KR20040103136A - Reticle having focusing and align pattern and line and space measure method using the same - Google Patents

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KR20040103136A
KR20040103136A KR1020030035058A KR20030035058A KR20040103136A KR 20040103136 A KR20040103136 A KR 20040103136A KR 1020030035058 A KR1020030035058 A KR 1020030035058A KR 20030035058 A KR20030035058 A KR 20030035058A KR 20040103136 A KR20040103136 A KR 20040103136A
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Abstract

PURPOSE: A mask with a focusing pattern and an aligning pattern and method of measuring line width using the same are provided to reduce fail of measurement in a pattern to be measured and to restrain the pattern to be measured from being etched due to an electron beam of an SEM(Scanning Electron Microscopy) by arranging properly the focusing and aligning patterns within the mask. CONSTITUTION: A mask(100) includes an alignment pattern and a focusing pattern. The alignment pattern(130) is formed at a boundary of a shut(110) in order to help a predetermined pattern to be exactly aligned. The focusing pattern(120) for assisting the focusing of the predetermined pattern is formed within the shut without the influence of the focus pattern itself on a main pattern.

Description

포커싱 패턴과 정렬 패턴를 구비한 마스크 및 이를 이용한 선 폭 측정 방법{RETICLE HAVING FOCUSING AND ALIGN PATTERN AND LINE AND SPACE MEASURE METHOD USING THE SAME}A mask having a focusing pattern and an alignment pattern and a method of measuring line widths using the same {{RETICLE HAVING FOCUSING AND ALIGN PATTERN AND LINE AND SPACE MEASURE METHOD USING THE SAME}

본 발명은 선 폭 측정을 돕기 위한 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비한 마스크(RETICLE) 및 이를 이용한 선 폭 측정 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정의 사진 공정에서 선 폭 측정을 돕기 위한 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비한 마스크 및 이를 이용한 선 폭 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask (RETICLE) having a focusing pattern and an alignment pattern to help the line width measurement and a line width measuring method using the same. More specifically, the present invention relates to a mask having a focusing pattern and an alignment pattern for assisting the line width measurement in a photolithography process of a semiconductor manufacturing process, and a line width measuring method using the same.

일반적으로, 반도체 소자는 증착공정, 사진공정, 식각공정 및 이온주입공정 등의 일련의 공정들을 수행하여 이루어진다.In general, a semiconductor device is formed by performing a series of processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, and an ion implantation process.

즉, 반도체소자는 웨이퍼 상에 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 여러 층의 박막을 증착한 후 사진공정, 식각공정 및 이온주입공정등을 통해 패턴을 형성시켜 완성한다.That is, a semiconductor device is completed by depositing a thin film of various layers such as a polycrystalline film, an oxide film, a nitride film and a metal film on a wafer and then forming a pattern through a photo process, an etching process and an ion implantation process.

상기 사진공정은 투명글라스(GLASS)의 일면에 크롬막(CROMSIDE) 등으로 구성되는 반도체소자 구성회로를 형성하기 위한 패턴(MAIN PATTERN) 들이 형성된 포토 마스크['레티클(RETICLE)'이라고도 한다]를 사용하여 반도체 구성회로의 패턴들을 상기 웨이퍼 상에 형성시키는 반도체소자 제조공정의 핵심기술이다.The photo process uses a photo mask (also referred to as a 'RETICLE') on which a pattern (MAIN PATTERN) is formed on one surface of a transparent glass to form a semiconductor device circuit including a chromium film (CROMSIDE). To form a pattern of a semiconductor component circuit on the wafer.

그리고 상기 사진공정은 노광 시 사용하는 광원에 따라 16M DRAM, 64M DRAM, 나아가서 256M DRAM 및 1G DRAM 이상의 반도체소자 제조공정에 이용되고 있다,In addition, the photo process is used in a semiconductor device manufacturing process of 16M DRAM, 64M DRAM, and even 256M DRAM and 1G DRAM, depending on the light source used during exposure.

그리고 상기 사진공정의 광원으로는 각각 g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm) line 및 ArF(193nm) line 등이 사용되고 있다.In addition, g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF (248 nm) line, ArF (193 nm) line, and the like are used as light sources in the photolithography process.

