KR20050001022A - Magnetic random access memory - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 자기저항 램에 관한 것으로, 특히 자기저항 메모리의 셀 당 저장 가능한 비트수를 증가시킴으로서 단위 셀의 유효 면적을 감소시킬 수 있도록 하는 기술이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive RAM, and in particular, a technique for reducing the effective area of a unit cell by increasing the number of bits that can be stored per cell of the magnetoresistive memory.
현재 대부분의 반도체 메모리 제조 업체들은 차세대 기억소자의 하나로서, 강자성체 물질을 이용한 자기저항 램(MRAM; Magnetic Random Access Memory)의 개발에 적극 참여하고 있다.Currently, most semiconductor memory manufacturers are actively participating in the development of magnetic random access memory (MRAM) using ferromagnetic materials as one of the next generation memory devices.
자기저항 램은 강자성 박막을 다층으로 형성하여 각 박막층의 자화방향에 따른 전류 변화를 감지함으로써 데이타를 읽고 쓸 수 있는 기억소자이다. 이러한 자기저항 램은 자성 박막 고유의 특성에 의해 고속, 저전력 및 고집적이 가능할 뿐만 아니라 플레쉬 메모리와 같이 비휘발성 메모리 동작이 가능한 소자이다.Magnetoresistive RAM is a memory device that can read and write data by forming a ferromagnetic thin film in multiple layers and sensing a current change according to the magnetization direction of each thin film layer. The magnetoresistive RAM is a device capable of high speed, low power, and high integration due to the inherent characteristics of the magnetic thin film, and capable of operating a nonvolatile memory such as a flash memory.
이에 대한 연구는 현재 초기 단계에 있으며, 주로 다층 자성 박막의 형성에 집중되어 있다. 그리고, 단위셀 구조 및 주변 감지 회로 등에 대한 연구는 아직 미비한 실정이다.Research on this is currently in its infancy, and is mainly focused on the formation of multilayer magnetic thin films. In addition, studies on the unit cell structure and the peripheral sensing circuit are still inadequate.
도 1은 이러한 종래의 자기저항 램의 다층 자성 박막 구조로서, MTJ(Magnetic Tunnel Junction; 자기 터널 접합) 셀의 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a MTJ (Magnetic Tunnel Junction) cell as a multilayer magnetic thin film structure of such a conventional magnetoresistive RAM.
일반적으로 MTJ셀(5)은 반자성체(anti-ferroelectric) 박막(1), 고정층 강자성체 박막(2), 터널링 전류가 흐르는 얇은 절연층(3) 및 자유층 강자성체 박막(4)으로 형성된다.In general, the MTJ cell 5 is formed of an anti-ferroelectric thin film 1, a fixed layer ferromagnetic thin film 2, a thin insulating layer 3 through which a tunneling current flows, and a free layer ferromagnetic thin film 4.
여기서, 고정층 강자성체 박막(2)은 자화방향이 한 방향으로 고정되어 있다. 그리고, 반자성체 박막(1)은 고정층 강자성체 박막(2)의 자화방향이 변하지 않도록 고정해 주는 역할을 한다. 반면에, 자유층 강자성체 박막(4)은 외부 자장에 의해 자화방향이 바뀌어진다. 그리고, 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향에 따라 "0" 또는 "1"의 데이타를 기억할 수 있다.Here, the magnetization direction of the fixed layer ferromagnetic thin film 2 is fixed in one direction. In addition, the diamagnetic thin film 1 serves to fix the magnetization direction of the fixed layer ferromagnetic thin film 2 so as not to change. On the other hand, the magnetization direction of the free layer ferromagnetic thin film 4 is changed by an external magnetic field. The data of "0" or "1" can be stored according to the magnetization direction of the free layer ferromagnetic thin film 4.
