KR20050023631A - Method for treating the wafer using laser - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼를 레이저 가공하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 표면을 레이저로 마킹(marking) 또는 스크라이빙(scribing)할 때 탈이온수(deionized water : D. I water)를 이용하여 웨이퍼의 표면에 수막을 형성시킴으로써 레이저 가공시 발생하는 분진 및 얼룩을 제거함으로써 보다 우수한 품질의 반도체 부품을 생산하게 하는 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of laser processing a semiconductor wafer, and more particularly, to deionized water (D. I water) when marking or scribing a surface of a semiconductor wafer with a laser. The present invention relates to a laser processing method of a semiconductor wafer that produces a semiconductor component of higher quality by removing dust and dirt generated during laser processing by forming a water film on the surface of the wafer.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 부품 분야의 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에서 상기 반도체 부품은 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라 상기 반도체 부품은 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있으며, 그 일환으로 레이저 등이 반도체 부품의 가공에 사용되고 있다.Recently, with the rapid spread of information media such as computers, technology in the field of semiconductor parts is also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor component is required to operate at high speed and have a large storage capacity. Accordingly, the manufacturing technology of the semiconductor component is being developed to improve the degree of integration, reliability, and response speed. As a part of this, a laser or the like is used to process the semiconductor component.
반도체 부품의 제조공정에서 상기 레이저에 의한 반도체 부품의 가공이 실시되는 공정으로서, 특히 레이저를 사용하여 반도체 웨이퍼 표면을 가공하는 공정으로는 마킹 공정 및 스크라이빙 공정이 대표적이다.In the process of manufacturing a semiconductor component, the processing of the semiconductor component by the laser is performed, and in particular, a marking process and a scribing process are typical as a process of processing a semiconductor wafer surface using a laser.
상기 마킹 공정은, 반도체 부품의 제조공정에서 진행되는 각각의 단위 공정에 대한 정보 등을 웨이퍼 표면의 소정의 위치에 레이저로 표시하는 공정이다. 반도체 부품은 여러 가지의 단위 공정들을 정해진 순서대로 수행하여 제조된다. 만약 상기 단위 공정들을 순서대로 수행하지 않을 경우에는 바로 불량과 직결되고, 심각한 문제를 야기하므로, 반도체 부품의 제조에 사용되는 웨이퍼들이 정해진 순서에 의거하여 단위 공정이 진행되는가를 항상 확인해야 한다. 따라서 상기 단위 공정들에 투입되는 웨이퍼들을 구분하여 인식하기 위한 인식 부호(고유번호 또는 바코드)를 상기 웨이퍼의 소정 부위에 마킹한다. 또한, 스크라이빙 공정은 웨이퍼 상에 제조된 복수개의 반도체 부품을 개별 칩 단위로 절단하기 위한 공정이다.The marking step is a step of displaying, for example, information on each unit process performed in the manufacturing process of the semiconductor component with a laser at a predetermined position on the wafer surface. Semiconductor components are manufactured by performing various unit processes in a predetermined order. If the unit processes are not performed in order, it is directly related to defects and causes serious problems. Therefore, it is always necessary to check whether the unit processes are performed according to a predetermined order of wafers used in the manufacture of semiconductor components. Therefore, a recognition code (unique number or bar code) for distinguishing and recognizing wafers introduced into the unit processes is marked on a predetermined portion of the wafer. In addition, the scribing process is a process for cutting a plurality of semiconductor components manufactured on a wafer in individual chip units.
