KR20040106198A - Memory device capable of reducing package pin number and information process system including the same - Google Patents

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KR20040106198A
KR20040106198A KR1020030076953A KR20030076953A KR20040106198A KR 20040106198 A KR20040106198 A KR 20040106198A KR 1020030076953 A KR1020030076953 A KR 1020030076953A KR 20030076953 A KR20030076953 A KR 20030076953A KR 20040106198 A KR20040106198 A KR 20040106198A
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Abstract

PURPOSE: A memory device capable of reducing the number of package pins and an information processing system including the same are provided to reduce the number of the multi-chip package or the system in package by changing the packet data transmitted in response to the activation of the chip selection signal. CONSTITUTION: A memory device capable of reducing the number of package pins includes a plurality of packet pins, a synchronization memory(1300) and a packet controller(1200). The synchronization memory and the packet controller operate with synchronizing to each clock signal. The packet controller receives each of the packet data through the packet pins with synchronizing to the clock signal when the packet enable signal is activated and converts the inputted packet data into the address and the control signals. And, the synchronization memory receives the address and the control signals with synchronizing to the clock signal.

Description

패키지 핀 수를 줄일 수 있는 메모리 장치 및 그것을 포함한 정보 처리 시스템{MEMORY DEVICE CAPABLE OF REDUCING PACKAGE PIN NUMBER AND INFORMATION PROCESS SYSTEM INCLUDING THE SAME}MEMORY DEVICE CAPABLE OF REDUCING PACKAGE PIN NUMBER AND INFORMATION PROCESS SYSTEM INCLUDING THE SAME}

본 발명은 데이터 처리 시스템 (data processing system)에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 패킷 방식을 이용한 데이터 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a data processing system, and more particularly to a data processing system using a packet method.

PDA (personal digital assistant), 3G 이동전화 (third-generation mobile phone), 디지털 스틸 카메라 (digital still camera), 등과 같은 모바일 어플리케이션 (mobile application)은 소형화 및 다양화를 요구하고 있다. 이러한 요구는 오랫동안 반도체 공정의 미세화 기술로 대응하였다. 그러나, 개발 기간 및 공정 기술의 비용 증가 등으로 미세화의 효과가 얻어지기 어렵게 되고 있다. 그래서 미세화의 효과를 얻기 위해서, MCP (Multi-Chip Package) 기술이 모바일 어플리케이션에 채용되고 있다. MCP란 다른 여러 개의 메모리 칩들 (예를 들면, 노어 플래시, 낸드 플래시, SRAM, UtRAM, 등)을 하나의 패키지에 장착한 복합칩 제품을 말하며, 첨단 패키지 기술을 이용함으로써 일반적으로 쓰이는 메모리와 거의 동일한 수준으로 제조될 수 있다. MCP를 사용할 경우 휴대 기기 각각의 단품을 사용하는 경우보다 내부 실장면적을 50% 이상 줄이고 배선도 단순화할 수 있어, 원가절감과 생산성을 크게 높일 수 있다. 나아가, 미세화의 효과를 얻기 위해서 SIP (System In Package) 기술이 모바일 어플리케이션에 채용되고 있다. SIP란 메모리 제품뿐만 아니라 비메모리 제품을 하나의 패키지에 장착한 제품을 말하며, 요구되는 칩들을 복수로 쌓아서(적층) 내부에서 3차원으로 접속하는 기술이다. 적층화는 단순히 실장 면적의 감소뿐만 아니라 개발 기간의 단축, 비용의 감소, 고속 동작화 등의 효과를 얻을 수 있다.Mobile applications such as personal digital assistants, third-generation mobile phones, digital still cameras, etc., require miniaturization and diversification. This demand has long been addressed by the miniaturization of semiconductor processes. However, the effect of miniaturization is difficult to be obtained due to the development period and the increase in the cost of the process technology. Therefore, in order to obtain the effect of miniaturization, MCP (Multi-Chip Package) technology is employed in mobile applications. MCP is a multi-chip product that has several different memory chips (for example, NOR flash, NAND flash, SRAM, UtRAM, etc.) in one package, and is almost the same as the memory commonly used by using advanced package technology. Can be prepared at a level. When using MCP, the internal mounting area can be reduced by more than 50% and the wiring can be simplified, compared to the case of using a single unit of portable devices, which can greatly reduce cost and productivity. Furthermore, in order to achieve the effect of miniaturization, SIP (System In Package) technology is employed in mobile applications. SIP refers to a product in which not only a memory product but also a non-memory product is mounted in one package, and a plurality of required chips are stacked (stacked) and connected in three dimensions. Stacking can not only reduce the mounting area, but also shorten the development period, reduce the cost, and speed up the operation.

하지만, MCP 제품뿐만 아니라 SIP 제품의 경우, 다수의 칩들을 포함하기 때문에 많은 핀들이 존재하며, 이는 시스템을 구성하는 데 장애가 되고 있다. 게다가, 메모리 장치 역시 많은 핀들 (어드레스 핀들, 데이터 핀들, 제어 핀들, 등)을 가지며, 이는 모바일 어플리케이션에 채용되는 메모리 시스템을 구성하는 데 장애가 되고 있다.However, in the case of SIP products as well as MCP products, there are many pins because they contain a large number of chips, which is a obstacle in configuring the system. In addition, the memory device also has many pins (address pins, data pins, control pins, etc.), which is a barrier to constructing a memory system employed in mobile applications.

본 발명은 외부 핀 수를 줄일 수 있는 메모리 장치 및 그것을 포함한 정보 처리 시스템을 제공하는 것이다.The present invention provides a memory device capable of reducing the number of external pins and an information processing system including the same.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정보 처리 시스템을 보여주는 블록도;1 is a block diagram showing an information processing system according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 1의 패킷 컨트롤러를 보여주는 블록도;2 is a block diagram showing the packet controller of FIG. 1 in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 제어 로직의 출력 신호들을 보여주는 타이밍도;3 is a timing diagram showing output signals of the control logic shown in FIG. 2;

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 3의 직렬-병렬 레지스터들을 보여주는 회로도들;4A-4E are circuit diagrams showing the series-parallel registers of FIG. 3 in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 패킷 데이터 구성을 보여주는 도면;5 shows a packet data configuration according to the first embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 1의 동기형 메모리를 보여주는 블록도;6 is a block diagram showing the synchronous memory of FIG. 1 in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 패킷 컨트롤러 및 동기형 메모리의 동작을 설명하기 위한 타이밍도;7 is a timing diagram for explaining the operation of the packet controller and the synchronous memory according to the present invention;

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정보 처리 시스템을 보여주는 블록도;8 is a block diagram showing an information processing system according to a second embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 8의 패킷 컨트롤러를 보여주는 블록도;9 is a block diagram showing the packet controller of FIG. 8 in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 10 및 도 11는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 패킷 데이터 구성을 보여주는 도면들;10 and 11 show packet data configurations according to a second embodiment of the present invention;

도 12은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 오토 리프레쉬 동작을 설명하기 위한 타이밍도; 그리고12 is a timing diagram for explaining an auto refresh operation according to the second embodiment of the present invention; And

도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 정보 처리 시스템을 보여주는 블록도이다.13 is a block diagram showing an information processing system according to a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 정보 처리 시스템 110 : 메모리 컨트롤러100: information processing system 110: memory controller

120 : 패킷 컨트롤러 130 : 동기형 메모리120: packet controller 130: synchronous memory

121 : 제어 로직 122-126 : 레지스터121: control logic 122-126: register

상술한 제반 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 메모리 장치는 복수 개의 패킷 핀들과; 그리고 각각이 클록 신호에 동기되어 동작하는 동기형 메모리 및 패킷 컨트롤러를 포함한다. 패킷 인에이블 신호가 활성화될 때, 상기 패킷 컨트롤러는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 패킷 핀들을 통해 각각 패킷 데이터를 입력받고, 상기 입력된 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로 변환하며; 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 어드레스 및 제어 신호들을 입력받는다. 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 버스트 동작을 수행하고, 상기 동기형 메모리 및 상기 패킷 컨트롤러는 하나의 패키지 내에 장착된다. 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나이다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a memory device comprises a plurality of packet pins; And a synchronous memory and a packet controller, each of which operates in synchronization with a clock signal. When a packet enable signal is activated, the packet controller receives packet data through the packet pins in synchronization with the clock signal, and converts the input packet data into address and control signals; The synchronous memory receives the address and control signals in synchronization with the clock signal. The synchronous memory performs a burst operation in synchronization with the clock signal, and the synchronous memory and the packet controller are mounted in one package. The package is either a multi-chip package or a system in package.

이 실시예에 있어서, 상기 패킷 핀들 중 어느 하나는 명령에 관련된 패킷 데이터를 받아들이는 데 사용된다. 상기 패킷 데이터는 상기 제어 신호들의 직렬 조합이다. 또는, 상기 패킷 데이터는 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합이다. 상기 패킷 인에이블 신호는 칩 선택 신호이다.In this embodiment, any one of the packet pins is used to accept packet data related to the command. The packet data is a serial combination of the control signals. Alternatively, the packet data is a serial combination of data bits for defining the command. The packet enable signal is a chip select signal.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 메모리 장치는 칩 선택 신호를 입력받는 제 1 핀과; 클록 신호들을 입력받는 제 2 핀들과; 각각이 패킷 데이터를 입력받는 제 3 핀들과; 상기 클록 신호들에 동기되어 동작하는 메모리와; 그리고 상기 클록 신호들에 동기되어 동작하는 패킷 컨트롤러를 포함한다. 칩 선택 신호가 활성화될 때, 상기 패킷 컨트롤러는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 패킷 핀들을 통해 각각 패킷 데이터를 입력받고, 상기 입력된 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로변환하며; 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 어드레스 및 제어 신호들을 입력받는다.According to another feature of the invention, the memory device comprises a first pin for receiving a chip select signal; Second pins receiving clock signals; Third pins each receiving packet data; A memory operating in synchronization with the clock signals; And a packet controller operating in synchronization with the clock signals. When the chip select signal is activated, the packet controller receives packet data through the packet pins in synchronization with the clock signal, and converts the input packet data into address and control signals; The synchronous memory receives the address and control signals in synchronization with the clock signal.

이 실시예에 있어서, 상기 제 3 핀들 중 어느 하나는 명령을 정의하기 위한 패킷 데이터를 입력받는 데 사용되고, 나머지는 어드레스를 나타내는 패킷 데이터를 입력받는 데 사용된다.In this embodiment, one of the third pins is used to receive packet data for defining a command, and the other is used to receive packet data indicating an address.

이 실시예에 있어서, 상기 제 3 핀들 각각은 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들 및 어드레스 신호들이 혼합된 패킷 데이터를 입력받는데 사용된다.In this embodiment, each of the third pins is used to receive packet data mixed with data bits and address signals for defining a command.

이 실시예에 있어서, 메모리 장치는 데이터 신호들을 입출력하는 제 4 핀들과; 클록 인에이블 신호를 입력받는 제 5 핀과; 데이터 스트로브 신호를 입력받는 제 6 핀과; 그리고 데이터 마스킹 신호를 입력받는 제 7 핀을 더 포함하며, 상기 데이터 스트로브 신호, 상기 데이터 마스크 신호, 상기 데이터 신호들, 그리고 상기 클록 인에이블 신호는 상기 동기형 메모리로 직접 전송된다.In this embodiment, the memory device comprises: fourth pins for inputting and outputting data signals; A fifth pin receiving a clock enable signal; A sixth pin receiving a data strobe signal; And a seventh pin receiving a data masking signal, wherein the data strobe signal, the data mask signal, the data signals, and the clock enable signal are directly transmitted to the synchronous memory.

