KR200470950Y1 - 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로 - Google Patents

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Abstract

압전 변압기의 고유 커패시턴스 특성이 압전 커패시터로서 사용되며 광 튜브에 접속된 상기 압전 변압기가 독립적인 인덕터와 직렬 접속되어, 공진 타입 직렬-접속된 또는 병렬-접속된 광-개시 회로를 형성함으로써, 광-개시 효율을 상승시키는 것과 같이, 작은 누설 전류, 낮은 동작 온도, 및 높은 전압 내구성의 효과를 성취하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로가 개시되어 있다. 더욱이, 상술된 상기 회로의 애플리케이션에서, 출력 전압이 부스터 변압기를 통하여 더 증폭되므로, 높은 조도의 특성을 성취한다. 상기 복수의 광 튜브를 구동시킬 때, 상기 압전 커패시터를 포함하는 등가 회로의 고유 임피던스를 일정 값으로 고정되도록 하는데 있어서 고정된 주파수가 사용되므로, 상기 광 튜브 각각에서 흐르는 전류가 등가이고, 상기 복수의 광 튜브에서 전류의 평형을 성취한다.
변압기, 압전 커패시터, 광 튜브, 출력 전압, 공진 인덕터.

Description

압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로{A PIEZOELECTRIC TYPE RESONANCE HIGH-VOLTAGE LIGHT-STARTING CIRCUIT}
본 고안은 공진 광-개시 회로에 관한 것이며, 특히 광전 변압기와 직렬로 접속되거나 병렬로 접속된 독립적인 인덕터(inductor)를 갖는 압전 타입 고-전압 광-개시 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 냉음극 형광등(Cold Cathode Fluorescence Lamp: CCIF)의 조명 원리는 통상적인 형광등의 조명 원리와 동일하며, 이의 조명 원리는 고전압이 광 튜브의 전극의 단자를 통해 입력되어, 광 튜브에서, 전자 및 분자가 전극과 고속으로 충돌하게 되어서, 2차 전자 방출을 발생시키는 것이다. 전기 방전이 개시될 때, 전자는 수은 원자와 충돌할 것이므로, 동요된 수은 원자가 253.7nm의 자외선(UV) 광을 발생시키고, 대응하는 색 온도의 가시광을 발생시키는데 있어서 광 튜브의 벽 상에 코팅된 형광 파우더(fluorescent powder)를 자극할 것이다. 이 때문에, 일반적으로, CCFL은 디스플레이어(displayer), 개인용 데이터 보조장치(PDA), 디지털 카메라, 및 핸드셋에 적용 가능하다. 더욱이, CCFL은 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트(backlight)에 필수적인 구성요소이다.
그러나, 액정 디스플레이의 항상 증가하는 애플리케이션으로 인하여, 이의 크기가 점점 더 커지므로, 동일하거나 더 높은 조도를 유지하기 위하여, 백라이트에 사용되는 CCFL의 수가 이에 대응하여 증가되어야 한다. 균일한 조도 분포 및 광 튜브의 긴 서비스 수명에 대한 요구로 인하여, 광 튜브 전류 및 이의 상대적인 차이의 절대 값이 엄격하게 제어되어야 한다. 종래 기술의 다중 광-튜브 모듈 대하여, 종래의 코일 타입 부스터 변압기(coil type booster transformer)가 광 튜브에 병렬 접속된다. 그러나, 이 코일 타입 부스터 변압기의 단점은 효율이 양호하지 않고 코일의 전압 내구성이 충분하지 않으므로, 매우 높은 전압으로의 전원의 급등으로 인하여 파손되기 쉬워서, 단락을 발생시키고 코일을 전소시킨다는 것이며, 이와 같이, 이것은 매우 위험하다. 또 다른 다중 광-튜브 모듈의 구조에 대해서는, 도 1을 참조하라. 도 1에 도시된 바와 같이, 광 튜브들(100) 사이의 전류 차이는 광 튜브(100)의 고 전압 단자에 직렬 접속된 커패시터(110)에 의해 보상되므로, 이것은 큰 누설 전류를 초래하는 경향이 있고, 이의 효율은 상당히 만족스럽지 못하다. 게다가, 커패시터(100)의 전압 내구성이 충분하지 않고, 오작동 커패시터(malfunction capacitor)(110)가 폭발하는 경향이 있고, 불타오를 위험을 초래하기 쉽다.
