KR20050024846A - switching circuit and plasma display panel including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A switching circuit and a plasma display panel with the same are provided to reduce the manufacturing cost by reducing the number of FETs with an excellent quality. CONSTITUTION: A switching circuit includes a ramp waveform generation unit(20) and a gate switching unit(30). The ramp waveform generation unit has at least two shift slopes by outputting the switching signals to the gate terminals of the FET. The gate switching unit selects the switching signal generated at the ramp waveform generation unit so as to input the selected switching signal to the gate terminal of the FET.

Description

스위칭 회로 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{switching circuit and plasma display panel including the same}Switching circuit and plasma display panel including the same

본 발명은 스위칭 회로 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서 보다 상세하게는 2 이상의 천이기울기를 갖는 출력파형을 출력하는 스위칭 회로 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a switching circuit and a plasma display panel including the same, and more particularly, to a switching circuit for outputting an output waveform having two or more transition groups and a plasma display panel including the same.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 "PDP"라 한다.)은 기체 방전시에 발생되는 플라즈마로부터 나오는 빛에 의해 문자 또는 그래픽을 나타내는 평판 표시 장치이다. PDP는 DC와 AC 타입으로 크게 구별할 수 있으며, 이 중에서 ADS(Address Display-period Separation) 구동방식을 기초로 하는 면방전형 AC 타입이 널리 상용화되고 있다.A plasma display panel (hereinafter referred to as a "PDP") is a flat panel display that displays characters or graphics by light emitted from plasma generated during gas discharge. PDP can be classified into DC and AC type. Among them, surface discharge type AC type based on ADS (Address Display-period Separation) driving method is widely commercialized.

AC 타입의 PDP는 수개의 셀이 매트릭스의 형태로 배열된 구조로서 저전압을 인가하여 셀을 발광하는 ADS 방식으로 구동되는 것이 일반적이다.The AC type PDP is a structure in which several cells are arranged in a matrix form and is generally driven by an ADS method that emits a cell by applying a low voltage.

구조적으로, PDP의 각 셀은 전면유리, 후면유리 및 격벽으로 둘러싸여 있으며, 3개의 전극-주사전극, 유지전극 및 어드레스 전극-을 갖고 있다.Structurally, each cell of the PDP is surrounded by windshield, back glass and partition walls and has three electrodes-a scanning electrode, a sustain electrode and an address electrode.

ADS 구동방식은 리셋(reset) 단계, 어드레싱(addressing) 단계 및 유지방전(sustain) 단계의 순환으로 이루어지는 구동방식이다.The ADS driving method is a driving method consisting of a cycle of a reset step, an addressing step, and a sustain discharge step.

각 단계를 간략하게 살펴보면, 리셋 단계는 PDP 전체 셀의 벽전하를 모두 균일하게 소거하는 초기화 단계이고, 어드레싱 단계는 특정 셀에 벽전하를 형성시키는 단계이며, 유지방전 단계는 플라즈마를 형성시켜 발광시키는 단계이다.Looking at each step briefly, a reset step is an initialization step of uniformly erasing all wall charges of all PDP cells, an addressing step is a step of forming wall charges in a specific cell, and a sustain discharge step is performed by forming a plasma to emit light. Step.

외부 구동IC에 의해서 셀을 선택할 수 있으며, 리셋단계, 어드레싱 단계 및 유지방전 단계를 순차적으로 반복하여 문자 등을 디스플레이 한다. 특히 어드레싱 단계를 통해 각 셀의 벽에 벽전하를 충전하기 때문에, 유지방전 단계에서 유지전극에 전압을 작게 인가하더라도 플라즈마를 생성시킬 수 있다는 특징이 있다.The cell can be selected by the external driving IC, and the reset step, the addressing step, and the sustain discharge step are sequentially repeated to display characters and the like. In particular, since the wall charges are charged to the walls of each cell through the addressing step, the plasma may be generated even when a voltage is applied to the sustain electrode in the sustain discharge step.

벽전하를 소거하는 다양한 방법을 얻기 위해, ADS의 리셋 단계에서 전극에 인가되는 전압은 다양한 상승 또는 하강의 천이기울기를 갖는 파형을 갖도록 한다. 이러한 전압파형은 FET의 게이트 단자에 다단계 형태의 전압을 바이어스 하여 얻을 수 있으며, 상기 바이어스 전압은 램프발생회로로부터 인가된다.In order to obtain various methods of erasing wall charges, the voltage applied to the electrodes in the reset step of the ADS has a waveform with various rising or falling transitions. This voltage waveform can be obtained by biasing a multi-step voltage on the gate terminal of the FET, and the bias voltage is applied from the ramp generation circuit.

