KR200487199Y1 - Apparatus for thin filming resist layer - Google Patents

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KR200487199Y1 KR2020130007947U KR20130007947U KR200487199Y1 KR 200487199 Y1 KR200487199 Y1 KR 200487199Y1 KR 2020130007947 U KR2020130007947 U KR 2020130007947U KR 20130007947 U KR20130007947 U KR 20130007947U KR 200487199 Y1 KR200487199 Y1 KR 200487199Y1
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유지 도요다
노리히코 고칸
노리유키 가와이
구니히로 나카가와
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미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
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Abstract

(과제)
딥조 중의 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과, 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 미셀 제거액의 박막화 처리 유닛에 대한 역류를 억제하는 것 및 레지스트층 표면의 박막화 처리액의 유동을 억제하면서, 딥조로부터의 박막화 처리액의 반출을 억제할 수 있는 레지스트층의 박막화 장치를 제공하는 것이다.
(해결수단)
박막화 처리 유닛과 미셀 제거 처리 유닛의 경계부의 반송 롤쌍에 미셀 제거액 차단 커버가 설치되어 있는 박막화 장치, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 액제거 롤쌍이 설치되어 있는 박막화 장치, 및 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 방액벽이 설치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 과제를 해결할 수 있다.(assignment)
A thinning apparatus for a resist layer, comprising: a thinning treatment unit for micellizing the components in a resist layer by a thinning treatment liquid in a dip tank; and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid, wherein the micelle removal liquid thinning treatment unit Which is capable of suppressing the backflow of the resist layer and suppressing the flow of the thinning treatment liquid from the surface of the resist layer while suppressing the flow of the treatment liquid.
(Solution)
A thinning device in which a micelle removing liquid blocking cover is provided on a conveying roll pair at a boundary portion between a thinning processing unit and a micelle removing processing unit, a thinning device in which a pair of liquid removing rolls is provided between an inlet roll pair of a dip tank and an inlet roll pair of a micelle removal processing unit, The problem can be solved by the thinning apparatus for the resist layer in which the liquid-repellent wall is provided between the pair of the outlet rolls of the dip tank and the pair of the inlet rolls of the micelle removal processing unit.

Description

레지스트층의 박막화 장치{APPARATUS FOR THIN FILMING RESIST LAYER}[0001] APPARATUS FOR THIN FILMING RESIST LAYER [0002]

본 고안은 레지스트층의 박막화 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for thinning a resist layer.

전기 및 전자 부품의 소형화, 경량화, 다기능화에 따라, 회로 형성용 드라이 필름 레지스트, 솔더 레지스트를 비롯한 감광성 수지 (감광성 재료) 에는, 프린트 배선판의 고밀도화에 대응하기 위해, 고해상도가 요구되고 있다. 이들 감광성 수지에 의한 화상 형성은, 감광성 수지를 노광 후, 현상함으로써 실시된다.Background Art [0002] As electronic and electronic parts become smaller, lighter, and multifunctional, a photosensitive resin (photosensitive material) including a dry film resist for forming a circuit and a solder resist is required to have high resolution in order to cope with high density of a printed wiring board. Image formation by these photosensitive resins is carried out by exposing the photosensitive resin to light and then developing it.

프린트 배선판의 소형화, 고기능화에 대응하기 위해, 감광성 수지가 박막화되는 경향이 있다. 감광성 수지에는 액을 도포하여 사용하는 타입의 것 (액상 레지스트) 과 드라이 필름 타입의 것 (드라이 필름 레지스트) 이 있다. 최근에는 15 ㎛ 이하의 두께의 드라이 필름 레지스트가 개발되어, 제품화도 진행되고 있다. 그러나, 이와 같은 얇은 드라이 필름 레지스트에서는, 종래의 두께의 레지스트에 비해, 밀착성 및 요철에 대한 추종성이 불충분해져, 박리나 보이드 등이 발생할 문제가 있었다.There is a tendency that the photosensitive resin becomes thinner in order to cope with the miniaturization and high functioning of the printed wiring board. The photosensitive resin includes a liquid type resist (liquid resist) and a dry film type (dry film resist). In recent years, dry film resists having a thickness of 15 μm or less have been developed and commercialized. However, in such a thin dry film resist, adhesiveness and followability to irregularities are insufficient as compared with a resist of a conventional thickness, and peeling, voids, and the like occur.

또한, 드라이 필름으로 고해상도화를 달성하는 방법으로는, 노광 전에, 감광성 수지에 구비된 지지 필름을 박리하고, 지지 필름을 개재하지 않고 노광하는 방법이 있다. 이 경우, 감광성 수지에 포토툴 (포토마스크) 을 직접 밀착시키는 경우도 있다. 그러나, 감광성 수지는, 통상 어느 정도의 점착성을 갖고 있기 때문에, 포토툴을 감광성 수지에 직접 밀착시켜 노광을 실시하는 경우, 밀착시킨 포토툴의 제거가 곤란해진다. 또, 감광성 수지에 의해 포토툴이 오염되거나, 지지 필름을 박리함으로써 감광성 수지가 대기 중의 산소에 노출되거나 하여, 광감도가 저하되기 쉬워진다.As a method of achieving high resolution with a dry film, there is a method of releasing a support film provided in a photosensitive resin before exposure and exposing without interposing a support film. In this case, a phototool (photomask) may be directly brought into close contact with the photosensitive resin. However, since the photosensitive resin usually has a certain degree of tackiness, when the phototool is directly brought into close contact with the photosensitive resin and exposure is performed, it becomes difficult to remove the phototool with which the phototool is closely attached. Moreover, the photoresist is contaminated by the photosensitive resin, or the support film is peeled off, so that the photosensitive resin is exposed to oxygen in the atmosphere, and the photosensitivity tends to be lowered.

상기 서술한 점을 개선하기 위해, 두꺼운 감광성 수지를 사용하면서, 고해상도를 달성할 수 있는 여러 가지 수단이 제안되어 있다. 예를 들어, 서브트랙티브법에 의해 도전 패턴을 제조하는 방법에 있어서, 절연층의 편면 또는 양면에 금속층이 형성되어 이루어지는 적층 기판 상에 드라이 필름 레지스트를 첩부하여 레지스트층을 형성한 후, 레지스트층의 박막화 공정을 실시하고, 다음으로, 회로 패턴의 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 형성 방법이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또한, 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 도전성 패턴을 갖는 회로 기판 상에 솔더 레지스트로 이루어지는 레지스트층을 형성한 후, 레지스트층의 박막화 공정을 실시하고, 다음으로 패턴의 노광 공정을 실시하고, 다시 레지스트층의 박막화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 및 3 참조).In order to improve the above-described points, various means for achieving high resolution while using a thick photosensitive resin have been proposed. For example, in a method for producing a conductive pattern by a subtractive method, a dry film resist is attached to a laminate substrate having a metal layer formed on one side or both sides of an insulating layer to form a resist layer, (Hereinafter, referred to as " patterning step "), and then performing an exposure step, a developing step, and an etching step of a circuit pattern (for example, refer to Patent Document 1). Further, in the method of forming a solder resist pattern, a resist layer made of a solder resist is formed on a circuit board having a conductive pattern, a thinning process of the resist layer is performed, an exposure process of a pattern is then performed, And then a step of thinning the resist layer is carried out (see, for example, Patent Documents 2 and 3).

또한, 특허문헌 4 에는, 레지스트층의 박막화 공정에 사용되는 박막화 장치가 개시되어 있다. 구체적으로는, 레지스트층이 형성된 기판을 고농도의 알칼리 수용액 (박막화 처리액) 에 침지 (딥, dip) 하여 레지스트층의 성분의 미셀을 일단 불용화하고, 처리액 중에 용해 확산되기 어렵게 하는 박막화 처리 유닛, 미셀 제거액 스프레이에 의해 단번에 미셀을 용해 제거하는 미셀 제거 처리 유닛, 표면을 물로 세정하는 수세 처리 유닛, 수세수를 제거하는 건조 처리 유닛의 4 개의 처리 유닛을 적어도 포함하는 레지스트층의 박막화 장치가 개시되어 있다.Patent Document 4 discloses a thin film forming apparatus used in a step of thinning a resist layer. Specifically, the substrate having the resist layer formed thereon is dipped (dipped) in a high-concentration alkali aqueous solution (thinning treatment liquid) to insolubilize the micelles of the components of the resist layer once and make it difficult to dissolve and diffuse into the treatment liquid. , A micelle removal treatment unit for dissolving and removing micelles at a time by micelle removal liquid spray, a water treatment unit for cleaning the surface with water, and a drying treatment unit for removing water wash water. .

특허문헌 4 에서 개시되어 있는 박막화 장치의 일부에 관해서, 도 13 에 나타낸 개략 단면도를 사용하여 설명한다. 박막화 처리 유닛 (11) 에서는, 투입구 (7) 로부터 레지스트층이 형성된 기판 (3) 이 투입된다. 기판 (3) 은, 반송 롤쌍 (4) 에 의해, 딥조 (2) 중의 박막화 처리액 (1) 에 침지한 상태로 반송되고, 레지스트층의 박막화 처리가 실시된다. 그 후에, 기판 (3) 은, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 반송된다. 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에서는, 반송 롤쌍 (4) 에 의해 반송되어 온 기판 (3) 에 대하여, 미셀 제거액 공급관 (20) 을 통하여 미셀 제거액용 노즐 (21) 로부터 미셀 제거액 스프레이 (22) 가 공급된다. 기판 (3) 상의 레지스트층은, 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조 (2) 에 있어서, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 의해, 레지스트층의 성분의 미셀이 박막화 처리액 (1) 에 대하여 일단 불용화되어 있다. 그 후, 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의해 미셀이 제거됨으로써, 레지스트층이 박막화된다. 특허문헌 4 에는, 「미셀 제거는, 미셀 제거액 스프레이에 의해 단번에 실시하는 것이 중요하고, 일정 이상의 수압과 유량의 조건에서 빠르게 실시하는 것이 바람직하다」라는 기술이 있다.A part of the thinning apparatus disclosed in Patent Document 4 will be described using a schematic sectional view shown in Fig. In the thinning processing unit 11, the substrate 3 on which the resist layer is formed is introduced from the charging port 7. The substrate 3 is transported in a state of being immersed in the thinning treatment liquid 1 in the dip tank 2 by the transport roll pair 4 and thinning treatment of the resist layer is carried out. Thereafter, the substrate 3 is returned to the micelle removal processing unit 12. The micelle removal liquid processing unit 12 supplies the micelle removal liquid spray 22 from the micelle removal liquid nozzle 21 to the substrate 3 transported by the transport roll pair 4 through the micelle removal liquid supply pipe 20 do. The resist layer on the substrate 3 is formed by the thinning treatment liquid 1 which is an alkaline aqueous solution of high concentration in the dip tank 2 inside the thinning treatment unit 11 so that the micelles constituting the resist layer are removed by the thinning treatment liquid 1 Which is once insoluble. Thereafter, the micelle is removed by the micelle removing liquid spray 22, whereby the resist layer becomes thinner. In Patent Document 4, there is a technique that "it is important to carry out the micelle removal by spraying the micelle removal liquid at a time, and it is preferable to perform the treatment quickly under the conditions of water pressure and flow rate equal to or higher than a certain level".

도 13 에 나타낸 레지스트층의 박막화 장치에서는, 기판 (3) 이 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부의 반송 롤쌍 (6) 을 통과한 지점으로부터, 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의한 미셀 제거 처리가 개시되는 구조로 되어 있다. 그리고, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 은 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 노출되는 구조로 되어 있다. 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의해 미셀 제거 처리되기 전에, 기판 (3) 상의 레지스트층이 경계부의 반송 롤쌍 (6) 에 불균일하게 부착된 미셀 제거액 (10) 과 접촉하면, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 의해 불용화되어 있던 레지스트층의 성분이 불균일하게 용해 가능한 상태가 된다. 또한, 용해 가능한 상태가 된 지점의 레지스트층에 포함되는 저농도의 알칼리 수용액이 주위의 레지스트층을 용해시키기 때문에, 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의해 미셀 제거 처리되기 전에 미셀 제거액 (10) 이 부착된 부분의 레지스트층은, 주위와 비교하여 두께가 얇아지는 경우가 있었다.13, the micelle removal liquid spray 22 is removed from the point where the substrate 3 has passed through the transport roll pair 6 at the boundary between the thinning treatment unit 11 and the micelle removal processing unit 12. In this case, The micelle removal process is started. The transport roll pair 6 at the boundary is exposed to the micelle removing liquid spray 22. [ When the resist layer on the substrate 3 comes into contact with the micelle removal liquid 10 which is unevenly adhered to the transport roll pair 6 at the boundary before the micelle removal treatment by the micelle removal liquid spray 22, The component of the resist layer which has been insolubilized by the liquid 1 becomes non-uniformly soluble. In addition, since the aqueous alkali solution of a low concentration contained in the resist layer at the point where it is in a soluble state dissolves the surrounding resist layer, the portion to which the micelle removal liquid 10 is attached before the micelle removal treatment by the micelle removal liquid spray 22 The thickness of the resist layer in the case of the present invention may be thinner than that in the surroundings.

또한, 도 13 에 나타낸 레지스트층의 박막화 장치에서는, 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 을 통과한 지점으로부터, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의한 미셀 제거 처리가 개시될 때까지의 동안에, 1 쌍의 경계부의 반송 롤쌍 (6) 만이 존재하고 있다. 도 14 는, 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 의 확대 개략 단면도이다. 경계부의 반송 롤쌍 (6) 을 기판 (3) 이 통과할 때, 기판 (3) 의 두께분만큼 경계부의 반송 롤쌍 (6) 의 상측 롤이 들어 올려져, 하측 롤과의 사이에 간극 (24) 이 생긴다. 여기서, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 을 통과한 지점으로부터, 미셀 제거액 스프레이 (22) 가 기판 (3) 상의 레지스트층 표면에 공급되면, 미셀 제거액 스프레이 (22) 의 액류는, 레지스트층 표면 전체에 퍼지고, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 의 상측 롤과 하측 롤 사이에 생긴 간극 (24) 을 통하여 박막화 처리 유닛 (11) 내에 역류하는 경우가 있다. 기판 (3) 의 두께가 큰 경우에는, 간극 (24) 도 커지기 때문에, 역류하는 미셀 제거액 (10) 의 양이 증가하는 경향이 있다. 미셀 제거액 (10) 이 박막화 처리 유닛 (11) 내에 역류하여, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 과 미셀 제거액 (10) 이 혼합되면, 박막화 처리액 (1) 의 농도가 저하되고, 박막화 처리의 처리 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있었다.13, the micelle removal liquid spray 22 (FIG. 13) of the micelle removal processing unit 12 is removed from the point where it passes through the exit roll pair 5 of the dip tank 2 inside the thinning processing unit 11 , Only a pair of conveying rolls 6 at a pair of boundaries exists. 14 is an enlarged schematic cross-sectional view of a pair of transport rolls 6 at the boundary in the apparatus for thinning a resist layer. The upper roll of the transport roll pair 6 at the boundary portion is lifted by the thickness of the substrate 3 when the substrate 3 passes through the transport roll pair 6 at the boundary portion and the gap 24 is formed between the upper roll and the lower roll, . Here, when the micelle removing liquid spray 22 is supplied to the surface of the resist layer on the substrate 3 from the point of passing the pair of conveying rolls 6 at the boundary, the liquid flow of the micelle removing liquid spray 22 spreads over the entire surface of the resist layer And flows back into the thinning treatment unit 11 through the gap 24 formed between the upper roll and the lower roll of the pair of transport rolls 6 at the boundary. When the thickness of the substrate 3 is large, the gap 24 also becomes large, so that the amount of the micelle-removing liquid 10 flowing backward tends to increase. When the micelle removing liquid 10 flows back into the thinning treatment unit 11 and the thinning treatment liquid 1 which is a high concentration alkali aqueous solution and the micelle removing liquid 10 are mixed, the concentration of the thinning treatment liquid 1 is lowered, So that processing unevenness tends to occur easily in some cases.

또한, 도 13 에 나타낸 레지스트층의 박막화 장치에서는, 기판 (3) 이 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 을 통과한 후, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 을 통과할 때까지의 동안, 기판 (3) 상의 레지스트층 표면은 딥조 (2) 중에서 반출된 박막화 처리액 (1) 의 액막에 의해 피복된 상태로 되어 있다. 여기서, 레지스트층 표면이 소수성이 되어 있는 경우, 그 액막과의 친화성이 낮아져, 레지스트층 표면에서 박막화 처리액 (1) 이 유동하고, 박막화 처리액 (1) 의 피복량이 불균일해지는 경우가 있다. 박막화 처리액 (1) 의 피복량이 많으면, 레지스트층의 성분의 미셀화 속도는 빨라지고, 반대로, 박막화 처리액 (1) 의 피복량이 적으면, 미셀화 속도는 느려진다. 그 때문에, 박막화 처리액 (1) 의 피복량이 불균일하면, 박막화된 레지스트층의 두께가 불균일해지는 경우가 있었다.13, the substrate 3 passes through the pair of exit rolls 5 of the dip tank 2 in the thinning processing unit 11, passes through the pair of transport rolls 6 at the boundary portion The surface of the resist layer on the substrate 3 is covered with the liquid film of the thinning treatment liquid 1 taken out of the dip tank 2. Here, when the surface of the resist layer is hydrophobic, the affinity with the liquid film is lowered so that the thinning treatment liquid 1 flows on the surface of the resist layer, and the coating amount of the thinning treatment liquid 1 becomes uneven. When the coating amount of the thinning treatment liquid 1 is large, the rate of micellization of the components of the resist layer is accelerated. On the contrary, if the coating amount of the thinning treatment liquid 1 is small, the micellization speed is slowed down. Therefore, if the covering amount of the thinning treatment liquid 1 is uneven, the thickness of the thinned resist layer may be uneven.

또, 박막화 처리 유닛 (11) 에 있어서의 딥조 (2) 로부터 반출된 박막화 처리액 (1) 이, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 중에 다량으로 반입되는 경우도 있다. 박막화 처리액 (1) 은 고농도의 알칼리 수용성이기 때문에, 한번에 다량으로 반입되면, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 지나치게 높아져 컨트롤할 수 없게 되고, 미셀 제거 성능에 편차가 발생하고, 레지스트층의 박막화 처리량이 불균일해지는 경우가 있었다.There is also a case where the thinning treatment liquid 1 carried out from the dip tank 2 in the thinning treatment unit 11 is carried into the micelle removal treatment unit 12 in a large amount. Since the thinning treatment liquid 1 has a high concentration of alkali-soluble ability, if it is carried in a large amount at a time, the pH of the micellar removing solution 10 becomes excessively high and can not be controlled, This may be uneven.

