KR20050015171A - Chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor device - Google Patents

Chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor device

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KR20050015171A
KR20050015171A KR1020030053865A KR20030053865A KR20050015171A KR 20050015171 A KR20050015171 A KR 20050015171A KR 1020030053865 A KR1020030053865 A KR 1020030053865A KR 20030053865 A KR20030053865 A KR 20030053865A KR 20050015171 A KR20050015171 A KR 20050015171A
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Abstract

PURPOSE: A CVD(Chemical Vapor Deposition) equipment for manufacturing a semiconductor device is provided to improve uniformity of a vaporized layer formed on a wafer by reducing thickness differences of the vaporized layer. CONSTITUTION: An inner tube(100) has open portions on upper and lower portions thereof and includes a plurality of bumps formed on an inner sidewall. An external tube(120) is spaced from the inner tubes by a predetermined distance to cover a periphery of the inner tube and includes a closed upper portion and an open lower portion. A flange(140) supports the inner and outer tubes. At least one gas inlet tube(162) penetrates one side of the flange and at least one gas emitting tube(164) penetrates the other side of the flange. A boat(150) is moved into the inner tube and includes a plurality of wafers mounted thereon.

Description

반도체 소자 제조에 사용되는 화학기상 증착장비{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS USED IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Chemical vapor deposition equipment used for semiconductor device manufacturing {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS USED IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 반도체 장비에 관한 것으로, 특히, 화학기상 증착장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor equipment used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to chemical vapor deposition equipment.

반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 공정들 중에, 화학기상 증착공정은 2가지 혹은 여러가지의 소스 가스들을 서로 화학적으로 반응시켜 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함) 상에 소정의 증착막을 형성하는 공정이다. 통상적으로, 상기 화학기상 증착 공정을 수행하는 화학기상 증착장비는 복수매의 웨이퍼들을 동시에 수용할 수 있는 퍼니스형태(furnace type)로 이루어진다.Among semiconductor processes for manufacturing a semiconductor device, a chemical vapor deposition process is a process of forming a predetermined deposition film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) by chemically reacting two or various source gases with each other. Typically, the chemical vapor deposition apparatus performing the chemical vapor deposition process is a furnace type (furnace type) that can accommodate a plurality of wafers at the same time.

도 1은 종래의 화학기상 증착장비를 나타내는 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram showing a conventional chemical vapor deposition equipment.

도 1을 참조하면, 이 장비는 플랜지(30) 상에 놓여지는 내부튜브(10)와 외부튜브(20)를 포함한다. 상기 내부튜브(10) 내로 복수매의 웨이퍼들(W)을 탑재하는 보트(40)가 배치된다. 상기 보트(40) 아래에 상기 보트(40)를 상하로 이동시키는 이동 장치(70)가 배치된다. Referring to FIG. 1, the equipment includes an inner tube 10 and an outer tube 20 that are placed on a flange 30. A boat 40 for mounting a plurality of wafers W is disposed in the inner tube 10. A moving device 70 for moving the boat 40 up and down is disposed below the boat 40.

상기 내부튜브(10)는 상부 및 하부가 개방된 원통의 형상을 갖고, 상기 외부튜브(20)는 상기 내부튜브(10)와 소정의 거리로 이격되어 있으며, 상기 내부튜브(10)의 외측을 둘러싸는 원통의 형상을 갖는다. 상기 외부튜브(20)의 하부는 개방되어 있으며, 상부는 폐쇄되어 있다. 상기 플랜지(30)의 일측을 관통하는 가스 유입관(50)과, 상기 플랜지(30)의 타측을 관통하는 가스 배출관(60)이 배치된다. 상기 가스 유입관(50) 및 가스 배출관(60)은 복수개로 배치될 수 있다. 상기 가스 배출관(60)의 일단에는 펌핑 수단(미도시함)이 배치된다.The inner tube 10 has a cylindrical shape of the upper and lower open, the outer tube 20 is spaced apart from the inner tube 10 by a predetermined distance, the outer side of the inner tube 10 It has the shape of a surrounding cylinder. The lower part of the outer tube 20 is open and the upper part is closed. A gas inlet tube 50 penetrating one side of the flange 30 and a gas outlet tube 60 penetrating the other side of the flange 30 are disposed. The gas inlet pipe 50 and the gas discharge pipe 60 may be arranged in plurality. One end of the gas discharge pipe 60 is disposed with a pumping means (not shown).