그런데 종래 PDP는 출력신호의 천이기울기를 여러 개 갖도록 하고자 하는 경우, 그 천이기울기의 수만큼 다수의 램프발생회로 및 FET를 구비하고 있어야 했다. 약 250V의 고전압 및 고전류에 의해 구동되는 PDP에 사용되는 FET는 고품질일 것이 요구되고, 다수의 FET를 사용하는 PDP 구동회로의 제조비용이 높아지는 문제가 있었다.However, when the conventional PDP is intended to have several transitions of the output signal, it has to be provided with as many ramp generation circuits and FETs as the number of transitions. FETs used for PDPs driven by high voltages and high currents of about 250V are required to be of high quality, and there is a problem in that the manufacturing cost of PDP driving circuits using a plurality of FETs is high.

본 발명의 목적은 고가의 FET의 개수를 최소로 갖는 스위칭 회로 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a switching circuit having a minimum number of expensive FETs and a plasma display panel including the same.

상기의 목적은, 본 발명에 따라 2이상의 천이기울기를 갖는 출력파형을 출력하는 스위칭용 FET를 포함하는 스위칭 회로에 있어서, 상기 FET의 게이트 단자에 스위칭 신호를 출력하여 상기 출력파형이 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 하나 이상의 램프(ramp)파형발생부와, 상기 램프파형 발생부에서 발생하는 스위칭 신호를 선택하여 상기 FET의 게이트 단자에 입력되도록 하는 게이트 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로에 의해서 달성될 수 있다.The above object is a switching circuit comprising a switching FET for outputting an output waveform having two or more transition slopes according to the present invention, wherein the output waveform has two or more transition slopes by outputting a switching signal to a gate terminal of the FET. And at least one ramp waveform generator configured to have a gate switching unit, and a gate switching unit configured to select a switching signal generated by the ramp waveform generator to be input to a gate terminal of the FET. Can be.

여기서, 상기 게이트 스위칭부는 하나 이상의 BJT를 포함할 수 있으며,상기 램프파형 발생부는 콘덴서를 포함하고, 상기 콘덴서는 상기 FET의 출력단과 연결되어 상기 게이트 스위칭부에 출력되는 스위칭 신호가 2 이상의 천이기울기를 갖도록 할 수 있다.The gate switching unit may include one or more BJTs, wherein the ramp waveform generating unit includes a capacitor, and the capacitor is connected to an output terminal of the FET so that a switching signal output to the gate switching unit is two or more transitions. You can have it.

또한 상기의 목적은 본 발명에 따라 2이상의 천이기울기를 갖는 출력파형을 출력하는 스위칭용 FET를 갖는 구동회로를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 FET의 게이트 단자에 스위칭 신호를 출력하여 상기 출력파형이 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 하나 이상의 램프(ramp)파형발생부와, 상기 램프파형 발생부에서 발생하는 스위칭 신호를 선택하여 상기 FET의 게이트 단자에 입력되도록 하는 게이트 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널에 의해서 달성될 수도 있다.In addition, the above object is a plasma display panel including a driving circuit having a switching FET for outputting an output waveform having two or more transitions according to the present invention, the output waveform by outputting a switching signal to the gate terminal of the FET At least one ramp waveform generator to have two or more transition slopes, and a gate switching unit to select a switching signal generated by the ramp waveform generator and to be input to the gate terminal of the FET. It may be achieved by a plasma display panel.

여기서, 상기 게이트 스위칭부는 하나 이상의 BJT를 포함할 수 있으며,상기 램프파형 발생부는 콘덴서를 포함하고, 상기 콘덴서는 상기 FET의 출력단과 연결되어 상기 게이트 스위칭부에 출력되는 스위칭 신호가 2 이상의 천이기울기를 갖도록 할 수 있다.The gate switching unit may include one or more BJTs, wherein the ramp waveform generating unit includes a capacitor, and the capacitor is connected to an output terminal of the FET so that a switching signal output to the gate switching unit is two or more transitions. You can have it.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 회로의 블록 구성도이다.1 is a block diagram of a switching circuit according to an embodiment of the present invention.