이와 같이, 박막화된 레지스트층의 두께가 불균일해져, 박막화 후의 레지스트층에 두께가 얇은 부분이 있으면, 서브트랙티브법에 있어서의 도전 패턴 형성에서는 회로 단선의 원인이 되고, 솔더 레지스트의 패턴 형성에서는 내후성 저하의 원인이 되어, 어느쪽도 생산에 있어서의 수율 저하로 이어진다는 문제가 있었다.As described above, when the thickness of the thinned resist layer is uneven and the thickness of the thinned resist layer is thin, the formation of the conductive pattern in the subtractive process causes disconnection of the circuit. In forming the pattern of the solder resist, There has been a problem in that the yield is lowered in production.

국제공개 제2009/096438호 팜플렛International Publication No. 2009/096438 pamphlet 일본 공개특허공보 2011-192692호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-192692 국제공개 제2012/043201호 팜플렛International Publication No. 2012/043201 pamphlet 일본 공개특허공보 2012-27299호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-27299

본 고안의 과제는, 해상성과 추종성의 문제를 해결할 수 있는 레지스트 패턴 형성용의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 미셀 제거액이 박막화 처리 유닛에 역류하고, 박막화 처리액과 혼합되어 박막화 처리액의 농도가 저하되는 것을 방지하고, 레지스트층의 박막화 처리량이 불균일해지는 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 장치를 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus for a resist layer for forming a resist pattern capable of solving the problem of resolution and followability wherein micelle removal liquid flows back to the thinning treatment unit and is mixed with the thinning treatment liquid, And to provide a thin film forming apparatus for a resist layer capable of solving the problem that the processing amount of thinning of the resist layer becomes nonuniform.

또, 레지스트층 표면의 박막화 처리액의 유동을 억제하면서, 딥조로부터의 박막화 처리액의 반출을 최소한으로 억제함으로써, 레지스트층의 박막화 처리량이 불균일해지는 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a thin film forming apparatus for a resist layer capable of suppressing the flow of the thinning treatment liquid on the resist layer surface while minimizing the removal of the thinning treatment liquid from the dip tank, will be.

본 고안자들은, 하기 고안에 의해, 이들 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.The inventors have found that by the following design, these tasks can be solved.

(1) 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지고,(1) a thinning treatment unit for micellizing the components in the resist layer by a thinning treatment liquid, and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid,

표면에 레지스트층이 형성된 기판을 반송하는 반송 롤을 갖고,And a transfer roll for transferring a substrate on which a resist layer is formed,

박막화 처리 유닛이, 박막화 처리액이 들어가 있는 딥조를 갖고,The thinning treatment unit has a dip tank containing the thinning treatment liquid,

미셀 제거 처리 유닛이, 미셀 제거액을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이를 갖는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서,Wherein the micelle removal processing unit comprises a micelle removal liquid supply spray for supplying micelle removal liquid,

미셀 제거액 역류 억제 기구 및 박막화 처리액 반출 억제 기구에서 선택되는 적어도 1 종의 기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 레지스트층의 박막화 장치.A micelle removing liquid backflow inhibiting mechanism, and a thinning processing liquid discharging preventing mechanism.

(2) 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 박막화 처리 유닛과 미셀 제거 처리 유닛의 경계부의 반송 롤쌍에 설치된 미셀 제거액 차단 커버인 상기 (1) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(2) The apparatus for thinning a resist layer according to (1) above, wherein the micelle removing liquid backflow preventing mechanism is a micellar removing liquid blocking cover provided on a pair of conveying rolls at a boundary portion between the thinning processing unit and the micelle removing processing unit.

(3) 박막화 처리 유닛과 미셀 제거 처리 유닛의 경계부의 반송 롤쌍의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버에 개구가 형성되어 있는 상기 (2) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(3) The apparatus for thinning a resist layer according to (2) above, wherein an opening is formed in a micelle-removing liquid blocking cover provided on a lower roll of a pair of transport rolls at a boundary between the thinning processing unit and the micelle removal processing unit.

(4) 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍에 설치된 미셀 제거액 차단 커버인 상기 (1) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(4) The apparatus for thinning a resist layer according to (1) above, wherein the micelle removing liquid backflow control mechanism is a micellar removing liquid blocking cover provided on an inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(5) 박막화 처리액 반출 억제 기구가, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 액제거 롤쌍인 상기 (1) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(5) The apparatus for thinning a resist layer according to (1) above, wherein the thinning-out treatment liquid discharge restraining mechanism is a pair of liquid removing rolls provided between an outlet roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(6) 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 그 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 방액벽인 상기 (1) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(6) The apparatus for thinning a resist layer according to (1) above, wherein the micelle removing liquid backflow control mechanism is a liquid-repellent wall provided between a pair of the outlet rolls of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(7) 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에, 액제거 롤쌍이 설치되어 있는 상기 (6) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(7) The apparatus for thinning a resist layer according to (6) above, wherein a pair of liquid removing rolls is provided between an outlet roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(8) 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍에 미셀 제거액 차단 커버가 설치되어 있는 상기 (7) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(8) The apparatus for thinning a resist layer according to (7) above, wherein a micelle removal liquid blocking cover is provided on an inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(9) 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버에 개구가 형성되어 있는 상기 (4) 또는 (8) 에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(9) The apparatus for thinning a resist layer according to (4) or (8) above, wherein an opening is formed in the micelle removal liquid blocking cover provided on the lower roll of the inlet roll pair of the micelle removal processing unit.

(10) 딥조의 출구 롤쌍, 액제거 롤쌍, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 각각의 간격 (L) 이, 각 롤의 직경 (D) 에 대하여, 1 배 초과, 3 배 이하 (D < L ≤ 3D) 인 상기 (5), (7), (8) 중 어느 하나에 기재된 레지스트층의 박막화 장치.(10) The method according to any one of the above items (1) to (3), wherein the interval L of each of the pair of the outlet rolls of the dip tank, the liquid removal rolls and the micelle removal processing unit is more than 1 time, 3D). The thin film forming apparatus of the resist layer according to any one of (5), (7) and (8) above.

본 고안에 의하면, 해상성과 추종성의 문제를 해결할 수 있는 레지스트 패턴 형성용의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 미셀 제거액의 레지스트층에 대한 부착을 방지하면서, 미셀 제거액이 박막화 처리 유닛에 역류하고, 박막화 처리액과 혼합되어 박막화 처리액의 농도가 저하되는 것을 방지함으로써, 레지스트층의 박막화 처리량이 불균일해지는 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided an apparatus for thinning a resist layer for forming a resist pattern capable of solving the problem of resolution and followability, wherein micelle removal liquid is flown back to the thinning processing unit while preventing adhesion of the micelle removal liquid to the resist layer, It is possible to provide a thin film forming apparatus for a resist layer which can prevent the problem that the treatment amount of the resist layer becomes uneven due to mixing with the treatment liquid to prevent the concentration of the thinning treatment liquid from being lowered.

또, 레지스트층 표면의 박막화 처리액의 유동을 억제하면서, 딥조로부터의 박막화 처리액의 반출을 최소한으로 억제함으로써, 레지스트층의 박막화 처리량이 불균일해지는 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 장치를 제공할 수 있다.It is also possible to provide a thin film forming apparatus for a resist layer which can suppress the flow of the thinning treatment liquid on the surface of the resist layer and suppress the removal of the thinning treatment liquid from the dip tank to a minimum so that the thinning treatment amount of the resist layer becomes uneven .

도 1 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 미셀 제거액 차단 커버가 설치된 롤쌍과 미셀 제거액 차단 커버를 포함하는 부분의 확대 개략 단면도이다.
도 6 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 미셀 제거액 차단 커버의 개구의 일례를 나타내는 확대 개략도이다.
도 7 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 딥조의 출구 롤쌍, 액제거 롤쌍 및 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍을 포함하는 부분의 확대 개략 단면도이다.
도 9 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13 은 종래 기술에 의한 레지스트층의 박막화 장치의 일부를 나타내는 개략 단면도이다.
도 14 는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 경계부의 반송 롤쌍의 확대 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
5 is an enlarged schematic cross-sectional view of a portion including a roll pair provided with a micelle removing liquid blocking cover and a micelle removing liquid blocking cover in the apparatus for thinning a resist layer of the present invention.
6 is an enlarged schematic view showing an example of the opening of the micelle removal liquid blocking cover in the apparatus for thinning the resist layer of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
8 is an enlarged schematic cross-sectional view of a portion of the resist layer thinning apparatus of the present invention including a pair of an outlet roll of a dip tank, a pair of a liquid removing roll, and an inlet roll pair of a micelle removing processing unit.
9 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
10 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
11 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for thinning a resist layer in the present invention.
13 is a schematic cross-sectional view showing a part of an apparatus for thinning a resist layer according to the prior art.
14 is an enlarged schematic cross-sectional view of a pair of transport rolls at a boundary portion in the apparatus for thinning a resist layer.

<박막화 공정><Thinning Step>

박막화 처리액에 의한 레지스트층의 박막화 공정이란, 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분의 미셀을 일단 불용화하고, 처리액 중에 용해 확산되기 어렵게 하는 박막화 처리, 미셀 제거액 스프레이에 의해 단번에 미셀을 용해 제거하는 미셀 제거 처리를 포함하는 공정이다. 또한, 다 제거되지 못한 레지스트층 표면이나 잔존 부착한 박막화 처리액 및 미셀 제거액을 수세에 의해 씻어내는 수세 처리, 수세수를 제거하는 건조 처리를 포함할 수도 있다.The thinning process of the resist layer by the thinning treatment liquid is a process in which the micelles of the components in the resist layer are temporarily insolubilized by the thinning treatment liquid and the micelles are dissolved and removed at one time by thinning treatment, And a micelle removal treatment. In addition, it may include a washing treatment for washing the surface of the resist layer which has not yet been removed, a thinning treatment liquid and a micelle removal liquid adhering to the surface, and a drying treatment for removing washing water.

<박막화 처리>&Lt; Thinning treatment &

박막화 처리액에 의한 박막화 처리는, 패들 처리, 스프레이 처리, 브러싱, 스크레이핑 등의 방법을 사용할 수도 있지만, 침지 처리에 의해 실시되는 것이 바람직하다. 침지 처리에서는, 레지스트층이 형성된 기판을 박막화 처리액에 침지 (딥, dip) 한다. 침지 처리 이외의 처리 방법은, 박막화 처리액 중에 기포가 발생하기 쉽고, 그 발생한 기포가 박막화 처리 중에 레지스트층 표면에 부착하여, 막두께가 불균일해지는 경우가 있다. 스프레이 처리 등을 사용하는 경우에는, 기포가 발생하지 않도록, 스프레이압을 가능한 한 작게 해야 한다.As the thinning treatment by the thinning treatment liquid, paddle treatment, spray treatment, brushing, scraping or the like may be used, but it is preferable that the thinning treatment is carried out by immersion treatment. In the immersion treatment, the substrate on which the resist layer is formed is dipped (dipped) in the thinning treatment liquid. The treatment methods other than the immersion treatment tend to generate bubbles in the thinning treatment liquid, and the generated bubbles adhere to the surface of the resist layer during the thinning treatment, resulting in non-uniform film thickness. When spraying or the like is used, the spray pressure should be as small as possible so that bubbles are not generated.

본 고안에 있어서, 레지스트층 형성 후의 두께와 레지스트층이 박막화된 양으로, 박막화된 후의 레지스트층의 두께가 결정된다. 또한, 본 고안에서는, 0.01 ∼ 500 ㎛ 의 범위에서 레지스트층의 박막화량을 자유롭게 조정할 수 있다.In the present invention, the thickness after formation of the resist layer and the thickness of the resist layer after thinning are determined by the amount that the resist layer is thinned. Further, in the present invention, the thinning amount of the resist layer can be freely adjusted within the range of 0.01 to 500 탆.

<레지스트><Resist>

레지스트로는, 알칼리 현상형의 레지스트를 사용할 수 있다. 또한, 액상 레지스트이어도 되고, 드라이 필름 레지스트이어도 되고, 고농도의 알칼리 수용액 (박막화 처리액) 에 의해 박막화할 수 있고, 또한, 박막화 처리액보다 저농도의 알칼리 수용액인 현상액에 의해 현상할 수 있는 레지스트이면 어떠한 것이어도 사용할 수 있다. 알칼리 현상형 레지스트는 광가교성 수지 성분을 포함한다. 광가교성 수지 성분은, 예를 들어 알칼리 가용성 수지, 광중합성 화합물, 광중합 개시제 등을 함유하여 이루어진다. 또, 에폭시 수지, 열경화제, 무기 필러 등을 함유시켜도 된다.As the resist, an alkali development type resist can be used. Further, any resist which can be a liquid resist, a dry film resist, a thin film can be formed by a high concentration alkaline aqueous solution (thinning treatment liquid) and can be developed by a developing solution which is a lower alkaline aqueous solution than the thinning treatment liquid It can also be used. The alkali developing type resist contains a photocurable resin component. The photo-crosslinkable resin component contains, for example, an alkali-soluble resin, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator, and the like. An epoxy resin, a thermosetting agent, an inorganic filler and the like may be contained.

알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 스티렌계 수지, 에폭시계 수지, 아미드계 수지, 아미드에폭시계 수지, 알키드계 수지, 페놀계 수지의 유기 고분자를 들 수 있다. 알칼리 가용성 수지로는, 에틸렌성 불포화 2 중 결합을 갖는 단량체 (중합성 단량체) 를 중합 (라디칼 중합 등) 하여 얻어진 것이 바람직하다. 이들 알칼리 수용액에 가용인 중합체는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the alkali-soluble resin include organic polymers such as an acrylic resin, a methacrylic resin, a styrene resin, an epoxy resin, an amide resin, an amide epoxy resin, an alkyd resin and a phenol resin. As the alkali-soluble resin, it is preferable that the alkali-soluble resin is obtained by polymerization (radical polymerization or the like) of a monomer having an ethylenic unsaturated double bond (polymerizable monomer). These polymers soluble in the aqueous alkaline solution may be used alone or in combination of two or more.

에틸렌성 불포화 2 중 결합을 갖는 단량체로는, 예를 들어 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-에틸스티렌, p-메톡시스티렌, p-에톡시스티렌, p-클로로스티렌, p-브로모스티렌 등의 스티렌 유도체 ; 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드 ; 아크릴로니트릴 ; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에스테르류 ; (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산테트라하이드로푸르푸릴에스테르, (메트)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산, α-브로모(메트)아크릴산, α-클로르(메트)아크릴산, β-푸릴(메트)아크릴산, β-스티릴(메트)아크릴산 등의 (메트)아크릴산모노에스테르 ; 말레산, 말레산 무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산계 단량체 ; 푸마르산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an ethylenically unsaturated double bond include styrene, vinyltoluene,? -Methylstyrene, p-methylstyrene, p-ethylstyrene, p-methoxystyrene, p- Styrene derivatives such as styrene and p-bromostyrene; Acrylamide such as diacetone acrylamide; Acrylonitrile; Esters of vinyl alcohols such as vinyl-n-butyl ether; (Meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylate tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylate diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2 (Meth) acrylic acid,? -Bromo (meth) acrylic acid,? -Chlor (meth) acrylate, , (meth) acrylic acid monoesters such as? -furyl (meth) acrylic acid and? -styryl (meth) acrylic acid; Maleic acid monomers such as maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, and monoisopropyl maleate; Fumaric acid, cinnamic acid,? -Cyano cinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid, and propiolic acid.

광중합성 화합물로는, 예를 들어 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 비스페놀 A 계 (메트)아크릴레이트 화합물 ; 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 분자 내에 우레탄 결합을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머 ; 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트 ; γ-클로로-β-하이드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-하이드록시알킬-β'-(메트)아크릴로일옥시알킬-o-프탈레이트 등의 프탈산계 화합물 ; (메트)아크릴산알킬에스테르, EO, PO 변성 노닐페닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 여기서, EO 및 PO 는, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드를 나타내고, EO 변성된 화합물은, 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 갖는 것이고, PO 변성된 화합물은, 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 갖는 것이다. 이들 광중합성 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.The photopolymerizable compound includes, for example, a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an?,? - unsaturated carboxylic acid; Bisphenol A (meth) acrylate compounds; A compound obtained by reacting an?,? - unsaturated carboxylic acid with a glycidyl group-containing compound; Urethane monomers such as (meth) acrylate compounds having a urethane bond in the molecule; Nonylphenoxypolyethylene oxyacrylate; phthalic acid such as? -chloro? -hydroxypropyl-? '- (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate,? -hydroxyalkyl-?' - (meth) acryloyloxy- Based compound; (Meth) acrylic acid alkyl ester, EO, PO-modified nonylphenyl (meth) acrylate, and the like. Here, EO and PO represent ethylene oxide and propylene oxide, the EO-modified compound has a block structure of ethylene oxide group, and the PO-modified compound has a block structure of propylene oxide group. These photopolymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

광중합 개시제로는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논 (미힐러케톤, Michler ketone), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤 ; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류 ; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물 ; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물 ; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체 ; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체 ; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체 ; N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체, 쿠마린계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체에 있어서의 2 개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는, 동일하고 대칭인 화합물을 제공해도 되고, 상이하고 비대칭인 화합물을 제공해도 된다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3 급 아민 화합물을 조합해도 된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzo Phenanone, 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1; Diethylanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-di 2-methyl anthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethyl anthraquinone Quinones such as quinone; Benzoin ether compounds such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether; Benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin and ethylbenzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o- (O-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- 2,4,5-triarylimidazole dimer such as 5-diphenylimidazole dimer; Acridine derivatives such as 9-phenylacridine and 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane; N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, coumarin-based compounds and the like. The substituents of the aryl groups of the two 2,4,5-triarylimidazoles in the 2,4,5-triarylimidazole dimer may be identical and symmetrical, and may be different and asymmetric A phosphorus compound may be provided. Further, a thioxanthone compound and a tertiary amine compound may be combined, such as a combination of diethylthioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

에폭시 수지는, 경화제로서 사용되는 경우가 있다. 알칼리 가용성 수지의 카르복실산과 반응시킴으로써 가교시켜, 내열성이나 내약품성의 특성의 향상을 도모하고 있는데, 카르복실산과 에폭시는 상온에서도 반응이 진행되기 때문에, 보존 안정성이 나쁘고, 알칼리 현상형 솔더 레지스트는 일반적으로 사용 전에 혼합하는 2 액성의 형태를 취하고 있는 경우가 많다. 무기 필러를 사용하는 경우도 있고, 예를 들어 탤크, 황산바륨, 실리카 등을 들 수 있다.The epoxy resin is sometimes used as a curing agent. Soluble resin and the carboxylic acid of the alkali-soluble resin to improve the properties of heat resistance and chemical resistance. Since the carboxylic acid and epoxy react even at room temperature, the storage stability is poor and the alkali developing type solder resist is generally used In many cases, they take the form of a two-part liquid mixed before use. Inorganic fillers may also be used, for example, talc, barium sulfate, and silica.

