KR20050008862A - 음극선발광 기체 방전 디스플레이 - Google Patents

음극선발광 기체 방전 디스플레이 Download PDF

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KR20050008862A
KR20050008862A KR10-2004-7021607A KR20047021607A KR20050008862A KR 20050008862 A KR20050008862 A KR 20050008862A KR 20047021607 A KR20047021607 A KR 20047021607A KR 20050008862 A KR20050008862 A KR 20050008862A
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라몬 피. 반고르콤
로이 반디즈크
시베 티. 데쯔바르트
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 역 플라즈마 방향을 갖는 음극선발광 기체 방전 디스플레이(cathodoluminescent gas discharge display)에 관한 것으로, 캐쏘드(5) 상의 플라즈마 이온(I+)의 충돌에 의해 생성된 2차 전자(e-)가 발광 물질(6)을 여기시키기 위해 사용된다. 본 발명의 이점은 이온 피드백 유동이 감소한다는 것이고, 이는 보다 높은 가속 전압의 인가 및 이로 인한 보다 높은 발광 효율을 의미한다.

Description

음극선발광 기체 방전 디스플레이{CATHODOLUMINESCENT GAS DISCHARGE DISPLAY}
최근 수년 동안 디스플레이의 분야에서 텔레비전(TV) 및 컴퓨터 스크린과 같은 고품질의 대형 스크린에 대한 요구가 증가해 왔다. 음극선관(CRT)은 TV 디스플레이로서 광범위하게 사용되고 있으며, 일반적으로 이들은 여전히 시장에서 구입가능한 모든 종류의 디스플레이 중에서 최고 품질의 이미지를 생성한다. 그러나, CRT의 깊이 및 중량이 스크린 크기의 증가와 함께 증가함에 따라 다소 거대한 체적(bulk)을 갖는 CRT는 40인치를 초과하는 스크린과 같은 대형 스크린 크기에 적합하지 않다. 따라서, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전장 방출 디스플레이(FED)와 같은 편평한 패널 디스플레이가 이 같은 대형 스크린을 생산하기 위해 사용된다.
PDP는 직류(DC) 및 교류(AC) PDP의 2개의 하위그룹으로 분류된다.
기본적으로, PDP는 전면 패널, 및 이의 맞은 편의 후면 패널에 의해 제한된 기체-충진된 공간을 포함한다. 장벽 리브(Barrier rib)는 후면 상에 제공되어 내부 진공 지지체를 제공한다. 형광 스크린은 후면 패널 상에 및 기체-충진된 공간에 대향되는 장벽 리브의 측면 상에 배치된다. 캐쏘드, 애노드 및 어드레싱 전극(addressing electrode)은 전면 패널 또는 후면 패널 상에 배열된다. 기체-충진된 공간은 불활성 기체, 예를 들어 헬륨(He), 크세논(Xe) 또는 네온(Ne); 일반적인 기체, 예를 들어 질소(N), 수소(H), 수은(Hg) 증기; 또는 이들 기체 중 임의의 혼합물과 같은 방전 기체를 포함한다. 임의의 전극 사이에 충분한 전압이 인가되는 경우, 기체 방전이 발생하고, 플라즈마가 생성되며, 즉 전자가 에너지를 얻고, 중성 기체 원자를 이온화하고, 여기시킨다. 플라즈마는 전자, 이온 및 준안정성 입자를 포함한다. 이들 입자는 연속적으로 재조합되고, 재생되며, 충돌한다. 기체 원자와의 에너지성 전자(energetic electron)의 충돌에 의해 에너지성 방사성의 방출하에 보다 낮은 에너지 상태까지 붕괴하는 기체 원자의 전자껍질에서 높은 에너지 상태가 생성된다. 기체 및 작동 범주(예를 들어, 인가 전압)는 자외선(UV) 스펙트럼 내에 방사성이 존재하도록 선택될 수 있다. 이후에, 이러한 UV 광은 형광 스크린이 형광 물질을 여기시키기 위해 사용된다. 이어, 적색, 녹색 및 청색 광과 같은 가시광선은 이들 여기된 물질에 의해 방출된다.
플라즈마에 의한 형광 물질의 직접적인 여기가 플라즈마에 존재하는 낮은 전자 에너지로 인해 충분한 광을 발생하기 못하기 때문에 플라즈마의 운동 에너지 대신에 UV 방사선이 사용된다.