한편, 백라이트로서 U-형 광 튜브의 애플리케이션에서, 사용된 인버터 및 광 튜브의 량이 상당히 감소될 수 있다. 그러므로, 비용을 고려하면, U-형 광 튜브가 업계에서 상당히 많이 사용된다. 그러나, U-형 튜드의 구부러진 부분에서의 전류 및 전압의 일부가 손실되기 쉽다는 사실로 인하여, 곧고 긴 광 튜브와 동일한 조명 효율을 성취하기 위하여 충분한 전압이 제공되어야 한다. 그러므로, 높은 조명 효율 및 평형화된 튜브 전류를 성취할 수 있는 고-전압 조명 회로의 연구 및 개발이 아마 이 분야에서 가장 긴급한 임무 중 하나이다.
종래 기술의 문제점 및 단점을 고려하여, 본 고안은 종래 기술의 문제점 및 단점을 극복하기 위하여 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 설명한다.
본 고안의 주요 목적은 압전 변압기의 커패시턴스 특성이 압전 변압기와 직렬-접속 또는 병렬-접속된 자신의 인덕터를 갖는 공진 광-개시 회로를 형성하는데 있어서 압전 커패시터로서 사용되므로, 작은 누설 전류, 높은 광-개시 효율, 및 전류 평형의 요건을 충족시킬 수 있는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 제공하는 것이다. 더욱이, 부스터 변압기가 출력 전압을 더 증폭하기 위하여 상기 회로의 출력 단자에 접속되므로, 고전압에서 광-개시를 용이하게 한다.
본 고안의 또 다른 목적은 압전 변압기가 종래의 광-개시 회로에서의 커패시터 및 코일-타입 부스터 변압기를 대체하는데 사용됨으로써, 더 작은 크기 및 더 우수한 전기 효율을 성취하고, 불충분한 전압 내구성으로 인한 오작동 및 과열의 위험을 피할 수 있는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 제공하는 것이다. 그러므로, 이것은 신뢰성이 높고, 시장 경쟁에서 더 양호한 경쟁적인 날카로움을 갖는다.
본 고안의 부가적인 목적은 최종적인 제품의 콤팩트한 크기를 실현하기 위하여 사용된 배선의 길이를 감소시키는데 있어서 직렬-접속이 사용되는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 제공하는 것이다.
그러므로, 상술된 목적을 성취하기 위하여, 본 고안은 원래 고전력 초음파 발진기에서 사용되는 압전 세라믹 발진기 플레이트가 압전 커패시터로서 공진 광-개시 회로의 인버터 및 안정기(ballast)에서 대신 사용되는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 제공한다. 상기 공진 광-개시 회로는 전압 승압 비가 부하의 고유 임피던스에 따라 가변될 수 있고, 광 튜브를 구동시키는데 있어서 사용하는데 매우 적합한 특성을 갖는다. 이와 같이, 광 튜브는 작동되지 않을 때, 개방 회로 상태인 것과 등가이며, 이 때, 공진 광-개시 회로는 광 튜브를 순간적으로 작동 및 턴온시키는데 있어서 상당히 높은 전압 승압 비를 제공할 수 있고; 광 튜브가 작동될 때, 등가 임피던스가 감소되어서, 상기 회로의 전압 승압 비가 또한 감소되어, 상기 광 튜브가 안전한 상태에서 정상적으로 동작할 수 있다.
큰 전류 및 높은 조도의 요건을 충족시키기 위하여, 본 고안에서, 부스터 변압기가 출력 전압을 필요한 레벨로 상승시키는데 사용되고 나서, 상승된 전압이 각각의 광 튜브의 2개의 단부에 제공됨으로써, 전력의 효율을 상승시키고, 높은 조도의 출력을 제공하며, 광 튜브 개시 시간을 단축시키므로, 광 튜브의 적절한 동작을 보호한다.