기판의 표면에 레지스트층을 형성하는 방법은, 어떠한 방법이어도 되는데, 예를 들어 스크린 인쇄법, 롤코트법, 스프레이법, 침지법, 커튼코트법, 바코트법, 에어나이프법, 핫멜트법, 그라비아코트법, 브러시 도장법, 오프셋 인쇄법을 들 수 있다. 드라이 필름 레지스트의 경우에는, 라미네이트법이 바람직하게 사용된다.The resist layer may be formed on the surface of the substrate by any method including screen printing, roll coating, spraying, dipping, curtain coating, bar coating, air knife coating, A coating method, a brush coating method, and an offset printing method. In the case of a dry film resist, a lamination method is preferably used.

<기판><Substrate>

기판으로는, 프린트 배선판용 기판, 리드 프레임용 기판 ; 프린트 배선판용 기판이나 리드 프레임용 기판을 가공하여 얻어지는 회로 기판을 들 수 있다.As the substrate, a substrate for a printed wiring board, a substrate for a lead frame, And a circuit board obtained by processing a substrate for a printed wiring board or a substrate for a lead frame.

프린트 배선판용 기판으로는, 예를 들어 플렉시블 기판, 리지드 기판을 들 수 있다.Examples of the substrate for a printed wiring board include a flexible substrate and a rigid substrate.

플렉시블 기판의 절연층의 두께는 5 ∼ 125 ㎛ 이고, 그 양면 또는 편면에 1∼35 ㎛ 의 금속층이 형성되어 적층 기판으로 되어 있고, 가요성이 크다. 절연층의 재료에는, 통상, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 액정 폴리머 등이 사용된다. 절연층 상에 금속층을 갖는 재료는, 접착제로 첩합 (貼合) 하는 접착법, 금속박 상에 수지액을 도포하는 캐스트법, 스퍼터링이나 증착법으로 수지 필름 상에 형성한 두께 수 ㎚ 의 얇은 도전층 (시드층) 상에 전해 도금으로 금속층을 형성하는 스퍼터/도금법, 열프레스로 첩부하는 라미네이트법 등의 어떠한 방법으로 제조한 것을 사용해도 된다. 금속층의 금속으로는, 구리, 알루미늄, 은, 니켈, 크롬, 또는 그들의 합금 등의 어떠한 금속을 사용할 수 있는데, 구리가 일반적이다. The insulating layer of the flexible substrate has a thickness of 5 to 125 占 퐉 and a metal layer of 1 to 35 占 퐉 is formed on both sides or on one side thereof to form a laminated substrate and has high flexibility. As the material of the insulating layer, polyimide, polyamide, polyphenylene sulfide, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer and the like are usually used. The material having the metal layer on the insulating layer can be formed by a method of adhering with an adhesive, a casting method in which a resin liquid is coated on a metal foil, a thin conductive layer having a thickness of several nanometers (nm) formed on the resin film by sputtering or vapor deposition A sputter / plating method for forming a metal layer by electrolytic plating on a seed layer), a lamination method for pasting with a hot press, or the like may be used. As the metal of the metal layer, any metal such as copper, aluminum, silver, nickel, chromium, or an alloy thereof can be used, and copper is common.

리지드 기판은, 종이 기재 또는 유리 기재에 에폭시 수지 또는 페놀 수지 등을 침지시킨 절연성 기판을 겹쳐 절연층으로 하고, 그 편면 또는 양면에 금속박을 재치 (載置) 하고, 가열 및 가압에 의해 적층하고, 금속층이 형성된 적층 기판을 들 수 있다. 또한, 내층 배선 패턴 가공 후, 프리프레그, 금속박 등을 적층하여 제조하는 다층용 실드판, 관통공이나 비관통공을 갖는 다층판도 들 수 있다. 두께는 60 ㎛∼3.2 ㎜ 이고, 프린트 배선판으로서의 최종 사용 형태에 따라, 그 재질과 두께가 선정된다. 금속층의 재료로는, 구리, 알루미늄, 은, 금 등을 들 수 있는데, 구리가 가장 일반적이다. 이들 프린트 배선판용 기판의 예는, 「프린트 회로 기술 편람-제 2 판-」 ((사) 프린트 회로 학회편, 1987 년 간행, 닛칸 공업 신문사 발간) 이나 「다층 프린트 회로 핸드북」(J. A. 스칼렛 (Scarlett) 편, 1992 년 간행, (주) 근대 화학사 발간) 에 기재되어 있다.The rigid substrate is obtained by laminating an insulating layer formed by immersing an epoxy resin or a phenol resin or the like on a paper substrate or a glass substrate so as to form an insulating layer and placing a metal foil on one or both surfaces thereof, And a laminated substrate on which a metal layer is formed. Further, a multilayer shield plate manufactured by laminating a prepreg, a metal foil or the like after the processing of the inner layer wiring pattern, and a multilayer board having a through hole or a non-through hole can be used. The thickness is 60 mu m to 3.2 mm, and the material and the thickness are selected according to the final use form as a printed wiring board. Examples of the material of the metal layer include copper, aluminum, silver and gold, and copper is the most common. Examples of these printed circuit board substrates are disclosed in "Printed Circuit Technology Handbook - Second Edition" (Published by the Society of Printed Circuits, published in 1987 by Nikkan Kogyo Shimbun) or "Multilayer Printed Circuit Handbook" (JA Scarlett ), Published in 1992, published by Modern Chemical Industries, Ltd.).

리드 프레임용 기판으로는, 철 니켈 합금, 구리계 합금 등의 기판을 들 수 있다.Examples of the substrate for the lead frame include substrates made of iron nickel alloy, copper-based alloy, and the like.

회로 기판이란, 절연성 기판 상에 반도체 칩 등의 전자 부품을 접속하기 위한 접속 패드가 형성된 기판이다. 접속 패드는 구리 등의 금속으로 이루어진다. 또, 회로 기판에는, 도체 배선이 형성되어 있어도 된다. 회로 기판을 제조하는 방법은, 예를 들어 서브트랙티브법, 세미애디티브법, 애디티브법을 들 수 있다. 서브트랙티브법에서는, 예를 들어 상기 프린트 배선판용 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정을 실시하여 회로 기판이 제조된다.The circuit board is a substrate on which a connection pad for connecting electronic components such as a semiconductor chip is formed on an insulating substrate. The connection pad is made of metal such as copper. A conductor wiring may be formed on the circuit board. Examples of the method for producing the circuit board include a subtractive method, a semi-additive method, and an additive method. In the subtractive method, for example, an etching resist pattern is formed on the substrate for a printed wiring board, and an exposure step, a development step, an etching step, and a resist stripping step are performed to produce a circuit board.

<박막화 장치><Thin film forming apparatus>

도 1 ∼ 도 4, 도 7, 도 9 ∼ 도 12 는, 본 고안의 박막화 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 본 고안의 박막화 장치는, 박막화 처리액 (1) 에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 을 구비하여 이루어지고, 표면에 레지스트층이 형성된 기판 (3) 을 반송하는 반송 롤을 갖고, 박막화 처리 유닛 (11) 이, 박막화 처리액 (1) 이 들어가 있는 딥조 (2) 를 갖고, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이, 미셀 제거액 (10) 을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이 (22) 를 갖는다. 그리고, 미셀 제거액 역류 억제 기구 및 박막화 처리액 반출 억제 기구에서 선택되는 적어도 1 종의 기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.Figs. 1 to 4, Fig. 7 and Fig. 9 to Fig. 12 are schematic sectional views showing an example of the thinning apparatus of the present invention. The thinning apparatus of the present invention comprises a thinning treatment unit 11 for micellizing components in a resist layer by a thinning treatment liquid 1 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by a micelle removal liquid spray 22 And has a transport roll for transporting a substrate 3 on which a resist layer is formed on its surface, wherein the thinning treatment unit 11 has a dip tank 2 containing the thinning treatment liquid 1, (12) has a micelle removing liquid supply spray (22) for supplying the micelle removing liquid (10). And at least one mechanism selected from a micelle removing liquid backflow preventing mechanism and a thinning processing liquid discharging preventing mechanism is provided.

박막화 처리 유닛 (11) 에서는, 투입구 (7) 로부터 투입된 레지스트층이 형성된 기판 (3) 이, 반송 롤쌍 (4) 에 의해, 딥조 (2) 중의 박막화 처리액 (1) 에 침지된 상태로 반송되고, 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 을 통과한다. 이들의 처리에 의해, 기판 (3) 상의 레지스트층 중의 성분은 박막화 처리액 (1) 에 의해 미셀화되고, 이 미셀이 박막화 처리액 (1) 에 대하여 불용화된다.In the thinning treatment unit 11, the substrate 3 on which the resist layer injected from the charging port 7 is formed is transported in a state immersed in the thinning treatment liquid 1 in the dip tank 2 by the transport roll pair 4 , And passes through the outlet roll pair 5 of the dip tank 2. By these treatments, the components in the resist layer on the substrate 3 are micellized by the thinning treatment liquid 1, and the micelles are insoluble in the thinning treatment liquid 1.

박막화 처리액 (1) 은, 박막화 처리액 저장 탱크 (13) 중의 박막화 처리액 흡입구 (14) 로부터 박막화 처리액 공급용 펌프 (도시하지 않음) 에 의해 흡입되고, 박막화 처리액 공급관 (15) 을 거쳐 딥조 (2) 에 공급된다. 딥조 (2) 에 공급된 박막화 처리액 (1) 은, 오버플로우하고, 박막화 처리액 회수관 (16) 을 통과하여 박막화 처리액 저장 탱크 (13) 에 회수된다. 이렇게 하여, 박막화 처리액 (1) 은, 딥조 (2) 와 박막화 처리 저장 탱크 (13) 사이를 순환한다. 박막화 처리액 드레인관 (17) 으로부터는, 잉여분의 박막화 처리액 (1) 이 배출된다.The thinning treatment liquid 1 is sucked by a thinning treatment liquid supply pump (not shown) from the thinning treatment liquid intake port 14 in the thinning treatment liquid storage tank 13 and is supplied to the thinning treatment liquid supply pipe 15 And is supplied to the dip tank 2. The thinning treatment liquid 1 supplied to the dip tank 2 overflows and passes through the thinning treatment liquid recovery pipe 16 and is recovered in the thinning treatment liquid storage tank 13. Thus, the thinning treatment liquid 1 circulates between the dip tank 2 and the thinning treatment storage tank 13. From the thin film forming process liquid drain pipe 17, the excess thinning process liquid 1 is discharged.

박막화 처리액 (1) 으로서 사용되는 알칼리 수용액에 사용되는 알칼리성 화합물로는, 예를 들어 리튬, 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속 규산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 탄산염, 암모늄인산염, 암모늄탄산염 등의 무기 알칼리성 화합물 ; 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 메틸아민, 디메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 시클로헥실아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록시드, 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드록시드 (콜린, Choline) 등의 유기 알칼리성 화합물을 들 수 있다. 이들 알칼리성 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로도 사용할 수 있다. 박막화 처리액 (1) 의 매체인 물에는, 수돗물, 공업용수, 순수 등을 사용할 수 있지만, 특히 순수를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the alkaline compound used for the alkali aqueous solution used as the thinning treatment liquid 1 include alkali metal silicates such as lithium, sodium or potassium, alkali metal hydroxides, alkali metal phosphates, alkali metal carbonates, ammonium phosphates, ammonium carbonates And the like; But are not limited to, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, methylamine, dimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, cyclohexylamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, -2-hydroxyethyl ammonium hydroxide (choline, Choline), and the like. These alkaline compounds may be used alone or as a mixture. Water used as the medium of the thinning treatment liquid (1) may be tap water, industrial water, pure water or the like, but it is particularly preferable to use pure water.

알칼리성 화합물의 함유량은, 0.1 질량% 이상 50 질량% 이하에서 사용할 수 있다. 또한, 레지스트층 표면을 보다 균일하게 박막화하기 위해, 박막화 처리액 (1) 에 황산염, 아황산염을 첨가할 수도 있다. 황산염 또는 아황산염으로는, 리튬, 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속 황산염 또는 아황산염, 마그네슘, 칼슘 등의 알칼리 토금속 황산염 또는 아황산염을 들 수 있다.The content of the alkaline compound may be 0.1% by mass or more and 50% by mass or less. In addition, in order to make the surface of the resist layer more uniformly thin, sulfate and sulfite may be added to the thinning treatment liquid (1). Examples of the sulfates or sulfites include alkali metal sulfates such as lithium, sodium or potassium or alkaline earth metal sulfates or sulfites such as sulfites, magnesium and calcium.

박막화 처리액 (1) 의 알칼리성 화합물로는, 이들 중에서도 특히, 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염에서 선택되는 무기 알칼리성 화합물 ; TMAH, 콜린에서 선택되는 유기 알칼리성 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 알칼리성 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로도 사용할 수 있다. 또, 알칼리성 화합물의 함유량이 5 ∼ 25 질량% 인 알칼리 수용액이, 표면을 보다 균일하게 박막화할 수 있기 때문에 바람직하게 사용할 수 있다. 알칼리성 화합물의 함유량이 5 질량% 미만에서는, 박막화하는 처리에서 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또한, 25 질량% 를 초과하면, 알칼리성 화합물의 석출이 일어나기 쉬워지는 경우가 있고, 액의 경시 안정성, 작업성이 열등한 경우가 있다. 알칼리성 화합물의 함유량은 7 ∼ 17 질량% 가 보다 바람직하고, 8 ∼ 13 질량% 가 더욱 바람직하다. 박막화 처리액 (1) 으로서 사용되는 알칼리 수용액의 pH 는 10 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 계면 활성제, 소포제, 용제 등을 적절히 첨가할 수도 있다.As the alkaline compound of the thinning treatment liquid (1), an inorganic alkaline compound selected from an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal hydroxide, and an alkali metal silicate; TMAH, and choline can be preferably used as the organic alkaline compound. These alkaline compounds may be used alone or as a mixture. An alkaline aqueous solution having an alkaline compound content of 5 to 25 mass% can be preferably used because the surface thereof can be made more uniformly thin. When the content of the alkaline compound is less than 5% by mass, unevenness may easily occur in the thinning process. On the other hand, if it exceeds 25% by mass, precipitation of the alkaline compound tends to occur easily, and stability of the solution with time and workability may be inferior. The content of the alkaline compound is more preferably 7 to 17 mass%, and still more preferably 8 to 13 mass%. The pH of the alkali aqueous solution used as the thinning treatment liquid 1 is preferably 10 or more. Further, a surfactant, defoaming agent, solvent and the like may be appropriately added.

박막화 처리액 (1) 으로서 사용되는 알칼리 수용액의 온도는, 15 ∼ 35 ℃ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 30 ℃ 이다. 온도가 지나치게 낮으면, 레지스트층에 대한 알칼리성 화합물의 침투 속도가 느려지는 경우가 있고, 원하는 두께를 박막화하는 데에 장시간을 요한다. 한편, 온도가 지나치게 높으면, 레지스트층에 대한 알칼리성 화합물의 침투와 동시에 용해 확산이 진행됨으로써, 면 내에서 막두께 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다.The temperature of the alkali aqueous solution used as the thinning treatment liquid 1 is preferably 15 to 35 占 폚, and more preferably 20 to 30 占 폚. If the temperature is too low, the penetration rate of the alkaline compound to the resist layer may be slowed down, and it takes a long time to thin the desired thickness. On the other hand, if the temperature is excessively high, dissolution and diffusion proceed simultaneously with the penetration of the alkaline compound into the resist layer, so that the film thickness irregularity may easily occur in the surface.

미셀 제거 처리 유닛 (12) 에서는, 박막화 처리 유닛 (11) 에 있어서 레지스트층이 박막화 처리액 (1) 에 대하여 불용화된 기판 (3) 이 반송 롤쌍 (4) 에 의해 반송된다. 반송되어 있는 기판 (3) 에 대하여, 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 의해 미셀 제거액 (10) 이 공급되고, 미셀이 단번에 용해 제거된다.In the micelle removal processing unit 12, the substrate 3 in which the resist layer is insoluble in the thinning treatment liquid 1 in the thinning processing unit 11 is transported by the transport roll pair 4. The micelle removing liquid 10 is supplied to the substrate 3 that has been transported by the micelle removing liquid spray 22, and the micelle is dissolved and removed at once.

미셀 제거액 (10) 은, 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 중의 미셀 제거액 흡입구 (19) 로부터 미셀 제거액 (10) 을 미셀 제거액 공급용 펌프 (도시하지 않음) 로 흡입하고, 미셀 제거액 공급관 (20) 을 거쳐 미셀 제거액용 노즐 (21) 로부터 미셀 제거액 스프레이 (22) 로서 분사된다. 미셀 제거액 스프레이 (22) 는, 기판 (3) 으로부터 유하된 후, 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 에 회수된다. 이렇게 하여, 미셀 제거액 (10) 은 미셀 제거 처리 유닛 (12) 내를 순환한다. 미셀 제거액 드레인관 (23) 으로부터는, 잉여분의 미셀 제거액 (10) 이 배출된다.The micelle removal liquid 10 sucks the micelle removal liquid 10 from the micelle removal liquid inlet 19 in the micelle removal liquid storage tank 18 into a micelle removal liquid supply pump (not shown) And is sprayed from the nozzle 21 for removing micelles as a micelle removing liquid spray 22. The micelle removal liquid spray 22 is withdrawn from the substrate 3 and then returned to the micelle removal liquid storage tank 18. In this way, the micelle removing liquid 10 circulates in the micelle removal processing unit 12. From the micelle removing liquid drain pipe 23, the excess micelle removing liquid 10 is discharged.

