KR20050027464A - Top emission oled using assistant electrode to prevent ir drop and fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 사용하여 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하여 대형화가 가능한 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same. More particularly, a top-emitting organic light emitting display device which can be enlarged by preventing a voltage drop of a cathode electrode by using an auxiliary electrode for preventing a voltage drop of an upper electrode, and a method thereof It relates to a manufacturing method.
통상적으로 전면 발광 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)에서는 광을 봉지 기판 방향으로 발광시키기 위하여 투명 캐소드 전극이 사용된다. In general, in a top emission active matrix organic electroluminescent display (AMOLED), a transparent cathode electrode is used to emit light toward the encapsulation substrate.
일반적으로 상기 투명 캐소드 전극은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전성의 물질이 주로 사용되지만, 캐소드 전극으로써의 역할을 수행하기 위해 유기막과 접하는 쪽에 일함수(work function)가 낮은 금속 물질을 얇게 증착하여 반투명 금속막을 형성하고 상기 반투과 금속막 상에 ITO 또는 IZO를 두껍게 증착하여 사용한다. Generally, the transparent cathode electrode is mainly made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, but in order to function as a cathode electrode, a thin work material (low work function) is deposited on the side in contact with the organic film to form a semi-transparent layer. A metal film is formed and a thick ITO or IZO is deposited on the transflective metal film.
상기와 같은 공정에서, 상기 ITO 또는 IZO는 유기막을 형성한 후에 형성되므로, 열이나 플라즈마(plasma)에 의한 유기막의 손상을 최소화하기 위하여 저온 증착에 의하여 형성되어 막질이 나쁘고, 비저항이 높아진다. In the above process, since the ITO or IZO is formed after the organic film is formed, the film quality is poor and the resistivity is high because it is formed by low temperature deposition in order to minimize the damage of the organic film by heat or plasma.
그러나, 상기 캐소드 전극의 비저항이 높다는 것은 화소의 위치별로 동일한 캐소드 전압이 인가되는 것이 아니라 전압 강하(IR drop)에 의해 전원이 입력되는 부위에서 가까운 영역과 먼 영역에서 전압 차이가 발생하고 결국 휘도나 화상 특성의 불균일을 일으킬 수 있으며, 또한, 소비 전력이 상승하는 문제점이 발생한다. However, the high resistivity of the cathode does not mean that the same cathode voltage is applied to each pixel position, but a voltage difference occurs in a region near and far from the region where power is input due to a voltage drop (IR drop). Unevenness of image characteristics can be caused, and power consumption rises.
또한, 상기한 전압 강하 현상으로 인하여 중대형의 전면 발광 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)에 적용하기 어려운 문제점이 있다. In addition, due to the voltage drop phenomenon, there is a problem that it is difficult to apply to the medium-large top-emitting active matrix organic electroluminescent display (AMOLED).
상기한 문제점을 해결하기 위하여 쇼지 데라다 등(shoji terada et al)은 SID2003의 54.5L에 화소 정의막(285) 상에 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극을 형성하는 방법을 도입하였다. In order to solve the above problem, Shoji Terada et al. Introduced a method of forming an auxiliary electrode for preventing an upper electrode voltage drop on the pixel defining layer 285 at 54.5L of SID2003.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명한다. Hereinafter, a conventional top emission organic light emitting display device will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 도시한 것으로서, 하나의 박막 트랜지스터 및 화소 전극과 캐패시터에 대응되는 부분에 한정하여 도시한 것이다.FIG. 1 illustrates a cross-sectional structure of a conventional top emission organic light emitting display device, and is limited to a portion corresponding to one thin film transistor, a pixel electrode, and a capacitor.
