KR20050015441A - Method for Deposition of Hafnium Oxide Thin Films - Google Patents

Method for Deposition of Hafnium Oxide Thin Films

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Abstract

PURPOSE: A method of depositing a hafnium oxide layer is provided to eliminate leakage current by removing entirely nitrogen atoms in a reaction process between an organic metal material and a reaction gas. CONSTITUTION: A method of depositing a hafnium oxide layer includes a process for depositing the hafnium oxide layer on a substrate loaded into a chamber by reacting an organic source material including hafnium and a reaction gas with each other. The organic source material including the hafnium is tetrakis-alkoxy-hafnium and the reaction gas includes oxygen atoms and nitrogen atoms. The tetrakis-alkoxy-hafnium is tetrakis t-butoxy hafnium.

Description

산화하프늄 박막 증착 방법{Method for Deposition of Hafnium Oxide Thin Films} Method for Deposition of Hafnium Oxide Thin Films

본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기금속 화학기상증착(Metal-Organic Chemical Vapor Compostion)에 의한 산화하프늄 박막 증착 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film deposition method, and more particularly to a method for depositing a hafnium oxide thin film by metal-organic chemical vapor deposition (Metal-Organic Chemical Vapor Compostion).

종래 반도체의 절연막이나 커패시터용 박막 등을 증착시키는 데 물리적 증착방법인 스퍼터링(sputtering)법이 사용되었다. 그러나 스퍼터링법에 의하여 제조된 박막은 단차 피복성(step coverage)이 떨어진다. 따라서, 반도체 소자의 초고밀도화, 초집적화에 따라 우수한 단차 피복성을 갖는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 법이 개발되었다. Conventionally, a sputtering method, which is a physical vapor deposition method, is used to deposit an insulating film or a capacitor thin film of a semiconductor. However, the thin film produced by the sputtering method is inferior in step coverage. Accordingly, a chemical vapor deposition (CVD) method having excellent step coverage has been developed in accordance with ultra high density and super integration of semiconductor devices.

CVD방법이란, 반도체 소자의 성분을 포함하는 소스물질과 반응가스들의 화학적인 반응을 통하여 원하는 박막을 형성하는 기술이다. 즉, 기체상태의 소스물질과 반응가스들을 웨이퍼의 표면에서 반응(산화, 환원, 분해)시켜 생성된 화합물을 웨이퍼의 표면에 증착시키는 박막 형성 방법이다. The CVD method is a technique of forming a desired thin film through chemical reaction of a reaction material and a source material containing a semiconductor device. That is, a thin film formation method for depositing a compound formed by reacting (oxidizing, reducing, or decomposing) a gaseous source material and reaction gases on a surface of a wafer.

그러나, 종래 CVD법에 의할 경우 박막을 형성하기 위해서는 비교적 고온의 공정온도가 요구되어 저온에서 박막을 형성할 수 있는 다양한 방법들이 모색되었는 데, 대표적인 것이 유기금속 화학기상증착(Metal organic chemical vapor depostion, MOCVD) 법이다. MOCVD는 웨이퍼상에 증착시키고자 하는 원료물질(실리콘, 탄탈륨, 지르코늄, 하프늄)등을 포함하는 유기금속 원료물질과 반응가스를 화학적으로 반응시켜 웨이퍼상에 증착시키는 기술로서, 종래 CVD 법에 비하여 저온에서도 불순물이 적은 박막을 형성할 수 있다. However, according to the conventional CVD method, a relatively high process temperature is required to form a thin film, and various methods for forming a thin film at low temperatures have been sought. A typical example is a metal organic chemical vapor deposition. , MOCVD) method. MOCVD is a technique for chemically reacting an organic metal raw material including a raw material (silicon, tantalum, zirconium, hafnium) and a reaction gas to be deposited on a wafer and depositing it on a wafer. Even in this case, a thin film having few impurities can be formed.

현재 MOCVD법에 의하여 산화하프늄 박막을 형성하는 공정을 살펴보면 다음과 같다. The process of forming a hafnium oxide thin film by the current MOCVD method is as follows.