상술한 종래의 화학기상 증착장비의 동작 방법을 간략히 설명하면, 먼저, 복수매의 웨이퍼들(W)을 탑재한 상기 보트(40)가 상기 내부튜브(10) 내로 이동된다. 이어서, 상기 가스 유입관(50)을 통하여 소스 가스들이 분사되어 상기 내부튜브(10) 내로 인입된다. 상기 소스 가스들은 서로 반응하여 상기 웨이퍼들(W) 상에 증착막이 형성된다. 이때, 상기 펌핑 수단이 동작하여 잔류 가스들 또는 상기 소스 가스들이 반응하여 형성되는 부산물들이 상기 가스 배출관(60)을 통하여 배출된다.The operation method of the conventional chemical vapor deposition apparatus described above will be briefly described. First, the boat 40 mounted with a plurality of wafers W is moved into the inner tube 10. Subsequently, source gases are injected through the gas inlet pipe 50 and drawn into the inner tube 10. The source gases react with each other to form a deposition film on the wafers (W). At this time, the pumping means is operated to discharge residual gases or by-products formed by the reaction of the source gases through the gas discharge pipe 60.

상술한 종래의 화학기상 증착장비의 동작 방법에 있어서, 상기 가스 배출관(60)을 통하여 상기 내부 및 외부튜브들(10,20) 내에 배출 압력이 공급된다. 즉, 상기 내부 및 외부튜브(10,20) 내부로 부터 상기 가스 배출관(60)을 향하는 압력이 공급된다. 이에 따라, 상기 내부 및 외부튜브들(10,20) 내에는 방향성을 갖는 가스들의 흐름이 형성된다. 즉, 상기 가스 유입관(50)으로 부터 내부튜브(10)의 측벽을 따라 상기 가스 배출관(60)으로 향하는 가스들의 흐름이 형성된다. 이러한 현상으로 인하여, 상기 소스 가스들이 상기 웨이퍼들(W)의 중심부에 충분히 공급되지 않을 수 있다. 그 결과, 상기 웨이퍼들(W)의 중심부에 형성되는 증착막의 두께가 상기 웨이퍼들(W)의 가장자리에 형성되는 증착막의 두께에 비하여 얇을 수 있다. 즉, 상기 증착막의 균일도(uniformity)가 열화될 수 있다. 상기 증착막의 불균일성은 반도체 소자의 불량(ex, 콘택홀의 미완성, 또는 도전 패턴들간의 쇼트 현상등)을 유발시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 재품의 생산성이 저하될 수 있다.In the above-described method of operating a conventional chemical vapor deposition apparatus, the discharge pressure is supplied to the inner and outer tubes 10 and 20 through the gas discharge pipe 60. That is, pressure toward the gas discharge pipe 60 is supplied from the inner and outer tubes 10 and 20. Accordingly, a flow of gases having directivity is formed in the inner and outer tubes 10 and 20. That is, a flow of gases from the gas inlet pipe 50 toward the gas discharge pipe 60 is formed along the side wall of the inner tube 10. Due to this phenomenon, the source gases may not be sufficiently supplied to the centers of the wafers (W). As a result, the thickness of the deposition film formed at the center of the wafers W may be thinner than the thickness of the deposition film formed at the edges of the wafers W. FIG. That is, the uniformity of the deposited film may be degraded. Non-uniformity of the deposited film may cause defects of semiconductor devices (eg, incomplete contact holes or short phenomena between conductive patterns). As a result, productivity of the semiconductor product may be reduced.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 상에 형성되는 증착막의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있는 화학기상 증착장비를 제공하는데 있다.The present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus that can improve the uniformity (uniformity) of the deposited film formed on the wafer.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 화학기상 증착장비를 제공한다. 이 장비는 상하부가 개방된 통형이되, 내 측벽에 복수개의 돌기들이 형성된 내부튜브 및, 상기 내부튜브로 부터 소정의 거리로 이격된 상태로 상기 내부 튜브의 외측을 감싸되, 개방된 하부와 폐쇄된 상부를 가지는 외부튜브를 포함한다. 상기 내부튜브 및 외부튜브를 지지하는 플랜지가 배치된다. 상기 플랜지의 일측을 관통하는 적어도 하나의 가스 유입관 및 상기 플랜지의 타측을 관통하는 적어도 하나의 가스 배출관이 배치된다. 상기 내부튜브 내로 이동가능하며, 복수매의 웨이퍼들을 탑재하는 보트가 배치된다.To provide a chemical vapor deposition apparatus for solving the above technical problem. The equipment is a cylindrical shape of the upper and lower parts, the inner tube having a plurality of protrusions formed on the inner side wall, and wrapped around the outside of the inner tube at a predetermined distance from the inner tube, the open lower and closed It includes an outer tube having a top portion. A flange supporting the inner tube and the outer tube is disposed. At least one gas inlet tube penetrating one side of the flange and at least one gas outlet tube penetrating the other side of the flange are disposed. A boat which is movable into the inner tube and mounts a plurality of wafers is disposed.