그러나, UV광으로의 방전 에너지의 전환 및 가시광선으로의 UV광의 전환은 그렇게 어렵지 않다. He-Xe 또는 Ne-Xe를 갖는 PDP에서, 전자 에너지의 2%만이 UV광에서 사용되고, 약 0.2%가 과시광선에서 사용된다(문헌[Applied Physics, vol51, no 3, 1982, pp 344-347], 문헌[Optical Techniques Contact, vol 34, no 1, 1996, p 25] 및 문헌[Flat Panel Display 96, parts 5-3, NHK Techniques Study, 31-1, 1979, page 18]). 따라서, PDP의 발광 효율을 개선시키는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 휘도와 같은 발광 성능이 개선될 수 있다.
보다 높은 발광 효율을 생성하기 위해, 애노드 중의 정공을 통해 플라즈마에서 생성된 전자를 여기하고, 이어 이들을 보다 높은 에너지까지 가속하는 것이 제안되어 왔다. 이 같은 기체 방전 디스플레이는 미국 특허 제 3,938,135 호에 공지되어 있다.
발광 물질이 전자 충격에 의해 직접적으로 여기되는 디스플레이는 일반적으로 음극선발광 디스플레이로서 공지되어 있다.
공지된 음극선발광 기체 방전 디스플레이에서, 캐쏘드는 디스플레이의 배면에 위치하고, 디스플레이의 전면에 배열된 애노드 그리드와 비교시에 음 전압에 놓는다. 애노드 및 캐쏘드를 가로지른 전압은 전자 및 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하며, 이때 전자 유동은 애노드 방향으로 향하고, 이온의 유동은 캐쏘드 방향으로 향한다.
상술한 바와 같이, 플라즈마에서는 인가 전압에 의해 이들의 에너지를 얻은 에너지성 전자에 의한 중성 기체 원자의 이온화에 의해 새로운 전자 및 이온이 생성된다. 또한, 캐쏘드에서의 새로운 전자 발생은 플라즈마를 유지하기 위해 필수적이다. 캐쏘드와 충돌한 플라즈마 이온은 이들의 2차 전자를 생성한다.
플라즈마에서 생성된 전자는 애노드에 도달하고, 이들중 일부는 애노드 그리드 중의 정공을 통과하고, 결과적으로 인광물질과 같은 발광 물질을 포함하는 스크린까지 가속된다.
기본적으로, 3개의 영역, 즉 (1) 플라즈마 영역, (2) 선택 영역 및 (3) 가속 영역이 음극선발광 기체 방전 디스플레이를 구성한다.
선택 영역에서, 플라즈마는 상술한 바와 같이 생성된다.
선택 영역에서, 디스플레이 함량은 전자를 인광물질 스크린에 도달할 수 없게 하는 선택 그리드에 전압을 인가함으로서 제어될 수 있다.
가속 영역에서, 전자는 인가된 가속 전압에 의해 보다 높은 운동 에너지까지 가속된다.
실시 양태에서, 기압은 3개의 영역에서 모두 동일하다.
소위 파센 곡선(Paschen curve)은 전극 거리(pd)를 곱한 기압의 곱의 함수로서 플라즈마의 방전개시 전압(firing voltage, V)의 의존성을 나타낸다(도 1 참조).
방전개시 전압은 플라즈마를 생성하기 위해 필요한 전압이며, 즉 캐쏘드에서 시작하여 애노드로 이동하는 전자에 의해 충분한 이온을 생성하는데 필요한 전압이다. 생성된 이온은 캐쏘드로 이동하고, 초기에 시작된 바와 같이 이들이 캐쏘드와 충돌하는 경우에 2차 전자 방출에 의해 다수의 전자로서 생성되어야 한다.
유지 전압은 플라즈마를 활동 상태로 유지하는데 필요한 전압이다. 이러한 전압은 플라즈마가 일단 존재하면 공간 전하가 존재하기 때문에 방전개시 전압보다 일반적으로 낮다. 이러한 공간 전하는 기체 원자를 이온화하는데 필요한 전압을낮출 수 있는 비균일성 전장의 원인이 된다.
