KR200479946Y1 - Non-packaging wafer LED lighting structure - Google Patents

Non-packaging wafer LED lighting structure Download PDF

Info

Publication number
KR200479946Y1
KR200479946Y1 KR2020150002961U KR20150002961U KR200479946Y1 KR 200479946 Y1 KR200479946 Y1 KR 200479946Y1 KR 2020150002961 U KR2020150002961 U KR 2020150002961U KR 20150002961 U KR20150002961 U KR 20150002961U KR 200479946 Y1 KR200479946 Y1 KR 200479946Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
epitaxy
film
led epitaxy
film layer
Prior art date
Application number
KR2020150002961U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150002293U (en
Inventor
동-양 치오우
Original Assignee
동-양 치오우
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동-양 치오우 filed Critical 동-양 치오우
Priority to KR2020150002961U priority Critical patent/KR200479946Y1/en
Publication of KR20150002293U publication Critical patent/KR20150002293U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR200479946Y1 publication Critical patent/KR200479946Y1/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/745—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades the fins or blades being planar and inclined with respect to the joining surface from which the fins or blades extend
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • F21Y2101/02—
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

본 고안은 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조에 관한 것이다.
본 고안은 이를 위해 적어도 하나의 LED 에피택시가 설치되는 열발산 유닛; 상기 LED 에피택시 주위로 피복되어 전체 구조를 고정시키기 위한 접착필름층; 각각의 상기 LED 에피택시를 직렬로 연결하여 전원 공급을 위한 전기 전도성 필름 인쇄출력 선로; 및 일반 LED 웨이퍼의 외각을 대체하는데 사용되고 그 상단으로 상기 LED 에피택시의 위치에 대응하는 적어도 하나의 구멍을 구비하고 상기 구멍은 상기 LED 에피택시를 보호하기 위한 형광분말이 함유된 수지가 주입될 수 있고 다색광 혹은 백광을 발하는 구성으로 이루어진 필름;을 포함하여 이루어지고, 상기한 구조에 의하여 열발산 효과가 우수하고 두께가 얇으며 원가가 낮은 등의 장점을 구비하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조를 제시한다.The present invention relates to an unpackaged wafer LED light emitting illumination structure.
The invention relates to a heat dissipating unit in which at least one LED epitaxy is installed; An adhesive film layer surrounding the LED epitaxy to fix the entire structure; An electrically conductive film print output line for powering each LED epitaxy in series; And at least one hole corresponding to the position of the LED epitaxy at the top thereof, which is used to replace the outer edge of a conventional LED wafer, said hole being capable of being injected with a resin containing a fluorescent powder for protecting said LED epitaxy A wafer-free LED light-emitting lighting structure having the advantages of excellent heat-dissipating effect, thin thickness, and low cost due to the above-described structure, including a structure in which a color light or a white light is emitted. present.

Description

무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조{Non-packaging wafer LED lighting structure}[0002] Non-packaging wafer LED lighting structure [0003]

본 고안은 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열발산 효과 및 제품의 실용성을 제고시킬 수 있는 LED 발광 조명 구조를 제공하고, 이로 인해 제품의 품질과 신뢰성을 대폭 향상시키므로 사용자인 소비자들의 다양한 욕구(니즈)를 충족시켜 좋은 이미지를 심어줄 수 있도록 한 것이다.
More particularly, the present invention provides a LED light emitting structure capable of enhancing the heat dissipation effect and practicality of a product, thereby significantly improving the quality and reliability of the product, To meet the various needs of consumers and to provide a good image.

주지하다시피 일반적인 LED 포장 구조는, 도 1 에 도시된 바와 같이, LED 에피택시(epitaxy)(12)가 외각 케이스(14)를 통하여 하나의 완전한 LED 웨이퍼(1)로 포장되는데, 여기서, 상기 외각 케이스(14)는 일반적으로 플락스틱 재질 혹은 세라믹 재질로 구성되고, 다시 상기 LED 웨이퍼(1)를 PCB 회로기판(10) 위에 설치하거나 삽입하고, 상기 PCB 회로기판(10) 위에 설치된 유도선(11)과 LED 에피택시(12)의 전극 접점(121)을 이용하여 전기적으로 연결하는 것에 의하여 상기 PCB 회로기판(10)에 전원이 연결되면 상기 LED 웨이퍼(12)가 통전되어 발광할 수 있게 된다.As is known, a typical LED package structure is such that an LED epitaxy 12 is packaged through an outer casing 14 into one complete LED wafer 1, as shown in Figure 1, The case 14 is generally made of a plastics material or a ceramic material and the LED wafer 1 is mounted on or inserted into the PCB circuit board 10 and the lead wires 11 And the electrode contacts 121 of the LED epitaxial layer 12 are electrically connected to each other, power is supplied to the PCB circuit board 10 to allow the LED wafer 12 to emit light.