구체적으로, 상기 돌기들은 상기 내부튜브를 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 돌기들은 상기 내부튜브의 내측벽에 그것의 외측벽에 수행된 샌드블라스트 처리에 비하여 낮은 수준의 샌드블라스트 처리를 수행하여 형성되는 것이 바람직하다.Specifically, the protrusions are preferably made of the same material as the material forming the inner tube. The protrusions are preferably formed by performing a low level sandblasting process on the inner wall of the inner tube as compared to the sandblasting process performed on its outer wall.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상 증착장비를 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이다.2 is a view showing a chemical vapor deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is an enlarged view of portion A of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 이 화학기상 증착장비는 내부튜브(100) 및 외부튜브(120)를 포함한다. 상기 내부튜브(100)는 상부 및 하부가 개방된 원통형의 형상을 갖는다. 상기 외부튜브(120)는 상기 내부튜브(100)와 소정의 거리로 이격된 상태로 상기 외부튜브(120)의 외측을 둘러싼다. 상기 외부튜브(120)는 개방된 하부와 폐쇄된 상부를 갖는다. 상기 외부튜브(120)의 상부는 저압력에 따른 파손을 방지하기 위하여 위로 볼록한 형상일 수 있다. 상기 내부 및 외부튜브들(100,120)은 쿼츠(quartz)로 형성될 수 있다.2 and 3, the chemical vapor deposition apparatus includes an inner tube 100 and an outer tube 120. The inner tube 100 has a cylindrical shape with the top and bottom open. The outer tube 120 surrounds the outside of the outer tube 120 in a state spaced apart from the inner tube 100 by a predetermined distance. The outer tube 120 has an open bottom and a closed top. The upper portion of the outer tube 120 may be convex upward to prevent damage due to low pressure. The inner and outer tubes 100 and 120 may be formed of quartz.

상기 내부튜브(100)의 내측벽에 복수개의 돌기들(200)이 배치된다. 도면들에 있어서, 상기 돌기들(200)은 모두 같은 형태로 도시되어 있으나, 상기 돌기들(200)은 서로 다른 형태들을 가질 수 있다. 즉, 상기 돌기들(200)은 랜덤한 형태로 형성될 수 있다. 상기 돌기들(200)은 상기 내부튜브(100)를 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 돌기들(200)은 쿼츠로 형성될 수 있다.A plurality of protrusions 200 are disposed on the inner wall of the inner tube 100. In the drawings, the protrusions 200 are all shown in the same shape, but the protrusions 200 may have different shapes. That is, the protrusions 200 may be formed in a random form. The protrusions 200 are preferably made of the same material as the material forming the inner tube (100). For example, the protrusions 200 may be formed of quartz.

상기 돌기들(200)은 상기 내부튜브(100)의 내측벽에 수행되는 샌드블라스트 처리(sand blast treatment)의 수행정도를 조절하여 형성될 수 있다. 상기 샌드블라스트 처리란 물체의 표면을 깨끗하게 마무리하기 위하여 모래를 압축공기로 뿜어대는 공법을 말한다. 상기 샌드블라스트 처리의 수행정도를 조절하는 방법은 상기 샌드블라스트 처리의 수행되는 횟수를 조절하는 방법 또는 상기 샌드블라스트 처리에 사용되는 압축공기 압력을 조절하는 방법등이 있다.The protrusions 200 may be formed by adjusting the degree of sand blast treatment performed on the inner wall of the inner tube 100. The sandblast treatment is a method of blowing sand with compressed air to cleanly finish the surface of an object. The method of adjusting the degree of performance of the sand blast treatment is a method of adjusting the number of times the sand blast treatment is performed or a method of adjusting the compressed air pressure used in the sand blast treatment.