이러한 MTJ셀(5)에 수직 방향으로 전류가 흐를 경우 얇은 절연층(3)을 통한 터널링 전류가 발생하게 된다. 이때, 고정층 강자성체 박막(2)과 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향이 같으면 터널링 전류의 크기가 크다. 반대로 고정층 강자성체 박막(2)과 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향이 반대일 경우에는 작은 터널링 전류가 흐르게 된다.When a current flows in the direction perpendicular to the MTJ cell 5, a tunneling current is generated through the thin insulating layer 3. At this time, if the magnetization directions of the fixed layer ferromagnetic thin film 2 and the free layer ferromagnetic thin film 4 are the same, the magnitude of the tunneling current is large. On the contrary, when the magnetization directions of the fixed layer ferromagnetic thin film 2 and the free layer ferromagnetic thin film 4 are opposite, a small tunneling current flows.
이러한 현상을 TMR(Tunneling Magnetoresistance, 터널 자기 저항) 효과라 한다. 이 터널링 전류의 크기를 감지함으로써 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향을 알 수 있고, 셀에 저장된 데이타를 판독할 수 있게 된다.This phenomenon is called TMR (Tunneling Magnetoresistance) effect. By sensing the magnitude of this tunneling current, the magnetization direction of the free layer ferromagnetic thin film 4 can be known and the data stored in the cell can be read.
도 2는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)를 이용하여 자기저항 램의 셀을 구현한 회로를 나타낸다.2 is a circuit diagram illustrating a cell of a magnetoresistive RAM using a field effect transistor.
자기저항 램의 단위 셀은 하나의 수평구조(Metal-Oxide-Silicon) 전계 효과 트랜지스터(9), MTJ셀(5), 읽기 워드라인(6), 비트라인(7) 및 쓰기 워드라인(8)을 구비한다.The unit cell of the magnetoresistive RAM includes one horizontal structure (Metal-Oxide-Silicon) field effect transistor (9), MTJ cell (5), read word line (6), bit line (7) and write word line (8) It is provided.
여기서, 읽기 워드라인(6)은 데이타의 리드시 사용된다. 쓰기 워드라인(8)은 전류의 인가에 따라 외부 자기장을 형성하여 MTJ셀(5) 내의 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향의 변화에 따라 데이타를 저장할 수 있도록 한다. 비트라인(7)은 MTJ셀(5)에 수직방향으로 전류를 인가하여 자유층 강자성체 박막(4)의 자화방향을 알 수 있도록 한다.Here, the read word line 6 is used when reading data. The write word line 8 forms an external magnetic field in response to the application of current to store data in accordance with the change in the magnetization direction of the free layer ferromagnetic thin film 4 in the MTJ cell 5. The bit line 7 applies a current to the MTJ cell 5 in the vertical direction so that the magnetization direction of the free layer ferromagnetic thin film 4 can be known.
이러한 구성을 갖는 종래의 자기저항 램은, 리드시에 읽기 워드라인(6)에 전압을 가하여 전계 효과 트랜지스터(9)를 동작시킨다. 그리고, 비트라인(7)에 전류를 인가한 뒤 MTJ셀(5)에 흐르는 전류의 크기를 감지한다.The conventional magnetoresistive RAM having such a configuration applies the voltage to the read word line 6 during read operation to operate the field effect transistor 9. After applying a current to the bit line 7, the magnitude of the current flowing through the MTJ cell 5 is sensed.
또한, 라이트시에는 전계 효과 트랜지스터(9)를 오프 상태로 유지하면서, 쓰기 워드라인(8)과 비트라인(7)에 전류를 인가시킨다. 그리고, 이로 인해 발생되는 외부 자기장에 의해 MTJ셀(5) 자유층의 자화방향을 변화시킨다.At the time of writing, the current is applied to the write word line 8 and the bit line 7 while keeping the field effect transistor 9 off. Then, the magnetization direction of the free layer of the MTJ cell 5 is changed by the external magnetic field generated thereby.
여기서, 비트라인(7)과 쓰기 워드라인(8)에 동시에 전류를 인가시키는 이유는 두 금속선이 수직으로 교차하는 지점에서 자기장이 가장 크게 발생하기 때문이다. 이로 인해 여러 개의 셀 배열 중에서 하나의 셀을 선택할 수 있게 된다.The reason why the current is simultaneously applied to the bit line 7 and the write word line 8 is that the magnetic field is generated at the point where the two metal lines cross vertically. This makes it possible to select one cell among several cell arrays.