소스물질로서 하프늄을 포함하는 유기금속화합물인 테트라키스 메틸에틸아미노하프늄(Tetrakis methyl ethyl amino hafnium, Hf[N(C2H5)CH3]4 , 이하 'TEMAH'라 한다.)이 적절한 기화온도로 처리된 기화기에 의하여 기체상태로 되어 유량조절기를 통하여 적절한 유속으로 반응챔버(또는 리모트 플라즈마 발생기) 내부로 공급된다.Tetrakis methyl ethyl amino hafnium (Hf [N (C 2 H 5 ) CH 3 ] 4 , hereinafter referred to as 'TEMAH'), an organometallic compound containing hafnium as a source material, is an appropriate vaporization temperature. It is gasified by the vaporized vaporizer, and is supplied into the reaction chamber (or the remote plasma generator) at an appropriate flow rate through the flow controller.

또한, 상기 TEMAH와 반응하여 산화하프늄막을 증착시키게 되는 반응가스로서 산소 또는 오존 등을 TEMAH와 동시에 반응챔버로 유입시키면 하기와 같이 반응하여 산화하프늄막을 형성시킨다.In addition, when oxygen or ozone is introduced into the reaction chamber simultaneously with TEMAH as a reaction gas that reacts with TEMAH to deposit a hafnium oxide film, the hafnium oxide film is reacted as follows.

TEMAH + O2 → HfO2 + 부산물. 또는,TEMAH + O 2 → HfO 2 + by-products. or,

TEMAH + O3 → HfO2 + 부산물.TEMAH + O 3 → HfO 2 + by-products.

그러나, 산화하프늄막의 원료물질로서 사용되는 상기 TEMAH중에는 질소원자가 포함되어 있어 웨이퍼 상에 증착된 산화하프늄막에는 질소가 불순물의 형태로 잔류하게 되어 누설전류의 요인이 된다. However, the TEMAH used as a raw material of the hafnium oxide film contains nitrogen atoms, so that nitrogen remains in the form of impurities in the hafnium oxide film deposited on the wafer, causing leakage current.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 산화하프늄막을 형성하는 데 사용되는 소스물질 중에 질소원자를 포함하지 않음으로써, 반응가스와 반응하여 형성된 목적물인 산화하프늄막에 질소 불순물을 제거함으로써, 누설전류 없는 산화하프늄 박막 증착 방법을 제공하고자 하는 것이다. The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to include a hafnium oxide film which is a target product formed by reacting with a reaction gas by not including nitrogen atoms in the source material used to form the hafnium oxide film. It is to provide a method for depositing a hafnium oxide thin film without leakage current by removing nitrogen impurities.

또한, 본 발명의 다른 목적은 하프늄을 포함하는 유기 금속화합물과 반응가스가 챔버 내에서 빠르게 반응함으로써, 공정의 효율성을 증대시키는 산화하프늄 박막 증착 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method for depositing a hafnium oxide thin film which increases the efficiency of a process by reacting an organometallic compound including hafnium and a reaction gas rapidly in a chamber.

상기한 목적을 위하여, 본 발명은 하프늄을 포함하는 유기 소스물질과 반응기체를 반응시켜 챔버 내에 안착된 기판에 산화하프늄막을 증착시키는 방법에 있어서, 상기 하프늄을 포함하는 유기화합물은 테트라키스 알콕시 하프늄(Hf(OR)4)이고(여기서 R은 탄소수 3~4의 알킬기임), 상기 반응기체는 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 기체인 산화하프늄막을 증착시키는 방법을 제공한다.For the above purpose, the present invention is a method of depositing a hafnium oxide film on a substrate seated in a chamber by reacting an organic source material containing hafnium and a reactor, wherein the organic compound containing hafnium is tetrakis alkoxy hafnium ( Hf (OR) 4) , wherein R is an alkyl group having 3 to 4 carbon atoms, and the reactor provides a method for depositing a hafnium oxide film, which is a gas containing an oxygen atom or a nitrogen atom.

본 발명의 증착 방법에 있어서, 상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 테트라키스 t-부톡시 하프늄이고, 상기 반응기체는 O2, O3, N2O, NO 또는 NH3 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하며, 반응챔버내의 온도는 250 ~ 650℃, 압력은 0.01 ~ 10 Torr인 것을 특징으로 한다.In the deposition method of the present invention, the tetrakis alkoxy hafnium is tetrakis t-butoxy hafnium, the reactor is characterized in that at least one of O 2 , O 3 , N 2 O, NO or NH 3 , The temperature in the reaction chamber is 250 ~ 650 ℃, the pressure is characterized in that 0.01 to 10 Torr.