이 실시예에 있어서, 상기 제 3 핀들 중 어느 하나는 명령에 관련된 패킷 데이터를 받아들이는 데 사용된다. 상기 명령에 관련된 패킷 데이터는 상기 제어 신호들의 직렬 조합이거나, 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합이다. 상기 동기형 메모리는 더블 데이터 레이트 동기형 디램 (DDR SDRAM)이다.In this embodiment, any one of the third pins is used to accept packet data related to the command. The packet data related to the command is a serial combination of the control signals or a serial combination of data bits for defining the command. The synchronous memory is a double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 정보 처리 시스템은 클록 신호에 동기되어 동작하는 동기형 메모리 장치와; 상기 클록 신호를 발생하며, 패킷 데이터를 출력하는 메모리 컨트롤러와; 그리고 상기 클록 신호에 동기되어 동작하며, 상기 패킷 데이터를 상기 동기형 메모리 장치의 통신 프로토콜에 적합하도록 상기 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로 변환하는 패킷 컨트롤러를 포함하며, 상기 동기형 메모리 장치 및 상기 패킷 컨트롤러는 하나의 패키지 내에 장착된다.According to still another aspect of the present invention, an information processing system includes: a synchronous memory device operative to be synchronized with a clock signal; A memory controller generating the clock signal and outputting packet data; And a packet controller which operates in synchronization with the clock signal and converts the packet data into address and control signals so as to conform to the communication protocol of the synchronous memory device. The packet controller is mounted in one package.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 정보 처리 시스템은 클록 신호 및 칩 선택 신호를 발생하며, 복수 개의 데이터 패킷들을 출력하는 메모리 컨트롤러와; 칩 선택 신호의 활성화에 응답하여 동작하며, 상기 클록 신호에 동기된 복수 개의 펄스 신호들을 발생하는 제어 로직과; 상기 데이터 패킷들에 각각 대응하며, 각각이 상기 펄스 신호들에 응답하여 대응하는 데이터 패킷의 데이터 비트들을 순차적으로 래치하고 래치된 데이터 비트들을 동시에 출력하는 복수 개의 레지스터들과; 상기 레지스터들 중 어느 하나로부터 출력되는 데이터 비트들에 응답하여 제어 신호들을 발생하는 신호 발생기와; 그리고 상기 클록 신호에 동기되어 동작하며, 상기 신호 발생기로부터 출력되는 제어 신호들을 명령으로서 그리고 나머지 레지스터들로부터 출력되는 데이터 비트들을 어드레스로서 입력받는 동기형 메모리 장치를 포함한다.According to still another aspect of the present invention, an information processing system includes a memory controller for generating a clock signal and a chip select signal and outputting a plurality of data packets; Control logic that operates in response to activation of a chip select signal and generates a plurality of pulse signals synchronized with the clock signal; A plurality of registers respectively corresponding to the data packets, each register sequentially latching data bits of the corresponding data packet in response to the pulse signals and simultaneously outputting the latched data bits; A signal generator for generating control signals in response to data bits output from any one of the registers; And a synchronous memory device which operates in synchronization with the clock signal and receives control signals output from the signal generator as commands and data bits output from the remaining registers as addresses.

본 발명에 따른 정보 처리 시스템 또는 메모리 시스템은 메모리를 포함하며, 메모리에 인가될 어드레스 및 제어 신호들 (특히, 명령을 나타내기 위한 제어 신호들)이 패킷 형태로 전송되도록 구성된다. 패킷 형태로 어드레스 및 제어 신호들을 전송함으로써 메모리를 포함한 패키지의 핀 수를 줄이는 것이 가능하다. 이하 본 발명의 바람직한 실시예들이 참조 도면들에 의거하여 상세히 설명될 것이다.The information processing system or memory system according to the present invention includes a memory and is configured such that address and control signals (especially control signals for indicating a command) to be applied to the memory are transmitted in the form of a packet. By sending address and control signals in the form of packets, it is possible to reduce the pin count of a package containing memory. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정보 처리 시스템 (또는 메모리 시스템)을 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 정보 처리 시스템 (100)은 메모리 컨트롤러 (memory controller) (110), 인터페이스 장치 (interfacedevice)로서 패킷 컨트롤러 (packet controller) (120), 그리고 동기형 메모리 (synchronous memory) (130)를 포함한다. 본 발명의 제 1 실시예에 있어서, 동기형 메모리 (130)는 더블 데이터 레이트 동기형 DRAM (double data rate synchronous DRAM: 이하, "DDR-SDRAM"이라 칭함)으로, 동기형 메모리 (130)가 그것에 국한되지 않음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 본 발명에 따른 정보 처리 시스템 (또는 메모리 시스템) (100)에 있어서, 패킷 컨트롤러 (120) 및 동기형 메모리 (130)는 멀티-칩 패키지 (MCP) 또는 시스템 인 패키지 (SIP)를 구성하도록 하나의 패키지에 장착된다. 나아가, 패킷 컨트롤러 (120) 및 동기형 메모리 (130)가 시스템 온 칩 (System On a Chip: SOC)으로 구성될 수 있음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 패킷 컨트롤러 (120) 및 동기형 메모리 (130)는 메모리 컨트롤러 (110)로부터 출력되는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작하며, 특히 동기형 메모리 (130)는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 버스트 동작 (burst operation)을 수행한다. 메모리 컨트롤러 (110)는 동기형 메모리 (130)에 제공될 어드레스 및 명령 신호들을 패킷 형태로 출력하고, 패킷 컨트롤러 (120)는 동기형 메모리 (130)의 통신 프로토콜 (communication protocol)에 적합하도록 메모리 컨트롤러 (110)로부터 제공되는 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 (또는 명령) 신호들로 변환한다. 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.1 is a block diagram showing an information processing system (or memory system) according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an information processing system 100 according to the present invention includes a memory controller 110, a packet controller 120 as an interface device, and a synchronous memory. 130). In the first embodiment of the present invention, the synchronous memory 130 is a double data rate synchronous DRAM (hereinafter referred to as "DDR-SDRAM"), and the synchronous memory 130 is connected thereto. Not limited to those who have acquired common knowledge in this field. In the information processing system (or memory system) 100 according to the present invention, the packet controller 120 and the synchronous memory 130 are configured to constitute a multi-chip package (MCP) or a system-in-package (SIP). Mounted on the package. Furthermore, it will be apparent to those who have acquired the general knowledge in this field that the packet controller 120 and the synchronous memory 130 can be configured as a System On a Chip (SOC). The packet controller 120 and the synchronous memory 130 operate in synchronization with the clock signals CK and / CK output from the memory controller 110. In particular, the synchronous memory 130 operates as the clock signals CK, / CK) to perform a burst operation. The memory controller 110 outputs address and command signals to be provided to the synchronous memory 130 in the form of a packet, and the packet controller 120 is adapted to the communication protocol of the synchronous memory 130. Converts packet data provided from 110 into address and control (or command) signals. More specifically, it is as follows.

메모리 컨트롤러 (110)는 어드레스 및 명령 신호들을 패킷 형태로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 및 명령 신호들은 동기형 메모리 (130)에 병렬로 인가되는 반면에, 메모리 컨트롤러 (110)는 어드레스 및 명령 신호들을 직렬로 변환하며, 그렇게 변환된 데이터를 이하 "패킷 데이터" (또는 데이터 패킷)라 칭한다. 패킷 데이터 (PACKET0[m:0]-PACKETn[m:0])는 클록 신호 (CK)의 소정의 사이클 동안 (이 실시예에 있어서, 2 사이클) 패킷 컨트롤러 (120)으로 전달된다. 예를 들면, 각 패킷 데이터는 4-비트 데이터로, 클록 신호 (CK)의 반주기마다 1 비트 씩 메모리 컨트롤러 (110)에서 패킷 컨트롤러 (120)로 전달될 것이다. 패킷 컨트롤러 (120)는 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작하며, 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE)에 응답하여 입력된 패킷 데이터를 동기형 메모리 (130)의 통신 프로토롤에 적합하게 변환한다. 패킷 컨트롤러 (120)는 제어 신호 (/CS)가 활성화될 때 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 패킷 데이터를 받아들이기 시작한다. 즉, 칩 선택 신호로서 제어 신호 (/CS)의 활성화는 패킷 데이터가 전송됨을 알리는 패킷 인에이블 신호 (packet enable signal)로서 사용된다.The memory controller 110 converts address and command signals into a packet form. For example, the address and command signals are applied in parallel to the synchronous memory 130, while the memory controller 110 converts the address and command signals in series and converts the converted data into " packet data " Or data packet). Packet data (PACKET0 [m: 0] -PACKETn [m: 0]) is delivered to packet controller 120 for a predetermined cycle of clock signal CK (two cycles in this embodiment). For example, each packet data is 4-bit data, which is transmitted from the memory controller 110 to the packet controller 120 by one bit every half cycle of the clock signal CK. The packet controller 120 operates in synchronization with the clock signals CK and / CK from the memory controller 110 and is a packet input in response to the control signals / CS and CKE from the memory controller 110. Convert data to suit the communication protocol of synchronous memory 130. The packet controller 120 starts to accept packet data from the memory controller 110 when the control signal / CS is activated. That is, activation of the control signal / CS as the chip select signal is used as a packet enable signal indicating that packet data is transmitted.

패킷 컨트롤러 (120)는 어드레스 및 명령 신호들이 혼재되어 있는 m-비트 직렬 데이터를 m-비트 병렬 데이터로 변환한다. 어드레스 및 명령 신호들이 패킷 형태로 전송되는 반면에, 데이터는 변경 없이 그대로 전송된다. 즉, 동기형 메모리 (130)에 데이터를 기입할 때, 패킷 컨트롤러 (120)는 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 데이터 (DQ[15:0])을 동기형 메모리 (130)로 바이패스시킨다. 동기형 메모리 (130)에서 데이터를 독출할 때, 패킷 컨트롤러 (120)는 동기형 메모리 (130)로부터의 데이터 (DQ[15:0])을 메모리 컨트롤러 (110)로 바이패스시킨다. 결과적으로, 동기형 메모리 (130)에/로부터 기입될/독출될 데이터가 메모리 컨트롤러 (110)와 동기형 메모리 (130) 사이에서 직접 전송된다. 동기형 메모리 (130)는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작하며, 패킷 컨트롤러 (120)로부터 출력되는 어드레스 및 제어 (또는 명령) 신호들에 응답하여 읽기/쓰기 동작을 수행한다.The packet controller 120 converts m-bit serial data having mixed address and command signals into m-bit parallel data. While the address and command signals are sent in packet form, the data is sent as-is without modification. That is, when writing data to the synchronous memory 130, the packet controller 120 bypasses the data DQ [15: 0] from the memory controller 110 to the synchronous memory 130. When reading data from the synchronous memory 130, the packet controller 120 bypasses the data DQ [15: 0] from the synchronous memory 130 to the memory controller 110. As a result, data to be written to / read from / from the synchronous memory 130 is transferred directly between the memory controller 110 and the synchronous memory 130. The synchronous memory 130 operates in synchronization with the clock signals CK and / CK, and performs a read / write operation in response to address and control (or command) signals output from the packet controller 120.

앞서 설명된 바와 같이, 패킷 컨트롤러 (120) 및 동기형 메모리 (130)는 하나의 패키지 내에 장착되는 것으로, 동기형 메모리 (130) 즉, DDR-SDRAM는 통상적인 방법으로 어드레스, 명령 및 데이터를 입력받는다. 즉, DDR-SDRAM (130)은 동일한 핀 구성을 갖는다. 만약 패킷 컨트롤러 (120)가 사용되지 않으면, 동기형 메모리 (130)를 포함한 SIP 또는 MCP는 동기형 메모리 (130)에 필요한 모든 핀들을 제공하여야 한다. 반면에, 동기형 메모리 (130)에 필요한 어드레스 및 명령 신호들을 패킷 형태로 메모리 컨트롤러 (110)에서 패킷 컨트롤러 (120)로 전송하는 경우, 동기형 메모리 (130)를 포함한 SIP 또는 MCP는 동기형 메모리 (130)에 필요한 핀들보다 적은 수의 핀들을 필요로 한다.As described above, the packet controller 120 and the synchronous memory 130 are mounted in one package, and the synchronous memory 130, that is, DDR-SDRAM, inputs addresses, commands, and data in a conventional manner. Receive. In other words, the DDR-SDRAM 130 has the same pin configuration. If the packet controller 120 is not used, the SIP or MCP including the synchronous memory 130 must provide all the pins needed for the synchronous memory 130. On the other hand, when transmitting the address and command signals required for the synchronous memory 130 in the form of packets from the memory controller 110 to the packet controller 120, the SIP or MCP including the synchronous memory 130 is a synchronous memory It requires fewer pins than are needed for 130.