도 1을 참조하면, 절연 기판(100)상에 버퍼층(110)이 형성되고, 버퍼층(110)상에 소오스/드레인 영역(121, 125)을 구비한 활성층(120)이 형성되며, 게이트 절연막(130)상에 게이트 전극(141) 및 캐패시터(C)의 하부 전극(147)이 형성된다. 층간 절연막(150)상에는 콘택 홀(151, 155)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(121, 125)과 연결되는 소오스/드레인 전극(161, 165)과 상기 소오스/드레인 전극(161, 165)중 하나, 예를 들면 소오스 전극(161)에 연결되는 캐패시터(C)의 상부 전극(167)이 형성된다. Referring to FIG. 1, a buffer layer 110 is formed on an insulating substrate 100, an active layer 120 having source / drain regions 121 and 125 is formed on the buffer layer 110, and a gate insulating film ( The gate electrode 141 and the lower electrode 147 of the capacitor C are formed on the 130. One of the source / drain electrodes 161 and 165 and the source / drain electrodes 161 and 165 connected to the source / drain regions 121 and 125 through the contact holes 151 and 155 on the interlayer insulating layer 150. For example, the upper electrode 167 of the capacitor C connected to the source electrode 161 is formed.
상기 절연 기판(100) 전면에 보호막(170)이 형성되고, 상기 보호막(170)상에 비어 홀(175)을 통해 상기 소오스/드레인 전극(161, 165)중 하나, 예를 들어 드레인 전극(165)에 연결되는 EL소자의 애노드 전극으로써 화소 전극인 하부 전극(180)이 형성된다. 상기 하부전극(180)을 일부분을 노출시키는 개구부(189)가 구비된 화소 정의막(185)을 형성하고, 상기 개구부(189)내의 하부 전극(180)상에 유기막(190)이 형성되며, 상기 화소 정의막(185) 상에 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(193)이 형성되며, 상기 절연 기판(100) 전면에 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극(195)이 형성된 구조를 갖는다.A passivation layer 170 is formed on the entire surface of the insulating substrate 100, and one of the source / drain electrodes 161 and 165, for example, the drain electrode 165, is formed on the passivation layer 170 through the via hole 175. A lower electrode 180 which is a pixel electrode is formed as an anode electrode of an EL element connected to A pixel defining layer 185 having an opening 189 exposing a portion of the lower electrode 180 is formed, and an organic layer 190 is formed on the lower electrode 180 in the opening 189. An auxiliary electrode 193 is formed on the pixel defining layer 185 to prevent an upper electrode voltage drop, and an upper electrode 195 serving as a cathode is formed on the entire surface of the insulating substrate 100.
그러나, 상기의 방법은 보조 전극(193)을 형성하는 과정에서, 화소 정의막(185) 상에 상기 보조 전극(193)으로 사용되는 반투명 금속막을 증착하고 패터닝할 때, 상기 유기막(190)이 손상을 입는 문제점이 있으며, 또한, 상기 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(193)을 형성하기 위해 마스크 공정이 추가되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있다. However, in the above method, in the process of forming the auxiliary electrode 193, when the semi-transparent metal film used as the auxiliary electrode 193 is deposited and patterned on the pixel defining layer 185, the organic layer 190 is formed. In addition, there is a problem in that the damage, in addition, the mask process is added to form the auxiliary electrode 193 for preventing the upper electrode voltage drop has a problem that the process is complicated.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 보조 전극을 사용하여 상부 전극의 전압 강하를 방지하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device which prevents a voltage drop of an upper electrode by using an auxiliary electrode.
또한, 본 발명은 상부 전극의 전압 강하를 방지하여 휘도 및 화상 특성이 향상되어, 대형화가 가능한 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다. In addition, an object of the present invention is to provide a top-emitting organic electroluminescent display device capable of preventing the voltage drop of the upper electrode to improve the brightness and image characteristics, thereby increasing the size.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과; 상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과; 상기 개구부 상에 형성된 유기막과; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object is formed on the insulating substrate having a thin film transistor, the lower electrode electrically connected to the thin film transistor; An auxiliary electrode formed on the same layer as the lower electrode; A pixel defining layer which is not formed on the auxiliary electrode and has an opening formed only at an edge of the lower electrode to expose a portion of the lower electrode; An organic film formed on the opening; An organic light emitting display device is formed on an entire surface of the insulating substrate and includes an upper electrode electrically connected to the auxiliary electrode.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 보조 전극과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 동시에 형성하는 단계와; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막을 형성하는 단계와; 상기 개구부 상에 유기막을 형성하는 단계와; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다. In addition, the present invention includes the steps of simultaneously forming an auxiliary electrode and a lower electrode electrically connected to the thin film transistor on the insulating substrate having a thin film transistor; Forming a pixel defining layer that is not formed on the auxiliary electrode, the pixel defining layer having an opening formed only at an edge of the lower electrode to expose a portion of the lower electrode; Forming an organic layer on the opening; A method of manufacturing an organic light emitting display device, the method comprising forming an upper electrode formed on an entire surface of the insulating substrate and electrically connected to the auxiliary electrode.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극이다. In a preferred embodiment of the present invention, the auxiliary electrode is an auxiliary electrode for preventing the upper electrode voltage drop.