도 1 을 참조하면, 종래의 LED 포장 구조는 LED 에피택시(12)가 발광하도록 하는 목적을 달성할 수는 있으나, 상기 LED 웨이퍼(1)와 PCB 회로기판(10) 이 둘 사이의 접촉 면적이 크게 제한되어 있고, LED 에피택시(12) 주위가 상기 외각 케이스(14)에 피복되어 있어 열발산 효과가 매우 저조한 것이 그 문제점이다. 이에 대하여, 업계에서는 개량된 LED 포장 구조를 개발하였는데, 이러한 구조는 도2에 도시된 바와 같이, 열전도성 재료(20) 위로 열전기 전도성 필름(21)이 배설되고, 상기 열전기 전도성 필름(21) 위로는 LED 에피택시(22)가 설치되고, 상기 LED 에피택시(22) 위로는 투명재료(23)가 피폭되고, 상기 투명재료(23) 하단 테두리로는 금속선로(24)가 설치된다. 1, the conventional LED packaging structure can achieve the purpose of causing the LED epitaxy 12 to emit light, but the contact area between the LED wafer 1 and the PCB circuit board 10 is And the periphery of the LED epitaxy 12 is covered with the outer case 14, so that the heat dissipation effect is very low. On the other hand, in the industry, an improved LED packaging structure has been developed. As shown in FIG. 2, a thermoelectric conductive film 21 is disposed on the thermally conductive material 20, A transparent material 23 is irradiated on the LED epitaxy 22 and a metal line 24 is provided on the lower edge of the transparent material 23. The LED epitaxial layer 22 is provided on the LED epitaxial layer 22,

이러한 LED 포장 구조는 비교적 우수한 열발산 효과를 지니고 있으나, LED 에피택시(22)는 주위에 몰딩(molding)이 되어 있지 않아 공기 중에 직접 노출되므로 산화로 인하여 쉽게 손상되어 제품의 수명이 짧아지는 문제점을 가지고 있으며, 동시에 상기 투명재료(23)는 속이 비어 있고 LED 에피택시(22) 윗쪽으로 피복되어 있어 제품의 부피와 두께가 증가되는 것 외에도 형광 필름을 설치할 수 있는 공간이 없다. 따라서, 이러한 LED 포장 구조는 단색광(예, 블루레이)만을 발광할 수 밖에 없어 제품의 실용성을 크게 저하시키는 문제점을 초래한다. Although the LED package structure has a relatively good heat dissipation effect, the LED epitaxy 22 is not molded around the LED epitaxial layer 22 and is directly exposed to the air, so that it is easily damaged due to oxidation, And at the same time, the transparent material 23 is hollow and covered over the LED epitaxy 22 to increase the volume and thickness of the product, and there is no space for installing the fluorescent film. Therefore, such an LED packaging structure can only emit monochromatic light (for example, Blu-ray), resulting in a problem of greatly lowering practical utility of the product.

이 외에도, 상기 금속선로(24)는 LED 에피택시(22) 상단으로 설치됨에 따라 LED 에피택시(22)에서 발하는 불빛이 상기 금속선로(24)에 의하여 쉽게 막하는 문제점을 초래한다. 이에, 전체적으로 보았을 때, 이러한 기술방침은 실시하거나 상품화하는 가능성이 매우 낮아 어떠한 방식을 통하여 상술한 문제점을 개량할 것이냐는 것이 본 발명인이 해결하고자 하는 기술상의 어려움이다.
In addition, since the metal line 24 is installed on the upper side of the LED epitaxy 22, the light emitted from the LED epitaxy 22 is easily blocked by the metal line 24. [ In view of the above, it is difficult for the present inventor to solve the above-mentioned problems through a method in which the technical policy is not very likely to be implemented or commercialized.