이와 같은 마킹 및 스크라이빙 공정은 레이저를 이용하여 수행될 수 있다. 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼를 마킹 또는 스크라이빙 등의 가공할 시에는, 레이저에 의해 절삭되는 부분에서 발생하는 파티클에 의한 분진 및 레이저 절삭 시 발생하는 열 등에 의해 웨이퍼 표면에 얼룩이 발생할 수 있다. 이러한 분진 및 얼룩은 반도체 부품의 품질에 심각한 영향을 끼치는 것으로, 이를 방지하기 위해 종래에는 도 1a에 도시한 바와 같이 웨이퍼(10)의 표면에 왁스 등과 같은 화학물질을 이용하여 보호막(11)을 형성한 후, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 보호막(11)이 형성된 웨이퍼(10)의 표면에 레이저를 조사하여 마킹 또는 스크라이빙하고, 이어 도 1c에 도시된 바와 같이 제거제를 사용하여 상기 보호막을 제거함으로써 반도체 웨이퍼(10)의 표면의 원하는 부분(13)에 마킹 또는 스크라이빙을 완료하는 방법을 이용하였다.Such marking and scribing process may be performed using a laser. When the semiconductor wafer is processed by marking or scribing using a laser, stains may occur on the surface of the wafer due to dust generated by particles generated at a portion cut by the laser and heat generated during laser cutting. These dusts and stains have a serious effect on the quality of the semiconductor component, in order to prevent the formation of the protective film 11 using a chemical such as wax on the surface of the wafer 10, as shown in Figure 1a conventionally. After that, as shown in FIG. 1B, the surface of the wafer 10 on which the passivation layer 11 is formed is irradiated with a laser to mark or scribe. Then, as shown in FIG. 1C, the passivation layer is removed using a remover. By removing, a method of completing marking or scribing on a desired portion 13 of the surface of the semiconductor wafer 10 was used.
이러한 종래의 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 가공 방법은 분진 및 얼룩의 발생을 제거하기 위해 웨이퍼 표면에 보호막을 형성하지만 완벽하게 분진 및 얼룩을 제거하지 못하는 문제점이 있다. 또한, 종래의 반도체 웨이퍼 가공 방법은 보호막을 형성하기 위한 왁스 및 이를 제거하기 위한 제거제를 사용해야 하므로 비용의 손실 및 제조 시간의 손실을 가져오는 문제점이 있다. 또한, 종래의 반도체 웨이퍼 가공 방법은 분진을 모으기 위한 집진 장치를 설치해야 하므로 반도체 부품의 제조가 이루어지는 클린룸(clean room) 공간의 제약을 가져오며, 분진으로 인한 클린룸의 오염을 발생시키게 되는 문제점이 있다.The conventional method of processing a semiconductor wafer using a laser forms a protective film on the surface of the wafer in order to remove dust and stains, but has a problem in that dust and stains cannot be completely removed. In addition, the conventional semiconductor wafer processing method has a problem in that it is necessary to use a wax for forming a protective film and a remover for removing the protective film, resulting in a loss of cost and a loss of manufacturing time. In addition, the conventional semiconductor wafer processing method has to install a dust collector for collecting dust, resulting in the limitation of the clean room space in which the semiconductor parts are manufactured, and the problem of contamination of the clean room due to dust There is this.
따라서, 당 기술 분야에서는 레이저를 이용하여 반도체 표면을 가공시, 분진 및 얼룩의 생성을 방지할 수 있으며 반도체 웨이퍼의 보호막 형성 및 제거를 위한 비용 및 시간의 손실을 줄이고, 반도체 부품이 생산되는 클린룸의 오염을 방지할 수 있는 새로운 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법이 요구되어 왔다.Therefore, in the technical field, lasers can be used to prevent the formation of dust and stains when processing semiconductor surfaces, and to reduce the cost and time lost for the formation and removal of protective films on semiconductor wafers. There is a need for a laser processing method of a new semiconductor wafer capable of preventing contamination of the semiconductor.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 마킹 또는 스크라이빙 등과 같이 반도체 웨이퍼의 표면을 레이저로 가공할 때 탈이온수를 이용하여 웨이퍼의 표면에 수막을 형성시켜 레이저 가공시 발생하는 분진 및 얼룩을 제거함으로써, 보다 우수한 품질의 반도체 부품을 생산 가능하게 하며, 또한 반도체 웨이퍼의 보호막 형성 및 제거를 위한 비용 및 시간을 절약할 수 있으며, 분진의 발생으로 인한 클린룸의 오염을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법을 제공하는데 있다. The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to form a water film on the surface of the wafer using deionized water when laser processing the surface of the semiconductor wafer, such as marking or scribing laser By removing dust and stains generated during processing, it is possible to produce semiconductor parts of higher quality, and also to save cost and time for forming and removing protective films of semiconductor wafers. The present invention provides a laser processing method of a semiconductor wafer capable of preventing contamination.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로서 본 발명은,The present invention as a technical means for achieving the above object,
웨이퍼를 마련하는 단계와, 상기 웨이퍼의 표면에 평행하게 탈이온수를 지속적으로 분사하여 소정의 두께를 갖는 수막을 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼의 표면을 레이저로 가공하는 단계 및 상기 웨이퍼의 표면에 불활성 기체를 분사하여 상기 수막을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법을 제공한다.Preparing a wafer, continuously spraying deionized water parallel to the surface of the wafer to form a water film having a predetermined thickness, machining the surface of the wafer with a laser, and inert to the surface of the wafer It provides a laser processing method of a semiconductor wafer comprising the step of spraying a gas to remove the water film.