또한, 상기 테트라키스 t-부톡시 하프늄은 옥탄 용액과 혼합하여 공급될 수 있고, 상기 산소를 포함하는 반응가스에 적당량의 질소 또는 아르곤 가스가 더욱 포함될 수 있다. In addition, the tetrakis t-butoxy hafnium may be supplied by mixing with the octane solution, a suitable amount of nitrogen or argon gas may be further included in the reaction gas containing oxygen.

본 발명의 바람직한 박막 형성을 위해서 상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 0.1 ~ 500mg/분의 속도로 유입되고, 상기 반응가스는 5 ~ 3000sccm의 유속으로 공급되는 것을 특징으로 한다. In order to form a preferred thin film of the present invention, the tetrakis alkoxy hafnium is introduced at a rate of 0.1 to 500 mg / min, and the reaction gas is supplied at a flow rate of 5 to 3000 sccm.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail.

본 발명은 반응챔버의 웨이퍼 상에 산화하프늄막을 증착시키기 위한 소스물질로서 테트라키스 알콕시하프늄(Hf(OR)4)(여기서, R은 탄소수 3~4인 알킬기임)을 사용하였다. 즉, 본 발명의 소스물질인 유기 금속화합물은 테트라키스 프로톡시하프늄 또는 테트라키스 부톡시하프늄 중에서 선택되는데, 바람직하게는 테트라키스 부톡시하프늄이며, 보다 바람직하게는 테트라키스 t-부톡시하프늄이다.In the present invention, tetrakis alkoxy hafnium (Hf (OR) 4 ) (where R is an alkyl group having 3 to 4 carbon atoms) was used as a source material for depositing a hafnium oxide film on a wafer of a reaction chamber. That is, the organometallic compound as the source material of the present invention is selected from tetrakis ethoxy hafnium or tetrakis butoxy hafnium, preferably tetrakis butoxy hafnium, and more preferably tetrakis t-butoxy hafnium.

본 발명의 소스물질로 사용된 상기 테트라키스 알콕시하프늄은 종래 사용되던 소스물질인 TEMAH와 달리, 구성원소로서 질소를 포함하고 있지 않다. 따라서, 본 발명의 테트라키스 알콕시하프늄을 기화시킨 후 산소 또는 오존가스와 반응하여 형성된 산화하프늄막 내부에는 질소원자가 불순물로 남지 않게 되어 누설전류를 제거할 수 있는 것이다. The tetrakis alkoxy hafnium used as the source material of the present invention does not contain nitrogen as a member element, unlike TEMAH, which is a source material used in the prior art. Therefore, the nitrogen atom does not remain as an impurity in the hafnium oxide film formed by vaporizing the tetrakis alkoxy hafnium of the present invention and reacting with oxygen or ozone gas to remove the leakage current.

본 발명의 하프늄을 포함하는 상기 테트라키스 알콕시하프늄은 반응챔버 내에서 반응가스로 사용되는 산소 또는 오존 가스와 반응하여 산화하프늄막을 형성하는데, 그 반응식은 다음과 같다. The tetrakis alkoxy hafnium containing hafnium of the present invention reacts with oxygen or ozone gas used as a reaction gas in the reaction chamber to form a hafnium oxide film. The reaction formula is as follows.

반응식 1Scheme 1

테트라키스 알콕시하프늄(Hf(OR)4) + O2 또는 O3 → HfO2 + 부산물Tetrakis alkoxyhafnium (Hf (OR) 4 ) + O 2 or O 3 → HfO 2 + by-products