이에 본 고안은 상기한 바와 같은 종래 문제점, 다시 말해 열발산 효과가 다소 떨어지거나 단색 발광 기능만을 구비함으로 인하여 제품의 실용성이 크게 제한되는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 고안의 목적은 미포장(즉, 다이(die) 상태로)된 LED 에피택시를 열발산 유닛 상단에 직접 설치하는 것을 통하여 LED 에피택시는 열발산 유닛을 통하여 열을 직접 발산할 수 있고, 이에 매우 우수한 열발산 효과를 이룰 수 있으며, 동시에 상기 필름은 구멍을 구비하고, 형광 필름은 상기 구멍을 직접 막아주는 것을 통하여 LED 에피택시와 형광 필름이 빛을 섞어 다양한 색광이나 백광을 발하도록 함으로써 열발산 효과 제고, 제품의 부피 축소 및 제품의 실용성을 높이는 효과를 이룰 수 있는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조를 제공하는데 있다.
The object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, that is, the problem that the practicability of the product is largely limited due to the fact that the heat dissipation effect is somewhat deteriorated or only the monochromatic light emitting function is provided. Or die) LED epitaxy directly on top of the heat-dissipating unit, the LED epitaxy can directly dissipate the heat through the heat-dissipating unit, resulting in a very good heat dissipation effect , While the film has holes, and the fluorescent film directly blocks the holes, so that the LED epitaxy and the fluorescent film emit light of various colors or white light to enhance the heat dissipation effect, Emitting diode (LED) light-emitting structure.

이러한 목적 달성을 위하여 본 고안은 열발산 유닛; 상기 열발산 유닛 상단에 설치되는 적어도 하나의 LED 에피택시; 상기 열발산 유닛 상단에 설치되고, 상기 LED 에피택시 주위에 피복되며, 발광면 및 전극단이 외부로 노출되고, 상기 LED 에피택시의 각각의 전극단은 개별적으로 연결되어 전기 전도성 필름을 구비하는 구성으로 이루어지는 접착필름층; 및 상기 접착필름층 상단에 설치되고, 적어도 하나가 상기 LED 에피택시의 위치와 서로 대응하는 구멍을 구비하고, 상기 구멍 내부는 형광 필름이 충전되는 구성으로 이루어지는 필름;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조를 제공한다.
To this end, the present invention provides a heat dissipating unit; At least one LED epitaxy mounted on top of the heat dissipating unit; Wherein the LED epitaxial layer is disposed on the top of the heat dissipating unit and is coated around the LED epitaxy, wherein the light emitting surface and the front end are exposed to the outside, and the respective front ends of the LED epitaxy are individually connected to form an electrically conductive film An adhesive film layer made of polypropylene; And a film provided on the top of the adhesive film layer and having at least one hole corresponding to the position of the LED epitaxy and the hole being filled with a fluorescent film. Unpackaged wafer LED light emitting illumination structure.

이상의 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 열발산 유닛; 상기 열발산 유닛의 상단에 설치되는적어도 하나의 LED 에피택시; 상기 열발산 유닛의 상단에 설치되고, 상기 LED 에피택시 주위에 피복되는 접착필름층; 및 상기 접착필름층 상단에 설치되고, 적어도 하나가 상기 LED 에피택시의 위치와 서로 대응하는 구멍을 구비하고, 상기 구멍은 형광 필름이 충전될 수 있는 구성으로 이루어지는 필름;을 포함하여 이루어지는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조를 제공한다.To achieve the above object, the present invention provides a heat dissipating unit comprising: a heat dissipating unit; At least one LED epitaxy mounted on top of the heat dissipating unit; An adhesive film layer disposed on top of the heat dissipating unit and coated around the LED epitaxy; And a film provided on the top of the adhesive film layer and having at least one hole corresponding to the position of the LED epitaxy and the hole being capable of being filled with a fluorescent film, LED illumination structure.

본 고안은 미포장(즉, 다이(die) 상태)된 LED 에피택시를 열발산 유닛 상단에 직접 설치하는 것을 통하여 LED 에피택시는 열발산 유닛을 통하여 열을 직접 발산할 수 있고, 이에 매우 우수한 열발산 효과를 이룰 수 있으며, 동시에 상기 필름은 구멍을 구비하고, 형광 필름은 상기 구멍을 직접 막아주는 것을 통하여 LED 에피택시와 형광 필름이 빛을 섞어 다양한 색광이나 백광을 발하도록 하는 것을 통하여 열발산 효과 제고, 제품의 부피 축소 및 제품의 실용성 증가 등의 효과를 이룰 수 있다.The present design allows the LED epitaxy to emit heat directly through the heat dissipating unit, by placing the unpackaged (i.e., die-dipped) LED epitaxy directly on top of the heat dissipating unit, And the fluorescent film directly blocks the hole, so that the LED epitaxy and the fluorescent film mix light to emit various color light or white light. Thus, the heat dissipation effect Increase the volume of the product, and increase the practicality of the product.