그리고 상기 반도체소자의 제조에서는 상기 패턴이 설정된 패턴으로 정확하게 형성되었는지를 파악하기 위하여 전기적 특성의 검사 또는 패턴의 선 폭 등을 측정하는 공정을 수행한다.In the manufacture of the semiconductor device, a process of inspecting an electrical property or measuring a line width of a pattern is performed to determine whether the pattern is accurately formed with a set pattern.

이에 따라 주로 주사전자현미경(SEM:SCANNING ELECTRON MICROSCOPY)을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 형성시킨 패턴의 선 폭을 측정하는 공정을 수행한다.Accordingly, a process of measuring the line width of the pattern formed on the wafer is mainly performed using a scanning electron microscope (SEM: SCANNING ELECTRON MICROSCOPY).

상기 주사전자현미경을 이용한 패턴의 선 폭의 측정은 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)을 상기 웨이퍼 상에 주사시켜 방출되는 이차전자를 이용하여 나타나는 이미지를 포커싱 함으로써 이루어진다.The measurement of the line width of the pattern using the scanning electron microscope is performed by focusing an image appearing using secondary electrons emitted by scanning an electron beam (ELECTRON BEAM) on the wafer.

반도체소자가 고집적화 되면서 패턴 사이즈(SIZE)도 점점 미세화되고 있다. 이에 대응하여 상기 사진공정에 사용되는 광원도 KrF(248nm) line에서 ArF(193nm) line으로 변화되며 포토레지스트(PHOTORESIST)의 재질도 변화되고 있다.As semiconductor devices are highly integrated, the pattern size is becoming smaller. Correspondingly, the light source used in the photographing process is also changed from the KrF (248 nm) line to the ArF (193 nm) line, and the material of the photoresist (PHOTORESIST) is also changing.

그러나 상기 사진공정에 사용되는 광원인 ArF(193nm) line으로 상기 사진 공정을 진행 후에 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 정상 여부를 파악하기 위하여 주사전자현미경으로 선 폭 측정 패턴를 측정할 경우에 상기 주사전자현미경의 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)에 의하여 상기 측정 패턴의 크기를 10nm 이상의 차이가 발생한다.However, when the line width measurement pattern is measured by a scanning electron microscope to determine whether the pattern formed on the wafer is normal after the photolithography process is performed using the ArF (193 nm) line, which is a light source used in the photolithography process, the scanning electron microscope The difference in the size of the measurement pattern by 10 nm or more is caused by an ELECTRON BEAM.

즉, 일 예로서 바(BAR)의 경우 10nm 이상 작게 측정되나 콘택(CONTACT)과 같은 스페이스(SPACE)를 측정할 경우에 10nm 이상 크게 측정된다.That is, for example, the bar BAR is measured to be smaller than 10 nm or more, but when measuring a space such as the contact CONTACT, it is measured to be larger than 10 nm.

이런 문제점을 발생시키는 이유는 상기 일렉트론 빔에 의하여 상기 측정 패턴의 포토레지스트가 노출되면서 상기 일렉트론 빔이 상기 포토레지스트을 포커싱 할 때 상기 포토레지스트를 10nm 이상 식각을 하기 때문이다.This problem occurs because the photoresist of the measurement pattern is exposed by the electron beam and the electron beam etches the photoresist 10 nm or more when the photoresist focuses the photoresist.

상기 문제점을 해결하기 위하여 상기 주사전자현미경의 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)의 전위(VOLTAGE)를 낮추는 방법과 상기 측정 패턴의 포커싱 시간을 줄이기 위하여 인접한 다른 패턴에서 포커싱을 한 후에 상기 측정 패턴을 포커싱하여 측정하는 방법 등을 이용되고 있다.In order to solve the problem, a method of lowering the potential of the ELECTRON BEAM of the scanning electron microscope and focusing on another adjacent pattern to reduce the focusing time of the measurement pattern is performed by focusing the measurement pattern. And the like are used.