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 패킷 컨트롤러 (120) 및 DDR-SDRAM (130)은 하나의 기판 상에 형성되며, 적은 핀수를 갖짐과 동시에 낮은 전력 소모를 달성하기 때문에 L2RAM (Low pin and Low power RAM)이라 명한다. 따라서, 본 발명에 따른 L2RAM은 모바일 어플리케이션에 채용하기에 적합하다.In a preferred embodiment of the present invention, the packet controller 120 and the DDR-SDRAM 130 are formed on one substrate, and because of the low pin count and low power consumption, L 2 RAM (Low pin and Low power RAM). Thus, the L 2 RAM according to the present invention is suitable for adoption in mobile applications.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 1의 패킷 컨트롤러 (120)를 보여주는 블록도이고, 도 3은 도 2에 도시된 제어 로직 (121)의 출력 신호들을 보여주는 타이밍도이다. 패킷 컨트롤러 (120)의 실시예는 패킷 데이터 수 (n)가 5이고각 패킷 데이터는 4-비트 데이터임을 가정하여 구현되었다. 하지만, 패킷 데이터 수 및 패킷 데이터의 비트 수가 적용되는 메모리 시스템 (또는 정보 처리 시스템)에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다.FIG. 2 is a block diagram showing the packet controller 120 of FIG. 1 in accordance with a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a timing diagram showing the output signals of the control logic 121 shown in FIG. The embodiment of the packet controller 120 has been implemented assuming that the packet data number n is 5 and each packet data is 4-bit data. However, it will be apparent to those skilled in the art that the number of packet data and the number of bits of the packet data may be variously changed depending on the memory system (or information processing system) to which the packet data is applied.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패킷 컨트롤러 (120)는 제어 로직 (control logic) (121)과 5개의 직렬-병렬 레지스터들 (serial-to-parallel registers) (122, 123, 124, 125, 126)을 포함한다. 제어 로직 (121)은 메모리 컨트롤러 (110)로부터 제공되는 클록 신호들 (CK, /CK) 및 제어 신호들 (/CS, CKE)을 입력받고, 레지스터들 (122-126)의 입출력 동작을 제어하기 위한 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)을 발생한다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제어 로직 (121)은 칩 선택 신호 (/CS)의 활성화에 응답하여 T1-T4 시점들에서 클록 신호 (CK)의 상승 에지들에 동기된 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)을 순차적으로 발생한다. 게다가, 제어 로직 (121)은 펄스 신호 (PCLK4)가 생성되는 구간 내에서 펄스 신호 (PCLK4)에 동기된 펄스 신호 (PCLKD)를 발생한다. 즉, 칩 선택 신호 (/CS)가 활성화된 후에, 패킷 데이터가 패킷 컨트롤러 (120)에 유효하게 입력되며, 그러므로 칩 선택 신호 (/CS)는 패킷 데이터의 전송 시작을 알리는 신호로서 사용된다.Referring to FIG. 2, a packet controller 120 according to a preferred embodiment of the present invention includes control logic 121 and five serial-to-parallel registers 122, 123, 124, 125, 126). The control logic 121 receives the clock signals CK and / CK and the control signals / CS and CKE provided from the memory controller 110 and controls the input / output operation of the registers 122-126. To generate pulse signals (PCLK1-PCLK4, PCLKD). For example, as shown in FIG. 3, the control logic 121 is a pulse signal synchronized to the rising edges of the clock signal CK at T1-T4 time points in response to the activation of the chip select signal / CS. (PCLK1-PCLK4) occur sequentially. In addition, the control logic 121 generates the pulse signal PCLKD synchronized with the pulse signal PCLK4 within the period in which the pulse signal PCLK4 is generated. In other words, after the chip select signal / CS is activated, the packet data is effectively input to the packet controller 120, and therefore the chip select signal / CS is used as a signal indicating the start of transmission of the packet data.

다시 도 2를 참조하면, 레지스터들 (122-126) 각각은 제어 로직 (121)으로부터의 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)에 응답하여 동작하며, 대응하는 패킷 데이터 (PACKET0[3:0]-PACKET4[3:0])를 각각 입력받는다. 패킷 데이터 (PACKET0[3:0]-PACKET4[3:0])는 4-비트 직렬 데이터로, 대응하는 레지스터들을 통해 병렬 데이터로 변환된다. 변환된 데이터 비트들은 어드레스 (ADDR[13:0], BA[1:0]) 및 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, DM)로서 동기형 메모리 (130)로 동시에 전달된다. 동기형 메모리 (130)은 패킷 컨트롤러 (120)로부터 동시에 병렬로 출력되는 어드레스 및 제어 신호들에 응답하여 버스트 동작을 수행한다.Referring back to FIG. 2, each of the registers 122-126 operates in response to the pulse signals PCLK1-PCLK4, PCLKD from the control logic 121, and corresponds to the corresponding packet data PACKET0 [3: 0]. -PACKET4 [3: 0]) is input respectively. Packet data (PACKET0 [3: 0] -PACKET4 [3: 0]) is 4-bit serial data, which is converted into parallel data through corresponding registers. The converted data bits are simultaneously delivered to the synchronous memory 130 as addresses ADDR [13: 0], BA [1: 0] and control signals (/ RAS, / CAS, / WE, DM). The synchronous memory 130 performs a burst operation in response to address and control signals output from the packet controller 120 in parallel at the same time.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 3의 직렬-병렬 레지스터들 (122-126)을 보여주는 회로도들이다.4A-4E are circuit diagrams showing the series-parallel registers 122-126 of FIG. 3 in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

먼저 도 4a를 참조하면, 직렬-병렬 레지스터 (122)는 복수 개의 스위치들 (SW1-SW8), 복수 개의 래치들 (LAT1-LAT8), 복수 개의 MOS 트랜지스터들 (M1-M8), 그리고 인버터들 (INV7, INV13, INV20, INV24)로 구성되며, 도면에 도시된 바와 같이 연결되어 있다. 각 스위치는 전달 게이트와 인버터로 구성되며, 각 래치는 2개의 인버터들로 구성된다. 래치들 (LAT1-LAT8)은 제어 신호 (VCCH)가 로우로 활성화될 때 대응하는 MOS 트랜지스터들을 통해 하이 또는 로우로 각각 초기화된다. 제어 신호 (VCCH)는 파워-온 리세트 신호 (power-on reset signal)로, 잘 알려진 파워-온 검출 회로 (미도시됨)에 의해서 생성된다.Referring first to FIG. 4A, the series-parallel register 122 includes a plurality of switches SW1-SW8, a plurality of latches LAT1-LAT8, a plurality of MOS transistors M1-M8, and inverters ( INV7, INV13, INV20, and INV24), and are connected as shown in the figure. Each switch consists of a transfer gate and an inverter, and each latch consists of two inverters. The latches LAT1-LAT8 are initialized high or low via corresponding MOS transistors, respectively, when the control signal VCCH is activated low. The control signal VCCH is a power-on reset signal, which is generated by a well-known power-on detection circuit (not shown).

4-비트 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])가 "/RAS, /CAS, /WE, DM"로 구성되어 있다고 가정하자. 하지만, 4-비트 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])가 "/RAS, /CAS, /WE, DM"로 제한되지 않음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 예를 들면, 4-비트 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])가 "/RAS, /CAS, /WE, CS" (CS는 내부 칩 선택 신호를 의미함)로 구성될 수 있다. 앞서의 가정에 따르면, 먼저, 펄스 신호 (PCLK1)가 하이로 활성화될 때, "/RAS"인 패킷 데이터 (PACKET0[0])가 스위치 (SW1)를 통해 래치 (LAT1)에 래치된다. 펄스 신호 (PCLK2)가 하이로 활성화될 때, "/CAS"인 패킷 데이터 (PACKET0[1])가 스위치 (SW3)를 통해 래치 (LAT3)에 래치된다. 펄스 신호 (PCLK3)가 하이로 활성화될 때, "/WE"인 패킷 데이터 (PACKET0[2])가 스위치 (SW5)를 통해 래치 (LAT5)에 래치된다. 펄스 신호 (PCLK4)가 하이로 활성화될 때, "DM"인 패킷 데이터 (PACKET0[3])가 스위치 (SW7)을 통해 래치 (LAT7)에 래치된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 펄스 신호 (PCLK4)가 활성화되는 구간 (T3-T4) 내에서 펄스 신호 (PCLKD)가 활성화될 때, 래치들 (LAT1, LAT3, LAT5, LAT7)의 내용들이 대응하는 스위치들 (SW2, SW4, SW6, SW8)을 통해 래치들 (LAT2, LAT4, LAT6, LAT8)로 각각 전달된다. 결과적으로, 레지스터 (122)는 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)에 동기되어 4-비트 직렬 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])를 입력받고, 펄스 신호 (PCLKD)에 동기되어 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, DM)을 동시에 (또는 병렬로) 출력한다.Assume that 4-bit packet data (PACKET0 [3: 0]) consists of "/ RAS, / CAS, / WE, DM". However, it is obvious to those who have learned the general knowledge in this field that 4-bit packet data (PACKET0 [3: 0]) is not limited to "/ RAS, / CAS, / WE, DM". For example, the 4-bit packet data (PACKET0 [3: 0]) may be composed of "/ RAS, / CAS, / WE, CS" (CS means an internal chip select signal). According to the above assumption, first, when the pulse signal PCLK1 is activated high, the packet data PACKET0 [0] of "/ RAS" is latched to the latch LAT1 through the switch SW1. When the pulse signal PCLK2 is activated high, the packet data PACKET0 [1], which is " / CAS " is latched to the latch LAT3 via the switch SW3. When the pulse signal PCLK3 is activated high, the packet data PACKET0 [2] which is " / WE " is latched to the latch LAT5 via the switch SW5. When the pulse signal PCLK4 is activated high, the packet data PACKET0 [3] which is "DM" is latched to the latch LAT7 via the switch SW7. As shown in FIG. 3, when the pulse signal PCLKD is activated within the period T3-T4 where the pulse signal PCLK4 is activated, the contents of the latches LAT1, LAT3, LAT5, and LAT7 correspond to each other. The switches SW2, SW4, SW6, and SW8 are transferred to the latches LAT2, LAT4, LAT6, and LAT8, respectively. As a result, the register 122 receives 4-bit serial packet data PACKET0 [3: 0] in synchronization with the pulse signals PCLK1-PCLK4, and control signals (/) in synchronization with the pulse signal PCLKD. RAS, / CAS, / WE, DM) at the same time (or in parallel).