이하에서는 이러한 효과 달성을 위한 본 고안의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 은 종래 LED 포장 구조를 도시한 사시도이다.
도 2 는 다른 종래 LED 포장 구조를 도시한 사시도이다.
도 3a 는 본 고안에 따른 필름에 형광 필름이 충전되기 전의 상태를 도시한
분해도이다.
도 3b 는 본 고안에 따른 필름에 형광 필름이 충던된 후의 상태를 도시한 분
해도이다.
도 4 는 본 고안의 구성을 도시한 사시도이다.
도 5 는 본 고안의 측명 단면을 도시한 사시도이다.
도 6 은 본 고안의 제2 실시예에 따른 측면 단면을 도시한 사시도이다.
도 7 은 도 6 의 하단 재료료 구성 유닛을 제거하는 동작을 도시한 사시도이
다.
도 8 은 도 7 의 동작 후를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a conventional LED packaging structure.
2 is a perspective view showing another conventional LED packaging structure.
3A shows a state before the fluorescent film is filled in the film according to the present invention
It is an exploded view.
FIG. 3B is a view showing a state after the fluorescent film is pricked in the film according to the present invention
It is the sea.
4 is a perspective view showing a configuration of the present invention.
5 is a perspective view showing a side cross section of the present invention.
6 is a perspective view showing a side cross-section according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a perspective view showing the operation of removing the lower material composition unit of Fig. 6
All.
8 is a perspective view showing the state after the operation of FIG.

본 고안에 적용된 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조는 도 3 내지 도 8 에 도시된 바와 같이 구성되는 것이다.The unpackaged wafer LED light emitting illumination structure applied to the present invention is configured as shown in Figs. 3 to 8.

하기에서 본 고안을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 고안의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

그리고 후술되는 용어들은 본 고안에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 생산자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

먼저, 본 고안은 도 3 의 b와 도 4 를 참조하면, 본 고안은 열발산 유닛(3), 적어도 하나의 LED 에피택시(4), 접착필름층(5) 및 필름(7)을 포함하여 이루어지는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조를 제공한다.3 and 4, the present invention includes a heat dissipating unit 3, at least one LED epitaxy 4, an adhesive film layer 5, and a film 7, Gt; LED < / RTI >

상기 열발산 유닛(3)은, 열 싱크로 구성될 수 있고, 또한, 참고로 본 고안에 따른 일 실시예에서는 상기 열발산 유닛(3)을 가지므로, 이러한 실시예는 특히 일반 램프 혹은 형광등 등의 조명기구 용도로 사용되는 것에 적용된다.Since the heat-dissipating unit 3 can be configured as a heat sink, and in one embodiment according to the present invention, the heat-dissipating unit 3 is provided. Therefore, this embodiment is particularly applicable to a general lamp, It is applied to those used for lighting fixtures.

적어도 하나의 상기 LED 에피택시(4)는, 상기 열발산 유닛(3) 상단에 설치된다.At least one LED epitaxy (4) is provided at the top of the heat dissipating unit (3).

상기 접착필름층(5)은, 상기 열발산 유닛(3)의 상단에 설치되는데, 여기에 도 5 를 추가로 참조하면, 상기 접착필름층(5)은 상기 LED 에피택시(4) 주위에 피복되는데, 이에 따라, 상기 접착필름층(5)은 상기 LED 에피택시(4)를 상기 열발산 유닛(3) 위로 고정시킬 수 있다.
5, the adhesive film layer 5 is provided on the upper end of the heat dissipating unit 3, and the adhesive film layer 5 is coated on the LED epitaxy 4, So that the adhesive film layer 5 can fix the LED epitaxy 4 on the heat dissipating unit 3. [