그러나 상기 인접한 패턴를 포커싱하는 경우에 있어서, 상기 측정 패턴이 밀집되어 있는 밀집(DENSE) 패턴의 경우에 가능하나 고립(ISO) 패턴의 경우에 포커싱 패턴이 원거리에 떨어져 있어서 상기 포커싱 패턴에 포커싱을 한 후에 상기 측정 패턴을 찾아 포커싱 할 경우에 상기 측정 패턴의 인식이 어려워 자동 측정용 주사전자현미경의 경우에 측정 실패(ERROR)를 발생시킨다. 또한 수동 측정용 주사현미경의 경우에 수동으로 상기 포커싱 패턴 및 상기 측정 패턴을 찾아서 측정하기 때문에 포커싱 시간을 줄이지 못하여 10nm 이상의 차이를 해결할 수 없다.However, in the case of focusing the adjacent pattern, it is possible in the case of the DENSE pattern in which the measurement pattern is dense, but in the case of the isolated (ISO) pattern, the focusing pattern is far away and the focusing pattern is focused on the focusing pattern. In the case of finding and focusing the measurement pattern, it is difficult to recognize the measurement pattern, which causes a measurement error (ERROR) in the case of an automatic measurement scanning electron microscope. In addition, in the case of a manual measurement scanning microscope, the focusing pattern and the measurement pattern are manually found and measured, and thus, a focusing time cannot be reduced and a difference of 10 nm or more cannot be solved.

또 다른 문제점으로 상기 주사전자현미경를 이용하여 측정 시 측정 패턴의 정렬(ALIGN)이 정확치 못하여 측정값이 틀리거나 측정 실패(FAIL)가 일어난다.As another problem, when the measurement is performed by using the scanning electron microscope, the alignment of the measurement pattern is not accurate and the measurement value is incorrect or a measurement failure occurs.

상기 측정 패턴의 정렬이 정확하지 못한 이유는 상기 정렬을 위한 패턴이 없어 임의의 패턴에 정렬하거나 임의의 오버레이 키(OVERLAY KEY)에 정렬하기 때문이다.The reason why the alignment of the measurement pattern is not correct is that there is no pattern for the alignment, so that the measurement pattern is aligned with an arbitrary pattern or with an overlay key.

따라서 본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해결하는 마스크를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a mask that solves the above problems.

본 발명의 다른 목적은 상기 문제점들을 해결하는 선 폭 측정방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a line width measuring method for solving the above problems.

도 1은 본 발명에 따른 포커싱 패턴 및 정렬 패턴을 구비한 마스크를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a mask having a focusing pattern and an alignment pattern according to the present invention.

도 2는 상기 도 1의 상기 포커싱 패턴을 확대하여 보여주는 평면도이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of the focusing pattern of FIG. 1.

도 3은 상기 도 1의 상기 정렬 패턴을 확대하여 보여주는 평면도이다.3 is an enlarged plan view illustrating the alignment pattern of FIG. 1.

도 4a 내지 도 4c는 상기 도3의 상기 정렬 패턴 이외에 상기 정렬 패턴으로 사용되어 질 수 있는 정렬 패턴들을 보여주는 평면도이다.4A to 4C are plan views illustrating alignment patterns that may be used as the alignment pattern in addition to the alignment pattern of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따른 선 폭 측정 방법의 일 실시예를 나타내는 공정도이다.5 is a process chart showing an embodiment of a line width measuring method according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 마스크 110 : 셧(SHOT)100: mask 110: SHOT

120, 200 : 포커싱 패턴 130, 300, 400 : 정렬 패턴120, 200: focusing pattern 130, 300, 400: alignment pattern

210, 410 : 니은자형(┗) 패턴 310, 330, 420 : 바(BAR) 패턴210, 410: needle-shaped pattern 310, 330, 420: bar pattern

430, 450 : 누운 바(BAR) 패턴 440 : 콘택(CONTACT) 패턴430, 450: BAR pattern 440: CONTACT pattern

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 선 폭 측정 패턴의 정렬을 돕기 위하여 주 패턴에 영향을 안주는 셧의 경계부분에 형성된 정렬 패턴과 상기 선 폭 측정 패턴의 포커싱을 돕기 위하여 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역에 형성된 포커싱 패턴을 구비하는 마스크를 제공하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides an alignment pattern formed at the boundary of the shut that does not affect the main pattern to assist the alignment of the line width measurement pattern and the line width measurement pattern to help focus the line width measurement pattern. It is to provide a mask having a focusing pattern adjacent to the free area that does not affect the main pattern.