상기 내부튜브(100)를 형성하는 방법을 설명하면, 먼저, 쿼츠를 절단등의 방법으로 가공하여 예비 내부튜브를 형성한다. 상기 예비 내부튜브는 상하부가 개방된 원통의 형상을 갖되, 상기 절단등의 가공방법으로 인하여 표면이 거친 상태이다. 상기 예비 내부튜브(100)의 외측벽에 그것의 표면이 매끄러운 상태를 갖도록 제1 표면 처리를 수행하고, 상기 예비 내부튜브(100)의 내측벽에 그것의 표면에 상기 돌기들(200)이 형성되도로록 제2 표면 처리를 수행한다. 이때, 상기 제2 표면 처리는 상기 제1 표면 처리에 비하여 낮은 수준으로 수행한다. 다시 말해서, 상기 제1 표면 처리는 상기 샌드블라스트 처리의 반복 횟수 또는 압축공기 압력을 충분히 높힌다. 따라서, 상기 내부튜브(100) 외측벽의 표면은 매끄러운 상태로 형성된다. 이와는 다르게, 상기 제2 표면 처리는 상기 제1 표면 처리에 비하여 상기 샌드블라스트 처리의 반복 횟수를 작게 하거나, 상기 제1 표면 처리에 사용된 압축공기 압력에 비하여 낮은 압축공기 압력을 사용하는 샌드블라스트 처리를 수행한다. 이에 따라, 상기 내부튜브(100)의 내측벽에는 상기 돌기들(200)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 돌기들(200)은 상기 내부튜브(100)의 내측벽에 그것의 외측벽에 수행된 샌드블라스트 처리에 비하여 낮은 수준의 샌드블라스트 처리를 수행하여 형성된 것이다.Referring to the method of forming the inner tube 100, first, the quartz is processed by cutting or the like to form a preliminary inner tube. The preliminary inner tube has a cylindrical shape with upper and lower portions open, and the surface of the preliminary inner tube is rough due to the processing method such as cutting. First surface treatment is performed on the outer wall of the preliminary inner tube 100 to have a smooth state, and the protrusions 200 are formed on the inner wall of the preliminary inner tube 100 on its surface. Lock the second surface treatment. In this case, the second surface treatment is performed at a lower level than the first surface treatment. In other words, the first surface treatment sufficiently increases the number of repetitions or the compressed air pressure of the sand blast treatment. Therefore, the surface of the outer wall of the inner tube 100 is formed in a smooth state. Alternatively, the second surface treatment may be sandblasted using a smaller number of repetitions of the sandblasting treatment than the first surface treatment, or using a compressed air pressure lower than that of the compressed air used for the first surface treatment. Perform Accordingly, the protrusions 200 may be formed on the inner wall of the inner tube 100. That is, the protrusions 200 are formed on the inner wall of the inner tube 100 by performing a low level sandblasting process compared to the sandblasting process performed on its outer wall.

상기 내부튜브(100) 및 외부튜브(120)는 플랜지(140)에 의해 지지된다. 상기 플랜지(140)는 원통형의 형상을 가진다. 상기 플랜지(140)의 내측벽에는 상기 내부튜브(100)를 지지하기 위하여 내부로 돌출된 내부튜브 받침대(142)가 배치되고, 상기 플랜지(140)의 외측 상단부에는 상기 외부튜브(120)를 지지하기 위하여 외부로 돌출된 외부튜브 받침대(144)가 배치된다.The inner tube 100 and the outer tube 120 are supported by the flange 140. The flange 140 has a cylindrical shape. An inner tube support 142 protruding therein is disposed on an inner wall of the flange 140 to support the inner tube 100, and an outer upper end of the flange 140 supports the outer tube 120. In order to protrude to the outside the outer tube support 144 is disposed.

