예의 단면도를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 전자 방출을 일으키는 전기장을 탄소 나노 튜브(24)의 하부에 있는 게이트 전극(21)으로 인가하는 방식이다. 이는 유리기판(20) 상부에 게이트 전극(21)을 형성한 후 그 상부에 차례로 절연층(22), 캐소드 전극(23)을 형성한 다음, 상기 캐소드 전극(23) 상부에 탄소 나노 튜브 혼합 슬러리를 스크린 프린팅법 등으로 도포하고 일련의 바인더 제거공정을 통해 탄소 나노 튜브(24)를 형성한다.2 is a cross-sectional view of an example of a field emission device having an under gate structure using a conventional carbon nanotube. As shown, the electric field causing the electron emission is applied to the gate electrode 21 under the carbon nanotube 24. The gate electrode 21 is formed on the glass substrate 20, and the insulating layer 22 and the cathode electrode 23 are sequentially formed on the glass substrate 20, and then the carbon nanotube mixed slurry is formed on the cathode electrode 23. Is applied by screen printing or the like to form a carbon nanotube 24 through a series of binder removal processes.
하지만, 언더게이트 구조의 전계 방출 소자는 게이트 전극(21)이 캐소드 전극(24) 하부에 위치하기 때문에 턴온 전압이 상대적으로 높은 단점이 있으며 이후 형성되는 상판 애노드 전극(미도시)의 고압에 의해 이상 발광이 나타날 수 있다는 문제점이 있다. However, the field emission device of the undergate structure has a disadvantage in that the turn-on voltage is relatively high because the gate electrode 21 is positioned below the cathode electrode 24, and is abnormal due to the high pressure of the upper anode electrode (not shown). There is a problem that light emission may appear.
도3은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 카운터 전극 언더게이트 구조 전계 방출 소자의 평면도 및 단면도를 도시한 것으로, 도2와는 달리 하부 게이트 라인(31) 상부 절연층(32)에 관통홀(via)을 형성하여 게이트 전극(34)을 캐소드 전극(33)과 동일 평면상에 형성한 구조이다. 도시된 바와 같이, 게이트 전극(34)과 캐소드 전극(33)이 동일 평면상에 형성되는 구조로서, 탄소 나노 튜브(35)에서 전자 방출이 일어나는 턴온 전압이 낮아서 구동 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다. 이러한 구조는 캐소드 전극(33) 하부를 지나는 게이트 라인(31)이 상기 캐소드 전극(33)과 동일 평면상에 위치하기 위해서는 노광 및 식각 공정을 부가하여 상기 게이트 라인(31)의 일부가 노출되도록 절연층(32)에 관통홀(via)을 형성하고, 그 부분을 금속으로 채워야 한다.3 is a plan view and a cross-sectional view of a counter electrode undergate structure field emission device using a conventional carbon nanotube, and unlike FIG. 2, through holes are formed in the upper insulating layer 32 of the lower gate line 31. Thus, the gate electrode 34 is formed on the same plane as the cathode electrode 33. As shown in the drawing, the gate electrode 34 and the cathode electrode 33 are formed on the same plane, and the turn-on voltage at which the electron emission occurs in the carbon nanotube 35 is low, and thus the driving voltage can be lowered. . This structure insulates a portion of the gate line 31 by exposing and etching processes so that the gate line 31 passing under the cathode electrode 33 is coplanar with the cathode electrode 33. A through hole must be formed in layer 32 and the part filled with metal.
하지만, 상기 탄소 나노 튜브에서 방출된 전자는 고전압이 인가된 애노드 전극(미도시)으로 진행할 때 전자 빔의 휨이 심하게 왜곡되어 인접 셀간의 누화(cross talk)를 발생시키다.However, when the electrons emitted from the carbon nanotubes proceed to the anode electrode (not shown) to which a high voltage is applied, the warpage of the electron beam is severely distorted to generate cross talk between adjacent cells.