본 발명의 다른 목적은 선 폭 측정을 돕기 위한 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비한 마스크를 사용하여 선 폭 측정 패턴이 형성된 웨이퍼를 주사전자현미경의 챔버(CHAMBER)로 로딩(LOADING)시키는 단계와 상기 로딩이 이루어진 웨이퍼에서 주 패턴에 영향을 안주는 셧의 경계부분에 형성된 정렬 패턴를 이용하여 정렬하는 정렬 단계와 상기 정렬이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역에 형성된 포커싱 패턴를 이용하여 포커싱하는 제1차 포커싱 단계와 상기 제1차 포커싱이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴을 포커싱하는 제2차 포커싱 단계와 상기 제2차 포커싱이 이루어진 상기 선 폭 측정 패턴을 측정하는 단계를 구비하여 이루어진 포토레지스트 패턴의 선 폭 측정방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to load a wafer having a line width measurement pattern formed into a chamber of a scanning electron microscope (CHAMBER) by using a mask having a focusing pattern and an alignment pattern to assist the line width measurement and the loading An alignment step of aligning using an alignment pattern formed at the boundary of the shut which does not affect the main pattern in the wafer, and focusing formed in a free area adjacent to the line width measurement pattern and not affecting the main pattern in the alignment wafer A first focusing step of focusing using a pattern and a second focusing step of focusing the line width measurement pattern on a wafer on which the first focusing is performed, and measuring the line width measurement pattern on which the second focusing is performed. It is to provide a method for measuring the line width of the photoresist pattern provided with.

그리고 상기 포커싱 패턴, 상기 정렬 패턴 및 선 폭 측정 패턴의 위치가 기록된 마스크 정보(INFORMATION)를 구비하는 포토레지스트 패턴의 선 폭 측정방법을 제공하는 것이다.And a line width measuring method of a photoresist pattern having mask information (INFORMATION) in which the positions of the focusing pattern, the alignment pattern, and the line width measuring pattern are recorded.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부하는 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명에 따른 포커싱 패턴 및 정렬 패턴을 구비한 마스크를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a mask having a focusing pattern and an alignment pattern according to the present invention.

도 1을 참조하면, 1-셧(1-shot)용 마스크(100)이며 한번의 노광 공정이 수행되는 셧(110)에는 1-셧(110)이 형성된다. 상기 1-셧(1-shot)용 마스크(100)은 본 발명의 설명을 위한 한 예로 사용된 것이며 다른 종류의 셧(예로써, 4-셧, 2-셧 등)이 사용될 수 있음을 개시한다. 1-셧(110)은 후속공정에 의해 1-칩으로 되는 영역을 말하며, 패턴들이 형성되어 진다.Referring to FIG. 1, a 1-shot 110 is formed in a shut 110 that is a 1-shot mask 100 and a single exposure process is performed. The one-shot mask 100 is used as an example for explaining the present invention and discloses that other kinds of shuts (for example, four-shot, two-shot, etc.) may be used. . The one-shot 110 refers to a region that becomes a one-chip by a subsequent process, and patterns are formed.

한편, 도 1의 셧(110) 내에서 선 폭 측정 패턴(미도시)의 포커싱을 돕기 위하여 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역('A')에 형성된 포커싱 패턴(120)이 있다.Meanwhile, in order to assist the focusing of the line width measurement pattern (not shown) in the shut 110 of FIG. 1, a focusing pattern formed in the free area 'A' adjacent to the line width measurement pattern and not affecting the main pattern ( 120).