도 3은 도 2의 종래의 자기저항 램 셀과 대응되는 자기저항 램의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a magnetoresistive ram corresponding to the conventional magnetoresistive ram cell of FIG. 2.
도 3을 보면, 전계 효과 트랜지스터(9)의 소스 영역(10)의 상부에 접지선(12)이 형성되고, 게이트의 상부에 읽기 워드라인(6)이 형성된다. 그리고, 드레인 영역(11)의 상부에는 도전층(13), 콘택 플러그(14), 도전층(15) 및 콘택 플러그(16)가 차례로 형성된다. 또한, 쓰기 워드라인(8)의 상부에 연결층(17)이 형성되고, 연결층(17)의 상부에 MTJ셀(5)과 비트라인(7)이 스택(stack) 형식으로 형성된다.3, the ground line 12 is formed on the source region 10 of the field effect transistor 9, and the read word line 6 is formed on the gate. The conductive layer 13, the contact plug 14, the conductive layer 15, and the contact plug 16 are sequentially formed on the drain region 11. In addition, the connection layer 17 is formed on the write word line 8, and the MTJ cell 5 and the bit line 7 are formed on the connection layer 17 in a stack form.
이러한 종래의 자기저항 램은 접지선(12), 읽기 워드라인(6), 쓰기 워드라인(8) 및 비트라인(7)으로 이루어져 셀당 총 4개의 독립적인 금속 배선들이 구성되므로 배선 구조가 복잡하다. 따라서, 이러한 구조의 자기저항 램의 단위 면적은 8F2이 되어 비교적 큰 면적을 갖는다.The conventional magnetoresistive RAM consists of a ground line 12, a read word line 6, a write word line 8, and a bit line 7, so that a total of four independent metal lines per cell are configured, and thus the wiring structure is complicated. Therefore, the unit area of the magnetoresistive ram of this structure is 8F 2 , and has a relatively large area.
MTJ를 이용한 자기저항 램의 궁극적인 목표는 수~100 기가 급 정도의 고밀도 집적도에 있기 때문에 상술한 구조적 문제로 인한 셀당 금속 배선의 증가는 집적도를 높이는데 한계 요인으로 작용한다. 하지만, 종래의 자기저항 램은 셀이 차지하는 유효 면적이 커지게 되어 메모리 소자의 집적도가 저하되고, 셀의 설계 측면에서도 불리한 특성을 갖게 된다.Since the ultimate goal of the magnetoresistive RAM using MTJ is a high density of several to 100 gigabytes, the increase in metal wiring per cell due to the above-described structural problems is a limiting factor in increasing the density. However, in the conventional magnetoresistive RAM, the effective area occupied by the cell becomes large, and thus the degree of integration of the memory device is lowered, and the cell design has disadvantageous characteristics.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 하나의 셀 당 두개의 MTJ 셀을 사용하여 멀티 비트를 저장함으로써 유효한 단위 셀의 면적을 감소시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to reduce the area of an effective unit cell by storing multiple bits using two MTJ cells per cell.
도 1은 종래의 MTJ셀의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional MTJ cell.
도 2는 종래의 자기저항 램의 셀을 나타내는 도면.2 shows a cell of a conventional magnetoresistive ram;
도 3은 종래의 자기저항 램의 단면도.3 is a cross-sectional view of a conventional magnetoresistive ram.
도 4는 본 발명에 따른 자기저항 램의 셀을 나타내는 도면.4 shows a cell of a magnetoresistive ram according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 자기저항 램의 단면도.5 is a cross-sectional view of a magnetoresistive ram according to the present invention.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 자기저항 램은, 리드/라이트 데이타를 전달하는 비트라인; 데이타의 리드시 인에이블 되는 읽기 워드라인; 읽기 워드라인의 인에이블 상태에 따라 스위칭되는 전계효과 트랜지스터; 전계효과 트랜지스터와 비트라인 사이에 직렬 연결된 복수개의 MTJ셀; 및 복수개의 MTJ셀과 각각 일대일 대응으로 연결되어 라이트 동작을 제어하는 복수개의 쓰기 워드라인을 구비함을 특징으로 한다.The magnetoresistive RAM of the present invention for achieving the above object, the bit line for transferring the read / write data; A read wordline enabled upon read of data; A field effect transistor switched according to the enable state of the read word line; A plurality of MTJ cells connected in series between the field effect transistor and the bit line; And a plurality of write word lines connected to the plurality of MTJ cells in a one-to-one correspondence to control write operations.