또한, 상기 상부 전극은 상기 보조 전극과 보조 전극의 측면을 통하여 전기적으로 연결되거나, 상기 보조 전극과 보조 전극의 측면과 상부면을 통하여 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다. The upper electrode may be electrically connected through the side surfaces of the auxiliary electrode and the auxiliary electrode, or electrically connected through the side surfaces and the upper surface of the auxiliary electrode and the auxiliary electrode.
또한, 상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 상부 전극 물질보다 일함수가 큰 도전성의 물질로 이루어지며, 더욱 바람직하게는 Al, Mo, Ti 또는 Ag-ITO으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 하부 전극 및 보조 전극은 비저항이 낮으며 반사율이 우수한 물질로 이루어지며, 단일막 또는 다중막으로 이루어지는 것이 바람직하다. In addition, the lower electrode and the auxiliary electrode may be made of a conductive material having a higher work function than the upper electrode material, and more preferably made of Al, Mo, Ti, or Ag-ITO. In addition, the lower electrode and the auxiliary electrode may be made of a material having a low specific resistance and excellent reflectance, and may be formed of a single layer or multiple layers.
또한, 상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 유기막에 비하여 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. In addition, the lower electrode and the auxiliary electrode may be formed thicker than the organic layer.
또한, 상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 보조 전극은 선형(linear) 구조 또는 격자(grid) 구조로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 보조 전극은 패드부의 캐소드 인입 단자와 연결되는 것이 바람직하다. In addition, the auxiliary electrode is preferably an auxiliary electrode for preventing the upper electrode voltage drop. In addition, the auxiliary electrode preferably has a linear structure or a grid structure. In addition, the auxiliary electrode is preferably connected to the cathode lead terminal of the pad portion.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 도시한 것으로서, R,G,B 단위 화소에 국한시켜 도시한 것이다. FIG. 2 illustrates a cross-sectional structure of a top-emitting organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, and is limited to R, G and B unit pixels.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)는 각각의 R, G, B 화소 별로 절연 기판(200) 상의 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극(211, 215)과 전기적으로 연결되어 애노드 전극으로 작용하는 하부 전극(220)과, R, G, B 각 화소의 하부 전극(220) 사이에 형성되며, 상기 하부 전극(220)과 동일층 상에 형성되는 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(223)을 구비한다. Referring to FIG. 2, an active matrix organic light emitting display device (AMOLED) according to a first exemplary embodiment of the present invention includes source / drain electrodes 211 of a thin film transistor on an insulating substrate 200 for each of R, G, and B pixels. And a lower electrode 220 electrically connected to the first and second electrodes 215 and acting as an anode electrode, and formed on the same layer as the lower electrode 220. The auxiliary electrode 223 for preventing the upper electrode voltage drop is provided.
또한, 상기 보조 전극(223) 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극(220)의 에지(edge)부에만 형성되어 R, G, B 각 화소 별로 분리되며, 상기 하부 전극(220)의 일부분을 노출시키는 개구부(235)가 형성된 화소 정의막(230)을 구비한다. In addition, it is not formed on the auxiliary electrode 223 and is formed only at an edge of the lower electrode 220, and is separated for each of R, G, and B pixels, and exposes a portion of the lower electrode 220. The pixel defining layer 230 having the opening 235 is formed.
또한, 상기 개구부(235)에 의해 노출된 하부 전극(220)과 상기 화소 정의막 상에 형성되며, 상기 보조 전극(223)의 측면에는 형성되지 않는 유기막(240)을 구비한다. In addition, an organic layer 240 is formed on the lower electrode 220 exposed by the opening 235 and the pixel defining layer, and is not formed on the side surface of the auxiliary electrode 223.