한편, 본 고안은 복수의 광 튜브에서 전류를 평형화시키는데 있어서 적용 가능할 수 있다. 압전 커패시터를 포함하는 등가의 회로의 고유 임피던스는 고정된 주파수를 사용하는 것을 통하여 일정한 값으로 고정됨으로써, 전류 튜브를 통해 흐르는 일정한 전류를 형성한다. 광 튜브에 직렬로 접속된 압전 커패시터의 전기적 특성이 다른 광 튜브에 직렬로 접속된 압전 커패시터 각각의 전기적 특성에 가까울 때, 이들의 고유 임피던스 값은 서로 가까워서, 전류 튜브 각각에서 흐르는 전류가 등가이므로, 광 튜브의 전류 평형을 성취한다.
게다가, 본 고안에서, 압전 커패시터는 공진 광-개시 회로의 프레임워크(framework)를 형성하는데 있어서 독립적인 인덕터와 협동할 수 있고, 풀-브리지 회로(full-bridge circuit)에서의 이중 고-전압 광 개시에서 사용하는데 적합하며; 물론 반-브리지 회로(half-bridge circuit)에서의 단일 고-전압 광 개시에서 사용하는데 또한 적합하다.
본 고안의 부가적인 적용 가능 범위는 이하에 제공된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나, 본 고안의 정신과 범위 내의 다양한 변화 및 변경이 이 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백해질 것이기 때문에, 상세한 설명 및 특정 예가 본 고안의 바람직한 실시예들을 나타내면서, 단지 설명으로서만 제공된다는 점이 이해되어야 한다.
본 고안에 의하면, 작은 누설 전류, 높은 광-개시 효율, 및 전류 평형의 요건을 충족시킬 수 있는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로가 제공된다.
이후에 행해질 본 고안의 상세한 설명과 관련된 도면이 다음과 같이 간략하게 설명된다.
본 고안의 목적, 구성, 특징, 기능 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명을 통해 더 철저하게 인식 및 이해될 수 있다.
본 고안의 실시예에 따른 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도에 대하여 도 2a를 참조하라. 도 2a에 도시된 바와 같이, 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로는 각각의 세트가 2개의 보조 커패시터(50 및 51)에 직렬로 접속되는 복수의 세트의 냉음극 형광등(CCFL)(30)를 주로 포함하며, 복수의 세트의 CCFL(30) 각각은 서로 병렬로 접속되고 나서, 접속된 세트의 CCFL이 부스터 변압기(500)에 결합되고, 상기 부스터 변압기가 공진 인덕터(40) 및 압전 커패시터(10)에 직렬-접속된다. 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로에서, 압전 변압기 자체의 커패시터 특성이 압전 커패시터(10)의 역할을 하는데 사용되며, 이것이 공진 인덕터(40)에 직렬 접속됨으로써, 압전 변압기와 직렬 접속된 인덕터를 갖는 공진 광-개시 회로를 형성해서, 전압 승압 광-개시 기능이 공진 인덕터(40) 및 압전 변압기의 커패시턴스를 조정하는 것을 통해 성취될 수 있게 된다. 한편, 부스터 변압기(500)의 출력 증폭된 특성은 출력 전압을 필요한 레벨로 상승시키는데 있어서 사용되어, 상승된 전압이 필요한 높은 조도의 출력 레벨을 성취하는데 있어서 CCFL(30)의 2개의 단부들에 제공되므로, 고전압에서 광-개시를 용이하게 하고 광 튜브의 더 양호한 보호를 위한 짧은 광-개시 시간 지속기간을 성취한다.