도 4b 내지 도 4e에 도시된 레지스터들 (123-126)은 래치들의 초기화 값들이 다르다는 점을 제외하면 도 4a에 도시된 것과 실질적으로 동일하며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략된다.The registers 123-126 shown in FIGS. 4B-4E are substantially the same as those shown in FIG. 4A except that the initialization values of the latches are different, and a description thereof is therefore omitted.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패킷 데이터 구성을 보여주는 도면이다. 이 실시예에 있어서, 패킷 데이터는 4-비트 직렬 데이터이다. 먼저, T1 구간에서, 각 패킷 데이터의 첫 번째 데이터 비트들 (/RAS, BA0, BA1, A0, A1)은 펄스 신호 (PCLK1)가 활성화될 때 레지스터들 (122-126) 내에 각각 래치된다. T2 구간에서, 각 패킷 데이터의 두 번째 데이터 비트들 (/CAS, A2, A3, A4, A5)은 펄스 신호 (PCLK2)가 활성화될 때 레지스터들 (122-126) 내에 각각 래치된다. T3 구간에서, 각 패킷 데이터의 세 번째 데이터 비트들 (/WE, A6, A7, A8, A9)은 펄스 신호 (PCLK3)가 활성화될 때 레지스터들 (122-126) 내에 각각 래치된다. T4 구간에서, 각 패킷 데이터의 네 번째 데이터 비트들 (DM, A10, A11, A12, A13)은 펄스 신호 (PCLK4)가 활성화될 때 레지스터들 (122-126) 내에 각각 래치된다.5 is a diagram illustrating a packet data configuration according to a preferred embodiment of the present invention. In this embodiment, the packet data is 4-bit serial data. First, in the T1 interval, the first data bits (/ RAS, BA0, BA1, A0, A1) of each packet data are respectively latched in the registers 122-126 when the pulse signal PCLK1 is activated. In the T2 interval, the second data bits (/ CAS, A2, A3, A4, A5) of each packet data are latched in the registers 122-126 respectively when the pulse signal PCLK2 is activated. In the T3 period, the third data bits (/ WE, A6, A7, A8, A9) of each packet data are latched in the registers 122-126 respectively when the pulse signal PCLK3 is activated. In the T4 interval, the fourth data bits DM, A10, A11, A12, A13 of each packet data are latched in the registers 122-126, respectively, when the pulse signal PCLK4 is activated.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 1의 동기형 메모리 (130)를 보여주는 블록도이다. 본 발명에 따른 동기형 메모리 (130)는 DDR-SDRAM을 이용하여 구성되었지만, 본 발명의 동기형 메모리 (130)가 그것에 국한되지 않음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 본 발명에 따른 동기형 메모리 (130)는 메모리 컨트롤러 (110)로부터 제공되는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작한다. 다시 말해서, 동기형 메모리 (130)의 읽기/쓰기 동작은 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 수행된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 클록 신호들 (CK, /CK)은 타이밍 레지스터 (201), 어드레스 레지스터 (202), 데이터 스트로브 발생 회로 (213), 데이터 출력 버퍼 회로 (214), 그리고 데이터 입력 레지스터 회로 (216)에 사용된다.6 is a block diagram illustrating the synchronous memory 130 of FIG. 1 in accordance with a preferred embodiment of the present invention. Although the synchronous memory 130 according to the present invention is constructed using DDR-SDRAM, it is apparent to those who have acquired common knowledge in the art that the synchronous memory 130 of the present invention is not limited thereto. The synchronous memory 130 according to the present invention operates in synchronization with the clock signals CK and / CK provided from the memory controller 110. In other words, the read / write operation of the synchronous memory 130 is performed in synchronization with the clock signals CK and / CK. As shown in FIG. 6, clock signals CK and / CK from the memory controller 110 include a timing register 201, an address register 202, a data strobe generation circuit 213, a data output buffer circuit ( 214, and data input register circuit 216.

비록 메모리 컨트롤러 (110)에서 패킷 형태로 어드레스 및 명령 신호들이 패킷 컨트롤러 (120)에 제공되지만, 동기형 메모리 (130)는 패킷 컨트롤러 (120)가 통상적인 SDRAM 통신 프로토콜 방식으로 제공하는 어드레스 및 명령 신호들에 따라 정상적으로 동작한다. 즉, 기본적으로, 동기형 메모리 (130)는 이 분야의 잘 알려진 DDR-SDRAM과 동일하게 동작하며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략될 것이다. 특히, 본 발명에 따른 동기형 메모리 (130)가, 앞서 설명된 바와 같이, 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 버스트 동작 (또는 내부적으로 열 어드레스를 증가시키는 동작)을 수행한다. DDR-SDRAM의 버스트 동작의 기준이 되는 내부 동작 주파수는 메모리 컨트롤러 (110)에서 제공되는 클록 신호 (CK)의 주파수와 동일하다.Although the address and command signals are provided to the packet controller 120 in the form of packets at the memory controller 110, the synchronous memory 130 provides the address and command signals provided by the packet controller 120 in a conventional SDRAM communication protocol. It works normally depending on the field. That is, basically, the synchronous memory 130 operates identically to the well-known DDR-SDRAM in this field, and a description thereof will therefore be omitted. In particular, the synchronous memory 130 according to the present invention performs a burst operation (or an operation of increasing a column address internally) in synchronization with the clock signals CK and / CK, as described above. The internal operating frequency, which is a reference for burst operation of the DDR-SDRAM, is the same as the frequency of the clock signal CK provided from the memory controller 110.

도 7은 본 발명에 따른 패킷 컨트롤러 (120) 및 동기형 메모리 (130)의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 잘 알려진 바와 같이, 데이터를 읽기 위해서 행 어드레스와 함께 액티브 명령 (active command)이 SDRAM에 주어지고, 소정 시간 후에 열 어드레스와 함께 읽기 명령 (read command)이 SDRAM에 주어진다. 이 실시예에서, 읽기 동작을 이용하여 패킷 컨트롤러 (120)의 동작이 설명될 것이다. 하지만, 쓰기 동작의 경우, 패킷 컨트롤러 (120)의 동작은 읽기 동작의 그것과 동일하게 수행되며, 그것에 대한 설명은 여기서 생략될 것이다.7 is a timing diagram illustrating the operation of the packet controller 120 and the synchronous memory 130 according to the present invention. As is well known, an active command is given to the SDRAM with a row address to read data, and after a predetermined time a read command is given to the SDRAM with a column address. In this embodiment, the operation of the packet controller 120 using the read operation will be described. However, in the case of a write operation, the operation of the packet controller 120 is performed in the same manner as that of the read operation, and a description thereof will be omitted here.

동기형 메모리 (130)로부터 데이터를 읽기 위해서, 먼저, 메모리 컨트롤러 (110)는 클록 신호들 (CK, /CK) 및 제어 신호들 (CKE, /CS)과 함께 액티브 명령 및 행 어드레스를 포함하는 4-비트 직렬 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0])을 패킷 컨트롤러 (120)로 출력한다. 패킷 컨트롤러 (120)의 제어 로직 (121)은 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE) 및 클록 신호들 (CK, /CK)에 응답하여 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)을 순차적으로 발생한다. 패킷 컨트롤러 (120)의 레지스터들 (122-126)은 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)에 응답하여 대응하는 패킷 데이터 (PACKET0[3:0],PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0]) 각각의 4개의 데이터 비트들을 순차적으로 래치한다. 그렇게 래치된 데이터 비트들은 펄스 신호 (PCLKD)가 활성화될 때 동시에 출력된다. 즉, 병렬로 변환된 데이터 비트들은 어드레스 (ADDR[12:0], BA[1:0]) 및 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, DM)로서 동기형 메모리 (130)로 전달된다. 레지스터들 (122-126) 각각은 1번째/2번째 사이클의 클록 신호 (CK)의 하이 에지 및 로우 에지에서 각각 입력되는 데이터 비트들을 받아들이고, 그렇게 입력된 데이터 비트들은 동시에 동기형 메모리 (130)로 전달된다. 동기형 메모리 (130)는 3번째 사이클에서 액티브 명령 및 행 어드레스 신호들을 받아들인다.To read data from synchronous memory 130, first, memory controller 110 includes an active command and a row address along with clock signals CK and / CK and control signals CKE and / CS. Outputs the bit serial packet data (PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0], PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) to the packet controller 120. . The control logic 121 of the packet controller 120 controls the pulse signals PCLK1-PCLK4 and PCLKD in response to the control signals / CS and CKE and the clock signals CK and / CK from the memory controller 110. ) Occurs sequentially. The registers 122-126 of the packet controller 120 correspond to the corresponding packet data PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0] in response to the pulse signals PCLK1-PCLK4. , PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) sequentially latches four data bits. The data bits so latched are output simultaneously when the pulse signal PCLKD is activated. That is, the data bits converted in parallel are transferred to the synchronous memory 130 as addresses ADDR [12: 0], BA [1: 0] and control signals (/ RAS, / CAS, / WE, DM). do. Each of the registers 122-126 accepts data bits input at the high edge and the low edge of the clock signal CK of the 1st / 2nd cycle, respectively, and the input data bits are simultaneously input to the synchronous memory 130. Delivered. Synchronous memory 130 receives active command and row address signals in a third cycle.

그 다음에, 메모리 컨트롤러 (110)는 클록 신호들 (CK, /CK) 및 제어 신호들 (CKE, /CS)과 함께 읽기 명령 및 열 어드레스를 포함하는 4-비트 직렬 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0])을 패킷 컨트롤러 (120)로 출력한다. 패킷 컨트롤러 (120)의 제어 로직 (121)은 메모리 컨트롤러 (110)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE) 및 클록 신호들 (CK, /CK)에 응답하여 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)을 순차적으로 발생한다. 패킷 컨트롤러 (120)의 레지스터들 (122-126)은 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)에 응답하여 대응하는 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0]) 각각의 4개의 데이터 비트들을 순차적으로 래치한다. 그렇게 래치된 데이터 비트들은 펄스 신호 (PCLKD)가 활성화될 때 동시에 출력된다. 즉, 병렬로 변환된 데이터 비트들은 열 어드레스 및 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, DM)로서동기형 메모리 (130)로 전달된다. 레지스터들 (122-126) 각각은 3번째/4번째 사이클의 클록 신호 (CK)의 하이 에지 및 로우 에지에서 각각 입력되는 데이터 비트들을 받아들이고, 그렇게 입력된 데이터 비트들은 동시에 동기형 메모리 (130)로 전달된다. 동기형 메모리 (130)는 5번째 사이클에서 읽기 명령 및 열 어드레스를 받아들인다. 이후, 잘 알려진 방법에 따라 데이터 읽기 동작이 수행될 것이다.Then, the memory controller 110, together with the clock signals (CK, / CK) and control signals (CKE, / CS), the 4-bit serial packet data (PACKET0 [3 :) including a read command and a column address. 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0], PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) are output to the packet controller 120. The control logic 121 of the packet controller 120 controls the pulse signals PCLK1-PCLK4 and PCLKD in response to the control signals / CS and CKE and the clock signals CK and / CK from the memory controller 110. ) Occurs sequentially. The registers 122-126 of the packet controller 120 correspond to the corresponding packet data PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0] in response to the pulse signals PCLK1-PCLK4. , PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) sequentially latches four data bits. The data bits so latched are output simultaneously when the pulse signal PCLKD is activated. That is, the data bits converted in parallel are transferred to the synchronous memory 130 as column address and control signals (/ RAS, / CAS, / WE, DM). Each of the registers 122-126 accepts data bits input at the high edge and the low edge of the clock signal CK of the third and fourth cycles, respectively, and the input data bits are simultaneously input to the synchronous memory 130. Delivered. Synchronous memory 130 accepts a read command and a column address in the fifth cycle. The data read operation will then be performed according to well known methods.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정보 처리 시스템 (또는 메모리 시스템)을 보여주는 블록도이다.8 is a block diagram showing an information processing system (or memory system) according to a second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 정보 처리 시스템 (1000)은 메모리 컨트롤러 (1100), 패킷 컨트롤러 (1200), 그리고 동기형 메모리 (1300)를 포함한다. 본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 동기형 메모리 (1300)는 DDR-SDRAM으로, 동기형 메모리 (1300)가 그것에 국한되지 않음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 본 발명에 따른 정보 처리 시스템 (또는 메모리 시스템) (1000)에 있어서, 패킷 컨트롤러 (1200) 및 동기형 메모리 (1300)는 멀티-칩 패키지 (MCP) 또는 시스템 인 패키지 (SIP)를 구성하도록 하나의 패키지에 장착된다. 나아가, 패킷 컨트롤러 (1200) 및 동기형 메모리 (1300)가 시스템 온 칩 (System On a Chip: SOC)으로 구성될 수 있음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다.Referring to FIG. 8, an information processing system 1000 according to the present invention includes a memory controller 1100, a packet controller 1200, and a synchronous memory 1300. In the second embodiment of the present invention, the synchronous memory 1300 is a DDR-SDRAM, and it is apparent to those who have acquired common knowledge in this field that the synchronous memory 1300 is not limited thereto. In the information processing system (or memory system) 1000 according to the present invention, the packet controller 1200 and the synchronous memory 1300 are configured to constitute a multi-chip package (MCP) or a system-in-package (SIP). Mounted on the package. Furthermore, it will be apparent to those who have acquired the general knowledge in this field that the packet controller 1200 and the synchronous memory 1300 may be configured as a System On a Chip (SOC).