또한, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(223)의 측면과 전기적으로 연결되는 상부 전극(250)을 구비한다. In addition, the upper electrode 250 is electrically connected to the side surface of the auxiliary electrode 223 for preventing the voltage drop.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 공정 단면도를 도시한 것으로, 캐패시터(C)와 하나의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 EL소자에 한정하여 도시한 것이다. 3A to 3C illustrate a cross-sectional view of a top-emitting organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention, and are limited to a capacitor C, one thin film transistor, and an EL device connected to the thin film transistor. It is shown.
도 3a를 참조하면, 버퍼층(310)이 형성된 절연 기판(300) 상에 각 R, G, B 화소 별로 소오스/드레인 영역(321, 325)을 구비하는 활성층(320)을 형성한다. Referring to FIG. 3A, an active layer 320 including source / drain regions 321 and 325 is formed on each of the R, G, and B pixels on the insulating substrate 300 on which the buffer layer 310 is formed.
상기 활성층(320)을 형성한 후, 상기 절연 기판(300) 상에 게이트 절연막(330)을 형성하고, 전도성 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(341) 및 캐패시터의 하부 전극(347)을 형성한다. After forming the active layer 320, the gate insulating layer 330 is formed on the insulating substrate 300, and a conductive material is deposited and patterned to form the gate electrode 341 and the lower electrode 347 of the capacitor. .
그런 다음, 층간 절연막(350)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 영역(321, 325)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(351, 355)을 형성한다. Next, an interlayer insulating film 350 is formed, and contact holes 351 and 355 exposing a portion of the source / drain regions 321 and 325 are formed.
상기 콘택 홀(351, 355)을 형성한 후, MoW 등의 전도성 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 콘택 홀(351, 355)을 통하여 상기 소오스/드레인 영역(321, 325)과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극(361, 365)과, 상기 소오스/드레인 전극(361, 365) 중 어느 하나, 예를 들면 소오스 전극(361)에 연결되는 캐패시터의 상부 전극(367)을 형성한다. After the contact holes 351 and 355 are formed, a source / drain electrically connected to the source / drain regions 321 and 325 through the contact holes 351 and 355 by depositing and patterning a conductive material such as MoW. Drain electrodes 361 and 365 and an upper electrode 367 of a capacitor connected to one of the source / drain electrodes 361 and 365, for example, the source electrode 361, are formed.
상기 소오스/드레인 전극(361, 365)과 캐패시터의 상부 전극(367)을 형성한 다음, 상기 절연 기판(300) 전면에 보호막(370)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(361, 365) 중 어느 하나, 예를 들면 드레인 전극(365)을 노출시키는 비아 홀(375)을 형성한다. After forming the source / drain electrodes 361 and 365 and the upper electrode 367 of the capacitor, a protective film 370 is formed on the entire surface of the insulating substrate 300, and among the source / drain electrodes 361 and 365. For example, the via hole 375 exposing the drain electrode 365 is formed.
상기 비아 홀(375)을 통하여 상기 드레인 전극(365)과 전기적으로 연결되는 섬 형태의 애노드 전극으로써 화소 전극인 하부 전극(380)을 형성함과 동시에, 이후에 형성되는 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극의 전압 강하를 방지하기 위한 보조 전극(383)을 R, G, B 각 화소의 하부 전극(380) 사이에 형성한다. An island-type anode electrode electrically connected to the drain electrode 365 through the via hole 375 to form a lower electrode 380 which is a pixel electrode, and at the same time, serves as a cathode electrode formed later. An auxiliary electrode 383 is formed between the lower electrodes 380 of each of the R, G, and B pixels to prevent the voltage drop.