또한, 전자 빔의 왜곡으로 인하여 형광체가 도포된 영역 중 특정 영역에만 전자를 방출시켜 균일성(uniformity)을 저해시킨다. 특히 한쪽의 에지 효과를 이용하는 경우는 도4에 도시한 일 예와 같이, 전자 빔의 궤적이 한쪽으로 치우쳐 형광체의 전체 면을 여기시키지 못하고 일부 영역만 여기시켜 휘도의 효율성 면이나 균일성 면에서 여러 가지 문제가 생기게 된다.In addition, due to the distortion of the electron beam, electrons are emitted only to a specific region of the phosphor-coated region, thereby impairing uniformity. In particular, when one edge effect is used, as in the example shown in FIG. 4, the trajectory of the electron beam is biased to one side to excite the entire surface of the phosphor, and excites only a partial region, thereby reducing the luminance efficiency and uniformity. There are some problems.
상기와 같이 종래 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자는 탄소 나노 튜브에서 방출된 전자가 고전압이 인가된 애노드 전극으로 진행될 때 전자 빔의 휨이 심하게 왜곡되어 인접 셀간의 누화를 발생시키는 문제점이 있었다.As described above, the field emission device of the conventional counter electrode undergate structure has a problem in that the warpage of the electron beam is severely distorted when electrons emitted from the carbon nanotubes proceed to the anode electrode to which a high voltage is applied, thereby causing crosstalk between adjacent cells.
또한, 전자 빔의 궤적이 한쪽으로 치우쳐 형광체의 전체 면을 여기시키지 못하고 일부 영역만 여기시켜 휘도의 효율성과 균일성이 저해되는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that the trajectory of the electron beam is biased to one side to excite the entire surface of the phosphor and to excite only a partial region, thereby impairing the efficiency and uniformity of luminance.
따라서, 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 캐소드 전극과 그 캐소드 전극 좌우측의 동일 평면상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 탄소 나노 튜브를 형성함으로써, 탄소 나노 튜브에서 방출된 전자가 형광체 면을 골고루 여기시켜 휘도를 증가시키고, 화면의 균일성을 향상시키기에 적합한 전계 방출 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, in view of the above problems, the present invention forms a gate electrode on the same plane between the cathode electrode and the left and right sides of the cathode electrode, and forms the carbon nanotubes on the left and right sides or the left side of the cathode electrode, thereby releasing the carbon nanotubes. The purpose is to provide a field emission device suitable for electrons to uniformly excite the phosphor surface to increase brightness and improve screen uniformity.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 하부 기판(유리기판) 상부에 순차적으로 형성된 게이트 라인 및 절연층과; 상기 절연층 상부에 형성된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극 좌우측의 동일 평면상에 형성되며 상기 절연층에 형성된 관통홀(via)을 통해 상기 게이트 라인과 연결된 게이트 전극과; 상기 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 형성된 탄소 나노 튜브(CNT)를 포함하여 구성한 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a gate line and the insulating layer formed sequentially on the lower substrate (glass substrate); A cathode electrode formed on the insulating layer; A gate electrode formed on the same plane on left and right sides of the cathode electrode and connected to the gate line through a through hole formed in the insulating layer; It characterized in that it comprises a carbon nanotube (CNT) formed on the upper left or right and left sides of the cathode electrode.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명 전계 방출 소자에 대한 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.With reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the field emission device of the present invention having the above characteristics will be described in detail.
본 발명은 탄소 나노 튜브를 전계 방출 에미터로 사용하는 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자에서 구동전압을 인가되는 게이트 전극를 캐소드 전극 좌우측에 형성하고, 전자를 방출하는 탄소 나노 튜브(CNT)를 상기 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 형성하여 구동 시 탄소 나노 튜브에서 방출되는 전자가 애노드 전극 상에 형성된 형광체의 전체 면적을 여기시켜 휘도 및 균일성을 증가시키는 것을 그 요지로 한다.The present invention forms a gate electrode to which a driving voltage is applied to the left and right sides of a cathode electrode in a field emission device having a counter electrode undergate structure using a carbon nanotube as a field emission emitter, and forms a carbon nanotube (CNT) for emitting electrons. The main point is that the electrons emitted from the carbon nanotubes formed on the left and right upper or side surfaces of the cathode electrode excite the entire area of the phosphor formed on the anode electrode to increase the brightness and uniformity.