패킷 컨트롤러 (1200) 및 동기형 메모리 (1300)는 메모리 컨트롤러 (1100)로부터 출력되는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작하며, 특히 동기형 메모리 (1300)는 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 버스트 동작을 수행한다. 메모리 컨트롤러 (1100)는 동기형 메모리 (1300)에 제공될 어드레스 및 명령 신호들로서 패킷데이터를 출력하고, 패킷 컨트롤러 (1200)는 메모리 컨트롤러 (1100)로부터 제공되는 패킷 데이터를 동기형 메모리 (1300)의 어드레스 및 제어 (또는 명령) 신호들로 변환한다. 이 실시예에 있어서, 데이터 스트로브 신호 (DS) 및 데이터 마스킹 신호 (DM)는 패킷 컨트롤러 (1200)를 경유하지 않고 메모리 컨트롤러 (1100)에서 직접 동기형 메모리 (1300)로 전송된다. 마찬가지로, 데이터 (DQi) 역시 패킷 컨트롤러 (1200)를 경유하지 않고 메모리 컨트롤러 (1100)에서 동기형 메모리 (1300)로 그리고 동기형 메모리 (1300)에서 메모리 컨트롤러 (1100)로 직접 전송된다.The packet controller 1200 and the synchronous memory 1300 operate in synchronization with the clock signals CK and / CK output from the memory controller 1100. In particular, the synchronous memory 1300 may operate in response to the clock signals CK, / CK) to perform a burst operation. The memory controller 1100 outputs packet data as addresses and command signals to be provided to the synchronous memory 1300, and the packet controller 1200 transmits the packet data provided from the memory controller 1100 to the synchronous memory 1300. Convert to address and control (or command) signals. In this embodiment, the data strobe signal DS and the data masking signal DM are transmitted from the memory controller 1100 directly to the synchronous memory 1300 without passing through the packet controller 1200. Similarly, the data DQi is also transmitted directly from the memory controller 1100 to the synchronous memory 1300 and from the synchronous memory 1300 to the memory controller 1100 without passing through the packet controller 1200.

메모리 컨트롤러 (1100)는 어드레스 및 명령 신호들을 패킷 형태로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 및 명령 신호들은 동기형 메모리 (1300)에 병렬로 인가되는 반면에, 메모리 컨트롤러 (1100)는 어드레스 및 명령 신호들을 직렬로 변환하며, 그렇게 변환된 데이터를 이하 "패킷 데이터"라 칭한다. 패킷 데이터 (PACKET0[m:0]-PACKETn[m:0])는 클록 신호 (CK)의 소정의 사이클 동안 (이 실시예에 있어서, 2 사이클) 패킷 컨트롤러 (1200)으로 전달된다. 예를 들면, 각 패킷 데이터는 4-비트 데이터로, 클록 신호 (CK)의 반주기마다 1 비트 씩 메모리 컨트롤러 (1100)에서 패킷 컨트롤러 (1200)로 전달될 것이다. 패킷 컨트롤러 (1200)는 메모리 컨트롤러 (1100)로부터의 클록 신호들 (CK, /CK)에 동기되어 동작하며, 메모리 컨트롤러 (1100)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE)에 응답하여 입력된 패킷 데이터를 동기형 메모리 (1300)의 통신 프로토롤에 적합하게 변환한다. 패킷 컨트롤러 (1200)는 제어 신호 (/CS)가 활성화될 때 메모리 컨트롤러 (1100)로부터의 패킷 데이터를 받아들이기 시작한다. 패킷 컨트롤러 (1200)는 도 1에 도시된 것과 동일한방식으로 패킷 데이터를 입력하여 변환한다.The memory controller 1100 converts address and command signals into a packet form. For example, address and command signals are applied in parallel to synchronous memory 1300, while memory controller 1100 converts address and command signals in series, and so converted data is referred to as " packet data " It is called. Packet data (PACKET0 [m: 0] -PACKETn [m: 0]) is delivered to the packet controller 1200 for a predetermined cycle (in this embodiment, two cycles) of the clock signal CK. For example, each packet data is 4-bit data, which is transmitted from the memory controller 1100 to the packet controller 1200 by one bit every half period of the clock signal CK. The packet controller 1200 operates in synchronization with the clock signals CK and / CK from the memory controller 1100 and is a packet input in response to the control signals / CS and CKE from the memory controller 1100. Convert data to suit the communication protocol of synchronous memory 1300. The packet controller 1200 starts to accept packet data from the memory controller 1100 when the control signal / CS is activated. The packet controller 1200 inputs and converts packet data in the same manner as shown in FIG. 1.

도 1에 도시된 패킷 컨트롤러 (120)와 비교하여 볼 때, 도 8에 도시된 패킷 컨트롤러 (1200)는 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들을 포함한 패킷 데이터 (예를 들면, PACKET0[m:0])를 입력받아 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생한다. 즉, 패킷 데이터 (PACKET9[m:0])는 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, /CS)의 직렬 조합 (serial combination)이 아니라 각 명령을 나타내는 데이터 비트들의 직렬 조합을 이용하여 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 생성하며, 이는 이하 상세히 설명될 것이다.In comparison with the packet controller 120 shown in FIG. 1, the packet controller 1200 shown in FIG. 8 is configured to include packet data (eg, PACKET0 [m: 0]) including data bits for defining an instruction. Receives and generates control signals (/ RAS, / CAS, / WE, TCS). That is, the packet data PACKET9 [m: 0] is not a serial combination of control signals (/ RAS, / CAS, / WE, / CS), but a serial combination of data bits representing each command. Generate control signals (/ RAS, / CAS, / WE, TCS), which will be described in detail below.

앞서 설명된 바와 같이, 패킷 컨트롤러 (1200) 및 동기형 메모리 (1300)는 하나의 패키지 내에 장착되는 것으로, 동기형 메모리 (1300) 즉, DDR-SDRAM는 통상적인 방법으로 어드레스, 명령 및 데이터를 입력받는다. 즉, DDR-SDRAM (1300)은 동일한 핀 구성을 갖는다. 만약 패킷 컨트롤러 (1200)가 사용되지 않으면, 동기형 메모리 (1300)를 포함한 SIP 또는 MCP는 동기형 메모리 (1300)에 필요한 모든 핀들을 제공하여야 한다. 반면에, 동기형 메모리 (1300)에 필요한 어드레스 및 명령 신호들을 패킷 형태로 메모리 컨트롤러 (1100)에서 패킷 컨트롤러 (1200)로 전송하는 경우, 동기형 메모리 (1300)를 포함한 SIP 또는 MCP는 동기형 메모리 (1300)에 필요한 핀들보다 적은 수의 핀들을 필요로 한다.As described above, the packet controller 1200 and the synchronous memory 1300 are mounted in one package, and the synchronous memory 1300, that is, the DDR-SDRAM, inputs addresses, commands, and data in a conventional manner. Receive. In other words, the DDR-SDRAM 1300 has the same pin configuration. If the packet controller 1200 is not used, the SIP or MCP including the synchronous memory 1300 should provide all the pins needed for the synchronous memory 1300. On the other hand, when transmitting the address and command signals required for the synchronous memory 1300 in the form of a packet from the memory controller 1100 to the packet controller 1200, the SIP or MCP including the synchronous memory 1300 is a synchronous memory It requires fewer pins than are needed for 1300.

제 1 실시예와 마찬가지로, 패킷 컨트롤러 (1200) 및 DDR-SDRAM (1300)은 하나의 기판 상에 형성되며, 적은 핀수를 갖짐과 동시에 낮은 전력 소모를 달성하기때문에 L2RAM이라 명한다. 따라서, 본 발명에 따른 L2RAM은 모바일 어플리케이션에 적합하다.Like the first embodiment, the packet controller 1200 and the DDR-SDRAM 1300 are formed on one substrate and are referred to as L 2 RAM because they have a low pin count and attain low power consumption. Thus, the L 2 RAM according to the present invention is suitable for mobile applications.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 8의 패킷 컨트롤러 (1200)를 보여주는 블록도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패킷 컨트롤러 (1200)는 제어 로직 (1210), 5개의 직렬-병렬 레지스터들 (1220, 1230, 1240, 1250, 1260), 그리고 신호 발생기 (1270)를 포함한다. 제어 로직 (1210) 및 레지스터들 (1220-1260)은 도 2에 도시된 것과 실질적으로 동일하며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략된다.9 is a block diagram illustrating the packet controller 1200 of FIG. 8 in accordance with a preferred embodiment of the present invention. 9, a packet controller 1200 according to a preferred embodiment of the present invention includes a control logic 1210, five serial-parallel registers 1220, 1230, 1240, 1250, 1260, and a signal generator 1270. ). Control logic 1210 and registers 1220-1260 are substantially the same as shown in FIG. 2, and a description thereof is therefore omitted.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 메모리 컨트롤러 (1100)는 패킷 데이터 핀 (PACKET0[3:0])를 통해 4-비트 명령 데이터를 전송한다. 예를 들면, 메모리 컨트롤러 (1100)는 액티브 명령로서 "1000"의 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])를 패킷 컨트롤러 (1200)로 전송한다. 패킷 컨트롤러 (1200)는 직렬로 전송된 "1000"의 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])를 병렬 패킷 데이터 (RC3-RC0)로 변환하며, 신호 발생기 (1270)는 병렬 패킷 데이터 (RC3-RC0)에 입력받아 액티브 명령으로서 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생한다. 메모리 컨트롤러 (1100)는 읽기 명령로서 "0001"의 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])를 패킷 컨트롤러 (1200)로 전송한다. 패킷 컨트롤러 (1200)는 직렬로 전송된 "0001"의 패킷 데이터 (PACKET0[3:0])를 병렬 패킷 데이터 (CC3-CC0)로 변환하며, 신호 발생기 (1270)는 병렬 패킷 데이터 (CC3-CC0)에 입력받아 읽기 명령으로서 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생한다.The memory controller 1100 according to the second embodiment of the present invention transmits 4-bit command data through the packet data pins PACKET0 [3: 0]. For example, the memory controller 1100 transmits packet data "PACKET0 [3: 0]" of "1000" to the packet controller 1200 as an active command. The packet controller 1200 converts the packet data "PACKET0 [3: 0]" of 1000 transmitted serially into parallel packet data RC3-RC0, and the signal generator 1270 converts the parallel packet data RC3-RC0. ) Generates control signals (/ RAS, / CAS, / WE, TCS) as active commands. The memory controller 1100 transmits the packet data "PACKET0 [3: 0]" of "0001" to the packet controller 1200 as a read command. The packet controller 1200 converts serially transmitted packet data (PACKET0 [3: 0]) of "0001" into parallel packet data (CC3-CC0), and the signal generator 1270 converts the parallel packet data (CC3-CC0). ) Generates control signals (/ RAS, / CAS, / WE, TCS) as a read command.