미셀 제거액 (10) 으로는, 물을 사용할 수도 있지만, 박막화 처리액 (1) 보다 희박한 알칼리성 화합물을 함유하는 pH 5 ∼ 10 의 수용액을 사용하는 것이 바람직하다. 미셀 제거액 (10) 에 의해, 박막화 처리액으로 불용화된 레지스트층의 성분의 미셀이 재분산되어 제거된다. 미셀 제거액 (10) 에 사용되는 물로는, 수돗물, 공업용수, 순수 등을 사용할 수 있지만, 특히 순수를 사용하는 것이 바람직하다. 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 5 미만인 경우, 레지스트층의 성분이 응집되고, 불용성의 슬러지가 되어, 박막화 후의 레지스트층 표면에 부착되는 경우가 있다. 한편, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 10 을 초과한 경우, 레지스트층이 과도하게 용해 확산되고, 면 내에서 박막화된 레지스트층의 두께가 불균일해지고, 처리 불균일이 발생하는 경우가 있다. 또한, 미셀 제거액 (10) 은, 황산, 인산, 염산 등을 사용하여, pH 를 조정할 수 있다.As the micelle removing liquid 10, water may be used, but it is preferable to use an aqueous solution having a pH of 5 to 10 containing an alkaline compound that is leaner than the thinning treatment liquid (1). The micelle of the component of the resist layer insolubilized by the thinning treatment liquid is redispersed and removed by the micelle removing liquid (10). As the water used for the micelle removal liquid 10, tap water, industrial water, pure water, etc. may be used, but pure water is preferably used. If the pH of the micelle-removing liquid 10 is less than 5, the components of the resist layer may aggregate, become insoluble sludge, and adhere to the surface of the resist layer after thinning. On the other hand, when the pH of the micelle removing liquid 10 is more than 10, the resist layer is excessively dissolved and diffused, the thickness of the thinned resist layer in the surface becomes uneven, and treatment unevenness may occur. The pH of the micelle removing liquid 10 can be adjusted by using sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, or the like.

미셀 제거 처리에 있어서의 미셀 제거액 스프레이 (22) 의 조건 (온도, 스프레이압, 공급 유량) 은, 박막화 처리되는 레지스트층의 용해 속도에 맞춰 적절히 조정된다. 구체적으로는, 처리 온도는 10 ∼ 50 ℃ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 ∼ 35 ℃ 이다. 또한, 스프레이압은 0.01 ∼ 0.5 ㎫ 로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 0.3 ㎫ 이다. 미셀 제거액 (10) 의 공급 유량은, 레지스트층 1 ㎠ 당 0.030 ∼ 1.0 ℓ/min 이 바람직하고, 0.050 ∼ 1.0 ℓ/min 이 보다 바람직하고, 0.10 ∼ 1.0 ℓ/min 이 더욱 바람직하다. 공급 유량이 이 범위이면, 박막화 후의 레지스트층 표면에 불용해 성분을 남기지 않고, 면 내 대략 균일하게 불용화된 레지스트층의 성분의 미셀을 제거하기 쉽다. 레지스트층 1 ㎠ 당의 공급 유량이 0.030 ℓ/min 미만에서는, 불용화된 레지스트층의 성분의 용해 불량이 일어나는 경우가 있다. 한편, 공급 유량이 1.0 ℓ/min 을 초과하면, 공급을 위해 필요한 펌프 등의 부품이 거대해지고, 대규모 장치가 필요하게 되는 경우가 있다. 또한, 1.0 ℓ/min 을 초과한 공급량에서는, 레지스트층의 성분의 용해 확산에 주는 효과가 달라지지 않게 되는 경우가 있다. 스프레이의 방향은, 레지스트층 표면에 효율적으로 액흐름을 만들기 위해, 레지스트층 표면에 수직인 방향에 대하여, 기운 방향에서 분사하는 것이 좋다.The conditions (temperature, spray pressure, supply flow rate) of the micelle removal liquid spray 22 in the micelle removal treatment are appropriately adjusted in accordance with the dissolution rate of the resist layer to be thinned. Specifically, the treatment temperature is preferably 10 to 50 占 폚, and more preferably 15 to 35 占 폚. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.1 to 0.3 MPa. The supply flow rate of the micelle removal liquid 10 is preferably 0.030 to 1.0 L / min, more preferably 0.050 to 1.0 L / min, and further preferably 0.10 to 1.0 L / min per 1 cm 2 of the resist layer. If the supply flow rate is within this range, it is easy to remove the micelles of the component of the resist layer insolubilized substantially uniformly in the surface without leaving the component insoluble on the surface of the resist layer after thinning. When the supply flow rate per 1 cm 2 of the resist layer is less than 0.030 l / min, the insolubilization of the components of the resist layer may fail. On the other hand, when the supply flow rate exceeds 1.0 L / min, parts such as pumps necessary for supply become large, and a large-scale apparatus may be required. In addition, at a supply amount exceeding 1.0 L / min, the effect on dissolution and diffusion of components of the resist layer may not be changed. The direction of spraying is preferably sprayed in the aeration direction with respect to the direction perpendicular to the surface of the resist layer in order to efficiently flow the solution on the surface of the resist layer.

도 1 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부의 반송 롤쌍 (6) 에 설치된 미셀 제거액 차단 커버 (27) 인 것을 특징으로 하고 있다. 도 2 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 개구 (28) 가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.1, the micelle removing liquid backflow prevention mechanism is a micelle removing liquid blocking cover 27 provided on the transport roll pair 6 at the boundary between the thinning processing unit 11 and the micelle removal processing unit 12 . In the apparatus for thinning a resist layer shown in Fig. 2, an opening 28 is formed in a micelle-removing liquid blocking cover 27 provided on a lower roll of the transport roll pair 6 at the boundary.

도 3 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 설치된 미셀 제거액 차단 커버 (27) 인 것을 특징으로 하고 있다. 도 4 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 개구 (28) 가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.3 is characterized in that the micelle removing liquid backflow prevention mechanism is a micelle removal liquid blocking cover 27 provided on the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit. 4 is characterized in that an opening 28 is formed in the micelle removal liquid blocking cover 27 provided on the lower roll of the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit.

경계부의 반송 롤쌍 (6) 이란, 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부 부근에 설치된 반송 롤쌍의 것을 가리킨다. 경계부 부근이란, 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계선을 사이에 두고, 딥조 종단부에서 미셀 제거 처리 유닛의 제 1 미셀 제거액 스프레이 (22) 까지의 범위를 가리킨다. 따라서, 도 3 및 도 4 에 있어서의 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 은, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 의 일례이다.The transport roll pair 6 at the boundary indicates a transport roll pair provided in the vicinity of the boundary between the thinning processing unit 11 and the micelle removal processing unit 12. [ The vicinity of the boundary indicates the range from the edge of the deburring treatment to the first micelle removing liquid spray 22 of the micelle removal treatment unit with the boundary line between the thinning treatment unit 11 and the micelle removal treatment unit 12 therebetween. Therefore, the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit in Figs. 3 and 4 is an example of the transport roll pair 6 at the boundary.

박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부의 반송 롤쌍 (6) 에 설치되는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 및 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 설치되는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 관해서 설명한다. 미셀 제거액 차단 커버 (27) 는, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 상하에 설치된다. 이것에 의해, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 이 미셀 제거액 스프레이 (22) 에 노출되지 않게 되고, 미셀 제거 처리되기 전의 기판 (3) 상의 레지스트층에 미셀 제거액 (10) 이 부착되는 것을 방지할 수 있다.A micelle removing liquid blocking cover 27 provided on the transport roll pair 6 at the boundary between the thinning processing unit 11 and the micelle removing processing unit 12 and a micelle removing liquid blocking cover 27 provided on the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit. (27) will be described. The micelle removal liquid blocking covers 27 are provided above and below the pair of transport rolls 6 at the boundary or the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit. As a result, the pair of transport rolls 6 of the boundary portion or the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal treatment unit are not exposed to the micelle removal liquid spray 22 and the micelle removal liquid It is possible to prevent the base 10 from being attached.

박막화 처리액 (1) 으로는, 레지스트층의 성분을 미셀화시켜, 표면을 보다 균일하게 박막화하기 위해, 알칼리성 화합물의 농도가 5 ∼ 25 질량% 인 고농도의 알칼리 수용액을 바람직하게 사용할 수 있다. 알칼리성 화합물의 농도가 낮으면, 레지스트층의 성분의 미셀화와 동시에 용해 확산이 일어나고, 면 내에서 박막화 처리량에 편차가 발생하는 경우가 있다. 미셀 제거액 (10) 이 부착된 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 이 기판 (3) 의 레지스트층 표면에 닿으면, 그 부분에서는, 알칼리성 화합물 농도가 저하되게 되고, 박막화 처리량이 불균일해진다. 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 의해, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 미셀 제거액 (10) 이 부착되어, 레지스트층 표면의 알칼리성 화합물 농도가 저하되는 것을 방지함으로써, 기판 (3) 의 면내에서의 레지스트층의 박막화 처리량이 균일해진다는 효과가 얻어진다.As the thinning treatment liquid 1, a high-concentration alkali aqueous solution having an alkaline compound concentration of 5 to 25 mass% can be preferably used in order to micellize the components of the resist layer to make the surface more uniformly thin. When the concentration of the alkaline compound is low, dissolution and diffusion occur simultaneously with the micellization of the components of the resist layer, and there may be a deviation in the thinning throughput within the plane. When the transport roll pair 6 at the boundary to which the micelle removal liquid 10 is attached or the inlet roll pair 9 of the micelle removal treatment unit touches the resist layer surface of the substrate 3, the concentration of the alkaline compound is lowered at that portion , The amount of thinning processing becomes uneven. The micelle removing liquid 10 is adhered to the transport roll pair 6 of the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit by the micelle removing liquid blocking cover 27 to prevent the concentration of the alkaline compound on the surface of the resist layer from being lowered The effect of uniforming the amount of thinning treatment of the resist layer in the plane of the substrate 3 is obtained.

미셀 제거액 차단 커버 (27) 의 형상은, 기판 (3) 을 반송하기 위한 개구부를 제외하고, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 완전히 덮는 형상이면, 자유롭게 정할 수 있다. 또한, 기판 단부와 박막화 장치 측벽의 간극 등으로부터 미셀 제거액 차단 커버 (27) 내부에 미셀 제거액 (10) 이 침입했을 때, 미셀 제거액 (10) 을 배출하기 위한 개구를 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 설치할 수도 있다. 또한, 기판 (3) 을 반송하기 위한 개구부의 외측 상부에 유연한 재료를 늘어뜨리는 형태로 고정시킴으로써, 기판 (3) 의 반송을 방해하지 않고, 미셀 제거액 (10) 이 기판 (3) 을 반송하기 위한 개구부에서 침입하여, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 부착하고, 미셀 제거액 스프레이 (22) 와 접촉하기 직전의 기판 (3) 에 접촉하는 것을 막을 수 있기 때문에 바람직하다. 유연한 재료로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 필름이나 시트상 고무를 이용할 수 있다.The shape of the micelle removing liquid blocking cover 27 may be freely determined as long as the shape of the micelle removing liquid blocking cover 27 completely covers the transport roll pair 6 of the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit except for the opening portion for transporting the substrate 3. [ . When the micelle removal liquid 10 enters the inside of the micelle removal liquid blocking cover 27 from the gap between the substrate end portion and the side wall of the thinning apparatus, the opening for discharging the micelle removal liquid 10 is connected to the micelle removal liquid isolation cover 27 It can also be installed. It is also possible to fix the flexible material on the outer upper side of the opening for transporting the substrate 3 so that the micelle removal liquid 10 does not interfere with the transportation of the substrate 3, It is possible to prevent the contact with the substrate 3 immediately before coming into contact with the micelle removing liquid spray 22 by attaching to the transfer roll pair 6 of the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit desirable. As the flexible material, a film of polyethylene, polypropylene, or a sheet-like rubber can be used.

도 5 는, 기판 반송시에 있어서의, 미셀 제거액 차단 커버가 설치된 롤쌍 (도 1 및 도 2 : 경계부의 반송 롤쌍 (6), 도 3 및 4 : 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9)) 과 미셀 제거액 차단 커버 (27) 를 포함하는 부분의 확대 개략 단면도의 일례이다. 도 5 는, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 내에서, 미셀 제거액 차단 커버가 설치된 롤쌍을 기판 반송 방향의 하류측에서 본 도면이다. 기판 (3) 이 미셀 제거액 차단 커버가 설치된 롤쌍에 개재된 상태로 반송되고 있고, 상측 롤과 하측 롤 사이에 간극 (24) 이 생겼다. 미셀 제거액 (10) 이 부착되는 것을 막기 위해, 미셀 제거액 차단 커버 (27) 가 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 덮고 있다.Fig. 5 is a graph showing the relationship between a roll pair (Fig. 1 and Fig. 2: conveyor roll pair 6 at the boundary, Fig. 3 and 4: inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit) Is an example of an enlarged schematic cross-sectional view of a portion including the micelle-removing liquid blocking cover (27). 5 is a view showing the roll pair provided with the micelle removal liquid blocking cover in the micelle removal processing unit 12 from the downstream side in the substrate transport direction. The substrate 3 is conveyed in a state interposed between the pair of rolls provided with the micelle removal liquid blocking cover, and a gap 24 is formed between the upper roll and the lower roll. In order to prevent the micelle removing liquid 10 from adhering, the micelle removing liquid blocking cover 27 covers the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit.

미셀 제거액 차단 커버 (27) 의 재질로는, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 대한 내약품성이 있는 각종 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 경질 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 아크릴 수지 (PMMA), 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 수지 (ABS 수지), 테플론 (등록상표) 등의 합성 수지, 유리 섬유 강화 폴리프로필렌, 유리 섬유 강화 에폭시 수지 등의 섬유 강화 플라스틱, 티탄, 하스텔로이 (HASTELLOY, 등록상표) 등의 내식성 금속 재료 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 가공이 용이한 점에서 경질 폴리염화비닐, 아크릴 수지 (PMMA) 가 바람직하게 사용된다.As the material of the micelle-removing liquid blocking cover 27, various materials having chemical resistance to the thinning treatment liquid 1, which is a high-concentration alkali aqueous solution, can be used. Concretely, a synthetic resin such as polyethylene, polypropylene, rigid polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, acrylic resin (PMMA), acrylonitrile-butadiene-styrene resin (ABS resin), Teflon Fiber reinforced plastics such as reinforced polypropylene and glass fiber reinforced epoxy resin, and corrosion-resistant metal materials such as titanium and HASTELLOY (registered trademark). Of these, hard polyvinyl chloride and acrylic resin (PMMA) are preferably used because they are easy to process.

다음으로, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치되는 미셀 제거액 차단 커버의 개구 (28) 에 관해서 설명한다. 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 기판 (3) 이 통과할 때, 기판 (3) 의 두께분만큼, 상측 롤이 들어 올려져, 하측 롤과의 사이에 간극 (24) 이 생긴다. 미셀 제거액 스프레이 (22) 가 기판 (3) 상의 레지스트층 표면에 공급되면, 이 상측 롤과 하측 롤 사이에 생긴 간극 (24) 을 통하여 박막화 처리 유닛 (11) 측에 미셀 제거액 (10) 이 역류한다. 미셀 제거액 (10) 이 박막화 처리 유닛 (11) 에 역류하면, 박막화 처리액 (1) 의 알칼리성 화합물 농도가 저하되어, 박막화 처리량이 불균일해지는 원인이 된다. 또한, 기판 (3) 상의 레지스트층 표면의 미셀 제거액 (10) 은 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 의해 막아지고, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치된 미셀 제거액 차단 커버 (27) 내에 유하된다. 그래서, 하측 롤에 설치된 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 개구 (28) 를 형성함으로써, 미셀 제거액 차단 커버 (27) 내에 유하된 미셀 제거액 (10) 이 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 에 회수되기 때문에, 박막화 처리 유닛 (11) 내로의 미셀 제거액 (10) 의 역류를 방지할 수 있다. 그리고, 박막화 처리액 (1) 의 알칼리성 화합물 농도의 저하를 방지할 수 있고, 기판 (3) 의 면 내에서의 레지스트층의 박막화 처리량이 균일해진다는 효과가 얻어진다.Next, the opening 28 of the micelle removal liquid blocking cover provided on the lower roll of the transport roll pair 6 at the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit will be described. The upper roll is raised by the thickness of the substrate 3 when the substrate 3 passes through the pair of transport rolls 6 of the boundary portion or the pair of rolls of the inlet roll 9 of the micelle removal processing unit, Gaps 24 are formed. When the micelle removing liquid spray 22 is supplied to the surface of the resist layer on the substrate 3, the micelle removing liquid 10 flows back to the thinning treatment unit 11 side through the gap 24 formed between the upper roll and the lower roll . When the micelle removal liquid 10 flows back to the thinning treatment unit 11, the concentration of the alkaline compound in the thinning treatment liquid 1 is lowered, which causes unevenness in the thinning treatment amount. The micelle removal liquid 10 on the surface of the resist layer on the substrate 3 is blocked by the transport roll pair 6 of the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit and the transport roll pair 6 or micelle removal (27) provided in the lower roll of the inlet roll pair (9) of the processing unit. Since the micellar removing liquid 10 flowing down in the micellar removing liquid blocking cover 27 is recovered in the micellar removing liquid storage tank 18 by forming the opening 28 in the micellar removing liquid blocking cover 27 provided on the lower roll, It is possible to prevent the reverse flow of the micelle removal liquid 10 into the thinning treatment unit 11. [ This makes it possible to prevent the concentration of the alkaline compound in the thinning treatment liquid 1 from lowering and to make the amount of thinning treatment of the resist layer in the surface of the substrate 3 uniform.

미셀 제거액 차단 커버의 개구 (28) 는, 미셀 제거액 차단 커버 (27) 내에 유하된 미셀 제거액 (10) 을 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 에 회수할 수 있으면, 그 형상이나 치수, 배치 및 수는 자유롭게 정할 수 있다. 미셀 제거액 (10) 의 회수 효율 면에서 말하면, 미셀 제거액 차단 커버의 개구 (28) 는, 원형이며 치수가 보다 큰 것이 좋고, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 또는 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 폭 방향에 균등하게 복수 개 배치되는 것이 바람직하다.The opening 28 of the micelle removal liquid blocking cover can freely recover the shape of the micelle removal liquid 10 stored in the micelle removal liquid blocking cover 27 to the micelle removal liquid storage tank 18, Can be determined. In view of the recovery efficiency of the micelle removal liquid 10, it is preferable that the opening 28 of the micelle removal liquid blocking cover is circular and larger in size, and the transport roll pair 6 of the boundary portion or the inlet roll pair 9 of the micelle removal treatment unit, It is preferable to arrange a plurality of them uniformly in the width direction.

하측 롤에 설치된 미셀 제거액 차단 커버의 개구 (28) 의 일례를 나타내는 확대 개략도의 일례를 도 6 에 나타낸다. 도 6 은, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 내에서, 하측 롤에 설치된 미셀 제거액 차단 커버 (27) 를 기판 반송 방향에 대하여 하측으로부터 본 도면이고, 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 원형의 개구 (28) 가 등간격으로 배치되어 있다. 또, 도 5, 도 6 및 도 14 에 기재되어 있는 흑색의 굵은 봉은 롤의 샤프트이다.An example of an enlarged schematic view showing an example of the opening 28 of the micelle removal liquid blocking cover provided on the lower roll is shown in Fig. 6 is a plan view of the micelle removal liquid blocking cover 27 provided on the lower roll in the micelle removal processing unit 12 from the lower side in the substrate transport direction and the circular opening 28 Are arranged at regular intervals. 5, 6 and 14, the black thick rod is the shaft of the roll.