또한, 본 발명의 일실시형태는 상기 웨이퍼 표면과 소정의 각도를 이루도록 탈이온수를 분사하여 상기 레이저로 가공하는 단계에서 생성되는 분진을 제거하는 단계를 더 포함한다.In addition, one embodiment of the present invention further comprises the step of removing the dust generated in the step of spraying the deionized water to the predetermined angle with the wafer surface by the laser processing.
또한, 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 상기 수막을 제거하는 단계는 상기 웨이퍼 표면의 일측에서 상기 웨이퍼의 표면에 평행하게 불활성 기체를 분사하며, 동시에 상기 웨이퍼의 표면에 소정의 각도를 이루어 불활성 기체를 분사하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 수막을 형성하는 단계에서 상기 탈이온수를 분사하는 압력은 6 kg/cm2 이하임이 바람직하며, 상기 수막의 두께는 4 mm 이하임이 바람직하다.In addition, in a preferred embodiment of the present invention, the step of removing the water film injects an inert gas parallel to the surface of the wafer at one side of the wafer surface, and at the same time at a predetermined angle to the surface of the wafer to inert gas It is preferable to spray. In addition, the pressure for spraying the deionized water in the step of forming the water film is preferably 6 kg / cm 2 or less, the thickness of the water film is preferably 4 mm or less.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공방법을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a semiconductor wafer processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법을 도시한 공정도이다. 먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 레이저 가공될 반도체 웨이퍼(10)의 일측에 상기 웨이퍼(10)의 표면에 평행하게 설치된 제1 탈이온수 분사노즐(24a)을 통해 탈이온수를 지속적으로 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 표면에 수막(21)을 형성한다.2 is a process chart showing a laser processing method of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 2A, deionized water is continuously sprayed through a first deionized water spray nozzle 24a installed parallel to the surface of the wafer 10 on one side of the semiconductor wafer 10 to be laser processed. The water film 21 is formed on the surface of the wafer 10.
수막을 형성하는데 사용되는 상기 탈이온수는 수중의 무기염류를 제거한 순수한 물에 가까운 고품위의 물을 말하는 것으로, 천연수에 포함된 나트륨, 칼슘 등 양이온과 염소이온, 황산이온 등 음이온이 제거된 물이다. 무기염류가 포함된 일반적인 물을 사용하는 경우에는 반도체 웨이퍼(10)의 표면과 상기 무기염류간의 화학반응이 발생할 수 있으므로 탈이온수를 사용하여 수막(21)을 형성하는 것이 바람직하다.The deionized water used to form the water film refers to high-quality water close to pure water from which inorganic salts are removed from water, and is water in which cations such as sodium and calcium, and anions such as chlorine and sulfate ions are removed from natural water. . In the case of using general water containing inorganic salts, since a chemical reaction may occur between the surface of the semiconductor wafer 10 and the inorganic salts, it is preferable to form the water film 21 using deionized water.