한편, 상기 LED 에피택시(4)의 발광면(41) 및 전극단(42)은 상기 접착필름층(5) 외부로 노출되고, 게다가 상기 LED 에피택시(4)의 각 전극단(42)은 모두 개별적으로 연결되어 전기 전도성 필름(6)을 구비하고, 상기 전기 전도성 필름(6)은 필름으로 구성될 수 있다. 이에 의하여, 상기 전기 전도성 필름(6)은 외부의 전원과 서로 연결될 수 있도록 함으로써 상기 LED 에피택시(4)가 통전되어 발광할 수 있도록 한다. The light emitting surface 41 and the front end 42 of the LED epitaxy 4 are exposed to the outside of the adhesive film layer 5 and the front ends 42 of the LED epitaxy 4 are exposed All of which are individually connected to each other and include an electrically conductive film 6, and the electrically conductive film 6 may be composed of a film. Thus, the electrically conductive film 6 can be connected to an external power source so that the LED epitaxy 4 can be energized and emit light.

또한, 상기 LED 에피택시(4)의 수량이 한 개 이상으로 구성될 경우, 서로 인접한 상기 LED 에피택시(4) 사이의 상기 전극단(42)(즉, P와 N 전극)은 상기 전기 전도성 필름(6)을 통하여 직렬로 연결되는 방식으로 서로 연결될 수 있고, 여기서, 각각의 상기 전기 전도성 필름(6)의 상세한 연결 방식은 종래 기술 분야에 속하되 본 고안에 따른 기술적 특성에는 속하지 않으므로 더 이상의 설명은 생략한다.In addition, when the number of LED epitaxy 4 is more than one, the tip 42 between the adjacent LED epitaxy 4 (i.e., the P and N electrodes) (6), wherein the detailed connection method of each of the electrically conductive films (6) belongs to the prior art but does not belong to the technical characteristics according to the present invention, Is omitted.

상기 필름(7)은 상기 접착필름층(5) 상단에 설치되고, 상기 필름(7)은 평판 형상으로 구성되는데, 여기에 도 3a 을 추가로 참고하면, 상기 필름(7) 위로는 적어도 하나가 상기 LED 에피택시(4)의 위치와 서로 대응하는 구멍(71)을 구비한다. 이에 의하여, 상기 필름(7)은 종래 LED 에피택시(1)의 외각 케이스(14)를 대체할 수 있도록 하고, 또한 상기 구멍(71)은 상기 LED 에피택시(4)의 바로 상단에 위치시킬 수 있다. 또한, 상기 구멍(71) 내부는 도 3b 와 도 4 에 도시된 바와 같이, 형광 필름(8)(즉, 형광분말이 함유된 수지)이 충전될 수 있다.The film 7 is disposed on the upper side of the adhesive film layer 5 and the film 7 is formed in a flat plate shape. Referring to FIG. 3A, And a hole 71 corresponding to the position of the LED epitaxy 4. This allows the film 7 to replace the outer case 14 of the conventional LED epitaxy 1 and also allows the hole 71 to be positioned just above the LED epitaxy 4 have. In addition, the inside of the hole 71 can be filled with the fluorescent film 8 (that is, the resin containing the fluorescent powder), as shown in Figs. 3B and 4.

도 3a 및 도 5 를 참조하면, 본 고안은 필름(7)을 이용하여 종래 LED 에피택시(1)의 외각 케이스(14)를 대체하므로, 미포장(즉, 다이(die) 상태로)된 LED 에피택시(4)를 열발산 유닛(3) 상단에 직접 설치할 수 있고, 접착필름층(5)을 통하여 상기 LED 에피택시(4)를 피복하여 고정함으로써, 다시 말해 본 고안은 종래와 같이 반드시 먼저 LED 에피택시(12)를 LED 웨이퍼(1)로 포장할 필요가 없으므로, 상기 LED 에피택시(4)는 상기 열발산 유닛(3)을 통하여 열을 발산할 수 있어 매우 우수한 열발산 효과를 이룰 수 있으며, 동시에 상기 필름(7)을 구멍(71)을 구비하고, 형광 필름(8)은 상기 구멍(71) 안에 직접 충전이 가능하다. 이에, 본 고안은 상기 필름(7)의 두께, 부피 및 상기 구멍(71)의 공간을 충분히 이용할 수 있어 상기 LED 에피택시(4)와 형광 필름(8)이 다양한 색광과 백광을 발할 수 있도록 함으로써 열발산 효과 제고, 제품의 부피 축소 및 제품의 실용성을 높이는 효과를 이룰 수 있다. 3A and 5, the present invention replaces the outer case 14 of the conventional LED epitaxy 1 with the use of the film 7, so that an unpackaged (i.e., die-cast) LED The epitaxy 4 can be provided directly on the upper end of the heat dissipating unit 3 and the LED epitaxy 4 is covered and fixed via the adhesive film layer 5, It is not necessary to package the LED epitaxy 12 with the LED wafer 1 so that the LED epitaxy 4 can dissipate heat through the heat dissipating unit 3 to achieve a very good heat dissipating effect And at the same time the film 7 is provided with a hole 71 and the fluorescent film 8 can be charged directly into the hole 71. Therefore, the present invention can sufficiently utilize the thickness and the volume of the film 7 and the space of the hole 71 so that the LED epitaxy 4 and the fluorescent film 8 can emit various colors of light and white light The heat dissipation effect can be improved, the volume of the product can be reduced, and the practicality of the product can be enhanced.