도 7 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 박막화 처리액 반출 억제 기구가, 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에 설치된 액제거 롤쌍 (8) 인 것을 특징으로 하고 있다.7, the thinning-out treatment liquid take-out restraining mechanism is provided with a liquid removing roll pair (not shown) provided between the pair of outlet rolls 5 in the dip tank inside the thinning processing unit 11 and the pair of inlet rolls 9 in the micelle removal processing unit. (8).

박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에 설치되는 액제거 롤쌍 (8) 에 관해서 설명한다. 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 을 통과한 후의 기판 (3) 에서는, 레지스트층 표면이 딥조 (2) 로부터 반출된 박막화 처리액 (1) 의 액막에 의해 피복되어 있다. 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 박막화 처리액 (1) 의 액막은 긁혀 떨어지고, 또한 그 액막의 두께가 균일하게 정렬된다. 박막화 처리액 (1) 의 액막이 균일하게 정렬된 기판 (3) 은, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 입구 롤쌍 (9) 으로 반송된다.A pair of liquid removing rolls 8 provided between the pair of outlet rolls 5 in the dip tank inside the thinning processing unit 11 and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit will be described. The surface of the resist layer is covered with the liquid film of the thinning treatment liquid 1 taken out from the dip tank 2 in the substrate 3 after passing through the pair of exit rolls 5 of the dip tank 2. The liquid film of the thinning treatment liquid 1 is scratched off by the liquid removal roll pair 8 and the thickness of the liquid film is uniformly aligned. The substrate 3 on which the thin film of the thinning treatment liquid 1 is uniformly aligned is conveyed to the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit 12.

여기서, 박막화 처리액 (1) 에 의한 레지스트층의 성분의 미셀화 속도에 관해서 설명한다. 딥조 (2) 중의 박막화 처리액 (1) 에 침지된 상태와, 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 을 통과한 후, 레지스트층 표면이 박막화 처리액 (1) 의 액막으로 피복된 상태를 비교하면, 후자가 미셀화 속도는 느려진다. 또한, 박막화 처리액 (1) 의 액막의 두께에 따라 미셀화 속도는 상이하고, 액막이 보다 두꺼운 쪽이 미셀화 속도는 빨라진다. 요컨대, 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 박막화 처리액 (1) 의 액막의 두께를 균일하게 정렬함으로써, 기판 (3) 의 면 내에서의 레지스트층의 성분의 미셀화 속도의 속도차가 최소한이 되고, 박막화 처리량이 균일해진다. 또한, 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 불필요한 박막화 처리액 (1) 을 긁혀 떨어뜨림으로써, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 대한 박막화 처리액 (1) 의 반입이 억제되고, 미셀 제거 성능의 편차가 억제되고, 레지스트층의 박막화 처리량이 균일해진다.Here, the micelle formation rate of the component of the resist layer by the thinning treatment liquid (1) will be described. The state in which the surface of the resist layer is covered with the liquid film of the thinning treatment liquid 1 after passing through the pair of exit rolls 5 of the dip tank 2 and the state of being immersed in the thinning treatment liquid 1 in the dip tank 2 are compared , The latter slows down the micellization rate. In addition, the micelle formation rate differs depending on the thickness of the liquid film of the thinning treatment liquid (1), and the micelle formation rate becomes faster when the liquid film is thicker. In other words, by uniformly aligning the thickness of the liquid film of the thinning treatment liquid 1 by the liquid removal roll pair 8, the speed difference of the micellization speed of the components of the resist layer in the surface of the substrate 3 is minimized , The thinning processing amount becomes uniform. In addition, by removing the unnecessary thinning treatment liquid 1 by the liquid removing roll pair 8, the carryover of the thinning treatment liquid 1 to the micelle removal processing unit 12 is suppressed, And the amount of thinning treatment of the resist layer becomes uniform.

액제거 롤쌍 (8) 은, 레지스트층 표면에 밀착하는 것이 중요하다. 그 때문에, 액제거 롤로는, 표면에 요철이 없는 스트레이트 타입의 것이 바람직하게 사용된다. 액제거 롤의 종류로는, 고무 롤, 스폰지 롤, 금속 롤, 수지 롤 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 우수한 고무 탄성 (실링성, 회복성) 을 갖고, 비중이 작고, 경량이고, 저경도에서 중경도이고, 레지스트층에 대한 접촉에 의한 충격이 적고, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 대한 내약품성도 우수한 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 롤이 바람직하다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머로는, 써모란 (THERMORUN, 등록상표) 을 들 수 있다.It is important that the liquid removing roll 8 is in close contact with the surface of the resist layer. Therefore, as the liquid removing roll, a straight type having no surface irregularities is preferably used. Examples of the type of the liquid removing roll include a rubber roll, a sponge roll, a metal roll, and a resin roll. Particularly, a thin film forming process liquid (hereinafter referred to as a &quot; thin film forming process liquid &quot;) which has an excellent rubber elasticity (sealing property, recoverability), small specific gravity, light weight, low hardness, 1) is preferably a roll of an olefinic thermoplastic elastomer having excellent chemical resistance. Examples of the olefinic thermoplastic elastomer include THERMORUN (registered trademark).

액제거 롤쌍 (8) 은, 1 쌍이라도 그 효과는 있지만, 복수의 롤쌍으로 연속적으로 액제거함으로써 더욱 큰 효과가 얻어진다. 구체적으로는, 액제거 롤쌍 (8) 에 의한 액제거의 횟수가 많아질수록, 레지스트층 상의 박막화 처리액 (1) 의 액막 두께의 균일성이 높아진다. 도 7 에 있어서는, 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 3 쌍의 액제거 롤쌍 (8) 이 있지만, 액제거 롤쌍 (8) 의 수를 몇 쌍으로 할지는, 박막화 처리량에 따라 적절히 조정되는 것이고, 이 수에 한정되는 것은 아니다.Even if a pair of liquid removing rolls 8 has the effect, a greater effect can be obtained by successively removing liquid in a plurality of pairs of rolls. Specifically, the greater the number of liquid removal by the liquid removal roll pair 8, the higher the uniformity of the liquid film thickness of the thinning treatment liquid 1 on the resist layer. 7, there are three pairs of the liquid removing rolls 8 between the pair of outlet rolls 5 of the degassing tank 2 and the pair of the inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit 12, The number of pairs is not limited to this number, but is appropriately adjusted according to the thinning throughput.

딥조의 출구 롤쌍 (5), 액제거 롤쌍 (8), 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 각각의 간격 (L) 은, 각 롤의 직경 (D) 에 대하여, 1 배 초과, 3 배 이하 (D < L ≤ 3D) 인 것이 바람직하다. 간격 (L) 이 직경 (D) 의 1 배 이하인 경우, 스트레이트 타입의 액제거 롤쌍끼리가 접촉하여, 롤의 재질에 따라서는, 롤의 마모가 현저히 발생하는 경우가 있다. 한편, 간격 (L) 이 직경 (D) 의 3 배보다 커지면, 레지스트층의 표층에 있어서, 박막화 처리액 (1) 의 액막의 유동이 일어나기 쉬워지고, 피복량을 균일하게 하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.The interval L of each of the outlet roll pair 5 of the dip tank, the liquid removing roll pair 8 and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is more than 1 time and 3 times Or less (D <L? 3D). When the interval L is equal to or less than 1 times the diameter D, the pair of straight type liquid removing rolls come into contact with each other, and depending on the material of the roll, wear of the roll may occur remarkably. On the other hand, if the distance L is larger than three times the diameter D, the liquid film of the thinning treatment liquid 1 easily flows in the surface layer of the resist layer and it becomes difficult to make the coating amount uniform have.

도 8 은, 도 7 의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서, 딥조의 출구 롤쌍 (5), 액제거 롤쌍 (8) 및 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 포함하는 부분의 확대 개략 단면도이다. D1 은, 딥조의 출구 롤의 직경이다. D2 는, 액제거 롤의 직경이고, 「-숫자」는 상류측으로부터의 순서를 나타내고 있다. D3 은, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤의 직경이다. L1 은, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 최초의 액제거 롤쌍 (8) 까지의 간격이다. L2 는, 액제거 롤쌍 사이의 간격이고, 「-숫자」는 상류측으로부터의 순서를 나타내고 있다. L3 은, 최후의 액제거 롤쌍 (8) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 간격이다.8 is an enlarged schematic cross-sectional view of a portion including a pair of dip rolls 5, a pair of droplet removing rolls 8, and an inlet roll pair 9 of a micelle removal processing unit in the apparatus for thinning a resist layer shown in Fig. D1 is the diameter of the exit roll of the dip tank. D2 is the diameter of the liquid removal roll, and &quot; - number &quot; indicates the order from the upstream side. D3 is the diameter of the inlet roll of the micelle removal processing unit. L1 is the distance from the pair of exit rolls 5 of the dip tank to the first pair of liquid removal rolls 8. L2 is the interval between the pair of liquid removal rolls, and &quot; -number &quot; represents the order from the upstream side. L3 is the interval from the last liquid removal roll pair 8 to the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit.

D1, D2, D3 은, 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다. 액제거 롤쌍이 3 쌍 이상인 경우, 각 D2 는 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다. 예를 들어, 도 8 에 있어서의 D2-1 ∼ D2-3 은 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다. 또한, L1, L2, L3 은, 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다. 액제거 롤쌍이 3 쌍 이상인 경우, 각 L2 는 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다. 예를 들어, 도 8 에 있어서의 L2-1 과 L2-2 는, 동일한 값이어도 되고, 상이해도 된다.D1, D2, and D3 may be the same value or different from each other. When there are three or more pairs of liquid removal rolls, each D2 may be the same value or may be different. For example, D2-1 to D2-3 in Fig. 8 may be the same value or may be different from each other. L1, L2, and L3 may be the same value or may be different from each other. When there are three or more pairs of liquid removal rolls, each L2 may be the same value or may be different. For example, L2-1 and L2-2 in FIG. 8 may be the same value or different from each other.

「딥조의 출구 롤쌍 (5), 액제거 롤쌍 (8), 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 각각의 간격 (L) 은, 각 롤의 직경 (D) 에 대하여, 1 배 초과, 3 배 이하 (D < L ≤ 3D) 인 것」은, 간격 (L) 을 구성하고 있는 롤의 직경 (D) 과 간격 (L) 사이에서 성립되어 있으면 된다. 즉, 간격 (L1) 에서는, D1 과 D2-1 에 대하여, 1 배 초과, 3 배 이하이면 되고, D2-2, D2-3 및 D3 에 대해서는, 이 관계가 성립하지 않아도 된다.The interval L of each of the outlet roll pair 5 of the dip tank, the liquid removing roll pair 8 and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is more than 1 time and 3 (D <L? 3D) "may be established between the diameter D and the interval L of the rolls constituting the interval L. That is, the interval L1 may be more than 1 time and not more than 3 times with respect to D1 and D2-1, and this relationship may not be established with respect to D2-2, D2-3, and D3.

[L1][L1]

D1 < L1 ≤ 3D1D1 <L1? 3D1

D2-1 < L1 ≤ 3(D2-1)D2-1 <L1? 3 (D2-1)

다른 간격에 대해서도 동일하다.The same is true for other intervals.

[L2-1][L2-1]

D2-1 < L2-1 ≤ 3(D2-1)D2-1 < L2-1? 3 (D2-1)

D2-2 < L2-1 ≤ 3(D2-2)D2-2 < L2-1? 3 (D2-2)

[L2-2][L2-2]

D2-2 < L2-2 ≤ 3(D2-2)D2-2 < L2-2? 3 (D2-2)

D2-3 < L2-2 ≤ 3(D2-3)D2-3 <L2-2? 3 (D2-3)

[L3][L3]

D2-3 < L3 ≤ 3(D2-3)D2-3 <L3? 3 (D2-3)

D3 < L3 ≤ 3D3D3 < L3 &lt; 3D3

도 9 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 미셀 제거액 역류 억제 기구가, 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에 설치된 방액벽 (25) 인 것을 특징으로 하고 있다. 미셀 제거액 (10) 은 박막화 처리 유닛 (11) 으로 역류되는데, 방액벽 (25) 에 의해, 박막화 처리액 (1) 과 혼합되는 영역에까지 미셀 제거액 (10) 이 역류하는 것이 억제되기 때문에, 미셀 제거액 (10) 에 의해 박막화 처리액 (1) 의 농도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.9, the micelle removing liquid backflow prevention mechanism is provided with a liquid-barrier wall 25 (see FIG. 9) provided between the pair of the outlet rolls 5 of the dip tank inside the thinning processing unit 11 and the pair of the inlet rolls 9 of the micelle- ). The micelle removing liquid 10 is flowed back to the thinning processing unit 11. Since the micellar removing liquid 10 is prevented from flowing back to the region where it is mixed with the thinning treatment liquid 1 by the liquid-repellent wall 25, It is possible to prevent the concentration of the thinned treatment liquid 1 from being lowered by the heat treatment unit 10.

박막화 처리액 (1) 으로는, 레지스트층의 성분을 미셀화시키고, 표면을 보다 균일하게 박막화하기 위해, 알칼리성 화합물의 농도가 5 ∼ 25 질량% 인 고농도의 알칼리 수용액을 바람직하게 사용할 수 있다. 알칼리성 화합물의 농도가 낮으면, 레지스트층의 성분의 미셀화와 동시에 용해 확산이 일어나고, 면 내에서 박막화 처리량에 편차가 발생하는 경우가 있다. 방액벽 (25) 에 의해, 미셀 제거액 (10) 의 역류에 의한 박막화 처리액 (1) 의 알칼리성 화합물 농도의 저하를 방지함으로써, 기판 (3) 의 면 내에서의 레지스트층의 박막화 처리량을 균일하게 할 수 있다.As the thinning treatment liquid (1), a high-concentration alkaline aqueous solution having a concentration of an alkaline compound of 5 to 25 mass% may preferably be used in order to micellize the components of the resist layer and make the surface more uniformly thin. When the concentration of the alkaline compound is low, dissolution and diffusion occur simultaneously with the micellization of the components of the resist layer, and there may be a deviation in the thinning throughput within the plane. It is possible to prevent the lowering of the alkaline compound concentration of the thinning treatment liquid 1 due to the reverse flow of the micelle removing liquid 10 by the liquid-repellent wall 25, thereby uniformizing the thinning treatment amount of the resist layer in the surface of the substrate 3 can do.

방액벽 (25) 은, 딥조 (2) 에 공급된 박막화 처리액 (1) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에 생긴 간극 (24) 을 통하여 박막화 처리 유닛 (11) 내에 역류되는 미셀 제거액 (10) 을 이격할 수 있으면, 그 형상이나 두께나 높이는 자유롭게 정할 수 있다. 방액벽 (25) 은, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에 설치되는데, 롤쌍끼리의 중간 위치 부근에 설치되는 것이 바람직하다.The liquid-repellent wall 25 is provided with a micelle removal liquid 1 that flows back into the thinning treatment unit 11 through the thinning treatment liquid 1 supplied to the dip tank 2 and the gap 24 formed in the inlet roll pair 9 of the micelle removal treatment unit The shape, the thickness and the height thereof can be freely determined. The liquid-repellent wall 25 is provided between the pair of outlet rolls 5 of the dipping tank and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit, and is preferably provided near the intermediate position between the pairs of rolls.

방액벽 (25) 으로 이격된 딥조 (2) 측의 박막화 처리액 (1) 은, 박막화 처리액 회수관 (16) 을 통과하여 박막화 처리액 저장 탱크 (13) 에 회수된다. 또한, 방액벽 (25) 으로 이격된 미셀 제거 처리 유닛측의 미셀 제거액 (10) 은, 미셀 제거액 회수구 (26) 를 통과하여 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 에 회수된다.The thinning treatment liquid 1 on the side of the dip tank 2 separated by the liquid wall 25 passes through the thinning treatment liquid recovery pipe 16 and is collected in the thinning treatment liquid storage tank 13. The micelle removal liquid 10 on the side of the micelle removal treatment unit separated by the liquid-repellent wall 25 passes through the micelle removal liquid recovery port 26 and is recovered to the micelle removal liquid storage tank 18.

방액벽 (25) 의 재료에는 알칼리 수용액에 대하여 내성이 있는 각종 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 경질 폴리염화비닐, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 (ABS) 수지, 폴리스티렌 수지 등의 합성 수지, 유리 섬유 강화 폴리프로필렌, 유리 섬유 강화 에폭시 수지 등의 섬유 강화 플라스틱, 티탄, 하스텔로이 (HASTELLOY, 등록상표) 등의 내식성 금속 재료 등의 재료를 사용할 수 있다. 이들 중, 가공이 용이한 점에서, 경질 폴리염화비닐이 바람직하게 사용된다.As the material of the liquid-repellent wall 25, various materials resistant to the aqueous alkaline solution can be used. Specific examples thereof include synthetic resins such as polyethylene, polypropylene, rigid polyvinyl chloride, acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS) resin and polystyrene resin, fiber reinforced plastics such as glass fiber reinforced polypropylene and glass fiber- Titanium, and HASTELLOY (registered trademark) can be used. Of these, hard polyvinyl chloride is preferably used because of its ease of processing.

다음으로, 도 9 의 레지스트층의 박막화 장치에 있어서의 더욱 바람직한 양태에 관해서, 도 10 을 사용하여 상세하게 설명한다. 도 10 의 레지스트층의 박막화 장치는, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에 방액벽 (25) 및 액제거 롤쌍 (8) 이 설치되어 있다. 도 7 에서 설명한 바와 같이, 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 레지스트층 표면의 박막화 처리액 (1) 의 액막의 두께를 균일하게 정렬시킴으로써, 기판 (3) 의 면내에서의 레지스트층의 성분의 미셀화 속도의 속도차가 최소한이 되고, 박막화 처리량이 균일해진다. 또한, 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 불필요한 박막화 처리액 (1) 이 긁혀 떨어진다. 긁혀 떨어진 박막화 처리액 (1) 은, 박막화 처리 유닛 (11) 내에 유하되는데, 방액벽 (25) 으로 이격된 딥조 (2) 측에 유하되기 때문에, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 대한 박막화 처리액 (1) 의 반입이 억제되고, 미셀 제거 성능의 편차가 억제되고, 레지스트층의 박막화 처리량이 균일해진다.Next, a more preferable aspect of the thin film forming apparatus of the resist layer of Fig. 9 will be described in detail with reference to Fig. The resist layer thinning apparatus of Fig. 10 is provided with a liquid-repellent wall 25 and a liquid-removing roll pair 8 between an outlet roll pair 5 of a dip tank and an inlet roll pair 9 of a micelle removal processing unit. 7, the thickness of the liquid film of the thinning treatment liquid 1 on the surface of the resist layer is uniformly aligned by the liquid removal roll pair 8, so that the micelles of the components of the resist layer in the plane of the substrate 3 The speed difference of the deceleration rate becomes minimum, and the thinning processing amount becomes uniform. Further, unnecessary thinning treatment liquid 1 is scratched off by the liquid removing roll pair 8. [ The scraped off thinning treatment liquid 1 flows down into the thinning treatment unit 11 and falls on the side of the dip tank 2 separated by the liquid-repellent wall 25. Therefore, the thinning treatment liquid 1 for the micelle removal treatment unit 12 The carry-over of the resist layer 1 is suppressed, the deviation of the micelle removal performance is suppressed, and the amount of thinning treatment of the resist layer becomes uniform.