도 1에서 곡선의 최소치는 플라즈마 영역에서 바람직하며, 즉 디스플레이의 구동 전자공학에 바람직한 낮은 전압에서 플라즈마가 시작한다. 따라서, 낮은 전압이 사용되어야 하는 경우, 전극 거리를 곱한 기압의 바람직한 곱을 얻기 위해 플라즈마 영역은 비교적 길게 구성된다.
곡선의 좌측은 가속 영역에 바람직하며, 즉 이들이 이온화되는 경우에 전자는 에너지를 잃고, 생성부에 따라 새롭게 생성된 전자가 에너지의 일부를 얻을 수도 있기 때문에 가능한 한 소량의 이온화가 발생되어야 한다. 그 결과, 새로운 전자의 발생은 평균 전자 에너지가 감소한다는 것을 의미한다. 따라서, 전극 거리를 곱한 기압의 작은 곱을 얻기 위해 가속 영역은 비교적 짧게 구성된다.
가속 영역에서 너무 많은 이온화가 발생하는 경우, 자력의 2차 플라즈마가 이러한 영역에서 생성될 수 있으며, 이는 디스플레이가 제어될 수 없음을 의미한다. 또한, 가속 영역에서 이온화가 발생하는 경우, 생성된 이온은 애노드 중의 정공을 통해 플라즈마 영역으로 들어갈 수 있다. 인가 전압에 따라, 이러한 방법은 불리한 플라즈마 수축을 일으킬 수 있는 플라즈마 영역으로의 피드백을 야기한다. 플라즈마 수축은 가속 영역으로부터의 여분의 이온이 애노드 주변에서 공간 전하를 변화시킬 수 있고, 또한 보다 많은 전자가 이온화 및 2차 방출로부터 생성되게 할 것이기 때문에 한 시점에 국부적으로 유동하기 시작할 것임을 의미한다. 결과적으로, 인가된 가속 전압은 비교적 낮은 값까지 제한되며, 이는 빈약한 발광 효율을 갖는 디스플레이(인용된 미국 특허 제 3,938,135 호에 공지됨)와 같은 디스플레이가 얻어진다.
본 발명의 목적은 개선된 발광 효율을 갖는 음극선발광 기체 방전 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 양태에 따라, 본 발명의 목적은 제한되고 기체-충진된 공간; 전압을 수용하도록 채택된 애노드 및 캐쏘드; 및 발광 물질을 포함하는 발광 스크린을 포함하는 음극선발광 기체 방전 디스플레이(cathodoluminescent gas discharge display)에 의해 달성된다. 전압이 애노드 및 캐쏘드를 가로질러 인가되는 경우, 이온 및 전자를 포함하는 플라즈마가 기체-충진된 공간에서 기체 방전에 의해 생성되고, 상기 플라즈마 이온이 캐쏘드와 충돌하고, 2차 전자가 상기 충돌에 의해 생성된다. 애노드는 디스플레이의 후면에 제공되는 반면, 캐쏘드 및 발광 스크린은 디스플레이의 전면에 제공되고, 상기 2차 전자는 발광 물질을 여기시키기 위해 사용된다.
따라서, 플라즈마에서 생성된 전자는 디스플레이의 후면 중의 애노드로 유동하고, 이들 전자는 결과적으로 발광 물질을 여기시키는데 사용되지 않는다. 플라즈마에서 생성된 이온은 캐쏘드로 유동하고, 2차 전자는 캐쏘드상의 이들 플라즈마 이온의 충돌에 의해 생성된다. 이들 2차 전자 중 일부는 스크린의 형광 물질을 여기시키기 위해 사용된다. 잔류 2차 전자는 플라즈마를 유지하기 위해 사용된다.
본 발명의 이점은 상술한 피드백 문제점이 감소한다는 것이며, 이는 상술한 선행 기술분야의 음극선발광 기체 방전 디스플레이에 비해 보다 높은 가속 전압이 인가됨을 의미한다. 보다 높은 가속 전압의 사용으로 인해 높은 에너지성 전자가생성되고, 개선된 발광 효율이 얻어진다. 결과적으로 전체 전력 소비가 감소할 수 있다.
본 발명의 기타 특징 및 이점은 하기에 기술된 실시태양 및 첨부된 특허청구범위에 의해 자명하게 될 것이다.
본 발명은 음극선발광 기체 방전 디스플레이에 관한 것이다.