도1에 도시한 바와 같이 스위칭 회로는 출력 FET(10), 램프파형 발생부(20), 게이트 스위칭부(30)를 갖는다.As shown in FIG. 1, the switching circuit includes an output FET 10, a ramp waveform generator 20, and a gate switch 30.

출력 FET(10)는 출력단(11)을 통해 시스템에 입력되는 제어신호의 입출력을 스위칭하는 역할을 한다. The output FET 10 switches the input / output of the control signal input to the system through the output terminal 11.

램프파형 발생부(20)는 출력 FET(10)의 게이트 단자에 스위칭 신호를 출력하여 출력 FET(10)의 출력파형이 하나 이상의 천이기울기를 갖도록 원하는 천이기울기에 개수에 맞도록 구비된다. 램프파형 발생부(20)는 콘덴서를 포함하고, 상기 콘덴서는 상기 FET(10)의 출력단(11)과 연결되어 상기 게이트 스위칭부(30)에 출력되는 스위칭 신호가 하나 이상의 천이기울기를 갖도록 할 수 있다.The ramp waveform generator 20 is provided so as to match a desired number of transitions by outputting a switching signal to the gate terminal of the output FET 10 so that the output waveform of the output FET 10 has one or more transitions. The ramp waveform generator 20 includes a capacitor, which is connected to the output terminal 11 of the FET 10 so that the switching signal output to the gate switching unit 30 has one or more transitions. have.

게이트 스위칭부(30)는 램프파형 발생부(20)에서 발생하는 스위칭 신호를 선택하여 상기 FET(10)의 게이트 단자에 출력하는 것으로 외부의 제어신호를 입력받는 것이 바람직하다.The gate switching unit 30 selects a switching signal generated by the ramp waveform generating unit 20 and outputs the switching signal to the gate terminal of the FET 10 so as to receive an external control signal.

도2는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 회로도이다.2 is a switching circuit diagram according to an embodiment of the present invention.

도2에 도시한 바와 같이, 스위치 회로는 출력 FET(10), 램프파형 발생부(20) 및 게이트 스위칭부(30)를 갖는다.As shown in Fig. 2, the switch circuit has an output FET 10, a ramp waveform generator 20, and a gate switch 30.

출력 FET(10)는 스위칭을 위한 소자로서 사용되고 있으며, PDP에 사용되는 경우 고압, 고전류에도 견딜 수 있을 것을 요한다. FET(10)의 드레인 단자는 출력파형이 출력되는 출력단(11)자와 연결되어 있고, 소스단자는 접지단에 연결되어 있고, 게이트 단자는 스위칭 신호를 입력받는다.The output FET 10 is used as an element for switching, and when used in a PDP, it needs to be able to withstand high voltage and high current. The drain terminal of the FET 10 is connected to the output terminal 11 outputting the output waveform, the source terminal is connected to the ground terminal, the gate terminal receives a switching signal.

램프파형 발생부(20)는 원하는 출력파형의 천이기울기에 따라 하나 이상이 마련되고, 각각의 램프파형 발생부(20)는 저항(R20a~R21b, VR20a, VR20b), 콘덴서(C20a,C20b) 및 다이오드(D20a,D20b)를 갖고 있다. One or more ramp waveform generators 20 are provided according to the transition of the desired output waveform, and each ramp waveform generator 20 includes resistors R20a to R21b, VR20a and VR20b, capacitors C20a and C20b, and It has diodes D20a and D20b.

램프파형 발생부(20)는 제어신호를 입력받고, 하나 이상의 천이기울기를 갖는 스위칭 신호를 출력 FET(10)의 게이트 단자에 출력하여, 드레인 단자의 출력파형이 하나 이상의 천이기울기를 갖도록 한다. 스위칭 신호의 천이기울기는 저항(R20a~R21b, VR20a, VR20b) 및 콘덴서(C20a,C20b)에 의한 시정수로로 결정되며, 시정수의 조정을 위해서 가변저항(VR20a, VR20b)을 사용하고 있다. 다이오드(D20a,D20b)는 유지방전 단계시 출력단(11)에서 콘덴서(C20a,C20b)를 통해 바이패스(bypass)되어 유입되는 전압을 소호하기 위한 프리휠링 다이오드로 사용된 것이다.The ramp waveform generator 20 receives a control signal and outputs a switching signal having one or more transition slopes to the gate terminal of the output FET 10 so that the output waveform of the drain terminal has one or more transition slopes. The transition of the switching signal is determined by the time constant by the resistors R20a to R21b, VR20a and VR20b and the capacitors C20a and C20b, and the variable resistors VR20a and VR20b are used to adjust the time constant. The diodes D20a and D20b are used as freewheeling diodes for extinguishing the voltage introduced by bypassing through the capacitors C20a and C20b at the output terminal 11 during the sustain discharge phase.