상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)과 상기 애노드 전극으로 작용하는 하부 전극(380)은 후속의 공정에서 형성되는 캐소드용 전극 물질보다 일함수가 큰 도전성의 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 캐소드 전극의 전압 강하를 최소화하기 위해 비저항이 낮으며, 후속 공정에서 형성되는 유기막의 반사율을 증대시키기 위해 반사율이 우수한 Al, Mo, Ti, Ag-ITO 또는 기타 반사막이나 애노드 전극으로 사용될 수 있는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 하부 전극(380) 및 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)은 단일막 또는 다중막으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 하부 전극(380) 및 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)은 이후에 형성되는 유기막에 비하여 충분이 두껍게 형성하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3000Å 이상 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. The upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 383 and the lower electrode 380 serving as the anode electrode are preferably made of a conductive material having a higher work function than the cathode electrode material formed in a subsequent process. More preferably, the resistivity is low in order to minimize the voltage drop of the cathode electrode and used as Al, Mo, Ti, Ag-ITO or other reflecting film or anode electrode with high reflectance to increase the reflectance of the organic film formed in a subsequent process. It is preferably made of a material that can be. In addition, the lower electrode 380 and the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 383 may be formed as a single layer or multiple layers. In addition, the lower electrode 380 and the upper electrode voltage drop prevention auxiliary electrode 383 are preferably formed thicker than the organic film formed thereafter, and more preferably, the thickness is 3000 kV or more.
도 3b를 참조하면, 상기 하부 전극(380)의 일부분을 노출시키는 개구부(389)가 형성된 화소 정의막(385)을 형성한다. 이때 상기 화소 정의막(385)은 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383) 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극(380)의 에지부에만 형성되는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 3B, a pixel defining layer 385 having an opening 389 exposing a portion of the lower electrode 380 is formed. In this case, the pixel defining layer 385 is not formed on the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 383, and is formed only at an edge portion of the lower electrode 380.
상기 화소 정의막(385)을 형성한 후, 상기 개구부 상에 유기막(390)을 형성한다. 상기 유기막(390)은 그 기능에 따라 여러 층으로 구성될 수 있는데, 정공 주입층(HIL), 정공 전달층(HTL), 발광층(Emitting layer), 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나 이상의 다층구조로 이루어진다. After the pixel defining layer 385 is formed, an organic layer 390 is formed on the opening. The organic layer 390 may be formed of various layers according to its function, including a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer, a hole blocking layer (HBL), and an electron transport layer (ETL). ) And at least one of the electron injection layers EIL.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 도면상에는 도시하지 않았으나, 정공 주입층(HIL), 정공 전달층(HTL) 등을 절연 기판(300) 전면에 형성하고, 상기 개구부(389) 상에 발광층(Emitting layer)을 형성한 후, 상기 절연 기판(300) 전면에 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 형성하여, R, G, B 각 화소의 상기 개구부(389) 상에 한정되어 형성된 발광층을 구비하는 유기막(390)을 상기 절연 기판(300) 상에 형성한다. In a preferred embodiment of the present invention, although not shown in the drawings, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and the like are formed on the entire surface of the insulating substrate 300, and the emitting layer (Emitting layer) on the opening 389 ), A hole blocking layer (HBL), an electron transporting layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like are formed on the entire surface of the insulating substrate 300 to form the openings 389 in each of the R, G, and B pixels. The organic layer 390 including the light emitting layer defined on the upper surface of the semiconductor layer 390 is formed on the insulating substrate 300.
이때, 상기 발광층(Emitting layer)을 제외한 나머지 층 중에서 적어도 하나의 층은 유기막의 공통층으로 기판 전면에 형성되지만, 상기 보조 전극(383)의 측면에는 형성되지 않는다. 이는 상기 화소 정의막(385)은 어느 정도의 일정 각을 갖고 형성되어 상기 유기막(390)이 넘어 갈 수 있으나, 상기 보조 전극(383)은 측면이 거의 수직에 가깝고 상기 유기막(390)의 두께에 비하여 충분히 두껍게 형성되기 때문이다. In this case, at least one of the remaining layers except for the emitting layer is formed on the entire surface of the substrate as a common layer of the organic layer, but is not formed on the side surface of the auxiliary electrode 383. This is because the pixel defining layer 385 is formed to have a certain angle so that the organic layer 390 can be crossed. However, the auxiliary electrode 383 has almost a vertical side and the side of the organic layer 390 It is because it is formed thick enough compared with thickness.