또한, 본 고안은 다시 상기 LED 에피택시(4) 주위와 상단은 모두 밀폐된 상태가 되어 공기와 직접적인 접촉을 하지 않아 산화로 인하여 손상되는 것을 방지하거나 감소시켜 제품의 사용수명을 높이는 효과를 겸비할 수 있다. In addition, the present invention also has the effect of increasing the service life of the product by preventing or reducing damage due to oxidation due to not being in direct contact with the air since both the periphery and the upper end of the LED epitaxy (4) .

한편, 본 고안은 전기 전도성 필름(6)을 사용하여 종래의 금속선로(24)를 대체하고 각각의 상기 LED 에피택시(4)를 직렬로 연결하고 전원을 공급할 수 있어 공정을 간소화하고 가공 효과를 높이는 효과를 겸비할 수 있다.Meanwhile, the present invention can replace the conventional metal wire 24 by using the electrically conductive film 6, connect each LED epitaxy 4 in series, and supply power, thereby simplifying the process and reducing the processing effect The effect of height can be combined.

아울러, 도 6 은 본 고안의 제2 실시예를 도시한 것으로, 이와 제1 실시예의 차이점은 상기 열발산 유닛(3)을 생략하는데 있는데, 이에 따라 제품 전체의 부피와 두께가 더 축소될 수 있으므로, 이러한 실시예는 특히 액정 디스플레이의 백라이트 광원으로 사용하는 용도에 적용하되, 접착필름층(5) 및 LED 에피택시(4)가 부착되고 고화 성형되는 열발산 유닛(3)이 결핍하므로, 본 실시예는 제작시 먼저 상기 LED 에피택시(4)와 접착필름층(5) 하단에 설치되는 하단재료구성 유닛(9)을 제공하는데, 여기서, 상기 하단재료구성 유닛(9)은 일시적인 접착성을 가진 박리 가능 층(91) 및 상기 박리 가능 층(91) 하단에 고정 설치되는 필름층(92)을 더 포함하여 이루어지고, 보다 구체적으로 말하자면, 상기 박리 가능 층(91)은 실리콘으로 구성될 수 있고, 상기 필름층(92)은 PET(Polyethylene Terephthalate: 폴리에틸렌테레프탈레이트)로 구성될 수 있다. 이에, 상기 하단재료구성 유닛(9)은 상기 LED 에피택시(4) 및 접착필름층(5)이 부착되고 고화 성형될 수 있도록 한다. 여기에 도 7 및 도 8 을 추가로 참조하면, 본 고안은 후속적인 조립을 진행할 때 상기 하단재료구성 유닛(9)을 제거하기만 하면 되는데, 이러한 실시예는 두께와 부피가 더 작아지는 장점을 가지고 있음은 물론, 동시에 상기 LED 에피택시(4)는 공기를 이용하여 직접 열을 발산할 수 있어 매우 우수한 열발산 효과를 가질 수 있다.
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. The difference between the first embodiment and the first embodiment is that the heat dissipating unit 3 is omitted, so that the volume and thickness of the entire product can be further reduced This embodiment is particularly applied to a use as a backlight light source of a liquid crystal display. Since the adhesive film layer 5 and the heat dissipating unit 3 to which the LED epitaxy 4 is adhered and solidified are deficient, The example first provides the LED epitaxy 4 and the bottom material constituting unit 9 installed at the lower end of the adhesive film layer 5, wherein the bottom material constituting unit 9 has a temporary adhesive property The peelable layer 91 and the film layer 92 fixedly installed at the lower end of the peelable layer 91. More specifically, the peelable layer 91 may be composed of silicon , The film layer 92 is made of PET (P olyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate). Thus, the lower material constituting unit 9 allows the LED epitaxy 4 and the adhesive film layer 5 to be attached and solidified. 7 and 8, the present invention only needs to remove the lower material constituting unit 9 when proceeding with subsequent assembly, and this embodiment has the advantage of being smaller in thickness and volume At the same time, the LED epitaxy 4 can directly emit heat using air, and can have a very excellent heat dissipation effect.