한편, 본 발명의 소스물질인 상기 테트라키스 알콕시하프늄은 하프늄에 결합된 알콕시 리간드가 탄소수 3~4인 알킬기로 구성되어 있는데, 탄소수가 이보다 적은 경우에는 소스물질의 비등점이 낮아, 소스물질을 기화시키는 데 사용되는 기화온도에서 소스물질의 증기압력이 너무 크게 되어 반응가스 격렬하게 반응하여 원하지 않는 불순물이 생성될 수 수 있을 뿐 아니라, 생성된 박막의 두께를 균일하게 제어하기 어렵다. 또한, 탄소수가 이보다 많은 경우에는 반응가스와의 반응성이 떨어져 박막 증착의 속도가 더디게 되어 공정의 효율성을 기대하기 힘들다. On the other hand, the tetrakis alkoxy hafnium as the source material of the present invention is composed of an alkyl group having 3 to 4 carbon atoms alkoxy ligand bonded to hafnium, when the carbon number is less than this, the boiling point of the source material is low, and the source material is vaporized The vapor pressure of the source material is too high at the vaporization temperature used to not only react the reaction gas violently to produce unwanted impurities, but also difficult to uniformly control the thickness of the resulting thin film. In addition, when the carbon number is higher than this, the reactivity with the reaction gas is low, so that the deposition rate is slow and it is difficult to expect the efficiency of the process.

예를 들어, 본 발명의 소스물질 중 하나인 테트라키스 t-부톡시하프늄은 분자량 470.64인 무색의 액체화합물로서, 비등점이 50.3℃(0.5 Torr)인 물질이다. 즉, 상온에서는 액체로 존재하지만, 기화기에서 기화되어 반응챔버로 공급된 뒤에는 반응가스와 신속하게 반응하여 산화하프늄박막을 형성할 수 있다. For example, one of the source materials of the present invention, tetrakis t-butoxyhafnium, is a colorless liquid compound having a molecular weight of 470.64, and has a boiling point of 50.3 ° C. (0.5 Torr). That is, although it is present as a liquid at room temperature, after being vaporized in the vaporizer and supplied to the reaction chamber, the hafnium oxide thin film may be formed by rapidly reacting with the reaction gas.

또한, 본 발명에 사용된 상기 소스물질과 반응하여 산화하프늄막을 형성하는 반응가스는 산소 또는 오존가스와 같은 물질을 적어도 하나 이상 사용할 수 있다. 한편, 반응챔버의 공정에 있어서 질소원자를 주입할 필요가 있는 경우에는 반응가스로서 질소원자를 포함하는 가스로서, NO, N2O 또는 NH3 가스를 적어도 하나 이상 선택하여 사용할 수 있다.In addition, the reaction gas which reacts with the source material used in the present invention to form a hafnium oxide film may use at least one material such as oxygen or ozone gas. On the other hand, when it is necessary to inject nitrogen atoms in the reaction chamber process, at least one of NO, N 2 O or NH 3 gas may be selected and used as a gas containing nitrogen atoms as the reaction gas.

한편, 본 발명의 소스물질인 테트라키스 알콕시하프늄은 종래 소스물질인 TEMAH와 비교하여 상기 반응가스와 격렬하게 반응하여 파티클(particle)이 생성될 수 있다. 이를 위해서 소스물질과 반응가스의 반응성을 조절할 필요가 있다. On the other hand, tetrakis alkoxy hafnium as the source material of the present invention may be violently reacted with the reaction gas compared to the conventional source material TEMAH may generate particles (particles). To this end, it is necessary to control the reactivity of the source material and the reaction gas.

우선, 소스물질인 테트라키스 알콕시하프늄의 반응성을 조절을 위해서는 상온에서 무색의 액체로 존재하는 테트라키스 알콕시하프늄을 적절한 유기용매와 혼합하여 사용될 수 있다. 테트라키스 알콕시하프늄을 용해시킬 유기용매는 상기 테트라키스 알콕시하프늄보다 반응성이 약한 물질로서 후술하는 기화 온도 및 반응 챔버내의 온도에서도 비교적 안정적인 물질이다. 바람직하게는 포화 탄화수소 용액인 옥탄(Octane)을 용매로 선택하여 적절한 비율로 상기 테트라키스 알콕시하프늄 및 옥탄 혼합용액을 사용할 수 있다.First, in order to control the reactivity of a source of tetrakis alkoxy hafnium, tetrakis alkoxy hafnium, which is a colorless liquid at room temperature, may be mixed with an appropriate organic solvent. The organic solvent that will dissolve the tetrakis alkoxy hafnium is a material that is less reactive than the tetrakis alkoxy hafnium and is relatively stable even at the vaporization temperature described below and the temperature in the reaction chamber. Preferably, octane, which is a saturated hydrocarbon solution, may be selected as a solvent, and the mixed solution of tetrakis alkoxy hafnium and octane may be used in an appropriate ratio.