패킷 데이터 핀들 (PACKET0-PACKET4)은 행 패킷 (row packet) 및 열 패킷 (column packet)을 전송하는 데 사용되며, 각 패킷의 구성을 보여주는 도면이 도 10에 도시되어 있다. 이 실시예에 있어서, 패킷 데이터는 4-비트 직렬 데이터이다. 먼저, 행 패킷의 첫 번째 구간 (T1)에서, 각 패킷 데이터의 첫 번째 데이터 비트들 (RC0, BA0, BA1, RA0, RA1)은 펄스 신호 (PCLK1)가 활성화될 때 레지스터들 (1220-1260) 내에 각각 래치된다. 두 번째 전송 구간 (T2)에서, 각 패킷 데이터의 두 번째 데이터 비트들 (RC1, RA2, RA3, RA4, RA5)은 펄스 신호 (PCLK2)가 활성화될 때 레지스터들 (1220-1260) 내에 각각 래치된다. 세 번째 전송 구간 (T3)에서, 각 패킷 데이터의 세 번째 데이터 비트들 (RC2, RA6, RA7, RA8, RA9)은 펄스 신호 (PCLK3)가 활성화될 때 레지스터들 (1220-1260) 내에 각각 래치된다. 네 번째 전송 구간 (T4)에서, 각 패킷 데이터의 네 번째 데이터 비트들 (RC3, RA10/AP, RA11, RA12, RA13)은 펄스 신호 (PCLK4)가 활성화될 때 레지스터들 (1220-1260) 내에 각각 래치된다. 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 제 1 실시예에 달리, 레지스터 (1220)에 래치된 값들 (RC0-RC3)은 신호 발생기 (1270)로 전송되며, 신호 발생기 (1270)는 각 명령 (액티브 명령, 프리챠지 명령, 오토 프리챠지 명령, 모드 레지스터 설정 명령, 등)을 나타내도로고 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생한다. 열 패킷은 앞서 설명된 행 패킷과 동일한 방식으로 전송되며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략될 것이다.Packet data pins PACKET0-PACKET4 are used to transmit row packets and column packets, and a diagram showing the configuration of each packet is shown in FIG. 10. In this embodiment, the packet data is 4-bit serial data. First, in the first interval T1 of the row packet, the first data bits RC0, BA0, BA1, RA0, RA1 of each packet data are registered in the registers 1220-1260 when the pulse signal PCLK1 is activated. Each latched within. In the second transmission period T2, the second data bits RC1, RA2, RA3, RA4, RA5 of each packet data are respectively latched in the registers 1220-1260 when the pulse signal PCLK2 is activated. . In the third transmission period T3, the third data bits RC2, RA6, RA7, RA8, RA9 of each packet data are respectively latched in the registers 1220-1260 when the pulse signal PCLK3 is activated. . In the fourth transmission period T4, the fourth data bits RC3, RA10 / AP, RA11, RA12, RA13 of each packet data are respectively stored in the registers 1220-1260 when the pulse signal PCLK4 is activated. Latched. According to the second embodiment of the present invention, unlike the first embodiment, the values RC0-RC3 latched in the register 1220 are transmitted to the signal generator 1270, and the signal generator 1270 is assigned to each command (active). Command, precharge command, auto precharge command, mode register setting command, etc.) and generate control signals (/ RAS, / CAS, / WE, TCS). The column packet is transmitted in the same manner as the row packet described above, and the description thereof will therefore be omitted.

도 9에 도시된 레지스터들 (1220-1260)은 도 4a 내지도 도 4e에 도시된 것과 실질적으로 동일하게 구성되며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략될 것이다. 마찬가지로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 동기형 메모리 (1300)는 도 6에 도시된 것과 실질적으로 동일하게 구성되며, 그것에 대한 설명은 그러므로 생략될 것이다.The registers 1220-1260 shown in FIG. 9 are configured substantially the same as those shown in FIGS. 4A to 4E, and a description thereof will therefore be omitted. Similarly, the synchronous memory 1300 according to the second embodiment of the present invention is configured substantially the same as that shown in Fig. 6, and a description thereof will therefore be omitted.

도 11은 행 명령 패킷 (row command packet) 및 열 명령 패킷 (column command packet)을 설명하기 위한 도면이다. 도 11을 참조하면, "1000"의 행 패킷 데이터 (RC3-RC0)는 액티브 명령을 나타내고, "0100"의 행 패킷 데이터 (RC3-RC0)는 프리챠지 명령을 나타낸다. "0010"의 행 패킷 데이터 (RC3-RC0)는 오토 리프레쉬 명령을 나타내고, "0110"의 행 패킷 데이터 (RC3-RC0)는 모드 레지스트 설정 명령을 나타낸다. 마찬가지로, "0001"의 열 패킷 데이터 (CC3-CC0)는 읽기 명령을 나타내고, "1001"의 열 패킷 데이터 (CC3-CC0)는 쓰기 명령을 나타낸다. 제어 신호들의 직렬 조합 대신에, 각 명령을 지정하기 위한 데이터 조합으로서 패킷 데이터 (PACKET0)를 전송함으로써 다양한 명령들을 표현하는 것이 가능하다.FIG. 11 is a diagram for describing a row command packet and a column command packet. Referring to FIG. 11, the row packet data RC3-RC0 of "1000" indicates an active command, and the row packet data RC3-RC0 of "0100" indicates a precharge command. The row packet data RC3-RC0 of "0010" represents an auto refresh command, and the row packet data RC3-RC0 of "0110" represents a mode register setting command. Similarly, column packet data CC3-CC0 of "0001" represents a read command, and column packet data CC3-CC0 of "1001" represents a write command. Instead of a serial combination of control signals, it is possible to represent various commands by sending packet data PACKET0 as a data combination for specifying each command.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 정보 처리 시스템 (또는 메모리 시스템)의 동작이 참조 도면들에 의거하여 이하 상세히 설명될 것이다.The operation of the information processing system (or memory system) according to the second embodiment of the present invention will be described in detail below on the basis of the reference drawings.

동기형 메모리 (1300)로부터 데이터를 읽기 위해서, 먼저, 메모리 컨트롤러 (1100)는 클록 신호들 (CK, /CK) 및 제어 신호들 (CKE, /CS)과 함께 액티브 명령 및 행 어드레스를 포함하는 4-비트 직렬 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0])을 패킷 컨트롤러 (1200)로 출력한다. 패킷 컨트롤러 (1200)의 제어 로직 (1210)은 메모리 컨트롤러 (1100)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE) 및 클록 신호들 (CK, /CK)에 응답하여 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)을 순차적으로 발생한다. 패킷 컨트롤러 (1200)의레지스터들 (1220-1260)은 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)에 응답하여 대응하는 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0]) 각각의 4개의 데이터 비트들을 순차적으로 래치한다. 그렇게 래치된 데이터 비트들은 펄스 신호 (PCLKD)가 활성화될 때 동시에 출력된다. 이와 동시에, 신호 발생기 (1270)는 레지스터 (1220)로부터 출력되는 데이터 비트들 (RC0-RC3)에 응답하여 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생하며, 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)은 동기형 메모리 (1300)로 전달된다. 또한, 레지스터들 (1230-1260)을 통해 병렬로 변환된 데이터 비트들은 어드레스 (ADDR[13:0], BA[1:0])로서 동기형 메모리 (130)로 전달된다. 즉, 레지스터들 (1220-1260) 각각은 1번째/2번째 사이클의 클록 신호 (CK)의 하이 에지 및 로우 에지에서 각각 입력되는 데이터 비트들을 받아들이고, 그렇게 입력된 데이터 비트들은 동시에 동기형 메모리 (1300)로 전달된다. 동기형 메모리 (1300)는 3번째 사이클에서 액티브 명령 및 행 어드레스 신호들을 받아들인다.To read data from synchronous memory 1300, first, memory controller 1100 includes an active command and row address along with clock signals CK, / CK and control signals CKE, / CS. Outputs bit serial packet data (PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0], PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) to the packet controller 1200. . The control logic 1210 of the packet controller 1200 may output pulse signals PCLK1-PCLK4 and PCLKD in response to the control signals / CS and CKE and the clock signals CK and / CK from the memory controller 1100. ) Occurs sequentially. The registers 1220-1260 of the packet controller 1200 correspond to the packet data PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], and PACKET2 [3: 0] in response to the pulse signals PCLK1-PCLK4. , PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) sequentially latches four data bits. The data bits so latched are output simultaneously when the pulse signal PCLKD is activated. At the same time, the signal generator 1270 generates control signals / RAS, / CAS, / WE, TCS in response to the data bits RC0-RC3 output from the register 1220, and the control signals ( / RAS, / CAS, / WE, TCS) are transferred to the synchronous memory 1300. In addition, the data bits translated in parallel through the registers 1230-1260 are transferred to the synchronous memory 130 as addresses ADDR [13: 0], BA [1: 0]. That is, each of the registers 1220-1260 receives data bits input at the high edge and the low edge of the clock signal CK of the 1st / 2nd cycle, respectively, so that the input data bits are simultaneously synchronized with the synchronous memory 1300. Is delivered. The synchronous memory 1300 receives active command and row address signals in a third cycle.

그 다음에, 메모리 컨트롤러 (1100)는 클록 신호들 (CK, /CK) 및 제어 신호들 (CKE, /CS)과 함께 읽기 명령 및 열 어드레스를 포함하는 4-비트 직렬 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0])을 패킷 컨트롤러 (1200)로 출력한다. 패킷 컨트롤러 (1200)의 제어 로직 (1210)은 메모리 컨트롤러 (1100)로부터의 제어 신호들 (/CS, CKE) 및 클록 신호들 (CK, /CK)에 응답하여 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4, PCLKD)을 순차적으로 발생한다. 패킷 컨트롤러 (1200)의 레지스터들 (1220-1260)은 펄스 신호들 (PCLK1-PCLK4)에 응답하여대응하는 패킷 데이터 (PACKET0[3:0], PACKET1[3:0], PACKET2[3:0], PACKET3[3:0], PACKET4[3:0]) 각각의 4개의 데이터 비트들을 순차적으로 래치한다. 그렇게 래치된 데이터 비트들은 펄스 신호 (PCLKD)가 활성화될 때 동시에 출력된다. 이와 동시에, 신호 발생기 (1270)는 레지스터 (1220)로부터 출력되는 데이터 비트들 (RC0-RC3)에 응답하여 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)을 발생하며, 제어 신호들 (/RAS, /CAS, /WE, TCS)은 동기형 메모리 (1300)로 전달된다. 또한, 레지스터들 (1230-1260)을 통해 병렬로 변환된 데이터 비트들은 어드레스 (ADDR[13:0], BA[1:0])로서 동기형 메모리 (130)로 전달된다. 즉, 레지스터들 (1220-1260) 각각은 3번째/4번째 사이클의 클록 신호 (CK)의 하이 에지 및 로우 에지에서 각각 입력되는 데이터 비트들을 받아들이고, 그렇게 입력된 데이터 비트들은 동시에 동기형 메모리 (1300)로 전달된다. 동기형 메모리 (1300)는 5번째 사이클에서 읽기 명령 및 열 어드레스를 받아들인다. 이후, 잘 알려진 방법에 따라 데이터 읽기 동작이 수행될 것이다.Then, the memory controller 1100 includes 4-bit serial packet data PACKET0 [3: containing a read command and a column address together with the clock signals CK and / CK and the control signals CKE and / CS. 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0], PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) are output to the packet controller 1200. The control logic 1210 of the packet controller 1200 may output pulse signals PCLK1-PCLK4 and PCLKD in response to the control signals / CS and CKE and the clock signals CK and / CK from the memory controller 1100. ) Occurs sequentially. The registers 1220-1260 of the packet controller 1200 correspond to corresponding packet data (PACKET0 [3: 0], PACKET1 [3: 0], PACKET2 [3: 0] in response to the pulse signals PCLK1-PCLK4. , PACKET3 [3: 0], PACKET4 [3: 0]) sequentially latches four data bits. The data bits so latched are output simultaneously when the pulse signal PCLKD is activated. At the same time, the signal generator 1270 generates control signals / RAS, / CAS, / WE, TCS in response to the data bits RC0-RC3 output from the register 1220, and the control signals ( / RAS, / CAS, / WE, TCS) are transferred to the synchronous memory 1300. In addition, the data bits translated in parallel through the registers 1230-1260 are transferred to the synchronous memory 130 as addresses ADDR [13: 0], BA [1: 0]. That is, each of the registers 1220-1260 receives data bits input at the high edge and the low edge of the clock signal CK of the third and fourth cycles, respectively, and the input data bits are simultaneously synchronized to the synchronous memory 1300. Is delivered. The synchronous memory 1300 receives a read command and a column address in the fifth cycle. The data read operation will then be performed according to well known methods.