또한, 본 발명은 전계효과 트랜지스터를 형성하는 게이트 영역, 소소 영역 및 드레인 영역이 형성된 기판; 기판의 게이트 영역 상부에 적층되는 읽기 워드라인; 기판의 소스 영역 상부에 적층되는 접지선; 기판의 드레인 영역 상부에 전기적 경로 형성을 위하여 최소한 하나 이상의 적층 구조를 갖는 컨택층; 읽기 워드라인 및 접지선의 상부 층에 최소한 둘 이상 적층되어 배치되는 복수개의 MTJ셀; 복수개의 MTJ셀의 하부와 컨택층 간을 전기적으로 연결하는 연결층; 복수개의 MTJ셀의 상부에 적층되는 비트라인; 연결층을 사이에 두고 복수개의 MTJ셀 하부에 배치되는 제 1쓰기 워드라인; 및 비트라인을 사이에 두고 복수개의 MTJ셀 상부에 배치되는 제 2쓰기 워드라인을 구비함을 특징으로 한다.In addition, the present invention provides a substrate including a gate region, a source region and a drain region forming a field effect transistor; A read wordline stacked over the gate region of the substrate; A ground line stacked over the source region of the substrate; A contact layer having at least one stacked structure to form an electrical path over the drain region of the substrate; A plurality of MTJ cells stacked on at least two upper layers of the read word line and the ground line; A connection layer electrically connecting a lower portion of the plurality of MTJ cells and a contact layer; A bit line stacked on top of the plurality of MTJ cells; A first write word line disposed under the plurality of MTJ cells with a connection layer interposed therebetween; And a second write word line disposed over the plurality of MTJ cells with a bit line therebetween.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 자기저항 램의 셀 회로도를 나타낸다.4 shows a cell circuit diagram of a magnetoresistive RAM according to the present invention.
본 발명에 따른 자기저항 램의 단위 셀은 제 1MTJ셀(20), 제 2MTJ셀(21), 읽기 워드라인(22), 비트라인(23), 제 1쓰기 워드라인(24), 제 2쓰기 워드라인(25) 및 하나의 전계 효과 트랜지스터(26)를 구비한다.The unit cell of the magnetoresistive RAM according to the present invention includes a first MTJ cell 20, a second MTJ cell 21, a read word line 22, a bit line 23, a first write word line 24, and a second write. A word line 25 and one field effect transistor 26 are provided.
이러한 구성을 갖는 본 발명은 하나의 셀 당 두개의 MTJ셀(20,21)을 이용한 것으로, 두개의 MTJ셀(20,21)의 자화방향에 따라 4레벨의 전류값을 저장할 수 있다. 또한, 비트 수로는 2비트를 저장할 수 있기 때문에 동일한 저장 용량을 갖는 종래의 자기저항 램에 비해 셀 면적을 반으로 줄일 수 있게 된다.The present invention having such a configuration uses two MTJ cells 20 and 21 per cell, and can store four levels of current values according to the magnetization directions of the two MTJ cells 20 and 21. In addition, since the number of bits can store 2 bits, the cell area can be reduced by half compared to a conventional magnetoresistive RAM having the same storage capacity.
그 구조를 살펴보면, 전계효과 트랜지스터(26)의 드레인 단자는 제 1MTJ셀(20)과 연결되고, 소스 단자는 접지전압단과 연결되며, 게이트 단자는 읽기 워드라인(22)과 연결된다.Looking at the structure, the drain terminal of the field effect transistor 26 is connected to the first MTJ cell 20, the source terminal is connected to the ground voltage terminal, the gate terminal is connected to the read word line 22.