한편, 반응가스의 반응성을 조절하기 위한 방법으로는 상기 반응가스에 불활성 기체인 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스를 혼합할 수 있다. 이런 불활성 가스는 반응가스의 반응성 조절은 물론이고, 웨이퍼 상에 증착되지 못하고 반응챔버 내벽 등에 잔류하는 소스물질과 반응가스의 불순물을 세정하는 퍼징(purging) 가스로도 기능할 수 있다.Meanwhile, as a method for controlling the reactivity of the reaction gas, argon (Ar) or nitrogen (N 2 ) gas, which is an inert gas, may be mixed with the reaction gas. The inert gas may serve as a purging gas for cleaning the impurities of the reaction gas and the source material remaining on the inner wall of the reaction chamber and the like, as well as controlling the reactivity of the reaction gas.

이와 같은 소스물질과 반응가스의 반응성을 조절하기 위한 방법은 단독으로 사용될 수 있고, 필요에 따라서 동시에 사용될 수 있음은 물론이다. Such a method for controlling the reactivity of the source material and the reaction gas can be used alone, as well as may be used simultaneously.

상기 소스물질인 테트라키스 알콕시하프늄을 가스상태로 반응챔버에 공급하기 위해서는 기화기내에서 소스물질을 기화시켜야 하는 데, 소스물질의 비등점을 고려하여 기화기 내의 온도는 적절한 온도로 조절될 필요가 있다. 만약 기화기의 온도가 소스물질의 비등점보다 지나치게 높은 경우에는 기화기내의 증기압력에 의하여 소스물질의 공급을 조절을 제어하기 곤란하기 때문이다. In order to supply the tetrakis alkoxy hafnium, which is the source material, to the reaction chamber in a gas state, the source material must be vaporized in the vaporizer. In consideration of the boiling point of the source material, the temperature in the vaporizer needs to be adjusted to an appropriate temperature. If the temperature of the vaporizer is too high than the boiling point of the source material, it is difficult to control the supply of the source material by the vapor pressure in the vaporizer.

한편, 본 발명의 상기 소스물질과 상기 반응가스가 반응하여 산화하프늄막이 증착되는 반응챔버내의 온도 및 압력은 상기 반응가스의 종류, 상기 소스물질 및 반응가스의 유입속도, 유입비율에 따라 달라질 수 있으나, 각각 250 ~ 650℃, 0.0.1 ~ 10Torr인 것이 바람직하다. Meanwhile, the temperature and pressure in the reaction chamber in which the hafnium oxide film is deposited by reacting the source material and the reaction gas may vary depending on the type of the reaction gas, the inflow rate of the source material and the reaction gas, and the inflow rate. , 250 to 650 ° C and 0.0.1 to 10 Torr, respectively.

또한, 상기 소스물질과 반응가스는 각각 별개의 경로를 통하여 반응챔버로 유입된다 할 것이지만, 각각 0.1 ~ 500mg/분 : 5~ 3000sccm의 유속으로 공급되는 것이 바람직하다. 그보다 낮은 유속으로 공급되는 경우에는 소스물질 또는 반응가스의 분해 및 결합에 의한 산화하프늄막의 형성이 너무 느리게 되어 공정의 효율성을 기대하기 힘들고, 그보다 높은 유속으로 공급되는 경우에는 소스물질과 반응가스와 과잉반응에 의하여 원하는 막의 두께보다 두껍게 되거나 파티클이 반응챔버 등에 증착될 수 있어, 박막 증착 후 세정과정에서 반응 잔류물이 반응챔버내에 잔존할 수 있기 때문이다. In addition, the source material and the reaction gas will be introduced into the reaction chamber through a separate path, respectively, it is preferably supplied at a flow rate of 0.1 ~ 500mg / min: 5 ~ 3000sccm. If the flow rate is lower than that, the formation of the hafnium oxide film by the decomposition and bonding of the source material or the reaction gas becomes too slow, so that it is difficult to expect the efficiency of the process. This is because the reaction may be thicker than the desired thickness of the film or particles may be deposited in the reaction chamber, so that the reaction residue may remain in the reaction chamber during the cleaning process after the thin film deposition.

