KR100869792B1 - Field emission display device - Google Patents
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Abstract
에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터의 수명을 연장시키고, 각 화소의 전자 방출 특성을 균일하게 하여 화소간 발광 특성을 균일화하는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 제1 기판 상의 절연막 하부에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과; 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와; 캐소드 전극 사이에서 캐소드 전극과 임의의 간격을 두고 형성되는 대향 전극을 포함하며, 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차하는 각 화소마다 에미터가 캐소드 전극 내부에 복수개로 구비되고, 대향 전극이 캐소드 전극과 임의의 간격을 가지며 캐소드 전극 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부를 구비하여 각각의 전계 인가부가 하나 이상의 에미터와 대향 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.A field emission display device for reducing the current load applied to the emitter to extend the lifetime of the emitter, and to uniform the emission characteristics of each pixel by uniformizing the electron emission characteristics of each pixel. Gate electrodes formed in a pattern; Cathode electrodes formed on the insulating film in a stripe pattern orthogonal to the gate electrode; An emitter connected to the cathode electrode; A counter electrode is formed between the cathode electrodes at an arbitrary distance from the cathode electrode. A plurality of emitters are provided inside the cathode electrode for each pixel at which the gate electrode and the cathode electrode intersect, and the counter electrode is disposed at the cathode electrode. Provided is a field emission display device having a plurality of field application portions having a spacing therebetween and extending toward the inside of the cathode electrode, each field application portion facing one or more emitters.
전계방출, 에미터, 캐소드전극, 게이트전극, 애노드전극, 그리드, 대향전극Field emission, emitter, cathode, gate electrode, anode electrode, grid, counter electrode
Description
도 1과 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.1 and 5 are partial cross-sectional views of a field emission display device according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.FIG. 2 is a partial plan view of the rear substrate shown in FIG. 1.
도 3은 도 2의 I-I선 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 2.
도 4는 에미터의 다른 실시예를 도시한 후면 기판의 부분 단면도이다.4 is a partial cross-sectional view of a back substrate showing another embodiment of the emitter.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도이다.6 is a partial plan view of a rear substrate of a field emission display device according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 6.
도 8은 에미터의 다른 실시예를 도시한 캐소드 전극의 부분 사시도이다.8 is a partial perspective view of a cathode electrode showing another embodiment of the emitter.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.9 is a partial cross-sectional view of a field emission display device according to a second embodiment of the present invention.
본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 카본계 물질로 이루어진 에미터와, 게이트 전극의 전계를 절연막 상부로 끌어올리는 대향 전 극을 구비한 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 저전압(대략, 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 방출하는 카본계 물질, 특히 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube)를 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원인 에미터를 평탄하게 형성하는 기술을 적용하고 있다.Recently, field emission displays (FEDs) use carbon-based materials that emit electrons at low voltage (approximately, 10 to 100V) driving conditions, particularly screen printing using carbon nanotubes (CNT). The technology is applied to form an emitter, which is an electron emission source, through a thick film process.
상기한 전계 방출 표시장치가 캐소드, 애노드 및 게이트 전극을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 에미터의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극을 후면 기판 상의 절연막 하부에 배치하고, 절연막 상부에 캐소드 전극과 에미터를 배치함과 아울러, 후면 기판에 대향하는 전면 기판의 일면에 애노드 전극과 형광막을 형성한 구성이 공지되어 있다. 이 때, 에미터는 각 화소별로 캐소드 전극의 일측 가장자리 위에 정렬된다.When the field emission display device has a triode structure having a cathode, an anode, and a gate electrode, a gate electrode for inducing electron emission of the emitter is disposed under the insulating film on the rear substrate, and the cathode electrode and the emi over the insulating film. It is known to arrange an anode and to form an anode electrode and a fluorescent film on one surface of the front substrate facing the rear substrate. In this case, the emitters are arranged on one side edge of the cathode electrode for each pixel.
이로서 캐소드 전극과 게이트 전극에 소정의 구동 전압이 인가되면, 캐소드 전극과 게이트 전극 사이의 전위 차에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되어 에미터로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자는 애노드 전극에 인가된 고전압에 이끌려 해당 형광막을 발광시키게 된다.Thus, when a predetermined driving voltage is applied to the cathode electrode and the gate electrode, an electric field is formed around the emitter by the potential difference between the cathode electrode and the gate electrode, and electrons are emitted from the emitter, and the emitted electrons are applied to the anode electrode. The high voltage causes the fluorescent film to emit light.