또, 액제거 롤쌍 (8) 에 의해, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 기판 (3) 이 통과할 때, 그 입구 롤쌍 (9) 에 생긴 간극 (24) 을 통하여 박막화 처리 유닛 내에 역류되는 미셀 제거액 (10) 을 막을 수 있다. 막힌 미셀 제거액 (10) 은, 박막화 처리 유닛 (11) 내에 유하되는데, 방액벽 (25) 으로 이격된 미셀 제거 처리 유닛 (12) 측에 유하되기 때문에, 박막화 처리액 (1) 과의 혼합은 최소한으로 억제된다. 그 때문에, 연속 박막화 처리에 있어서도, 균일한 레지스트층의 박막화 처리가 가능하게 된다.When the substrate 3 passes through the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit by the liquid removal roll pair 8, the reverse flow is made in the thinning processing unit through the gap 24 formed in the inlet roll pair 9 It is possible to prevent the micelle removing liquid 10 from being dissolved. The clogged micelle removal liquid 10 flows down into the thinning processing unit 11 and falls on the micelle removal processing unit 12 side separated by the liquid-repellent wall 25. Therefore, mixing with the thinning processing liquid 1 is minimized . Therefore, even in the continuous thinning treatment, a uniform thinning of the resist layer becomes possible.

액제거 롤쌍 (8) 으로는, 도 7 에서도 설명한 바와 같이, 레지스트층 표면에 밀착되는 것이 중요하다. 액제거 롤은, 표면에 요철이 없는 스트레이트 타입의 것이 바람직하게 사용된다. 액제거 롤의 종류로는, 고무 롤, 스폰지 롤, 금속 롤, 수지 롤 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 우수한 고무 탄성 (실링성, 회복성) 을 갖고, 비중이 작고, 경량이고, 저경도에서 중경도이고, 레지스트층에 대한 접촉에 의한 충격이 적고, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 대한 내약품성도 우수한 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 롤이 바람직하다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머로는, 써모란 (THERMORUN, 등록상표) 을 들 수 있다.It is important that the liquid removing roll 8 is brought into close contact with the surface of the resist layer as described in Fig. The liquid removing roll is preferably a straight type roll having no surface irregularities. Examples of the type of the liquid removing roll include a rubber roll, a sponge roll, a metal roll, and a resin roll. Particularly, a thin film forming process liquid (hereinafter referred to as a &quot; thin film forming process liquid &quot;) which has an excellent rubber elasticity (sealing property, recoverability), small specific gravity, light weight, low hardness, 1) is preferably a roll of an olefinic thermoplastic elastomer having excellent chemical resistance. Examples of the olefinic thermoplastic elastomer include THERMORUN (registered trademark).

또한, 도 7 에서도 설명한 바와 같이, 액제거 롤쌍 (8) 은, 1 쌍이라도 그 효과는 있지만, 복수의 롤쌍에 의해 연속적으로 박막화 처리액 (1) 의 액제거 및 미셀 제거액 (10) 을 막음으로써, 더욱 큰 효과가 얻어진다. 구체적으로는, 액제거 롤쌍 (8) 에 의한 액제거 및 막는 횟수가 많아질수록, 박막화 처리액 (1) 과 미셀 제거액 (10) 의 혼합이 억제되고, 기판 (3) 의 면 내에서의 레지스트층의 박막화 처리량이 균일해진다. 도 11 에 나타내는 박막화 장치는, 딥조 (2) 의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 3 쌍의 액제거 롤쌍 (8) 이 있고, 2 쌍째의 액제거 롤쌍의 바로 아래에 방액벽 (25) 이 설치되어 있다. 액제거 롤쌍 (8) 과 방액벽 (25) 의 위치 관계에 관해서 설명한다. 방액벽 (25) 은 액제거 롤쌍 (8) 의 하방에 있어도 되고, 각 롤쌍끼리의 사이에 있어도 되는데, 바람직하게는, 액제거 롤쌍 (8) 의 바로 아래에 있는 것이 좋다. 액제거 롤쌍 (8) 의 수를 몇 쌍으로 할지는, 박막화 처리 조건에 따라 적절히 조정되는 것이며, 한정되는 것은 아니다.7, even if a pair of liquid removing rolls 8 has the effect, the liquid removing treatment of the thinning treatment liquid 1 and the micelle removing liquid 10 are successively blocked by a plurality of pairs of rolls , A larger effect can be obtained. Concretely, mixing of the thinning treatment liquid 1 and the micelle removing liquid 10 is suppressed as the number of times of liquid removal and filming by the liquid removal roll pair 8 increases, So that the thinning throughput of the layer becomes uniform. 11 has three pairs of liquid removing rolls 8 between the pair of outlet rolls 5 of the degassing tank 2 and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit 12, A liquid-tight wall 25 is provided immediately below the pair of liquid removing rolls. The positional relationship between the liquid removal roll 8 and the liquid-repellent wall 25 will be described. The liquid-repellent wall 25 may be disposed below the liquid-removing roll 8 or between the pairs of rolls, preferably, directly below the liquid-removing roll 8. The number of pairs of liquid removal rolls 8 to be formed is appropriately adjusted according to the thinning treatment conditions and is not limited.

도 12 의 레지스트층의 박막화 장치에서는, 표면에 레지스트층이 형성된 기판 (3) 을 반송하는 반송 롤을 갖고, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이, 미셀 제거액 (10) 을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이 (22) 를 갖고, 박막화 처리 유닛의 출구 롤쌍 (29) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 양방에 미셀 제거액 차단 커버 (27) 가 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 개구 (28) 가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 박막화 처리 유닛 (11) 내부의 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) 및 방액벽 (25) 이 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또, 방액벽 (25) 으로 이격된 미셀 제거 처리 유닛측의 미셀 제거액 (10) 은, 미셀 제거액 회수구 (26) 를 통과하여 미셀 제거액 저장 탱크 (18) 에 회수된다.12, the resist layer thinning apparatus has a transport roll for transporting a substrate 3 having a resist layer formed on its surface, and the micelle removal processing unit 12 is provided with a micelle removal liquid supply spray for supplying the micelle removal liquid 10 (22), and a micelle removal liquid blocking cover (27) is provided on both the outlet roll pair (29) of the thinning processing unit and the inlet roll pair (9) of the micelle removal processing unit. An opening 28 is formed in the micelle removal liquid blocking cover 27 provided on the lower roll of the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit. A pair of liquid removing rolls 8 and a liquid-repellent wall 25 are provided between the pair of outlet rolls 5 of the dipping tank inside the thinning processing unit 11 and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit . The micelle removal liquid 10 on the side of the micelle removal processing unit separated by the liquid-repellent wall 25 passes through the micelle removal liquid recovery port 26 and is recovered to the micelle removal liquid storage tank 18.

반송 롤쌍 (4) 은, 기판 (3) 을 반송할 수 있는 것에 더하여, 레지스트층 표면에 밀착되는 것이 바람직하다. 반송 롤은, 표면에 요철이 없는 스트레이트 타입의 것이 바람직하게 사용된다. 반송 롤의 종류로는, 고무 롤, 스폰지 롤, 금속 롤, 수지 롤 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 우수한 고무 탄성 (실링성, 회복성) 을 갖고, 비중이 작고, 경량이고, 저경도에서 중경도이고, 레지스트층에 대한 접촉에 의한 충격이 적고, 고농도의 알칼리 수용액인 박막화 처리액 (1) 에 대한 내약품성도 우수한 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 롤이 바람직하다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머로는, 써모란 (THERMORUN, 등록상표) 을 들 수 있다. 또한, 반송 롤의 설치 위치 및 개수는, 기판 (3) 을 반송할 수 있으면, 특히 도 1 ∼ 도 4, 도 7 ∼ 도 12 에 나타내는 설치 위치 및 개수에 한정되는 것은 아니다.It is preferable that the conveying roll pair 4 be in close contact with the surface of the resist layer in addition to being capable of conveying the substrate 3. The conveying roll is preferably of a straight type having no unevenness on its surface. Examples of the type of the conveying roll include a rubber roll, a sponge roll, a metal roll, and a resin roll. Particularly, a thin film forming process liquid (hereinafter referred to as a &quot; thin film forming process liquid &quot;) which has an excellent rubber elasticity (sealing property, recoverability), small specific gravity, light weight, low hardness, 1) is preferably a roll of an olefinic thermoplastic elastomer having excellent chemical resistance. Examples of the olefinic thermoplastic elastomer include THERMORUN (registered trademark). The mounting position and the number of the transport rolls are not limited to the mounting positions and the numbers shown in Figs. 1 to 4 and Figs. 7 to 12 as long as the substrate 3 can be transported.

딥조의 출구 롤쌍 (5), 경계부의 반송 롤쌍 (6), 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 도, 반송 롤쌍 (4) 과 동일한 종류, 기능, 물성의 것이 바람직하게 사용된다. 특히, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 은, 딥조 (2) 에 있어서의 박막화 처리액 (1) 의 액면 유지 및 레지스트층 표면에 피복된 박막화 처리액 (1) 의 액막을 긁혀 떨어뜨리는 액제거를 위해 사용된다. 또한, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 은, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 대한 박막화 처리액 (1) 의 반입과 박막화 처리 유닛 (11) 에 대한 미셀 제거액 (10) 의 역류를 억제하기 위해 사용된다. 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 은 주로 박막화 처리 유닛 내에 역류되는 미셀 제거액 (10) 을 막기 위해 사용된다.The outlet roll pair 5 of the dip tank, the transport roll pair 6 of the boundary portion and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit are preferably of the same kind, function and physical property as those of the transport roll pair 4. Particularly, the pair of exit rolls 5 of the dip tank are used for holding the liquid surface of the thinning treatment liquid 1 in the dip tank 2 and for removing the liquid scraping off the liquid film of the thinning treatment liquid 1 coated on the surface of the resist layer Is used. The transport roll pair 6 at the boundary is used to suppress the carryover of the thinning treatment liquid 1 to the micelle removal treatment unit 12 and the backward flow of the micelle removal liquid 10 to the thinning treatment unit 11 . The inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is mainly used to prevent the micelle removal liquid 10 flowing back into the thinning processing unit.

(실시예)(Example)

이하 실시예에 의해 본 고안을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 고안은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1)(Example 1)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 1) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. (Fig. 1), the resist layer was thinned.

레지스트층의 박막화 장치에는, 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부의 반송 롤쌍 (6) (직경 40 ㎜) 에 미셀 제거액 차단 커버 (27) (두께 5 ㎜ 의 투명 아크릴 수지제, 폭 650 ㎜×높이 50 ㎜×깊이 25 ㎜ 의 L 자형, 박막화 처리 유닛 (11) 측과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 측의 양방에 설치) 가 설치되어 있다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 30 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 경계부의 반송 롤쌍 (6) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.A microreel-removing liquid blocking cover 27 (a transparent acrylic resin having a thickness of 5 mm) is provided in a transport roll pair 6 (diameter 40 mm) at the boundary between the thinning processing unit 11 and the micelle removal processing unit 12, L-shaped, having a width of 650 mm, a height of 50 mm, and a depth of 25 mm, both provided on the thinning processing unit 11 side and the micelle removal processing unit 12 side). The immersion treatment time in the digesting tank 2 was 30 seconds, and the distance from the outlet roll pair 5 of the dip tank to the boundary portion 5 was 10 seconds by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 캜) as the thinning treatment liquid 1 (aqueous alkali solution) (90 mm) to the transport roll pair 6 of the transfer roll 6 was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 13.0 ㎛ 이고, 최소값은 11.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 12.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 박막화 처리면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 13.0 占 퐉, the minimum value was 11.0 占 퐉, and the average thickness was 12.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope, and as a result, it was confirmed that the surface was a smooth thinned surface free from treatment unevenness.

(실시예 2)(Example 2)

미셀 제거액 차단 커버 (27) (두께 5 ㎜ 의 투명 아크릴 수지제, 폭 650 ㎜×높이 50 ㎜×깊이 25 ㎜ 의 L 자형, 박막화 처리 유닛 (11) 측과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 측의 양방에 설치) 에 있어서, 하측 롤의 미셀 제거 처리 유닛 (12) 측에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에, 직경 25 ㎜ 의 개구 (28) 가 폭 방향에 대하여 55 ㎜ 간격으로 직선상으로 배치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 2) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 레지스트층을 박막화하였다.The micelle removing liquid blocking cover 27 (made of a transparent acrylic resin having a thickness of 5 mm, L-shaped having a width of 650 mm, a height of 50 mm and a depth of 25 mm, both sides of the thinning processing unit 11 side and the micelle removal processing unit 12 side An opening 28 having a diameter of 25 mm is formed linearly at an interval of 55 mm with respect to the width direction on the micelle removal liquid blocking cover 27 provided on the micelle removal processing unit 12 side of the lower roll The resist layer was thinned in the same manner as in Example 1 except that the apparatus for thinning the resist layer (FIG. 2) was used.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 13.0 ㎛ 이고, 최소값은 11.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 12.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 박막화 처리면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 13.0 占 퐉, the minimum value was 11.0 占 퐉, and the average thickness was 12.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope, and as a result, it was confirmed that the surface was a smooth thinned surface free from treatment unevenness.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 13) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. (Fig. 13), the resist layer was thinned.

레지스트층의 박막화 장치에는, 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 경계부의 반송 롤쌍 (6) (직경 40 ㎜) 에 미셀 제거액 차단 커버 (27) 가 설치되어 있지 않다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 30 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 경계부의 반송 롤쌍 (6) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다. 박막화 도중의 경계부의 반송 롤쌍 (6) 에는 미셀 제거액 (10) 이 부착되고, 또한 경계부의 반송 롤쌍 (6) 을 타고 넘은 미셀 제거액 (10) 이, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 보다 상류의 기판 (3) 에 접촉하고 있었다.The micelle removal liquid blocking cover 27 is not provided in the transport roll pair 6 (diameter: 40 mm) at the boundary between the thinning processing unit 11 and the micelle removal processing unit 12 in the thinning apparatus for the resist layer. The immersion treatment time in the digesting tank 2 was 30 seconds, and the distance from the outlet roll pair 5 of the dip tank to the boundary portion 5 was 10 seconds by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 캜) as the thinning treatment liquid 1 (aqueous alkali solution) (90 mm) to the transport roll pair 6 of the transfer roll 6 was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned. The micelle removing liquid 10 is attached to the transport roll pair 6 at the boundary portion during the thinning and the micelle removing liquid 10 passing over the transport roll pair 6 at the boundary is transported to the substrate 3).

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 13.0 ㎛ 이고, 최소값은 6.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 10.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 경계부의 반송 롤쌍 (6) 보다 상류에서 기판 (3) 에 미셀 제거액 (10) 이 접촉한 것이 원인으로 보이는 박막화 처리 불균일이 발생하였다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 13.0 占 퐉, the minimum value was 6.0 占 퐉, and the average thickness was 10.0 占 퐉. As a result of observing the surface of the thinned resist layer with an optical microscope, thinning treatment unevenness caused by contact of the micelle removal liquid 10 with the substrate 3 occurred upstream of the transport roll pair 6 at the boundary.

(실시예 3)(Example 3)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 3) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. (FIG. 3), the resist layer was thinned.

레지스트층의 박막화 장치에는, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 40 ㎜) 에 미셀 제거액 차단 커버 (27) (두께 5 ㎜ 의 투명 아크릴 수지제, 폭 650 ㎜×높이 50 ㎜×깊이 50 ㎜ 의 L 자형) 가 설치되어 있다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.In the apparatus for thinning the resist layer, a micelle removing liquid blocking cover 27 (made of a transparent acrylic resin having a thickness of 5 mm, a width of 650 mm, a height of 50 mm, and a depth of 50 mm) Mm &lt; / RTI &gt; The immersion treatment time in the degassing tank 2 was 20 seconds and the amount of the micelles was adjusted from the outlet roll pair 5 of the degassing tank by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution) The thinning treatment was carried out so that the time taken to travel the distance (90 mm) to the pair of inlet rolls 9 of the removal processing unit 12 was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.0 ㎛ 이고, 최소값은 6.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 8.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.0 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉, and the average thickness was 8.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 11.0 ㎛, 최소값은 6.5 ㎛, 평균 두께는 9.0 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the 20th substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 11.0 mu m, the minimum value was 6.5 mu m and the average thickness was 9.0 mu m, Was confirmed to be stable.

(실시예 4)(Example 4)

미셀 제거액 차단 커버 (27) (두께 5 ㎜ 의 투명 아크릴 수지제, 폭 650 ㎜×높이 50 ㎜×깊이 50 ㎜ 의 L 자형) 에 있어서, 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에, 직경 25 ㎜ 의 개구 (28) 가, 하측 롤의 바로 아래의 위치에, 폭 방향에 대하여 55 ㎜ 간격으로 직선상으로 배치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 4) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여, 레지스트층을 박막화하였다.In the micelle removing liquid blocking cover 27 (made of a transparent acrylic resin having a thickness of 5 mm, L-shaped having a width of 650 mm, a height of 50 mm, and a depth of 50 mm) A thin film forming apparatus (FIG. 4) of a resist layer in which openings 28 each having a diameter of 25 mm were arranged in a straight line at an interval of 55 mm with respect to the width direction at a position immediately below the lower roll was used for the cover 27 , The resist layer was thinned in the same manner as in Example 3.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.0 ㎛ 이고, 최소값은 6.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 8.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.0 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉, and the average thickness was 8.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 6.5 ㎛, 평균 두께는 8.5 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에 개구가 존재하지 않는 실시예 3 과 비교하여, 연속 처리에서의 박막화 처리량이 보다 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the 20th substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉 and the average thickness was 8.5 占 퐉. Was confirmed to be stable. In addition, it was confirmed that the thinning throughput in the continuous treatment was more stable as compared with Example 3 in which there was no opening in the micelle removal liquid blocking cover 27.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. , The resist layer was made thinner.