상기 플랜지(140)의 일측을 관통하는 적어도 하나의 가스 유입관(162)이 배치되고, 상기 플랜지(140)의 타측을 관통하는 적어도 하나의 가스 배출관(164)이 배치된다. 상기 가스 유입관(162)을 통하여 소스 가스들이 상기 튜브들(100,120)로 인입되고, 상기 가스 배출관(164)을 통하여 상기 튜브들(100,120) 내의 잔류가스들 또는 반응후의 부산물들이 배출된다. 상기 플랜지(140)의 외부에 위치하는 상기 가스 배출관(164)의 일단에는 펌핑 수단(미도시함)이 연결될 수 있다.At least one gas inlet tube 162 penetrating one side of the flange 140 is disposed, and at least one gas outlet tube 164 penetrating the other side of the flange 140 is disposed. Source gases are introduced into the tubes 100 and 120 through the gas inlet pipe 162, and residual gases in the tubes 100 and 120 or by-products after the reaction are discharged through the gas discharge pipe 164. A pumping means (not shown) may be connected to one end of the gas discharge pipe 164 positioned outside the flange 140.

상기 내부튜브(100) 내로 이동이 가능한 보트(150)가 배치된다. 상기 보트(150)는 쿼츠로 이루어질 수 있다. 상기 보트(150)는 상부판(152), 하부판(154) 및 연결로드들(156)로 구성될 수 있다. 상기 상부판(152) 및 하부판(154)은 평면적으로 원형의 평판으로 형성될 수 있다. 상기 상부판(152) 및 상기 하부판(154) 사이에는 대략 3 내지 4개의 상기 연결로드들(156)이 배치된다. 상기 각 연결로드들(156)의 일단은 상기 상부판(152)에 연결되고, 타단은 상기 하부판(154)에 연결된다. 상기 연결로드(156)에는 웨이퍼(W)의 가장자리가 놓여지는 복수개의 웨이퍼 받침대(158)가 형성된다.The boat 150 which is movable into the inner tube 100 is disposed. The boat 150 may be made of quartz. The boat 150 may be composed of an upper plate 152, a lower plate 154, and connecting rods 156. The upper plate 152 and the lower plate 154 may be formed in a flat circular plate. Approximately three to four connection rods 156 are disposed between the upper plate 152 and the lower plate 154. One end of each of the connecting rods 156 is connected to the upper plate 152, and the other end is connected to the lower plate 154. The connection rod 156 is provided with a plurality of wafer pedestals 158 on which edges of the wafer W are placed.

상기 보트(150) 아래에 이동 장치(170)가 배치된다. 상기 이동 장치(170)는 적어도 상하운동이 가능하다. 상기 이동 장치(170)에 의하여 상기 보트(150)는 상기 내부튜브(100) 내로 이동이 가능하다. 상기 이동장치(170)는 회전운동이 가능할 수도 있다. 상기 이동 장치(170)가 상승하여 상기 보트(150)가 상기 내부튜브(100)내에 장착될 경우, 상기 이동 장치(170)의 하부지지판은 상기 플랜지(140)의 하부와 밀착된다. 이에 따라, 상기 외부튜브(120), 플랜지(140) 및 이동 장치(170)으로 둘러 싸인 반응챔버가 이루어진다.The mobile device 170 is disposed below the boat 150. The moving device 170 is capable of at least vertical movement. The boat 150 may be moved into the inner tube 100 by the moving device 170. The moving device 170 may be rotatable. When the moving device 170 is raised and the boat 150 is mounted in the inner tube 100, the lower support plate of the moving device 170 is in close contact with the bottom of the flange 140. Accordingly, the reaction chamber is surrounded by the outer tube 120, the flange 140 and the moving device 170.

상술한 구조의 화학기상 증착장비에 있어서, 상기 내부튜브(100)의 내측벽에는 상기 돌기들(200)이 배치된다. 이에 따라, 상기 가스 배출관(164)으로 공급되는 펌핑압력으로 인하여 상기 튜브들(100,120) 내에 방향성을 갖는 소스 가스들의 흐름이 발생할지라도, 웨이퍼들(W) 상에 형성되는 증착막의 균일도를 향상시킬 수 있다. 다시 말해서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 방향성을 갖는 소스 가스들은 상기 내부튜브(100)의 내측벽을 따라 이동하는 중에, 상기 돌기들(200)과 충돌한다. 따라서, 상기 충돌된 가스들은 이동 방향이 변경되어 상기 웨이퍼들(W)의 중심부로 이동할 수 있다. 결과적으로, 상기 돌기들(200)로 인하여 상기 웨이퍼들(W)의 중심부로 이동되는 소스 가스들의 량이 증가되어 웨이퍼들(W) 상에 형성되는 증착막의 균일도를 향상시킬 수 있다.In the chemical vapor deposition apparatus having the above-described structure, the protrusions 200 are disposed on the inner wall of the inner tube 100. Accordingly, even if a flow of directional source gases occurs in the tubes 100 and 120 due to the pumping pressure supplied to the gas discharge pipe 164, the uniformity of the deposition film formed on the wafers W may be improved. have. In other words, as shown in FIG. 3, the directional source gases collide with the protrusions 200 while moving along the inner wall of the inner tube 100. Therefore, the impingement gases may move to the center of the wafers W by changing the moving direction. As a result, the amount of source gases moved to the centers of the wafers W due to the protrusions 200 may be increased to improve the uniformity of the deposition films formed on the wafers W. As shown in FIG.