상기한 구성의 전계 방출 표시장치는 전자 방출원인 에미터가 후면 기판의 최상부에 위치하므로, 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 용이하게 진행할 수 있어 표시장치의 제조 공정이 비교적 간편하고, 대면적 표시장치 제작이 용이한 장점을 갖는다.In the field emission display device having the above-described configuration, since the emitter, which is the electron emission source, is located on the top of the rear substrate, a thick film process such as screen printing can be easily performed. This has the advantage of being easy.
그러나 전술한 구조에서는 각 화소별로 캐소드 전극의 일측 가장자리에 하나 의 에미터가 위치하고, 각 에미터의 가장자리에 강한 전계가 인가되어 에미터의 가장자리로부터 전자가 방출되기 때문에, 각 에미터에 인가되는 전류 부하(current load)가 매우 커서 고전류 영역에서 에미터의 수명이 단축되는 단점이 있다.However, in the above-described structure, one emitter is positioned at one edge of the cathode electrode for each pixel, and a strong electric field is applied to the edge of each emitter to emit electrons from the edge of the emitter, so that the current is applied to each emitter. The current load is very large, which shortens the life of the emitter in the high current region.
더욱이 전술한 구조에서는 각 화소별로 1개 에미터의 가장자리로부터 전자가 방출되므로, 에미터의 전자 방출 특성이 불균일하여 화소간 발광 특성을 균일하게 설정하기 어렵고, 그 결과 화질이 저하되는 문제를 안고 있다.Furthermore, in the above structure, since electrons are emitted from the edge of one emitter for each pixel, the electron emission characteristics of the emitter are nonuniform, making it difficult to uniformly set the inter-pixel emission characteristics, and as a result, image quality is deteriorated. .
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터의 수명을 연장시키며, 각 화소의 전자 방출 특성을 균일하게 하여 화소간 발광 특성을 균일화하는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to reduce the current load applied to the emitter to extend the lifetime of the emitter, and to uniform the electron emission characteristics of each pixel to improve the inter-pixel emission characteristics. To provide a uniform field emission display device.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,
제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과, 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와, 캐소드 전극 사이에서 캐소드 전극과 임의의 간격을 두고 형성되는 대향 전극을 포함하며, 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차하는 각 화소마다 에미터가 캐소드 전극 내부에 복수개로 구비되고, 대향 전극이 캐소드 전극과 임의의 간격을 가지며 캐소드 전극 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부를 구비하여 각각의 전계 인가부가 하나 이상의 에미터와 대향 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.Gate electrodes formed in a stripe pattern on the first substrate, an insulating film formed on the entire surface of the first substrate while covering the gate electrodes, cathode electrodes formed in a stripe pattern orthogonal to the gate electrode on the insulating film, and a cathode An emitter connected to the electrode and a counter electrode formed at a predetermined interval between the cathode and the cathode; and a plurality of emitters are provided in the cathode for each pixel where the gate electrode and the cathode cross each other. The counter electrode includes a plurality of field applying parts extending at an arbitrary distance from the cathode electrode and extending toward the inside of the cathode to provide a field emission display device in which each field applying part is disposed to face one or more emitters.
상기 에미터와 전계 인가부는 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 형성되며, 이 경우 캐소드 전극은 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 복수개의 절개부를 구비하고, 각 절개부의 장변측에 에미터들이 연결 설치된다.The emitter and the field applying unit are formed along a direction perpendicular to the longitudinal direction of the cathode electrode, in which case the cathode electrode has a plurality of cutouts in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the cathode electrode on one side edge facing the opposite electrode; The emitters are connected to the long side of each incision.
그리고 대향 전극은 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부를 구비하며, 전계 인가부는 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 절개부를 향해 연장 형성된다.In addition, the counter electrode includes a conductive part connected to the gate electrode through a via hole formed in the insulating layer, and the electric field applying part extends from the one side edge of the conductive part facing the cathode to the cutout part.
이 때, 에미터들은 각 절개부의 장변측에 인접한 캐소드 전극 위에 형성되거나, 각 절개부의 장변측을 따라 절개부 내에 형성되어 에미터의 측면이 캐소드 전극의 측면과 접촉하도록 한다.At this time, the emitters are formed on the cathode electrode adjacent to the long side of each cutout, or are formed in the cutout along the long side of each cutout so that the side of the emitter is in contact with the side of the cathode electrode.