또한, 수막(21)을 형성하는 탈이온수의 분사는 이후 레이저를 이용한 웨이퍼 표면의 가공시에도 지속적으로 이루어져야 한다. 이는 레이저 가공시 형성되는 분진이 지속적으로 공급되는 탈이온수에 의해 제거되도록 하기 위해서 이다. 한편, 분사되는 탈이온수의 수압이 6 kg/cm2를 초과하게 되면, 이후 웨이퍼의 표면을 가공하기 위해 조사되는 레이저에 영향을 끼쳐 정확한 위치에서 웨이퍼 표면 가공이 이루어지지 않을 수 있기 때문에 탈이온수의 수압은 6 kg/cm2 이하임이 바람직하다. 그리고, 탈이온수에 의해 형성되는 수막(21)의 두께가 4mm를 초과하는 경우에도 역시 이후 웨이퍼의 표면을 가공하기 위해 조사되는 레이저에 영향을 끼칠 수 있으므로 , 상기 수막(21)의 두께는 4mm 이하임이 바람직하다.In addition, the injection of the deionized water forming the water film 21 should be made continuously during the subsequent machining of the wafer surface using a laser. This is to ensure that dust formed during laser processing is removed by deionized water which is continuously supplied. On the other hand, if the water pressure of the injected deionized water exceeds 6 kg / cm 2 , since the irradiated laser for processing the surface of the wafer may be affected, the wafer surface may not be processed at the correct position. The water pressure is preferably 6 kg / cm 2 or less. In addition, even when the thickness of the water film 21 formed by the deionized water exceeds 4 mm, the thickness of the water film 21 may be 4 mm or less since it may affect the laser irradiated to process the surface of the wafer. Is preferred.
이어, 도 2b에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(10) 표면의 원하는 부분에 레이저(12)를 조사하여 웨이퍼 표면을 가공한다. 상기 레이저(12)를 이용한 반도체 웨이퍼(10)의 가공은 마킹(marking) 또는 스크라이빙(scribing)일 수 있다. 상기 레이저(12)를 조사하여 반도체 웨이퍼(10)의 표면을 가공할 때, 반도체 웨이퍼(10) 표면의 일부가 소정의 두께로 상기 레이저(12)에 의해 제거되면서 파티클(10a)이 발생한다. 상기 파티클(10a)은 지속적인 탈이온수의 분사를 통하여 형성된 수막(21)에 의해 탈이온수가 분사되는 반대측으로 즉시 제거되면서 분진 및 얼룩이 발생하지 않는다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, a desired surface of the semiconductor wafer 10 is irradiated with a laser 12 to process the wafer surface. Processing of the semiconductor wafer 10 using the laser 12 may be marking or scribing. When the surface of the semiconductor wafer 10 is processed by irradiating the laser 12, a particle 10a is generated while a part of the surface of the semiconductor wafer 10 is removed by the laser 12 to a predetermined thickness. The particles 10a are immediately removed to the opposite side to which the deionized water is sprayed by the water film 21 formed through continuous spraying of deionized water, so that dust and stains do not occur.
또한, 본 발명의 바람직한 실시형태로서, 탈이온수를 분사하기 위한 별도의 제2 탈이온수 분사노즐(24b)을 설치하여, 반도체 웨이퍼(10) 표면상에 레이저가 조사되어 가공이 이루어지는 위치에 상기 반도체 웨이퍼의 표면과 소정의 각도를 이루도록 탈이온수를 분사할 수 있다. 상기 제1 탈이온수 분사노즐(24a)에 의해 분사되는 탈이온수는 웨이퍼(10) 표면에 수평으로 분사되므로, 레이저(12)를 조사하여 형성되는 홈(10b) 내에 존재할 수 있는 파티클을 제거하기가 용이하지 않다. 따라서 웨이퍼(10) 표면에 소정의 각도로 탈이온수를 분사할 수 있는 상기 제2 탈이온수 분사노즐(24b)을 설치하여, 레이저 가공이 이루어지는 부분에 탈이온수를 추가적으로 분사함으로써 보다 효율적인 파티클(10a)의 제거가 가능하게 된다.In addition, in a preferred embodiment of the present invention, a separate second deionized water injection nozzle 24b for injecting deionized water is provided, whereby the semiconductor is irradiated on the surface of the semiconductor wafer 10 to process the semiconductor. Deionized water may be sprayed to form a predetermined angle with the surface of the wafer. Since the deionized water sprayed by the first deionized water spray nozzle 24a is sprayed horizontally on the surface of the wafer 10, it is difficult to remove particles that may exist in the groove 10b formed by irradiating the laser 12. Not easy Therefore, by installing the second deionized water injection nozzle 24b capable of injecting deionized water at a predetermined angle on the surface of the wafer 10, and additionally spraying deionized water to a portion where laser processing is performed, the particle 10a is more efficient. Can be removed.