도5는 본 발명 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자로 구성된 표시장치의 매트릭스 구조를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 다수의 게이트 라인(D1~Dm)과 캐소드 라인(Scan 1 ~ Scan N)이 서로 직교하여 형성되며, 하나의 셀(cell)은 캐소드 라인(43) 좌우측에 형성되고, 하부에 형성된 게이트 라인(41)과 연결된 두 개의 게이트 전극(44)과, 상기 캐소드 라인(또는 캐소드 전극)(43)의 좌우측 상부 또는 측면에 형성된 두 개의 탄소 나노 튜브(CNT)(45)로 구성된다.FIG. 5 shows a matrix structure of a display device composed of a field emission element of the counter electrode undergate structure of the present invention. As shown, a plurality of gate lines D 1 to D m and cathode lines Scan 1 to Scan N are formed to be orthogonal to each other, and one cell is formed on the left and right sides of the cathode line 43, It consists of two gate electrodes 44 connected to the gate line 41 formed at the bottom, and two carbon nanotubes (CNT) 45 formed on the upper or side of the left and right sides of the cathode line (or cathode electrode) 43. do.
도6은 도5에 도시한 셀에 대한 단면도를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 하부 기판(유리기판)(40) 상에 형성된 게이트 라인(41)과, 상기 게이트 라인(41) 상부에 다수의 관통홀(via)이 형성된 절연층(42)과, 상기 절연층(42) 상부에 형성된 캐소드 전극(43)과, 상기 캐소드 전극(43) 좌우측의 동일 평면상에 형성되며 상기 절연층(42)에 형성된 다수의 관통홀을 통해 상기 게이트 라인(41)과 연결된 두 개의 게이트 전극(44)과, 상기 캐소드 전극(43)의 좌우측 상부 또는 측면에 형성된 다수의 탄소 나노 튜브(CNT)(45)를 포함하여 구성한다.FIG. 6 shows a cross-sectional view of the cell shown in FIG. As shown, the gate line 41 formed on the lower substrate (glass substrate) 40, the insulating layer 42 having a plurality of through holes formed on the gate line 41, and the insulation A cathode electrode 43 formed on the layer 42 and a plurality of through holes formed in the insulating layer 42 and formed on the same plane on the left and right sides of the cathode electrode 43 and connected to the gate line 41. It includes two gate electrodes 44 and a plurality of carbon nanotubes (CNTs) 45 formed on the left and right upper and side surfaces of the cathode electrode 43.
이렇게 형성된 본 발명의 전계 방출 소자의 캐소드 전극(43)과 게이트 전극(44)에 구동 전압을 인가하면 캐소드 전극(43) 좌우측 에지에 형성된 탄소 나노 튜브(45)에서 전자(e)가 방출되고, 그 방출된 전자(e)들은 애노드 전극(47)에 인가된 고전압에 의해 애노드 전극(47)쪽으로 가속된다. 이때, 가속된 전자들은 형광체(46)에 충돌하고, 그 충돌로 인해 형광체(46)에 포함된 전자를 여기시켜 발광시키는데, 종래 전계 방출 소자와는 달리 본 발명은 탄소 나노 튜브(45)에서 방출된 전자가 형광체(46)의 전체 면적과 충돌하기 때문에 휘도가 증가되고, 균일성이 증가된다.When a driving voltage is applied to the cathode electrode 43 and the gate electrode 44 of the field emission device according to the present invention, electrons e are emitted from the carbon nanotubes 45 formed at the left and right edges of the cathode electrode 43. The emitted electrons e are accelerated toward the anode electrode 47 by the high voltage applied to the anode electrode 47. At this time, the accelerated electrons collide with the phosphor 46, and the collision excites the electrons contained in the phosphor 46 to emit light. Unlike the conventional field emission device, the present invention emits from the carbon nanotube 45. Since the electrons collide with the entire area of the phosphor 46, the brightness is increased and the uniformity is increased.
그럼, 이러한 본 발명의 전계 방출 소자를 제조하는 과정에 대해 설명하면 다음과 같다.Then, the process of manufacturing the field emission device of the present invention will be described.
먼저, 하부 기판(40) 상부에 도전층을 형성하고 패터닝하여 게이트 라인(41)을 형성한다. 여기서, 상기 게이트 라인(41)은 게이트 전극(44)을 연결하는 공통 라인의 역할을 하게 된다.First, the conductive layer is formed and patterned on the lower substrate 40 to form the gate line 41. In this case, the gate line 41 serves as a common line connecting the gate electrode 44.