도 1은 널리 공지된 파센 곡선이다.
도 2는 본 발명의 실시태양에 따른 음극선발광 기체 방전 디스플레이를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2에 도시된 음극선발광 기체 방전 디스플레이에서 사용될 수 있는 캐쏘드 그리드의 몇몇 구조의 예를 나타낸 것이다.
본 발명의 실시태양에 따른 음극선발광 기체 방전 디스플레이의 일부가 도 2에 도시되어 있다. 전면 유리 패널(1), 후면 유리 패널(2) 및 측벽(도2에서 도시하지 않음)이 기체-충진된 공간(3)을 제한한다.
또한, 내부 또는 외부 진공 지지체(도 2에서 도시하지 않음)가 제공된다.
애노드(4)는 디스플레이의 후면에 배열된다. 본 실시태양에서, 애노드(4)는 기체-충진된 공간(3)에 대향하는 후면 패널(2)의 측면 상에 배치된다.
캐쏘드 그리드(5) 및 발광 스크린(6)은 디스플레이의 전면에 배열된다. 본 실시태양에서, 캐쏘드 그리드(5) 및 인광물질 소자(6)는 기체-충진된 공간(3)에 대향하는 전면 패널(1)의 측면 상에 배치된다.
발광 스크린(6)은 바람직하게는 인광물질 스크린이다.
본 발명의 본 실시태양에서, 애노드(4)는 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 구성되지만, 산화인듐주석(ITO)과 같은 임의의 기타 전도성 재료로 구성될 수도 있다.
캐쏘드 그리드(5)는 전도성 재료로 구성된다. 전도성 재료는 바람직하게는 높은 2차 전자 방출 재료로 코팅되거나, 높은 2차 전자 방출 재료 자체이다.
높은 2차 전자 계수를 갖는 재료(높은 2차 전자 방출 재료)는 양이온의 충돌 동안에 다량의 2차 전자를 방출한다.
알루미늄은 공기에 노출시 산화알루미늄의 표면 층을 형성하는 적합한 전도성 물질이다. 이러한 산화물은 비교적 높은 2차 전자 계수를 갖는다.
적합한 캐쏘드 재료의 기타 예는 알루미늄과 마그네슘의 합금이다. 공기에 노출시에 이 같은 합금은 산화마그네슘의 표면 층을 형성할 수 있으며, 이는 또한 비교적 높은 2차 전자 계수를 갖는다.
높은 2차 전자 계수를 갖는 다른 재료는 란타늄 보론(LaB6)이다.
캐쏘드 그리드(5)는 유리로 구성된 스페이서(spacer) 소자(7) 상에서 적용되며, 이어 이는 전면 유리 패널(1) 상에서 적용된다.
스페이서 소자는 유리와 같은 절연 및 진공 상용성 재료, A12O3또는 세라믹 재료로 구성될 수 있다. 이러한 재료는 바람직하게는 방전을 방지하여, 다르게는 전장 방출이 발생할 수 있는 전장을 향상시기 위해 CrO3또는 Si3N4와 같은 낮은 2차 전자 방출 재료로 코팅된다.
스페이서 소자 사이의 거리는 바람직하게는 각각이 하나의 하위-픽셀이다.
인광물질(6)은 스페이서 소자(7) 사이의 전면 유리 패널(1) 상에 제공된다.
0.97mbar의 압력을 갖는 네온(Ne)의 방전 기체는 상기 기체-충진된 공간(3)을 형성하고 플라즈마 영역을 구성하는 패널의 중간면에 제공된다. 기압은 바람직하게는 0.1 내지 10mbar의 범위, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5mbar의 범위내에 있어야 한다.
본 실시태양에서 플라즈마 영역은 약 20㎜이지만, 플라즈마 영역의 길이는 목적하는 작동 범주에 비례하여 조절될 수 있다.