이어, 레이저의 조사가 종료되면 도 2c에 도시된 바와 같이 불활성기체 분사노즐(25a, 25b)을 이용하여 웨이퍼 표면에 불활성기체를 분사하여 잔여 탈이온수(21a)를 제거한다. 불활성기체는 화학적으로 매우 활발하지 못하여 화합물을 생성하기 어렵다. 따라서, 웨이퍼 표면으로부터 잔여 탈이온수(21a)를 제거하는 과정에서 화학적 반응이 발생하는 것을 방지하기 위해 불활성기체를 사용하는 것이 적합하다. 상기 불활성기체는 대기 중에서 쉽게 구할 수 있는 질소(N2)를 사용하는 것이 바람직하다. 잔여 탈이온수(21a) 제거를 위한 불활성기체의 분사는 상기 탈이온수의 분사와 유사하게, 제1 불활성기체 분사노즐(25a)을 이용하여 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 평행하게 불활성기체를 분사하고, 제2 불활성기체 분사노즐(25b)을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 소정의 각도를 이루어 불활성기체를 분사하는 것이 바람직하다.Subsequently, when the irradiation of the laser is completed, the inert gas is sprayed onto the wafer surface using the inert gas ejection nozzles 25a and 25b to remove residual deionized water 21a as shown in FIG. 2C. Inert gases are not very chemically active, making it difficult to produce compounds. Therefore, it is suitable to use an inert gas to prevent chemical reactions from occurring in the process of removing residual deionized water 21a from the wafer surface. As the inert gas, it is preferable to use nitrogen (N 2 ) which can be easily obtained in the atmosphere. Injecting the inert gas for removing the residual deionized water 21a is similar to the spraying of the deionized water. The inert gas is sprayed in parallel to the surface of the semiconductor wafer 10 using the first inert gas ejection nozzle 25a. The inert gas is preferably sprayed at a predetermined angle on the surface of the semiconductor wafer 10 using the second inert gas ejection nozzle 25b.
상기와 같은 과정을 통해 도 2d에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(10) 표면의 소정 위치(23)에 레이저를 이용한 웨이퍼 표면 가공을 완료하게 된다.Through the above process, as shown in FIG. 2D, the wafer surface processing using the laser is completed at a predetermined position 23 on the surface of the semiconductor wafer 10.
도 3은 종래의 방법에 의해 가공된 웨이퍼의 표면과 본 발명에 의해 가공된 웨이퍼의 표면을 비교한 비교도로서, 도 3a는 종래의 방법에 의해 가공(스크라이빙)된 반도체 웨이퍼의 표면의 확대 사진이다. 도 3a에 나타난 바와 같이 종래의 방법에 의해 가공된 반도체 웨이퍼의 표면은 레이저 가공시 발생하는 분진 및 열로 인해 얼룩이 발생하여 외관상으로 깨끗하지 못하다. 이러한 얼룩은 외관상으로 깨끗하지 못할 뿐만 아니라 제조되는 반도체 소자의 성능을 저하시키게 된다. 반면, 도 3b는 본 발명에 의해 레이저 가공된 반도체 웨이퍼 표면의 확대 사진으로 도 3a와 비교할 때, 거의 얼룩이 발생하지 않았음을 알 수 있다. 도 3a 및 도 3b를 비교해 본 것에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법은 가공이 이루어지는 반도체 웨이퍼의 표면에 지속적으로 탈이온수를 분사하여 수막을 형성함으로써 레이저 가공시 발생하는 고열을 방지하며, 파티클이 생성되는 즉시 분사되는 탈이온수에 의해 파티클이 제거되므로 분진 및 표면 얼룩이 발생하지 않는다. 3 is a comparative view comparing the surface of the wafer processed by the conventional method and the surface of the wafer processed by the present invention, and FIG. 3A is a view of the surface of the semiconductor wafer processed (scribed) by the conventional method. It is an enlarged photograph. As shown in FIG. 3A, the surface of the semiconductor wafer processed by the conventional method is unclean in appearance because stains occur due to dust and heat generated during laser processing. Such stains are not only clean in appearance but also reduce the performance of the semiconductor device to be manufactured. On the other hand, Figure 3b is a magnified photograph of the surface of the semiconductor wafer laser processed by the present invention, it can be seen that almost no stain occurs when compared with Figure 3a. As can be seen from comparing FIG. 3A and FIG. 3B, the laser processing method of the semiconductor wafer according to the present invention generates a water film by continuously spraying deionized water on the surface of the semiconductor wafer where the processing is performed. It prevents high heat and removes particles by deionized water which is sprayed as soon as particles are generated.