상기 형성된 구조물 상부 전면에 절연층(42)을 형성한 후 상기 게이트 라인(41)의 일부가 노출되도록 상기 절연층(42)을 식각하여 다수의 관통홀(via)을 형성한다.After the insulating layer 42 is formed on the entire upper surface of the formed structure, the insulating layer 42 is etched to expose a portion of the gate line 41 to form a plurality of through holes.
상기 구조물 상부에 도전층을 형성하여 상기 절연층(42)에 형성된 다수의 관통홀(via)을 채우고, 그 상부에 다시 도전층을 형성한 후 패터닝하여 캐소드 전극(43)과 그 캐소드 전극(43) 좌우측에 상기 관통홀을 통해 게이트 라인(41)과 연결되는 두 개의 게이트 전극(44)을 형성한다.The conductive layer is formed on the structure to fill a plurality of through holes formed in the insulating layer 42, the conductive layer is formed on the upper portion, and then patterned to form the cathode electrode 43 and the cathode electrode 43. Two gate electrodes 44 connected to the gate line 41 through the through holes are formed at left and right sides thereof.
상기 형성된 캐소드 전극(43)의 좌우측 상부 또는 측면에 탄소 나노 튜브(45)를 형성하는데, 상기 탄소 나노 튜브는 스크린 프린팅법 등으로 형성될 수 있다.Carbon nanotubes 45 are formed on the left and right upper and side surfaces of the formed cathode electrode 43, and the carbon nanotubes may be formed by screen printing or the like.
이러한 과정을 통해 형성된 본 발명 전계 방출 소자의 탄소 나노 튜브에서 방출되는 전자는 도7에 도시된 바와 같이, 형광체의 일부 영역이 아닌 전체 영역으로 방출되기 때문에 형광체의 전체 면적이 여기되어 휘도가 증가하고, 균일성이 향상된다.Since the electrons emitted from the carbon nanotubes of the field emission device of the present invention formed through this process are emitted to the entire region instead of a partial region of the phosphor, as shown in FIG. 7, the entire area of the phosphor is excited to increase luminance. , Uniformity is improved.
상기에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 캐소드 전극과 그 캐소드 전극 좌우측의 동일 평면상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 캐소드 전극의 좌우측 상부 또는 측면에 탄소 나노 튜브를 형성함으로써, 탄소 나노 튜브에서 방출된 전자가 형광체 면을 골고루 여기시켜 휘도를 증가시키고, 화면의 균일성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention forms a gate electrode on the same plane between the cathode electrode and the left and right sides of the cathode electrode, and forms carbon nanotubes on the upper or side surfaces of the cathode electrode, thereby forming electrons emitted from the carbon nanotubes. By uniformly exciting the surface of the phosphor to increase the brightness, there is an effect to improve the uniformity of the screen.
도1은 종래 탄소 나노 튜브를 이용한 3전극 전계 방출 소자에 대한 일 예를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing an example of a three-electrode field emission device using a conventional carbon nanotube.
도2는 종래 탄소 나노 튜브를 이용한 언더게이트 구조의 전계 방출 소자에 대한 일 예를 도시한 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing an example of the field emission device of the undergate structure using a conventional carbon nanotube.
도3은 종래 탄소 나노 튜브를 이용한 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자에 대한 일 예를 도시한 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing an example of the field emission device of the counter electrode undergate structure using a conventional carbon nanotube.
도4는 도3에 도시한 전계 방출 소자의 전자 빔 궤적을 도시한 예시도.4 is an exemplary diagram showing an electron beam trajectory of the field emission device shown in FIG.
도5는 본 발명 탄소 나노 튜브를 이용한 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자로 이루어진 매트릭스 구조.Figure 5 is a matrix structure consisting of a field emission device of the counter electrode undergate structure using the carbon nanotube of the present invention.
도6은 본 발명 탄소 나노 튜브를 이용한 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자에 대한 일 예를 도시한 단면도.6 is a cross-sectional view showing an example of the field emission device of the counter electrode undergate structure using the carbon nanotube of the present invention.
도7은 본 발명 전계 방출 소자에서 방출되는 전자 빔 궤적을 도시한 예시도.7 is an exemplary diagram showing an electron beam trajectory emitted from a field emission device of the present invention.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
40:하부기판 41:게이트 라인40: lower substrate 41: gate line
42:절연층 44:캐소드 전극42: insulating layer 44: cathode electrode
44:게이트 전극 45:탄소 나노 튜브44: gate electrode 45: carbon nanotube
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