상기와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술하였으나, 본 발명의 기본정신을 훼손하지 않는 범위내에서 다양한 변형과 변경이 가능할 것이며, 그와 같은 변형 및 변경은 본 발명의 권리범위에 속한다 할 것이다.Although described with respect to the preferred embodiment of the present invention as described above, various modifications and changes will be possible without departing from the spirit of the present invention, such modifications and changes will belong to the scope of the present invention. .

본 발명의 하프늄을 포함하는 유기금속물질은 질소원자를 포함하고 있지 않기 때문에 반응가스와 반응하여 생성되는 산화하프늄막 내부에는 누설잔류의 요인이 되는 질소원자를 완벽하게 제거할 수 있다. Since the organometallic material including the hafnium of the present invention does not contain a nitrogen atom, the nitrogen atom, which is a cause of leakage residue, can be completely removed inside the hafnium oxide film generated by reaction with the reaction gas.

또한, 종래 사용되던 TEMAH에 비하여 반응가스와의 높은 반응성으로 인하여 박막 형성공정이 단축됨으로써, 반도체 제조공정의 효율성 및 그로 인한 비용절감의 효과가 기대된다. In addition, the thin film forming process is shortened due to the high reactivity with the reaction gas compared to the conventional TEMAH, it is expected that the efficiency of the semiconductor manufacturing process and the resulting cost savings.

Claims (8)

하프늄을 포함하는 유기 소스물질과 반응기체를 반응시켜 챔버 내에 안착된 기판으로 산화하프늄 박막을 증착시키는 방법에 있어서, A method of depositing a hafnium oxide thin film on a substrate seated in a chamber by reacting an organic source material containing hafnium with a reactor, 상기 하프늄을 포함하는 유기 소스물질은 테트라키스 알콕시 하프늄(Hf(OR)4)이고(여기서 R은 탄소수 3~4의 알킬기임);The organic source material containing the hafnium is tetrakis alkoxy hafnium (Hf (OR) 4 ) wherein R is an alkyl group having 3 to 4 carbon atoms; 상기 반응기체는 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 기체인 산화하프늄 박막 증착 방법.The reactor is a hafnium oxide thin film deposition method which is a gas containing an oxygen atom or a nitrogen atom. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 테트라키스 t-부톡시 하프늄인 산화하프늄 박막 증착 방법.The tetrakis alkoxy hafnium is a hafnium oxide thin film deposition method of tetrakis t-butoxy hafnium. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반응기체는 O2, O3, N2O, NO 또는 NH3 중에서 적어도 하나인 산화하프늄 박막 증착 방법.The reactor is hafnium oxide thin film deposition method of at least one of O 2 , O 3 , N 2 O, NO or NH 3 . 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화하프늄막은 250 ~ 650℃의 온도에서 증착되는 산화하프늄 박막 증착 방법.The hafnium oxide film is a hafnium oxide thin film deposition method is deposited at a temperature of 250 ~ 650 ℃. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화하프늄막은 0.01 ~ 10 Torr의 압력에서 증착되는 산화하프늄 박막 증착 방법.The hafnium oxide film is a hafnium oxide thin film deposition method is deposited at a pressure of 0.01 ~ 10 Torr. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 옥탄 용액에 혼합되는 산화하프늄 박박 증착 방법.The hafnium oxide thin deposition method, wherein the tetrakis alkoxy hafnium is mixed in an octane solution. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산소원자를 포함하는 반응가스에 불활성 가스인 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)를 더욱 포함하는 산화하프늄 박막 증착 방법.Method for depositing a hafnium oxide thin film further comprising argon (Ar) or nitrogen (N 2 ) as an inert gas in the reaction gas containing the oxygen atom. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테트라키스 알콕시하프늄은 챔버 내에 0.1 ~ 500 ㎎/분의 속도로 유입되고, 상기 반응가스는 5 ~ 3000 sccm의 유속으로 공급되는 산화하프늄 박막 증착 방법. The tetrakis alkoxy hafnium is introduced into the chamber at a rate of 0.1 to 500 mg / min, the reaction gas is supplied to a hafnium oxide thin film deposition rate of 5 to 3000 sccm flow rate.
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