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법은 반도체 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성하기 위한 왁스 및 이를 제거하기 위한 제거제를 사용하지 않으므로 비용 및 제조 시간을 절약할 수 있으며, 파티클이 탈이온수에 포함되어 제거되므로 분진을 모으기 위한 집진 장치를 설치할 필요가 없으므로 클린룸(clean room) 공간을 충분히 확보할 수 있으며, 분진으로 인한 클린룸의 오염을 방지할 수 있다.In addition, the laser processing method of the semiconductor wafer according to the present invention does not use a wax for forming a protective film on the surface of the semiconductor wafer and a remover for removing the same, thereby saving cost and manufacturing time, and the particles are deionized in deionized water. Since it is included and removed, there is no need to install a dust collector to collect dust, thereby ensuring sufficient clean room space and preventing contamination of the clean room due to dust.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.The present invention described above is not limited by the above-described embodiment and the accompanying drawings, but by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 마킹 또는 스크라이빙 등과 같이 반도체 웨이퍼의 표면을 레이저로 가공할 때 탈이온수를 이용하여 웨이퍼의 표면에 수막을 형성시켜 레이저 가공시 발생하는 분진 및 얼룩 발생을 방지함으로써, 보다 우수한 품질의 반도체 부품을 생산할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 레이저 가공시 발생하는 파티클이 탈이온수에 포함되어 제거되므로 분진을 모으기 위한 집진 장치를 설치할 필요가 없으므로 클린룸(clean room) 공간을 충분히 확보할 수 있으며, 분진으로 인한 클린룸의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 종래의 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 시 필요한 보호막 형성 및 레이저 가공 후 상기 보호막의 제거에 소요되는 비용 및 시간을 절약할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, when processing the surface of the semiconductor wafer such as marking or scribing with a laser, deionized water is used to form a water film on the surface of the wafer to prevent dust and stains generated during laser processing. Thereby, there is an effect that can produce a semiconductor component of more excellent quality. In addition, according to the present invention, since particles generated during laser processing are removed by being included in deionized water, there is no need to install a dust collecting device to collect dust, thereby ensuring sufficient clean room space, and clean due to dust There is an effect to prevent contamination of the room. In addition, according to the present invention, there is an effect that can save the cost and time required to form a protective film required for laser processing of a conventional semiconductor wafer and to remove the protective film after laser processing.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법을 도시한 공정도이다1 is a process chart showing a laser processing method of a conventional semiconductor wafer.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법을 도시한 공정도이다.2 is a process chart showing a laser processing method of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
도 3은 종래의 방법에 의해 가공된 웨이퍼의 표면과 본 발명에 의해 가공된 웨이퍼의 표면을 비교한 비교도이다.3 is a comparative view comparing the surface of a wafer processed by the conventional method with the surface of the wafer processed by the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 반도체 웨이퍼 10a : 파티클10 semiconductor wafer 10a particle
11 : 보호막 12 : 레이저11: protective film 12: laser
21 : 탈이온수 수막 24a, 24b : 탈이온수 분사노즐21: deionized water film 24a, 24b: deionized water spray nozzle
25a, 25b : 불활성기체 분사노즐25a, 25b: Inert gas jet nozzle
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030060877A KR20050023631A (en) | 2003-09-01 | 2003-09-01 | Method for treating the wafer using laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030060877A KR20050023631A (en) | 2003-09-01 | 2003-09-01 | Method for treating the wafer using laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050023631A true KR20050023631A (en) | 2005-03-10 |
Family
ID=37231112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030060877A KR20050023631A (en) | 2003-09-01 | 2003-09-01 | Method for treating the wafer using laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20050023631A (en) |
-
2003
- 2003-09-01 KR KR1020030060877A patent/KR20050023631A/en not_active Application Discontinuation
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