한편 본 고안은 상기의 구성부를 적용함에 있어 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다.In the meantime, the present invention can be variously modified and can take various forms in applying the above components.

그리고 본 고안은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 고안의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
It should be understood, therefore, that the appended claims are not to be interpreted as limiting the invention to the particular forms set forth in the foregoing description, but rather should be construed to include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. .

본 고안 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조의 기술적 사상은 실제로 동일결과를 반복 실시 가능한 것으로, 특히 이와 같은 본원고안을 실시함으로써 기술발전을 촉진하여 산업발전에 이바지할 수 있어 보호할 가치가 충분히 있다.
The technical idea of the inventive unpackaged wafer LED light emitting structure is that it is possible to repeat the same results in actuality. Especially, it is worth protecting because it can contribute to industrial development by promoting technological development by implementing the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
(종래 기술)
1: LED 웨이퍼 10: PCB 회로기판
11: 유도선 12: LED 페이택시
121: 전극 접점 14: 외각 케이스
20: 열전도성 재료 21: 열전기 전도성 필름
22: LED 페이택시 23: 투명재료
24: 금속선로
(본 고안)
3: 열발산 유닛 4: LED 페이택시
41 : 발광면 42 : 전극단
5: 접착필름층 6: 전기 전도성 필름
7: 필름 71: 구멍
8: 형광 필름 9: 하단재료구성 유닛
91: 박리 가능 층 92: 필름층Description of the Related Art
(Prior art)
1: LED wafer 10: PCB circuit board
11: Lead wire 12: LED pay taxi
121: electrode contact point 14: outer case
20: thermally conductive material 21: thermally conductive film
22: LED light-emitting diode 23: transparent material
24: metal wire
(The present invention)
3: Heat dissipation unit 4: LED pay taxi
41: light emitting surface 42:
5: adhesive film layer 6: electrically conductive film
7: Film 71: Holes
8: Fluorescent film 9: Lower material constituting unit
91: peelable layer 92: film layer

Claims (4)