그리고, 제 1MTJ셀(20)은 버퍼 금속층(35)을 통해 제 2MTJ셀(21)과 연결된다. 제 1MTJ셀(20)은 제 1쓰기 워드라인(24)과 연결되고, 제 2MTJ셀(21)은 제 2쓰기 워드라인(25)과 연결된다. 제 1MTJ셀(21)의 자유층 강자성체 박막은 비트라인(23)과 연결된다.The first MTJ cell 20 is connected to the second MTJ cell 21 through the buffer metal layer 35. The first MTJ cell 20 is connected to the first write word line 24, and the second MTJ cell 21 is connected to the second write word line 25. The free layer ferromagnetic thin film of the first MTJ cell 21 is connected to the bit line 23.
이때, 두개의 MTJ셀(20,21)의 두께는 각각 수십 나노미터 정도로 매우 얇다. 이 때문에 MTJ셀을 여러개 사용하여도 전체적인 소자의 두께는 두꺼워지지 않게 되어 본 발명의 설계시 공정상의 어려움은 고려할 필요가 없다.At this time, the thickness of the two MTJ cells (20, 21) is very thin, respectively several tens of nanometers. For this reason, even if a plurality of MTJ cells are used, the overall thickness of the device does not become thick, and thus, the process difficulties in designing the present invention need not be considered.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 동작과정을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention having such a configuration as follows.
먼저, 자기저항 램의 쓰기 동작에서는 전계효과 트랜지스터(26)가 오프된 상태에서, 제 1MTJ셀(20) 및 제 2MTJ셀(21)과 연결된 제 1 및 제 2쓰기 워드라인(24,25)이 개별적으로 인에이블된다. 이에 따라, 제 1 및 제 2쓰기 워드라인(24,25)과 비트라인(23)에 전류를 인가함으로써, 이로 인해 발생되는 전계에 의해 자유층 강자성체의 자화방향을 제어할 수 있게 된다. 이상에서와 같이 본 발명의 쓰기 동작 과정은 일반적인 자기저항 램의 경우 동일하므로 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.First, in the write operation of the magnetoresistive RAM, when the field effect transistor 26 is turned off, the first and second write word lines 24 and 25 connected to the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 are connected. Are individually enabled. Accordingly, by applying current to the first and second write word lines 24 and 25 and the bit line 23, the magnetization direction of the free layer ferromagnetic material can be controlled by the generated electric field. As described above, since the write operation process of the present invention is the same in the case of a general magnetoresistive RAM, a detailed description thereof will be omitted.
반면에, 본 발명의 읽기 동작 과정을 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the read operation of the present invention will be described as follows.
각각의 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)은 고정층과 자유층 강자성체 박막의 자화방향에 따라 터널링 저항의 차이를 갖는다. 즉, 고정층과 자유층 강자성체 박막의 자화방향이 같으면 작은 저항값이 흐르고, 다르면 큰 저항값이 흐르게 된다.Each of the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 has a difference in tunneling resistance according to the magnetization directions of the fixed layer and the free layer ferromagnetic thin film. That is, if the magnetization directions of the pinned layer and the free layer ferromagnetic thin film are the same, a small resistance value flows, and a different resistance value flows.
이러한 상태에서 비트라인(23)을 통해 흐르는 전류의 차이가 발생하여 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)에 저장된 정보를 읽을 수 있게 된다. 이때, 두개의 MTJ셀(20,21)에서 터널 옥사이드 박막(또는 절연막, 주로 Al2O3)의 두께를 다르게 할 경우, 직렬로 연결된 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)에 흐르는 저항값 및 비트라인(23)을 통해 흐르는 전류의 크기를 4레벨(2비트)로 생성할 수 있게 된다.In this state, a difference in current flowing through the bit line 23 may occur to read information stored in the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21. In this case, when the thickness of the tunnel oxide thin film (or the insulating film, mainly Al 2 O 3 ) is changed in the two MTJ cells 20 and 21, the two MTJ cells 20 and 21 flow in the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 connected in series. The resistance value and the magnitude of the current flowing through the bit line 23 can be generated at four levels (two bits).