게이트 스위칭부(30)는 저항(R30a~R31b), pnp 타입의 BJT(Q31,Q33), npn 타입의 BJT(Q32,Q34)를 갖는다.The gate switching unit 30 includes resistors R30a to R31b, pnp type BJTs Q31 and Q33, and npn type BJTs Q32 and Q34.

저항(R30a~R31b)은 풀업(pull-up)저항으로서 적정 전류가 BJT의 베이스 단자에 흐르도록 조절하며, pnp 타입의 BJT(Q31,Q33)는 램프파형 발생부(20)에서 발생하는 스위칭 신호가 출력 FET(10)의 게이트 단자에 입력되는 것을 도통/차단되도록 하는 스위치 역할을 한다. npn 타입의 BJT(Q32,Q34)는 pnp 타입의 BJT(Q31,Q33)를 온/오프하는 제어신호를 출력하는 BJT이다.The resistors R30a to R31b are pull-up resistors so that a proper current flows to the base terminal of the BJT, and the pnp type BJTs Q31 and Q33 are switching signals generated by the ramp waveform generator 20. Acts as a switch for conducting / blocking input to the gate terminal of the output FET 10. The npn type BJTs (Q32, Q34) are BJTs that output control signals for turning on / off the pnp type BJTs (Q31, Q33).

램프입력단(40)에서 하이레벨의 신호가 입력되면 npn 타입의 BJT(Q32,Q34)는 턴온되어 pnp 타입의 BJT(Q31,Q33)의 게이트 단자에 로우레벨의 신호가 입력된다. 이에 pnp 타입의 BJT(Q31,Q33)가 도통되어 에미터 단자에 입력되는 신호가 출력 FET(10)에 인가된다.When the high level signal is input from the ramp input terminal 40, the npn type BJTs Q32 and Q34 are turned on and the low level signal is input to the gate terminal of the pnp type BJTs Q31 and Q33. Accordingly, pnp type BJTs Q31 and Q33 are turned on, and a signal input to the emitter terminal is applied to the output FET 10.

도3은 도2에 도시된 스위칭 회로의 출력파형도로서, 도3(a)는 램프입력단 A(40a)에 입력되는 입력파형, 도3(b)는 램프입력단 B(40b)에 입력되는 입력파형, 도3(c)는 출력 FET(10)의 게이트 단자에 입력되는 전압의 파형, 도3(d)는 출력단(11)에서 출력되는 전압의 파형이다.Figure 3 is an output waveform diagram of the switching circuit shown in Figure 2, Figure 3 (a) is an input waveform input to the ramp input terminal A (40a), Figure 3 (b) is an input input to the ramp input terminal B (40b) 3 (c) is a waveform of the voltage input to the gate terminal of the output FET 10, and FIG. 3 (d) is a waveform of the voltage output from the output terminal 11. FIG.

이하 도2 및 도3을 참조하여 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

구간 ①에서 램프입력단 A(40a)와 B(40b)에 각각 로우레벨의 신호가 입력되면, 출력단(11)자에 흐르는 하이레벨의 신호에 의해 콘덴서(C20a,C20b)가 충전되고, BJT(Q31~Q34) 및 출력 FET(10)가 오프 상태가 된다.When a low level signal is input to the lamp input terminals A 40a and B 40b in the section ①, the capacitors C20a and C20b are charged by the high level signal flowing through the output terminal 11, and the BJT (Q31) is applied. Q34) and the output FET 10 are turned off.