압전 커패시터(10)의 구조는 도 3에 도시된 바와 같다. 도 3에 도시된 바와 같이, 둥근 플레이트 형상의 압전 기판(11)은 압전 잴로 이루어지며, 정사각형 형상 또는 직사각형 형상과 같은 다른 형상이 물론 가능하고, 동일한 둥근 형상의 도전 층(12 및 13)이 압전 기판(11)의 전체 또는 일부의 상부면 및 하부면 상에서 은 페이스트(silver paste), 구리 페이스트, 또는 니켈 페이스트로 이루어지므로, 전 류를 도통시키는 압전 커패시터(10)의 2개의 전극을 형성할 수 있다. 여기서, 압전 커패시터(10)의 등가회로의 회로도에 대하여 도 10을 참조하라. 등가 회로에서, 기계적 특성 및 전기적 특성을 각각 나타내는 등가 저항(R), 등가 인덕터(L), 및 등가 커패시터(Cb 및 Ca)가 도시되어 있다. 압전 커패시터(10) 및 코일 타입 부스터 변압기의 통상적인 커패시터 사이의 차이는; 첫째로, 본 실시예의 압전 커패시터(10)에 대하여, 누설 전류가 더 적고, 전압 내구성이 더 높고, 불타오를 과열의 위험이 없으므로, 광-개시 효율을 상승시킨다는 것; 둘째로, 압전 커패시터가 직렬-접속된 공진 인덕터, 압전 커패시터 및 광 튜브의 배열 이외에, 작은 크기 및 얇은 패키지 두께로 이루어지기 때문에, 사용된 배선의 전체 길이가 감소될 수 있으므로, 최종적인 제품의 콤팩트한 크기를 실현한다.
본 실시예에서, 압전 커패시터(10)는 공진 인덕터(40)와 직렬 접속되지만, 실제로, 본 고안은 이에 제한되지 않는다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 압전 커패시터(10)는 또한 공진 인덕터(40)와 병렬 접속될 수 있다. 병렬 접속에 비하여, 본 고안에서 사용된 직렬 접속이 더 낮은 온도를 유지할 수 있으므로, 더 적은 전력 손실 및 소모를 발생시킨다. 게다가, 보조 커패시터(50 및 51)가 또한 압전 커패시터일 수 있다. 이와 같이, 광-개시 기능을 제공하는 것 이외에, 보조 커패시터는 커패시턴스의 크기를 조정하는데 사용됨으로써, 출력 전류에 대한 미세한-조정을 발생시키고 출력 전력을 최적화를 성취할 수 있다. 광 튜브를 개시할 때, 전압이 순간적으로 증가하지만; 광 튜브를 개시하는 것을 종료할 시에, 고유 임피던스가 감소하는 경향이 있으므로, 전압 승압 비가 감소할 것이다. 그러므로, 추가적인 전 력 소모를 감소시키기 위하여 출력이 조정될 수 있다.
더욱이, 본 고안에서, 압전 변압기에 직렬-접속된 인덕터를 갖는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로가 복수의 광 튜브에서 전류 평형을 효율적으로 유지하는데 사용될 수 있다. 입력 전원 전압이 광-개시 회로를 구동시키는데 있어서 필요한 교류(AC) 전압으로 변환될 때, 압전 커패시터는 저전압을 광 튜브를 개시하는데 필요한 고전압으로 승압하는데 사용된다. 광 튜브의 임피던스 특성의 차이로 인하여, 광 튜브 전류의 차이가 백라이트 조도의 불균일 및 광 튜브의 서비스 수명의 감소를 발생시킬 것이다. 그러므로, 본 고안에서, 압전 커패시터를 포함하는 등기 회로의 고유 임피던스를 일정 값으로 유지해서 광 튜브를 통해 일정 전류가 흐르도록 하기 위하여, 공진 광-개시 회로를 구동시키는데 고정된 주파수가 사용된다. 광 튜브와 직렬로 접속된 압전 커패시터의 전기적 특성이 다른 광 튜브와 직렬로 접속된 압전 커패시터 각각의 전기적 특성과 가까울 때, 이들의 고유 임피던스 값은 서로 가까워서, 광 튜브 각각에서의 전류가 등가이므로, 복수의 광 튜브에 대해 전류 평형을 성취한다.