이때, 상기 내부튜브(100)의 외측벽은 매끄러운 표면을 갖는다. 따라서, 상기 내부튜브(100)의 외측벽과 상기 외부튜브(120)의 내측벽 사이로 이동되는 잔류가스들 또는 반응후의 부산물들의 배출은 용이하게 이루어질 수 있다.At this time, the outer wall of the inner tube 100 has a smooth surface. Therefore, the discharge of residual gases or by-products after the reaction between the outer wall of the inner tube 100 and the inner wall of the outer tube 120 may be easily performed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학기상 증착장비는 내부튜브의 내측벽에 복수개의 돌기들이 배치된다. 이에 따라, 프랜지에 배치된 가스 유입관으로 부터 유입되는 소스 가스들은 상기 돌기들과 충돌하여 보트 내에 탑재된 웨이퍼들의 중심부로 이동될 수 있다. 그 결과, 상기 웨이퍼들의 중심부에 형성되는 증착막의 두께와 상기 웨이퍼들의 가장자리에 형성되는 증착막의 두께 차이를 최소화할 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 상에 형성되는 증착막의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있다.As described above, in the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, a plurality of protrusions are disposed on an inner wall of the inner tube. Accordingly, source gases flowing from the gas inlet pipe disposed in the flange may collide with the protrusions and move to the center of the wafers mounted in the boat. As a result, it is possible to minimize the difference between the thickness of the deposition film formed at the center of the wafers and the thickness of the deposition film formed at the edges of the wafers. That is, the uniformity of the deposition film formed on the wafer can be improved.

도 1은 종래의 화학기상 증착장비를 나타내는 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram showing a conventional chemical vapor deposition equipment.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상 증착장비를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a chemical vapor deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이다.3 is an enlarged view of a portion A of FIG. 2.

Claims (3)

반도체 소자 제조에 사용되는 화학기상증착 장치에 있어서,In the chemical vapor deposition apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, 상하부가 개방된 통형이되, 내 측벽에 형성된 복수개의 돌기들을 갖는 내부튜브;An inner tube having an upper and a lower part open and having a plurality of protrusions formed on an inner sidewall thereof; 상기 내부튜브로 부터 소정의 거리로 이격되어 상기 내부 튜브의 외측 둘레를 감싸되, 개방된 하부와 폐쇄된 상부를 가지는 외부튜브;An outer tube spaced apart from the inner tube by a predetermined distance to surround the outer circumference of the inner tube, the outer tube having an open lower part and a closed upper part; 상기 내부튜브 및 외부튜브를 지지하는 플랜지;A flange supporting the inner tube and the outer tube; 상기 플랜지의 일측을 관통하는 적어도 하나의 가스 유입관 및 상기 플랜지의 타측을 관통하는 적어도 하나의 가스 배출관; 및At least one gas inlet tube penetrating one side of the flange and at least one gas outlet tube penetrating the other side of the flange; And 상기 내부튜브 내로 이동가능하며, 복수매의 웨이퍼들을 탑재하는 보트를 포함하는 화학기상 증착장비.A chemical vapor deposition apparatus that is movable into the inner tube, the boat including a plurality of wafers. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기들은 상기 내부튜브를 이루는 물질과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장비.The projections are chemical vapor deposition equipment, characterized in that the same material as the material forming the inner tube. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기들은 상기 내부튜브의 내측벽에 그것의 외측벽에 수행된 샌드블라스트 처리에 비하여 낮은 수준의 샌드블라스트 처리를 수행하여 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장비.The protrusions are formed on the inner wall of the inner tube by performing a low level of sandblasting process compared to the sandblasting process performed on its outer wall.
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