구간 ②에서 램프입력단 A(40a)에 하이레벨의 신호가 입력되면, 시간이 경과되면서 BJT(Q31,Q32)가 온상태가 되고 출력 FET(10)의 게이트 단자에 인가되는 전압은 서서히 증가하게 된다. 게이트 단자의 전압이 문턱전압에 이르기 까지 출력 FET(10)는 온상태가 되지 않지만, 게이트 단자의 전압이 문턱전압에 이르면 출력 FET(10)가 턴온되어 출력단(11)의 전압이 강하하게 된다. When a high level signal is input to the ramp input terminal A 40a in the section ②, as time passes, the BJTs Q31 and Q32 are turned on and the voltage applied to the gate terminal of the output FET 10 gradually increases. . The output FET 10 is not turned on until the voltage at the gate terminal reaches the threshold voltage. However, when the voltage at the gate terminal reaches the threshold voltage, the output FET 10 is turned on to lower the voltage at the output terminal 11.

이때 출력전압이 어떠한 하강 기울기를 가지고 감소하는가는 회로설계의 중요한 요소가 된다. 출력 FET(10)가 턴온 되더라도, 콘덴서(C20a)에 저장된 충전전압에 의해서 출력단(11)의 전압은 로우레벨의 신호로 급작스럽게 변화하지 않고, 저항(R20a,R21a,VR20a) 및 콘덴서(C20a)에 의해 결정되는 시정수에 의해서 서서히 감소하게 된다.At this time, the decreasing slope of the output voltage becomes an important factor of circuit design. Even when the output FET 10 is turned on, the voltage of the output terminal 11 does not suddenly change to a low level signal due to the charging voltage stored in the capacitor C20a, and the resistors R20a, R21a, VR20a and the capacitor C20a are It is gradually decreased by the time constant determined by.

구간 ③에서 콘덴서(C20a) 전압이 완전 방전됨에 따라서 출력단(11)의 파형이 로우레벨에 이르는 것을 볼 수 있다. 따라서 램프입력단 A(40a)의 입력신호가 종전 충전방향과는 반대 극성의 방향으로 콘덴서(C20a)를 완전히 충전하고, 출력 FET(10)의 게이트 단자에 전달되어 점차로 출력 FET(10)의 게이트 전압이 상승한다. It can be seen that the waveform of the output terminal 11 reaches a low level as the capacitor C20a voltage is completely discharged in the section ③. Therefore, the input signal of the ramp input terminal A 40a completely charges the capacitor C20a in the direction opposite to the conventional charging direction, and is transferred to the gate terminal of the output FET 10 to gradually increase the gate voltage of the output FET 10. This rises.

구간 ④에서 램프입력단 A(40a)의 하이레벨이 로우레벨의 신호로 천이하면서, 모든 트랜지스터(Q31~Q34)가 오프 상태가 된다. 이 때 pnp 타입의 BJT(Q31)가 오프 되면서 출력단(11)의 전압은 빠르게 상승하고, 구간 ⑤에서는 구간 ①과 같이 안정상태가 지속된다.In the period ④, all the transistors Q31 to Q34 are turned off while the high level of the ramp input terminal A 40a transitions to a low level signal. At this time, as the pnp type BJT (Q31) is turned off, the voltage of the output terminal 11 rises rapidly. In the section ⑤, the stable state is maintained as in the section ①.

구간 ⑥에서 램프입력단 B(40b)에 입력신호가 로우레벨에서 하이레벨로 천이가 일어난다. 구간 ②에서 램프입력단 A(40a)의 입력신호에 의한 현상이 동일하게 반복된다. 다만 구간 ②와 ⑥의 게이트 전압의 상승기울기, 출력단(11)의 천이기울기는 각 램프파형 발생부(20)의 회로소자에 의한 시정수에 따라 달라진다. In the section ⑥, the input signal transitions from the low level to the high level to the ramp input terminal B 40b. In the section ②, the phenomenon caused by the input signal of the lamp input terminal A 40a is repeated in the same manner. However, the rising slope of the gate voltage in the sections ② and ⑥ and the transition slope of the output terminal 11 vary depending on the time constant by the circuit elements of the respective ramp waveform generators 20.

또한 구간 ⑦에서 콘덴서(C20b) 전압이 완전히 방전됨에 따라 출력단(11)의 파형은 로우레벨로 안정되고 구간 ③에서와 같이 출력 FET(10)의 게이트 단자의 전압이 서서히 증가한다. 이때 천이기울기는 램프파형 발생부의 회로소자에 따른 시정수에 의해 결정되며, 따라서 게이트 단자 전압의 파형은 구간 ③과 다른 천이기울기를 가질 수 있다.In addition, as the capacitor C20b voltage is completely discharged in the section ⑦, the waveform of the output terminal 11 is stabilized to a low level, and as in the section ③, the voltage of the gate terminal of the output FET 10 gradually increases. At this time, the transition slope is determined by the time constant according to the circuit elements of the ramp waveform generator, and thus the waveform of the gate terminal voltage may have a transition slope different from that of the section ③.

각 게이트 스위칭부(30)의 npn 타입의 BJT(Q32,Q34)는 램프입력단(40)의 입력신호를 바이어스 전압으로 하고 있으나, 노이즈 등에 의한 오동작을 방지하기 위해서 별도의 이네이블 신호를 입력으로 하는 것도 가능할 것이다.The npn type BJTs Q32 and Q34 of the gate switching unit 30 use the input signal of the ramp input terminal 40 as a bias voltage, but use a separate enable signal as an input to prevent malfunction due to noise or the like. It would also be possible.

또한 출력단(11)의 천이기울기를 위해서 저항 및 콘덴서의 시정수를 조절할 수 있도록 가변저항을 갖도록 할 수 있으며, 특히 빠른 천이를 위해서 본 실시예의 램프파형 발생부(20b)의 콘덴서(C20b)와 이에 연결되는 저항(R21b)을 생략할 수도 있음은 물론이다.In addition, it is possible to have a variable resistor to adjust the time constant of the resistor and the capacitor for the slope of the output terminal 11, in particular for the fast transition of the capacitor (C20b) of the ramp waveform generator 20b of the present embodiment and It goes without saying that the resistor R21b to be connected may be omitted.

상기 실시예와는 다른 실시예로서 램프입력단을 스위칭 하고, 이 스위칭에 따라 램프파형 발생부의 가변저항 또는 가변콘덴서를 가변하도록 하여 하나의 램프파형 발생부를 이용, 다양한 천이기울기를 갖는 바이어스 전압을 만들어 낼 수도 있다. 즉, 램프입력단이 수개 인 경우 적정한 램프입력단을 선택하여 출력하고 이에 따라 램프파형 발생부의 회로소자의 정수값을 변화시킬 수 있다. 램프입력단에 입력되는 입력신호에 따라 회로소자의 정수값이 변화하면서 천이기울기가 변화되도록 하는 것이다.As an embodiment different from the above embodiment, the lamp input stage is switched, and the variable resistor or variable capacitor of the ramp waveform generator is varied according to the switching to generate a bias voltage having various transitions using one ramp waveform generator. It may be. That is, when there are several lamp input stages, an appropriate lamp input stage may be selected and output, and accordingly, the integer value of the circuit element of the ramp waveform generator may be changed. As the integer value of the circuit element changes according to the input signal input to the lamp input terminal, the transition gradient changes.

상기한 실시예는 하나 이상의 기울기를 갖는 천이 파형을 출력하기 위한 스위칭 회로로서, 이러한 스위칭 회로가 사용되는 모든 제품에 본 발명이 사용될 수 있다. 특히 높은 전압을 사용하는 PDP의 리셋 구동부에서는 고가의 출력 FET(10)의 개수를 줄일 수 있으므로 매우 유용하게 이용될 수 있다. 상기 실시예에서 출력단(11)의 로우레벨 또는 하이레벨 신호에 따라 PDP의 모든 셀에 충전되어 있는 벽전하가 소거된다. 이때 어떠한 신호레벨에서 벽전하의 소거가 이루어지는가는 회로 설계에 따라 달라질 것이다.The above embodiment is a switching circuit for outputting a transition waveform having one or more slopes, and the present invention can be used in all products in which such switching circuit is used. In particular, in the reset driver of the PDP using a high voltage, the number of expensive output FETs 10 can be reduced, which can be very useful. In the above embodiment, the wall charges charged in all the cells of the PDP are erased according to the low level or high level signal of the output terminal 11. At this signal level, the wall charge cancellation will depend on the circuit design.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명의 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, it will be apparent to those skilled in the art that the embodiments may be modified without departing from the spirit or spirit of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

본 발명에 의해 고열, 고전압 등에 우수한 고품질의 FET의 개수를 줄여 제조비용을 절감할 수 있다.According to the present invention, the number of high quality FETs excellent in high heat, high voltage, etc. can be reduced, thereby reducing manufacturing costs.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 회로의 블록 구성도,1 is a block diagram of a switching circuit according to an embodiment of the present invention;

도2는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 회로도,2 is a switching circuit diagram according to an embodiment of the present invention;

도3은 본 발명의 실시예에 따른 도2에 도시된 스위칭 회로의 출력파형도로서.3 is an output waveform diagram of the switching circuit shown in FIG. 2 according to the embodiment of the present invention;

도3(a)는 도2의 램프입력단 A에 입력되는 입력파형,3 (a) shows an input waveform input to the ramp input terminal A of FIG.