열발산 유닛(3);
상기 열발산 유닛(3) 상단에 설치되는 적어도 하나의 LED 에피택시(4);
상기 열발산 유닛(3) 상단에 설치되고, 상기 LED 에피택시(4) 주위에 피복되며, 발광면(41) 및 전극단(42)이 외부로 노출되고, 상기 LED 에피택시(4)의 각각의 전극단은 개별적으로 연결되어 전기 전도성 필름(6)을 구비하는 구성으로 이루어지는 접착필름층(5); 및
상기 접착필름층(5) 상단에 설치되고, 적어도 하나가 상기 LED 에피택시(4)의 위치와 서로 대응하는 구멍(71)을 구비하고, 상기 구멍(71) 내부는 형광 필름(8)이 충전되는 구성으로 이루어지는 필름(7);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조.
A heat dissipating unit 3;
At least one LED epitaxy (4) mounted on top of the heat dissipating unit (3);
And the LED epitaxy 4 is disposed on the upper end of the heat dissipating unit 3 and is wrapped around the LED epitaxy 4 so that the light emitting surface 41 and the tip end 42 are exposed to the outside, An adhesive film layer (5) having a constitution in which the electrodes are individually connected and provided with an electrically conductive film (6); And
Wherein at least one of the holes is provided with a hole 71 corresponding to the position of the LED epitaxy 4 on the upper side of the adhesive film layer 5 and the inside of the hole 71 is filled with the fluorescent film 8 And a film (7) made of a material having the same composition as that of the film (7).
청구항 1 에 있어서,
상기 열발산 유닛(3)은, 상기 접착필름층(5)과 상기 LED 에피택시(4)의 하단에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조.
The method according to claim 1,
Wherein the heat dissipating unit (3) is installed at the lower end of the adhesive film layer (5) and the LED epitaxy (4), respectively.
하단 재료 구성 유닛(9)의 상단에 LED 에피택시(4) 및 접착필름층(5)이 형성되며, 상기 LED 에피택시(4) 및 접착필름층(5)의 상단에 필름(7) 및 형광필름(8)이 형성되며, 상기 하단 재료 구성 유닛은 일시적인 접착성을 가진 박리 가능층(91) 및 상기 박리 가능층 하단에 고정 설치되는 필름층(92)을 포함한 것을 특징으로 하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조.
An LED epitaxy 4 and an adhesive film layer 5 are formed on the upper end of the lower material constituting unit 9 and the film 7 and the fluorescent film 5 are formed on the upper portions of the LED epitaxy 4 and the adhesive film layer 5, Wherein the lower layer constituting unit includes a peelable layer (91) having a temporary adhesive property and a film layer (92) fixedly installed at the lower end of the peelable layer, wherein the film (8) Luminescent lighting structure.
청구항 3 에 있어서,
상기 박리 가능 층(91)은 실리콘으로 구성될 수 있고, 상기 필름층(92)은 PET(Polyethylene Terephthalate; 폴리에틸렌테레프탈레이트)로 구성되는 것을 특징으로 하는 무포장 웨이퍼 LED 발광 조명 구조.The method of claim 3,
Wherein the peelable layer (91) can be composed of silicon, and the film layer (92) is made of PET (Polyethylene Terephthalate).
KR2020150002961U 2015-05-08 2015-05-08 Non-packaging wafer LED lighting structure KR200479946Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020150002961U KR200479946Y1 (en) 2015-05-08 2015-05-08 Non-packaging wafer LED lighting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020150002961U KR200479946Y1 (en) 2015-05-08 2015-05-08 Non-packaging wafer LED lighting structure

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020130005368U Division KR20150000138U (en) 2013-07-02 2013-07-02 Non-packaging wafer LED lighting structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150002293U KR20150002293U (en) 2015-06-17
KR200479946Y1 true KR200479946Y1 (en) 2016-03-28

Family

ID=53513574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020150002961U KR200479946Y1 (en) 2015-05-08 2015-05-08 Non-packaging wafer LED lighting structure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200479946Y1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040715A (en) * 2009-07-17 2011-02-24 Toray Ind Inc Led mounting substrate and method of manufacturing the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110107134A (en) * 2010-03-24 2011-09-30 박재순 Light emitting unit and fluorescent lamp type lighting apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040715A (en) * 2009-07-17 2011-02-24 Toray Ind Inc Led mounting substrate and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150002293U (en) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101124510B1 (en) Light-emitting diode
KR102454413B1 (en) Light emitting device and vehicle lamp comprising the same
KR101125296B1 (en) Light unit
US9420642B2 (en) Light emitting apparatus and lighting apparatus
US8338851B2 (en) Multi-layer LED array engine
US8421102B2 (en) Semiconductor light-emitting device having a member in a periphery made of a material whose color, transparency or adhesiveness changes overtime due to light or heat emission from the emitting element
TWI606616B (en) Light emitting device package
JP2007227882A (en) Light emitting diode package, and its manufacturing method
KR20140118466A (en) Light emitting device and lighting device including the same
JP6616088B2 (en) LED assembly and LED bulb using the LED assembly
JP2010212679A (en) Light-emitting diode package
JP2009027129A (en) Super-thin side-view light emitting diode (led) package, and manufacturing method thereof
JP6230392B2 (en) Light emitting device
KR101641860B1 (en) Light-emitting element array, Backlight apparatus, and Illumination apparatus
JP2014049764A (en) Side emission type light-emitting diode package and manufacturing method therefor
US20180138160A1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2013191685A (en) Light-emitting device and luminaire using the same
JP2011243990A (en) Light emitting device package and illumination system
JP2017034134A (en) Light emitting device and luminaire
KR200479946Y1 (en) Non-packaging wafer LED lighting structure
JP5005967B2 (en) Light source system
KR20150000138U (en) Non-packaging wafer LED lighting structure
JP3186004U (en) Chip unsealed LED lighting
JP2019036406A (en) Vehicular lighting system and vehicular lighting tool
US9681502B2 (en) Lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
U106 Divisional application of utility model
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee