KR20040104960A - Position detection mark, mark identification method, position detection method, exposure method, and position information detection method - Google Patents

Position detection mark, mark identification method, position detection method, exposure method, and position information detection method Download PDF

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KR20040104960A
KR20040104960A KR10-2004-7015219A KR20047015219A KR20040104960A KR 20040104960 A KR20040104960 A KR 20040104960A KR 20047015219 A KR20047015219 A KR 20047015219A KR 20040104960 A KR20040104960 A KR 20040104960A
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

본 발명은, 검출대상이 되는 마크에 근접하여 동종 마크가 다수 존재할 때에도 이 검출대상의 마크를 확실하게 검출할 수 있는 위치 검출용 마크를 제공한다. 감광기판(P) 상에 형성되어 얼라인먼트 광학계(9)에 의해 감광기판(P)의 위치정보를 검출할 때 사용되는 위치 검출용 마크(10)는, 얼라인먼트 광학계(9)에 관찰됨으로써 제어장치(CONT)에 위치정보를 출력시키기 위한 얼라인먼트 마크(1)와, 얼라인먼트 마크(1)와 소정 위치관계로 배치되고, 3종류의 패턴을 4개 조합하여 구성되어, 34 종류의 정보를 나타내는 식별 마크(2)를 구비하고 있다.The present invention provides a position detection mark that can reliably detect a mark of a detection object even when a large number of similar marks exist in proximity to a mark to be detected. The position detecting mark 10 formed on the photosensitive substrate P and used when the positional information of the photosensitive substrate P is detected by the alignment optical system 9 is observed by the alignment optical system 9 so that the control device ( The alignment mark 1 for outputting the position information to the CONT, the alignment mark 1 and the predetermined positional relationship, and are arranged by combining three types of four patterns to represent 34 types of information. 2) is provided.

Description

위치검출용 마크, 마크식별방법, 위치검출방법, 노광방법, 및 위치정보 검출방법{POSITION DETECTION MARK, MARK IDENTIFICATION METHOD, POSITION DETECTION METHOD, EXPOSURE METHOD, AND POSITION INFORMATION DETECTION METHOD}Position detection mark, mark identification method, position detection method, exposure method, and position information detection method {POSITION DETECTION MARK, MARK IDENTIFICATION METHOD, POSITION DETECTION METHOD, EXPOSURE METHOD, AND POSITION INFORMATION DETECTION METHOD}

기술분야Technical Field

본 발명은, 물체 상에 형성되어 이 물체의 위치정보를 검출할 때에 사용되는 위치 검출용 마크, 복수의 마크로부터 특정한 마크를 식별하기 위한 마크 식별방법 및 마크 검출방법, 기판 상에 패턴을 노광하는 노광방법, 및 위치정보 검출방법에 관한 것이다.The present invention provides a position detecting mark formed on an object and used when detecting positional information of the object, a mark identification method and mark detection method for identifying a specific mark from a plurality of marks, and a pattern exposed on a substrate. An exposure method and a position information detection method.

배경기술Background

반도체소자나 액정표시소자 등의 마이크로 디바이스는, 막형성처리공정, 노광처리공정, 에칭처리공정 등의 각 공정을 복수 회 반복하여 기판 상에 복수의 패턴을 적층함으로써 제조된다. 노광처리에서는, 마스크에 형성된 패턴을 감광제가 도포된 기판 상에 전사하는 노광장치가 사용된다. 노광장치는, 마스크를 지지하여 2차원 이동시키는 마스크 스테이지와, 감광기판을 지지하여 2차원 이동시키는 기판 스테이지를 갖고, 마스크 스테이지 및 기판 스테이지를 축차 이동시키면서 마스크의 패턴을 감광기판에 전사한다. 노광처리에서는, 이미 기판에 형성되어 있는 패턴에 대하여 다음에 적층할 패턴의 이미지를 양호한 정밀도로 중첩시킬 필요가 있기 때문에, 기판 상의 쇼트영역과 다음층의 패턴을 갖는 마스크와의 얼라인먼트(위치정합)가 실행된다.Microdevices, such as a semiconductor element and a liquid crystal display element, are manufactured by repeating each process, such as a film formation process, an exposure process process, an etching process process, multiple times, and laminating | stacking a some pattern on a board | substrate. In an exposure process, the exposure apparatus which transfers the pattern formed in the mask on the board | substrate with which the photosensitive agent was apply | coated is used. The exposure apparatus has a mask stage for supporting two-dimensionally moving masks and a substrate stage for supporting two-dimensionally moving photosensitive substrates, and transfers the mask pattern onto the photosensitive substrate while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. In the exposure process, it is necessary to superimpose the image of the pattern to be laminated next with respect to the pattern already formed on the substrate, so that alignment of the short region on the substrate with the mask having the pattern of the next layer (positioning) Is executed.

통상, 기판의 얼라인먼트 처리에서는, 기판을 기판 스테이지에 로드할 때의 예비적인 위치정합인 프리얼라인먼트 처리와, 기판을 기판 스테이지에 의해 지지한 상태에서 기판에 형성되어 있는 2개 또는 3개의 서치마크를 사용하여 대략적인 위치정합을 하는 서치 얼라인먼트 처리와, 서치 얼라인먼트 처리의 결과를 사용하여 기판을 정밀하게 위치정합하는 파인 얼라인먼트 처리가 실행된다. 이 중, 파인 얼라인먼트 처리에서는, 서치 얼라인먼트의 결과로부터 기준위치에 대한 기판의 2차원방향(평면방향, XY방향)의 어긋남이나 회전 등을 구하고, 이들에 기초하여 각 쇼트영역(얼라인먼트 마크)의 설계상 위치, 또는 전(前) 레이어에서의 패턴전사에 사용된 위치(계측치 또는 계산치)를 보정하고, 이 보정위치를 사용하여 얼라인먼트 광학계의 계측영역안으로 얼라인먼트 마크를 유도하여 이것을 검출함으로써 기판의 파인 얼라인먼트가 실행되고 있다.Usually, in the substrate alignment process, pre-alignment processing, which is a preliminary alignment when the substrate is loaded onto the substrate stage, and two or three search marks formed on the substrate while the substrate is supported by the substrate stage The search alignment processing to roughly align using the same, and the fine alignment processing to precisely align the substrate using the results of the search alignment processing are executed. Among these, in the fine alignment process, the deviation or rotation of the two-dimensional direction (plane direction, XY direction) of the substrate with respect to the reference position is determined from the result of the search alignment, and the design of each shot area (alignment mark) is based on these. Fine alignment of the substrate by correcting the position (measurement value or calculated value) used for pattern transfer in the image position or the previous layer, and using this correction position to guide the alignment mark into the measurement area of the alignment optical system and detect it. Is running.

여기서, 파인 얼라인먼트의 방식으로는, 기판 상의 쇼트영역마다 얼라인먼트 마크를 검출하여 기판 상에 전사되는 패턴과의 얼라인먼트를 실행하는 다이ㆍ바이ㆍ다이ㆍ얼라인먼트 방식 외에, EGA(Enhanced Global Allignment)방식이 있다. EGA 방식은, 기판 상의 복수의 쇼트영역 중에서 선택되는 적어도 3개의 쇼트영역(이것을 샘플 쇼트영역이라고 부른다)에 각각 부수된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하고, 얼라인먼트 쇼트영역의 실제위치와 설계위치(또는 그 보정위치)를 사용한 근사연산처리에 의해 기판 상의 각 쇼트영역의 위치를 통계적으로 산출하는 것이다. 이것에 의해, 기판은 그 산출된 위치에 따라서 순차적으로 이동되어, 복수의 쇼트영역 각각에 다음층의 마스크의 패턴이 적정하게 위치정합된 상태로 전사된다. 또, 얼라인먼트 광학계의 계측영역은, 서치 얼라인먼트 처리에서는 서치마크의 설계위치를 중심으로 하여 설정되고, 파인 얼라인먼트 처리에서는 얼라인먼트 마크의 설계위치 또는 그 보정위치를 중심으로 하여 설정된다. 얼라인먼트 광학계는 상기 계측영역 내의 마크를 검출한다.Here, as a fine alignment method, there is an EGA (Enhanced Global Allignment) system, in addition to a die-by-die alignment system that detects an alignment mark for each shot region on the substrate and performs alignment with a pattern transferred onto the substrate. . The EGA method detects positions of alignment marks respectively attached to at least three shot regions (which are called sample shot regions) selected from a plurality of shot regions on a substrate, and detects the actual position and design position of the alignment shot region (or its The position of each shot region on the substrate is statistically calculated by the approximate calculation process using the correction position. As a result, the substrate is sequentially moved in accordance with the calculated position, and transferred to each of the plurality of shot regions in a state where the pattern of the mask of the next layer is properly aligned. The measurement area of the alignment optical system is set around the design position of the search mark in the search alignment process, and is set around the design position of the alignment mark or the correction position thereof in the fine alignment process. The alignment optical system detects a mark in the measurement area.

그런데, 예를 들어 반도체 디바이스의 제조에서는 레이어별로 얼라인먼트 마크를 어긋나게 하여 전사하는 경우가 있어, 이 경우, 전 레이어(또는 전전 레이어)에서 사용한 얼라인먼트 마크가 상측의 레이어를 통하여 인식가능하면, 검출대상인 얼라인먼트 마크에 근접하여 동종의 마크(전 레이어의 마크)가 존재하게 된다. 얼라인먼트 마크끼리가 근접하여 존재하면, 프리얼라인먼트의 정밀도에 기초하여 얼라인먼트 광학계의 계측영역으로 검출대상인 얼라인먼트 마크를 유도했다고 해도, 복수의 동종 마크가 계측영역에 들어오거나, 또는 검출대상 이외의 마크만이 계측영역에 들어오는 경우가 발생한다. 이 경우, 종래의 얼라인먼트 광학계에서는, 파인 얼라인먼트에 있어서 모든 마크가 검출대상인지 또는 계측영역 내의 마크가 검출대상인지를 판단하지 않기 때문에, 검출대상이 아닌 잘못된 얼라인먼트 마크에 기초하여 얼라인먼트 쇼트영역의 위치를 계측하여, 얼라인먼트 정밀도를 현저히 악화시키는 경우가 있다.By the way, for example, in the manufacture of a semiconductor device, an alignment mark may be shifted for each layer to be transferred, and in this case, if the alignment mark used in the previous layer (or the previous layer) is recognizable through the upper layer, the alignment to be detected is an alignment. A mark of the same kind (a mark of the previous layer) is present in proximity to the mark. If alignment marks are present in close proximity, even if the alignment mark to be detected is guided to the measurement area of the alignment optical system based on the precision of the pre-alignment, a plurality of homogeneous marks enter the measurement area or only marks other than the detection object If you enter the measurement area. In this case, since the conventional alignment optical system does not determine whether all the marks in the fine alignment are the detection targets or the marks in the measurement area are the detection targets, the position of the alignment short region is determined based on an incorrect alignment mark that is not the detection target. It may measure and deteriorate alignment accuracy remarkably.

또한, 전 레이어(또는 전전 레이어)에서 사용한 얼라인먼트 마크를 사용하여 다음층의 패턴을 얼라인먼트 처리하는 경우도 있다. 이 경우에 있어서도, 전레이어(또는 전전 레이어)의 얼라인먼트 마크를 포함하는 다수의 얼라인먼트 마크로부터 다음층의 패턴을 얼라인먼트하기 위한 얼라인먼트 마크를 특정하기가 어려워진다.Moreover, the alignment process of the next layer may be aligned using the alignment mark used by the previous layer (or the previous layer). Also in this case, it becomes difficult to specify the alignment mark for aligning the pattern of the next layer from a plurality of alignment marks including alignment marks of all layers (or previous layers).

또한, 종래와 같은 서치 얼라인먼트를 실행하는 시퀀스에서는, 서치 얼라인먼트시에 서치마크의 검출에러를 방지할 필요가 있다. 이 때문에, 기판 상에는, 서치마크의 주위에서의 동종의 (서치마크와 닮은) 패턴의 형성을 금지하기 위한 금지 존이 형성되어 있다. 이 금지 존은, 얼라인먼트 광학계의 계측영역으로 서치마크를 유도했을 때, 다른 패턴이 계측영역에 들어가지 않도록 함으로써 서치마크의 오검출을 회피하기 위한 것이다. 그러나, 금지 존의 면적분만큼 기판 상의 패턴전사영역이 감소되어 회로의 배치 등에 제약을 가하기 때문에, 금지 존의 존재는 기판의 효율적 이용이라는 관점에서는 바람직하지 않다.In addition, in the conventional sequence of performing search alignment, it is necessary to prevent a search mark detection error at the time of search alignment. For this reason, on the board | substrate, the prohibition zone for prohibiting formation of the same pattern (similar to a search mark) around the search mark is formed. This prohibition zone is for avoiding false detection of the search mark by preventing other patterns from entering the measurement area when the search mark is guided to the measurement area of the alignment optical system. However, since the pattern transfer region on the substrate is reduced by the area of the forbidden zone, thereby restricting the arrangement of the circuit and the like, the presence of the forbidden zone is not preferable from the viewpoint of efficient use of the substrate.

또한, 기판 상의 서치마크는, 마스크에 형성되어 있는 서치마크를 기판에 전사하여 형성되기 때문에, 기판 상의 각 쇼트영역의 각각에 서치마크가 형성되게 된다. 그러나, 서치 얼라인먼트 처리에 있어서 사용되는 기판 상의 서치마크의 수는 2개 또는 3개이기 때문에, 서치 얼라인먼트 처리에 사용되지 않는 다수의 무용한 서치마크가 기판 상에 존재하게 된다. 이들 서치마크의 존재도 기판 상의 패턴전사영역을 감소시키는 것으로 되기 때문에, 기판의 효율적 이용의 관점에서 바람직하지 않다.Further, since the search mark on the substrate is formed by transferring the search mark formed on the mask to the substrate, the search mark is formed in each of the shot regions on the substrate. However, since the number of search marks on the substrate used in the search alignment process is two or three, many useless search marks not used in the search alignment process exist on the substrate. The presence of these search marks also reduces the pattern transfer region on the substrate, which is not preferable in view of efficient use of the substrate.

또한, 서치 얼라인먼트 처리에서는, 기판 상에 이간되어 있는 2이상의 서치마크를 각각 얼라인먼트 광학계에서 검출하지만, 얼라인먼트 광학계가 제 1 서치마크를 검출한 후, 제 2 서치마크를 얼라인먼트 광학계의 계측영역 내에서 검출하고자 하는 경우, 예를 들어 기판이 변형되어 있으면, 제 1 서치마크와 제 2 서치마크의 실제 상대위치가 설계상의 상대위치와 다르기 때문에, 제 2 서치마크를 얼라인먼트 광학계의 계측영역 내에 배치시키는 처리가 원활하게 실행되지 않는다.In the search alignment process, two or more search marks spaced apart on the substrate are respectively detected by the alignment optical system. However, after the alignment optical system detects the first search mark, the second search mark is detected within the measurement area of the alignment optical system. When the substrate is deformed, for example, since the actual relative position of the first search mark and the second search mark is different from the relative design position, the process of disposing the second search mark in the measurement area of the alignment optical system is performed. It doesn't run smoothly.

또한, 얼라인먼트 처리에서는 얼라인먼트 광학계에서 검출한 얼라인먼트 마크화상을 화상처리하지만, 얻어진 마크화상을 압축처리하고 나서 마크위치를 검출하는 쪽이 압축처리를 하지 않은 경우보다 처리속도가 빠르다. 그러나, 압축처리를 실행하면, 작은 마크인 경우, 마크화상이 일그러져 마크위치 검출을 실행하는 것이 불가능해지는 경우가 있다.Further, in the alignment process, the alignment mark image detected by the alignment optical system is image processed, but the processing speed is faster when the mark position is detected after compressing the obtained mark image without performing the compression process. However, when the compression process is executed, in the case of a small mark, the mark image may be distorted, so that it is impossible to perform mark position detection.

그리고, 마이크로 디바이스를 제조할 때, 디바이스의 표면을 평탄화하기 위해서 CMP(화학적 기계적 연마)처리가 실행되는 경우가 있지만, 디바이스 표면의 요철상태에 따라서는 디바이스 표면이 CMP장치의 연마면에 대하여 기울어져 닿는 경우가 있어, 연마상태가 불균일하게 되는 경우가 있다.When manufacturing a micro device, a CMP (chemical mechanical polishing) process may be performed to planarize the surface of the device. However, depending on the unevenness of the device surface, the device surface is inclined with respect to the polishing surface of the CMP apparatus. It may come in contact, and a grinding | polishing state may become nonuniform.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 검출대상이 되는 마크에 근접하여 동종의 마크가 다수 존재할 때에서도 이 검출대상의 마크를 확실하게 검출할 수 있는 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 검출대상인 마크를 확실하게 검출함으로써, 프리얼라인먼트로부터 서치 얼라인먼트를 하지 않고 파인 얼라인먼트를 실행하는 시퀀스에 있어서도 얼라인먼트 정밀도를 유지함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있고, 양호한 정밀도로 노광처리할 수 있는 노광방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a position detecting mark and a mark identification method capable of reliably detecting the mark of the detection target even when a large number of marks of the same kind exist in close proximity to the mark to be detected. For the purpose of In addition, by reliably detecting a mark to be detected, an exposure method capable of improving throughput by maintaining alignment accuracy even in a sequence in which fine alignment is performed without pre-alignment from pre-alignment can be performed. It aims to provide.

발명의 개시Disclosure of the Invention

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 실시형태에 나타내는 도 1∼도 25 에 대응한 이상의 구성을 채용하고 있다.In order to solve the said subject, in this invention, the above structure corresponding to FIGS. 1-25 shown in embodiment is employ | adopted.

본 발명의 위치 검출용 마크(10)는, 물체(P) 상에 형성되어, 위치 검출장치(9, CONT)에 의해 물체(P)의 위치정보를 검출할 때에 사용되는 위치 검출용 마크로서, 위치 검출장치(9, CONT)에 의해 관찰됨으로써 위치 검출장치(9, CONT)로 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴(1)과, 제 1 패턴(1)과 소정의 위치관계로 배치되고, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되어, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴(2)을 갖는 것을 특징으로 한다.The position detecting mark 10 of the present invention is formed on the object P and used as a position detecting mark used when detecting the position information of the object P by the position detecting device 9 (CONT). Observed by the position detecting device 9 (CONT), the first pattern 1 for outputting position information to the position detecting device 9, CONT, and the first pattern 1 are arranged in a predetermined positional relationship, the pattern of the N type (N≥2) is constituted by two n (n≥1) in combination, it characterized in that it has a second pattern (2) N represents the n types of information.

본 발명의 마크 식별방법은, 물체(P)의 위치정보를 검출장치(9, CONT)를 사용하여 검출하기 위해, 물체(P) 상에 형성된 복수의 제 1 마크(1A∼1E)로부터 특정한 제 1 마크(1A)를 식별하기 위한 마크 식별방법으로서, 물체(P) 상에, 제 1 마크(1A∼1E)와 함께, 제 1 마크(1A∼1E)와 소정의 위치관계로 배치된, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되어, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴(2)을 형성하고, 검출장치(9, CONT)에 의해 제 2 패턴(2)을 검출하여, 제 2 패턴(2)에 의해 나타난 정보에 기초하여 특정한 제 1 마크(1A)를 결정하는 것을 특징으로 한다.According to the mark identification method of the present invention, in order to detect the positional information of the object P using the detection apparatus 9 (CONT), the mark identification method is provided from a plurality of first marks 1A to 1E formed on the object P. As a mark identification method for identifying the 1 mark 1A, N is arranged on the object P together with the first marks 1A to 1E in a predetermined positional relationship with the first marks 1A to 1E. type is constituted by a pattern of (N≥2) n stars (n≥1) in combination, N n types of the second pattern (2) is formed, and the detection device (9, CONT) to a second pattern by indicating the information (2) is detected, and the specific 1st mark 1A is determined based on the information shown by the 2nd pattern 2, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 위치 검출방법은, 상기의 마크 식별방법에 의해 결정된 특정한 제 1 마크(1A)를 검출장치(9, CONT)를 사용하여 검출함으로써 물체(P)의 위치정보를 검출하는 것을 특징으로 한다.The position detection method of the present invention is characterized by detecting the position information of the object P by detecting the specific first mark 1A determined by the mark identification method using the detection apparatus 9 (CONT). .

본 발명에 의하면, 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴에 대하여 소정의 위치관계로 부수되는 제 2 패턴을 형성하는 것에 의해, 이 제 2 패턴의 형태를 검출함으로써 검출대상이 되는 마크에 근접하여 동종의 마크가 존재하는 경우에도, 이들 복수의 마크로부터 위치 검출에 사용하기 위한 마크를 특정할 수 있다. 또한, 제 2 패턴은 N 종류의 패턴을 n개 조합한 구성이기 때문에, 기판 상에 마크를 배치하기 위한 영역을 넓게 설정하지 않아도 Nn종류와 같은 많은 종류의 정보를 표시할 수 있다. 그 결과, 동종의 마크가 다수 존재하고 있더라도, 기판 상의 패턴전사영역을 좁히지 않고 마크를 식별할 수 있다.According to the present invention, by forming a second pattern accompanying a predetermined positional relationship with respect to a first pattern for outputting positional information, the shape of this second pattern is detected so as to be close to a mark to be detected. Even if a mark is present, it is possible to specify a mark for use in position detection from the plurality of marks. In addition, since the second pattern has a configuration in which n pieces of N types are combined, many kinds of information such as the N n types can be displayed without setting a wide area for arranging marks on the substrate. As a result, even if there are many marks of the same kind, the marks can be identified without narrowing the pattern transfer region on the substrate.

본 발명의 노광방법은, 기판(P) 상에 소정 패턴을 전사하는 노광방법으로서, 기판(P) 상에, 위치 검출장치(9, CONT)에 위치정보를 검출시키기 위한 제 1 패턴(1)과, 제 1 패턴(1)과 소정의 위치관계로 배치된, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되고, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴(2)을 형성하고, 검출장치(9, CONT)에 의하여 제 2 패턴(2)을 검출하여, 제 2 패턴(2)에 의해 나타난 정보에 기초하여 제 1 패턴(1)으로부터 위치정보를 검출하며, 검출한 위치정보에 기초하여 기판(P)과 소정 패턴을 상대적으로 이동시켜 기판(P) 상에 소정 패턴을 전사하는 것을 특징으로 한다.The exposure method of the present invention is an exposure method for transferring a predetermined pattern onto the substrate P, wherein the first pattern 1 for detecting the position information on the substrate P by the position detection device 9 (CONT). And a second pattern (n ≧ 1) in combination with the N patterns (N ≧ 2) arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern (1), and representing N n kinds of information ( 2), the second pattern 2 is detected by the detection device 9 (CONT), and the positional information is detected from the first pattern 1 based on the information indicated by the second pattern 2; The predetermined pattern is transferred onto the substrate P by relatively moving the substrate P and the predetermined pattern based on the detected positional information.

본 발명에 의하면, 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴에 대하여 소정의 위치관계로 부수되는 제 2 패턴을 형성했기 때문에, 이 제 2 패턴의 형태를 검출함으로써, 검출대상이 되는 패턴에 근접하여 동종의 패턴이 복수 존재하는 경우에도,제 2 패턴에 의해 나타난 정보에 기초하여 이들 복수의 패턴으로부터 위치 검출에 사용하기 위한 제 1 패턴을 특정할 수 있다. 따라서, 이 제 1 패턴을 사용하여 얼라인먼트 처리를 양호한 정밀도로 실행할 수 있어, 노광 정밀도를 향상시킬 수 있다. 그리고, 제 2 패턴은 N 종류의 패턴을 n개 조합한 구성이기 때문에, 기판 상에 위치정보를 검출시키기 위한 제 1 패턴을 배치하기 위한 영역을 넓게 설정하지 않아도 Nn종류와 같은 많은 종류의 정보를 표시할 수 있다. 따라서, 동종의 패턴이 존재하고 있더라도 위치 검출에 사용하기 위한 제 1 패턴을 특정할 수 있는 동시에, 기판 상의 소정 패턴전사영역을 좁히지 않고 노광처리를 양호한 정밀도로 실행할 수 있다.According to the present invention, since the second pattern accompanying the predetermined pattern is formed with respect to the first pattern for outputting the position information, by detecting the form of the second pattern, the second pattern is similar to the pattern to be detected. Even when there are a plurality of patterns of, a first pattern for use in position detection can be specified from the plurality of patterns based on the information indicated by the second pattern. Therefore, the alignment process can be performed with good precision using this 1st pattern, and an exposure precision can be improved. In addition, since the second pattern has a configuration in which n pieces of N types are combined, many types of information, such as N n types, do not have to be set to a wide area for arranging the first pattern for detecting positional information on the substrate. Can be displayed. Therefore, even if the same type of pattern exists, the first pattern for use in position detection can be specified, and the exposure process can be executed with good accuracy without narrowing the predetermined pattern transfer area on the substrate.

본 발명의 노광방법은, 기판(P) 상에 소정 패턴을 전사하는 노광방법으로서, 기판(P) 상에, 제 1 패턴(1)과 제 1 패턴(1)에 대하여 소정의 위치관계에 있는 제 2 패턴(2)으로 구성되고, 기판(P) 상에 복수 형성된 마크(1, 10) 중 특정마크(1, 10)의 제 1 패턴(1)과 제 2 패턴(2)의 상대위치정보를 검출하고, 상대위치정보에 기초하여 상기 기판(P) 상에 형성된 복수의 마크(1) 중 특정마크(1)와는 다른 별도의 마크(1')의 위치정보를 결정하며, 결정한 위치정보에 기초하여 기판(P)과 소정 패턴을 상대적으로 이동시켜 기판(P) 상에 소정 패턴을 전사하는 것을 특징으로 한다.The exposure method of the present invention is an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate P. The exposure method is provided on the substrate P in a predetermined positional relationship with respect to the first pattern 1 and the first pattern 1. Relative position information of the first pattern 1 and the second pattern 2 of the specific marks 1 and 10 of the marks 1 and 10 formed on the substrate P and formed of the second pattern 2. Is detected, and based on the relative position information, the position information of a mark 1 ′ different from the specific mark 1 among the plurality of marks 1 formed on the substrate P is determined, and the position information is determined. It is characterized by transferring the predetermined pattern on the substrate P by moving the substrate P and the predetermined pattern relatively.

본 발명에 의하면, 특정마크의 제 1 패턴과 제 2 패턴의 상대위치정보를 검출함으로써, 예를 들어 기판의 변형량이나 회전량에 관한 정보를 구할 수 있다.그리고, 특정마크와 별도의 마크와의 상대위치가 설계상의 상대위치와 다른 경우에도, 상기 구한 정보에 기초하여 특정마크와는 별도의 마크의 위치정보를 결정할 수 있다. 따라서, 위치 검출장치의 계측영역 내에서 특정마크를 검출한 후에 별도의 마크를 검출할 때, 위치 검출장치의 계측영역 내에 별도의 마크를 배치하기 위한 기판의 이동을 원활히 실행할 수 있다.According to the present invention, by detecting the relative position information of the first pattern and the second pattern of the specific mark, for example, information on the amount of deformation and rotation of the substrate can be obtained. Even when the relative position is different from the relative position in the design, it is possible to determine the position information of the mark separate from the specific mark based on the obtained information. Therefore, when a separate mark is detected after detecting a specific mark in the measurement area of the position detection device, it is possible to smoothly move the substrate for placing the separate mark in the measurement area of the position detection device.

본 발명의 마크 검출방법은, 소정의 계측영역을 갖는 화상처리방식의 마크검출장치(9, CONT)를 사용하여, 제 1 마크(1)와, 제 1 마크(1)와 소정의 위치관계에 있고 제 1 마크(1)보다도 작은 제 2 마크(2)가 형성된 물체(P) 상에서 제 2 마크(2)를 검출하는 마크 검출방법에 있어서, 계측영역의 화상을 촬상하여 화상 데이터를 획득하고, 화상 데이터를 압축처리하여, 압축처리한 화상 데이터로부터 제 1 마크(1)의 위치정보를 검출하며, 검출한 제 1 마크(1)의 위치정보와 제 1 마크(1)와 제 2 마크(2)의 상대위치정보에 기초하여, 계측영역을 촬상한 화상 데이터로부터 제 2 마크(2)의 위치정보를 검출하는 것을 특징으로 한다.In the mark detection method of the present invention, the mark detection apparatus 9 (CONT) of the image processing method having a predetermined measurement area is used to establish a predetermined positional relationship with the first mark 1 and the first mark 1. In the mark detection method for detecting the second mark (2) on the object (P) having the second mark (2) smaller than the first mark (1), the image of the measurement area is picked up to obtain image data, Image data is compressed, and the positional information of the first mark 1 is detected from the compressed image data, and the positional information of the detected first mark 1, the first mark 1 and the second mark 2 The positional information of the second mark 2 is detected from the image data obtained by imaging the measurement area, based on the relative positional information of "

본 발명의 노광방법은, 소정의 계측영역을 갖는 화상처리방식의 마크검출장치(9, CONT)를 사용하여, 제 1 마크(1)와, 제 1 마크(1)와 소정의 위치관계에 있고 제 1 마크(1)보다도 작은 제 2 마크(2)가 형성된 기판(P) 상에서 제 2 마크(2)를 검출하고, 마스크(M)와 기판(P)을 위치정합하고 나서 마스크(M)의 패턴을 기판(P)에 노광하는 노광방법에 있어서, 계측영역의 화상을 촬상하여 화상 데이터를 획득하고, 화상 데이터를 압축처리하여, 압축처리한 화상 데이터로부터 제 1 마크(1)의 위치정보를 검출하며, 검출한 제 1 마크(1)의 위치정보와 제 1 마크(1)와 제 2 마크(2)의 상대위치정보에 기초하여, 계측영역을 촬상한 화상 데이터로부터 제 2 마크(2)의 위치정보를 검출하는 것을 특징으로 한다.In the exposure method of the present invention, the mark detection device 9 (CONT) of the image processing method having a predetermined measurement area is used to have a predetermined positional relationship with the first mark 1 and the first mark 1. The second mark 2 is detected on the substrate P on which the second mark 2 smaller than the first mark 1 is formed, the mask M and the substrate P are aligned, and then the mask M In an exposure method for exposing a pattern to a substrate P, the image of the measurement area is picked up to obtain image data, and the image data is compressed to obtain position information of the first mark 1 from the compressed image data. The second mark 2 from the image data obtained by imaging the measurement area based on the detected position information of the first mark 1 and the relative position information of the first mark 1 and the second mark 2. It is characterized in that for detecting the position information.

본 발명에 의하면, 예를 들어 마크검출장치가 화상처리방식의 검출장치인 경우, 화상 데이터를 압축하고 나서 마크를 검출하는 쪽이 처리속도를 향상시킬 수 있는 경우가 있지만, 압축함으로써 제 2 마크의 화상이 일그러지는 등의 문제가 발생하는 경우도 있다. 그러나, 이 제 2 마크와 소정의 위치관계에 있고 또한 제 2 마크보다도 큰 제 1 마크를 형성함으로써, 이 제 1 마크의 화상 데이터는 압축처리하더라도 일그러지지 않는다. 따라서, 이 제 1 마크의 압축화상 데이터를 사용하여 제 1 마크의 위치정보를 검출하고, 이 검출결과에 기초하여 제 2 마크의 위치정보를 효율적으로 구할 수 있다.According to the present invention, for example, in the case where the mark detection device is a detection device of an image processing method, the detection of a mark after compressing the image data may improve the processing speed. Problems such as distortion of an image may occur. However, by forming the first mark which is in a predetermined positional relationship with this second mark and larger than the second mark, the image data of this first mark is not distorted even if it is compressed. Therefore, the positional information of the first mark can be detected using the compressed image data of the first mark, and the positional information of the second mark can be efficiently obtained based on the detection result.

본 발명의 마크 검출방법은, 소정의 계측영역을 갖는 마크검출장치(9, CONT)를 사용하여 물체(P) 상의 마크(1, 2)를 검출하는 마크 검출방법에 있어서, 검출대상인 대상 마크(1)의 주위에 거의 등간격으로 비대상 마크(2)를 형성하여, 대상 마크(2)를 검출하는 것을 특징으로 한다.The mark detection method of the present invention is a mark detection method for detecting marks 1 and 2 on an object P by using mark detection devices 9 and CONT having a predetermined measurement area. The non-target mark 2 is formed around 1) at substantially equal intervals, and the target mark 2 is detected.

본 발명의 노광방법은, 기판(P) 상의 마크(1, 2)를 소정의 계측영역을 갖는 마크검출장치(9, CONT)를 사용하여 검출하고, 마스크(M)와 기판(P)을 위치정합하고 나서 마스크(M)의 패턴을 기판(P)에 노광하는 노광방법에 있어서, 검출대상인 대상 마크(1)의 주위에 거의 등간격으로 비대상 마크(2)를 형성하여, 대상 마크(1)를 검출하는 것을 특징으로 한다.In the exposure method of the present invention, the marks 1 and 2 on the substrate P are detected using the mark detection apparatus 9 and CONT having a predetermined measurement area, and the mask M and the substrate P are positioned. In the exposure method of exposing the pattern of the mask M to the board | substrate P after matching, the non-target mark 2 is formed in substantially equal intervals around the target mark 1 to be detected, and the target mark 1 ) Is detected.

본 발명에 의하면, 대상 마크의 주위에 거의 등간격으로 비대상 마크를 형성함으로써, 예를 들어 디바이스를 화학적 기계적 연마(CMP)하는 경우에 있어서, 디바이스 표면이 CMP 장치의 연마면에 대하여 기울어져 닿는 문제를 회피할 수 있어, 연마처리를 양호한 정밀도로 실행할 수 있다.According to the present invention, by forming a non-target mark at substantially equal intervals around the target mark, for example, in the case of chemical mechanical polishing (CMP) of the device, the surface of the device is inclined against the polishing surface of the CMP apparatus. The problem can be avoided, and the polishing treatment can be performed with good accuracy.

본 발명의 위치정보 검출방법은, 소정검출방식으로 마크를 검출하는 마크검출장치(9, CONT)를 사용하여 물체(P) 상에 형성된 대상 마크(2)를 검출하고, 그 검출결과에 기초하여 물체(P)의 위치정보를 검출하는 위치정보 검출방법으로서, 물체(P) 상에 대상 마크(2)와 소정의 위치관계를 갖도록 형성된, 소정의 검출방식에 대한 검출 용이성이 높은 비대상 마크(1)를 마크검출장치(9, CONT)로 검출하고, 비대상 마크(1)의 검출결과와 소정의 위치관계에 기초하여 마크검출장치(9, CONT)로 대상 마크(2)를 검출하며, 대상 마크(2)의 검출결과에 기초하여 물체(P)의 위치정보를 검출하는 것을 특징으로 한다.The position information detection method of the present invention detects the target mark 2 formed on the object P by using the mark detection device 9 (CONT) which detects the mark by a predetermined detection method, and based on the detection result. A positional information detecting method for detecting positional information of an object P, comprising: a non-target mark having high detectability with respect to a predetermined detection method formed on the object P to have a predetermined positional relationship with the target mark 2 ( 1) is detected by the mark detection apparatus 9 (CONT), and the target mark 2 is detected by the mark detection apparatus 9 (CONT) based on the detection result of the non-target mark 1 and a predetermined positional relationship, The positional information of the object P is detected based on the detection result of the target mark 2.

본 발명에 의하면, 대상 마크를 검출할 때, 검출 용이성이 높고 또 대상 마크와 소정의 위치관계에 있는 비대상 마크를 검출함으로써 빠른 처리속도로 비대상 마크를 검출한 후, 비대상 마크의 검출결과와 소정의 위치관계에 기초하여 대상 마크의 검출을 효율적으로 실행할 수 있다.According to the present invention, when detecting a target mark, after detecting the non-target mark at a high processing speed by detecting a non-target mark having high detectability and having a predetermined positional relationship with the target mark, the detection result of the non-target mark is detected. It is possible to efficiently detect the target mark based on and the predetermined positional relationship.

본 발명의 마크는, 물체(P) 상에 형성되어 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크이다. 마크(P1, P2)는, 물체(P) 상에 확보된 소정의 마크영역 내(A1)에서의 임의의 위치에 배치되고, 그 마크영역 내에서의 위치에 의해 정보를 나타낸다.The mark of the present invention is a mark formed on the object P and used for detecting positional information of the object. The marks P1 and P2 are disposed at any position in the predetermined mark area A1 secured on the object P, and indicate information by the position in the mark area.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the information is expressed by the position information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without the simple mark.

또한, 본 발명의 마크는, 물체(P) 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서, 제 1 마크영역(1)과, 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역(A1)을 포함하고, 제 1 마크영역에 물체의 위치정보를 검출하기 위한 제 1 마크가 형성되고, 제 2 마크영역 내에 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크(2, P1, P2)가 형성되어, 제 2 마크의, 제 2 마크영역 내에서의 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 나타낸다.In addition, the mark of the present invention is a mark formed on the object P and used for detecting the positional information of the object, and has a predetermined positional relationship with the first mark region 1 and the first mark region. A first mark for detecting positional information of the object in the first mark area, the second mark area A1 being formed, and disposed in an arbitrary position within the second mark area in the second mark area; Two marks 2, P1 and P2 are formed to show information about the first mark based on the position of the second mark in the second mark region.

본 발명의 노광장치는, 기판(P) 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 전기적으로 접속되고, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시키는 구동수단(CONT, PST, PSTD)을 구비하여, 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서, 검출수단에 의해 검출되는 마크가, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크(1)와, 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크(2, P1, P2)를 구비하고, 검출수단이, 제 2 마크영역 내(A1)에서의 제 2 마크의 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The exposure apparatus of the present invention comprises a detection means (9) for detecting positional information of a substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on a substrate (P), and the detection means is electrically connected to the detection means. An exposure apparatus connected to the circuit board and including driving means (CONT, PST, PSTD) for relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, the exposure apparatus transferring the predetermined pattern onto the substrate, The mark which is detected by the detecting means is detected by the detecting means, and the first mark 1 which generates a signal indicating the positional information of the substrate to the detecting means, and the mark disposed at an arbitrary position in the second mark area. Two marks 2, P1, and P2 are provided, and the detection means detects the information on the first mark based on the position of the second mark in the second mark area A1.

본 발명의 노광방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 전사하기 위한 노광방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크(2)를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 공정과, 검출수단에의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시켜 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하고, 마크(2)가, 검출공정에서 검출됨으로써 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1 마크(1)와, 제 2 마크영역 내의 임의의 위치에 형성되고, 제 2 마크영역 내에서의 위치에 의해 제 1 마크에 관한 정보를 나타내는 제 2 마크(2, P1, P2)를 갖는 마크로서, 제 2 마크영역 내에서의 제 2 마크의 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The exposure method of the present invention is an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate (P), wherein a mark (2) formed in a mark region composed of a first mark region (1) and a second mark region (A1) on a substrate. And detecting the positional information of the substrate by detecting the position information, and exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detection means. And the first mark 1 which generates the position signal of the substrate by being detected in the detection step and an arbitrary position in the second mark region, and the information about the first mark is determined by the position in the second mark region. As a mark having the second marks 2, P1, and P2 shown, information on the first mark is detected based on the position of the second mark in the second mark area.

본 발명의 제조방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 노광하기 위한 노광장치를 제조하는 방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 기판이 노광될 위치로 기판을 이동시키는 구동수단(CONT, PST, PSTD)을 형성하고, 마크가, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크(1)와, 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크(2)를 구비하고, 검출수단(9)이, 제 2 영역(A1)내에서의 제 2 마크(2, P1, P2)의 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern onto a substrate P, the method comprising: a mark region composed of a first mark region 1 and a second mark region A1 on a substrate. Detection means 9 for detecting positional information of the substrate by detecting the formed mark, and driving means (CONT, PST, PSTD) for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detection means. ), The mark is detected by the detecting means, and the first mark 1 for generating a signal indicating the positional information of the substrate to the detecting means, and the second arranged at an arbitrary position in the second mark region. It is provided with the mark 2, and the detection means 9 detects the information regarding the 1st mark based on the position of the 2nd mark 2, P1, P2 in the 2nd area | region A1.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한 마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the information is expressed by the positional information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without a simple mark.

본 발명의 마크는, 물체(P) 상에 형성되어 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서, 물체 상에 확보된 소정의 마크영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부(도 23-P1)와, 마크영역 내에서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부(도 23-P2)를 구비하고, 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치에 의해 정보를 나타낸다.The mark of the present invention is a mark formed on the object P and used for detecting the positional information of the object, and extending in the first direction within a predetermined mark area secured on the object (Fig. 23). -P1) and a horizontal pattern portion (Fig. 23-P2) extending in a second direction crossing the first direction in the mark area, the information being represented by the intersection position of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한 마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다. 또한, 종패턴부는 제 1 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 종패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 종패턴의 위치를 검출할 수 있고, 횡패턴부는 제 2 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 횡패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 횡패턴의 위치를 검출할 수 있어, 그 결과로부터 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치를 구할 수 있기 때문에, 패턴부에 대한 검출장치의 검출에어리어의 위치를 상대적으로 부여할 때의 정밀도를 여유있게 하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the information is expressed by the positional information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without a simple mark. Further, since the vertical pattern portion extends in the first direction long, if a portion of the vertical pattern portion can be detected, the position of the vertical pattern can be detected, and since the horizontal pattern portion extends in the second direction, the horizontal pattern portion If a part of the image can be detected, the position of the horizontal pattern can be detected, and the intersection position of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion can be obtained from the result, so that the position of the detection area of the detection device relative to the pattern portion is relatively determined. It becomes possible to allow the precision at the time of provision.

본 발명의 마크는, 물체(P) 상에 형성되어 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서, 제 1 마크영역(1)과, 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역(A1)을 포함하고, 제 1 마크영역에 물체의 위치정보를 검출하기 위한 제 1 마크가 형성되고, 제 2 마크영역 내에, 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크(2)가 형성되고, 제 2 마크는, 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부(도 23-P1)와, 제 2 영역 내에서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부(도 23-P2)를 구비하고, 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치에 의해 제 1 패턴에 관한 정보를 나타낸다.The mark of the present invention is a mark formed on the object P and used for detecting the positional information of the object. The mark is the first mark region 1 and the second mark having a predetermined positional relationship with the first mark region. A second mark including the area A1, wherein a first mark for detecting positional information of the object is formed in the first mark area, and disposed in an arbitrary position within the second mark area in the second mark area; (2) is formed, and the 2nd mark extends in the 2nd direction which cross | intersects the vertical pattern part (FIG. 23-P1) in a 1st direction in a 2nd area | region, and a 1st direction in a 2nd area | region. 23-P2 provided, and the information regarding a 1st pattern is shown by the intersection position of a vertical pattern part and a horizontal pattern part.

본 발명의 노광장치는, 기판(P) 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 전기적으로 접속되고, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시키는 구동수단(CONT, PST, PSTD)을 구비하여, 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서, 검출수단에 의해 검출되는 마크가, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부(도 23-P1) 및 제 2 영역 내에서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부(도 23-P2)로 구성되는 제 2 마크(2)를 구비하고, 검출수단은, 제 2 마크의 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.In the exposure apparatus of the present invention, detection means (9) for detecting positional information of a substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region (1) and a second mark region (A1) on a substrate (P). And drive means (CONT, PST, PSTD) electrically connected to the detection means and relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detection means. An exposure apparatus for transferring, wherein a mark detected by a detection means extends in a first direction within a second mark and a first mark for generating a signal indicating position information of a substrate to the detection means by being detected by the detection means. A second mark 2 composed of a vertical pattern portion (Fig. 23-P1) and a horizontal pattern portion (Fig. 23-P2) extending in a second direction crossing the first direction in the second region, and detecting The means includes the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion of the second mark. Information about the first mark is detected based on the intersection position.

본 발명의 노광방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 전사하기 위한 노광방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 공정과, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시켜 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하고, 마크가, 검출공정에서 검출되는 것에 의해 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부(도 23-P1) 및 제 2 영역 내에서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부(도 23-P2)를 구비한 제 2 마크(2)를 구비하고, 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The exposure method of the present invention is an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate P, wherein a mark formed in a mark region composed of the first mark region 1 and the second mark region A1 on the substrate is detected. Thereby detecting the positional information of the substrate, and exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detection means, wherein the mark is detected in the detection process. Thereby generating a position mark of the substrate, a longitudinal pattern portion (FIG. 23-P1) extending in the first direction in the second region, and a second direction crossing the first direction in the second region. The 2nd mark 2 provided with the extending horizontal pattern part (FIG. 23-P2) is provided, and the information regarding a 1st mark is detected based on the intersection position of a vertical pattern part and a horizontal pattern part.

본 발명의 제조방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 노광하기 위한 노광장치를제조하는 방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 기판이 노광될 위치로 기판을 이동시키는 구동수단(CONT, PST, PSTD)을 형성하고, 마크가, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부(P1)와, 제 2 영역 내에서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부(P2)를 구비한 제 2 마크(2)로 구성되고, 검출수단이, 제 2 마크의 종패턴부와 횡패턴부의 교점에 기초하여 제 1 패턴에 관한 정보를 검출하는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern onto a substrate (P), the method comprising: a mark region composed of a first mark region (1) and a second mark region (A1) on a substrate. Detection means 9 for detecting positional information of the substrate by detecting the formed mark, and driving means (CONT, PST, PSTD) for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detection means. ), The mark is detected by the detection means, and the first mark for generating a signal indicating position information of the substrate to the detection means, the vertical pattern portion P1 extending in the first direction in the second area; And a second mark 2 having a horizontal pattern portion P2 extending in a second direction crossing the first direction in the second region, wherein the detection means is transverse to the vertical pattern portion of the second mark. Based on the intersection of the pattern portion, information about the first pattern Shipping is also characterized in that.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한 마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다. 또한, 종패턴부는 제 1 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 종패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 종패턴의 위치를 검출할 수 있고, 횡패턴부는 제 2 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 횡패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 횡패턴의 위치를 검출할 수 있어, 종패턴부와 횡패턴부의 교점 위치를 구할 수 있기 때문에, 패턴부에 대하여 검출장치의 검출에어리어의 위치를 상대적으로 부여할 때의 정밀도를 여유있게 하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the information is expressed by the positional information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without a simple mark. Further, since the vertical pattern portion extends in the first direction long, if a portion of the vertical pattern portion can be detected, the position of the vertical pattern can be detected, and since the horizontal pattern portion extends in the second direction, the horizontal pattern portion When a part of the image can be detected, the position of the horizontal pattern can be detected, and the intersection position of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion can be obtained. Therefore, when the position of the detection area of the detection apparatus is relatively given to the pattern portion, It is possible to relax the precision of.

본 발명의 마크는, 물체 상에 형성되어 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서, 마크영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고, 마크영역 내에서의 패턴부의, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여정보가 표현되는 것을 특징으로 한다.The mark of the present invention is a mark formed on an object and used for detecting positional information of an object, the mark having a pattern portion extending in a first direction in the mark region, The information is expressed based on the position with respect to the intersecting second direction.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한 마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다. 또한, 패턴부는 제 1 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 패턴의 위치를 검출할 수 있어, 패턴부에 대하여 검출장치의 검출에어리어의 위치를 상대적으로 부여할 때의 정밀도를 여유있게 하는 것이 가능해진다. 또한, 제 2 방향에 관해서만, 즉 일방향에 관해서만 상기 패턴부의 위치를 검출하면 되므로, 검출공정을 간략화할 수 있다.According to the present invention, since the information is expressed by the positional information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without a simple mark. In addition, since the pattern portion extends long in the first direction, if a portion of the pattern portion can be detected, the position of the pattern can be detected, and the position of the detection area of the detection apparatus relative to the pattern portion can be detected. It becomes possible to allow precision. In addition, since the position of the pattern portion needs only to be detected only in the second direction, that is, in one direction, the detection process can be simplified.

본 발명의 마크는, 물체(P) 상에 형성되어 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서, 제 1 마크영역(1)과, 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역(A1)을 포함하고, 제 1 마크영역에 형성되어 물체의 위치정보의 검출에 사용되는 제 1 마크와, 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부(도 24-P1)를 구비하고, 제 2 영역 내에서의 패턴부의, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 의해 제 1 마크에 관한 정보를 나타내는 제 2 마크로 구성된다.The mark of the present invention is a mark formed on the object P and used for detecting the positional information of the object. The mark is the first mark region 1 and the second mark having a predetermined positional relationship with the first mark region. An area A1, and having a first mark formed in the first mark area and used for detecting positional information of the object, and extending in a first direction in the second area (Fig. 24-P1); And a second mark indicating the information on the first mark by the position of the pattern portion in the second area in the second direction crossing the first direction.

본 발명의 노광장치는, 기판(P) 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 전기적으로 접속되고, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시키는 구동수단(CONT, PST, PSTD)을 구비하여, 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서, 검출수단에 의해 검출되는 마크가 제 1 마크영역에 형성되고, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역(도 24-A1)내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부(도 24-P1)를 구비한 제 2 마크(2)로 구성되고, 검출수단이, 제 2 마크의 제 2 영역 내에서의 패턴부의 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.In the exposure apparatus of the present invention, detection means (9) for detecting positional information of a substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region (1) and a second mark region (A1) on a substrate (P). And drive means (CONT, PST, PSTD) electrically connected to the detection means and relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detection means. An exposure apparatus for transferring, wherein a mark detected by a detecting means is formed in a first mark region, and the first mark and second region (which generate a signal indicating position information of a substrate to the detecting means by detecting by a detecting means). It consists of the 2nd mark 2 provided with the pattern part (FIG. 24-P1) extended in a 1st direction in FIG. 24-A1, and a detection means is made from the pattern part in the 2nd area | region of a 2nd mark. Relative to the first mark based on the position in the two directions Detect information.

본 발명의 노광방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 전사하기 위한 노광방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 공정과, 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 기판을 상대이동시켜 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하며, 마크가, 검출공정에서 검출됨으로써 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역(A1)내에서 제 1 방향으로 연장되는 패턴부(도 25-P1)를 구비한 제 2 마크(2)로 구성되고, 위치정보를 검출하는 공정에서, 제 2 영역 내에서의 패턴부의, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The exposure method of the present invention is an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate P, wherein a mark formed in a mark region composed of the first mark region 1 and the second mark region A1 on the substrate is detected. Thereby detecting the positional information of the substrate; and exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the detected positional information of the substrate. And a second mark (2) having a pattern portion (FIG. 25-P1) extending in the first direction in the second area (A1) for generating a? The information on the first mark is detected based on the position of the pattern portion in the second area in the second direction crossing the first direction.

본 발명의 제조방법은, 소정 패턴을 기판(P) 상에 노광하기 위한 노광장치를 제조하는 방법으로서, 기판 상의 제 1 마크영역(1) 및 제 2 마크영역(A1)으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단(9)과, 검출수단에 의해 검출된 기판의 위치정보에 기초하여 기판이 노광될 위치로 기판을 이동시키는 구동수단을 형성하고, 마크가, 검출수단에 의해 검출됨으로써 검출수단에 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와, 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부(도 24-P1)를 구비하고, 검출수단이, 제2 영역 내에서의 패턴부의, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 나타내는 제 2 마크(2)로 구성되고, 검출수단이, 제 2 영역 내에서의 패턴부의 위치에 기초하여 제 1 마크에 관한 정보를 검출한다.The manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern onto a substrate P, the method comprising: a mark region composed of a first mark region 1 and a second mark region A1 on a substrate. Detecting means 9 for detecting positional information of the substrate by detecting the formed mark, and driving means for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, And a first mark for generating a signal indicating the positional information of the substrate by the detection means, and a pattern portion (Fig. 24-P1) extending in the first direction in the second area. And a second mark (2) representing information on the first mark based on a position in the second direction that intersects with the first direction in the pattern portion in the second area, wherein the detection means includes the second area. Position of the pattern part in the inside To detect the information about the first base marks.

본 발명에 의하면, 마크의 위치정보에 의해 정보가 표현되기 때문에, 단순한 마크의 유무에 의해 정보를 표현하는 것과 비교하여 보다 많은 정보를 표현하는 것이 가능해진다. 또한, 패턴부는 제 1 방향으로 길게 연장되어 있기 때문에 패턴부 상의 어딘가 일부를 검출할 수 있으면 패턴의 위치를 검출할 수 있어, 패턴부에 대하여 검출장치의 검출에어리어의 위치를 상대적으로 부여할 때의 정밀도를 여유있게 하는 것이 가능해진다. 그리고, 제 2 방향에 관해서만, 즉 일방향에 관해서만 상기 패턴부의 위치를 검출하면 되므로, 검출공정을 간략화할 수 있다.According to the present invention, since the information is expressed by the positional information of the mark, more information can be expressed compared to expressing the information with or without a simple mark. In addition, since the pattern portion extends long in the first direction, if a portion of the pattern portion can be detected, the position of the pattern can be detected, and the position of the detection area of the detection apparatus relative to the pattern portion can be detected. It becomes possible to allow precision. The position of the pattern portion needs only to be detected only in the second direction, that is, in one direction, so that the detection step can be simplified.

도면의 간단한 설명Brief description of the drawings

도 1 은, 본 발명에 관한 노광장치의 일실시형태를 나타내는 개략구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.

도 2 는, 본 발명의 위치 검출용 마크의 제 1 실시형태를 나타내는 도면이다.2 is a diagram showing a first embodiment of the position detection mark of the present invention.

도 3a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3A is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 3b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3B is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 3c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3C is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 3d 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3D is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 3e 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3E is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 3f 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 예를 나타내는 도면이다.3F is a diagram illustrating an example of a position detection mark according to the first embodiment of the present invention.

도 4a 는, 위치 검출장치를 사용하여 위치 검출용 마크가 검출되는 모양을 나타내는 도면이다.4A is a diagram illustrating a state in which a mark for position detection is detected using a position detection device.

도 4b 는, X축용 촬상소자가 출력한 촬상신호의 예를 나타내는 도면이다.4B is a diagram illustrating an example of an image pickup signal output by the X-axis image pickup device.

도 4c 는, Y축용 촬상소자가 출력한 촬상신호의 예를 나타내는 도면이다.4C is a diagram illustrating an example of an imaging signal output by the Y-axis imaging device.

도 5 는, 얼라인먼트 처리의 개요를 설명하기 위한 플로우차트이다.5 is a flowchart for explaining the outline of the alignment process.

도 6 은, 위치 검출장치의 계측영역 내에 배치된 복수의 위치 검출용 마크를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a plurality of position detection marks arranged in the measurement area of the position detection device.

도 7 은, 본 발명의 마크 식별방법의 제 1 실시형태를 나타내는 플로우차트도이다.Fig. 7 is a flowchart showing a first embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 8 은, 본 발명의 마크 식별방법의 제 1 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.8 is a diagram for explaining a first embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 9 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 1 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.9 is a diagram for explaining a first embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 10 은, 본 발명의 위치 검출용 마크의 다른 실시형태를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows another embodiment of the position detection mark of this invention.

도 11a 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11A is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11b 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11B is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11c 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11C is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11d 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.11D is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11e 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11E is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11f 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11F is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11g 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11G is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11h 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11H is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11i 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11I is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11j 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11J is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11k 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11K is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 11l 은, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 11L is a diagram showing a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 12 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 3 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 12 is a diagram showing a third embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 13a 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark of 3rd Embodiment of this invention.

도 13b 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark of 3rd Embodiment of this invention.

도 13c 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark of 3rd Embodiment of this invention.

도 13d 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark of 3rd Embodiment of this invention.

도 13e 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark of 3rd Embodiment of this invention.

도 14a 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 4 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 14A is a diagram showing a fourth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 14b 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 4 실시형태를 나타내는 도면이다.14B is a diagram showing a fourth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 14c 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 4 실시형태를 나타내는 도면이다.14C is a diagram showing a fourth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 15a 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 4 실시형태에 관한 다른 예를 나타내는 도면이다.Fig. 15A is a diagram showing another example of the fourth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 15b 는, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 4 실시형태에 관한 다른 예를 나타내는 도면이다.15B is a diagram showing another example of the fourth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 16 은, 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 5 실시형태를 나타내는 도면이다.Fig. 16 is a diagram showing a fifth embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention.

도 17 은, 본 발명의 마크 식별방법의 제 6 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.17 is a diagram for explaining a sixth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 18 은, 본 발명의 마크 식별방법의 제 7 실시형태를 설명하기 위한 플로우차트이다.18 is a flowchart for explaining the seventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 19a 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 7 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.19A is a diagram for explaining a seventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 19b 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 7 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.19B is a diagram for explaining a seventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 20a 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 8 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.20A is a diagram for explaining an eighth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 20b 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 8 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.20B is a diagram for explaining an eighth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 20c 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 8 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.20C is a diagram for explaining an eighth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 20d 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 8 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.20D is a diagram for explaining an eighth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 21 은, 본 발명의 위치 검출용 마크의 제 9 실시형태를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows 9th Embodiment of the position detection mark of this invention.

도 22a 는, 본 발명의 제 9 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark which concerns on 9th Embodiment of this invention.

도 22b 는, 본 발명의 제 9 실시형태에 관한 위치 검출용 마크의 작용을 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the operation | movement of the position detection mark which concerns on 9th Embodiment of this invention.

도 23a 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 10 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.Fig. 23A is a diagram for explaining a tenth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 23b 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 10 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.Fig. 23B is a diagram for explaining a tenth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 23c 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 10 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.Fig. 23C is a diagram for explaining a tenth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 23d 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 10 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.Fig. 23D is a diagram for explaining a tenth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 23e 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 10 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.Fig. 23E is a diagram for explaining a tenth embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 24 는, 본 발명의 제 10 실시형태의 적용예를 설명하기 위한 도면이다.It is a figure for demonstrating the application example of 10th Embodiment of this invention.

도 25a 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 11 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.25A is a diagram for explaining an eleventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 25b 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 11 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.25B is a diagram for explaining an eleventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 25c 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 11 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.25C is a diagram for explaining an eleventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 25d 는, 본 발명의 마크 식별방법의 제 11 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.25D is a diagram for explaining an eleventh embodiment of the mark identification method of the present invention.

도 26 은, 반도체디바이스의 제조공정의 일례를 나타내는 플로우차트이다.26 is a flowchart illustrating an example of a process of manufacturing a semiconductor device.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

제 1 실시형태1st Embodiment

이하, 본 발명의 마크 식별방법 및 노광방법의 제 1 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 본 실시형태는, 스텝 앤드 스캔 방식으로 마스크의 패턴을 감광기판에 노광하는 노광장치(소위 스캐닝스테퍼)의 얼라인먼트공정에 본 발명의 마크 식별방법을 적용한 것으로, 도 1 은 이 노광장치의 개략구성도이다. 또, 여기서 말하는 「감광기판」은 반도체웨이퍼 상에 레지스트를 도포한 것을 포함하고, 「마스크」는 감광기판 상에 축소투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment of the mark identification method and exposure method of this invention is described, referring drawings. In this embodiment, the mark identification method of the present invention is applied to an alignment step of an exposure apparatus (so-called scanning stepper) that exposes a pattern of a mask to a photosensitive substrate by a step-and-scan method. to be. Incidentally, the term "photosensitive substrate" as used herein includes a coating of a resist on a semiconductor wafer, and the term "mask" includes a reticle in which a device pattern to be projected on a photosensitive substrate is formed.

도 1 에 있어서, 노광장치(EX)는, 마스크(M)를 지지하는 마스크 스테이지(MST)와, 감광기판(P)을 지지하는 기판 스테이지(PST)와, 마스크 스테이지(MST)에 지지되어 있는 마스크(M)를 노광광(EL)으로 조명하는 조명광학계(IL)와, 노광광(EL)에 의해 조명된 마스크(M)의 패턴을 기판 스테이지(PST)에 지지되어 있는 감광기판(P)에 투영노광하는 투영광학계(PL)를 구비하고 있다. 본 실시형태에서의 노광장치(EX)는 소위 스캐닝스테퍼이다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 투영광학계(PL)의 광축(AX)과 일치하는 방향을 Z축방향, Z축방향에 수직인 평면내에서 마스크(M)와 감광기판(P)의 동기이동방향을 X축방향, Z축방향 및 X축방향에 수직인 방향을 Y축방향으로 한다.In FIG. 1, the exposure apparatus EX is supported by a mask stage MST that supports the mask M, a substrate stage PST that supports the photosensitive substrate P, and a mask stage MST. The illumination optical system IL for illuminating the mask M with the exposure light EL, and the photosensitive substrate P for holding the pattern of the mask M illuminated by the exposure light EL on the substrate stage PST. And a projection optical system PL for projecting exposure to the light. The exposure apparatus EX in this embodiment is a so-called scanning stepper. In the following description, the synchronous movement direction of the mask M and the photosensitive substrate P in a plane perpendicular to the Z axis direction and the Z axis direction in the direction coinciding with the optical axis AX of the projection optical system PL. The direction perpendicular to the X-axis direction, Z-axis direction, and X-axis direction is made into the Y-axis direction.

조명광학계(IL)는, 마스크 스테이지(MST)에 지지되어 있는 마스크(M)를 노광광(EL)에 의해 조명하는 것으로서, 광원, 광원으로부터 사출된 광속의 조도를 균일화하는 옵티컬 인티그레이터, 옵티컬 인티그레이터로부터의 노광광(EL)을 집광하는 콘덴서렌즈, 릴레이렌즈계, 노광광(EL)에 의한 마스크(M)상의 조명영역을 슬릿형상으로 설정하는 가변 시야조리개 등을 갖고 있다. 조명광학계(IL)로부터 사출되는 노광광(EL)으로는, 예를 들어 수은램프로부터 사출되는 자외역의 휘선(g선, h선, i선) 및 KrF 엑시머레이저광(파장 248nm) 등의 원자외광(DUV광)이나, ArF 엑시머레이저광(파장 193㎚) 및 F2레이저광(파장 157㎚) 등의 진공자외광(VUV) 등이 사용된다.The illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST by the exposure light EL, and is an optical integrator and an optical integrator that equalize the illuminance of the light beam emitted from the light source and the light source. And a condenser lens for condensing the exposure light EL from the grater, a relay lens system, and a variable field stop for setting the illumination region on the mask M by the exposure light EL to a slit shape. Examples of the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL include atoms such as ultraviolet rays (g-ray, h-ray and i-ray) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) in the ultraviolet region emitted from the mercury lamp. External light (DUV light), vacuum ultraviolet light (VUV) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) and the like are used.

마스크 스테이지(MST)는, 마스크(M)를 지지하는 것으로, 베이스(3)에 대하여 투영광학계(PL)의 광축(AX)에 수직인 평면내, 즉 XY평면내에서 2차원 이동 및 미소회전이 가능하게 되어 있다. 마스크 스테이지(MST)는 리니어모터 등의 구동장치(MSTD)에 의해 구동되고, 구동장치(MSTD)는, 노광장치 전체의 동작을 통괄제어하는 제어장치(CONT)에 의해 제어된다.The mask stage MST supports the mask M, and the two-dimensional movement and the minute rotation in the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL with respect to the base 3, that is, in the XY plane It is possible. The mask stage MST is driven by a drive device MSTD such as a linear motor, and the drive device MSTD is controlled by a control device CONT that collectively controls the operation of the entire exposure apparatus.

투영광학계(PL)는, 복수의 광학소자(렌즈)로 구성되어 있고, 이들 광학소자는 경통에 의해 지지되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 투영광학계(PL)는, 투영배율이 예를 들어 1/4 또는 1/5의 축소계이다. 또, 투영광학계(PL)는 등배계 및 확대계 중 어느 것이나 상관없다. 또한, 투영광학계(PL)는, 광학특성을 보정하는, 도시를 생략한 결상특성 제어장치를 갖고 있다. 이 결상특성 제어장치는, 예를 들어 투영광학계(PL)를 구성하는 일부의 렌즈군의 간격조정이나, 일부의 렌즈군의 렌즈실내의 기체압력을 조정함으로써, 투영광학계(PL)의 투영배율, 왜곡수차 등의 광학특성을 보정한다. 결상특성 제어장치는 제어장치(CONT)에 의해 제어된다.The projection optical system PL is composed of a plurality of optical elements (lenses), and these optical elements are supported by a barrel. In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system whose projection magnification is for example 1/4 or 1/5. The projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL also has an imaging characteristic control device (not shown) for correcting optical characteristics. This imaging characteristic control apparatus is, for example, by adjusting the interval of a part of the lens group constituting the projection optical system PL, or by adjusting the gas pressure in the lens chamber of the part of the lens group, the projection magnification of the projection optical system PL, Correct optical characteristics such as distortion aberration. The imaging characteristic control device is controlled by the control device CONT.

기판 스테이지(PST)는, 감광기판(P)을 지지하는 것으로, 기대(5)상을 투영광학계(PL)의 광축(AX)에 수직인 평면내, 즉 XY평면내에서 감광기판(P)을 2차원적으로 위치결정하는 XY스테이지와, 투영광학계(PL)의 광축(AX)에 평행한 방향, 즉 Z축방향으로 감광기판(P)을 위치결정하는 Z스테이지와, 및 감광기판(P)을 미소회전시키는 θ스테이지를 구비하고 있다.The substrate stage PST supports the photosensitive substrate P. The substrate stage PST supports the photosensitive substrate P. The substrate stage PST supports the photosensitive substrate P in the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane. An XY stage for positioning in two dimensions, a Z stage for positioning the photosensitive substrate P in a direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, a Z axis direction, and a photosensitive substrate P It is equipped with the (theta) stage which rotates a minute.

기판 스테이지(PST)상에는 이동경(6)이 설치되어 있다. 또한, 이동경(6)에 대향하는 위치에는 레이저간섭계(7)가 형성되어 있다. 이동경(6)은, X축에 수직인 반사면을 갖는 평면경 및 Y축에 수직인 반사면을 갖는 평면경(도시 생략)에 의해 구성되어 있다. 레이저간섭계(7)는, X축을 따라서 이동경(6)에 레이저빔을 조사하는 X축용 레이저간섭계 및 Y축을 따라서 이동경에 레이저빔을 조사하는 Y축용 레이저간섭계(도시 생략)에 의해 구성되고, 이들 X축용 및 Y축용 레이저간섭계(7)에 의해 기판 스테이지(PST)의 X방향 및 Y방향에서의 위치(X좌표, Y 좌표)가 계측된다. 또한, X축용 및 Y축용 중 한쪽에 2개의 레이저간섭계(7)를 병렬배치함으로써, 2개의 계측치의 차이로부터 기판 스테이지(PST)의 회전각이 계측된다. 이들 레이저간섭계(7)에 의한 기판 스테이지(PST)의 X좌표, Y좌표 및 회전각 등의 위치정보의 계측결과는 제어장치(CONT)에 출력되고, 제어장치(CONT)는, 위치정보를 모니터하면서 리니어모터 등의 구동장치(PSTD)를 통하여 기판 스테이지(PST)의 위치결정동작을 제어한다. 또, 도 1 에는 나타내고 있지 않지만, 마스크 스테이지(MST)에도 동일하게 복수의 레이저간섭계를 갖는 시스템을 구비하여, 마스크 스테이지(MST: 마스크(M))의 X좌표, Y좌표 및 회전각 등의 위치정보를 계측한다. 이들 계측결과는 제어장치(CONT)에 출력된다.The movable mirror 6 is provided on the substrate stage PST. Moreover, the laser interferometer 7 is formed in the position which opposes the moving mirror 6. The movable mirror 6 is constituted by a plane mirror having a reflective surface perpendicular to the X axis and a plane mirror (not shown) having a reflective surface perpendicular to the Y axis. The laser interferometer 7 is constituted by an X-axis laser interferometer for irradiating a laser beam to the movable mirror 6 along the X axis and a Y-axis laser interferometer (not shown) for irradiating the laser beam to the movable mirror along the Y axis. The position (X coordinate, Y coordinate) of the board | substrate stage PST in the X direction and the Y direction is measured by the axis | shaft and Y-axis laser interferometer 7. Further, by arranging the two laser interferometers 7 in one of the X axis and the Y axis, the rotation angle of the substrate stage PST is measured from the difference between the two measured values. The measurement results of the positional information such as the X coordinate, the Y coordinate, and the rotation angle of the substrate stage PST by these laser interferometers 7 are output to the control device CONT, and the control device CONT monitors the position information. While controlling the positioning operation of the substrate stage PST through a drive device PSTD such as a linear motor. Although not shown in FIG. 1, the mask stage MST is also provided with a system having a plurality of laser interferometers, and positions of X coordinates, Y coordinates, rotation angles, and the like of the mask stage MST (mask M). Measure the information. These measurement results are output to the control apparatus CONT.

노광장치(EX)는, 투영광학계(PL)와는 별도로 설치되는 오프ㆍ액시스(Off-Axis)방식의 얼라인먼트 광학계(위치 검출장치, 마크검출장치: 9)를 구비하고 있다. 얼라인먼트 광학계(9)는 직사각형상의 계측영역을 구비하고 있고, 예를 들어 할로겐램프로부터 사출되는 파장550∼750㎚정도의 광대역광을 감광기판(P) 상에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크(위치 검출용 마크)에 조사하여, 감광기판(P)의 표면과 공액인 면에 배치되는 지표마크의 이미지와 계측영역 내에 있는 얼라인먼트 마크의 이미지를 촬상소자(CCD)에 의해 검출한다. 제어장치(CONT)는, 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 마스크(M)의 패턴이미지와 감광기판(P)의 쇼트영역을 얼라인먼트한 다음, 마스크 스테이지(MST)를 투영광학계(PL)의 광축(AX)에 수직인 방향(본 실시형태에서는 +X방향)으로 주사하는 동시에, 이것과 동기하여 예를 들어 역방향(-X방향)으로 기판 스테이지(PST)를 투영광학계(PL)의 투영배율과 동일한 속도비로 주사하여, 마스크(M)의 패턴이미지를 감광기판(P) 상의 각 쇼트영역에 축차 전사(노광)한다.The exposure apparatus EX is provided with an off-axis alignment optical system (position detection apparatus, mark detection apparatus 9) provided separately from the projection optical system PL. The alignment optical system 9 has a rectangular measuring area, and is, for example, an alignment mark (mark for position detection) formed on the photosensitive substrate P for broadband light having a wavelength of about 550 to 750 nm emitted from a halogen lamp. ), The image of the indicator mark disposed on the surface conjugated with the surface of the photosensitive substrate P and the image of the alignment mark in the measurement area are detected by the imaging element CCD. The control apparatus CONT aligns the pattern image of the mask M and the shot region of the photosensitive substrate P using the alignment optical system 9, and then sets the mask stage MST to the optical axis of the projection optical system PL. Scan in the direction perpendicular to AX (+ X direction in this embodiment), and at the same speed as the projection magnification of the projection optical system PL in the reverse direction (-X direction), for example, in synchronism with this. By scanning at a ratio, the pattern image of the mask M is sequentially transferred (exposure) to each shot region on the photosensitive substrate P.

다음으로, 도 2 를 참조하면서, 감광기판(P) 상에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크에 대해서 설명한다. 도 2 는, 감광기판(P) 상에 형성되는 얼라인먼트 마크(1)를 포함하는 위치 검출용 마크(10)를 나타내는 도면이다.Next, the alignment mark formed on the photosensitive board | substrate P is demonstrated, referring FIG. FIG. 2 is a diagram showing a position detection mark 10 including an alignment mark 1 formed on the photosensitive substrate P. As shown in FIG.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 위치 검출용 마크(10)는, 감광기판(P) 상에 형성되고, 얼라인먼트검출계(9)에 의해 감광기판(P)의 XY평면내에서의 위치정보를 검출할 때에 사용되는 마크로서, 얼라인먼트 광학계(9)에 관찰됨으로써 얼라인먼트 광학계(9)에 위치정보를 출력시키기 위한 얼라인먼트 마크(제 1 패턴, 제 1 마크: 1)와, 얼라인먼트 마크(1)와 소정의 위치관계로 배치되어 있는 식별 마크(제 2 패턴, 제 2 마크: 2)를 구비하고 있다. 얼라인먼트 마크(1)는, 도면 중에서 X축방향으로 소정길이로 연장되는 패턴부(11L)와 스페이스부(11S)를 Y축방향으로 주기적으로 배치한 Y검출용 마크(11)와, Y검출용 마크(11)의 X축방향 양측에 형성되고, Y축방향으로 소정길이로 연장되는 패턴부(12L)와 스페이스부(12S)를 X축방향으로주기적으로 배치한 X검출용 마크(12)를 갖고 있다. 본 실시형태에 있어서, 복수의 패턴부(11L)는 모두 동일한 길이로 되고, 복수의 스페이스부(11S)는 각각 Y축방향에 있어서 동일한 크기(간격)로 되어 있다. 마찬가지로, 복수의 패턴부(12L)도 동일한 길이로 되어 있고, 복수의 스페이스부(12S)도 각각 X축방향에 있어서 동일한 크기(간격)로 되어 있다.As shown in FIG. 2, the position detection mark 10 is formed on the photosensitive board | substrate P, and the alignment detection system 9 detects the positional information in the XY plane of the photosensitive board | substrate P. As shown in FIG. As a mark used at this time, an alignment mark (first pattern, first mark: 1), an alignment mark 1, and a predetermined position for outputting position information to the alignment optical system 9 by being observed by the alignment optical system 9 The identification mark (2nd pattern, 2nd mark: 2) arrange | positioned in relationship is provided. The alignment mark 1 includes the Y detection mark 11 in which the pattern portion 11L and the space portion 11S are periodically arranged in the Y-axis direction, and the Y-detection portion, which extends a predetermined length in the X-axis direction in the drawing. The X detection mark 12 formed on both sides of the mark 11 in the X-axis direction and periodically arranged in the X-axis direction with a pattern portion 12L and a space portion 12S extending in a predetermined length in the Y-axis direction is provided. Have In the present embodiment, the plurality of pattern portions 11L are all the same length, and the plurality of space portions 11S are the same size (spacing) in the Y-axis direction, respectively. Similarly, the plurality of pattern portions 12L also have the same length, and the plurality of space portions 12S also have the same size (spacing) in the X-axis direction, respectively.

식별 마크(2)는, 감광기판(P) 상에 형성되어 있는 복수의 얼라인먼트 마크(1)중, 얼라인먼트 처리에 사용할 얼라인먼트 마크(1)를 식별하는 것으로서, 복수의 얼라인먼트 마크(1)의 각각에 부수하여 형성되어 있다. 도 2 에 나타내는 식별 마크(2)는, 얼라인먼트 마크(1)와 소정의 위치관계로 배치된 4개의 영역(R1∼R4) 각각에 3 종류의 캐릭터 패턴(A, B, C)을 배치함으로써 구성된다. 영역(R1∼R4)은 얼라인먼트 마크(1)에 대하여 미리 설정된 소정위치(상대위치)로 형성되어 있고, 영역(R1)과 영역(R2)은 X축방향으로 나란히 형성되고, 영역(R3)과 영역(R4)은 X축방향으로 나란히 형성되고, 영역(R1)과 영역(R3)은 Y축방향으로 나란히 형성되며, 영역(R2)과 영역(R4)은 Y축방향으로 나란히 형성되어 있다. 영역(R1)에는 A, B, C 3 종류의 캐릭터 패턴 중 어느 하나가 배치되고, 영역(R2)에는 A, B, C 3 종류의 캐릭터 패턴 중 어느 하나가 배치되고, 영역(R3)에는 A, B, C 3 종류의 캐릭터 패턴 중 어느 하나가 배치되며, 영역(R4)에는 A, B, C 3 종류의 캐릭터 패턴 중 어느 하나가 배치된다. 여기서, 영역(R1∼R4)의 각각에 배치되는 캐릭터 패턴(A, B, C)은, 부수되는 얼라인먼트 마크(1)에 따라서 결정되어 있다. 그리고, 식별 마크(2)는, 4개의 영역 각각에 3 종류의 캐릭터 패턴을 배치함으로써 34종류의 정보를 나타낼 수 있다.The identification mark 2 identifies the alignment mark 1 to be used for the alignment process among the plurality of alignment marks 1 formed on the photosensitive substrate P, and each of the plurality of alignment marks 1 is identified. It is formed incidentally. The identification mark 2 shown in FIG. 2 is comprised by arrange | positioning three types of character patterns A, B, and C in each of 4 area | regions R1-R4 arrange | positioned by the alignment mark 1 in predetermined positional relationship. do. The regions R1 to R4 are formed at predetermined positions (relative positions) preset with respect to the alignment mark 1, and the regions R1 and R2 are formed side by side in the X-axis direction, and the regions R3 and The regions R4 are formed side by side in the X-axis direction, the regions R1 and R3 are formed side by side in the Y-axis direction, and the regions R2 and R4 are formed side by side in the Y-axis direction. One of A, B, and C three types of character patterns is disposed in the area R1, and one of A, B, and C three types of character patterns is disposed in the area R2, and A is in the area R3. , Any one of B, C three kinds of character patterns are arranged, and in the region R4, any one of A, B, C three kinds of character patterns is arranged. Here, the character patterns A, B, and C arranged in each of the regions R1 to R4 are determined in accordance with the accompanying alignment mark 1. And the identification mark 2 can represent 34 types of information by arrange | positioning three types of character patterns in each of four area | regions.

여기서, 도 2 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서는, 영역의 수가 R1∼R4의 4개이고 캐릭터 패턴의 수가 A∼C의 3개이지만, 영역의 수(n) 및 캐릭터 패턴의 수(N)는 2이상의 자연수이면 되고, 식별 마크(2)는, 얼라인먼트 마크(1)와 소정의 위치관계로 배치된 n개의 영역 각각에 N 종류의 캐릭터 패턴을 배치함으로써 Nn종류의 정보를 나타낼 수 있다. 또한, 영역의 수 n=1 로 하고, 하나의 영역에 대하여 복수의 캐릭터 패턴 중 임의의 어느 하나를 선택하여 배치해도 된다.Here, in the identification mark 2 shown in FIG. 2, although the number of areas is four of R1-R4 and the number of character patterns is three of A-C, the number n of areas and the number N of character patterns are 2 and is a natural number equal to or greater than the identification mark (2), N n may represent a type of information by arranging the character pattern of the N type to the n number of areas arranged in the alignment mark 1 and the predetermined positional relationship. In addition, the number n of areas may be set to 1, and any one of a plurality of character patterns may be selected and arranged for one area.

도 3a∼도 3f는, 식별 마크(2)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.3A to 3F are diagrams showing an example of the configuration of the identification mark 2.

도 3a 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1∼R4)의 각각에 캐릭터 패턴(A)이 형성되어 있다. 도 3b 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A)가 형성되고, 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B)이 형성되고, 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되고, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되어 있다. 도 3c 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되고, 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B)이 형성되고, 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되며, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴이 없다. 이와 같이, 4개(n개) 영역(R1∼R4)중 하나에 캐릭터 패턴이 없는 것을 1 종류로 할 수 있다. 여기서는, 영역(R1∼R3)의 각각에 캐릭터 패턴이 형성되고 영역(R4)에만 캐릭터 패턴이 없는 구성이지만, 캐릭터 패턴이 없는 영역은 영역(R1∼R4)중 어느 영역이거나 상관없다. 즉, 도 3d 에 나타내는 식별 마크(2)와 같이, 영역(R3)에 캐릭터 패턴이 없고, 각각의 영역(R1, R2, R4)에 캐릭터 패턴(A, B, C)이 형성되어 있는 구성일 수도 있다. 여기서, 도 3c 의 식별 마크(2)와, 도 3d 의 식별 마크(2)는 다른 종류로서 식별가능하다. 도 3e 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1∼R3)에는 캐릭터 패턴이 없고, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되어 있다. 이와 같이 4개(n개) 있는 영역(R1∼R4)중 하나의 영역에만 캐릭터 패턴을 형성하는 구성으로 할 수 있다. 여기서, 도 3e 의 식별 마크(2)와, 예를 들어 도 3a 의 식별 마크(2)는 다른 종류로서 식별가능하다. 도 3f 에 나타내는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1∼R4)의 모든 영역에 캐릭터 패턴이 없다. 이와 같이, 4개(n개) 있는 영역(R1∼R4)의 모든 영역에 캐릭터 패턴이 없는 구성으로 할 수도 있다. 여기서, 도 3f 의 식별 마크(2)와, 예를 들어 도 3a 의 식별 마크(2)는 다른 마크로서 식별가능하다.In the identification mark 2 shown to FIG. 3A, the character pattern A is formed in each of area | regions R1-R4. In the identification mark 2 shown in FIG. 3B, the character pattern A is formed in the region R1, the character pattern B is formed in the region R2, and the character pattern C is formed in the region R3. Is formed, and the character pattern A is formed in the area | region R4. In the identification mark 2 shown in FIG. 3C, the character pattern A is formed in the region R1, the character pattern B is formed in the region R2, and the character pattern C is formed in the region R3. Is formed, and there is no character pattern in the area R4. In this way, one of the four (n) regions R1 to R4 has no character pattern. Here, although the character pattern is formed in each of the areas R1 to R3 and there is no character pattern only in the area R4, the area without the character pattern may be any of the areas R1 to R4. That is, like the identification mark 2 shown in FIG. 3D, there is no character pattern in the area R3, and the character patterns A, B, and C are formed in each of the areas R1, R2, and R4. It may be. Here, the identification mark 2 of FIG. 3C and the identification mark 2 of FIG. 3D can be identified as other types. In the identification mark 2 shown in FIG. 3E, there are no character patterns in the regions R1 to R3, and the character pattern A is formed in the region R4. Thus, a character pattern can be formed only in one area | region of four (n) area | regions R1-R4. Here, the identification mark 2 of FIG. 3E and, for example, the identification mark 2 of FIG. 3A can be identified as other types. In the identification mark 2 shown in FIG. 3F, all regions of the regions R1 to R4 do not have a character pattern. In this way, it is also possible to have a configuration in which all regions of the four (n) regions R1 to R4 have no character pattern. Here, the identification mark 2 of FIG. 3F and, for example, the identification mark 2 of FIG. 3A can be identified as other marks.

도 4a 는, 얼라인먼트 광학계(9)에 있어서 지표마크(20: 20A∼20D)를 갖는 지표판(도시 생략)에 감광기판(P) 상의 얼라인먼트 마크(1)의 이미지를 결상시킨 상태를 나타내고 있다. 여기서, 얼라인먼트 마크는 얼라인먼트용 검출광에 의해 조명되어 있고, 지표마크(20)는 얼라인먼트용 검출광과는 독립적인 조명광에 의해 조명되어 있다. 얼라인먼트 마크(1)의 이미지는, 소정방향(X축방향)으로 연장되는 패턴부(11L)를 갖는 Y검출용 마크(11)의 이미지와, 소정방향과 직교하는 방향(Y축방향)으로 연장되는 패턴부(12L)를 갖는 X검출용 마크(12)의 이미지를 가지고 있으며, 각각의 연장방향이 스테이지좌표계의 X축방향 및 Y축방향과 공액으로 되어 있다. 그리고, 지표판에는 얼라인먼트 마크(1)의 이미지를 X축방향으로사이에 끼워 2개의 지표마크(20A 및 20B)가 형성되고, 또한 얼라인먼트 마크(1)의 이미지를 Y축방향으로 사이에 끼워 2개의 지표마크(20C 및 20D)가 형성되며, 이들 지표마크(20A∼20D)는 감광기판(P)의 표면과 공액으로 배치되어 있다. 또한, 얼라인먼트 광학계(9)내에는, X축방향에 대응하는 방향으로 주사하는 X축용 촬상소자와, Y축방향에 대응하는 방향으로 주사하는 Y축용 촬상소자가 형성되어 있다. X축용 촬상소자는, 지표마크(20A, 20B) 및 패턴부(12L)를 가로지르는 방향으로 주사함으로써 X축방향의 검출영역(21X)내의 이미지를 촬상한다. 한편, Y축용 촬상소자는, 지표마크(20C, 20D) 및 패턴부(11L)를 가로지르는 방향으로 주사함으로써 Y축방향의 검출영역(21Y)내의 이미지를 촬상한다. 그리고, X축용 촬상소자는, 도 4b 에 나타내는 촬상신호(휘도 데이터: SX)를 출력한다. 도 4b 에 있어서, 신호부(22X)가 X검출용 마크(12)의 패턴부(12L)에 대응하여, 그 촬상신호(SX)를 아날로그/디지털(A/D) 변환하고 제어장치(CONT)에서 화상처리함으로써, 지표마크(20A, 20B)를 기준으로 한 X검출용 마크(12)의 X좌표가 검출된다. 한편, Y축용 촬상소자는, 도 4c 에 나타내는 촬상신호(휘도 데이터: SY)를 출력한다. 도 4c 에 있어서, 신호부(22Y)가 Y검출용 마크(11)의 패턴부(11L)에 대응하여, 그 촬상신호(SY)를 아날로그/디지털(A/D) 변환하고 제어장치(CONT)에서 화상처리함으로써, 지표마크(20C, 20D)를 기준으로 한 Y검출용 마크(11)의 Y좌표가 검출된다.FIG. 4A shows a state in which an image of the alignment mark 1 on the photosensitive substrate P is imaged on the indicator plate (not shown) having the indicator marks 20: 20A to 20D in the alignment optical system 9. Here, the alignment mark is illuminated by the alignment detection light, and the indicator mark 20 is illuminated by the illumination light independent of the alignment detection light. An image of the alignment mark 1 extends in an image of the Y detection mark 11 having the pattern portion 11L extending in a predetermined direction (X-axis direction) and in a direction orthogonal to the predetermined direction (Y-axis direction). It has an image of the X detection mark 12 having the pattern portion 12L to be formed, and each extending direction is conjugated with the X-axis direction and the Y-axis direction of the stage coordinate system. Then, two indicator marks 20A and 20B are formed in the indicator plate by sandwiching the image of the alignment mark 1 in the X axis direction, and two images of the alignment mark 1 are sandwiched in the Y axis direction. Two indicator marks 20C and 20D are formed, and these indicator marks 20A to 20D are arranged in conjugate with the surface of the photosensitive substrate P. As shown in FIG. Moreover, in the alignment optical system 9, the X-axis imaging element which scans in the direction corresponding to the X-axis direction, and the Y-axis imaging element which scans in the direction corresponding to the Y-axis direction are formed. The X-axis imaging device picks up an image in the detection area 21X in the X-axis direction by scanning in the direction crossing the indicator marks 20A, 20B and the pattern portion 12L. On the other hand, the Y-axis imaging device picks up an image in the detection area 21Y in the Y-axis direction by scanning in the direction crossing the indicator marks 20C, 20D and the pattern portion 11L. Then, the X-axis imaging device outputs an imaging signal (luminance data: SX) shown in FIG. 4B. In Fig. 4B, the signal portion 22X corresponds to the pattern portion 12L of the X detection mark 12, converts the captured image signal SX to analog / digital (A / D), and controls the controller CONT. By the image processing at, the X coordinate of the X detection mark 12 on the basis of the indicator marks 20A and 20B is detected. On the other hand, the Y-axis imaging device outputs an imaging signal (luminance data: SY) shown in Fig. 4C. In Fig. 4C, the signal portion 22Y corresponds to the pattern portion 11L of the Y detection mark 11, converts the captured image signal SY to analog / digital (A / D), and controls the controller CONT. By the image processing at, the Y coordinate of the Y detection mark 11 on the basis of the indicator marks 20C and 20D is detected.

그리고, 얼라인먼트 마크(1)를 촬상했을 때에 X축용 및 Y축용 레이저간섭계(7)가 출력하는 기판 스테이지(PST)의 계측결과에 기초하여, 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 마크(1)의 스테이지좌표계상에서의 좌표를 구한다. 이러한 얼라인먼트 마크이미지를 촬상소자로 촬상하여 얼라인먼트 마크(1)의 좌표치를 구하는 수법은 FIA(Field Image Alignment)계라고 불리며, 본 실시형태에서는 FIA계 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 얼라인먼트공정을 실행하는 것으로 하고, 또, 본 실시형태에서 사용되는 라인 앤드 스페이스로 이루어지는 얼라인먼트 마크는 FIA계의 얼라인먼트검출계(9)에 의해 검출되는 2차원마크로서, 1개의 마크로 X축방향 및 Y축방향의 위치를 검출할 수 있다. 또, 이상의 설명에서는 얼라인먼트 마크(1)의 이미지가 지표판 상에 결상되는 FIA계를 전제로 하여 설명했지만, 지표판이 얼라인먼트용 검출광의 광로상과는 별도의 광로 상에 배치되고, 얼라인먼트 마크(1)의 이미지와 지표마크의 이미지가 촬상소자 상에서 결상되는 구성인 경우에도 마찬가지이다.And based on the measurement result of the board | substrate stage PST which the X- and Y-axis laser interferometers 7 output when the alignment mark 1 is imaged, the control apparatus CONT is the stage coordinate system of the alignment mark 1, Find the coordinates of the phase. The method of obtaining the coordinate value of the alignment mark 1 by imaging such an alignment mark image with an imaging element is called a FIA (Field Image Alignment) system, and in this embodiment, an alignment process is performed using the FIA system alignment optical system 9. In addition, the alignment mark which consists of the line and space used by this embodiment is a two-dimensional mark detected by the alignment detection system 9 of FIA system, and one mark has the position of X-axis direction and Y-axis direction as one mark. Can be detected. In addition, in the above description, it demonstrated on the assumption of the FIA system that the image of the alignment mark 1 image-forms on the indicator board, but the indicator board is arrange | positioned on the optical path separate from the optical path image of the alignment detection light, and the alignment mark 1 The same applies to the case in which the image of) and the image of the indicator mark are formed on the image pickup device.

다음으로, 상기 서술한 구성을 갖는 얼라인먼트 광학계(위치 검출장치: 9)를 구비한 노광장치(EX)를 사용하여, 감광기판(P)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크를 검출하고, 노광처리하는 방법에 관해서 도 5∼도 7을 참조하면서 설명한다.Next, using the exposure apparatus EX provided with the alignment optical system (position detection apparatus 9) which has the above-mentioned structure, the alignment mark formed in the photosensitive board | substrate P is detected, and it exposes to the method of exposing process. This will be described with reference to FIGS. 5 to 7.

도 5 는, 노광장치(EX)의 동작의 개요를 나타내는 플로우차트이다. 도 5 를 참조하면서, 노광장치(EX)의 동작중 얼라인먼트 처리를 주안으로 한 동작의 개요에 대해 설명한다.5 is a flowchart showing the outline of the operation of the exposure apparatus EX. With reference to FIG. 5, the outline | summary of the operation which focused on the alignment process during operation of the exposure apparatus EX is demonstrated.

우선, 마스크(M) 및 감광기판(P)의 각각이 마스크 스테이지(MST) 및 기판 스테이지(PST)의 각각에 대해 반송된다. 여기에서 감광기판(P)이 기판 스테이지(PST) 에 반송ㆍ지지될 때, 감광기판(P)의 물리적 형상, 예를 들어 감광기판(P)이 웨이퍼인 경우에는 오리엔테이션ㆍ플랫 또는 노치 등을 사용하여, 기판 스테이지(PST)에 대한 감광기판(P)의 예비적인 위치정합(프리얼라인먼트 처리)이 실행된다(스텝 S1).First, each of the mask M and the photosensitive substrate P is conveyed with respect to each of the mask stage MST and the substrate stage PST. Here, when the photosensitive substrate P is transported and supported by the substrate stage PST, the physical shape of the photosensitive substrate P, for example, when the photosensitive substrate P is a wafer, an orientation flat plate or a notch is used. Thus, preliminary positioning of the photosensitive substrate P with respect to the substrate stage PST (preliminary alignment processing) is performed (step S1).

또한, 여기에서는 감광기판(P)이 기판 스테이지(PST)에 반송ㆍ지지될 때의 위치정합을 「프리얼라인먼트 처리」라고 하였는데, 감광기판(P)이 기판 스테이지(PST)에 지지되기 이전의 감광기판 반송경로 상에서, 감광기판(P)의 물리적 형상을 이용하여 예비적인 위치정합을 실행하는 경우나, 감광기판(P)이 기판 스테이지(PST)에 지지되기 이전의 반송경로 상과 감광기판(P)이 기판 스테이지(PST)에 지지되기 직전의 양방에서 감광기판(P)의 물리적 형상을 이용하여 예비적인 위치정합을 실행하는 경우도 있어, 이들을 「프리얼라인먼트 처리」라 총칭한다.In addition, here, the alignment when the photosensitive board | substrate P is conveyed and supported by the board | substrate stage PST was called "preliminary process." The photosensitive board | substrate P was before being supported by the board | substrate stage PST. On the substrate conveyance path, when preliminary positioning is performed using the physical shape of the photosensitive substrate P, or before the photosensitive substrate P is supported by the substrate stage PST and the photosensitive substrate P Note that there is a case where preliminary positioning is performed by using the physical shape of the photosensitive substrate P in both immediately before being supported by the substrate stage PST, and these are collectively referred to as " prealignment processing ".

이어서, 노광장치(CONT)는, 감광기판(P)에 대한 노광처리가 1회째의 노광처리인지 아닌지, 즉 감광기판(P)에 대한 제 1 층째의 패턴전사인지 제 2 층째 이후의 패턴전사인지를 판별한다(스텝 S2).Subsequently, the exposure apparatus CONT determines whether the exposure treatment with respect to the photosensitive substrate P is the first exposure treatment, that is, whether it is the pattern transfer of the first layer to the photosensitive substrate P, or the pattern transfer after the second layer. (Step S2).

1회째의 노광처리인 것으로 판단한 경우, 제어장치(CONT)는, 마스크(M)를 지지하는 마스크 스테이지(MST) 및 감광기판(P)을 지지하는 기판 스테이지(PST)를 동기이동하면서, 조명광학계(IL)에 의해 마스크(M)를 노광광(EL)으로 조명하고, 마스크(M)의 패턴을 투영광학계(PL)를 통해 감광기판(P)의 각 쇼트영역에 노광한다(스텝 S8).When it determines with the 1st exposure process, the control apparatus CONT synchronously moves the mask stage MST which supports the mask M, and the board | substrate stage PST which supports the photosensitive board | substrate P, and the illumination optical system The mask M is illuminated with the exposure light EL by IL, and the pattern of the mask M is exposed to each shot region of the photosensitive substrate P through the projection optical system PL (step S8).

이 때의 쇼트 배열은 설계상의 데이터(쇼트 맵 데이터)에 기초하여 실행된다.The short array at this time is executed based on design data (short map data).

한편, 스텝 S2에 있어서, 감광기판(P)에 대한 노광처리가 2회째 이후의 노광처리인 것으로 판단한 경우, 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)에 의해 계측영역 내에 있는 마크를 검출한다(스텝 S3).On the other hand, in step S2, when it is judged that the exposure process to the photosensitive board | substrate P is the exposure process after 2nd time, the control apparatus CONT detects the mark in a measurement area by the alignment optical system 9 ( Step S3).

여기에서 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에는, 나중에 도 6 을 이용하여 설명하는 바와 같이 얼라인먼트 처리에 사용하는 얼라인먼트 마크와, 얼라인먼트 처리에 사용하지 않는 얼라인먼트 마크가 동시에 삽입되는 경우가 있다. 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에서 삽입된 복수의 얼라인먼트 마크 중, 얼라인먼트 처리에서 사용하는 얼라인먼트 마크를 식별하여 특정한다(스텝 S4).Here, in the measurement area of the alignment optical system 9, the alignment mark used for alignment processing and the alignment mark not used for alignment processing may be inserted simultaneously, as demonstrated later using FIG. The control apparatus CONT identifies and specifies the alignment mark used by the alignment process among the some alignment mark inserted in the measurement area of the alignment optical system 9 (step S4).

제어장치(CONT)는 복수의 얼라인먼트 마크로부터 얼라인먼트 처리에서 사용하는 얼라인먼트 마크를 특정하면, 이 특정된 얼라인먼트 마크의 위치(스테이지 좌표계에서의 좌표값)를 검출한다(스텝 S5).When the control apparatus CONT specifies the alignment mark used for alignment processing from a plurality of alignment marks, the control apparatus CONT detects the position (coordinate value in a stage coordinate system) of this specified alignment mark (step S5).

이어서, 제어장치(CONT)는 소정 수의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출했는지 여부를 판별한다(스텝 S6).Subsequently, the control apparatus CONT determines whether the position of the predetermined number of alignment marks has been detected (step S6).

스텝 S6에 있어서, 소정 수에 도달하지 않은 것으로 판단한 경우, 제어장치(CONT)는 스텝 S3으로 되돌아간다. 한편, 소정 수에 도달한 것으로 판단한 경우, 제어장치(CONT)는 복수의 얼라인먼트 마크의 검출위치를 이용하여 통계연산처리(EGA처리 등)를 실행하고, 각 쇼트영역의 위치를 산출한다(스텝 S7).If it is determined in step S6 that the predetermined number has not been reached, the control apparatus CONT returns to step S3. On the other hand, when it is determined that the predetermined number has been reached, the control apparatus CONT executes statistical calculation processing (EGA processing, etc.) using the detection positions of the plurality of alignment marks, and calculates the position of each shot area (step S7). ).

그리고 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)에 의해 감광기판(P) 상의 소정 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하고, 미리 관리되어 있는 베이스 라인량에 기초하여 마스크(M)와 감광기판(P)의 쇼트영역을 위치정합한 후, 스텝 S7에서 산출된각 쇼트영역의 산출위치에 따라 감광기판(P)을 순차 이동시키고, 쇼트영역마다 마스크(M)의 패턴 이미지를 정확하게 중첩한 상태에서 노광광(EL)에 의해 마스크(M)의 패턴 이미지를 투영노광한다. 이 때, 스텝 S8에서 사용되는 베이스 라인량은, 기판 스테이지(PST)에 형성되어 있는 기준 마크(FM ; 도 1 참조)를 사용하여 미리 계측되어 있다.The control device CONT detects the position of the predetermined alignment mark on the photosensitive substrate P by the alignment optical system 9, and based on the base line amount managed in advance, the control device CONT of the mask M and the photosensitive substrate P is controlled. After aligning the shot regions, the photosensitive substrate P is sequentially moved in accordance with the calculation position of each shot region calculated in step S7, and the exposure light (with the pattern image of the mask M superimposed accurately for each shot region) EL) projects and exposes the pattern image of the mask M. FIG. At this time, the base line quantity used in step S8 is previously measured using the reference mark FM (refer FIG. 1) formed in the board | substrate stage PST.

또한 감광기판(P) 상의 복수의 얼라인먼트 마크를 검출하여 각 쇼트영역의 위치 검출(EGA처리)을 실행하는 스텝 S3∼S7까지의 일련의 처리가 얼라인먼트 처리이다.Further, alignment processing is a series of processes from steps S3 to S7 which detect a plurality of alignment marks on the photosensitive substrate P and perform position detection (EGA processing) of each shot region.

그런데, 감광기판(P) 상에는 복수의 쇼트영역의 각각에 대응하여 얼라인먼트 마크가 복수 형성되어 있고, 예를 들어 인접하는 쇼트영역의 각각에 대응하여 형성된 얼라인먼트 마크끼리 근접하여 배치되는 경우가 있다. 이 경우, 얼라인먼트 광학계(9)는 이들 근접하는 복수의 얼라인먼트 마크를 계측영역 내에 동시에 삽입하는 경우가 있다. 도 6 은 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에, 감광기판(P) 상에 형성되어 있는 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)가 동시에 배치되어 있는 상태를 나타내는 도면이다.Incidentally, a plurality of alignment marks are formed on the photosensitive substrate P corresponding to each of the plurality of short regions, and for example, alignment marks formed corresponding to each of the adjacent short regions may be disposed adjacent to each other. In this case, the alignment optical system 9 may insert a plurality of these adjacent alignment marks simultaneously in a measurement area. FIG. 6 shows a state in which a plurality of alignment marks 1A to 1E formed on the photosensitive substrate P are simultaneously arranged in the measurement region of the alignment optical system 9.

도 6에 나타내는 바와 같이 감광기판(P) 상에는 인접하는 쇼트영역(SH1, SH2)의 각각에 대응하여 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)가 형성되어 있고, 이들 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)가 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에서 동시에 검출되고 있다. 이 중, 얼라인먼트 마크(1A, 1B, 1C)는 쇼트영역(SH1)에 대응하여 형성된 것이고, 얼라인먼트 마크(1D, 1E)는 쇼트영역(SH2)에 대응하여 형성된 것이다.As shown in Fig. 6, on the photosensitive substrate P, a plurality of alignment marks 1A to 1E are formed corresponding to each of the adjacent shot regions SH1 and SH2, and the plurality of alignment marks 1A to 1E. Is detected simultaneously in the measurement area of the alignment optical system 9. Among these, the alignment marks 1A, 1B, and 1C are formed corresponding to the shot region SH1, and the alignment marks 1D and 1E are formed corresponding to the shot region SH2.

또, 기판 상에는 복수의 레이어가 설치되어 층구조가 형성되어 있고, 얼라인먼트 마크(1A 및 1E)는 최상층의 레이어(이하, 적절하게「No.3 레이어」라고 함)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크이고, 얼라인먼트 마크(1B 및 1D)는 전 레이어, 즉 No.3 레이어의 하층 레이어(이하, 적절하게「No.2 레이어」라고 함)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크이고, 얼라인먼트 마크(1C)는 전 레이어, 즉 No.2 레이어의 하층 레이어(이하, 적절하게「No.1 레이어」라고 함)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크이다. 이와 같이 얼라인먼트 마크가 근접상태로 되는 것은 전 레이어에서 형성된 얼라인먼트 마크가 관찰되는 경우가 있기 때문이고, 도 6에는 전 레이어 및 전 레이어에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크가, 상측의 레이어를 통해 얼라인먼트 광학계(9)에 인식되어 있는 상태가 나타나 있다.In addition, a plurality of layers are provided on the substrate to form a layer structure, and the alignment marks 1A and 1E are alignment marks formed on the uppermost layer (hereinafter referred to as "No. 3 layer"), The alignment marks 1B and 1D are alignment marks formed on all layers, that is, the lower layer of the No. 3 layer (hereinafter referred to as "No. 2 layer" as appropriate), and the alignment marks 1C are all layers, That is, it is an alignment mark formed in the lower layer of a No. 2 layer (henceforth "No. 1 layer"). The alignment marks are brought into proximity in this manner because the alignment marks formed in the previous layers may be observed. In FIG. 6, the alignment marks formed in the previous layer and the previous layer are aligned through the upper layer. Recognized state is shown in the figure.

그리고 얼라인먼트 마크(1A)에 부수되는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되고, 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B)이 형성되고, 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되고, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되어 있다. 또 얼라인먼트 마크(1C)에 부수되는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되고, 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B)이 형성되고, 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되고, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되어 있다. 또 얼라인먼트 마크(1E)에 부수되는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A)이 형성되고, 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B)이 형성되고, 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되고, 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(C)이 형성되어 있다. 한편,얼라인먼트 마크(1B 및 1D)에 부수되는 식별 마크(2)에 있어서, 영역(R1∼R4)의 각각에 캐릭터 패턴이 없다. 이와 같이 얼라인먼트 마크(1A∼1E)와 이것에 부수되는 식별 마크(2)가 각 레이어마다 형성되어 있고, 식별 마크(2)에 의해 표시되는 정보가 각 레이어마다 다르도록 식별 마크(2)가 형성되어 있다.In the identification mark 2 accompanying the alignment mark 1A, a character pattern A is formed in the region R1, a character pattern B is formed in the region R2, and in the region R3. The character pattern C is formed, and the character pattern A is formed in the area | region R4. In the identification mark 2 accompanying the alignment mark 1C, a character pattern A is formed in the region R1, a character pattern B is formed in the region R2, and in the region R3. The character pattern A is formed, and the character pattern C is formed in the area | region R4. In the identification mark 2 accompanying the alignment mark 1E, a character pattern A is formed in the region R1, a character pattern B is formed in the region R2, and in the region R3. The character pattern C is formed, and the character pattern C is formed in the area R4. On the other hand, in the identification mark 2 accompanying the alignment marks 1B and 1D, there is no character pattern in each of the areas R1 to R4. Thus, the alignment marks 1A to 1E and the identification marks 2 accompanying them are formed for each layer, and the identification marks 2 are formed so that the information displayed by the identification marks 2 is different for each layer. It is.

이하, 도 5에 나타낸 스텝 S4에 있어서, 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 삽입된 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E) 중, 얼라인먼트 마크(검출대상 마크; 1A)를 사용하여 다음 층의 회로패턴을 갖는 마스크와 감광기판(P) 상의 쇼트영역(SH1)을 얼라인먼트하는 경우에 대해 설명한다.Hereinafter, in step S4 shown in FIG. 5, the circuit pattern of the next layer using the alignment mark (detection target mark; 1A) among the some alignment mark 1A-1E inserted in the measurement area of the alignment optical system 9 hereafter. A case of aligning the mask having the structure and the shot region SH1 on the photosensitive substrate P will be described.

여기에서 제어장치(CONT ; 혹은 이것에 접속되어 있는 기억장치)에는, 위치 검출대상이 되는 얼라인먼트 마크(검출대상 마크)에 관한 정보를 수록한 프로세스 데이터, 감광기판(P) 상의 각 쇼트영역의 위치 데이터 및 각 쇼트영역 내의 마크의 위치 데이터를 포함하는 쇼트 맵 데이터, 그리고 마크 정보가 미리 기억되어 있다.Here, the control device CONT (or a storage device connected thereto) includes process data containing information on alignment marks (detection target marks) to be position detection objects, and positions of the respective shot regions on the photosensitive substrate P. FIG. The shot map data including the data and the position data of the marks in each shot area and the mark information are stored in advance.

프로세스 데이터는, 예를 들어 「얼라인먼트 마크(1A)는 No.3 레이어 상에 다음 층의 회로패턴을 적층할 때의 얼라인먼트 처리에 사용되는 얼라인먼트 마크이다」라는 정보를 포함한다. 따라서 제어장치(CONT)는 상기 다음 층의 회로패턴을 갖는 마스크(M)를 사용하여 노광처리할 때, 이 프로세스 데이터를 참조하여, 사용하기 위한 얼라인먼트 마크(검출대상 마크)를 결정한 후 얼라인먼트 처리한다.The process data includes, for example, information that " alignment mark 1A is an alignment mark used for alignment processing when laminating a circuit pattern of a next layer on layer No. 3 ". Therefore, when the control apparatus CONT performs the exposure process using the mask M having the circuit pattern of the next layer, the control device CONT determines the alignment mark (detection target mark) for use, and then performs the alignment process with reference to this process data. .

마크정보란 예를 들어 「영역(R1)에는 캐릭터 패턴(A), 영역(R2)에는 캐릭터 패턴(B), 영역(R3)에는 캐릭터 패턴(C), 영역(R4)에는 캐릭터 패턴(A)이 각각 배치되어 있으면, 이 얼라인먼트 마크는 1A이다」와 같이, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 각각에 부수되어 있는 식별 마크 3 종류의 패턴(A∼C)의 형체 및 배치위치에 관한 정보를 포함한다. 제어장치(CONT)는, 이 마크 정보를 참조함으로써, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 검출대상 마크인 얼라인먼트 마크(1A)를 특정한다.The mark information is, for example, "the character pattern A in the area R1, the character pattern B in the area R2, the character pattern C in the area R3, and the character pattern A in the area R4. And the alignment marks are 1A, ”information regarding the shape and arrangement position of the three types of identification marks A to C attached to each of the plurality of alignment marks 1A to 1E. It includes. By referring to this mark information, the control apparatus CONT specifies the alignment mark 1A which is a detection target mark from the some alignment mark 1A-1E.

도 7은, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 얼라인먼트 처리에 사용하는 특정 얼라인먼트 마크(검출대상 마크;1A)를 식별하기 위한 수순을 나타내는 플로차트(즉, 도 5의 스텝 S4의 상세도)이다.FIG. 7 is a flowchart showing the procedure for identifying the specific alignment mark (mark to be detected) 1A to be used for alignment processing from the plurality of alignment marks 1A to 1E (that is, a detailed view of step S4 in FIG. 5). .

먼저, 제어장치(CONT)는, 전술한 바와 같이 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 있는 마크를 검출한다(스텝 S3).First, the control apparatus CONT detects the mark in the measurement area of the alignment optical system 9 as mentioned above (step S3).

여기에서 제어장치(CONT)는, 검출대상 마크(1A)를 상기 프로세스 데이터를 참조하여 결정함과 동시에, 쇼트 맵 데이터로부터 검출대상 마크(1A)의 좌표값을 판독하고, 이 좌표값에 기초하여 기판 스테이지(PST)를 구동하여, 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 검출대상 마크(1A)를 계속 넣도록 제어한다. 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내의 휘도 데이터를 삽입하여 화상처리하여 마크를 검출한다.Here, the control apparatus CONT determines the detection target mark 1A with reference to the process data, reads the coordinate value of the detection target mark 1A from the short map data, and based on this coordinate value. The substrate stage PST is driven to control to continuously insert the detection target mark 1A into the measurement area of the alignment optical system 9. The control apparatus CONT inserts the luminance data in the measurement area of the alignment optical system 9 and performs image processing to detect a mark.

제어장치(CONT)는, 먼저 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 1개 이상의 얼라인먼트 마크를 검출했는지 여부를 판별한다(스텝 S11).The control apparatus CONT first determines whether one or more alignment marks have been detected in the measurement area of the alignment optical system 9 (step S11).

즉, 감광기판(P)은 스텝 S1의 프리얼라인먼트로 위치결정되어 있으므로 위치정밀도가 낮기 때문에, 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 마크가 조금도 검출되지 않는 경우가 있다. 이 때문에 제어장치(CONT)는 계측영역 내에 마크가 있는지 여부를 판별한다.That is, since the photosensitive board | substrate P is positioned by the prealignment of step S1, since a positional precision is low, a mark may not be detected at all in the measurement area of the alignment optical system 9. For this reason, the control apparatus CONT determines whether there is a mark in the measurement area.

스텝 S11에 있어서, 계측영역 내에 마크가 검출되지 않은 것으로 판단된 경우, 제어장치(CONT)는 계측영역 변경회수가 소정 회수에 도달했는지 여부를 판별한다(스텝 S12).When it is determined in step S11 that no mark is detected in the measurement area, the control device CONT determines whether the number of times of measurement area change has reached a predetermined number of times (step S12).

스텝 S12에 있어서, 영역변경이 소정 회수에 도달한 것으로 판단된 경우, 제어장치(CONT)는 에러표시를 한다. 한편 영역변경이 소정 회수에 도달하지 않은 것으로 판단한 경우, 제어장치(CONT)는 계측영역을 변경한다(스텝 S13).In step S12, when it is determined that the area change has reached a predetermined number of times, the control apparatus CONT displays an error. On the other hand, when it is determined that the area change has not reached the predetermined number of times, the control apparatus CONT changes the measurement area (step S13).

그리고 제어장치(CONT)는 변경한 계측영역에서 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 마크를 검출한다(스텝 S3).And the control apparatus CONT detects a mark using the alignment optical system 9 in the changed measurement area (step S3).

또한 스텝 S13의 계측영역의 변경은, 목표제어값(쇼트 맵 데이터에 의한 검출대상 마크(1A)의 좌표값)을 중심으로 하여, 계측영역에 대해 얼라인먼트 광학계(9)를 조정함으로써 저배(低倍)의 광역영역으로 변경하는 처리, 혹은 쇼트 맵 데이터로부터의 검출대상 마크(1A)의 좌표값에 기초하여 소정의 오프셋을 추가하여 보정좌표값으로 하고, 이 보정좌표값에 기초하여 계측영역을 이동하는 처리 등을 포함한다.In addition, the change of the measurement area of step S13 is reduced by adjusting the alignment optical system 9 with respect to the measurement area centering on the target control value (coordinate value of the detection target mark 1A by short map data). A predetermined offset is added based on the coordinates of the detection target mark 1A from the short map data or the process of changing to the wide-area region of?), And the measurement area is moved based on the correction coordinate value. Processing to be performed.

한편, 스텝 S11에 있어서, 계측영역 내에 복수의 얼라인먼트 마크가 검출된 것으로 판단한 경우(즉, 도 6에 나타내는 상태로 된 경우), 제어장치(CONT)는 쇼트 맵 데이터에 기초하여 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E)를 얼라인먼트 광학계(9)로 검출하고, 얼라인먼트 광학계(9)로 검출된 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E) 각각의 관찰화상을 화상처리하고, 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 각각의 특정위치를 구한다(스텝S14).On the other hand, when it is determined in step S11 that a plurality of alignment marks have been detected in the measurement area (that is, the state shown in Fig. 6), the control device CONT performs each alignment mark 1A based on the short map data. ˜1E is detected by the alignment optical system 9, the observed images of each of the alignment marks 1A to 1E detected by the alignment optical system 9 are image processed, and the respective identification of each of the alignment marks 1A to 1E is performed. The position is obtained (step S14).

즉, 얼라인먼트 마크(1)는 도 2나 도 4를 이용하여 설명한 바와 같이 패턴부와 스페이스부를 갖고 있고, 얼라인먼트 광학계(9)와 제어장치(CONT)를 포함하는 화상처리방식의 위치 검출장치(마크검출장치)로 관찰된 관찰화상이 화상처리되었을 때에, 휘도 데이터에 의해 위치정보를 나타낸다. 따라서 도 8 의 모식도에 나타내는 바와 같이 제어장치(CONT)는, 얼라인먼트 광학계(9)의 검출결과에 기초하여 화상처리를 실행하고, 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 예를 들어 중심위치(Oa∼Oe)를 구할 수 있다. 또한 얼라인먼트 마크의 특정위치로는 중심위치가 아니라, 에지 위치(도 7중, 부호 Eg 참조) 일 수도 있다.That is, the alignment mark 1 has a pattern portion and a space portion as described with reference to Figs. 2 and 4, and includes an alignment optical system 9 and a control device CONT (position processing apparatus) of the image processing method (mark When the observed image observed by the detecting device) is subjected to image processing, the positional information is indicated by the luminance data. Therefore, as shown in the schematic diagram of FIG. 8, the control apparatus CONT performs image processing based on the detection result of the alignment optical system 9, for example, center position Oa-E of each alignment mark 1A-1E. Oe) can be obtained. The specific position of the alignment mark may be an edge position (see reference numeral Eg in FIG. 7) instead of the center position.

다음에 제어장치(CONT)는 스텝 S14에서 구한 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 특정위치(Oa∼Oe)로부터, 이들 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E)에 부수되어 있는 식별 마크(2)의 위치를 각각 구한다(스텝 S15).Next, the control apparatus CONT determines the position of the identification mark 2 accompanying each of the alignment marks 1A to 1E from the specific positions Oa to Oe of the alignment marks 1A to 1E obtained in step S14. Each is calculated | required (step S15).

즉, 도 9의 모식도에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치(중심위치;O)에 대한 식별 마크(2)의 영역(R1∼R4)의 각각의 특정위치(중심위치;OR1∼OR4)의 상대위치는 미리 설정되어 있고, 이 상대위치정보는 상기 마크 정보(혹은 쇼트 맵 데이터)로서 기억되어 있다. 제어장치(CONT)는 마크정보를 참조하여, 스텝 S14에서 검출한 얼라인먼트 마크(1)의 위치(특정위치의 좌표;O)로부터, 식별 마크(2)의 각 영역(R1∼R4)의 위치(특정위치의 좌표;OR1∼OR4)를 구한다.That is, as shown in the schematic diagram of FIG. 9, each specific position (center position; OR1-OR4) of the area | regions R1-R4 of the identification mark 2 with respect to the specific position (center position; O) of the alignment mark 1 ) Is set in advance, and the relative position information is stored as the mark information (or short map data). The control device CONT refers to the mark information and, from the position (coordinate of the specific position; O) of the alignment mark 1 detected in step S14, the position of each area R1 to R4 of the identification mark 2 ( The coordinates of the specific position; OR1 to OR4) are obtained.

또한 본 실시형태에서는, 얼라인먼트 마크(1)의 중심위치(O)에 대한 각 영역(R1∼R4) 각각의 상대위치를 구하는 구성인데, 예를 들어, 얼라인먼트 마크(1)의중심위치(O)에 대한 영역(R1)의 위치(상대위치;OR1)를 구하고, 이 구한 영역(R1)의 위치(OR1)에 대한 각 영역(R2∼R4) 각각의 위치(상대위치;OR2∼OR4)를 구하도록 할 수도 있다.Moreover, in this embodiment, although it is the structure which calculate | requires the relative position of each area | region R1-R4 with respect to the center position O of the alignment mark 1, For example, the center position O of the alignment mark 1 is calculated | required. Obtain the position (relative position; OR1) of the region R1 with respect to the position (relative position; OR2 to OR4) of each of the regions R2 to R4 with respect to the position OR1 of the determined region R1. You can also do that.

이어서, 제어장치(CONT)는, 스텝 S15에서 구한 식별 마크(2)의 각 영역(R1∼R4)의 각각을 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 관찰하고, 각 영역(R1∼R4)의 각각에 배치되어 있는 캐릭터 패턴(A∼C)을 검출한다(스텝 S16).Subsequently, the control apparatus CONT observes each of the areas R1 to R4 of the identification mark 2 obtained in step S15 using the alignment optical system 9, and controls each of the areas R1 to R4. The arranged character patterns A to C are detected (step S16).

제어장치(CONT)는, 스텝 S15에서 구한 각 얼라인먼트 마크(1A∼1E)에 부수되어 있는 식별 마크(2) 각각의 각 영역(R1∼R4)에 형성되어 있는 캐릭터 패턴(A∼C)의 화상을 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 검출하고, 이 관찰 화상을 화상처리하고, 각 영역(R1∼R4) 각각에 배치되어 있는 캐릭터 패턴의 형체(형상)을 구한다. 여기에서 제어장치(CONT)는 마크정보로서 미리 기억되어 있는 기준화상과, 얼라인먼트 광학계(9)로 검출한 관찰화상을 비교하여, 양자의 화상의 유사도를 조사하는 패턴 매칭법에 의해, 각 영역(R1∼R4)의 각각에 배치되어 있는 캐릭터 패턴의 형체를 구한다. 식별 마크(2)는, 화상처리방식의 얼라인먼트 광학계(9) 및 제어장치(CONT)를 포함하는 위치 검출장치에 의해 관찰된 관찰화상이 화상처리되었을 때에 34 종류의 정보를 나타내는 캐릭터 패턴에 의해 구성되어 있기 때문에, 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)의 검출결과에 기초하여 화상처리를 실행하고, 패턴 매칭법에 기초하여 캐릭터 패턴의 형체를 구할 수 있다.The control apparatus CONT is the image of the character pattern A-C formed in each area | region R1-R4 of each identification mark 2 accompanying each alignment mark 1A-1E calculated | required in step S15. Is detected using the alignment optical system 9, and the observed image is subjected to image processing to obtain the shape (shape) of the character pattern arranged in each of the regions R1 to R4. Here, the control apparatus CONT compares the reference image previously stored as mark information with the observation image detected by the alignment optical system 9, and by the pattern matching method which examines the similarity of both images, each area | region ( The shape of the character pattern arranged in each of R1-R4) is calculated | required. The identification mark 2 is comprised by the character pattern which shows 34 types of information when the observation image observed by the position detection apparatus containing the alignment optical system 9 of the image processing system, and the control apparatus CONT was image-processed. As a result, the control apparatus CONT executes image processing based on the detection result of the alignment optical system 9, and can obtain the shape of the character pattern based on the pattern matching method.

이어서, 제어장치(CONT)는 상기 마크정보를 참조하여, 스텝 S16 에서 구한 식별 마크(2)의 캐릭터 패턴의 형체 및 배치에 관한 정보에 기초하여, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터, 얼라인먼트 처리에 사용하는 검출대상 마크(1A)를 특정한다(스텝 S17).Subsequently, the control device CONT refers to the mark information and aligns the alignment marks from the plurality of alignment marks 1A to 1E based on the information on the shape and arrangement of the character pattern of the identification mark 2 obtained in step S16. The detection target mark 1A to be used for the process is specified (step S17).

그리고 제어장치(CONT)는, 얼라인먼트 처리에 사용하는 얼라인먼트 마크가 1A인 것을 결정한다.And the control apparatus CONT determines that the alignment mark used for the alignment process is 1A.

얼라인먼트 처리에 사용하는 얼라인먼트 마크가 1A 인 것으로 결정하면, 제어장치(CONT)는, 이 얼라인먼트 마크(1A)를 사용하여 마스크(M)와 감광기판(P)의 쇼트영역(SH1)을 얼라인먼트한다(스텝 S5).If it is determined that the alignment mark used for the alignment process is 1A, the control apparatus CONT aligns the short region SH1 of the mask M and the photosensitive substrate P using this alignment mark 1A ( Step S5).

이하, 도 5를 이용하여 설명한 바와 같이 각 쇼트영역의 위치산출을 실행한 후, 노광처리가 실행된다.Hereinafter, as described with reference to FIG. 5, after calculating the position of each shot region, the exposure process is executed.

이상 설명한 바와 같이 감광기판(P ; 쇼트영역) 의 위치정보를 출력시키기 위한 얼라인먼트 마크(1) 에 대해 소정의 위치관계에서 부수되도록 식별 마크(2)를 형성함으로써, 이 식별 마크(2)의 형태를 검출함으로써, 검출대상이 되는 얼라인먼트 마크(1A)에 근접하여 동종의 얼라인먼트 마크(1B∼1E)가 존재하는 경우에도, 이들 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 얼라인먼트 처리에 사용하기 위한 얼라인먼트 마크(1A)를 특정할 수 있다. 그리고 식별 마크(2)는, 3 종류의 캐릭터 패턴을 4개의 영역(R1∼R4)의 각각에 배치함으로써 4개로 조합한 구성이므로, 감광기판(P) 상에 얼라인먼트 마크(1)를 배치하기 위한 얼라인먼트 마크 형성용 영역을 넓게 설정하지 않아도 34 종류라는 많은 종류의 정보를 표시할 수 있고, 각 레이어마다 얼라인먼트 마크가 다수 형성되어 있어 계측영역 내에 동종의 얼라인먼트 마크가 존재해도, 감광기판(P) 상의 회로패턴 형성용 영역을 좁히지 않고 마크를 식별할 수 있다.As described above, the identification mark 2 is formed so as to accompany the alignment mark 1 for outputting the position information of the photosensitive substrate P in a predetermined positional relationship, thereby forming the identification mark 2. By detecting, even when alignment marks 1B to 1E of the same type are present in proximity to the alignment marks 1A to be detected, alignment marks for use in the alignment process from the plurality of alignment marks 1A to 1E. (1A) can be specified. And since the identification mark 2 is the structure which combined three pieces by arrange | positioning three types of character patterns in each of 4 area | regions R1-R4, it is for the alignment mark 1 to arrange | position on the photosensitive board | substrate P. Even if the alignment mark forming area is not set wide, 34 types of information can be displayed, and many alignment marks are formed for each layer, and even if there are alignment marks of the same kind in the measurement area, the photosensitive substrate P Marks can be identified without narrowing the circuit pattern forming area.

또한 상기 실시형태에서는, 계측영역 내의 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E) 각각의 위치(Oa∼Oe)를 구하고, 이 구한 위치정보에 기초하여, 마크정보를 참조하면서 식별 마크(2)의 위치(영역(R1∼R4)의 위치)를 구하고, 이 영역(R1∼R4)의 각각에 배치되어 있는 캐릭터 패턴(A∼C)의 형체를 패턴 매칭법에 의해 구하는 구성이지만, 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 위치 검출을 실행하지 않고, 쇼트 맵 데이터에 기초하여, 각 식별 마크(2)의 각각의 위치를 구하고, 캐릭터 패턴을 검출하여 식별 마크(2)를 특정하도록 할 수도 있다. 그리고 식별 마크(2)와 얼라인먼트 마크(1)는 소정의 위치관계에서 배치되어 있으므로, 특정된 식별 마크(2)의 위치정보에 기초하여, 얼라인먼트 처리에 사용하기 위한 얼라인먼트 마크(1A)를 특정할 수 있다.In the above embodiment, the positions Oa to Oe of the plurality of alignment marks 1A to 1E in the measurement area are obtained, and based on the obtained position information, the position of the identification mark 2 is referred to while referring to the mark information. The positions of the regions R1 to R4) are obtained, and the shapes of the character patterns A to C arranged in each of the regions R1 to R4 are obtained by the pattern matching method, but the alignment marks 1A to 1E are used. The position of each identification mark 2 can be obtained based on the shot map data, and the character pattern can be detected to identify the identification mark 2 without performing the position detection. And since the identification mark 2 and the alignment mark 1 are arrange | positioned in a predetermined positional relationship, based on the positional information of the identification mark 2 identified, the alignment mark 1A for use in alignment processing can be specified. Can be.

상기 실시형태에 있어서, 캐릭터 패턴은 A∼C의 알파벳문자이지만, 물론 알파벳문자에 한정되지 않고, 화상처리방식의 위치 검출장치로 관찰된 관찰화상이 화상처리되었을 때에, Nn종류의 정보를 나타내는 패턴이면 관계없고, 예를 들어 「1」, 「2」, 「3」과 같은 숫자나, 히라가나 혹은 카타카나를 포함하는 문자, 「」, 「△」, 「□」와 같은 도형이어도 상관없다.In the above embodiment, the character pattern is an alphabet letter of A to C, but is not limited to the alphabet letter, of course, and indicates N n kinds of information when the observed image observed by the position detection device of the image processing method is image processed. If it is a pattern, it does not matter, for example, the letter which contains numbers like "1", "2", "3", hiragana or katakana, " "," (Triangle | delta), and "(square)" may be sufficient.

상기 실시형태에 있어서, 4개의 영역(R1∼R4)를 구비하는 식별 마크(2)는, 1개의 얼라인먼트 마크(1)에 대해 1개 형성한 구성이지만, 도 10에 나타내는 바와 같이 1개의 얼라인먼트 마크(1)에 대해 2개의 식별 마크(2A, 2B)를 형성한 구성으로 할 수도 있다. 이에 의해 2개의 식별 마크(2A, 2B)의 영역(R1∼R4)의 각각에, 예를 들어 3 종류의 캐릭터 패턴(A∼C)을 배치함으로써, 38 종류의 정보를 표시할 수 있다. 그리고 식별 마크(2)의 수는 2개로 한정하지 않고 3개 이상의 임의의 복수 형성해도 된다. 여기에서 도 10 중, 얼라인먼트 마크(1)에 대해 왼쪽 위에 있는 식별 마크(2A)와 오른쪽 아래에 있는 식별 마크(2B)는 얼라인먼트 마크(1)에 대한 상대위치가 동일하고, 예를 들어 감광기판(P)이 상하 반대방향으로 되면(Z축 둘레로 180°회전하면), 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역에서 검출했을 때, 제어장치(CONT)는 식별 마크(2A 와 2B)가 구별되지 않게 된다는 문제점의 발생을 생각할 수 있는데, 얼라인먼트 광학계(9)로 마크검출을 실행하기 전에, 감광기판(P)의 물리적 형상(오리엔테이션ㆍ플랫 또는 노치 등)을 이용하여 기판 스테이지(PST)에 대한 감광기판(P)의 프리얼라인먼트 처리가 실행되고 있고, 제어장치(CONT)는, 감광기판(P)의 상하방향의 위치를 미리 파악하고 있으므로, 얼라인먼트 광학계(9)를 사용한 얼라인먼트 처리는 방해되지 않는다.In the said embodiment, although the identification mark 2 provided with four area | regions R1-R4 is the structure formed one with respect to one alignment mark 1, as shown in FIG. 10, one alignment mark is shown. It can also be set as the structure which provided two identification marks 2A and 2B with respect to (1). Thereby, 38 types of information can be displayed by arrange | positioning three types of character patterns A-C in each of the area | regions R1-R4 of two identification marks 2A, 2B. And the number of identification marks 2 is not limited to two, You may form three or more arbitrary numbers. Here, in FIG. 10, the identification mark 2A on the upper left side and the identification mark 2B on the lower right side with respect to the alignment mark 1 have the same relative position with respect to the alignment mark 1, for example, a photosensitive substrate When P is turned upside down (when rotated 180 ° around the Z axis), when detected in the measurement area of the alignment optical system 9, the control unit CONT does not distinguish the identification marks 2A and 2B. It is conceivable that a problem arises that, before performing mark detection with the alignment optical system 9, the photosensitive substrate with respect to the substrate stage PST is utilized by using the physical shape of the photosensitive substrate P (orientation flat or notch, etc.). Since the prealignment process (P) is executed, and the control apparatus CONT grasps the position of the photosensitive substrate P in the vertical direction in advance, the alignment process using the alignment optical system 9 is not disturbed.

제 2 실시형태2nd Embodiment

다음으로 본 발명의 위치 검출용 마크 및 마크 식별방법의 제 2 실시형태에 대해 도 11a∼도 11i를 참조하면서 설명한다. 여기에서 이하의 설명에서 전술한 제 1 실시형태와 동일하거나 동등한 구성부분에 대해서는 동일 부호를 달고 그 설명을 약술하거나 생략한다.Next, a second embodiment of the position detection mark and mark identification method of the present invention will be described with reference to Figs. 11A to 11I. In the following description, the same or equivalent components as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted or omitted.

도 11a∼도 11i에 있어서, 식별 마크(2)는, 비트 마크(30)의 조합에 의해 구성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 비트 마크(30)는 「□」이지만, 「○」이거나 「△」이어도 된다. 이들 비트 마크(30)의 각각은 제 1 실시형태와 동일하게, 얼라인먼트 마크(1)에 대해 소정의 위치관계에 설정되어 있는 영역(R1∼R4)의 각각에 형성되어 있다. 또한 식별 마크(2)의 영역의 수는 4개로 한정하지 않고, 2 이상의 자연수 n개이면 된다.In FIGS. 11A-11I, the identification mark 2 is comprised by the combination of the bit marks 30. In the present embodiment, the bit mark 30 is "□", but may be "○" or "Δ". Each of these bit marks 30 is formed in each of the regions R1 to R4 set in a predetermined positional relationship with respect to the alignment mark 1, similarly to the first embodiment. The number of areas of the identification mark 2 is not limited to four, but may be two or more natural numbers n.

도 11a에 나타내는 예에서는, 영역(R1∼R4)의 각각에 비트 마크(30)가 형성되어 있다. 또 도 11b에 나타내는 예에서는, 영역(R1, R2, R4)의 각각에 비트 마크(30)가 형성되어 있고, 영역(R3)에는 비트 마크(30)가 없다. 또 도 11c 및 도 11f 에 나타내는 예에서는, 각각 얼라인먼트 마크(1)에 대해 비트 마크(30)가 1개 형성되어 있고, 도 11c에서는 영역(R1)에 비트 마크(30)가 형성되고, 도 11f에서는 영역(R4)에 비트 마크(30)가 형성되어 있다. 또 도 11i에 나타내는 예에서는, 영역(R1∼R4)의 각각에 비트 마크(30)가 없다. 이와 같이 식별 마크(2)는, 4개의 영역(R1∼R4) 중 비트 마크(30)가 형성된 영역과 비트 마크(30)가 형성되지 않은 영역의 수와 배치에 기초하여, 비트 마크(30)가 없는 것을 1 종류로 한 경우, 비트 마크(30)가 있는지 없는지의 2 종류의 마크를 4개 조합한 24 종류의 정보를 나타낼 수 있다.In the example shown in FIG. 11A, the bit mark 30 is formed in each of the regions R1 to R4. In the example shown in FIG. 11B, the bit mark 30 is formed in each of the regions R1, R2, and R4, and there is no bit mark 30 in the region R3. In the examples shown in FIGS. 11C and 11F, one bit mark 30 is formed for the alignment mark 1, and in FIG. 11C, the bit mark 30 is formed in the region R1, and FIG. 11F. In the region R4, the bit mark 30 is formed. In the example shown in FIG. 11I, there is no bit mark 30 in each of the regions R1 to R4. Thus, the identification mark 2 is based on the number and arrangement | positioning of the area | region in which the bit mark 30 was formed among the four area | regions R1-R4, and the area | region in which the bit mark 30 was not formed, the bit mark 30 is carried out. In the case of using one type without, the 24 types of information obtained by combining two two types of marks, such as the presence or absence of the bit mark 30, can be represented.

제어장치(CONT)는, 이들 비트 마크(30)를 부수한 복수의 얼라인먼트 마크(1)로부터 얼라인먼트 처리에 사용하기 위한 얼라인먼트 마크(1)를 특정할 때, 도 9 를 사용하여 설명한 수순과 동일하게, 복수의 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치(O)의 각각을 검출하고, 비트 맵 데이터를 참조하여, 얼라인먼트 마크(1)에 대한 영역(R1∼R4) 각각의 위치를 특정한다. 여기에서 비트 맵 데이터에 영역(R1∼R4)의 위치에 관한 정보가 있으면, 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치(O)를 검출하지 않고, 상기 정보에 기초하여 영역(R1∼R4) 각각의 위치가 결정된다. 그리고 제어장치(CONT)는 도 4를 이용하여 설명한 수순과 동일하게, 이 특정한 영역(R1∼R4)의 각각에 대해 얼라인먼트 광학계(9)의 X축용 촬상소자 및 Y축용 촬상소자를 주사하여, 영역(R1∼R4)의 어느 영역에 패턴이 형성되고, 어느 영역에 패턴이 형성되지 않는지를 검출한다. 제어장치(CONT)는, 검출된 비트 마크(30)의 배치정보와, 미리 기억되어 있는 마크정보에 기초하여, 복수의 얼라인먼트 마크(1)로부터 얼라인먼트 처리에 사용하기 위한 얼라인먼트 마크(1)를 특정한다.When the control apparatus CONT specifies the alignment mark 1 for use in the alignment process from the plurality of alignment marks 1 accompanying these bit marks 30, it is similar to the procedure demonstrated using FIG. Each of the specified positions O of the plurality of alignment marks 1 is detected, and the positions of the regions R1 to R4 with respect to the alignment marks 1 are specified with reference to the bit map data. If the bitmap data contains information on the positions of the regions R1 to R4, the position of each of the regions R1 to R4 is not detected based on the information without detecting the specific position O of the alignment mark 1. Is determined. And the control apparatus CONT scans the X-axis imaging element and Y-axis imaging element of the alignment optical system 9 with respect to each of this specific area | region R1-R4 similarly to the procedure demonstrated using FIG. It detects which area | region is formed in (R1-R4), and in which area | region the pattern is not formed. The control apparatus CONT specifies the alignment mark 1 for use in the alignment process from the plurality of alignment marks 1 based on the detected arrangement information of the bit mark 30 and the mark information stored in advance. do.

이와 같이 4개의 영역(R1∼R4) 중 어느 영역에 패턴이 형성되고 어느 영역에 패턴이 형성되지 않는지에 의해 식별 마크(2)를 식별하도록 하였기 때문에, 예를 들어 도 11c 및 도 11f에 나타내는 예와 같이, 얼라인먼트 마크(1)에 대해 비트 마크(30)가 1개 형성되어 있는 구성이더라도, 이 비트 마크(30)가 영역(R1)에 형성되어 있는지 영역(R4)에 형성되어 있는지를 검출함으로써, 도 11c와 도 11f는 상이한 식별 마크(2)인 것으로 식별할 수 있다.Thus, since the identification mark 2 was identified by which pattern is formed in which area | region of four area | regions R1-R4, and which pattern is not formed, the example shown to FIG. 11C and FIG. 11F, for example As described above, even if the bit mark 30 is formed in the alignment mark 1, by detecting whether the bit mark 30 is formed in the region R1 or the region R4. 11C and 11F can be identified as being different identification marks 2.

또한 전술한 예에서는 각 영역(R1∼R4) 중 어느 영역에 비트 마크(30)가 형성되고, 어느 영역에 비트 마크(30)가 형성되지 않는지에 의해, 식별 마크(2)를 식별하도록 설명하였으나, 예를 들어 비트 마크(30)의 수를 검출한 후,이들 검출된 비트 마크(30) 각각의 예를 들어 얼라인먼트 마크(1)의 에지부 등의 특정위치에 대한 배치를 검출하고, 비트 마크(30)의 수와 배치(비트 마크(30)가 형성된 영역의 수와 배치)에 기초하여, 식별 마크(2)를 식별할 수도 있다. 또 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치에 대한 영역(R1∼R4) 각각의 상대위치(얼라인먼트 마크(1)의 특정위치에 대한 비트 마크(30)의 상대위치)를 구하는 대신, 영역(R1∼R4) 끼리의 상대위치를 구하고, 이 구한 영역(R1∼R4) 끼리의 상대위치와 비트 마크(30)의 수에 기초하여 식별 마크(2)를 식별하도록 해도 된다.In addition, in the above-described example, it has been explained to identify the identification mark 2 by which of the regions R1 to R4 is formed, and in which region the bit mark 30 is not formed. For example, after detecting the number of the bit marks 30, each of the detected bit marks 30 is detected, for example, an arrangement at a specific position such as an edge portion of the alignment mark 1, and the bit marks. The identification mark 2 may be identified based on the number and arrangement of the 30 (the number and arrangement of the areas where the bit mark 30 is formed). Instead of obtaining the relative position of each of the regions R1 to R4 with respect to the specific position of the alignment mark 1 (relative position of the bit mark 30 to the specific position of the alignment mark 1), the regions R1 to R4. ), And the identification mark 2 may be identified based on the relative position between the obtained areas R1 to R4 and the number of bit marks 30.

이상 설명한 바와 같이 n개의 영역(R1)∼Rn의 각각에 비트 마크(30)를 배치함으로써 식별 마크(2)를 구성할 수도 있고, 이렇게 함으로써 2N종류의 정보를 나타낼 수 있다. 그리고 식별 마크(2)를 비트 마크(30)에 의해 구성함으로써, 제 1 실시형태의 캐릭터 패턴과 다르고, 패턴 매칭법과 같은 복잡한 화상처리를 필요로 하지 않고, 비교적 간단한 화상처리수순에 의해 마크식별을 실행할 수 있다.As described above, the identification mark 2 can also be constituted by arranging the bit marks 30 in each of the n areas R1 to Rn, whereby 2N types of information can be represented. By forming the identification mark 2 by the bit mark 30, it is different from the character pattern of the first embodiment and does not require complicated image processing such as a pattern matching method, and mark identification is performed by a relatively simple image processing procedure. You can run

제 3 실시형태Third embodiment

다음으로 도 12 및 도 13a∼도 13e를 참조하면서 본 발명의 제 3 실시형태에 대해 설명한다.Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13A to 13E.

도 12에 있어서, 식별 마크(2)의 4개의 영역(R1∼R4)의 각각은, X축방향 및 Y방향에서 서로 대략 중첩되지 않도록 배치되어 있다. 그리고 이들 영역(R1∼R4)의 각각에, 제 2 실시형태에서 설명한 비트 마크(30)를 배치함으로써, 얼라인먼트 광학계(9)에 의한 비트 마크(30)의 검출정밀도, 나아가서는 식별 마크(2)의 식별정밀도를 향상시킬 수 있다.In FIG. 12, each of the four regions R1 to R4 of the identification mark 2 is disposed so as not to substantially overlap each other in the X-axis direction and the Y-direction. Then, by placing the bit mark 30 described in the second embodiment in each of these regions R1 to R4, the detection accuracy of the bit mark 30 by the alignment optical system 9, and furthermore, the identification mark 2 The identification precision of can be improved.

즉, 비트 마크(30)는 전술한 바와 같이 X축용 촬상소자 및 Y축용 촬상소자를 주사함으로써 검출되는데, 예를 들어 도 13a에 나타내는 바와 같이 영역(R1)과 영역(R2)가 X축방향으로 나란히 설정되어 있고, 영역(R1)과 영역(R2)의 각각에 비트 마크(30)가 형성되어 있는 경우, 촬상소자에 의해 검출되는 촬상신호(SX)의 피크는 2개이다. 한편, 도 13b에 나타내는 바와 같이 영역(R1)에 비트 마크(30)가 형성되고, 영역(R2)에는 비트 마크(30)가 없는 경우, 촬상신호(SX)의 피크는 1개이다. 그런데 도 13c에 나타내는 바와 같이 영역(R1)에 비트 마크(30)가 형성되고, 영역(R2)에는 비트 마크(30)가 없음에도 불구하고, 예를 들어 노이즈에 의해 영역(R2)에 상당하는 부분에 신호 피크가 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 영역(R2)에는 비트 마크(30)가 없음에도 불구하고 영역(R2)에 비트 마크(30)가 있는 것으로 오검출될 우려가 있다. 또한 도 13d에 나타내는 바와 같이 영역(R1) 및 영역(R2)의 각각에 비트 마크(30)가 형성되어 있어도, 노이즈에 의해 피크가 예를 들어 3개 있으면, 3개 있는 피크 중 어느 피크가 영역(R1)(혹은 영역(R2))에 형성되어 있는 비트 마크(30)에 대응하는 것인지를 파악하기가 곤란해지는 경우가 있다. 그러나 도 13e 에 나타낸 바와 같이 영역(R1)과 영역(R2)를 X축방향에 대해 중첩되지 않도록 배치함으로써, 영역(R1)(혹은 영역(R2))에 배치된 비트 마크(30)에 관한 촬상신호의 피크는 1개이기 때문에, 노이즈 등이 촬상신호(SX)에 들어갔다고 해도, 영역(R1)에 대응하는 부분 이외의 신호 피크는 노이즈에 기초하는 것으로 판단할 수 있으므로, 노이즈 성분을 용이하게 파악할 수 있다. 그리고 영역(R1∼R4)의 각각을, X축방향(혹은 Y축방향)에 대해 중첩되지 않도록 배치함으로써, 비트 마크(30)의 검출정밀도를 향상시킬 수 있다.That is, the bit mark 30 is detected by scanning the X-axis imaging element and the Y-axis imaging element as described above. For example, as shown in Fig. 13A, the region R1 and the region R2 are in the X-axis direction. In the case where the bit mark 30 is formed in each of the region R1 and the region R2, the peaks of the imaging signal SX detected by the imaging device are two. On the other hand, when the bit mark 30 is formed in the area R1 and there is no bit mark 30 in the area R2, as shown in FIG. 13B, the peak of the imaging signal SX is one. By the way, although the bit mark 30 is formed in area | region R1 and there is no bit mark 30 in area | region R2, as shown to FIG. 13C, it corresponds to area | region R2 by noise, for example. A signal peak may occur in the part. In this case, even though there is no bit mark 30 in the region R2, there is a fear that the bit mark 30 is present in the region R2, which may be misdetected. In addition, even when the bit mark 30 is formed in each of the region R1 and the region R2 as shown in FIG. 13D, if there are three peaks due to noise, for example, any peak among the three peaks is the region. It may be difficult to grasp whether it corresponds to the bit mark 30 formed in R1 (or region R2). However, as illustrated in FIG. 13E, the imaging of the bit mark 30 disposed in the region R1 (or region R2) is performed by arranging the region R1 and the region R2 so as not to overlap each other in the X-axis direction. Since the signal has only one peak, even if noise or the like enters the imaging signal SX, signal peaks other than those corresponding to the region R1 can be judged to be based on noise, so that the noise component can be easily identified. Can be. The detection accuracy of the bit mark 30 can be improved by arranging each of the regions R1 to R4 so as not to overlap each other in the X-axis direction (or Y-axis direction).

또한 본 실시형태에 있어서, 영역(R1∼R4)의 각각은 X축방향 및 Y축방향의각각에 대해 중복되지 않는 위치에 설정되어 있으나, X축방향 및 Y축방향 중 어느 하나의 방향에 대해 중복되지 않는 위치에 설정되어 있어도 된다.In the present embodiment, each of the regions R1 to R4 is set at a position not overlapping with respect to each of the X-axis direction and the Y-axis direction, but with respect to any one of the X-axis direction and the Y-axis direction. It may be set at a position not overlapping.

제 4 실시형태Fourth embodiment

다음으로 본 발명의 제 4 실시형태에 대해 도 14를 참조하면서 설명한다.Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 14a∼도 14c에 나타내는 바와 같이 식별 마크(2)는, 얼라인먼트 마크(1)의 패턴부의 연장방향의 연장 상에 배치되어 있다. 도 14a에 나타내는 예에서는, 식별 마크(2)는, 얼라인먼트 마크(1) 중 Y축방향으로 연장되는 패턴부(12L)의 +Y측으로 연속하는 위치에 형성되어 있고, Y검출용 마크(11)의 도면 중, 좌측에 형성된 3개의 패턴부(12L) 중 중앙의 패턴부(12L)의 +Y측과, Y검출용 마크(11)의 도면 중, 우측에 형성된 3개의 패턴부(12L) 중 중앙의 패턴부(12L)의 +Y측에 형성되어 있다. 도 14b에 나타내는 예에서는, 식별 마크(2)는, Y검출용 마크(11)의 도면 중, 좌측에 형성된 3개의 패턴부(12L) 중 중앙의 패턴부(12L)의 +Y측과, Y검출용 마크(11)의 도면 중, 우측에 형성된 3개의 패턴부(12L) 중 중앙의 패턴부(12L)의 -Y측에 형성되어 있다. 이와 같이 X검출용 마크(12)의 합계 6개의 패턴부(12L)의 +Y측 및 -Y측의 각각에 대해 연속하도록 식별 마크(2)를 형성함으로써, 212 종류의 정보를 나타낼 수 있다.As shown to FIG. 14A-FIG. 14C, the identification mark 2 is arrange | positioned on the extension of the extension direction of the pattern part of the alignment mark 1. In the example shown to FIG. 14A, the identification mark 2 is formed in the alignment mark 1 in the position continuous to the + Y side of the pattern part 12L extended in the Y-axis direction, Y mark 11 for detection Of the three pattern portions 12L formed on the right side of the + Y side of the center pattern portion 12L and the Y detection mark 11 among the drawings of the three pattern portions 12L formed on the left side in the drawing of FIG. It is formed in the + Y side of the center pattern part 12L. In the example shown to FIG. 14B, the identification mark 2 is Y + of the pattern part 12L of the center among the three pattern parts 12L formed in the left side of the figure of the Y detection mark 11, and Y; In the drawing of the detection mark 11, it is formed in the -Y side of the center pattern part 12L among the three pattern parts 12L formed in the right side. Thus, 212 types of information can be represented by forming the identification mark 2 so that it may continue on each of the + Y side and -Y side of the six pattern part 12L of the X detection mark 12 in total.

또한 식별 마크(2)는, X검출용 마크(12)의 패턴부(12L)에 연속시키는 것 외에, Y검출용 마크(11)의 패턴부(11L)에 연속시킬 수도 있다. 예를 들어 도 14c에 나타내는 예에서는, 식별 마크(2)는, Y검출용 마크(11)의 6개의 패턴부(11L)중, 도면 중, 위로부터 3개째의 패턴부(11L)의 -X측에 형성되어 있다. 또한 도 14c에 나타내는 예에서는, 식별 마크(2)는 얼라인먼트 광학계(9)의 X축용 촬상소자의 검출영역(21X ; 도 4참조)에 배치되는 구성으로, 얼라인먼트 처리에 영향을 줄 우려가 있다. 따라서 본 실시형태에서는, 촬상소자의 검출영역(21X, 21Y)에 식별 마크(2)가 배치되지 않는 것이 바람직하다는 관점에서, 도 14a 및 도 14b에 나타내는 바와 같이 X검출용 마크(12)의 패턴부(12L)의 연장방향의 연장 상에 식별 마크(2)를 배치하는 구성이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에서는, 식별 마크(2)는, 얼라인먼트 광학계(9)의 촬상소자의 검출영역(21X, 21Y)의 외측부분에 있어서, 패턴부(12L) 의 연장방향의 연장 상에 배치된다.The identification mark 2 can also be continued to the pattern portion 11L of the Y detection mark 11 in addition to the pattern portion 12L of the X detection mark 12. For example, in the example shown to FIG. 14C, the identification mark 2 is -X of the 3rd pattern part 11L from the top among the 6 pattern parts 11L of the Y detection mark 11 in the figure. It is formed on the side. In addition, in the example shown in FIG. 14C, the identification mark 2 is arrange | positioned in the detection area 21X (refer FIG. 4) of the X-axis imaging element of the alignment optical system 9, and there exists a possibility that it may affect alignment processing. Therefore, in this embodiment, from the viewpoint that it is preferable not to arrange the identification mark 2 in the detection areas 21X and 21Y of the imaging device, the pattern of the X detection mark 12 as shown in Figs. 14A and 14B. The structure which arrange | positions the identification mark 2 on extension of the extension direction of the part 12L is preferable. That is, in this embodiment, the identification mark 2 is arrange | positioned on the extension part of the extension part of the pattern part 12L in the outer part of the detection area 21X, 21Y of the imaging element of the alignment optical system 9. .

또한 본 실시형태와 같이 검출용 패턴의 연장방향의 길이를 연장시킴으로써 식별 마크를 형성하는 것 외에, 검출용 패턴의 개수를 늘리는 것도 생각할 수 있다. 예를 들어 본 실시형태에서는, Y검출용 마크(11)의 양측에 3개씩의 라인부에서 패턴부(12L)가 형성되어 있으나, 이것을 편측 4개, 타방을 3개로 하거나, 양측을 4개씩으로 함으로써, 양측에 3개씩의 라인부가 형성되어 있는 마크와 식별할 수도 있다.In addition to forming an identification mark by extending the length of the detection pattern in the extending direction as in the present embodiment, it is also conceivable to increase the number of detection patterns. For example, in the present embodiment, the pattern portions 12L are formed at three line portions on each side of the Y detection mark 11, but four of these are provided on one side and three on the other, or four on each side. By this, it is also possible to distinguish from the mark in which three line parts are formed in both sides.

또, 도 15a 에 나타내는 바와 같은 X축방향 (Y축방향) 전용검출마크(23)의 경우, 도 15b에 나타내는 바와 같이 인접하는 라인부의 일부를 연결하는 형태로 식별 마크(23a, 23b, 23c)를 형성할 수도 있다.In addition, in the case of the X-axis direction (Y-axis direction) exclusive detection mark 23 as shown in FIG. 15A, as shown in FIG. 15B, identification marks 23a, 23b, and 23c are connected in the form which connects a part of adjacent line parts. May be formed.

제 5 실시형태5th embodiment

다음으로 도 16을 참조하면서 본 발명의 제 5 실시형태에 대해 설명한다.Next, 5th Embodiment of this invention is described, referring FIG.

도 16에 있어서, 얼라인먼트 마크(1)의 각각에는, 식별 마크(2)보다 큰 인식용 마크가 부수되어 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 인식용 마크로서 No.3 레이어에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크(1A 및 1E)에는 「03」의 문자가, No.1 레이어에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크(1)C에는 「01」의 문자가 각각 부수되도록 형성되어 있다. 이와 같이 얼라인먼트 처리나 식별처리에 사용하지 않는 감광기판(P) 상의 영역에, 큰 인식용 마크를 형성함으로써, 오퍼레이터가 복수의 얼라인먼트 마크로부터 소정의 알라인먼트 마크를 용이하게 인식하여 특정할 수 있다. 그리고 각 레이어에 따라 인식용 마크를 설정함으로써, 오퍼레이터는, 예를 들어 몇층째의 레이어에 대해 처리하는지 등을 파악할 수 있으므로, 오퍼레이터 에러의 발생을 저감할 수 있다.In FIG. 16, the mark for recognition larger than the identification mark 2 is attached to each of the alignment marks 1. In this embodiment, the letters "03" are located on the alignment marks 1A and 1E formed on the No. 3 layer as the mark for recognition, and "01" on the alignment marks 1 C formed on the No.1 layer. Are formed to accompany each letter. Thus, by forming a large recognition mark in the area | region on the photosensitive board P which is not used for alignment process or identification process, an operator can recognize a predetermined alignment mark easily from a plurality of alignment mark, and can specify it. . By setting the mark for recognition according to each layer, the operator can grasp, for example, on which layer the layer is to be processed, and thus the occurrence of an operator error can be reduced.

또한 이 인식용 마크의 형체를 패턴 매칭법에 의해 검출함으로써, 이 검출결과에 기초하여 얼라인먼트 마크(1)를 식별할 수 있다. 즉, 인식용 마크를 식별 마크(2)로서 사용할 수도 있다.Further, by detecting the shape of the mark for recognition by the pattern matching method, the alignment mark 1 can be identified based on the detection result. That is, the mark for recognition can also be used as the identification mark 2.

제 6 실시형태6th embodiment

다음으로 도 17을 참조하면서 본 발명의 제 6 실시형태에 대해 설명한다.Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 17.

본 실시형태에서는 얼라인먼트 마크(1)의 각각에는 식별 마크(2)가 형성되어 있지 않고, 얼라인먼트 광학계(9)는, 계측영역 내에서 검출되는 복수의 얼라인먼트 마크(1)의 배열에 관한 정보에 기초하여, 계측영역에서 검출된 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 얼라인먼트 처리에 사용하는 검출대상 마크를 특정한다. 이하의 설명에서는, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 얼라인먼트 마크(1A)를 특정하는 경우에 대해 설명한다.In this embodiment, the identification mark 2 is not formed in each alignment mark 1, and the alignment optical system 9 is based on the information regarding the arrangement | positioning of the some alignment mark 1 detected in a measurement area. By using the alignment marks 1A to 1E detected in the measurement area, the detection target mark to be used for the alignment process is specified. In the following description, the case where the alignment mark 1A is specified from the some alignment mark 1A-1E is demonstrated.

도 17에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에는, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 각각이 삽입되어 있다. 제어장치(CONT)는 먼저 계측영역 내에 배치된 얼라인먼트 마크(1A∼1E) 각각의 특정위치(중심위치;Oa∼Oe)를 구한다.As shown in FIG. 17, each of the plurality of alignment marks 1A to 1E is inserted into the measurement area of the alignment optical system 9. The control apparatus CONT obtains the specific position (center position; Oa-Oe) of each of the alignment marks 1A-1E arrange | positioned in a measurement area | region first.

제어장치(CONT)는, 마크정보를 참조하여, 구한 중심위치(Oa∼Oe)의 배열로부터, 검출대상 마크인 얼라인먼트 마크(1A)를 특정한다. 즉, 제어장치(CONT)는 중심위치(Oa∼Oe) 각각의 서로의 상대위치를 구하고, 도 17에 실선으로 나타내는 바와 같은 「L」을 90°회전시킨 배열(H)의 조합을 찾는다. 마크정보에 의해 이 배열(H)의 모서리부에 존재하는 얼라인먼트 마크(1A)가 검출대상 마크가기 때문에, 제어장치(CONT)는, 이 모서리부에 존재하는 얼라인먼트 마크(1A)를 검출대상 마크인 것으로 특정한다. 여기에서 계측영역 내에, 상기 실선으로 나타낸 배열(H)이 없는 경우는, 얼라인먼트 광학계의 광학소자를 조정하여 계측영역을 넓히고, 배열(H)을 갖는 얼라인먼트 마크의 조합이 발견될 때까지 처리를 반복한다. 한편, 계측영역 내에, 유사한 배열(H)이 존재하는 경우에는, 계측영역을 이동하거나 좁혀, 계측영역에 원하는 배열(H)이 1개만 존재하도록 얼라인먼트 광학계를 조정한다.The control apparatus CONT, with reference to the mark information, specifies the alignment mark 1A, which is a detection target mark, from the obtained arrangement of the center positions Oa to Oe. That is, the control apparatus CONT finds the relative position of each center position Oa-Oe, and finds the combination of the arrangement H which rotated "L" by 90 degree as shown by the solid line in FIG. Since the alignment mark 1A present in the corner portion of the arrangement H is the detection target mark, the control device CONT determines that the alignment mark 1A present in the corner portion is the detection target mark. It is specified. Here, in the measurement area, when there is no arrangement H indicated by the solid line, the optical element of the alignment optical system is adjusted to widen the measurement area, and the process is repeated until a combination of alignment marks having the arrangement H is found. do. On the other hand, when a similar arrangement H exists in the measurement area, the measurement area is moved or narrowed so that the alignment optical system is adjusted so that only one desired array H exists in the measurement area.

또한 도 17로부터 명확하지만, 배열(H)은, 쇼트영역(SH1)에 대응하여 형성된 얼라인먼트 마크(1A)와, 쇼트영역(SH1)에 인접하는 쇼트영역(SH2)에 대응하여 형성된 얼라인먼트 마크(1D)로 구성되는 배열이더라도, 얼라인먼트 마크(1A)와 얼라인먼트 마크(1B)와 같이 레이어가 다른 얼라인먼트 마크끼리로 구성되는 배열이어도상관없다.Moreover, although it is clear from FIG. 17, the arrangement H is the alignment mark 1A formed corresponding to the shot area SH1, and the alignment mark 1D formed corresponding to the shot area SH2 adjacent to the shot area SH1. Even if it is an arrangement composed of), it is not necessarily an arrangement composed of alignment marks having different layers, such as alignment mark 1A and alignment mark 1B.

또한 본 실시형태에서는, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)의 상대위치를 구하고, 이 상대위치정보로부터 검출대상 마크를 특정하고 있으나, 예를 들어 쇼트영역에 형성되어 있는 회로패턴의 특정위치(도 17 부호 K참조)에 대한 얼라인먼트 마크(1A∼1E) 각각의 상대위치를 구하고, 이 회로패턴의 특정위치에 대한 상대위치정보에 기초하여, 복수의 얼라인먼트 마크(1A∼1E)로부터 검출대상 마크(1A) 를 특정하도록 할 수도 있다.In the present embodiment, the relative positions of the plurality of alignment marks 1A to 1E are obtained, and the detection target mark is specified from the relative position information. For example, the specific position of the circuit pattern formed in the shot area (Fig. 17. The relative positions of the alignment marks 1A to 1E with respect to the reference mark 17 are obtained, and the detection target marks (from the plurality of alignment marks 1A to 1E are based on the relative position information with respect to the specific position of the circuit pattern). 1A) may be specified.

제 7 실시형태7th embodiment

다음으로 도 18을 참조하면서 본 발명의 제 7 실시형태에 대해 설명한다. 도 18은 본 실시형태에 관련되는 얼라인먼트 처리의 플로차트도이다.Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 18. 18 is a flowchart of the alignment processing according to the present embodiment.

마스크(M)에 형성되어 있는 회로패턴, 얼라인먼트 마크 및 식별 마크가 노광처리됨으로써 감광기판(P)의 전 레이어의 레지스트에 전사된다. 감광기판(P)의 전 레이어에는 회로패턴, 얼라인먼트 마크 및 식별 마크의 이미지가 형성된다(스텝 SA1).The circuit pattern, the alignment mark, and the identification mark formed in the mask M are exposed to the resist and transferred to the resist of all the layers of the photosensitive substrate P. FIG. Images of the circuit pattern, the alignment mark and the identification mark are formed in all the layers of the photosensitive substrate P (step SA1).

얼라인먼트 마크 및 식별 마크의 이미지가 전사된 감광기판(P)에 대해 현상처리가 실시된다. 현상처리에 의해 감광기판(P)에 얼라인먼트 마크(1) 및 식별 마크(2)가 소정의 위치관계에서 형성된다(스텝 SA2).The development process is performed on the photosensitive substrate P on which the images of the alignment mark and the identification mark have been transferred. By the development process, the alignment mark 1 and the identification mark 2 are formed in the photosensitive substrate P in a predetermined positional relationship (step SA2).

전 레이어 상에 레지스트가 도포된 감광기판(P)은 프리얼라인먼트된 후, 노광장치(EX)의 기판 스테이지(PST)에 반송된다. 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)를 사용하여 감광기판(P)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크(1) 및 식별마크(2)를 검출한다(스텝 SA3).The photosensitive board | substrate P by which the resist was apply | coated on all the layers is prealigned, and is conveyed to the board | substrate stage PST of the exposure apparatus EX. The control apparatus CONT detects the alignment mark 1 and the identification mark 2 formed in the photosensitive board | substrate P using the alignment optical system 9 (step SA3).

여기에서 제어장치(CONT)는, 도 19a에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치(중심위치;O1)와, 식별 마크(2)의 특정위치(중심위치;O2)의 좌표를 검출하고, 검출된 좌표에 기초하여, 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2)의 상대위치정보를 검출한다(스텝 SA4).Here, the controller (CONT), the specific position of the alignment mark (1) as shown in Figure 19a (the center position; O 1), and identify a particular position of the mark (2) (the central position; O 2), the coordinates of The relative position information of the alignment mark 1 and the identification mark 2 is detected based on the detected coordinates (step SA4).

또한, 제어장치(CONT)는, 상기 검출된 상대위치정보로부터, 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2)가 감광기판(P)에 형성된 시점부터 상대위치정보가 검출될 때까지의 동안의 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2) 사이의 거리의 변화량, 혹은 소정 방향에 대한 감광기판(P)(쇼트영역)의 회전량을 구한다(스텝 SA5).In addition, the control apparatus CONT performs alignment from the detected relative position information to when the alignment mark 1 and the identification mark 2 are formed on the photosensitive substrate P until the relative position information is detected. The amount of change in the distance between the mark 1 and the identification mark 2 or the amount of rotation of the photosensitive substrate P (short region) in the predetermined direction is determined (step SA5).

즉, 도 19a에 나타내는 바와 같이 제어장치(CONT)는, 특정위치(O1)와 특정위치(O2)의 좌표에 기초하여, 이들 특정위치(O1과 O2)의 거리의 변화량, 혹은 기준축인 X축방향에 대한 감광기판(P)의 회전량(θ)을 구한다. 상기 거리의 변화량으로부터 감광기판(P)(쇼트영역)의 스케일링이 구해지고, 상기 회전량(θ)으로부터 감광기판(P)(쇼트영역)의 로테이션이 구해진다. 또한 이 경우, 특정위치(O1)와 특정위치(O2)의 상대위치정보에 기초하여, 감광기판(P)의 변형에 관한 정보도 검출할 수 있다.Control device as that is illustrated in Fig. 19a (CONT), the specific position (O 1) and on the basis of the coordinates of a specific position (O 2), the amount of change in the distance of these specific position (O 1 and O 2), or The amount of rotation θ of the photosensitive substrate P with respect to the X axis direction, which is a reference axis, is obtained. Scaling of the photosensitive substrate P (short region) is obtained from the change amount of the distance, and rotation of the photosensitive substrate P (short region) is obtained from the rotation amount θ. In this case, the information on the deformation of the photosensitive substrate P can also be detected based on the relative position information of the specific position O 1 and the specific position O 2 .

제어장치(CONT)는, 상기 구한 스케일링 및 로테이션에 기초하여, 다른 얼라인먼트 마크의 설계상의 위치를 보정한다(스텝 SA6).The control apparatus CONT corrects the design position of another alignment mark based on the obtained scaling and rotation (step SA6).

제어장치(CONT)는, 상기 보정량에 기초하여, 상기 검출된 얼라인먼트 마크(1)와는 별도의 얼라인먼트 마크의 위치를 결정한다(스텝 SA7).The control apparatus CONT determines the position of the alignment mark different from the detected alignment mark 1 based on the correction amount (step SA7).

즉, 얼라인먼트 마크(1)는 서치 얼라인먼트 마크로서 이용할 수 있고, 이 경우, 도 19b의 모식도에 나타내는 바와 같이 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)에 의해 감광기판(P) 상의 이간된 복수의 마크를 검출하게 되는데, 도 19a에서 나타낸 얼라인먼트 마크(1) 및 식별 마크(2)로부터 감광기판(P)의 스케일링, 로테이션 혹은 변형에 관한 정보를 구하고, 이 구한 결과에 기초하여 보정량을 도출하고, 도출된 보정량에 기초하여 다음에 검출하는 별도의 얼라인먼트 마크(1')의 위치를 결정할 수 있다. 그리고 얼라인먼트 광학계(9)로 별도의 얼라인먼트 마크(1')를 검출하기 위해 감광기판(P)을 지지한 기판 스테이지(PST)를 이동할 때, 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(9)의 계측영역 내에 감광기판(P) 상의 별도의 얼라인먼트 마크(1')를 신속하게 원활하게 배치시킬 수 있다. 여기에서 복수의 얼라인먼트 마크(1)의 위치정보에 기초하여, 감광기판(P)(쇼트영역)의 시프트성분도 구할 수 있다. 또 종래의 2개의 서치 얼라인먼트 마크의 위치정보를 검출하여 스케일링 정보, 로테이션 정보, 기판변형정보(「서치 정보」라고 총칭함)를 검출한 후에, EGA방식의 파인 얼라인먼트를 실행하기 위해 서치마크와는 별도의 예를 들어 8개의 파인 얼라인먼트 마크를 검출하는 방법과 비교하면, 종래의 방법에서는 서치 정보를 얻기 위해 감광기판을 이동시킬 필요가 있으나, 본 실시형태에서는, 서치정보를 얻기 위해 감광기판을 이동시킬 필요가 없는 점과, 8개의 파인 얼라인먼트 마크 중, 1개째의 파인 얼라인먼트 마크를 관찰시야로 이동시키기 위해 감광기판을 크게 이동시킬 필요가 없는 점의 2점에서, 스루풋을 향상시키는 데에 바람직하다.That is, the alignment mark 1 can be used as a search alignment mark, and in this case, as shown in the schematic diagram of FIG. 19B, the control apparatus CONT is a plurality of spaced apart on the photosensitive substrate P by the alignment optical system 9. The mark is detected. Information on scaling, rotation, or deformation of the photosensitive substrate P is obtained from the alignment mark 1 and the identification mark 2 shown in FIG. 19A, and a correction amount is derived based on the obtained result. On the basis of the derived correction amount, it is possible to determine the position of the other alignment mark 1 'to be detected next. When the substrate stage PST supporting the photosensitive substrate P is moved to detect the separate alignment mark 1 ′ with the alignment optical system 9, the controller CONT moves the measurement area of the alignment optical system 9. The separate alignment mark 1 'on the photosensitive substrate P can be quickly and smoothly arranged in the inside. Here, based on the positional information of the plurality of alignment marks 1, the shift component of the photosensitive substrate P (short region) can also be obtained. After detecting position information of two conventional search alignment marks and detecting scaling information, rotation information, and substrate deformation information (collectively referred to as "search information"), the search mark is executed to execute fine alignment of the EGA method. In comparison with a method of detecting eight fine alignment marks, for example, the conventional method requires moving the photosensitive substrate to obtain search information. In this embodiment, the photosensitive substrate is moved to obtain search information. It is preferable to improve the throughput at two points that do not need to be moved, and that the photosensitive substrate does not need to be moved largely in order to move the first fine alignment mark to the viewing field among the eight fine alignment marks. .

얼라인먼트 처리가 종료되면, 노광장치(EX)는 마스크(M)의 회로패턴을 감광기판(P) 상의 다음 층의 레이어에 노광한다(스텝 SA8).When the alignment process is complete | finished, the exposure apparatus EX exposes the circuit pattern of the mask M to the layer of the next layer on the photosensitive board | substrate P (step SA8).

또한 본 실시형태에 있어서, 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2)의 상대위치정보의 검출은, 서치 얼라인먼트 처리시에 실행되도록 설명하였으나, 예를 들어 프리 얼러인먼트 처리시에 실행하도록 할 수도 있다.In addition, in this embodiment, although the detection of the relative position information of the alignment mark 1 and the identification mark 2 was demonstrated to be performed at the time of the search alignment process, it can also be performed at the time of a pre-alignment process, for example. have.

또 본 실시형태에서는, 얼라인먼트 마크(1)의 특정위치(O1)와 식별 마크(2)의 특정위치(O2)를 검출하여 스케일링 정보 등을 구하였으나, 스케일링 정보나 로테이션 정보를 구하는 데에는 검출하는 2점간의 거리가 떨어져 있는 것이 정밀도 면에서 바람직하다. 따라서 얼라인먼트 마크(1)의 중심을 대칭점으로 하여 식별 마크(2)와 점대칭인 위치에 제 2 식별 마크를 형성하고, 이 제 2 식별 마크의 특정위치와, 원래의 식별 마크(2)의 특정위치(O2)로부터 스케일링 정보나 로테이션 정보 등을 구하는 것도 바람직하다. 또는 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2)의 거리를 떨어뜨리는 것에 의해서도 동일한 효과가 얻어진다.In this embodiment, the specific position O 1 of the alignment mark 1 and the specific position O 2 of the identification mark 2 are detected to obtain scaling information and the like. It is preferable from the standpoint of precision that the distance between two points to be separated is apart. Accordingly, a second identification mark is formed at a point symmetrical with the identification mark 2 with the center of the alignment mark 1 as a symmetry point, and the specific position of the second identification mark and the specific position of the original identification mark 2 are formed. It is also preferable to obtain scaling information, rotation information, and the like from (O 2 ). Alternatively, the same effect can be obtained by reducing the distance between the alignment mark 1 and the identification mark 2.

제 8 실시형태Eighth embodiment

다음으로 도 20a∼도 20d를 참조하면서 본 발명의 제 8 실시형태에 대해 설명한다.Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20A to 20D.

도 20a에 나타내는 얼라인먼트 마크(1) 및 식별 마크(2)를, 얼라인먼트 광학계(9) 및 제어장치(CONT)를 포함하는 화상처리방식의 마크검출장치로 검출하는 경우, 도 20b에 나타내는 바와 같이 촬상한 화상 데이터를 압축처리한 후 마크검출을 실행하는 것이, 압축처리를 하지 않은 경우보다 처리속도를 향상시킬 수 있다. 그러나 식별 마크(2)는 얼라인먼트 마크(1)보다 작은 마크이기 때문에, 압축처리함으로써 마크 화상이 일그러져, 식별 마크(2)의 위치 검출을 실행할 수 없게 되거나, 압축처리함으로써 식별 마크(2)가 작아져, 촬상화면 전체 중에서 찾아내는 데에 매우 시간이 걸리는 경우가 있다.In the case where the alignment mark 1 and the identification mark 2 shown in FIG. 20A are detected by the mark detection device of the image processing method including the alignment optical system 9 and the control device CONT, imaging is performed as shown in FIG. 20B. Performing mark detection after compressing one image data can improve the processing speed than without the compression process. However, since the identification mark 2 is a mark smaller than the alignment mark 1, the mark image is distorted by the compression process, so that the position detection of the identification mark 2 cannot be performed, or the identification mark 2 is small by the compression process. In some cases, it may take a very long time to find the entire captured image.

이 경우, 마크검출장치는, 도 20a에 나타내는 바와 같이, 계측영역의 화상을 촬상하여 화상 데이터를 획득한 후, 도 20b에 나타내는 바와 같이 화상 데이터를 압축처리하고, 이어서 도 20c에 나타내는 바와 같이 검출대상인 식별 마크(제 2 마크;2)에 대해 소정의 위치관계에 있고 또한 식별 마크(2)보다 큰 비대상 마크로서의 얼라인먼트 마크(제 1 마크;1) 의 위치를 검출하고, 이 검출된 얼라인먼트 마크(1)의 위치정보와, 미리 구해져 있는 얼라인먼트 마크(1)와 식별 마크(2)의 상대위치정보에 기초하여, 계측영역을 촬상한 화상 데이터로부터 식별 마크(2)의 위치를 구할 수 있다. 그리고 도 20d에 나타내는 바와 같이 압축된 화상을 원래 상태로 되돌린 후, 마크검출장치는 식별 마크(2)의 캐릭터 패턴의 형체를 검출한다. 이 방법에 의하면, 식별 마크(2)가 존재하는 범위를 좁힐 수 있게 되기 때문에, 압축된 화상의 전체로부터 작아진 식별 마크(2)를 찾는 것보다도 시간을 단축할 수 있다.In this case, as shown in Fig. 20A, the mark detection apparatus acquires image data by capturing an image in the measurement area, and then compresses the image data as shown in Fig. 20B, and then detects it as shown in Fig. 20C. The position of the alignment mark (first mark) 1 as a non-target mark which is in a predetermined positional relation to the target identification mark (second mark) 2 and is larger than the identification mark 2 is detected, and the detected alignment mark is detected. Based on the positional information of (1) and the relative positional information of the alignment mark 1 and the identification mark 2 previously calculated | required, the position of the identification mark 2 can be calculated | required from the image data which imaged the measurement area. . And after returning a compressed image to the original state as shown in FIG. 20D, the mark detection apparatus detects the shape of the character pattern of the identification mark 2. As shown in FIG. According to this method, the range in which the identification mark 2 exists can be narrowed, so that the time can be shorter than finding the smaller identification mark 2 from the entire compressed image.

이상 설명한 바와 같이 얼라인먼트 마크(1) 보다 작은 식별 마크(2)를 검출할 때, 마크검출장치로 용이하게 검출가능한, 즉 식별 마크(2) 보다 큰 면적을 갖고 있어 검출 용이성이 높고 또한 식별 마크(2)와 소정 위치관계에 있는 얼라인먼트 마크(1)를 검출함으로써, 높은 처리속도로 얼라인먼트 마크(1)를 검출한 후, 얼라인먼트 마크(1)의 검출결과와 소정 위치관계에 기초하여 식별 마크(2)의 검출을 효율적으로 실행할 수 있다.As described above, when detecting the identification mark 2 smaller than the alignment mark 1, it is easily detectable by the mark detection device, that is, it has a larger area than the identification mark 2, so that the detection mark is high and the identification mark ( By detecting the alignment mark 1 in a predetermined positional relationship with 2), the alignment mark 1 is detected at a high processing speed, and then the identification mark 2 is detected based on the detection result of the alignment mark 1 and the predetermined positional relationship. ) Can be efficiently detected.

또한 본 실시형태에서는, 검출대상 마크인 식별 마크(2)보다 큰 얼라인먼트 마크(1)의 위치를 검출하고, 이 검출결과에 기초하여 식별 마크(2)의 위치 검출을 실행하는 검출방식이지만, 검출대상 마크에 대해 소정의 위치관계에 있고 또한 예를 들어 얼라인먼트 광학계(9)에 촬상되는 화상의 휘도 데이터가 일정한 비대상 마크의 위치정보를 검출하고, 이 검출결과에 기초하여 검출대상 마크의 위치를 검출하는 검출방식으로 해도 된다. 여기에서 화상의 휘도 데이터가 일정한 마크란, 화상 데이터(휘도 데이터)의 분산값이 작은 마크로서, 제어장치(CONT)는 얼라인먼트 광학계(촬상소자)의 계측영역에서 분산값이 최소의 값을 갖는 위치, 즉 비대상 마크의 위치를 단시간에 검출할 수 있다. 이와 같이 검출대상 마크에 대해 소정의 위치관계에 있고, 마크검출장치의 화상처리방법(검출방식)에 따라 고속으로 위치 검출가능한(검출가능성이 높은)형태를 갖는 비대상 마크가 존재하는 경우에는, 이 비대상 마크의 위치 검출을 실행함으로서, 이 검출결과에 기초하여 대상 마크의 위치를 단시간에 검출할 수 있다.Moreover, in this embodiment, although it is a detection system which detects the position of the alignment mark 1 larger than the identification mark 2 which is a detection target mark, and performs the position detection of the identification mark 2 based on this detection result, it is a detection object. For example, the position information of the non-target mark is detected based on the detection result, and the luminance data of the image captured by the alignment optical system 9 in a predetermined positional relationship with respect to the mark is detected. A detection method may be used. Here, a mark in which the luminance data of an image is constant is a mark having a small dispersion value of image data (luminance data), and the control unit CONT has a position where the dispersion value has a minimum value in the measurement area of the alignment optical system (imaging element). That is, the position of the non-target mark can be detected in a short time. In this case, when there is a non-target mark having a predetermined positional relationship with respect to the detection target mark and having a form capable of high speed detection (highly detectable) according to the image processing method (detection method) of the mark detection apparatus, By performing the position detection of this non-target mark, the position of a target mark can be detected in a short time based on this detection result.

제 9 실시형태9th Embodiment

다음으로 도 21을 참조하면서 본 발명의 제 9 실시형태에 대해 설명한다.Next, a ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 21.

도 21에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 마크(대상 마크;1)의 주위에는 대략 등간격으로 식별 마크(비대상 마크;2)가 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 얼라인먼트 마크(1)는 십자형 마크이고, 식별 마크(2)는 얼라인먼트 마크(1)의 주위에 등간격으로 4지점에 형성되어 있다. 또 식별 마크(2)의 각각은, 4개의 영역(R1∼R4)의 각각에 비트 마크(30)를 배치한 것이다.As shown in FIG. 21, around the alignment mark (target mark) 1, an identification mark (non-target mark) 2 is formed at substantially equal intervals. In the present embodiment, the alignment mark 1 is a cross mark, and the identification mark 2 is formed at four points at equal intervals around the alignment mark 1. Moreover, each of the identification marks 2 arrange | positions the bit mark 30 in each of four area | regions R1-R4.

또한 여기에서 말하는 「등간격」이란, 예를 들어 도 21 중에서 십자형 마크의 종방향 패턴부분으로부터 오른쪽 위(오른쪽 아래)의 식별 마크(2)까지의 거리와 십자형 마크의 종방향 패턴부분으로부터 왼쪽 위(왼쪽 아래)의 식별 마크(2)까지의 거리가 같은 것, 십자형 마크의 횡방향 패턴부분으로부터 오른쪽 위(왼쪽 위)의 식별 마크(2)까지의 거리와 십자형 마크의 횡방향 패턴부분으로부터 오른쪽 아래(왼쪽 아래)의 식별 마크(2)까지의 거리가 같은 것, 십자형 마크의 종방향 패턴부분과 횡방향의 패턴부분의 교점으로부터 오른쪽 위(왼쪽 위)의 식별 마크(2)까지의 거리와 상기 교점으로부터 왼쪽 아래(오른쪽 아래)의 식별 마크(2)까지의 거리가 같은 것 중 적어도 1개를 의미한다.In addition, the " equal interval " referred to herein means, for example, the distance from the longitudinal pattern portion of the cross mark to the identification mark 2 in the upper right (lower right) and the longitudinal pattern portion of the cross mark in FIG. The distance to the identification mark 2 of (lower left) is the same, the distance from the horizontal pattern part of a cross mark to the identification mark 2 of upper right (upper left), and the horizontal pattern part of a cross mark to the right The distance to the identification mark 2 of the lower (lower left) is the same, and the distance from the intersection of the longitudinal pattern part of a cross mark and the horizontal pattern part to the identification mark 2 of the upper right (upper left) The distance from the intersection to the identification mark 2 at the lower left (lower right) means at least one of the same.

이와 같은 구성으로 함으로써, 예를 들어 감광기판(P)표면(디바이스 표면)을 평탄화하기 위해 CMP(화학적 기계적 연마)처리가 실행되는 경우가 있는데, 도 22a의 모식도에 나타내는 바와 같이 대상 마크(1)의 주위에 비대상 마크(2)가 등간격으로 형성되어 있지 않으면, 디바이스 표면이 CMP장치의 연마면에 대해 경사져 맞닿은 상태로 연마되어, 연마상태가 불균일해지는 경우가 있다. 그러나 대상 마크(1)의 주위에 비대상 마크(2)를 등간격으로 형성함으로써, 도 22b의 모식도에 나타내는 바와 같이 디바이스 표면이 CMP장치의 연마면에 대해 경사져 닿지 않고, 균일하게 맞닿은 상태로 연마되므로, 연마상태가 불균일해지거나, 대상 마크(1)의 일부분만이 연마되는 문제점이 발생하는 것을 회피할 수 있다.With such a configuration, for example, a CMP (chemical mechanical polishing) process may be performed to flatten the photosensitive substrate P surface (device surface). As shown in the schematic diagram of FIG. 22A, the target mark 1 If the non-target mark 2 is not formed at equal intervals around the surface of the device, the surface of the device is inclined to abut against the polishing surface of the CMP apparatus, resulting in uneven polishing. However, by forming the non-target mark 2 around the target mark 1 at equal intervals, as shown in the schematic diagram of Fig. 22B, the surface of the device is not inclined to touch the polishing surface of the CMP apparatus and polished in a uniform contact state. Therefore, it is possible to avoid the problem that the polishing state becomes uneven or that only a part of the target mark 1 is polished.

또한 비대상 마크(2)를 대상 마크(1)의 주위에 등간격으로 형성하는 대신에, 대상 마크(1)의 주위에, 대상 마크(1)와 동일한 재질로 구획부를 형성하여 대상 마크(1)를 보호하도록 할 수도 있다. 또 대상 마크(1)의 선폭이 좁은 경우, 전술한 제 8 실시형태에서 서술한 바와 같이 화상 데이터를 압축처리하거나, 기판 상의 넓은 범위를 관찰가능한 저배율의 광학계를 사용하여 관찰하면, 대상 마크(1)를 신속하게 확인할 수 없는 경우가 있다. 따라서 대상 마크(1)를 보호하기 위해 형성된 구획부의 선폭을 대상 마크(1)의 선폭보다 넓게 형성해 두면, 화상 데이터를 압축하거나, 저배율의 광학계를 사용하여 마크를 관찰하는 경우에도 적합하다.Further, instead of forming the non-target mark 2 at equal intervals around the target mark 1, a partition portion is formed around the target mark 1 with the same material as that of the target mark 1 and the target mark 1 ) Can be protected. In addition, when the line width of the target mark 1 is narrow, as described in the eighth embodiment described above, when the image data is compressed or observed using a low magnification optical system that can observe a wide range on the substrate, the target mark 1 ) May not be confirmed quickly. Therefore, if the line width of the partition formed to protect the target mark 1 is formed wider than the line width of the target mark 1, it is also suitable for compressing image data or observing the mark using a low magnification optical system.

제 10 실시형태10th embodiment

다음으로 도 23a∼도 23e를 참조하면서 본 발명의 제 10 실시형태에 대해 설명한다. 또한 이하에서는 설명의 편의상, 이들 도면에서의 상하방향을 「종방향」, 좌우방향을 「횡방향」이라 각각 정의한다.Next, a tenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 23A to 23E. In the following, for convenience of explanation, the vertical direction in these drawings is defined as "vertical direction" and the horizontal direction is defined as "lateral direction", respectively.

도 23a에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 마크 영역(1)의 주위에는, 얼라인먼트 마크 영역(1)과 소정의 위치관계에서 4개의 제 2 마크영역(A1)이 형성되고, 이 제 2 마크영역(A1)내에 종패턴(P1), 횡패턴(P2)으로 구성되는 제 2 마크(2)가 형성되어 있다. 종패턴(P1)은 제 2 마크영역(A1)내에서 종방향으로 연장되고, 횡방향에 관해서는 제 2 영역 내의 임의의 위치에 배치된다. 횡패턴(P2)은 제2 마크영역(A1) 내에서 횡방향으로 연장되고, 종방향에 관해서는 제 2 마크영역(A1) 내의 임의의 위치에 배치된다. 그리고 종패턴(P1)과 횡패턴(P2)의 교점 위치에 의해, 전술한 제 1 ∼제 5 실시형태와 동일한 정보가 표시된다. 또한 도 23a에 나타내는 예에서는, 전술한 제 1 마크를 보호하기 위한 구획 패턴(P3)로 형성되어 있다.As shown in FIG. 23A, four second mark regions A1 are formed around the alignment mark region 1 in a predetermined positional relationship with the alignment mark region 1, and within this second mark region A1. The 2nd mark 2 comprised from the vertical pattern P1 and the horizontal pattern P2 is formed. The vertical pattern P1 extends in the longitudinal direction in the second mark region A1 and is disposed at any position in the second region in the transverse direction. The horizontal pattern P2 extends in the horizontal direction in the second mark area A1 and is disposed at an arbitrary position in the second mark area A1 in the longitudinal direction. And the same information as the above-mentioned 1st-5th embodiment is displayed by the intersection position of the vertical pattern P1 and the horizontal pattern P2. In addition, in the example shown to FIG. 23A, it forms by the partition pattern P3 for protecting the above-mentioned 1st mark.

이하, 도 23a에서 오른쪽 위에 위치하는 제 2 마크(2)에 관해, 도 23b∼도 23e를 참조하면서, 본 실시형태에서의 정보의 표시방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the display method of the information in this embodiment is demonstrated, referring FIG. 23B-FIG. 23E about the 2nd mark 2 located in upper right in FIG.

도 23b에 나타낸 제 2 마크(2)에서는, 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 좌단부로부터 길이L1의 위치에 종패턴(P1)이 배치되고, 또 횡패턴(P2)은 제 2 마크영역(A1)의 도 23의 도면 중의 하단부로부터 길이L2의 위치에 배치되어 있다. 도 23c에 나타낸 제 2 마크(2)에서는, 종패턴(P1)은 도 23b와 동일하게 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 좌단부로부터 길이L1의 위치에 배치되어 있으나, 횡패턴(P2)의 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 하단부로부터의 길이는, 도 23b 보다도 긴 L2a 로 되어 있다. 도 23d에 나타낸 제 2 마크(2) 에서는, 횡패턴(P2)은 도 23b와 동일하게 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 하단부로부터 길이 L2의 위치에 배치되어 있으나, 종패턴(P1)의 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 좌단부로부터의 길이는, 도 23b보다도 짧은 L1a 으로 되어 있다. 도 23e 에 나타낸 제 2 마크(2) 에서는, 종패턴(P1)의 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 좌단부로부터의 길이는, 도 23b보다 짧은 L1a로 되어 있고, 횡패턴(P2)의 제 2 마크영역(A1)의 도면 중의 하단부로부터의 길이는 도 23b 보다 긴 L2a 로 되어 있다.In the second mark 2 shown in FIG. 23B, the vertical pattern P1 is disposed at the position of the length L1 from the left end of the second mark region A1 in the drawing, and the horizontal pattern P2 is the second mark region. It is arrange | positioned at the position of length L2 from the lower end part in the figure of FIG. 23 of (A1). In the second mark 2 shown in FIG. 23C, the vertical pattern P1 is disposed at the position of the length L1 from the left end in the drawing of the second mark region A1 in the same manner as in FIG. 23B. The length from the lower end part of the 2nd mark area | region A1 of this figure is L2a longer than FIG. 23B. In the second mark 2 shown in FIG. 23D, the horizontal pattern P2 is disposed at the position of the length L2 from the lower end in the drawing of the second mark region A1 in the same manner as in FIG. 23B. The length from the left end of the second mark region A1 in the drawing is L1a shorter than that in FIG. 23B. In the second mark 2 shown in FIG. 23E, the length from the left end portion of the second mark region A1 of the vertical pattern P1 is L1a shorter than that of FIG. 23B, and the horizontal pattern P2 The length from the lower end of the second mark region A1 in the drawing is L2a longer than that in FIG. 23B.

이상과 같이 종패턴(P1)의 횡위치와 횡패턴(P2)의 종위치의 일방, 또는 양방이 상이함으로써, 종패턴(P1)과 횡패턴(P2)의 교점 위치가 도 23a∼도 23e 에서는 각각 서로 다르다. 따라서 이들 교점 각각에 상이한 정보를 대응시킴으로써, 종패턴(P1)과 횡패턴(P2)의 교점에 의해, 수많은 정보를 나타낼 수 있게 된다. 이상의 방법에 의해, 종패턴(P1)의 횡위치를 검출하는 검출장치의 분해능, 및 횡패턴(P2)의 종위치를 검출하는 검출장치의 분해능에 따라 다르지만, 종패턴(P1)의 횡위치의 바리에이션과 횡패턴의 횡위치의 바리에이션의 조합의 수만큼, 상이한 정보를 나타낼 수 있게 된다. 따라서 전술한 제 2, 제 3 실시형태에서 설명한 바와 같은 비트 마크를 사용하는 식별 마크와 비교하면, 나타낼 수 있는 정보의 수가 비약적으로 증가하게 된다.As described above, one or both of the horizontal position of the vertical pattern P1 and the vertical position of the horizontal pattern P2 are different, so that the intersection positions of the vertical pattern P1 and the horizontal pattern P2 are in FIGS. 23A to 23E. Each one is different. Therefore, by making different information correspond to each of these intersections, a lot of information can be represented by the intersection of the vertical pattern P1 and the horizontal pattern P2. According to the above method, the resolution of the detection device for detecting the lateral position of the vertical pattern P1 and the resolution of the detection device for detecting the vertical position of the lateral pattern P2 are different. Different information can be represented by the number of combinations of variations and transverse positions of the transverse pattern. Therefore, compared with the identification mark using the bit mark as described in the above-mentioned second and third embodiments, the number of information that can be displayed is dramatically increased.

또한 이상 설명한 제 2 마크의 종패턴(P1)의 종위치, 및 횡패턴(P2)의 횡위치를 검출하는 검출장치로는, 얼라인먼트 마크 영역(1)에 형성되는 얼라인먼트 마크를 검출하기 위한 얼라인먼트 광학계, 예를 들어 도 1에 나타낸 바와 같은 촬상소자를 구비한 얼라인먼트 광학계(9)를 겸용해도, 또 제 2 마크(2)를 검출하기 위한 검출장치를 별도 설치해도 된다. 또 촬상소자를 구비한 얼라인먼트 장치에 한정하지 않고, 얼라인먼트 조명계로부터 조사되는 스폿광과 얼라인먼트 마크를 상대 주사하고, 스폿광과 얼라인먼트 마크를 조명한 타이밍으로 발생하는 산란광을 검출하여 위치정보를 검출하는 소위 LSA 방식, 혹은 얼라인먼트 빔으로 마크를 조명함으로써 발생하는 회절광을 참조광과 간섭시켜, 참조광과 마크로부터의 회절광과의 위상차를 구함으로써 위치정보를 검출하는 소위 LIA 방식을 이용해도 된다.Moreover, as a detection apparatus which detects the longitudinal position of the vertical pattern P1 of the 2nd mark demonstrated above, and the horizontal position of the lateral pattern P2, the alignment optical system for detecting the alignment mark formed in the alignment mark area | region 1 For example, the alignment optical system 9 provided with the imaging element as shown in FIG. 1 may also be used, and the detection apparatus for detecting the 2nd mark 2 may be provided separately. Moreover, it is not limited to the alignment apparatus provided with an image pick-up element, It scans the spot light and alignment mark irradiated from the alignment illumination system, detects the scattered light which generate | occur | produces at the timing which illuminates the spot light and the alignment mark, and so-called position information An LSA method or a so-called LIA method for detecting positional information by interfering diffracted light generated by illuminating a mark with an alignment beam with reference light and obtaining a phase difference between the reference light and the diffracted light from the mark may be used.

나아가서는 종패턴(P1)의 횡위치, 횡패턴(P2)의 종위치의 바리에이션이 검출장치의 분해능과 관계있는 것을 전술하였으나, 소위 마크 저단차 등 프로세스의 영향에 의해 촬상소자를 구비한 얼라인먼트 광학계로 원하는 분해능이 얻어지지 않는 경우에, 촬상소자의 게인 조절기능, 즉 촬상소자로부터 발생되는 신호의 진폭을 변화시키는 기능을 활용함으로써, 원하는 분해능이 얻어지는 경우가 있다. 또, 웨이퍼 상에 도포된 레지스트의 특성에 따라 얼라인먼트 마크를 조명하는 얼라인먼트광의 파장을 변화시키는 기능을 구비한 얼라인먼트 장치를 사용하는 경우에는, 제 2 마크(2)를 검출할 때에 이 파장전환기능을 활용해도 된다. 이상과 같이 레지스트의 특성이나 프로세스의 영향에 따라, 제 2 마크(2)를 검출할 때의 검출조건을 변화시킴으로써, 검출장치에 의해 높은 분해능을 얻을 수 있게 되고, 나아가서는 본 실시형태의 종패턴(P1)의 횡위치, 횡패턴(P2)의 종위치의 바리에이션을 늘릴 수 있어, 보다 많은 정보를 표현할 수 있게 된다.Further, although the variation of the transverse position of the longitudinal pattern P1 and the longitudinal position of the transverse pattern P2 is related to the resolution of the detection device, the alignment optical system including the image pickup device is influenced by a process such as a mark low step. When the desired resolution cannot be obtained, the desired resolution may be obtained by utilizing the gain adjusting function of the image pickup device, that is, the function of changing the amplitude of the signal generated from the image pickup device. In addition, in the case of using an alignment apparatus having a function of changing the wavelength of alignment light for illuminating the alignment mark according to the characteristics of the resist applied on the wafer, this wavelength switching function is detected when the second mark 2 is detected. You may use it. By changing the detection conditions at the time of detecting the second mark 2 in accordance with the characteristics of the resist and the process as described above, a high resolution can be obtained by the detection apparatus, and furthermore, the vertical pattern of the present embodiment. Variation of the horizontal position of P1 and the vertical position of the horizontal pattern P2 can be increased, and more information can be expressed.

또한 도 23a∼도 23e에서는 제 2 마크영역이 얼라인먼트 마크 영역(1)의 주위에 4개 형성된 예를 설명하였으나, 이것은 전술한 제 9 실시형태에서 설명한 CMP처리에 대한 대응으로서 바람직하다. 단, 디바이스 제조공정에 CMP 처리를 포함하지 않는 경우, 반드시 얼라인먼트 마크 영역(1)의 주위에 4개의 제 2 마크 영역을 확보할 필요는 없고, 제 2 마크 영역(2)은 얼라인먼트 마크 영역(1)의 주위에 1개 내지 3개일 수도 있다.23A to 23E illustrate an example in which four second mark regions are formed around the alignment mark region 1, but this is preferable as a response to the CMP process described in the ninth embodiment described above. However, when the device manufacturing process does not include the CMP process, it is not necessary to secure four second mark regions around the alignment mark region 1, and the second mark region 2 is the alignment mark region 1. 1 to 3 may be around.

또 도 23a∼도 23e에서는 제 2 마크영역 내의 제 2 마크로서, 종패턴(P1), 횡패턴(P2)이 각각 1개씩의 마크를 나타냈으나, 종패턴(혹은 횡패턴)을 2개 이상구비한 마크를 사용해도 된다.23A to 23E, one vertical pattern P1 and one horizontal pattern P2 each represent marks of the second mark in the second mark region, but two or more vertical patterns (or horizontal patterns) are shown. You may use the provided mark.

제 10 실시형태의 서치마크에 대한 적용Application to Search Mark of Tenth Embodiment

그런데 종래의 기술 항목에서 전술한 서치마크로서는, 예를 들어 도 24에 나타내는 바와 같은 마크가 사용된다. 이 서치마크(50)에서, 본 제 10 실시형태의 사상을 적용할 수 있다.By the way, the mark as shown in FIG. 24 is used as a search mark mentioned above in the prior art. In this search mark 50, the idea of the tenth embodiment can be applied.

서치마크(50)는 종방향으로 서로 평행하게 연장되는 3개의 종패턴(P1L, PIC, PIR)과, 횡방향으로 서로 연장되는 3개의 횡패턴(P2A, P2C, P2U)을 포함하고, 3개의 종패턴과 3개의 횡패턴이 중첩되어 9개의 교점을 형성하도록 구성되어 있다. 이 종방향으로 서로 평행하게 연장되는 종패턴 중의 중앙 패턴(P1C)을, 좌우의 종패턴(P1L과 P1R) 사이의 임의 위치에 배치하고, 횡방향으로 서로 평행하게 연장되는 횡패턴 중 중앙 패턴(PC2)을, 상하의 횡패턴(P2A와 P2U) 사이의 임의 위치에 배치한다. 그리고 교점 위치마다 상이한 정보를 대응시킴으로써, 전술한 제 10 실시형태와 동일하게, 많은 정보를 표현할 수 있다.The search mark 50 includes three vertical patterns P1L, PIC, and PIR extending in parallel to each other in the longitudinal direction, and three horizontal patterns P2A, P2C, and P2U extending in the transverse direction. The vertical pattern and the three horizontal patterns overlap each other to form nine intersections. The center pattern P1C in the longitudinal patterns extending in parallel to each other in the longitudinal direction is disposed at an arbitrary position between the left and right longitudinal patterns P1L and P1R, and the center pattern (in the horizontal patterns extending in parallel in the transverse direction) PC2) is arrange | positioned in the arbitrary position between the upper and lower horizontal patterns P2A and P2U. By associating different information for each intersection position, much information can be expressed similarly to 10th Embodiment mentioned above.

종래에는 서치마크의 검출 에러를 방지하기 위해 서치마크의 주위에 동종 패턴의 형성을 금지하는 금지 존을 형성한 것은 이미 서술하였으나, 상기와 같이 제 10 실시형태의 사상을 서치마크에 적용하여 종패턴(P1)과 횡패턴(P2)의 교점 위치를 레이어마다 다르게 함으로써, 검출해야 하는 서치마크를 식별할 수 있게 된다.In the past, a prohibition zone for prohibiting the formation of a homogeneous pattern was formed around the search mark in order to prevent a detection error of the search mark. However, as described above, the idea of the tenth embodiment is applied to the search mark to provide a vertical pattern. The search marks to be detected can be identified by varying the intersection positions of P1 and the horizontal pattern P2 for each layer.

제 11 실시형태11th Embodiment

다음으로 도 25a∼도 25d를 참조하면서 본 발명의 제 11 실시형태에 대해 설명한다.Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 25A to 25D.

도 25a에 나타내는 바와 같이 얼라인먼트 마크 영역(1)의 주위에는, 얼라인먼트 마크 영역(1)과 소정의 위치관계에 있고, 제 1 분할영역(A1)과 제 2 분할영역(A2)으로 구성되는 제 2 마크영역이 형성되고, 이 제 1 분할영역(A1) 내에서 종방향으로 연장되는 제 1 패턴부(P1)와, 제 2 분할영역(A2) 내에서 종방향으로 연장되는 제 2 패턴부(P2)로 구성되는 제 2 마크(2)가 형성되어 있다. 또 제 10 실시형태와 동일하게, 제 1 마크를 보호하기 위해 구획 패턴(P3)도 형성되어 있다.As shown to FIG. 25A, the 2nd part which has a predetermined positional relationship with the alignment mark area | region 1 around the alignment mark area | region 1, and consists of 1st division area A1 and 2nd division area A2. The mark region is formed, and the first pattern portion P1 extends in the longitudinal direction in the first divided area A1, and the second pattern portion P2 extends in the longitudinal direction in the second divided area A2. The 2nd mark 2 comprised by () is formed. In addition, similarly to the tenth embodiment, the partition pattern P3 is also formed to protect the first mark.

이하 도 25a의 지면에서 오른쪽 위에 위치하는 제 2 마크(2)에 관해, 도 25b∼도 25d를 참조하면서, 정보의 표시방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the method of displaying information will be described with reference to FIGS. 25B to 25D with respect to the second mark 2 located on the upper right side in the sheet of FIG. 25A.

도 25b에 나타낸 제 2 마크(2)에서는, 제 1 분할영역(A1)의 도면 중의 좌단부로부터 길이(L1)의 위치에 제 1 패턴부(P1)가 배치되고, 또 제 2 분할영역(A2) 중의 도면 중의 좌단부로부터 길이(L2)의 위치에 제 2 패턴부(P2)가 배치되어 있다. 도 25c에 나타낸 제 2 마크(2)에서는, 제 2 패턴부(P2)는, 도 25b와 동일하게 제 2 분할영역(A2) 중의 도면 중의 좌단부로부터 길이(L2)의 위치에 배치되어 있으나, 제 1 패턴부(P1)는, 제 1 분할영역(A1) 중의 도면 중의 좌단부로부터, 도 25b 보다 긴 L1a의 위치에 배치되어 있다. 도 25d에 나타낸 제 2 마크(2)에서는, 제 1 패턴부(P1)는, 도 25b와 동일하게 제 1 분할영역(A1) 중의 도면 중의 좌단부로부터 길이(L1)의 위치에 제 1 패턴부(P1)가 배치되어 있으나, 제 2 패턴부(P2)는, 제 2 분할영역(A2) 중의 도면 중의 좌단부로부터 도 25b보다 짧은 L2a의 위치에 배치되어 있다.In the 2nd mark 2 shown to FIG. 25B, the 1st pattern part P1 is arrange | positioned at the position of length L1 from the left end part in the figure of 1st division area A1, and 2nd division area A2 is carried out. 2nd pattern part P2 is arrange | positioned at the position of length L2 from the left end part in the figure in the figure. In the second mark 2 shown in FIG. 25C, the second pattern portion P2 is disposed at the position of the length L2 from the left end in the figure in the second divided area A2 in the same manner as in FIG. 25B. The 1st pattern part P1 is arrange | positioned at the position of L1a longer than FIG. 25B from the left end part in the figure in the 1st division area A1. In the 2nd mark 2 shown to FIG. 25D, the 1st pattern part P1 is the 1st pattern part in the position of length L1 from the left end part in the figure in 1st division area A1 similarly to FIG. 25B. Although P1 is arrange | positioned, the 2nd pattern part P2 is arrange | positioned at the position of L2a shorter than FIG. 25B from the left end part in the figure in the 2nd division area A2.

이상과 같이 제 1 분할영역(A1)내의 제 1 패턴부(P1)의 횡위치와 제 2 분할영역(A2)내의 제 2 패턴부(P2)의 횡위치의 일방, 또는 양방이 상이함으로써, 제 1 패턴(P1)의 횡위치와, 제 2 패턴(P2)의 횡위치의 조합의 수만큼 많은 정보를 표시할 수 있게 된다. 따라서 전술한 제 10 실시형태와 동일하게, 비트 마크를 사용하는 식별 마크와 비교하면, 표시할 수 있는 정보의 수가 비약적으로 증가하게 된다.As described above, one or both of the transverse positions of the first pattern portions P1 in the first divided region A1 and the transverse positions of the second pattern portions P2 in the second divided regions A2 are different from each other. Information as much as the number of combinations of the lateral position of the first pattern P1 and the lateral position of the second pattern P2 can be displayed. Therefore, similarly to the tenth embodiment described above, the number of information that can be displayed is dramatically increased compared with the identification mark using the bit mark.

또 전술한 제 10 실시형태의 제 2 마크에서는, 종패턴부에 대해서는 제 2 마크영역 내에서의 횡위치를 검출하고, 횡패턴부에 대해서는 제 2 영역 내에서의 종위치를 검출하는 것이 필요하였다. 그러나 촬상소자를 사용한 검출장치 중에는, 일방향으로만 위치정보를 검출할 수 있는 것도 있다. 만약에 이와 같은 검출장치를 사용하여 도 23a∼도 23e에 나타낸 제 10 실시형태의 제 2 마크를 검출하는 경우, 종패턴부의 횡위치를 검출한 후, 마크가 형성된 기판과 검출장치를 상대 회전시키고 나서 횡패턴부의 횡위치를 검출하는, 기판과 검출장치를 상대 회전시키는 공정이 필요해진다.Moreover, in the 2nd mark of 10th Embodiment mentioned above, it was necessary to detect the horizontal position in a 2nd mark area | region with respect to a vertical pattern part, and to detect the vertical position within a 2nd area with respect to a horizontal pattern part. . However, some detection apparatuses using imaging elements can detect positional information in only one direction. If the second mark of the tenth embodiment shown in Figs. 23A to 23E is detected using such a detection device, after detecting the lateral position of the vertical pattern portion, the substrate on which the mark is formed and the detection device are relatively rotated. Then, the process of relatively rotating a board | substrate and a detection apparatus which detects the horizontal position of a horizontal pattern part is needed.

이에 반하여, 도 25∼도 25d 에 나타낸 제 11 실시형태의 제 2 마크(2)는, 제 1 패턴부, 제 2 패턴부 모두 횡위치를 검출하면 되기 때문에 기판과 검출장치를 상대 회전시키는 공정이 불필요해져, 스루풋의 향상에도 공헌한다.On the other hand, the second mark 2 of the eleventh embodiment shown in Figs. 25 to 25D has a step of relatively rotating the substrate and the detection apparatus because only the first pattern portion and the second pattern portion need to detect the lateral position. It becomes unnecessary and contributes to improvement of throughput.

또, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 주로 검출대상 마크를 특정한 후, 특정된 마크의 위치정보를 사용하여 그 후의 위치정합 등의 처리를 하는 구성을 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 특정마크를 검출한 후 그 특정마크로부터 소정의 상대위치관계에 있는, 특정마크와는 별개의 마크의위치정보를 검출하고, 이 별개의 마크의 위치정보를 사용하여 그 후의 처리를 하도록 구성해도 된다.Moreover, in the embodiment described above, the configuration is mainly described after specifying the detection target mark and then performing the subsequent positioning and the like using the location information of the specified mark, but the present invention is not limited thereto. For example, after detecting a specific mark, position information of a mark separate from the specific mark in a predetermined relative positional relationship from the specific mark is detected, and subsequent processing is performed using the position information of this distinct mark. You may comprise.

그리고, 이상에서 설명한 실시형태를 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 예를 들어, 제 2 실시형태의 얼라인먼트마크(1)의 근방에 비트 마크(30)로 구성된 식별 마크(2)를 형성하는 동시에 제 4 실시형태의 얼라인먼트마크(1)의 패턴부 연장방향의 연장 상에 식별 마크(2)를 배치해도 된다. 그리고, 쇼트영역에 형성되어 있는 회로패턴부의 패턴정보도 조합하면, 추가로 다종의 정보를 표현하는 것이 가능해진다.And it is also possible to use combining embodiment described above. For example, the identification mark 2 comprised of the bit mark 30 is formed in the vicinity of the alignment mark 1 of 2nd Embodiment, and the pattern part extension direction of the alignment mark 1 of 4th Embodiment is extended. You may arrange | position the identification mark 2 on a surface. Further, by combining the pattern information of the circuit pattern portion formed in the shot region, it is possible to further express various kinds of information.

또, 본 실시형태의 노광장치(EX)로서, 마스크(M)와 감광기판(P)을 동기 이동하여 마스크(M)의 패턴을 노광하는 주사형의 노광장치 이외에 마스크(M)와 감광기판(P)을 정지시킨 상태로 마스크(M)의 패턴을 노광하여 감광기판(P)을 순차 스텝이동시키는 스텝 앤드 리피트형 노광장치에도 적용할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 노광장치 및 위치검출용 마크로서 투영광학계(PL)를 사용하지 않고 마스크(M)와 감광기판(P)을 밀접시켜 마스크(M)의 패턴을 노광하는 프록시미티 노광장치에도 적용하는 할 수 있다.In addition, as the exposure apparatus EX of the present embodiment, the mask M and the photosensitive substrate (in addition to the scanning type exposure apparatus for synchronously moving the mask M and the photosensitive substrate P to expose the pattern of the mask M) The present invention can also be applied to a step-and-repeat type exposure apparatus in which the pattern of the mask M is exposed while P) is stopped and the photosensitive substrate P is sequentially moved. Also, the exposure apparatus and the proximity exposure apparatus which expose the pattern of the mask M by bringing the mask M and the photosensitive substrate P into close contact without using the projection optical system PL as the exposure apparatus and the position detection mark of the present embodiment. Can apply.

노광장치(EX)의 용도로는 반도체제조용 노광장치에 한정되지 않으며, 예를 들어 각형 유리플레이트에 액정표시소자 패턴을 노광하는 액정용 노광장치나, 박막자기헤드를 제조하기 위한 노광장치에도 널리 적용할 수 있다.The application of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, and is widely applied to, for example, a liquid crystal exposure apparatus for exposing a liquid crystal display element pattern on a rectangular glass plate, or an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head. can do.

투영광학계(PL)로는, 엑시머레이저 등의 원자외선을 사용하는 경우는 초재(硝材)로서 석영이나 형석 등의 원자외선을 투과하는 재료를 사용하고, F2 레이저나X 선을 사용하는 경우는 반사굴절계 또는 굴절계의 광학계로 하며 (마스크도 반사형 타입인 것을 사용한다), 또, 전자선을 사용하는 경우에는 광학계로서 전자렌즈 및 편향기로 이루어지는 전자 광학계를 사용하면 된다. 또, 전자선이 통과하는 광로는 진공상태로 하는 것은 말할 필요도 없다.As the projection optical system PL, when using far ultraviolet rays such as excimer laser, a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as a base material, and when using an F2 laser or X-ray, a refraction system Alternatively, an optical system of a refractometer may be used (a mask is also a reflective type), and when an electron beam is used, an electron optical system composed of an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It goes without saying that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state.

기판 스테이지(PST)나 마스크 스테이지(MST)에 리니어모터를 사용하는 경우는, 에어베어링을 사용한 에어부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 사용한 자기부상형 어느 쪽을 사용해도 된다. 또, 스테이지는 가이드를 따라 이동하는 타입이어도 되고, 가이드를 형성하지 않은 가이드리스 타입이어도 된다.When a linear motor is used for the substrate stage PST or the mask stage MST, either an air levitation type using air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. The stage may be of a type that moves along a guide or may be a guideless type that does not form a guide.

스테이지의 구동장치로서 평면모터를 사용하는 경우, 자석유닛(영구자석)과 전기자유닛 중 어느 하나를 스테이지에 접속하고, 자석유닛과 전기자유닛의 다른 하나를 스테이지의 이동면측(베이스)에 형성하면 된다.When using a planar motor as a driving device for the stage, one of the magnet unit (permanent magnet) and the armature unit may be connected to the stage, and the other of the magnet unit and the armature unit may be formed on the moving surface side (base) of the stage. .

기판 스테이지(PST)의 이동에 의해 발생하는 반력은 일본 공개특허공보 평8-166475호에 기재되어 있는 바와 같이 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥(대지)으로 나가게 해도 된다. 본 발명은 이러한 구조를 구비한 노광장치에서도 적용 가능하다.The reaction force generated by the movement of the substrate stage PST may be caused to mechanically go out to the floor (ground) using a frame member as described in JP-A-8-166475. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.

마스크 스테이지(MST)의 이동에 의해 발생하는 반력은 일본 공개특허공보 평8-330224호에 기재되어 있는 바와 같이 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥(대지)으로 나가게 해도 된다. 본 발명은 이러한 구조를 구비한 노광장치에서도 적용 가능하다.The reaction force generated by the movement of the mask stage MST may be caused to mechanically go out to the floor (ground) using a frame member as described in JP-A-8-330224. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.

이상과 같이 본원 실시형태의 노광장치는, 본원 특허청구의 범위에 든 각 구성요소를 포함하는 각종 서브시스템을 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립하여 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해 이 조립 전후에는, 각종 광학계에 관해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 실시된다. 각종 서브시스템에서 노광장치로 조립하는 공정은, 각종 서브시스템 상호의 기계적접속, 전기회로의 배선접속, 기압회로의 배관접속 등이 포함된다. 이 각종 서브시스템에서 노광장치로 조립하는 공정 전에 각 서브시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브시스템의 노광장치로 조립하는 공정이 종료되면, 종합조정이 실시되어 노광장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또, 노광장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람직하다.As described above, the exposure apparatus of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems including each component included in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical precision, electrical precision, and optical precision. In order to secure these various accuracy, before and after this assembly, adjustment for achieving optical precision for various optical systems, adjustment for achieving mechanical precision for various mechanical systems, and adjustment for achieving electrical precision for various electric systems This is carried out. The process of assembling the exposure apparatus in various subsystems includes mechanical connection of various subsystems, wiring connection of electric circuits, piping connection of pneumatic circuits, and the like. It goes without saying that there is an individual assembly step of each subsystem before the step of assembling with the exposure apparatus in these various subsystems. When the process of assembling with the exposure apparatus of the various subsystems is finished, comprehensive adjustment is performed to ensure various precisions as the whole exposure apparatus. In addition, it is preferable to manufacture an exposure apparatus in the clean room where temperature, a clean degree, etc. were managed.

반도체디바이스는, 도 26 에 나타내는 바와 같이 디바이스의 기능ㆍ성능설계를 하는 스텝 201, 이 설계스텝에 기초한 마스크를 제작하는 스텝 202, 기재인 기판을 제조하는 스텝 203, 상기 서술한 실시형태의 노광장치에 의해 마스크의 패턴을 감광기판에 노광하는 기판처리 스텝 204, 디바이스조립 스텝 (다이싱공정, 본딩공정, 패키지공정을 포함한다) 205, 검사스텝 206 등을 거쳐 제조된다.As shown in Fig. 26, the semiconductor device includes step 201 for designing the function and performance of the device, step 202 for producing a mask based on this design step, step 203 for manufacturing a substrate as a substrate, and the exposure apparatus of the above-described embodiment. By a substrate processing step 204 for exposing the pattern of the mask to the photosensitive substrate, a device assembly step (including a dicing step, a bonding step, a package step) 205, an inspection step 206, and the like.

산업상 이용가능성Industrial availability

이상과 같이 본 발명에 의하면, 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴에 대하여 소정의 위치관계에서 N 종류의 패턴을 n개 조합한 제 2 패턴을 형성하여 이 제 2 패턴의 형태를 검출함으로써, 검출대상이 되는 마크에 근접하여 동종의 마크가 존재하는 경우에도 이들 복수의 마크로부터 위치검출에 사용하기 위한 마크를 특정할 수 있다. 그리고, 제 2 패턴은 기판 위에 마크를 배치하기 위한 영역을 넓게 설정하지 않더라도 Nn종류와 같은 많은 종류의 정보를 표시할 수 있고, 동종의 제 1 패턴이 다수 존재하고 있더라도 기판 상의 패턴 전사영역을 좁게 하지 않고 마크식별할 수 있다. 그리고, 이 제 1 패턴을 사용하여 정밀도가 양호한 얼라인먼트처리를 할 수 있다.As described above, according to the present invention, by detecting the form of the second pattern by forming a second pattern combining n types of N patterns in a predetermined positional relationship with respect to the first pattern for outputting position information, Even when a mark of the same kind exists in proximity to the target mark, a mark for use in position detection can be specified from the plurality of marks. The second pattern can display many kinds of information, such as N n type, even if the area for arranging the mark on the substrate is not set wide, and the pattern transfer area on the substrate can be displayed even if a large number of the same first patterns exist. The mark can be identified without narrowing. And using this 1st pattern, the alignment process with favorable precision can be performed.

또, 본 발명에 의하면 특정마크의 제 1 패턴과 제 2 패턴의 상대위치정보를 검출함으로써 기판의 변형량이나 회전량에 대한 정보를 구할 수 있다. 따라서, 구한 정보에 기초하여 특정마크로부터 별개의 마크의 위치를 결정할 수 있고 이들 복수의 마크검출을 원활하게 실시할 수 있기 때문에 스루풋을 향상할 수 있다.Further, according to the present invention, information on the amount of deformation and rotation of the substrate can be obtained by detecting the relative position information of the first pattern and the second pattern of the specific mark. Therefore, the throughput can be improved because the positions of the marks separate from the specific marks can be determined based on the obtained information and the plurality of marks can be detected smoothly.

또, 본 발명에 의하면, 마크의 화상 데이터를 압축하고 나서 마크검출을 할 때, 큰 비대상 마크의 화상 데이터는 압축처리하더라도 일그러지지 않기 때문에, 이 비대상 마크의 압축화상 데이터를 사용하여 비대상 마크의 위치정보를 검출하고, 이 검출결과에 기초하여 대상 마크의 위치정보를 신속하게 구할 수 있다. 따라서, 마크위치검출처리를 단시간에 효율적으로 실시할 수 있다.Further, according to the present invention, when the mark is detected after compressing the image data of the mark, the image data of the large non-target mark is not distorted even if it is compressed. Therefore, the non-target is performed using the compressed image data of the non-target mark. The positional information of the mark can be detected, and the positional information of the target mark can be obtained quickly based on the detection result. Therefore, the mark position detection process can be performed efficiently in a short time.

또한, 본 발명에 의하면, 대상 마크 주위에 등간격으로 비대상 마크를 형성함으로써, 디바이스 표면이 CMP 장치의 연마면에 대하여 기울어져 닿는 문제를 피할 수 있고, 연마처리를 양호한 정밀도로 실시할 수 있다. 따라서, 원하는 성능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.Further, according to the present invention, by forming non-target marks at equal intervals around the target marks, the problem that the device surface tilts against the polishing surface of the CMP apparatus can be avoided, and the polishing treatment can be performed with good accuracy. . Thus, a device having a desired performance can be manufactured.

Claims (99)

물체 상에 형성되어, 위치검출장치에 의해 상기 물체의 위치정보를 검출할 때에 사용되는 위치검출용 마크로서,A mark for position detection, formed on an object and used when detecting position information of the object by a position detection device, 상기 위치검출장치에 의해 관찰됨으로써 그 위치검출장치로 상기 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴과,A first pattern observed by the position detecting device to output the position information to the position detecting device, 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치되고, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되어, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 갖는 위치검출용 마크.For position detection having a second pattern arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern and having n types (n≥1) in combination of n (n≥1) patterns and representing N n types of information Mark. 물체 상에 형성되어, 위치검출장치에 의해 상기 물체의 위치정보를 검출할 때에 사용되는 위치검출용 마크로서,A mark for position detection, formed on an object and used when detecting position information of the object by a position detection device, 상기 위치검출장치에 의해 관찰됨으로써 그 위치검출장치로 상기 위치정보를 출력시키기 위한 제 1 패턴과,A first pattern observed by the position detecting device to output the position information to the position detecting device, 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치되고, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥2) 조합하여 구성되어, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 갖는 위치검출용 마크.For position detection arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern and having a combination of n types (n≥2) of n pieces (n≥2) and having a second pattern representing Nn types of information Mark. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은, 상기 제 1 패턴에 대하여 소정의 위치관계로 배치된 n개의 영역 각각에 N 종류의 패턴을 배치함으로써 Nn종류의 정보를 나타내는 위치검출용 마크.According to claim 1 or 2, wherein the second pattern, wherein the position detection indicating N n types of information by arranging the N kinds of patterns in each of the n number of areas arranged in a predetermined positional relationship with respect to the first pattern Dragon mark. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 패턴의 N 종류는, 상기 n개의 영역 중 1개에 패턴이 없는 것을 1종류로 하는 위치검출용 마크.The mark for position detection according to claim 3, wherein the N type of the second pattern is one of which there is no pattern in one of the n areas. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은, 상기 n개의 영역 중 패턴이 형성된 영역과 패턴이 형성되지 않은 영역의 수와 배치에 기초하여, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 위치검출용 마크.The method of claim 4, wherein the second pattern is, the n number of the region and the pattern the pattern is formed of the region based on the number and arrangement of the non-forming area, N = a second type of pattern n combinations a second n type Position detection mark indicating the information. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은, 상기 n개의 영역 중 어느 영역에 패턴이 형성되고, 어느 영역에 패턴이 형성되지 않는지에 의해, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 위치검출용 마크.The method of claim 4, wherein the second pattern is, the n number of areas of the patterns formed in any areas, by do a pattern is formed in any region, N = a second type of pattern n combinations a second n type Position detection mark indicating the information. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 위치검출장치가 상기 물체의 관찰화상을 화상처리하여 상기 위치정보를 검출하는 화상처리방식의 위치검출장치인 경우,The position detection device according to claim 1 or 2, wherein the position detection device is an image processing method of an image processing method that detects the position information by image processing an observation image of the object. 상기 제 1 패턴은, 상기 화상처리방식의 위치검출장치로 관찰된 관찰화상이 화상처리되었을 때 위치정보를 나타내는 패턴인 위치검출용 마크.And the first pattern is a pattern for indicating position information when the observed image observed by the position detecting apparatus of the image processing method is image processed. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은, 상기 화상처리방식의 위치검출장치로 관찰된 관찰화상이 화상처리되었을 때 Nn종류의 정보를 나타내는 패턴인 위치검출용 마크.8. The position detection mark according to claim 7, wherein the second pattern is a pattern representing N n kinds of information when the observed image observed by the position detection apparatus of the image processing method is image processed. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은, 제 1 방향에 소정길이로 연장되는 패턴부와 스페이스부를 상기 제 1 방향에 대하여 거의 수직인 제 2 방향으로 주기적으로 배치하여 구성되는 위치검출용 마크.The position according to claim 1 or 2, wherein the first pattern is formed by periodically arranging a pattern portion and a space portion extending in a first length in a first direction in a second direction substantially perpendicular to the first direction. Mark for detection. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은, 상기 제 1 패턴의 연장방향의 연장 상에 배치되는 위치검출용 마크.The position detection mark according to claim 9, wherein the second pattern is disposed on an extension in an extension direction of the first pattern. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 패턴을, 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치된 n개의 영역 각각에 N 종류의 패턴을 배치함으로써 Nn종류의 정보를 나타내는 패턴으로 하고,10. The method according to claim 9, wherein the second pattern is a pattern representing N n types of information by arranging N types of patterns in each of the n areas arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern. 상기 n개의 영역이 서로 상기 제 1 방향에 대해 거의 겹치지 않도록 배치되는 위치검출용 마크.And said n area are arranged so that they do not substantially overlap with each other in said first direction. 물체의 위치정보를 검출장치로 검출하기 위해, 상기 물체 상에 형성된 복수의 제 1 마크로부터 특정한 제 1 마크를 식별하기 위한 마크 식별방법으로서,A mark identification method for identifying a specific first mark from a plurality of first marks formed on the object to detect the position information of the object with a detection device, 상기 물체 상에, 상기 제 1 마크와 함께 상기 제 1 마크에 대응하여 소정의 위치관계로 배치된, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되어, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 형성하고,On the object, the second is the first corresponding to the mark 1 formed by the pattern of the, type N (N≥2) arranged in a predetermined positional relationship of n (n≥1) in combination with the first mark, N n Forming a second pattern representing the kind of information, 상기 검출장치로 상기 제 2 패턴을 검출하여, 상기 제 2 패턴에 의해 나타난 정보에 기초하여 상기 특정한 제 1 마크를 결정하는 마크 식별방법.And detecting the second pattern with the detection device to determine the specific first mark based on the information indicated by the second pattern. 물체의 위치정보를 검출장치로 검출하기 위해, 상기 물체 상에 형성된 복수의 제 1 마크로부터 특정한 제 1 마크를 식별하기 위한 마크 식별방법으로서,A mark identification method for identifying a specific first mark from a plurality of first marks formed on the object to detect the position information of the object with a detection device, 상기 물체 상에, 상기 제 1 마크와 함께 상기 제 1 마크와 소정의 위치관계로 배치되어, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥2) 조합하여 구성되어 Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 형성하고,On the object, the first are arranged in the first mark and the predetermined positional relationship with the first mark is constituted by the pattern of the N type (N≥2) n stars (n≥2) combining N n kinds of information To form a second pattern representing 상기 검출장치로 상기 제 2 패턴을 검출하여, 상기 제 2 패턴에 의해 나타난 정보에 기초하여 상기 특정한 제 1 마크를 결정하는 마크 식별방법.And detecting the second pattern with the detection device to determine the specific first mark based on the information indicated by the second pattern. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 물체 상에 형성되는 제 2 패턴으로서 상기 제 1 마크와 소정의 위치관계로 배치된 n개의 영역 각각에 N 종류의 패턴을 배치함으로써 Nn종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 마크 식별방법.Claim 12 according to any one of claims 13, wherein the first mark and the N n types of information by arranging the N kinds of patterns in each of the n number of areas arranged in a predetermined positional relationship into a second pattern formed on the object The mark identification method which forms the pattern which shows. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 패턴의 N 종류는, 상기 n개의 영역 중 1개에패턴이 없는 것을 1종류로 하는 마크 식별방법.15. The mark identification method according to claim 14, wherein the N type of the second pattern is one of which there is no pattern in one of the n areas. 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 패턴으로서 상기 n개의 영역 중 패턴이 형성된 영역과 패턴이 형성되지 않은 영역의 수와 배치에 기초하여, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 마크 식별방법.The method of claim 15, wherein the second pattern as the n number of the region and the pattern the pattern is formed of the region based on the number and arrangement of the non-forming area, N = 2 kinds of patterns for n combinations a 2 n kinds of A mark identification method for forming a pattern representing information. 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 패턴으로서 상기 n개의 영역 중 어느 영역에 패턴이 형성되고, 어느 영역에 패턴이 형성되지 않는지에 의해, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 마크 식별방법.The method of claim 15, wherein the second pattern as the n number of areas of the patterns formed in any areas, by do a pattern is formed in any region, N = 2 kinds of patterns for n combinations a 2 n kinds of A mark identification method for forming a pattern representing information. 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 마크 식별방법에 의해 결정된 특정한 제 1 마크를 상기 검출장치로 검출함으로써 상기 물체의 위치정보를 검출하는 위치검출방법.A position detection method for detecting positional information of the object by detecting a specific first mark determined by the mark identification method according to any one of claims 12 to 17 with the detection apparatus. 기판 상에 소정 패턴을 전사하는 노광방법으로서,An exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상에, 위치검출장치에 위치정보를 검출시키기 위한 제 1 패턴과,A first pattern on the substrate for detecting position information in a position detecting device; 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치되어, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되고, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 형성하고,Arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern, and configured by combining n (n ≧ 1) patterns of N kinds (N ≧ 2) to form a second pattern representing N n kinds of information, 상기 검출장치로 제 2 패턴을 검출하여, 상기 제 2 패턴에 의해 나타난 정보에 기초하여 제 1 패턴으로부터 위치정보를 검출하며,Detecting a second pattern with the detection device, detecting position information from the first pattern based on the information indicated by the second pattern, 검출한 상기 위치정보에 기초하여 상기 기판과 상기 소정 패턴을 상대적으로 이동시켜 상기 기판 상에 상기 소정 패턴을 전사하는 노광방법.An exposure method for transferring the predetermined pattern onto the substrate by relatively moving the substrate and the predetermined pattern based on the detected position information. 기판 상에 소정 패턴을 전사하는 노광방법으로서,An exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상에, 위치검출장치에 위치정보를 검출시키기 위한 제 1 패턴과,A first pattern on the substrate for detecting position information in a position detecting device; 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치되어, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥2) 조합하여 구성되고, Nn종류의 정보를 나타내는 제 2 패턴을 형성하고,Arranged in a predetermined positional relationship with the first pattern, and configured by combining n pieces (n ≧ 2) of N types (N ≧ 2) to form a second pattern representing N n types of information, 상기 검출장치로 제 2 패턴을 검출하여, 상기 제 2 패턴에 의해 나타난 정보에 기초하여 제 1 패턴으로부터 위치정보를 검출하며,Detecting a second pattern with the detection device, detecting position information from the first pattern based on the information indicated by the second pattern, 검출한 상기 위치정보에 기초하여 상기 기판과 상기 소정 패턴을 상대적으로 이동시켜 상기 기판 상에 상기 소정 패턴을 전사하는 노광방법.An exposure method for transferring the predetermined pattern onto the substrate by relatively moving the substrate and the predetermined pattern based on the detected position information. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서, 상기 제 2 패턴으로서 상기 제 1 패턴과 소정의 위치관계로 배치된 n개의 영역 각각에 N 종류의 패턴을 배치함으로써 Nn종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 노광방법.Claim 19 or claim 20, wherein the second pattern as to form a pattern representative of the first pattern and N n types of information by arranging the N kinds of patterns in each of the n number of areas arranged in a predetermined positional relationship Exposure method. 제 21 항에 있어서, 상기 제 2 패턴의 N 종류는, 상기 n개의 영역 중 1개에 패턴이 없는 것을 1종류로 하는 노광방법.The exposure method according to claim 21, wherein the N type of the second pattern is one of which there is no pattern in one of the n areas. 제 22 항에 있어서, 상기 제 2 패턴으로서 상기 n개의 영역 중 패턴이 형성된 영역과 패턴이 형성되지 않은 영역의 수와 배치에 기초하여, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 노광방법.Of claim 22 wherein the method, the second pattern as the n number of the region and the pattern the pattern is formed of the region based on the number and arrangement of the non-forming area, N = 2 kinds of patterns for n combinations a 2 n kinds of An exposure method for forming a pattern representing information. 제 22 항에 있어서, 상기 제 2 패턴으로서 상기 n개의 영역 중 어느 영역에 패턴이 형성되고, 어느 영역에 패턴이 형성되지 않는지에 의해, N=2 종류의 패턴을 n개 조합한 2n종류의 정보를 나타내는 패턴을 형성하는 노광방법.Of claim 22 wherein the method, the second pattern as the n number of areas of the patterns formed in any areas, by do a pattern is formed in any region, N = 2 kinds of patterns for n combinations a 2 n kinds of An exposure method for forming a pattern representing information. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,The method of claim 19 or 20, 상기 기판 상에 층구조를 형성하는 공정을 포함하고,Forming a layer structure on the substrate; 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴을 각 층마다 형성하는 동시에 상기 제 2 패턴에 의해 나타난 정보가 각 층마다 다르도록 상기 제 2 패턴을 형성하는 노광방법.And forming the first pattern and the second pattern for each layer and simultaneously forming the second pattern such that the information represented by the second pattern is different for each layer. 제 19 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출장치로 상기 제 1 패턴의 관찰화상을 화상처리함으로써 위치정보를 검출하는 노광방법.The exposure method according to any one of claims 19 to 25, wherein the detection apparatus detects position information by image processing the observed image of the first pattern. 기판 상에 소정 패턴을 전사하는 노광방법으로서,An exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상에, 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴에 대하여 소정의 위치관계에 있는 제 2 패턴으로 구성되고, 상기 기판 상에 복수 형성된 마크 중Of the marks which are formed on the said board | substrate with the 1st pattern and the 2nd pattern which has a predetermined positional relationship with respect to the said 1st pattern, and formed in multiple on the said board | substrate. 특정마크의 제 1 패턴과 제 2 패턴의 상대위치정보를 검출하고,Detecting the relative position information of the first pattern and the second pattern of the specific mark, 상기 상대위치정보에 기초하여 상기 기판 상에 형성된 복수의 마크 중 상기 특정마크와는 다른 별개의 마크의 위치정보를 결정하며,Determining position information of a mark different from the specific mark among a plurality of marks formed on the substrate based on the relative position information, 결정한 상기 위치정보에 기초하여 상기 기판과 상기 소정 패턴을 상대적으로 이동시켜 상기 기판 상에 상기 소정 패턴을 전사하는 노광방법.And transferring the predetermined pattern onto the substrate by relatively moving the substrate and the predetermined pattern based on the determined position information. 제 27 항에 있어서, 상기 특정마크의 제 1 패턴과 제 2 패턴의 상대위치정보를 검출함으로써, 상기 제 1 패턴과 제 2 패턴이 상기 기판 상에 형성된 시점부터 상기 상대위치정보가 검출되기까지 동안의 상기 기판의 변형에 관한 정보를 검출하여, 그 변형정보에 기초하여 상기 별개의 마크의 위치정보를 결정하는 노광방법.28. The method of claim 27, wherein by detecting the relative position information of the first pattern and the second pattern of the specific mark, from the time when the first pattern and the second pattern are formed on the substrate until the relative position information is detected. Detecting information about deformation of the substrate, and determining position information of the separate mark based on the deformation information. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 특정마크의 제 1 패턴과 제 2 패턴의 상대위치정보를 검출함으로써, 상기 제 1 패턴과 제 2 패턴이 상기 기판 상에 형성된 시점부터 상기 상대위치정보가 검출되기까지 동안의 상기 제 1 패턴과 제 2 패턴간 거리의 변화량과, 소정방향에 대한 상기 기판의 회전량 중 적어도 1개를 결정하는 노광방법.By detecting the relative position information of the first pattern and the second pattern of the specific mark, the first pattern and the first pattern from the time when the first pattern and the second pattern is formed on the substrate until the relative position information is detected; And at least one of the amount of change in the distance between the second patterns and the amount of rotation of the substrate in a predetermined direction. 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 위치검출장치에 위치정보를 검출시키기 위한 패턴이고,30. The method according to any one of claims 27 to 29, wherein the first pattern is a pattern for detecting position information in the position detecting device. 상기 제 2 패턴은, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥1) 조합하여 구성되며, Nn종류의 정보를 나타내는 패턴인 노광방법.The second pattern is an exposure method comprising a combination of n patterns (N≥2) and n pieces (n≥1) and representing N n types of information. 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 위치검출장치에 위치정보를 검출시키기 위한 패턴이고,30. The method according to any one of claims 27 to 29, wherein the first pattern is a pattern for detecting position information in the position detecting device. 상기 제 2 패턴은, N 종류(N≥2)의 패턴을 n개(n≥2) 조합하여 구성되며, Nn종류의 정보를 나타내는 패턴인 노광방법.The second pattern is, the pattern of the N type (N≥2) n stars (n≥2) consists of a combination pattern of an exposure method that represents the N n types of information. 소정의 계측영역을 갖는 화상처리방식의 마크검출장치를 사용하여, 제 1 마크와, 그 제 1 마크와 소정의 위치관계에 있고 상기 제 1 마크보다도 작은 제 2 마크가 형성된 물체 상에서 상기 제 2 마크를 검출하는 마크검출방법에 있어서,The second mark is formed on an object on which a first mark and a second mark having a predetermined positional relationship with the first mark and smaller than the first mark are formed using an image processing method mark detection apparatus having a predetermined measurement area. In the mark detection method for detecting a, 상기 계측영역의 화상을 촬상하여 화상 데이터를 획득하고,Image data of the measurement area to obtain image data, 상기 화상 데이터를 압축처리하고,Compressing the image data, 압축처리한 화상 데이터로부터 제 1 마크의 위치정보를 검출하며,The position information of the first mark is detected from the compressed image data, 검출한 상기 제 1 마크의 위치정보와 상기 제 1 마크와 상기 제 2 마크의 상대위치정보에 기초하여, 상기 계측영역을 촬상한 화상 데이터로부터 상기 제 2 마크의 위치정보를 검출하는 마크검출방법.And the position information of the second mark is detected from image data obtained by imaging the measurement area based on the detected position information of the first mark and relative position information of the first mark and the second mark. 소정의 계측영역을 갖는 화상처리방식의 마크검출장치를 사용하여, 제 1 마크와, 그 제 1 마크와 소정의 위치관계에 있고 상기 제 1 마크보다도 작은 제 2 마크가 형성된 기판 상에서 상기 제 2 마크를 검출하고, 마스크와 상기 기판을 위치정합하고 나서 상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 노광하는 노광방법에 있어서,The second mark is formed on a substrate on which a first mark and a second mark having a predetermined positional relationship with the first mark and smaller than the first mark are formed using an image processing method mark detection apparatus having a predetermined measurement area. In the exposure method, detecting a pattern, positioning the mask and the substrate, and then exposing the mask pattern to the substrate. 상기 계측영역의 화상을 촬상하여 화상 데이터를 획득하고,Image data of the measurement area to obtain image data, 화상 데이터를 압축처리하고,Compress image data, 압축처리한 화상 데이터로부터 제 1 마크의 위치정보를 검출하며,The position information of the first mark is detected from the compressed image data, 검출한 상기 제 1 마크의 위치정보와 상기 제 1 마크와 상기 제 2 마크의 상대위치정보에 기초하여, 상기 계측영역을 촬상한 화상 데이터로부터 상기 제 2 마크의 위치정보를 검출하는 노광방법.And the positional information of the second mark is detected from the image data of the measurement area, based on the detected positional information of the first mark and the relative positional information of the first mark and the second mark. 소정의 계측영역을 갖는 마크검출장치를 사용하여 물체 상의 마크를 검출하는 마크검출방법에 있어서,In the mark detection method for detecting a mark on an object using a mark detection device having a predetermined measurement area, 검출대상인 대상 마크의 주위에 거의 등간격으로 비대상 마크를 형성하여, 상기 대상 마크를 검출하는 마크검출방법.A mark detection method for detecting the target mark by forming a non-target mark at substantially equal intervals around the target mark to be detected. 기판 상의 마크를 소정의 계측영역을 갖는 마크검출장치를 사용하여 검출하고, 마스크와 상기 기판을 위치 정합하고 나서 상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 노광하는 노광방법에 있어서,In the exposure method which detects the mark on a board | substrate using the mark detection apparatus which has a predetermined | prescribed measurement area, positions a mask and the said board | substrate, and then exposes the pattern of the said mask to the said board | substrate 검출대상인 대상 마크의 주위에 거의 등간격으로 비대상 마크를 형성하여, 상기 대상 마크를 검출하는 것을 특징으로 하는 노광방법.A non-target mark is formed at substantially equal intervals around a target mark to be detected, and the target mark is detected. 소정검출방식으로 마크를 검출하는 마크검출장치를 사용하여 물체 상에 형성된 대상 마크를 검출하고, 그 검출결과에 기초하여 상기 물체의 위치정보를 검출하는 위치정보 검출방법으로서,A position information detection method for detecting a target mark formed on an object using a mark detection device that detects a mark in a predetermined detection method, and detecting position information of the object based on the detection result. 상기 물체 상에 상기 대상 마크와 소정의 위치관계로 형성된, 상기 소정의 검출방식에 대한 검출 용이성이 높은 비대상 마크를 상기 마크검출장치로 검출하고,The mark detection device detects a non-target mark having high detectability with respect to the predetermined detection method formed on the object in a predetermined positional relationship with the target mark, 상기 비대상 마크의 검출결과와 상기 소정의 위치관계에 기초하여 상기 마크검출장치로 상기 대상 마크를 검출하며,Detecting the target mark with the mark detection device based on a detection result of the non-target mark and the predetermined positional relationship, 상기 대상 마크의 검출결과에 기초하여 상기 물체의 위치정보를 검출하는 위치정보 검출방법.And position information detection method based on the detection result of the target mark. 제 36 항에 있어서, 상기 검출 용이성이 높은 비대상 마크는, 상기 대상 마크보다도 큰 면적을 갖는 위치정보 검출방법.The position information detection method according to claim 36, wherein the non-target mark having high detectability has an area larger than that of the target mark. 제 36 항에 있어서, 상기 마크검출장치는 화상처리방식으로 마크를 검출하는 마크검출장치로서,The mark detection apparatus according to claim 36, wherein the mark detection apparatus is a mark detection apparatus that detects a mark by an image processing method. 상기 검출 용이성이 높은 비대상 마크는 상기 마크검출장치에 의해 촬상되었을 때의 화상 데이터의 분산치가 작은 위치정보 검출방법.And a non-target mark having high detectability has a small dispersion value of image data when it is picked up by the mark detection device. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 물체 상에 확보된 소정의 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 마크가 형성되며,A mark is formed which is disposed at an arbitrary position within a predetermined mark area secured on the object, 상기 마크의 상기 마크영역 내에서의 위치에 의해 정보를 나타내는 마크.A mark representing information by a position of the mark in the mark area. 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 마크영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the mark region; 상기 마크영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하고,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the mark region, 상기 정보가, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 의해 표시되는 마크.The mark in which the said information is displayed by the intersection position of the said longitudinal pattern part and the said horizontal pattern part. 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 마크영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고,A pattern portion extending in the first direction in the mark region, 상기 마크영역 내에서의 상기 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 정보가 표시되는 마크.The mark in which the said information is displayed based on the position regarding the 2nd direction which cross | intersects the said 1st direction in the said mark part. 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 제 1 분할영역 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와,A position with respect to a second direction crossing the first direction of the first pattern portion in the first divided region; 상기 제 2 분할영역 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 위치정보가 표시되는 마크.And a mark in which the positional information is displayed based on both positions in a second direction crossing the first direction of the second pattern portion in the second divided area. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 제 1 마크영역과, 상기 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역을 포함하고,A first mark region and a second mark region in a predetermined positional relationship with the first mark region, 상기 제 1 마크영역에 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위한 제 1 마크가 형성되고,A first mark is formed in the first mark area for detecting position information of the object, 상기 제 2 마크영역 내에 상기 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크가 형성되고,A second mark disposed in the second mark region at an arbitrary position in the second mark region, 상기 제 2 마크의 상기 제 2 마크영역 내에서의 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 나타내는 마크.A mark representing information relating to the first mark based on a position in the second mark area of the second mark. 제 43 항에 있어서, 상기 물체 상에 복수 형성되어 있고,44. The apparatus of claim 43, further comprising: a plurality formed on the object; 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치에 기초하여 표시되는 상기 제 1 마크에 관한 정보는,The information about the first mark displayed based on the position of the second mark in the second mark area is 상기 제 2 마크영역과 상기 소정의 위치관계에 있는 제 1 마크가 검출대상 마크인지 검출대상 외의 마크인지를 판정하기 위한 정보인 것을 특징으로 하는 마크.And a mark for determining whether the first mark in the predetermined positional relationship with the second mark area is a mark to be detected or a mark other than the mark to be detected. 제 43 항에 있어서, 상기 물체 상에는 복수 층이 형성되고,The method of claim 43, wherein a plurality of layers are formed on the object, 상기 마크는 상기 복수 층의 각 층에 형성되며,The mark is formed in each layer of the plurality of layers, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 표시되는 상기 제 1 마크에 관한 정보는, 상기 제 1 마크가 형성되는 층에 관한 정보인 마크.The mark concerning the said 1st mark displayed based on the positional information of the said 2nd mark in the said 2nd mark area | region is the information regarding the layer in which the said 1st mark is formed. 제 43 항에 있어서,The method of claim 43, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the second region; 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하고,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 제 1 마크에 관한 정보가, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 의해 표시되는 마크.The mark in which the information about the said 1st mark is displayed by the intersection position of the said vertical pattern part and the said horizontal pattern part. 제 43 항에 있어서,The method of claim 43, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고,A pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 의해 상기 제 1 마크에 관한 정보가 표시되는 마크.The mark in which the said information regarding the said 1st mark is displayed by the position regarding the 2nd direction which cross | intersects the said 1st direction in the said 2nd area | region. 제 43 항에 있어서,The method of claim 43, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하고,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 제 1 분할영역 내에서의 상기 제 1 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와,A position in a second direction crossing the first direction of the first pattern portion in the first divided region; 상기 제 2 분할영역 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보가 표시되는 마크.And a mark on which the information relating to the first mark is displayed based on both of positions in a second direction crossing the first direction of the second pattern portion in the second divided area. 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단과, 상기 검출수단에 전기적으로 접속되고, 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시키는 구동수단을 구비하여, 상기 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서,Detecting means for detecting positional information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate, and electrically connected to the detecting means and detected by the detecting means. An exposure apparatus including a driving means for relatively moving a predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate, the exposure apparatus for transferring the predetermined pattern on the substrate, 상기 검출수단에 의해 검출되는 마크가,The mark detected by the detecting means is 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark which is detected by said detecting means to generate a signal representing position information of said substrate to said detecting means; 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크를 구비하고,And a second mark disposed at an arbitrary position within the second mark area, 상기 검출수단이, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.And the detection means detects information on the first mark based on the position of the second mark in the second mark area. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 마크는, 상기 물체 상에 복수 형성되어 있고,The mark is formed in plural on the object, 상기 검출수단은, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 2 마크영역과 상기 소정의 위치관계에 있는 제 1 마크가 검출대상 마크인지 검출대상 외의 마크인지를 판정하는 노광장치.The detecting means determines whether the first mark in the predetermined positional relationship with the second mark area is a detection mark or a mark other than the detection object based on the positional information of the second mark in the second mark area. The exposure apparatus to judge. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 물체 상에는 복수층이 형성되고,Multiple layers are formed on the object, 상기 마크는 상기 복수층의 각 층에 형성되며,The mark is formed in each layer of the plurality of layers, 상기 검출수단은, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 1 마크가 형성되는 층에 관한 정보를 검출하는 노광장치.And the detecting means detects information on the layer on which the first mark is formed based on the positional information of the second mark in the second mark area. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the second region; 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하고,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 검출수단은, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.And the detecting means detects information on the first mark based on the intersection positions of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고,A pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 검출수단은, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.And the detecting means detects information relating to the first mark based on a position in a second direction crossing the first direction in the pattern portion in the second area. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하고,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 검출수단은, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.The said detection means is a position regarding the 2nd direction which cross | intersects the said 1st direction in the said 1st pattern part in the said 1st division part, The said 2nd pattern part in the said 2nd division part, The said 1st An exposure apparatus for detecting information relating to the first mark based on both of positions in a second direction crossing the one direction. 제 49 항에 있어서,The method of claim 49, 상기 검출수단은, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 마크를 검출할 때의 검출조건을 변화시키는 노광장치.And the detecting means changes the detection condition when detecting the mark in accordance with the condition at the time of forming the mark. 제 55 항에 있어서,The method of claim 55, 상기 검출수단은, 상기 마크에 검출 빔을 조사하는 조명계를 구비하여,The detection means includes an illumination system for irradiating the detection beam to the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 검출 빔의 파장을 변화시키는 노광장치.Exposure apparatus which changes the wavelength of the said detection beam according to the conditions at the time of the said mark formation. 제 55 항에 있어서,The method of claim 55, 상기 검출수단은, 상기 마크를 검출함으로써 발생하는 신호의 진폭을 변화시키는 조정수단을 구비하여,The detecting means includes adjusting means for changing an amplitude of a signal generated by detecting the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 신호의 진폭을 변화시키는 노광장치.An exposure apparatus which changes the amplitude of the signal in accordance with a condition at the time of forming the mark. 제 56 항에 있어서,The method of claim 56, wherein 상기 검출수단은 촬상소자를 구비하여,The detecting means includes an imaging device, 상기 촬상소자로 상기 마크의 이미지를 촬상하여 상기 마크를 검출하는 노광장치.And an exposure apparatus for detecting the mark by capturing an image of the mark with the imaging device. 소정 패턴을 기판 상에 전사하기 위한 노광방법으로서,As an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정과,Detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate; 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시켜 상기 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하며,Exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means; 상기 마크가,The mark, 상기 검출공정에서 검출됨으로써 상기 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark generated by the detection step to generate a position signal of the substrate; 상기 제 2 마크영역 내의 임의의 위치에 형성되어 상기 제 2 마크영역 내에서의 위치에서 상기 제 1 마크에 관한 정보를 나타내는 제 2 마크를 갖는 마크로서,A mark formed at an arbitrary position in the second mark region and having a second mark representing information about the first mark at a position in the second mark region, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광방법.And an exposure method for detecting information about the first mark based on the position of the second mark within the second mark area. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 마크는, 상기 물체 상에 복수 형성되어 있고,The mark is formed in plural on the object, 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정에 있어서, 상기 제 2 패턴영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 2 마크영역과 상기 소정의 위치관계에 있는 제 1 마크가 검출대상 마크인지 검출대상 외의 마크인지가 판정되는 노광방법.In the step of detecting the positional information of the substrate, the first mark in the predetermined positional relationship with the second mark region based on the positional information of the second mark in the second pattern region. Exposure method which determines whether it is a mark other than a recognition object. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 물체 상에는 복수 층이 형성되고,A plurality of layers are formed on the object, 상기 마크는 상기 복수 층의 각 층에 형성되며,The mark is formed in each layer of the plurality of layers, 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정에 있어서, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 1 마크가 형성되는 층에 관한 정보를 검출하는 노광방법.In the step of detecting the positional information of the substrate, the exposure method for detecting the information on the layer on which the first mark is formed based on the positional information of the second mark in the second mark area. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 마크가,The second mark, 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the second region; 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하며,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정에 있어서, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 의해 상기 제 1 마크에 관한 정보가 검출되는 노광방법.In the step of detecting the positional information of the substrate, the exposure method wherein the information on the first mark is detected by the intersection position of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하며,A pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정에 있어서, 상기 제 2 영역 내에서의, 상기 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여, 상기 제 1 마크에 관한 정보가 검출되는 노광방법.The process of detecting the position of the said board | substrate WHEREIN: Exposure which the information regarding the said 1st mark is detected based on the position regarding the 2nd direction which cross | intersects the said 1st direction of the said pattern part in the said 2nd area | region. Way. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 마크가,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정에 있어서, 상기 제 1 분할영역 내에서의 상기 제 1 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기제 2 분할영역 내에서의 상기 제 2 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보가 검출되는 노광방법.In the step of detecting the position of the substrate, a position in a second direction intersecting the first direction of the first pattern portion in the first divided region, and the second in the second divided region. 2. The exposure method, wherein information about the first mark is detected based on both of positions in the second direction crossing the first direction in the pattern portion. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정에서는, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 마크를 검출할 때의 검출조건을 변화시키는 노광방법.In the step of detecting the position of the substrate, an exposure method of changing the detection condition when detecting the mark in accordance with the condition at the time of forming the mark. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 마크에 검출 빔을 조사하는 것을 포함하며,The step of detecting the position of the substrate includes irradiating the detection beam to the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 검출 빔의 파장을 변화시키는 노광방법.An exposure method for changing the wavelength of the detection beam in accordance with the conditions at the time of forming the mark. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 마크를 검출함으로써 발생하는 신호의 진폭을 변화시키는 것을 포함하며,The step of detecting the position of the substrate includes changing the amplitude of the signal generated by detecting the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 신호의 진폭을 변화시키는 노광방법.An exposure method of changing the amplitude of the signal in accordance with the conditions at the time of forming the mark. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정에서는, 촬상소자를 사용하여 상기 마크의 이미지를 촬상하여 상기 마크를 검출하는 노광방법.In the step of detecting the position of the substrate, an exposure method for detecting the mark by imaging an image of the mark using an imaging device. 제 59 항 내지 제 68 항 중 어느 한 항에 기재된 노광방법을 사용하여 디바이스 패턴을 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 디바이스 제조방법.A device manufacturing method comprising the step of transferring a device pattern onto a substrate using the exposure method according to any one of claims 59 to 68. 제 69 항에 기재된 디바이스 제조방법에 의해 제조된 디바이스.A device manufactured by the device manufacturing method of claim 69. 소정 패턴을 기판 상에 노광하기 위한 노광장치를 제조하는 방법으로서, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단을 형성하고,A method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern on a substrate, comprising: detecting means for detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region consisting of a first mark region and a second mark region on the substrate; Form the 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 기판이 노광될 위치로 상기 기판을 이동시키는 구동수단을 형성하고,Forming driving means for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, 상기 마크가,The mark, 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 표시하는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark which is detected by said detecting means to generate a signal for indicating position information of said substrate to said detecting means; 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크를 구비한 마크로서,A mark provided with a 2nd mark arrange | positioned at the arbitrary position in a 2nd mark area | region, 상기 검출수단이, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.And the detection means detects information on the first mark based on the position of the second mark in the second area. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 마크는, 상기 물체 상에 복수 형성되어 있고,The mark is formed in plural on the object, 상기 검출수단이, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 2 마크영역과 상기 소정의 위치관계에 있는 제 1 마크가 검출대상 마크인지 검출대상 외의 마크인지를 판정하는 노광장치의 제조방법.The detecting means determines whether the first mark in the predetermined positional relationship with the second mark area is a detection mark or a mark other than the detection object based on the position information of the second mark in the second mark area. The manufacturing method of the exposure apparatus to determine. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 물체 상에는 복수 층이 형성되고,A plurality of layers are formed on the object, 상기 마크는 상기 복수 층의 각 층에 형성되며,The mark is formed in each layer of the plurality of layers, 상기 검출수단이, 상기 제 2 마크영역 내에서의 상기 제 2 마크의 위치정보에 기초하여 상기 제 1 마크가 형성되는 층에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.And the detection means detects information on the layer on which the first mark is formed based on the positional information of the second mark in the second mark area. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the second region; 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하며,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 검출수단이, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.And the detection means detects information on the first mark based on the intersection positions of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하며,A pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 검출수단이, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하도록 구성하는 노광장치의 제조방법.And the detecting means detects the information relating to the first mark based on the position of the pattern portion in the second area in the second direction crossing the first direction. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 검출수단이, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.The detection means is located in a second direction crossing the first direction of the first pattern portion in the first division, and the first direction of the second pattern portion in the second division; 10. A method for manufacturing an exposure apparatus that detects information about the first mark based on both positions in a second direction intersecting with. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 검출수단이, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 마크를 검출할 때의 검출조건을 변화시키는 노광장치의 제조방법.And the detection means changes the detection condition when detecting the mark in accordance with the condition at the time of forming the mark. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 검출수단은, 상기 마크에 검출 빔을 조사하는 조명계를 구비하며,The detection means includes an illumination system for irradiating the detection beam to the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 검출 빔의 파장을 변화시키는 노광장치의 제조방법.The manufacturing method of the exposure apparatus which changes the wavelength of the said detection beam according to the conditions at the time of the said mark formation. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 검출수단은, 상기 마크를 검출함으로써 발생하는 신호의 진폭을 변화시키는 조정수단을 구비하며,The detecting means includes adjusting means for changing an amplitude of a signal generated by detecting the mark, 상기 마크 형성시의 조건에 따라 상기 신호의 진폭을 변화시키는 노광장치의 제조방법.A manufacturing method of the exposure apparatus for changing the amplitude of the signal in accordance with the conditions at the time of forming the mark. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 검출수단은 촬상소자를 구비하며,The detecting means includes an imaging device, 상기 촬상소자로 상기 마크의 이미지를 촬상하여 상기 마크를 검출하는 노광장치의 제조방법.A method for manufacturing an exposure apparatus for detecting the mark by imaging an image of the mark with the imaging device. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 물체 상에 확보된 소정의 마크영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction within a predetermined mark area secured on the object; 상기 마크영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하며,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the mark area, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 의해 정보를 나타내는 마크.A mark indicating information by the intersection position of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 제 1 마크영역과, 상기 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역을 포함하고,A first mark region and a second mark region in a predetermined positional relationship with the first mark region, 상기 제 1 마크영역에 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위한 제 1 마크가 형성되고,A first mark is formed in the first mark area for detecting position information of the object, 상기 제 2 마크영역 내에, 상기 제 2 마크영역 내에서의 임의의 위치에 배치되는 제 2 마크가 형성되고,In the second mark region, a second mark arranged at an arbitrary position in the second mark region is formed, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와,A vertical pattern portion extending in the first direction in the second region; 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비하고,A transverse pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 의해 상기 제 1 패턴에 관한 정보를 나타내는 마크.The mark which shows the information regarding the said 1st pattern by the intersection position of the said longitudinal pattern part and the said horizontal pattern part. 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단과,Detecting means for detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate; 상기 검출수단에 전기적으로 접속되고, 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시키는 구동수단을 구비하여, 상기 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서,An exposure apparatus electrically connected to the detecting means, the driving device comprising a driving means for relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, and transferring the predetermined pattern onto the substrate. as, 상기 검출수단에 의해 검출되는 마크가,The mark detected by the detecting means is 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 표시하는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark which is detected by said detecting means to generate a signal for indicating position information of said substrate to said detecting means; 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부 및 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부로 구성되는 제 2 마크를 구비하고,And a second mark including a vertical pattern portion extending in a first direction in the second region and a horizontal pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 검출수단은, 상기 제 2 마크의 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.And the detecting means detects information on the first mark based on the intersection positions of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion of the second mark. 소정 패턴을 기판 상에 전사하기 위한 노광방법으로서,As an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정과,Detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate; 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시켜 상기 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하고,Exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means; 상기 마크가,The mark, 상기 검출공정에서 검출됨으로써 상기 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark generated by the detection step to generate a position signal of the substrate; 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부 및 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비한 제 2 마크를 구비하고,A second mark having a vertical pattern portion extending in a first direction in the second region and a horizontal pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region, 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광방법.And an information relating to the first mark based on the intersection positions of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion. 제 84 항에 기재된 노광방법을 사용하여 디바이스 패턴을 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.A device manufacturing method comprising the step of transferring a device pattern onto a substrate using the exposure method of claim 84. 제 85 항에 기재된 디바이스 제조방법에 의해 제조된 디바이스.A device manufactured by the device manufacturing method of claim 85. 소정 패턴을 기판 상에 노광하기 위한 노광장치를 제조하는 방법으로서,A method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern on a substrate, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단을 형성하고,Detecting means for detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate, 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 기판이 노광될 위치로 상기 기판을 이동시키는 구동수단을 형성하고,Forming driving means for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, 상기 마크가,The mark, 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 표시하는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark which is detected by said detecting means to generate a signal for indicating position information of said substrate to said detecting means; 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 종패턴부와, 상기 제 2 영역 내에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 횡패턴부를 구비한 제 2 마크로 구성되는 마크로서,A mark composed of a second mark having a vertical pattern portion extending in a first direction in the second region and a horizontal pattern portion extending in a second direction crossing the first direction in the second region. 상기 검출수단이, 상기 제 2 마크의 상기 종패턴부와 상기 횡패턴부의 교점에 기초하여 상기 제 1 패턴에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.And the detection means detects information on the first pattern based on an intersection of the vertical pattern portion and the horizontal pattern portion of the second mark. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 상기 마크영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하며,A pattern portion extending in a first direction in the mark region, 상기 마크영역 내에서의 상기 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 정보가 표시되는 마크.And a mark in which the information is displayed based on a position in a second direction crossing the first direction of the pattern portion in the mark area. 제 88 항에 있어서,89. The method of claim 88 wherein 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와,A position in a second direction intersecting the first direction of the first pattern portion in the first division, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 위치정보가 표시되는 마크.And a mark in which said positional information is displayed based on both of positions in a second direction crossing said first direction of said second pattern portion in said second division. 물체 상에 형성되어 상기 물체의 위치정보를 검출하기 위해 사용되는 마크로서,A mark formed on an object and used to detect positional information of the object. 제 1 마크영역과, 상기 제 1 마크영역과 소정의 위치관계에 있는 제 2 마크영역을 포함하고,A first mark region and a second mark region in a predetermined positional relationship with the first mark region, 상기 제 1 마크영역에 형성되어 상기 물체의 위치정보의 검출에 사용되는 제 1 마크와,A first mark formed in the first mark area and used for detecting position information of the object; 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 의해 상기 제 1 마크에 관한 정보를 표시하는 제 2 마크로 구성되는 마크.A pattern portion extending in a first direction in the second region, and displaying information about the first mark by a position in a second direction crossing the first direction of the pattern portion in the second region; A mark composed of a second mark. 제 90 항에 있어서,92. The method of claim 90, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region divided into the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided area, which is the other area obtained by dividing the inside of the second area at a predetermined position in the first direction, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와,A position in a second direction intersecting the first direction of the first pattern portion in the first division, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 위치정보가 표시되는 마크.And a mark in which said positional information is displayed based on both of positions in a second direction crossing said first direction of said second pattern portion in said second division. 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단과,Detecting means for detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate; 상기 검출수단에 전기적으로 접속되고, 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시키는 구동수단을 구비하여, 상기 소정 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치로서,An exposure apparatus electrically connected to the detecting means, the driving device comprising a driving means for relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, and transferring the predetermined pattern onto the substrate. as, 상기 검출수단에 의해 검출되는 마크가,The mark detected by the detecting means is 상기 제 1 마크영역에 형성되고, 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 표시하는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark formed in said first mark region and detected by said detecting means for generating a signal for displaying position information of said substrate on said detecting means; 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비한 제 2 마크로 구성되고,A second mark having a pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 검출수단이, 상기 제 2 마크의 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의 상기 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는노광장치.And the detection means detects the information relating to the first mark based on the position in the second direction of the pattern portion in the second region of the second mark. 제 92 항에 있어서,92. The method of claim 92, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 검출수단은, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치.The said detection means is a position regarding the 2nd direction which cross | intersects the said 1st direction in the said 1st pattern part in the said 1st division part, and the said 1st pattern part in the said 2nd division part. And an exposure apparatus for detecting information on the first mark based on both of positions in the second direction crossing the direction. 소정 패턴을 기판 상에 전사하기 위한 노광방법으로서,As an exposure method for transferring a predetermined pattern onto a substrate, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정과,Detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate; 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 소정 패턴과 상기 기판을 상대이동시켜 상기 소정 패턴을 노광하는 공정을 포함하며,Exposing the predetermined pattern by relatively moving the predetermined pattern and the substrate based on the positional information of the substrate detected by the detecting means; 상기 마크가,The mark, 상기 검출공정에서 검출됨으로써 상기 기판의 위치신호를 발생시키는 제 1마크와,A first mark generated by the detection step to generate a position signal of the substrate; 상기 제 2 영역 내에서 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비한 제 2 마크로 구성되고,A second mark having a pattern portion extending in a first direction in the second region, 상기 위치정보를 검출하는 공정에서,In the step of detecting the position information, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광방법.An exposure method for detecting information about the first mark based on a position in a second direction intersecting the first direction in the pattern portion in the second area. 제 94 항에 있어서,95. The method of claim 94, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하며,And a second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region divided into the second region at a predetermined position in the first direction, 상기 기판의 위치정보를 검출하는 공정에서, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보가 검출되는 노광방법.In the step of detecting the positional information of the substrate, a position in a second direction crossing the first direction of the first pattern portion in the first division, and the second in the second division; And the information relating to the first mark is detected based on both of positions in the second direction crossing the first direction of the pattern portion. 제 94 항 또는 제 95 항에 기재된 노광방법을 사용하여 디바이스 패턴을 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 디바이스 제조방법.A device manufacturing method comprising the step of transferring a device pattern onto a substrate using the exposure method according to claim 94 or 95. 제 96 항에 기재된 디바이스 제조방법에 의해 제조된 디바이스.A device manufactured by the device manufacturing method of claim 96. 소정 패턴을 기판 상에 노광하기 위한 노광장치를 제조하는 방법으로서,A method of manufacturing an exposure apparatus for exposing a predetermined pattern on a substrate, 상기 기판 상의 제 1 마크영역 및 제 2 마크영역으로 구성되는 마크영역에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판의 위치정보를 검출하는 검출수단을 형성하고,Detecting means for detecting position information of the substrate by detecting a mark formed in a mark region composed of a first mark region and a second mark region on the substrate, 상기 검출수단에 의해 검출된 상기 기판의 위치정보에 기초하여 상기 기판이 노광될 위치로 상기 기판을 이동시키는 구동수단을 형성하고,Forming driving means for moving the substrate to a position where the substrate is to be exposed based on the positional information of the substrate detected by the detecting means, 상기 마크가,The mark, 상기 검출수단에 의해 검출됨으로써 상기 검출수단에 상기 기판의 위치정보를 나타내는 신호를 발생시키는 제 1 마크와,A first mark which is detected by said detecting means to generate a signal representing position information of said substrate to said detecting means; 상기 제 2 영역 내의 제 1 방향으로 연장되는 패턴부를 구비하고, 상기 검출수단이, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 표시하는 제 2 마크로 구성되고,A pattern portion extending in a first direction in the second region, wherein the detection means is based on a position in a second direction crossing the first direction of the pattern portion in the second region; A second mark for displaying information about the mark, 상기 검출수단이, 상기 제 2 영역 내에서의 상기 패턴부의 위치에 기초하여 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.And the detection means detects the information on the first mark based on the position of the pattern portion in the second area. 제 98 항에 있어서,99. The method of claim 98, 상기 제 2 마크는,The second mark, 상기 제 2 영역 내를 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 한 쪽 영역인 제 1 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 패턴부와,A first pattern portion extending in the first direction in a first divided region which is one region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in a first direction; 상기 제 2 영역 내를 상기 제 1 방향의 소정위치에서 분할한 다른 쪽 영역인 제 2 분할영역 내에서, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 2 패턴부를 구비하고,A second pattern portion extending in the first direction in a second divided region which is the other region obtained by dividing the inside of the second region at a predetermined position in the first direction; 상기 검출수단이, 상기 제 1 분할부 내에서의 상기 제 1 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치와, 상기 제 2 분할부 내에서의 상기 제 2 패턴부의 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 관한 위치 양쪽에 기초하여, 상기 제 1 마크에 관한 정보를 검출하는 노광장치의 제조방법.The detection means is located in a second direction crossing the first direction of the first pattern portion in the first division, and the first direction of the second pattern portion in the second division; A manufacturing method of an exposure apparatus for detecting information relating to the first mark based on both of positions in a second direction intersecting with.
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