상술된 실시예에서, 광 튜브(30) 각각에는 반-브리지 공진 회로를 형성하기 위하여 압전 커패시터(10) 및 공진 인덕터(40)가 제공되므로, 제조 비용을 감소시키고 비용 경쟁에서 장점을 가질 수 있다. 물론, 풀-브리지 공진 회로를 형성하는데 있어서 2개의 공진 인덕터(40 및 60)가 제공되는 경우에, 이에 따라 형성된 회로가 또한 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이 더 높은 전력 레벨을 필요로 하는 출력 요소를 구동시킬 수 있다. 도 4a에서는, 2개의 공진 인덕터(40 및 60)가 각각 압전 커패시터(10)와 병렬로 접속되는 실시예가 도시되어 있지만; 도 4b에서는, 2개의 공진 인덕터(40 및 60)가 각각 2개의 압전 커패시터(10 및 20)와 직렬로 접속되는 또 다른 실시예가 도시되어 있다.
게다가, 본 고안의 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로는 다음: 고-강도-방전등(HID), 할로겐화 금속등, 세라믹 폴 형광등(CPFL), 냉음극 형광등(CCFL), 외부 전극 형광등(EEFL), 콤팩트 형광등(CFL), 또는 발광 다이오드(LED)의 단일 패스(single piece)에서 사용될 수 있고; 또한 본 고안의 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로는 다음: 냉음극 형광등(CCFL), 외부 전극 형광등(EEFL), 콤팩터 형광등(CFL), 또는 발광 다이오드(LED)의 복수의 병렬-접속된 피스에서 사용될 수 있다. 외부 전극 형광등(EEFL)(70)(또는 고-강도-방전등(HID), 할로겐화 금속등, 세라믹 폴 형광등(CPFL)), 발광 다이오드(LED)(80), 및 콤팩트 형광등(CFL)(90)으로의 본 고안의 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 적용을 도시한 개략도에 대하여 도 5a 및 5b, 6a 및 6b, 그리고 7a 및 7b를 참조하라. 상술된 구조에서, 2개이 공진 인덕터(40 및 60)는 각각 압전 커패시터(10)와 병렬로 접속되거나; 또는 대안적으로, 공진 인덕터(40 및 60)는 각각 2개의 압전 커패시터(10 및 20)과 직렬로 접속될 수 있다. 물론, 상술된 애플리케이션의 구성은 반-브리지 또는 풀-브리지 공진 회로일 수 있다.
더욱이, 본 고안의 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로는 큰-크기의 백라이트 패널(예를 들어, 42인치 이상)에서 사용될 수 있다. 통상적으로, 이 종류의 큰-크기의 백라이트 패널은 긴 광 튜브(예를 들어, 길이가 1미터 이상)의 설치를 필요로 하여, 광 튜브에서의 커패시턴스 손실 레이트가 다소 높고 광 튜브 사이의 조도의 차이를 생성하기 쉽다. 이 상황에서, 각각의 광 튜브의 전류를 평형화하는데 있어서 독립적인 공진 인덕터 및 압전 커패시터를 필요로 한다. 이중 고전압(풀-브리지) 및 단일 고전압(반-브리지) 입력 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로(200 및 300)가 설명을 위하여 예로서 취해지는 도 8a 및 8b, 9a 및 9b를 참조하라. 도 8a 및 8b에 도시된 바와 같이, 복수의 광 튜브(30) 각각은 2개의 보조 커패시터(50 및 51) 및 2개의 공진 인덕터(41 및 61) 사이에서 직렬-접속되거나, 또는 대안적으로, 도 9a 및 9b에 도시된 바와 같이, 복수의 튜브(30) 각각은 보조 커패시터(10) 및 공진 인덕터(41)에 직렬 접속되고 나서, 함께 병렬로 접속되므로, 필요한 바와 같은 백라이트를 실현할 수 있다. 물론,본 고안은 U-형상 광 튜브에서 사용하는데 특히 적합하므로, 높은 조도의 출력을 제공하고, 고전압에서 광-개시를 용이하게 하며, 짧은 광-개시 시간을 성취하고, 광 튜브의 서비스 수명을 연장시킨다.