본 발명의 실시예들에 따른 정보 처리 시스템에 있어서, 오토 리프레쉬 동작의 경우, 도 12에 도시된 바와 같이, 메모리 컨트롤러는 어드레스의 전송없이 패킷 데이터 핀 (PACKET0)을 통해 패킷 컨트롤러로 오토 리프레쉬 명령을 전송한다. 즉, 패킷 데이터 핀들의 토글은 생기지 않는다. 패킷 컨트롤러는 패킷 데이터 핀 (PACKET0)을 통해 전송된 오토 리프레쉬 명령에 응답하여 제어 신호들을 발생한다. 이후, 동기형 메모리는 패킷 컨트롤러로부터 생성된 제어 신호들에 응답하여 오토 리프레쉬 동작을 수행할 것이다.In the information processing system according to the embodiments of the present invention, in the case of the auto refresh operation, as shown in FIG. 12, the memory controller issues an auto refresh command to the packet controller through the packet data pin PACKET0 without transmitting an address. send. That is, no toggle of packet data pins occurs. The packet controller generates control signals in response to an auto refresh command sent over the packet data pin (PACKET0). The synchronous memory will then perform an auto refresh operation in response to control signals generated from the packet controller.

패킷 컨트롤러 및 동기형 메모리로 구성된 L2RAM이 메모리 컨트롤러에 의해서 제어될 때, 앞서 설명된 바와 같이, 메모리 컨트롤러로부터 출력되는 칩 선택 신호는 패킷 데이터의 전송 시작을 알리는 패킷 인에이블 신호로서 사용된다. 하지만, L2RAM들이 이 모듈 형태로 사용되는 경우, 각 L2RAM에 대응하는 칩 선택 신호는 패킷 데이터의 전송 시작을 알리는 패킷 인에이블 신호로서 그리고 대응하는 L2RAM을 선택하기 위한 선택 신호로서 사용된다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수 개의 L2RAM들이 메모리 컨트롤러에 의해서 제어될 때, 각 L2RAM에는 칩 선택 신호들 (/CS0-/CSn)이 할당될 것이다. 따라서, 각 L2RAM에 대응하는 칩 선택 신호는 패킷 데이터의 전송 시작을 알리는 패킷 인에이블 신호로서 그리고 대응하는 L2RAM을 선택하기 위한 선택 신호로서 사용된다.When the L 2 RAM composed of the packet controller and the synchronous memory is controlled by the memory controller, as described above, the chip select signal output from the memory controller is used as a packet enable signal informing the start of transmission of packet data. However, when L 2 RAMs are used in this module form, the chip select signal corresponding to each L 2 RAM is used as a packet enable signal indicating the start of transmission of packet data and as a select signal for selecting the corresponding L 2 RAM. Used. For example, as shown in FIG. 13, when a plurality of L 2 RAMs are controlled by a memory controller, chip select signals (/ CS0- / CSn) will be allocated to each L 2 RAM. Thus, the chip select signal corresponding to each L 2 RAM is used as a packet enable signal informing the start of transmission of packet data and as a selection signal for selecting the corresponding L 2 RAM.

이상에서, 본 발명에 따른 회로의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the circuit according to the present invention has been shown in accordance with the above description and drawings, but this is only an example, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Of course.

상술한 바와 같이, 패키지 내의 동기형 메모리에 입력될 어드레스 및 명령을 패킷 형태로 전송하고 칩 선택 신호의 활성화에 따라 전송된 패킷 데이터를 변환함으로써, 멀티칩 패키지 또는 시스템 인 패키지의 핀 수를 줄일 수 있다.As described above, the number of pins of a multichip package or a system-in-package can be reduced by transmitting an address and a command to be input to the synchronous memory in the package in the form of a packet and converting the transmitted packet data according to the activation of the chip select signal. have.

Claims (52)