다른 한편으로, 상기 에미터와 전계 인가부는 캐소드 전극의 길이 방향과 평행하게 형성되며, 이 경우 캐소드 전극은 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 제1 절개부를 형성하고, 제1 절개부로부터 캐소드 전극의 길이 방향과 평행한 복수개의 제2 절개부를 형성하며, 제2 절개부의 어느 한 장변측에 에미터들이 연결 설치된다.On the other hand, the emitter and the electric field applying portion is formed parallel to the longitudinal direction of the cathode electrode, in which case the cathode electrode is formed on the one edge facing the opposite electrode in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the cathode electrode In addition, a plurality of second cutouts parallel to the longitudinal direction of the cathode electrode are formed from the first cutout, and emitters are connected to one long side of the second cutout.
그리고 대향 전극은 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부와, 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 제1 절개부를 향해 연장된 연결부를 구비하며, 전계 인가부가 제2 절개부를 향하는 연결부의 일측 가장자리에서 제2 절개부를 향해 연장 형성된다.The counter electrode includes a current-carrying part connected to the gate electrode through a via hole formed in the insulating film, and a connection part extending from the one side edge of the current-carrying part facing the cathode to the first incision, and the field application part facing the second incision. It extends toward the second incision at one edge of the connecting portion.
상기 에미터는 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지며, 바람직하게 0.01∼1010Ωcm의 비저항 값을 갖는다.The emitter is made of any one or a combination of carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon, C 60 (fulleren), preferably has a resistivity value of 0.01 to 10 10 Ωcm.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.1 is a partial cross-sectional view of a field emission display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial plan view of the back substrate shown in FIG. 1.
도시한 바와 같이, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하, 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하, 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.As illustrated, the field emission display device is referred to as a first substrate (hereinafter referred to as a "back substrate" for convenience) and a second substrate (hereinafter referred to as a "front substrate" for convenience) disposed at an arbitrary interval to have an internal space portion. ), The
보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 투명한 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2)의 전면에 투명한 절연막(8)이 위치한다. 그리고 절연막(8) 위에는 불투명한 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.More specifically, the
본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 각 화소마다 캐소드 전극(10)과 연결되는 복수개의 에미터(12)가 캐소드 전극(10) 내부에 형성되며, 캐소드 전극(10)과 임의의 간격을 두고 게이트 전극(6)의 전계를 절연막 상부로 끌어올리는 하나의 대향 전극(14)이 위치한다.In the present exemplary embodiment, when the pixel area of the field emission display device is defined as an intersection area between the
이 때, 대향 전극(14)은 캐소드 전극(10) 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부(14A)를 구비하여 전계 인가부(14A)가 하나 이상의 에미터(12)와 대향하도록 한다.At this time, the
본 발명에서 상기 에미터(12)는 카본계 물질, 일례로 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 또는 이들의 조합 물질로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다. 그리고 상기 에미터(12)는 임의의 자체 저항, 바람직하게 0.01∼1010Ωcm의 비저항 값을 갖는다.In the present invention, the
보다 구체적으로, 상기 캐소드 전극(10)은 대향 전극(14)과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 수직한 방향으로 장변을 갖는 장방형의 절개부(16)를 하나 이상, 바람직하게 2개로 형성하고, 각 절개부(16)의 장변측과 인접한 캐소드 전극(10) 상에 에미터(12)를 배치하여 각 화소별로 4개의 에미터(12)를 배치한다.More specifically, the
그리고 대향 전극(14)은 절연막(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 연결되는 통전부(14B)와, 캐소드 전극(10)을 향하는 통전부(14B)의 일측 가장자리에서 절개부(16)를 향해 연장된 한쌍의 전계 인가부(14A)로 이루어진다. 이로서 전계 인가부(14A)는 각 절개부(16)의 장변측에 마련된 2개의 에미터(12)와 대향하며, 각각의 전계 인가부(14A)는 캐소드 전극(10) 및 에미터(12)와 통전되지 않도록 이들 부재들과 3㎛ 이상의 간격을 유지한다.The
이 때, 에미터(12)는 도 3에 도시한 바와 같이 각 절개부(16)의 장변측에 인접한 캐소드 전극(10) 상에 형성될 수 있으며, 다른 실시예로서 도 4에 도시한 바와 같이 각 절개부(16)의 장변측을 따라 절개부(16) 내에 형성되어 에미터(12)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다.In this case, the
한편, 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(4)의 일면에는 투명한 애노드 전극(18)과 더불어 게이트 전극 방향(도면의 X 방향)을 따라 R, G, B 형광막들(20)이 임의의 간격을 두고 위치하며, 각각의 R, G, B 형광막(20) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(22, 도 5 참고)이 위치한다.Meanwhile, R, G, and B
더욱이 형광막(20)과 블랙 매트릭스막(22) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(24)이 위치할 수 있다. 이 금속 박막층(24)은 전계 방출 표시장치의 내전압 특성과 휘도 향상에 도움을 주는 역할을 한다.Furthermore, the metal
이와 같이 구성되는 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은 캐소드 전극(10)과 형광막(20)이 직교하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 실링 물질에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성하게 된다.The
아울러, 전면 기판(4)과 후면 기판(2)이 형성하는 진공 용기 내부에는 다수의 홀(26a)을 갖는 메쉬 형태의 그리드(26)가 배치된다. 이 그리드(26)는 진공 용 기 내에서 아킹이 발생하는 경우, 그 피해가 후면 기판(2)으로 향하지 않도록 하며, 에미터(12)에서 방출된 전자들을 집속시키는 역할을 한다.In addition, a
이 때, 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에 다수의 상부 스페이서(28)가 배치되어 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시키며, 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에 다수의 하부 스페이서(30)가 배치되어 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.In this case, a plurality of
상기한 전계 방출 표시장치는 도 5에 도시한 바와 같이, 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10), 그리드(26) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십V의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십V의 (-)전압이, 그리드(26)에는 수십∼수백V의 (+)전압이, 그리고 애노드 전극(18)에는 수백∼수천V의 (+)전압이 인가된다.As shown in FIG. 5, the field emission display device is driven by supplying a predetermined voltage to the
이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12)로부터 전자가 방출되는데, 본 실시예에서 에미터(12)는 각 화소별로 4개가 구비되고, 대향 전극(14)의 전계 인가부(14A)가 2개 에미터(12)의 가장자리에 대향 배치되어 있으므로, 전계 인가부(14A)에 의해 4개 에미터(12)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 전자가 동시에 방출된다.As a result, an electric field is formed around the
따라서 본 실시예는 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 전계 방출 표시장치의 구동 전압을 낮추는 효과를 갖는다. 더욱이 본 실시예는 에미터(12)의 전자 방출 특성을 균일화하여 화소간 발광 특성을 균일하게 하고, 각 에미터(12)에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터(12)의 수명을 연장시키는 효과를 갖는다.Therefore, the present embodiment has the effect of increasing the amount of electron emission to improve the brightness of the screen and to lower the driving voltage of the field emission display. Furthermore, the present embodiment has the effect of uniformizing the electron emission characteristics of the
한편, 에미터(12)에서 전자가 방출되는 부분을 에미션 사이트(emission site)라 할 때, 에미션 사이트는 에미터(12)의 가장자리를 따라 존재하며, 각각의 에미션 사이트는 형태상 미소한 차이를 갖게 된다. 이 경우, 에미션 사이트에 같은 전계가 인가되어도 형상 특성에 따라 전자 방출이 불균일하게 된다.On the other hand, when the portion where the electrons are emitted from the
그러나 상기 에미터(12)가 전술한 범위의 비저항 값을 가짐에 따라, 에미터(12) 자체가 저항층의 역할을 수행한다고 볼 수 있다. 즉, 캐소드 전극(10)의 끝단에서 에미션 사이트까지 저항으로 연결되어 있다고 가정할 수 있다.However, as the
이로서 방출 전류가 많은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 줄어들게 되어 전자 방출량이 감소하고, 방출 전류가 적은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 없거나 적게 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 유지됨에 따라 상대적으로 두 에미션 사이트간 전자 방출량 차이가 줄어들게 된다. 따라서 한 화소 내에 존재하는 많은 에미션 사이트에서 균일하게 전자를 방출할 수 있게 된다.As a result, a voltage drop occurs at an emission site with a large emission current, thereby reducing the voltage difference between the
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.6 is a partial plan view of a rear substrate of a field emission display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 6.
본 실시예에서, 캐소드 전극(10)은 각 화소별로 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 수직한 방향으로 장변을 갖는 장방형의 제1 절개부(32)를 형성하고, 제1 절개부(32)로부터 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 평행한 장방형의 제2 절개부(34)를 하나 이상, 바람직하게 2개의 제2 절개부(34)를 연장 형성한다.
In the present embodiment, the
그리고 제2 절개부(34)의 어느 한 장변측과 인접한 캐소드 전극(10) 상에 제1, 2 에미터(12A, 12B)를 배치함과 아울러, 대향 전극(14)의 통전부(14B)와 마주하는 캐소드 전극(10)의 가장자리 위에 제3 에미터(12C)를 배치하여 각 화소별로 3개의 에미터(12A∼12C)를 배치한다. 이 때, 제1∼제3 에미터(12A∼12C)는 바람직하게 0.01Ωcm∼1010Ωcm의 비저항 값을 갖는다.The first and
또한 대향 전극(14)은 절연막(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 연결되는 통전부(14B)와, 캐소드 전극(10)을 향하는 통전부(14B)의 일측 가장자리에서 제1 절개부(32)를 향해 연장된 연결부(14C)와, 제2 절개부(34)를 향하는 연결부(14C)의 일측 가장자리에서 각각의 제2 절개부(34)를 향해 연장된 한쌍의 전계 인가부(14A)로 이루어진다.In addition, the
이로서 2개의 전계 인가부(14A)가 캐소드 전극(10) 내부에 마련된 각각의 제1, 2 에미터(12A, 12B)와 대향하고, 대향 전극(14)의 통전부(14B)가 캐소드 전극(10)의 가장자리에 위치하는 제3 에미터(12C)와 대향한다.As a result, two electric
이 때, 제1∼제3 에미터(12A∼12B)는 도 7에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(10) 위에 형성될 수 있으며, 다른 실시예로서 도 8에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(10)에 마련된 에미터 수용부(36)에 형성되어 각 에미터(12A∼12C)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다. 여기서, 에미터 수용부(36)는 에미터(12A∼12C) 형상에 대응하여 캐소드 전극(10)의 일부가 제거된 부분을 의미한다.
In this case, the first to
이로서 도 9에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12A∼12C) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12A∼12C)에서 전자가 방출되는 과정에서, 본 실시예는 각 화소별로 3개의 에미터(12A∼12C)를 구비하고, 대향 전극(14)의 전계 인가부(14A)가 제1, 2 에미터(12A, 12B)의 가장자리에 대향 배치되며, 대향 전극(14)의 통전부(14B)가 제3 에미터(12C)의 가장자리에 대향 배치되어 있으므로, 3개 에미터(12A∼12C)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 동시에 전자가 방출된다.As a result, as shown in FIG. 9, an electric field is formed around the
따라서 본 실시예는 앞선 실시예와 마찬가지로 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 에미터(12A∼12C)의 전압 강하 효과에 의해 에미터(12A∼12C)의 전자 방출 특성을 균일화하여 화소간 발광 특성을 균일하게 하며, 각 에미터(12A∼12C)에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터(12A∼12C)의 수명을 연장시키는 효과를 갖는다.Therefore, in this embodiment, as in the previous embodiment, the electron emission amount is increased to improve the brightness of the screen, and the electron emission characteristics of the
이 때, 제1 실시예와 제2 실시예 모두에서 에미터와 전계 인가부의 개수 및 형상은 위에 설명한 것에 한정되지 않고 다양한 변경하여 적용할 수 있다.At this time, in both the first embodiment and the second embodiment, the number and shape of the emitter and the electric field applying unit are not limited to those described above, and various modifications can be applied.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.
이와 같이 본 발명에 따르면, 각 화소별로 복수개의 에미터와 복수개의 전계 인가부를 형성함으로써 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 구동 전압을 낮추는 효과를 갖는다. 더욱이 본 발명은 에미터의 전자 방출 특성을 균일화하여 각 화소간 발광 특성을 균일하게 하고, 각 에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 고전류 영역에서 에미터의 수명을 연장시킨다.As described above, according to the present invention, by forming a plurality of emitters and a plurality of electric field applying units for each pixel, the electron emission amount is increased to improve the brightness of the screen and to lower the driving voltage. Furthermore, the present invention equalizes the electron emission characteristics of the emitter to make the light emission characteristics uniform among the pixels, and lowers the current load applied to each emitter to extend the lifetime of the emitter in the high current region.
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