이러한 제 1MTJ셀(20) 및 제 2MTJ셀(21)의 상태에 따라 흐르는 터널링 저항의 값을 살펴보면 다음의 [표 1]과 같다. 여기서, 제 1MTJ셀(20)의 터널 옥사이드박막의 두께는 제 2MTJ셀(21)의 터널 옥사이드 박막의 두께보다 크다고 가정한다.Looking at the values of the tunneling resistance flowing according to the state of the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 are as shown in Table 1 below. Here, it is assumed that the thickness of the tunnel oxide thin film of the first MTJ cell 20 is greater than the thickness of the tunnel oxide thin film of the second MTJ cell 21.
[표 1]TABLE 1
[표 1]을 보면, 제 1MTJ셀(20)에 데이타 "0"이 저장된 경우 터널링 저항은 RHA가 되고 데이타 "1"이 저장된 경우 터널링 저항은 RLA가 된다. 여기서, 터널링 저항 RHA는 터널링 저항 RLA 보다 훨씬 크다.As shown in Table 1, when data "0" is stored in the first MTJ cell 20, the tunneling resistance becomes RHA, and when data "1" is stored, the tunneling resistance becomes RLA. Here, the tunneling resistance RHA is much larger than the tunneling resistance RLA.
그리고, 제 2MTJ셀(21)에 데이타 "0"이 저장된 경우 터널링 저항은 RHB가 되고 데이타 "1"이 저장된 경우 터널링 저항은 RLB가 된다. 여기서, 터널링 저항 RLB는 터널링 저항 RLB 보다 훨씬 크다.When the data " 0 " is stored in the second MTJ cell 21, the tunneling resistance becomes RHB, and when the data " 1 " is stored, the tunneling resistance becomes RLB. Here, the tunneling resistance RLB is much larger than the tunneling resistance RLB.
또한, 제 1MTJ셀(20) 및 제 2MTJ셀(21)의 상태에 따라 흐르는 전체 터널링 저항의 값을 살펴보면 다음의 [표 2]와 같다. 여기서, 전체 저항의 값은 R0>R1>R2>R3로 가정한다.In addition, the values of the total tunneling resistance flowing according to the states of the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 are shown in Table 2 below. Here, the value of the total resistance is assumed to be R0> R1> R2> R3.
[표 2]TABLE 2
[표 2]를 보면, 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)에 저장된 데이타의 값에 따라 셀에 흐르는 전체 저항의 값이 각각 상이하게 나타남을 알 수 있다. 즉, 두개의 MTJ셀(20,21)에 흐르는 터널링 저항이 모두 작은 경우 두개의 MTJ셀(20,21)에 저장된 데이타를 "11"로 센싱한다. 그리고, 두개의 MTJ셀(20,21) 중 어느 하나의 MTJ셀에 흐르는 터널링 저항이 작은 경우 데이타를 "10" 또는 "01"로 센싱한다. 또한, 두개의 MTJ셀(20,21)에 흐르는 터널링 저항이 모두 큰 경우 두개의 MTJ셀(20,21)에 저장된 데이타를 "00"으로 센싱한다.Referring to Table 2, it can be seen that values of total resistance flowing through the cells are different from each other according to data values stored in the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21. That is, when both tunneling resistances flowing through the two MTJ cells 20 and 21 are small, the data stored in the two MTJ cells 20 and 21 are sensed as "11". When the tunneling resistance flowing in any one of the two MTJ cells 20 and 21 is small, the data is sensed as "10" or "01". In addition, when both tunneling resistances flowing in the two MTJ cells 20 and 21 are large, data stored in the two MTJ cells 20 and 21 are sensed as "00".