복수 개의 패킷 핀들과; 그리고A plurality of packet pins; And 각각이 클록 신호에 동기되어 동작하는 동기형 메모리 및 패킷 컨트롤러를 포함하며,Each includes a synchronous memory and a packet controller that operate in synchronization with a clock signal, 패킷 인에이블 신호가 활성화될 때, 상기 패킷 컨트롤러는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 패킷 핀들을 통해 각각 패킷 데이터를 입력받고, 상기 입력된 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로 변환하며; 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 어드레스 및 제어 신호들을 입력받는 메모리 장치.When a packet enable signal is activated, the packet controller receives packet data through the packet pins in synchronization with the clock signal, and converts the input packet data into address and control signals; The synchronous memory receives the address and control signals in synchronization with the clock signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 버스트 동작을 수행하는 메모리 장치.And the synchronous memory performs a burst operation in synchronization with the clock signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동기형 메모리 및 상기 패킷 컨트롤러는 하나의 패키지 내에 장착되는 메모리 장치.The synchronous memory and the packet controller are mounted in one package. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나인 메모리장치.The package is any one of a multi-chip package and a system in a package. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패킷 핀들 중 어느 하나는 명령에 관련된 패킷 데이터를 받아들이는 데 사용되는 메모리 장치.Any one of the packet pins is used to accept packet data related to a command. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 패킷 데이터는 상기 제어 신호들의 직렬 조합인 메모리 장치.And the packet data is a serial combination of the control signals. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 패킷 데이터는 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합인 메모리 장치.And said packet data is a serial combination of data bits for defining said command. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동기형 메모리는 더블 데이터 레이트 동기형 디램 (DDR SDRAM)인 메모리 장치.The synchronous memory is a double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패킷 인에이블 신호는 칩 선택 신호인 메모리 장치.The packet enable signal is a chip select signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수 개의 패킷 핀들은 제 1 내지 제 5 패킷 핀들을 포함하며, 상기 제 1 패킷 핀은 상기 명령와 관련된 패킷 데이터를 입력받고 상기 제 2 내지 제 5 패킷 핀들 각각은 상기 어드레스와 관련된 패킷 데이터를 입력받는 메모리 장치.The plurality of packet pins include first to fifth packet pins, wherein the first packet pin receives packet data related to the command and each of the second to fifth packet pins receives packet data related to the address. Memory device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동기형 메모리에/로부터 기입될/독출될 데이터는 상기 패킷 컨트롤러를 경유하지 않고 전송되는 메모리 장치.Data to be written to / read from / from the synchronous memory is transmitted without passing through the packet controller. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동기형 메모리는The synchronous memory 행들과 열들로 배열된 복수 개의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와;A memory cell array having a plurality of memory cells arranged in rows and columns; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 행 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 행들을 선택하는 행 선택 회로와;Row selection circuitry for selecting rows of said memory cell array in response to a row address from said packet controller; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 열 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 열들을 선택하는 열 선택 회로와; 그리고A column selection circuit for selecting columns of the memory cell array in response to a column address from the packet controller; And 상기 선택된 행들 및 열들에 의해서 지정된 메모리 셀들로/로부터 데이터를 기입/독출하는 기입/독출 회로를 포함하며, 상기 행 및 열 선택 회로들과 상기 기입/독출 회로는 상기 클록 신호에 동기되어 동작하는 메모리 장치.A write / read circuit for writing / reading data to / from memory cells designated by the selected rows and columns, wherein the row and column select circuits and the write / read circuit operate in synchronization with the clock signal. Memory device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패킷 데이터의 변환 동작 및 상기 동기형 메모리 장치의 버스트 동작은 상기 클록 신호와 동일한 동작 주파수에서 수행되는 메모리 장치.And the burst operation of the packet data and the burst operation of the synchronous memory device are performed at the same operating frequency as the clock signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어 신호들은 행 스트로브 신호 (/RAS), 열 스트로브 신호 (/CAS), 쓰기 인에이블 신호 (/WE) 그리고 내부 칩 선택 신호 (TCS)를 포함하는 메모리 장치.The control signals include a row strobe signal (/ RAS), a column strobe signal (/ CAS), a write enable signal (/ WE), and an internal chip select signal (TCS). 칩 선택 신호를 입력받는 제 1 핀과;A first pin receiving a chip select signal; 클록 신호들을 입력받는 제 2 핀들과;Second pins receiving clock signals; 각각이 패킷 데이터를 입력받는 제 3 핀들과;Third pins each receiving packet data; 상기 클록 신호들에 동기되어 동작하는 메모리와; 그리고A memory operating in synchronization with the clock signals; And 상기 클록 신호들에 동기되어 동작하는 패킷 컨트롤러를 포함하며,A packet controller operating in synchronization with the clock signals, 칩 선택 신호가 활성화될 때, 상기 패킷 컨트롤러는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 패킷 핀들을 통해 각각 패킷 데이터를 입력받고, 상기 입력된 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로 변환하며; 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호에 동기되어 상기 어드레스 및 제어 신호들을 입력받는 메모리 장치.When a chip select signal is activated, the packet controller receives packet data through the packet pins in synchronization with the clock signal, and converts the input packet data into address and control signals; The synchronous memory receives the address and control signals in synchronization with the clock signal. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 3 핀들 중 어느 하나는 명령을 정의하기 위한 패킷 데이터를 입력받는 데 사용되고, 나머지는 어드레스를 나타내는 패킷 데이터를 입력받는 데 사용되는 메모리 장치.One of the third pins is used to receive packet data for defining a command, and the other is used to receive packet data indicating an address. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 3 핀들 각각은 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들 및 어드레스 신호들이 혼합된 패킷 데이터를 입력받는데 사용되는 메모리 장치.Each of the third pins is used to receive packet data mixed with data bits and address signals for defining a command. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 데이터 신호들을 입출력하는 제 4 핀들과;Fourth pins for inputting and outputting data signals; 클록 인에이블 신호를 입력받는 제 5 핀과;A fifth pin receiving a clock enable signal; 데이터 스트로브 신호를 입력받는 제 6 핀과; 그리고A sixth pin receiving a data strobe signal; And 데이터 마스킹 신호를 입력받는 제 7 핀을 더 포함하며,And a seventh pin receiving a data masking signal. 상기 데이터 스트로브 신호, 상기 데이터 마스크 신호, 상기 데이터 신호들, 그리고 상기 클록 인에이블 신호는 상기 동기형 메모리로 직접 전송되는 메모리 장치.And the data strobe signal, the data mask signal, the data signals, and the clock enable signal are transmitted directly to the synchronous memory. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 동기형 메모리는 상기 클록 신호들에 동기되어 버스트 동작을 수행하는 메모리 장치.And the synchronous memory performs a burst operation in synchronization with the clock signals. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 동기형 메모리 및 상기 패킷 컨트롤러는 하나의 패키지 내에 장착되는 메모리 장치.The synchronous memory and the packet controller are mounted in one package. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나인 메모리 장치.And the package is one of a multi-chip package and a system in package. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 3 핀들 중 어느 하나는 명령에 관련된 패킷 데이터를 받아들이는 데 사용되는 메모리 장치.Any one of the third pins is used to accept packet data related to an instruction. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 명령에 관련된 패킷 데이터는 상기 제어 신호들의 직렬 조합인 메모리 장치.And the packet data associated with the command is a serial combination of the control signals. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 명령에 관련된 패킷 데이터는 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합인 메모리 장치.And the packet data associated with the command is a serial combination of data bits for defining the command. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 동기형 메모리는 더블 데이터 레이트 동기형 디램 (DDR SDRAM)인 메모리 장치.The synchronous memory is a double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM). 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 동기형 메모리는The synchronous memory 행들과 열들로 배열된 복수 개의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와;A memory cell array having a plurality of memory cells arranged in rows and columns; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 행 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 행들을 선택하는 행 선택 회로와;Row selection circuitry for selecting rows of said memory cell array in response to a row address from said packet controller; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 열 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 열들을 선택하는 열 선택 회로와; 그리고A column selection circuit for selecting columns of the memory cell array in response to a column address from the packet controller; And 상기 선택된 행들 및 열들에 의해서 지정된 메모리 셀들로/로부터 데이터를 기입/독출하는 기입/독출 회로를 포함하며, 상기 행 및 열 선택 회로들과 상기 기입/독출 회로는 상기 클록 신호에 동기되어 동작하는 메모리 장치.A write / read circuit for writing / reading data to / from memory cells designated by the selected rows and columns, wherein the row and column select circuits and the write / read circuit operate in synchronization with the clock signal. Memory device. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 패킷 데이터의 변환 동작 및 상기 동기형 메모리 장치의 버스트 동작은 상기 클록 신호와 동일한 동작 주파수에서 수행되는 메모리 장치.And the burst operation of the packet data and the burst operation of the synchronous memory device are performed at the same operating frequency as the clock signal. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제어 신호들은 행 스트로브 신호 (/RAS), 열 스트로브 신호 (/CAS), 쓰기 인에이블 신호 (/WE) 그리고 내부 칩 선택 신호 (TCS)를 포함하는 메모리 장치.The control signals include a row strobe signal (/ RAS), a column strobe signal (/ CAS), a write enable signal (/ WE), and an internal chip select signal (TCS). 클록 신호에 동기되어 동작하는 동기형 메모리 장치와;A synchronous memory device operating in synchronization with a clock signal; 상기 클록 신호를 발생하며, 패킷 데이터를 출력하는 메모리 컨트롤러와; 그리고A memory controller generating the clock signal and outputting packet data; And 상기 클록 신호에 동기되어 동작하며, 상기 패킷 데이터를 상기 동기형 메모리 장치의 통신 프로토콜에 적합하도록 상기 패킷 데이터를 어드레스 및 제어 신호들로 변환하는 패킷 컨트롤러를 포함하며, 상기 동기형 메모리 장치 및 상기 패킷 컨트롤러는 하나의 패키지 내에 장착되는 정보 처리 시스템.A packet controller which operates in synchronization with the clock signal, and converts the packet data into address and control signals to conform to a communication protocol of the synchronous memory device, wherein the synchronous memory device and the packet The controller is an information processing system mounted in one package. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 패킷 컨트롤러는 데이터가 상기 동기형 메모리 장치와 상기 메모리 컨트롤로 사이에서 변경 없이 전송되도록 구성되는 정보 처리 시스템.And the packet controller is configured such that data is transmitted without change between the synchronous memory device and the memory control. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 동기형 메모리 장치는 상기 클록 신호에 동기되어 버스트 동작을 수행하는 정보 처리 시스템.And the synchronous memory device performs a burst operation in synchronization with the clock signal. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 동기형 메모리 장치는The synchronous memory device 행들과 열들로 배열된 복수 개의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와;A memory cell array having a plurality of memory cells arranged in rows and columns; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 행 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 행들을 선택하는 행 선택 회로와;Row selection circuitry for selecting rows of said memory cell array in response to a row address from said packet controller; 상기 패킷 컨트롤러로부터의 열 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 열들을 선택하는 열 선택 회로와; 그리고A column selection circuit for selecting columns of the memory cell array in response to a column address from the packet controller; And 상기 선택된 행들 및 열들에 의해서 지정된 메모리 셀들로/로부터 데이터를 기입/독출하는 기입/독출 회로를 포함하며, 상기 행 및 열 선택 회로들과 상기 기입/독출 회로는 상기 클록 신호에 동기되어 동작하는 정보 처리 시스템.A write / read circuit for writing / reading data to / from memory cells designated by the selected rows and columns, wherein the row and column select circuits and the write / read circuit operate in synchronization with the clock signal. Information processing system. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나인 정보 처리 시스템.And the package is one of a multi-chip package and a system in package. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 동기형 메모리 장치는 더블 데이터 레이트 동기형 디램 (DDR SDRAM)인 정보 처리 시스템.And the synchronous memory device is a double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM). 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 패킷 데이터의 변환 동작 및 상기 동기형 메모리 장치의 버스트 동작은상기 클록 신호의 동작 주파수에 따라 수행되는 정보 처리 시스템.And the burst operation of the packet data and the burst operation of the synchronous memory device are performed according to an operating frequency of the clock signal. 클록 신호 및 칩 선택 신호를 발생하며, 복수 개의 데이터 패킷들을 출력하는 메모리 컨트롤러와;A memory controller generating a clock signal and a chip select signal and outputting a plurality of data packets; 칩 선택 신호의 활성화에 응답하여 동작하며, 상기 클록 신호에 동기된 복수 개의 펄스 신호들을 발생하는 제어 로직과;Control logic that operates in response to activation of a chip select signal and generates a plurality of pulse signals synchronized with the clock signal; 상기 데이터 패킷들에 각각 대응하며, 각각이 상기 펄스 신호들에 응답하여 대응하는 데이터 패킷의 데이터 비트들을 순차적으로 래치하고 래치된 데이터 비트들을 동시에 출력하는 복수 개의 레지스터들과;A plurality of registers respectively corresponding to the data packets, each register sequentially latching data bits of the corresponding data packet in response to the pulse signals and simultaneously outputting the latched data bits; 상기 레지스터들 중 어느 하나로부터 출력되는 데이터 비트들에 응답하여 제어 신호들을 발생하는 신호 발생기와; 그리고A signal generator for generating control signals in response to data bits output from any one of the registers; And 상기 클록 신호에 동기되어 동작하며, 상기 신호 발생기로부터 출력되는 제어 신호들을 명령으로서 그리고 나머지 레지스터들로부터 출력되는 데이터 비트들을 어드레스로서 입력받는 동기형 메모리 장치를 포함하는 정보 처리 시스템.And a synchronous memory device operating in synchronization with the clock signal and receiving control signals output from the signal generator as commands and data bits output from the remaining registers as addresses. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 동기형 메모리 장치에/로부터 기입될/독출될 데이터는 변경 없이 상기 동기형 메모리 장치와 상기 메모리 컨트롤러 사이에서 전송되는 정보 처리 시스템.And information to be written to / read from the synchronous memory device is transferred between the synchronous memory device and the memory controller without modification. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 동기형 메모리 장치는 상기 클록 신호에 동기되어 버스트 동작을 수행하는 정보 처리 시스템.And the synchronous memory device performs a burst operation in synchronization with the clock signal. 제 38 항에 있어서,The method of claim 38, 상기 동기형 메모리 장치는The synchronous memory device 행들과 열들로 배열된 복수 개의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와;A memory cell array having a plurality of memory cells arranged in rows and columns; 상기 레지스터들로부터 출력되는 데이터 비트들 중 일부로 구성된 상기 어드레스 중 행 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 행들을 선택하는 행 선택 회로와;A row selection circuit that selects rows of the memory cell array in response to a row address of the address composed of some of the data bits output from the registers; 상기 어드레스 중 열 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 열들을 선택하는 열 선택 회로와; 그리고A column select circuit for selecting columns of the memory cell array in response to a column address of the addresses; And 상기 선택된 행들 및 열들에 의해서 지정된 메모리 셀들로/로부터 데이터를 기입/독출하는 기입/독출 회로를 포함하며, 상기 행 및 열 선택 회로들과 상기 기입/독출 회로는 상기 클록 신호에 동기되어 동작하는 정보 처리 시스템.A write / read circuit for writing / reading data to / from memory cells designated by the selected rows and columns, wherein the row and column select circuits and the write / read circuit operate in synchronization with the clock signal. Information processing system. 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 동기형 메모리 장치는 더블 데이터 레이트 동기형 디램 (DDR SDRAM)인 정보 처리 시스템.And the synchronous memory device is a double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM). 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 데이터 패킷들의 변환 동작 및 상기 동기형 메모리 장치의 버스트 동작은 상기 클록 신호와 동일한 동작 주파수에서 수행되는 정보 처리 시스템.And the burst operation of the synchronous memory device is performed at the same operating frequency as the clock signal. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 데이터 패킷들 중 어느 하나는 명령에 관련된 데이터 패킷인 정보 처리 시스템.Wherein any one of the data packets is a data packet related to an instruction. 제 42 항에 있어서,The method of claim 42, 상기 명령에 관련된 데이터 패킷은 상기 제어 신호들의 직렬 조합인 정보 처리 시스템.And the data packet associated with the command is a serial combination of the control signals. 제 42 항에 있어서,The method of claim 42, 상기 명령에 관련된 데이터 패킷은 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합인 정보 처리 시스템.And the data packet associated with the command is a serial combination of data bits for defining the command. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 메모리 컨트롤러는 오토 리프레쉬 명령에 관련된 데이터 패킷을 전송할 때 어드레스와 관련된 데이터 패킷들을 전송하지 않는 정보 처리 시스템.And the memory controller does not transmit data packets associated with an address when transmitting a data packet associated with an auto refresh command. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 동기형 메모리 장치, 상기 복수 개의 레지스터들, 상기 신호 발생기, 그리고 상기 제어 로직은 하나의 패키지 내에 장착되며, 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나인 정보 처리 시스템.Wherein the synchronous memory device, the plurality of registers, the signal generator, and the control logic are mounted in one package, wherein the package is one of a multi-chip package and a system in package. 클록 신호 및 칩 선택 신호를 발생하며, 복수 개의 데이터 패킷들을 출력하는 메모리 컨트롤러와;A memory controller generating a clock signal and a chip select signal and outputting a plurality of data packets; 칩 선택 신호의 활성화에 응답하여 동작하며, 상기 클록 신호에 동기된 복수 개의 펄스 신호들을 발생하는 제어 로직과;Control logic that operates in response to activation of a chip select signal and generates a plurality of pulse signals synchronized with the clock signal; 상기 데이터 패킷들에 각각 대응하며, 각각이 상기 펄스 신호들에 응답하여 대응하는 데이터 패킷의 데이터 비트들을 순차적으로 래치하고 래치된 데이터 비트들을 동시에 출력하는 복수 개의 레지스터들과; 그리고A plurality of registers respectively corresponding to the data packets, each register sequentially latching data bits of the corresponding data packet in response to the pulse signals and simultaneously outputting the latched data bits; And 상기 클록 신호에 동기되어 동작하며, 상기 레지스터들로부터 출력되는 데이터 비트들을 명령 및 어드레스로서 입력받는 동기형 메모리 장치를 포함하며, 상기 데이터 패킷들의 변환 동작 및 상기 동기형 메모리 장치의 버스트 동작은 상기 클록 신호와 동일한 동작 주파수에서 수행되는 정보 처리 시스템.And a synchronous memory device which operates in synchronization with the clock signal and receives data bits output from the registers as a command and an address, wherein a conversion operation of the data packets and a burst operation of the synchronous memory device include Information processing system performed at the same operating frequency as the signal. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 데이터 패킷들 중 어느 하나는 명령에 관련된 데이터 패킷인 정보 처리 시스템.Wherein any one of the data packets is a data packet related to an instruction. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 명령에 관련된 데이터 패킷은 상기 제어 신호들의 직렬 조합인 정보 처리 시스템.And the data packet associated with the command is a serial combination of the control signals. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 명령에 관련된 데이터 패킷은 상기 명령을 정의하기 위한 데이터 비트들의 직렬 조합인 정보 처리 시스템.And the data packet associated with the command is a serial combination of data bits for defining the command. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 메모리 컨트롤러는 오토 리프레쉬 명령에 관련된 데이터 패킷을 전송할 때 어드레스와 관련된 데이터 패킷들을 전송하지 않는 정보 처리 시스템.And the memory controller does not transmit data packets associated with an address when transmitting a data packet associated with an auto refresh command. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 동기형 메모리 장치, 상기 복수 개의 레지스터들, 그리고 상기 제어 로직은 하나의 패키지 내에 장착되며, 상기 패키지는 멀티-칩 패키지와 시스템 인 패키지 중 어느 하나인 정보 처리 시스템.Wherein the synchronous memory device, the plurality of registers, and the control logic are mounted in one package, wherein the package is one of a multi-chip package and a system in package.
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