도3(b)는 도2의 램프입력단 B에 입력되는 입력파형,FIG. 3 (b) shows an input waveform input to the ramp input terminal B of FIG.

도3(c)는 도2의 출력 FET의 게이트 단자에 입력되는 전압의 파형,FIG. 3C is a waveform of a voltage input to the gate terminal of the output FET of FIG.

도3(d)는 도2의 출력단에서 출력되는 전압의 파형이다.3D is a waveform of a voltage output from the output terminal of FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 출력 FET 11: 출력단10: output FET 11: output stage

20: 램프파형 발생부 30: 게이트 스위칭부20: ramp waveform generator 30: gate switching unit

40: 램프입력단 Q31,Q33: pnp BJT40: Lamp input terminal Q31, Q33: pnp BJT

Q32,Q34: npn BJT D20a,D20b: 다이오드Q32, Q34: npn BJT D20a, D20b: diode

R20a~R31b: 저항 C20a,C20b: 콘덴서R20a to R31b: resistors C20a and C20b: capacitors

Claims (6)

2이상의 천이기울기를 갖는 출력파형을 출력하는 스위칭용 FET를 포함하는 스위칭 회로에 있어서,A switching circuit comprising a switching FET for outputting an output waveform having two or more transition slopes, 상기 FET의 게이트 단자에 스위칭 신호를 출력하여 상기 출력파형이 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 하나 이상의 램프(ramp)파형발생부와,One or more ramp waveform generators for outputting a switching signal to the gate terminal of the FET such that the output waveform has two or more transition slopes; 상기 램프파형 발생부에서 발생하는 스위칭 신호를 선택하여 상기 FET의 게이트 단자에 입력되도록 하는 게이트 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.And a gate switching unit for selecting a switching signal generated by the ramp waveform generator and inputting the switching signal to a gate terminal of the FET. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 스위칭부는 하나 이상의 BJT를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.The gate switching unit comprises at least one BJT. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 램프파형 발생부는 콘덴서를 포함하고, 상기 콘덴서는 상기 FET의 출력단과 연결되어 상기 게이트 스위칭부에 출력되는 스위칭 신호가 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.The ramp waveform generating unit includes a capacitor, and the capacitor is connected to an output terminal of the FET so that the switching signal output to the gate switching unit has two or more transitions. 2이상의 천이기울기를 갖는 출력파형을 출력하는 스위칭용 FET를 갖는 구동회로를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,A plasma display panel comprising a driving circuit having a switching FET for outputting an output waveform having two or more transition slopes, 상기 FET의 게이트 단자에 스위칭 신호를 출력하여 상기 출력파형이 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 하나 이상의 램프(ramp)파형발생부와,One or more ramp waveform generators for outputting a switching signal to the gate terminal of the FET such that the output waveform has two or more transition slopes; 상기 램프파형 발생부에서 발생하는 스위칭 신호를 선택하여 상기 FET의 게이트 단자에 입력되도록 하는 게이트 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a gate switching unit for selecting a switching signal generated by the ramp waveform generator and inputting the switching signal to the gate terminal of the FET. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 게이트 스위칭부는 하나 이상의 BJT를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And the gate switching unit includes one or more BJTs. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 램프파형 발생부는 콘덴서를 포함하고, 상기 콘덴서는 상기 FET의 출력단과 연결되어 상기 게이트 스위칭부에 출력되는 스위칭 신호가 2 이상의 천이기울기를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The ramp waveform generating unit includes a capacitor, and the capacitor is connected to an output terminal of the FET so that the switching signal output to the gate switching unit has two or more transitions.
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WO2009045049A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-09 Orion Pdp Co., Ltd Driving circuit for front electrode of plasma display panel

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