레지스트층의 박막화 장치에는, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 40 ㎜) 에 미셀 제거액 차단 커버 (27) 가 설치되어 있지 않다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛 (12) 의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.In the apparatus for thinning the resist layer, the micelle removal liquid blocking cover 27 is not provided on the inlet roll pair 9 (diameter: 40 mm) of the micelle removal processing unit. The immersion treatment time in the degassing tank 2 was 20 seconds and the amount of the micelles was adjusted from the outlet roll pair 5 of the degassing tank by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution) The thinning treatment was carried out so that the time taken to travel the distance (90 mm) to the pair of inlet rolls 9 of the removal processing unit 12 was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

박막화 도중, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 에는 미셀 제거액 (10) 이 부착되어 있고, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 을 통과하기 전에, 기판 (3) 상의 레지스트층에 미셀 제거액 (10) 이 접촉하고 있는 것이 확인되었다.During the thinning, the micelle removal liquid 10 is attached to the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit. Before the micelle removal liquid 10 passes through the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit, 10) were in contact with each other.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 9.0 ㎛ 이고, 최소값은 5.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 7.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 입구 롤쌍 (9) 보다 상류에서 기판에 미셀 제거액 (10) 이 접촉한 것이 원인으로 보이는 박막화 처리 불균일이 발생하였다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 9.0 占 퐉, the minimum value was 5.5 占 퐉, and the average thickness was 7.5 占 퐉. As a result of observing the surface of the thinned resist layer with an optical microscope, thinning treatment irregularities appearing to be caused by the contact of the micelle removal liquid 10 with the substrate upstream of the pair of inlet rolls 9 occurred.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 4.5 ㎛, 평균 두께는 8.0 ㎛ 였다. 박막화 처리 종료 후, 미셀 제거액 (10) 이 박막화 처리 유닛 (11) 내에 역류한 것에 의한 박막화 처리액 (1) 의 액량의 증가가 확인되고, 상기 미셀 제거액 (10) 이 접촉한 것이 원인으로 보이는 박막화 처리 불균일에 더하여, 박막화 처리액 (1) 의 농도가 저하된 것이 원인이라고 생각되는 박막화 처리 불균일이 발생하였다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the twentieth substrate was 10 points. The maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 4.5 占 퐉, and the average thickness was 8.0 占 퐉. After the completion of the thinning treatment, an increase in the amount of the thinning treatment liquid 1 due to the reverse flow of the micelle removal liquid 10 into the thinning treatment unit 11 is confirmed, and the thinning treatment liquid 10, In addition to unevenness in treatment, unevenness in thinning treatment, which is considered to be caused by a decrease in the concentration of the thinning treatment liquid 1, occurred.

(실시예 5)(Example 5)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. , The resist layer was made thinner.

레지스트층의 박막화 장치에는, 딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 (D2) : 40 ㎜) 이 4 쌍 설치되어 있고, 각 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 모두 45 ㎜ 이다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 4 쌍의 액제거 롤을 통과하고, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (45 ㎜×5=225 ㎜) 를 진행하는 시간이 10 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.A thin film forming apparatus for a resist layer is provided with a liquid removal roll pair (D3) between the pair of dip rolls 5 (diameter D1: 40 mm) and the pair of inlet rolls 9 (diameter D3: 40 mm) 8 (diameter D2: 40 mm), and the intervals L between the pairs of rolls are all 45 mm. The immersion treatment time in the degassing tank 2 was set to 20 seconds and the number of the outlet rolls 5 in the degassing tank was changed from 4 to 4 using an aqueous sodium carbonate solution (liquid temperature 25 DEG C) of 10% by mass as the thinning treatment liquid 1 (aqueous alkali solution) The thinning treatment was carried out so that the time taken for passing through the pair of liquid removing rolls and the distance (45 mm x 5 = 225 mm) from the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit to the micelle removal processing unit was 10 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 11.0 ㎛ 이고, 최소값은 9.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 10.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 11.0 占 퐉, the minimum value was 9.0 占 퐉, and the average thickness was 10.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

(실시예 6)(Example 6)

딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 (D2) : 40 ㎜) 이 3 쌍 설치되어 있고, 각 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 모두 56.25 ㎜ 인 레지스트층의 박막화 장치 (도 7) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다.(Diameter D2) of 40 mm between the outlet roll pair 5 (diameter D1) of the dip tank and the inlet roll pair 9 (diameter D3: 40 mm) of the micelle removal processing unit. : 40 mm), and the resist layer was thinned in the same manner as in Example 5 except that a thin film forming apparatus (Fig. 7) for a resist layer in which the intervals L of the pairs of rolls were all 56.25 mm was used Respectively.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 11.5 ㎛ 이고, 최소값은 9.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 10.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 11.5 占 퐉, the minimum value was 9.0 占 퐉, and the average thickness was 10.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

(실시예 7)(Example 7)

딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (직경 (D2) : 40 ㎜) 이 2 쌍 설치되어 있고, 각 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 모두 75 ㎜ 인 레지스트층의 박막화 장치를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다.(Diameter D2: 40 mm) between the pair of outlet rolls 5 (diameter D1: 40 mm) of the dip tank and the inlet roll pair 9 (diameter D3: 40 mm) ) Were provided and the thickness of the resist layer was made thinner in the same manner as in Example 5 except that a thin film forming apparatus for a resist layer in which the distance L between the roll pairs was 75 mm was used.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 12.0 ㎛ 이고, 최소값은 8.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 10.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 12.0 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉, and the average thickness was 10.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

(실시예 8)(Example 8)

딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 (D2) : 40 ㎜) 이 1 쌍 설치되어 있고, 각 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 모두 112.5 ㎜ 인 레지스트층의 박막화 장치를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화 처리하였다.(Diameter D2) of 40 mm between the outlet roll pair 5 (diameter D1) of the dip tank and the inlet roll pair 9 (diameter D3: 40 mm) of the micelle removal processing unit. : 40 mm), and a thinning apparatus for a resist layer in which the interval (L) between each pair of rolls was 112.5 mm was used, the resist layer was thinned in the same manner as in Example 5.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 12.5 ㎛ 이고, 최소값은 8.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 11.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 12.5 占 퐉, the minimum value was 8.0 占 퐉, and the average thickness was 11.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

(실시예 9)(Example 9)

딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 (D2) : 40 ㎜) 이 2 쌍 설치되어 있고, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 최초의 액제거 롤쌍 (8) 의 간격 (L1) 이 135 ㎜, 2 쌍의 액제거 롤쌍 (8) 끼리의 간격 (L2) 이 45 ㎜, 액제거 롤쌍 (8) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격 (L3) 이 45 ㎜ 인 레지스트층의 박막화 장치를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화 처리하였다.(Diameter D2) of 40 mm between the outlet roll pair 5 (diameter D1) of the dip tank and the inlet roll pair 9 (diameter D3: 40 mm) of the micelle removal processing unit. : The distance L 1 between the pair of outlet rolls 5 of the dipping tank and the first liquid removing roll pair 8 is 135 mm and the distance L 2 between the two pairs of liquid removing rolls 8 ) Was 45 mm and the gap L3 between the liquid removal roll pair 8 and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit was 45 mm was used in place of the resist layer thinning apparatus of Example 5, Layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 13.0 ㎛ 이고, 최소값은 7.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 11.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 13.0 占 퐉, the minimum value was 7.5 占 퐉, and the average thickness was 11.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

실시예 5 ∼ 9 를 비교하면, 딥조의 출구 롤쌍 (5), 액제거 롤쌍 (8), 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 각각의 간격 (L) 이, 각 롤의 직경 (D) 에 대하여, 1 배 초과, 3 배 이하 (D < L ≤ 3D) 인 실시예 5 ∼ 8 에서는, 레지스트층의 박막화 처리량이 보다 균일한 것을 알 수 있다.Comparing Examples 5 to 9 shows that the interval L of each of the pair of the outlet rolls 5 of the dip tank, the pair of the liquid removing rolls 8 and the pair of the inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit is smaller than the diameter D of each roll, In Examples 5 to 8, which are more than 1 time and less than 3 times (D <L? 3D), the thinning treatment amount of the resist layer is more uniform.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 m, substrate thickness: 0.2 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. , The resist layer was made thinner.

레지스트층의 박막화 장치에는, 딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 (D1) : 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 (D3) : 40 ㎜) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) 이 없고, 각 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 45 ㎜ 이다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (45 ㎜) 를 진행하는 시간이 2 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 의해, 불용화 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.A thin film forming apparatus for a resist layer is provided with a liquid removal roll pair (D3) between the pair of dip rolls 5 (diameter D1: 40 mm) and the pair of inlet rolls 9 (diameter D3: 40 mm) 8), and the interval L between the pairs of rolls is 45 mm. The immersion treatment time in the degassing tank 2 was 20 seconds and the amount of the micelles was adjusted from the outlet roll pair 5 of the degassing tank by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution) (45 mm) to the inlet roll pair 9 of the removal processing unit was 2 seconds. Thereafter, the insoluble micelle was removed by the micelle removal processing unit 12, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 9.0 ㎛ 이고, 최소값은 6.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 8.0 ㎛ 였다. 그러나, 박막화 처리 종료 후, 딥조 (2) 로부터 반출된 박막화 처리액 (1) 이 미셀 제거 처리 유닛 (12) 중에 다량으로 반입되고, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 급격히 상승하고 있는 것이 확인되었다. 이 상태에서, 다음 기판 (3) 을 투입하고, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 높은 것 이외에는, 상기와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 4.0 ㎛, 평균 두께는 7.5 ㎛ 이고, 고 pH 의 미셀 제거액이 접촉한 것이 원인이라고 생각되는 처리 불균일이 발생하였다. 또한, 박막화 처리 종료 후, 미셀 제거액 (10) 의 pH 는, 1 장째의 기판 처리 후보다 더욱 상승하였다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 9.0 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉, and the average thickness was 8.0 占 퐉. However, it was confirmed that, after the thinning treatment, the thinning treatment liquid 1 carried out from the dip tank 2 was carried in a large amount into the micelle removal treatment unit 12, and the pH of the micelle removal liquid 10 rapidly increased. In this state, the next substrate 3 was charged, and the resist layer was thinned in the same manner as above except that the pH of the micelle removing liquid 10 was high. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, it was considered that the maximum value was 10.5 탆, the minimum value was 4.0 탆, and the average thickness was 7.5 탆. Unevenness of treatment occurred. Further, after the thinning treatment, the pH of the micelle removing liquid 10 was further increased after the first treatment with the substrate.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

액제거 롤쌍 (8) 은 없고, 롤쌍끼리의 간격 (L) 이 135 ㎜ 이고, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (135 ㎜) 를 진행하는 시간이 6 초가 되도록, 박막화 처리를 한 것 이외에는, 비교예 3 과 동일한 방법으로 레지스트층을 박막화하였다.The distance L between the pairs of rolls is 135 mm and the distance from the pair of exit rolls 5 of the dip tank to the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit is 135 mm Of the resist layer was thinned in the same manner as in Comparative Example 3, except that the thickness of the resist layer was changed to 6 seconds.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 11.5 ㎛ 이고, 최소값은 6.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 9.5 ㎛ 였다. 그러나, 박막화 처리 종료 후, 딥조 (2) 로부터 반출된 박막화 처리액 (1) 이 미셀 제거 처리 유닛 (12) 중에 다량으로 반입되고, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 급격히 상승하고 있는 것이 확인되었다. 이 상태에서, 다음 기판 (3) 을 투입하고, 미셀 제거액 (10) 의 pH 가 높은 것 이외에는, 상기와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 11.0 ㎛, 최소값은 5.0 ㎛, 평균 두께는 8.5 ㎛ 이고, 고 pH 의 미셀 제거액이 접촉한 것이 원인이라고 생각되는 처리 불균일에 더하여, 박막화 처리액 (1) 의 액막이 유동한 것이 원인이라고 생각되는 처리 불균일이 발생하였다. 또한, 박막화 처리 종료 후, 미셀 제거액 (10) 의 pH 는, 1 장째의 기판 처리 후보다 더욱 상승하였다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 11.5 占 퐉, the minimum value was 6.0 占 퐉, and the average thickness was 9.5 占 퐉. However, it was confirmed that, after the thinning treatment, the thinning treatment liquid 1 carried out from the dip tank 2 was carried in a large amount into the micelle removal treatment unit 12, and the pH of the micelle removal liquid 10 rapidly increased. In this state, the next substrate 3 was charged, and the resist layer was thinned in the same manner as above except that the pH of the micelle removing liquid 10 was high. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, it was considered that the maximum value was 11.0 占 퐉, the minimum value was 5.0 占 퐉 and the average thickness was 8.5 占 퐉. In addition to the unevenness of the treatment, the unevenness of the treatment, which is considered to be caused by the flow of the thin film of the thin film forming treatment liquid 1, occurred. Further, after the thinning treatment, the pH of the micelle removing liquid 10 was further increased after the first treatment with the substrate.

(실시예 10)(Example 10)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 1.6 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 mu m, substrate thickness: 1.6 mm, trade name: CCL-E170 manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 9) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. (Fig. 9), the resist layer was thinned.

레지스트층의 박막화 장치에는, 딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 40 ㎜) 사이에, 높이 100 ㎜ 의 방액벽 (25) 이 설치되어 있다. 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격은 90 ㎜ 이고, 방액벽 (25) 은 롤쌍끼리의 중간 (45 ㎜ 위치) 에 설치되어 있다. 롤쌍은, 높이 100 ㎜ 의 방액벽 (25) 에 대하여, 하측 롤의 축 중심까지의 높이가 125 ㎜ 가 되도록 설치하였다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.In the apparatus for thinning the resist layer, a liquid-repellent wall 25 having a height of 100 mm is provided between an outlet roll pair 5 (diameter 40 mm) of the dip tank and an inlet roll pair 9 (diameter 40 mm) have. The interval between the pair of the outlet rolls 5 of the deep bath and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is 90 mm and the liquid-repellent wall 25 is provided at the middle (45 mm position) between the pairs of rolls. The roll pair was provided so that the height of the liquid-repellent wall 25 of 100 mm in height to the shaft center of the lower roll was 125 mm. The immersion treatment time in the degassing tank 2 was 20 seconds and the amount of the micelles was adjusted from the outlet roll pair 5 of the degassing tank by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution) (90 mm) to the inlet roll pair 9 of the removal processing unit was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.0 ㎛ 이고, 최소값은 6.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 8.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.0 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉, and the average thickness was 8.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 6.5 ㎛, 평균 두께는 8.5 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the 20th substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 6.5 占 퐉 and the average thickness was 8.5 占 퐉. Was confirmed to be stable.

(실시예 11)(Example 11)

딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 40 ㎜) 이 롤쌍끼리의 간격 45 ㎜ 로 1 쌍 설치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 10) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다.A pair of liquid removing rolls 8 (40 mm in diameter) are provided between the pair of outlet rolls 5 of the deep bath and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit. (Fig. 10) was used, the resist layer was thinned in the same manner as in Example 10.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 9.0 ㎛ 이고, 최소값은 7.0 ㎛ 이고, 평균 두께는 8.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 9.0 占 퐉, the minimum value was 7.0 占 퐉, and the average thickness was 8.0 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 9.0 ㎛, 최소값은 7.0 ㎛, 평균 두께는 8.0 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the twentieth substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 9.0 mu m, the minimum value was 7.0 mu m and the average thickness was 8.0 mu m, Was confirmed to be stable.

(실시예 12)(Example 12)

딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 40 ㎜) 이 롤쌍끼리의 간격 45 ㎜ 로 3 쌍 설치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 11) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다. 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격은 180 ㎜ 이고, 방액벽 (25) 은 2 쌍째의 액제거 롤쌍 (8) 의 바로 아래 (90 ㎜ 위치) 에 설치되어 있다. 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (180 ㎜) 를 진행하는 시간이 8 초가 되도록, 그것 이외에는 실시예 10 과 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다.A pair of liquid removing rolls 8 (40 mm in diameter) are provided between the pair of outlet rolls 5 of the dip tank and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit. (Fig. 11), the resist layer was thinned. The gap between the outlet roll pair 5 of the deep tank and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is 180 mm and the liquid repellent wall 25 is installed just below the 90th position of the second pair of liquid removal rolls 8 . The resist layer was made thinner in the same manner as in Example 10 except that the time taken from the exit roll pair 5 of the dip tank to the entrance roll pair 9 of the micelle removal processing unit to the distance (180 mm) was 8 seconds.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛ 이고, 최소값은 8.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 9.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉, and the average thickness was 9.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 8.5 ㎛, 평균 두께는 9.5 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the 20th substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉 and the average thickness was 9.5 占 퐉. Was confirmed to be stable.

(실시예 13)(Example 13)

딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 40 ㎜) 이 롤쌍끼리의 간격 45 ㎜ 로 3 쌍 설치되어 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 레지스트층을 박막화하였다. 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격은 180 ㎜ 이고, 방액벽 (25) 이 1 쌍째와 2 쌍째의 액제거 롤쌍 (8) 의 중간 (딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 67.5 ㎜ 의 위치) 에 설치되어 있는 것 이외에는, 실시예 12 와 동일한 방법으로, 레지스트층을 박막화하였다.A pair of liquid removing rolls 8 (40 mm in diameter) are provided between the pair of outlet rolls 5 of the dip tank and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit. , The resist layer was thinned. The distance between the pair of outlet rolls 5 of the dip tank and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is 180 mm and the liquid repellent wall 25 is located between the pair of first and second liquid removal rolls 8 (67.5 mm from the substrate (5)), the resist layer was thinned in the same manner as in Example 12.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛ 이고, 최소값은 8.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 9.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉, and the average thickness was 9.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 8.5 ㎛, 평균 두께는 9.5 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the 20th substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉 and the average thickness was 9.5 占 퐉. Was confirmed to be stable.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 1.6 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 mu m, substrate thickness: 1.6 mm, trade name: CCL-E170 manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. , The resist layer was made thinner.