도 3c를 참조하면, 상기 절연 기판(300) 전면에 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극(395)을 형성한다. 이때, 상기 상부 전극(395)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착하여 반투명 금속막을 형성하고, 상기 반투명 금속막 상에 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착하여 형성된 투명 도전막을 형성하여, 반투명 금속막과 투명 도전막의 이층 구조로 이루어진다. Referring to FIG. 3C, an upper electrode 395 serving as a cathode electrode is formed on the entire surface of the insulating substrate 300. In this case, the upper electrode 395 forms a semi-transparent metal film by thinly depositing a metal material having a low work function, and forms a transparent conductive film formed by thickly depositing a transparent conductive material such as ITO or IZO on the semi-transparent metal film. It consists of a two-layered structure of a translucent metal film and a transparent conductive film.
상기 상부 전극(395)은 상기 유기막(390)이 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 측면에는 형성되지 않으므로, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 측면과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 상부 전극(395)이 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 측면과 전기적으로 연결되므로, 캐소드 전압 강하를 방지할 수 있게 된다. Since the organic layer 390 is not formed on the side surface of the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 383, the upper electrode 395 is electrically connected to the side surface of the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 383. . Therefore, since the upper electrode 395 is electrically connected to the side surface of the auxiliary electrode 383 for preventing the upper electrode voltage drop, it is possible to prevent the cathode voltage drop.
한편, 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 도시한 것으로서, R,G,B 단위 화소에 국한시켜 도시한 것이다. 4 illustrates a cross-sectional structure of a top-emitting organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and is limited to R, G, and B pixel units.
도 4에 도시된 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)는 제 1 실시예의 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치와 구조적으로 유사하다. 다만, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(423) 상에 유기막(440)이 형성되지 않고, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(423)의 측면과 상부면을 통하여 상부 전극(450)과 전기적으로 연결되는 구조만이 다르다. The active matrix organic electroluminescent display AMOLED shown in FIG. 4 is structurally similar to the active matrix organic electroluminescent display of the first embodiment. However, the organic layer 440 is not formed on the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 423, and is electrically connected to the upper electrode 450 through the side and top surfaces of the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 423. Only the structure is different.
이때, 상기 유기막(440)은 LITI 전사 또는 패터닝 등의 방법을 통하여 하부 전극(420)의 에지부에만 형성된 화소 정의막(430)의 개구부(435)에 한정되어 형성된다. 즉, 제 1 실시예와는 달리 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(423) 상에는 형성되지 않는다. In this case, the organic layer 440 is formed by being limited to the opening 435 of the pixel defining layer 430 formed only at the edge of the lower electrode 420 through a method such as LITI transfer or patterning. That is, unlike the first embodiment, it is not formed on the auxiliary electrode 423 for preventing the upper electrode voltage drop.
따라서, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(423)은 보조 전극(423)의 양측면과 상부면을 통하여 상부 전극(450)과 전기적으로 연결되어, 상부 전극의 전압 강하를 방지하게 된다. Accordingly, the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 423 is electrically connected to the upper electrode 450 through both side surfaces and the upper surface of the auxiliary electrode 423 to prevent the voltage drop of the upper electrode.
도 5a 및 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치의 평면 구조를 도시한 것이다. 5A and 5D illustrate a planar structure of an organic light emitting display device in which an auxiliary electrode for preventing voltage drop of an upper electrode according to an exemplary embodiment of the present invention is formed.
도 5a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 절연 기판(500)의 패드부의 인입 단자(510)와 연결되는 구조를 갖는다. Referring to FIG. 5A, the auxiliary electrode 520 for preventing the voltage drop of the upper electrode according to the exemplary embodiment of the present invention is connected to the lead terminal 510 of the pad part of the insulating substrate 500.
도 5b를 참조하면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 격자(grid) 형태를 갖으며, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)의 각 격자 내에 화소 전극인 하부 전극(530)이 섬(island) 형태를 갖도록 형성된다. 이때, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 격자 형태를 갖는 경우에는 캐소드 전압 강하가 보다 적게 된다. Referring to FIG. 5B, an upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 520 has a grid shape, and a lower electrode 530, which is a pixel electrode, is formed in each grid of the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode 520. It is formed to have an island shape. At this time, when the upper electrode voltage drop prevention auxiliary electrode 520 has a lattice shape, the cathode voltage drop is smaller.
도면의 참조 번호 540은 비아 홀이다. Reference numeral 540 in the drawings is a via hole.