따라서, 읽기 워드라인(22)에 전압을 인가하여 전계효과 트랜지스터(26)를 동작시킨 후, 각각 다른 터널 옥사이드 박막의 두께를 갖는 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)에 흐르는 전체 저항의 값을 센싱하여 제 1MTJ셀(20)과 제 2MTJ셀(21)에 각각 저장된 데이타를 판별할 수 있게 된다.Therefore, after operating the field effect transistor 26 by applying a voltage to the read word line 22, the total resistance flowing through the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 each having a different thickness of the tunnel oxide thin film. It is possible to determine the data stored in each of the first MTJ cell 20 and the second MTJ cell 21 by sensing the value of.
도 5는 본 발명에 따른 자기저항 램의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a magnetoresistive ram according to the present invention.
도 5를 보면, P-기판의 상부에 형성된 전계효과 트랜지스터(26)는 소스 영역(27)과 드레인 영역(28) 사이에 게이트 영역을 포함한다. 여기서, 소스 영역(27)의 상부에는 접지선(29)이 형성되고, 게이트 영역의 상부에는 읽기 워드라인(22)이 형성된다. 그리고, 드레인 영역(28)의 상부에는 도전층(30), 콘택 플러그(31), 도전층(32) 및 콘택 플러그(33)가 차례로 적층된다.Referring to FIG. 5, the field effect transistor 26 formed on the P-substrate includes a gate region between the source region 27 and the drain region 28. Here, the ground line 29 is formed above the source region 27, and the read word line 22 is formed above the gate region. The conductive layer 30, the contact plug 31, the conductive layer 32, and the contact plug 33 are sequentially stacked on the drain region 28.
또한, 접지선(29)의 상측에 형성된 제 1쓰기 워드라인(24)의 상부에는 연결층(34)이 형성되고, 이 연결층(34)은 콘택 플러그(33)의 상부에 연장되어 연결된다. 그리고, 연결층(34)의 상부에는 제 1쓰기 워드라인(24)의 상측 부분으로 제 1MTJ셀(20), 버퍼 금속층(35), 상부 MTJ셀(21) 및 비트라인(23)이 스택(stack) 형식으로 차례로 적층된다. 여기서, 제 1MTJ셀(20)과 상부 MTJ셀(21)은 버퍼 금속층(35)을 사이에 두고 직렬로 연결된다. 그리고, 상부 MTJ셀(21)의 쓰기 동작을 제어하기 위한 제 2쓰기 워드라인(25)이 비트라인(23)의 상부에서 제 2MTJ셀(21)의 상측에 형성된다.In addition, a connection layer 34 is formed on an upper portion of the first write word line 24 formed above the ground line 29, and the connection layer 34 extends and is connected to an upper portion of the contact plug 33. The first MTJ cell 20, the buffer metal layer 35, the upper MTJ cell 21, and the bit line 23 are stacked on the upper portion of the first write word line 24. stack) in order. Here, the first MTJ cell 20 and the upper MTJ cell 21 are connected in series with the buffer metal layer 35 therebetween. A second write word line 25 for controlling a write operation of the upper MTJ cell 21 is formed above the second MTJ cell 21 above the bit line 23.
따라서, 본 발명은 셀 당 4레벨의 멀티 데이타(2비트)를 저장하므로 실제적인 셀의 면적을 반으로(4F2) 줄일 수 있고, 이에 따라 자기저항 램의 집적도를 향상시킬 수 있도록 한다.Therefore, since the present invention stores four levels of multi-data (2 bits) per cell, the actual cell area can be reduced by half (4F 2 ), thereby improving the integration of the magnetoresistive RAM.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 갖는다.As described above, the present invention has the following effects.
첫째, 하나의 단위 셀에 2비트의 데이타를 저장하여 유효한 단위 셀의 면적을 줄일 수 있고, 이에 따라 메모리의 제조 단가를 줄일 수 있도록 한다.First, by storing two bits of data in one unit cell, it is possible to reduce the area of the effective unit cell, thereby reducing the manufacturing cost of the memory.
둘째, 2개 이상의 MTJ셀을 직렬로 배치하여 전체 면적의 손실 없이 멀티 데이타를 저장할 수 있으며, 이에 따른 제조 비용을 줄일 수 있도록 한다.Second, by placing two or more MTJ cells in series, multi-data can be stored without loss of the total area, thereby reducing manufacturing costs.
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