전압이 애노드(4) 및 캐쏘드(5)를 가로질러 적용되는 경우, 전자(e-) 및 이온(I+)을 포함하는 플라즈마가 생성된다. 플라즈마 전자(e-)는 후면에서 캐쏘드 그리드(5)에서 애노드(4)로 이동할 것이고, 이온(I+)은 반대 방향, 즉 이온화 장소에서 캐쏘드 그리드(5)로 이동할 것이다. 따라서, 플라즈마에서 생성된 전자(e-)는 인광물질 스크린(6)에 도달하지 못할 것이다. 그러나, 캐쏘드 그리드(5) 상에서 플라즈마 이온(I+)의 충돌에 의해 생성된 2차 전자(e-)의 일부는 전장에 의해 포획되어, 캐쏘드 그리드(5)의 정공을 통해 침투할 것이다. 이들 2차 전자(e-)는 캐쏘드 그리드(5)의 정공을 통과하고, 가속 영역을 형성하는 가속 전극(8)에 의해 가속된다. 상기 전장에 의해 포획되지 않은 2차 전자(e-)는 플라즈마를 유지하기 위해 사용된다.
본 실시태양에서, 가속 전극(8)은 유리 패널 상에 적용된 산화인듐주석(ITO)의 층(8)에 의해 형성된다.
본 실시태양에서, 가속 영역은 약 1㎜이지만, 가속 영역의 길이는 목적하는 작동 범주에 비례하여 조절될 수 있다.
바람직하게는 1kv 이상, 더욱 바람직하게는 5 내지 15kV와 같이 5kV 이상의 가속 전압이 인가된다.
서론에서 기술한 바와 같이, 가속 전압은 바람직하게는 필요로 하는 전류의 양을 감소시킬 수 있는 한 높아야 한다. 그러나, 높은 가속 전압은 또한 가속 영역에서의 보다 낮은 이온화를 의미하고, 결과적으로 디바이스에서의 캐쏘드 재료와 같은 재료의 보다 낮은 스퍼터링(sputtering)을 의미한다. 또한, 인광물질은 보다 긴 수명을 나타낼 것이다.
플라즈마 양이온의 일부는 또한 캐쏘드 그리드(5)의 정공을 통과할 수 있고, 그리드(5)의 다른 측면에서 2차 전자를 생성할 수 있다. 이들 전자는 또는 인광물질 스크린(6)까지 가속된다.
상기 플라즈마 양이온이 가속 영역으로 침투하는 경우의 다른 이점은 벽 방전 효과(wall charging effect)가 감소할 수 있다는 것이다. 따라서, 공간 전하 분포(space charge distribution)가 제공된다. 그러므로, 가속 영역의 방전개시전압이 개선된다.
가속 영역에서 생성될 수 있는 이온이 캐쏘드 그리드(5)의 정공을 통과할 수 있을 지라도, 이온은 캐쏘드 그리드(5)로 향하기 때문에 플라즈마에 그렇게 많은 영향을 주지 않을 것이다. 따라서, 피드백 및 플라즈마 수축에 관한 상기 문제점이 상당히 감소된다.
캐쏘드 그리드(5)의 두께는 100㎚ 내지 100㎛의 범위 내에 있을 것이다. 그리드 형태는 또한, 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 변경될 수 있다. 캐쏘드 그리드(5)의 두께 및 형태는 상기 스크린(6) 및 상기 애노드(4)로 각각 이동하는 2차 전자의 비를 조정하기 위해 선택될 수 있다. 애노드(4)로 이동하는 2차 전자의 일부는 플라즈마를 유지하는데 기여한다.
보다 두꺼운 캐쏘드 그리드(5), 즉 약 100㎛의 캐쏘드 그리드(5)의 사용은 보다 얇은 캐쏘드 그리드(5)가 사용되는 경우 보다 높은 비의 전자가 스크린(6)에 도달할 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같은 원추형 캐쏘드 그리드(5)의 사용은 또한 인광물질 스크린(6)에 도달하는 전자의 양을 증가시킬 수 있다.
본원에 기술된 본 발명의 실시태양에서, 오직 하나의 그리드가 사용되며, 이는 캐쏘드(5) 및 애노드(4)가 횡열 및 종열 형태로 구조화될 필요가 있음을 의미한다. 그러나, 2개 이상의 그리드가 또한 사용될 수 있으며, 이는 플라즈마가 동시에 전체의 열로 존재할 수 있거나 다중 열로 존재할 수 있음을 의미한다. 전체 플라즈마 영역도 또한 플라즈마로 충진될 수 있다.
비-구조화 애노드 및 비-구조화 캐쏘드는 하나 이상의 선택 그리드와 함께 사용될 수도 있다.