바람직한 실시예의 상기의 상세한 설명은 본 고안의 특성 및 정신을 더 명확하게 설명하기 위한 것이다. 그러나, 상술된 바람직한 실시예가 본 발명의 범위를 임의로 한정하고자 하는 것이 아니다. 반대로, 상기 바람직한 실시예의 목적은 첨부된 청구항의 범위 내에 있는 다양한 변화 및 등가의 배열을 포함하는 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 통상적인 커패시터를 사용하는 다중 광-튜브 모듈의 회로도.
도 2a는 압전 커패시터가 공진 인덕터에 직렬 접속되는 본 고안의 실시예에 따른 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도.
도 2b는 압전 커패시터가 공진 인덕터에 병렬 접속되는 본 고안의 실시예에 따른 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도.
도 3은 본 고안의 실시예에 따른 압전 커패시터의 요소의 개략도
도 4a 및 4b는 본 고안의 실시예에 따른 풀-브리지 출력을 갖는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도.
도 5a 및 5b는 본 고안의 실시예에 따른 외부 전극 형광등(EEFL)에 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 적용함으로써 형성된 구조의 회로도.
도 6a 및 6b는 본 고안의 실시예에 따른 발광 다이오드(LED)에 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 적용함으로써 형성된 구조의 회로도.
도 7a 및 7b는 본 고안의 실시예에 따른 콤팩트한 형광등(CFL)에 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로를 적용함으로써 형성된 구조의 회로도.
도 8a 및 8b는 본 고안의 실시예에 따른 풀-브리지 입력을 갖는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도.
도 9a 및 9b는 본 고안의 실시예에 따른 반-브리지 입력을 갖는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로의 회로도.
도 10은 본 고안의 실시예에 따른 압전 커패시터의 등가 회로의 회로도.

Claims (12)

  1. 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로에 있어서,
    압전 기판 및 2개의 도전 층을 포함하는 압전 커패시터로서, 상기 압전 기판에는 상부면 및 하부면이 제공되고, 상기 2개의 도전 층은 상기 압전 기판의 상기 상부면 및 상기 하부면 상에 각각 형성되어, 상기 압전 커패시터의 2개의 전극을 형성하는 상기 압전 커패시터;
    상기 압전 커패시터와 직렬 또는 병렬로 접속된 공진 인덕터;
    상기 압전 커패시터 및 광 튜브에 전기적으로 결합되어, 상기 광 튜브에 더 높은 전압을 제공하는 부스트 변압기; 및
    상기 광 튜브와 병렬로 접속되는 보조 커패시터를 포함하는데,
    상기 보조 커패시터의 수는 2개이며, 상기 광 튜브는 2개의 보조 커패시터 사이에 직렬 접속되는 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공진 인덕터의 수는 2개인 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 2개의 공진 인덕터는 상기 압전 커패시터와 병렬로 접속되거나, 상기 압전 커패시터와 각각 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 튜브는 고-강도-방전등(HID), 할로겐화 금속등, 세라믹 폴 형광등(CPFL), 냉음극 형광등(CCFL), 외부 전극 형광등(EEFL), 콤팩트 형광등(CFL), 또는 발광 다이오드(LED) 중 단일의 피스인 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 튜브는 고-강도-방전등(HID), 할로겐화 금속등, 세라믹 폴 형광등(CPFL), 냉음극 형광등(CCFL), 외부 전극 형광등(EEFL), 콤팩트 형광등(CFL), 또는 발광 다이오드(LED) 중 복수의 피스의 병렬 접속인 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 커패시터는 또 다른 압전 커패시터인 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 2개의 보조 커패시터는 각각 상기 공진 인덕터와 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 튜브 각각은 상기 보조 커패시터 및 상기 공진 인덕터와 각각 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 압전 타입 공진 고-전압 광-개시 회로.
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