도 5c를 참조하면, 상기 섬(island) 형태의 하부 전극(530)이 열과 행의 매트릭스 형태로 배열되고, 열 방향으로 배열된 이웃하는 하부 전극(530)의 사이에 라인(line) 형태로 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 형성된다. Referring to FIG. 5C, the island-like lower electrodes 530 are arranged in a matrix form of columns and rows, and have an upper portion in a line form between neighboring lower electrodes 530 arranged in a column direction. An auxiliary electrode 520 for preventing an electrode voltage drop is formed.
도 5d를 참조하면, 열과 행의 매트릭스 형태로 배열된 상기 섬 형태의 이웃하는 하부 전극(530)의 사이에 행 방향으로 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 배열된다. Referring to FIG. 5D, an auxiliary electrode 520 for preventing the voltage drop of the upper electrode is arranged in a row direction between the island-shaped neighboring lower electrodes 530 arranged in a matrix of rows and columns.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 상기 하부 전극과 동시에 형성하여 줌으로써, 추가적인 마스크 공정 없이 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하는 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 형성할 수 있다. 또한, 캐소드 전극의 전압 강하를 방지함으로써, 중대형의 유기 전계 발광 표시 장치를 형성할 수 있는 이점이 있다. According to the embodiment of the present invention as described above, by forming the upper electrode voltage drop preventing auxiliary electrode at the same time with the lower electrode, to form the upper electrode voltage drop prevention auxiliary electrode to prevent the voltage drop of the cathode electrode without additional mask process. can do. In addition, by preventing the voltage drop of the cathode electrode, there is an advantage that can form a medium to large organic electroluminescent display device.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 형성함으로써, 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하여 휘도 및 화상 특성의 불균일을 방지한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. According to the present invention as described above, by forming the auxiliary electrode for preventing the voltage drop of the upper electrode, it is possible to provide an organic electroluminescent display device in which the voltage drop of the cathode electrode is prevented to prevent the unevenness of brightness and image characteristics.
또한, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 하부 전극과 동시에 형성함으로써, 추가적인 마스크 공정 없이 캐소드 버스라인을 형성할 수 있다. In addition, by forming the upper electrode voltage drop prevention auxiliary electrode simultaneously with the lower electrode, it is possible to form a cathode bus line without an additional mask process.
또한, 캐소드 전압 강하를 방지함으로써, 소비 전력이 감소한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. In addition, it is possible to provide an organic light emitting display device having reduced power consumption by preventing a cathode voltage drop.
또한, 캐소드 전압 강하를 방지함으로써, 중대형의 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. In addition, by preventing the cathode voltage drop, it is possible to provide a medium to large organic light emitting display device.
또한, 수명 및 신뢰성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. In addition, an organic light emitting display device having improved lifespan and reliability can be provided.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
도 1은 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 단면도. 1 is a cross-sectional view illustrating a conventional top-emitting organic light emitting display device.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 단면도. 2 is a cross-sectional view illustrating a top-emitting organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 공정 단면도. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a top-emitting organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도. 4 is a cross-sectional view of a top-emitting organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 보조 전극이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 평면 구조도. 5A and 5D are planar structural diagrams illustrating an organic light emitting display device in which an auxiliary electrode is formed according to an exemplary embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for main parts of drawing)
300; 절연 기판 310; 버퍼층300; Insulating substrate 310; Buffer layer
320; 활성층 330; 게이트 절연막320; Active layer 330; Gate insulating film
341; 게이트 전극 347; 캐패시터 하부 전극341; Gate electrode 347; Capacitor Bottom Electrode
350; 층간 절연막 351, 355; 콘택 홀350; Interlayer insulating films 351 and 355; Contact hall
361, 365; 소오스/드레인 전극 367; 캐패시터 상부 전극361, 365; Source / drain electrodes 367; Capacitor Top Electrode
370; 보호막 375; 비아 홀370; Protective film 375; Via Hall
380; 하부 전극 383; 보조 전극380; Lower electrode 383; Auxiliary electrode
385; 화소 정의막 389; 개구부385; A pixel defining layer 389; Opening
390; 유기막 395; 상부 전극390; Organic film 395; Upper electrode
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