레지스트층의 박막화 장치에는, 딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 40 ㎜) 사이에, 방액벽 (25) 이 없고, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격이 90 ㎜ 이다. 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (90 ㎜) 를 진행하는 시간이 4 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.The resist layer thinning apparatus is provided with a liquid-repellent wall 25 between the pair of outlet rolls 5 (diameter 40 mm) in the dip tank and the pair of the inlet rolls 9 (40 mm in diameter) (5) and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is 90 mm. The immersion treatment time in the degassing tank 2 was 20 seconds and the amount of the micelles was adjusted from the outlet roll pair 5 of the degassing tank by using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution) (90 mm) to the inlet roll pair 9 of the removal processing unit was 4 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 9.0 ㎛ 이고, 최소값은 5.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 7.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 9.0 占 퐉, the minimum value was 5.5 占 퐉, and the average thickness was 7.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.5 ㎛, 최소값은 4.5 ㎛, 평균 두께는 8.0 ㎛ 였다. 또한, 박막화 처리 종료 후, 미셀 제거액 (10) 이 박막화 처리 유닛 (11) 내에 역류한 것에 의한 박막화 처리액 (1) 의 액량의 증가, 딥조 (2) 로부터 반출된 박막화 처리액 (1) 이 미셀 제거 처리 유닛 (12) 중에 반입된 것에 의한 미셀 제거액의 pH 의 상승이 확인되었다. 그 때문에, 레지스트층에는, 박막화 처리액 (1) 의 농도가 저하된 것이 원인이라고 생각되는 처리 불균일에 더하여, 고 pH 의 미셀 제거액 (10) 이 접촉한 것이 원인이라고 생각되는 처리 불균일도 발생하였다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the twentieth substrate was 10 points. The maximum value was 10.5 占 퐉, the minimum value was 4.5 占 퐉, and the average thickness was 8.0 占 퐉. Further, after the thinning treatment is completed, the amount of the thinning treatment liquid 1 is increased due to the reverse flow of the micelle removing liquid 10 into the thinning treatment unit 11, the amount of the thinning treatment liquid 1 carried out from the degassing tank 2, An increase in the pH of the micelle removing liquid caused by being carried into the removal processing unit 12 was confirmed. Therefore, in the resist layer, treatment unevenness which is thought to be caused by contact with the micelle removal liquid 10 at a high pH occurred in addition to treatment unevenness which is thought to be caused by a decrease in the concentration of the thinning treatment liquid 1.

(실시예 14)(Example 14)

유리 기재 에폭시 수지 기판 (면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 1.6 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층을 형성하였다.A laminator for dry film resist was placed on a glass base epoxy resin substrate (area: 510 mm x 340 mm, thickness of copper foil: 12 mu m, substrate thickness: 1.6 mm, trade name: CCL-E170 manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. , A dry film resist (trade name: RY3625, thickness: 25 占 퐉, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was hot-pressed to form a resist layer.

다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 딥조 (2) 를 구비한 박막화 처리 유닛 (11) 과 미셀 제거액 (10) 에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛 (12) 이 있는 레지스트층의 박막화 장치 (도 12) 에 의해, 레지스트층을 박막화하였다.Next, after the carrier film of the dry film resist is peeled off, a thin film processing unit 11 including a dip tank 2 and a micelle removal treatment unit 12 for removing micelles by the micelle removal liquid 10 are provided. (Fig. 12), the resist layer was thinned.

레지스트층의 박막화 장치에는, 박막화 처리 유닛의 출구 롤쌍 (29) (직경 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) (직경 40 ㎜) 의 양방에 미셀 제거액 차단 커버 (27) (두께 5 ㎜ 의 투명 아크릴 수지제, 폭 650 ㎜×높이 50 ㎜×깊이 50 ㎜ 의 L 자형) 가 설치되어 있고, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버 (27) 에, 직경 25 ㎜ 의 개구 (28) 가, 하측 롤의 바로 아래의 위치에, 폭 방향에 대하여 55 ㎜ 간격으로 직선상으로 배치되어 있다.In the apparatus for thinning the resist layer, a micelle removing liquid blocking cover 27 (thickness 5 mm) is provided on both the exit roll pair 29 (diameter 40 mm) of the thinning processing unit and the inlet roll pair 9 (diameter 40 mm) (L) having a width of 650 mm, a height of 50 mm and a depth of 50 mm) is provided on the lower roll of the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit, and a micelle removing liquid blocking cover 27 , Openings 28 each having a diameter of 25 mm are arranged linearly at intervals of 55 mm with respect to the width direction at positions immediately below the lower rolls.

또, 딥조의 출구 롤쌍 (5) (직경 40 ㎜) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 사이에, 액제거 롤쌍 (8) (직경 40 ㎜) 이 롤쌍끼리의 간격 45 ㎜ 로 2 쌍 설치되어 있다. 딥조의 출구 롤쌍 (5) 과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 의 간격은 180 ㎜ 이고, 방액벽 (25) 이 2 쌍째의 액제거 롤쌍 (8) 의 바로 아래 (90 ㎜ 위치) 에 설치되어 있다. 롤쌍은, 높이 100 ㎜ 의 방액벽 (25) 에 대하여, 하측 롤의 축 중심까지의 높이가 125 ㎜ 가 되도록 설치되어 있다.A pair of liquid removing rolls 8 (diameter: 40 mm) was installed between the pair of outlet rolls 5 (diameter 40 mm) in the dip tank and the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit. . The gap between the outlet roll pair 5 of the dip tank and the inlet roll pair 9 of the micelle removal processing unit is 180 mm and the liquid repellent wall 25 is installed just below (90 mm position) of the pair of liquid removal rolls 8 . The pair of rolls is provided so that the height to the shaft center of the lower roll is 125 mm with respect to the liquid-repellent wall 25 of 100 mm in height.

이러한 레지스트층의 박막화 장치에 의해, 박막화 처리액 (1) (알칼리 수용액) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 딥조 (2) 에 있어서의 침지 처리 시간이 20 초, 딥조의 출구 롤쌍 (5) 으로부터 3 쌍의 액제거 롤을 통과하고, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 (9) 까지의 거리 (180 ㎜) 를 진행하는 시간이 8 초가 되도록 박막화 처리를 실시하였다. 그 후, 미셀 제거 처리 유닛 (12) 에 있어서, 불용화된 미셀을 제거하고, 레지스트층을 박막화하였다.With this thinning apparatus for the resist layer, a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) was used as the thinning treatment liquid 1 (alkali aqueous solution), and the immersion treatment time in the dip tank 2 was 20 seconds, The thinning treatment was carried out so that the time passed from the dip roll 5 through the three pairs of liquid removing rolls and the distance (180 mm) from the pair of inlet rolls 9 of the micelle removal processing unit was 8 seconds. Thereafter, in the micelle removal processing unit 12, the insoluble micelle was removed, and the resist layer was thinned.

수세 처리 및 건조 처리 후에, 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.0 ㎛ 이고, 최소값은 8.5 ㎛ 이고, 평균 두께는 9.5 ㎛ 였다. 또한, 박막화된 레지스트층의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일은 없고, 평활한 면인 것이 확인되었다.After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer was measured at 10 points. As a result, the maximum value was 10.0 占 퐉, the minimum value was 8.5 占 퐉, and the average thickness was 9.5 占 퐉. Further, the surface of the thinned resist layer was observed with an optical microscope. As a result, it was confirmed that there was no process unevenness and that the surface was smooth.

다음으로, 1 장째의 박막화 처리와 동일한 조건으로, 20 장 연속으로 레지스트층을 박막화하였다. 수세 처리 및 건조 처리 후에, 20 장째의 기판에 있어서의 레지스트층의 박막화부의 두께를 10 점 측정한 결과, 최대값은 10.0 ㎛, 최소값은 8.5 ㎛, 평균 두께는 9.5 ㎛ 이고, 연속 처리에서도 박막화 처리량이 안정되어 있는 것이 확인되었다.Next, the resist layer was thinned 20 times continuously under the same conditions as the first thinning treatment. After the washing treatment and the drying treatment, the thickness of the thinned portion of the resist layer in the twentieth substrate was 10 points. As a result, the maximum value was 10.0 mu m, the minimum value was 8.5 mu m and the average thickness was 9.5 mu m, Was confirmed to be stable.

본 고안의 레지스트층의 박막화 장치는, 프린트 배선판이나 리드 프레임에 있어서의 회로 기판의 제조, 또는 플립칩 접속용 접속 패드를 구비한 패키지 기판의 제조에 있어서, 레지스트 패턴을 형성시키는 용도에 적용할 수 있다.The apparatus for thinning a resist layer of the present invention can be applied to the production of a circuit board in a printed wiring board or a lead frame or a method of forming a resist pattern in the production of a package substrate having a connection pad for flip- have.

1 : 박막화 처리액
2 : 딥조
3 : 기판
4 : 반송 롤쌍
5 : 딥조의 출구 롤쌍
6 : 경계부의 반송 롤쌍
7 : 투입구
8 : 액제거 롤쌍
9 : 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍
10 : 미셀 제거액
11 : 박막화 처리 유닛
12 : 미셀 제거 처리 유닛
13 : 박막화 처리액 저장 탱크
14 : 박막화 처리액 흡입구
15 : 박막화 처리액 공급관
16 : 박막화 처리액 회수관
17 : 박막화 처리액 드레인관
18 : 미셀 제거액 저장 탱크
19 : 미셀 제거액 흡입구
20 : 미셀 제거액 공급관
21 : 미셀 제거액용 노즐
22 : 미셀 제거액 스프레이
23 : 미셀 제거액 드레인관
24 : 간극
25 : 방액벽
26 : 미셀 제거액 회수구
27 : 미셀 제거액 차단 커버
28 : 미셀 제거액 차단 커버의 개구
29 : 박막화 처리 유닛의 출구 롤쌍
D1 : 딥조의 출구 롤의 직경
D2 : 액제거 롤의 직경
D3 : 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤의 직경
L1 : 딥조의 출구 롤쌍으로부터 최초의 액제거 롤쌍까지의 간격
L2 : 액제거 롤쌍 사이의 간격
L3 : 최후의 액제거 롤쌍으로부터 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍까지의 간격1: Thinning treatment liquid
2: Deep bath
3: substrate
4: Return roll pair
5: Exit roll pair of dip tank
6: Return roll pair at boundary
7:
8: Liquid removal roll pair
9: inlet roll pair of micelle removal treatment unit
10: Micelle removal solution
11: thinning processing unit
12: Micelle removal processing unit
13: Thinning treatment liquid storage tank
14: Thinning treatment liquid inlet
15: Thinning treatment liquid supply pipe
16: Thinning treatment liquid recovery pipe
17: Thinning treatment liquid drain tube
18: Micelle removal liquid storage tank
19: Micelle removal liquid inlet
20: Micelle removal liquid supply pipe
21: Nozzle for micelle removal liquid
22: Micelle removal liquid spray
23: Micelle removal liquid drain pipe
24: Clearance
25:
26: Micelle removal liquid collection port
27: micelle removal liquid blocking cover
28: opening of micelle removal liquid blocking cover
29: exit roll pair of thinning processing unit
D1: Diameter of the exit roll of the dip tank
D2: Diameter of the liquid removal roll
D3: Diameter of the inlet roll of the micelle removal processing unit
L1: the distance from the outlet roll pair of the dip tank to the first pair of liquid removal rolls
L2: Spacing between pairs of liquid removal rolls
L3: interval from the last liquid removal roll pair to the inlet roll pair of the micelle removal processing unit

Claims (10)

박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지고,
표면에 레지스트층이 형성된 기판을 반송하는 반송 롤을 갖고,
박막화 처리 유닛이, 박막화 처리액이 들어가 있는 딥조를 갖고,
미셀 제거 처리 유닛이, 미셀 제거액을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이를 갖는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서,
미셀 제거액 역류 억제 기구 및 박막화 처리액 반출 억제 기구가 설치되어 있고,
미셀 제거액 역류 억제 기구가, 박막화 처리 유닛과 미셀 제거 처리 유닛의 경계부의 반송 롤쌍의 상하에 설치된 미셀 제거액 차단 커버이고,
박막화 처리액 반출 억제 기구가, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 복수 개의 액제거 롤쌍인 것을 특징으로 하는, 레지스트층의 박막화 장치.A thinning treatment unit for micellizing the components in the resist layer by the thinning treatment liquid, and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid,
And a transfer roll for transferring a substrate on which a resist layer is formed,
The thinning treatment unit has a dip tank containing the thinning treatment liquid,
Wherein the micelle removal processing unit comprises a micelle removal liquid supply spray for supplying micelle removal liquid,
A micelle removing liquid backflow preventing mechanism and a thinning processing liquid discharging preventing mechanism are provided,
Wherein the micelle removing liquid backflow prevention mechanism is a micelle removal liquid blocking cover provided above and below a pair of transport rolls at a boundary portion between the thinning processing unit and the micelle removal processing unit,
Wherein the thinning treatment liquid discharge inhibiting mechanism is a plurality of liquid removing roll pairs provided between an exit roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit. 제 1 항에 있어서,
박막화 처리 유닛과 미셀 제거 처리 유닛의 경계부의 반송 롤쌍의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버에 개구가 형성되어 있는, 레지스트층의 박막화 장치.The method according to claim 1,
Wherein an opening is formed in a micelle removing liquid blocking cover provided on a lower roll of a pair of transport rolls at a boundary portion between the thinning processing unit and the micelle removing processing unit. 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지고,
표면에 레지스트층이 형성된 기판을 반송하는 반송 롤을 갖고,
박막화 처리 유닛이, 박막화 처리액이 들어가 있는 딥조를 갖고,
미셀 제거 처리 유닛이, 미셀 제거액을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이를 갖는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서,
미셀 제거액 역류 억제 기구 및 박막화 처리액 반출 억제 기구가 설치되어 있고,
미셀 제거액 역류 억제 기구가, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 상하에 설치된 미셀 제거액 차단 커버이고,
박막화 처리액 반출 억제 기구가, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 복수 개의 액제거 롤쌍인 것을 특징으로 하는, 레지스트층의 박막화 장치.A thinning treatment unit for micellizing the components in the resist layer by the thinning treatment liquid, and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid,
And a transfer roll for transferring a substrate on which a resist layer is formed,
The thinning treatment unit has a dip tank containing the thinning treatment liquid,
Wherein the micelle removal processing unit comprises a micelle removal liquid supply spray for supplying micelle removal liquid,
A micelle removing liquid backflow preventing mechanism and a thinning processing liquid discharging preventing mechanism are provided,
The micelle removing liquid backflow preventing mechanism is a micelle removing liquid blocking cover provided above and below the inlet roll pair of the micelle removal processing unit,
Wherein the thinning treatment liquid discharge inhibiting mechanism is a plurality of liquid removing roll pairs provided between an exit roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit. 삭제delete 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지고,
표면에 레지스트층이 형성된 기판을 반송하는 반송 롤을 갖고,
박막화 처리 유닛이, 박막화 처리액이 들어가 있는 딥조를 갖고,
미셀 제거 처리 유닛이, 미셀 제거액을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이를 갖는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서,
박막화 처리액 반출 억제 기구가 설치되어 있고,
박막화 처리액 반출 억제 기구가, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 복수 개의 액제거 롤쌍이고,
딥조의 출구 롤쌍, 액제거 롤쌍, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 각각의 간격 (L) 이, 각 롤의 직경 (D) 에 대해, 1 배 초과, 3 배 이하 (D ＜ L ≤ 3D) 인 것을 특징으로 하는, 레지스트층의 박막화 장치.A thinning treatment unit for micellizing the components in the resist layer by the thinning treatment liquid, and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid,
And a transfer roll for transferring a substrate on which a resist layer is formed,
The thinning treatment unit has a dip tank containing the thinning treatment liquid,
Wherein the micelle removal processing unit comprises a micelle removal liquid supply spray for supplying micelle removal liquid,
A thinning-out treatment liquid take-out restraining mechanism is provided,
Wherein the thinning-out treatment liquid discharge restraining mechanism is a plurality of liquid removal roll pairs provided between an outlet roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit,
(D &lt; L &lt; 3D) of the diameter of each roll is set to be greater than or equal to 1 times and less than or equal to 3 times the diameter (D) of each roll, Wherein the resist layer has a thickness of 10 to 100 nm. 제 5 항에 있어서,
미셀 제거액 역류 억제 기구가 더 설치되어 있는, 레지스트층의 박막화 장치.6. The method of claim 5,
Wherein a micelle removing liquid backflow preventing mechanism is further provided. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
미셀 제거액 역류 억제 기구로서, 그 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 방액벽을 포함하는, 레지스트층의 박막화 장치.The method according to any one of claims 1, 3, and 6,
And a liquid-repellent wall provided between the pair of the outlet rolls of the dip tank and the pair of the inlet rolls of the micelle removal processing unit, wherein the microwave removing liquid backflow preventing mechanism is provided. 박막화 처리액에 의해 레지스트층 중의 성분을 미셀화시키는 박막화 처리 유닛과 미셀 제거액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리 유닛을 구비하여 이루어지고,
표면에 레지스트층이 형성된 기판을 반송하는 반송 롤을 갖고,
박막화 처리 유닛이, 박막화 처리액이 들어가 있는 딥조를 갖고,
미셀 제거 처리 유닛이, 미셀 제거액을 공급하기 위한 미셀 제거액 공급 스프레이를 갖는 레지스트층의 박막화 장치에 있어서,
미셀 제거액 역류 억제 기구 및 박막화 처리액 반출 억제 기구가 설치되어 있고,
박막화 처리액 반출 억제 기구가, 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 복수 개의 액제거 롤쌍이고,
딥조의 출구 롤쌍, 액제거 롤쌍, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 각각의 간격 (L) 이, 각 롤의 직경 (D) 에 대해, 1 배 초과, 3 배 이하 (D ＜ L ≤ 3D) 이고,
미셀 제거액 역류 억제 기구로서, 그 딥조의 출구 롤쌍과 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍 사이에 설치된 방액벽을 포함하고,
미셀 제거액 역류 억제 기구로서, 미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 상하에 설치된 미셀 제거액 차단 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는, 레지스트층의 박막화 장치.A thinning treatment unit for micellizing the components in the resist layer by the thinning treatment liquid, and a micelle removal treatment unit for removing micelles by a micelle removal liquid,
And a transfer roll for transferring a substrate on which a resist layer is formed,
The thinning treatment unit has a dip tank containing the thinning treatment liquid,
Wherein the micelle removal processing unit comprises a micelle removal liquid supply spray for supplying micelle removal liquid,
A micelle removing liquid backflow preventing mechanism and a thinning processing liquid discharging preventing mechanism are provided,
Wherein the thinning-out treatment liquid discharge restraining mechanism is a plurality of liquid removal roll pairs provided between an outlet roll pair of the dip tank and an inlet roll pair of the micelle removal processing unit,
The distance L of each of the pair of the exit rolls of the dip tank, the liquid removal roll pair and the micelle removal processing unit is more than 1 time and less than 3 times (D <L? 3D) with respect to the diameter D of each roll ,
A micelle removal liquid backflow control apparatus comprising a liquid-tight wall provided between an outlet roll pair of a dip tank and an inlet roll pair of a micelle removal processing unit,
The micelle removal liquid backflow control apparatus according to claim 1, further comprising a micelle removal liquid blocking cover provided above and below the inlet roll pair of the micelle removal processing unit. 제 3 항 또는 제 8 항에 있어서,
미셀 제거 처리 유닛의 입구 롤쌍의 하측 롤에 설치되어 있는 미셀 제거액 차단 커버에 개구가 형성되어 있는, 레지스트층의 박막화 장치.The method according to claim 3 or 8,
Wherein an opening is formed in the micelle removal liquid blocking cover provided on the lower roll of the inlet roll pair of the micelle removal processing unit. 삭제delete
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