이하, 하기 비-제한적인 실시예에 의해 본 발명을 추가로 예시할 것이다.
참고예
후면에 캐쏘드를 갖고 전면에 애노드 그리드 및 인광물질 스크린을 갖는 음극선발광 기체 방전 디스플레이를 참고물로서 사용하였다. 방전 기체로서 0.97mbar Ne를 사용하였다.
전압을 캐쏘드(-400V) 및 애노드(0V)를 가로질러 인가하였다. 0.2㎃의 스크린 전류 및 0.2㎃의 플라즈마 전류가 사용되었다. 디스플레이 이미지에서 밝고 오렌지색의 스팟(spot)이 형성되기 전에 가속 영역을 가로질러 200V만이 인가될 수 있다.
실시예
본 실시예에서는 도 2에 도시된 음극선발광 기체 방전 디스플레이를 사용하였다.
전압을 캐쏘드(4)(+400V) 및 애노드(5)(0V)를 가로질러 인가하였다. 0.2㎃의 스크린 전류 및 0.2㎃의 플라즈마 전류를 먼저 인가하였다. 그러나, 플라즈마 전류는 동일한 스크린 전류, 즉 0.2㎃를 보유하기 위해 2㎃까지 증가시켜야 한다. 플라즈마 전류의 일부만이 발광 스크린(6)에 도달하여, 스크린 전류를 제공할 것이다. 이러한 일부의 전류는 캐쏘드(5)의 재료, 또는 캐쏘드(5)를 커버하는 재료(상술한 바와 같음)의 2차 전자 방출 계수의 함수이다. 이온 당 보다 많은 전자가 생성되는 경우, 보다 적은 이온화, 및 이로 인한 전류가 플라즈마 영역에서 필요로 한다. 따라서, 높은 2차 잔자 방출 재료로 구성되거나 코팅된 캐쏘드(5)를 사용함으로써 스크린 전류와 플라즈마 전류 사이의 비를 증가시킬 수 있다.
가속 영역을 가로질러 약 2kV가 인가되었다. 따라서, 2차 전자는 매우 높은 운동 에너지까지 가속되었고, 개선된 인광물질 효능이 얻어졌다. 그러므로, 개선된 발광 성능이 제공되고, 보다 낮은 전류가 상술한 전해 기술분야의 음극선발광 기체 방전 디스플레이로 제공된 바와 동일한 발광을 가질 필요가 있다.
상기 개시내용으로부터, 본 발명에 따른 음극선발광 기체 방출 디스플레이는 저렴한 비용으로 생산이 용이하고, 높은 발광 효능을 갖고, 고품질 이미지를 수득하기 때문에 다양한 범위의 용도를 제공할 것이다.

Claims (7)

  1. 제한되고 기체-충진된 공간(3); 전압을 수용하도록 채택된 애노드(4) 및 캐쏘드(5); 및 발광 물질을 포함하는 발광 스크린(6)을 포함하며, 이때 전압이 애노드(4) 및 캐쏘드(5)를 가로질러 인가되는 경우에 이온 및 전자를 포함하는 플라즈마가 기체-충진된 공간(3)에서 기체 방전에 의해 생성되고, 상기 플라즈마 이온이 캐쏘드(5)와 충돌하고, 2차 전자가 상기 충돌에 의해 생성되는 음극선발광 기체 방전 디스플레이(cathodoluminescent gas discharge display)에 있어서,
    상기 애노드(4)는 디스플레이의 후면에 제공되고,
    상기 캐쏘드(5) 및 상기 발광 스크린(6)은 디스플레이의 전면에 제공되며,
    상기 2차 전자는 발광 물질(6)을 여기시키기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는, 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 2차 전자는 인가 가속 전압에 의해 캐쏘드(5)에서 스크린(6)으로 가속되는, 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 가속 전압은 1kV 이상인, 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 물질을 포함하는상기 스크린은 인광물질 스크린(6)인 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐쏘드(5)는 높은 2차 전자 방출 재료로 구성되거나 코팅되는 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐쏘드(5)의 두께는 100㎚ 내지 100㎛의 범위인 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 캐쏘드(5)는 원추형인 음극선발광 기체 방전 디스플레이.
KR10-2004-7021607A 2002-07-01 2003-06-13 음극선발광 기체 방전 디스플레이 KR20050008862A (ko)

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