그리고, 도 1에서 상기 선 폭 측정 패턴(미도시)의 정렬을 돕기 위하여 주 패턴에 영향을 안주는 셧(110)의 경계부분('B')에 형성된 정렬 패턴(130)이 있다. 비록 도 1에서는 정렬 패턴(130)이 셧(110)의 경계부분에 형성되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 상기 마스크(100)상에 적어도 하나 이상 정렬 패턴(130)이 형성되면 족하며, 또한 상기 정렬 패턴은 셧(110)의 경계부분 내지 셧(110) 내에 형성될 수 있으며, 필요에 따라 셧의 경계부분 과 셧 내에 동시에 형성될 수 있다.In addition, in FIG. 1, there is an alignment pattern 130 formed at a boundary portion 'B' of the shut 110 that does not affect the main pattern in order to assist the alignment of the line width measurement pattern (not shown). Although the alignment pattern 130 is formed at the boundary of the shut 110 in FIG. 1, the present invention is not limited thereto, and it is sufficient if at least one alignment pattern 130 is formed on the mask 100. In addition, the alignment pattern may be formed in the boundary portion of the shut 110 to the shut 110, and may be simultaneously formed in the boundary and the shut of the shut as necessary.

도 2는 상기 도 1의 상기 포커싱 패턴을 확대하여 보여주는 평면도이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of the focusing pattern of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 니은자형(┗) 패턴(210)들로 구성된 포커싱 패턴(200)을 나타낸다.Referring to FIG. 2, a focusing pattern 200 composed of needle-shaped patterns 210 is illustrated.

도 3은 상기 도 1의 상기 정렬 패턴을 확대하여 보여주는 평면도이다.3 is an enlarged plan view illustrating the alignment pattern of FIG. 1.

도 3를 참조하면, 바(BAR) 패턴(310)들로 구성된 정렬 패턴(300)을 나타낸다.Referring to FIG. 3, an alignment pattern 300 composed of bar patterns 310 is illustrated.

도 4a 내지 도 4c는 상기 도3의 상기 정렬 패턴 이외에 상기 정렬 패턴으로 사용되어 질 수 있는 정렬 패턴들을 보여주는 평면도이다.4A to 4C are plan views illustrating alignment patterns that may be used as the alignment pattern in addition to the alignment pattern of FIG. 3.

상기 정렬 패턴들은 필요에 맞도록 선택하여 사용될 수 있으며, 상기 정렬 패턴들의 모양이 변경될 수 있음을 개시한다.The alignment patterns can be selected and used to suit the needs, and disclose that the shape of the alignment patterns can be changed.

도 4a를 참조하면, 니은자형(┗) 패턴(410)들로 구성된 정렬 패턴(400)을 나타낸다.Referring to FIG. 4A, a needle pattern 410 is illustrated as an alignment pattern 400.

도 4b를 참조하면, 바(BAR) 패턴(420)들과 누운 바(BAR) 패턴(430)들로 구성된 정렬 패턴(400)을 나타낸다.Referring to FIG. 4B, an alignment pattern 400 composed of bar patterns 420 and bar patterns 430 is illustrated.

도 4c를 참조하면, 콘택(CONTACT) 패턴(440)들과 누운 바(BAR) 패턴(450)들로 구성된 정렬 패턴(400)을 나타낸다.Referring to FIG. 4C, an alignment pattern 400 including contact CONTACT patterns 440 and BAR patterns 450 is illustrated.

도 5는 본 발명에 따른 선 폭 측정 방법의 일 실시예를 나타내는 공정도이다.5 is a process chart showing an embodiment of a line width measuring method according to the present invention.

S500를 참조하면, 선 폭 측정을 돕기 위한 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비한 마스크를 사용하여 선 폭 측정 패턴이 형성된 웨이퍼를 주사전자현미경의 챔버(CHAMBER)로 로딩(LOADING)한다.Referring to S500, the wafer on which the line width measurement pattern is formed is loaded into a chamber of the scanning electron microscope using a mask having a focusing pattern and an alignment pattern to assist the line width measurement.

S510를 참조하면, 상기 로딩이 이루어진 웨이퍼에서 주 패턴에 영향을 안주는 셧의 경계부분에 형성된 정렬 패턴를 이용하여 정렬한다.Referring to S510, the wafer is aligned using an alignment pattern formed at the boundary of the shut, which does not affect the main pattern.

S520를 참조하면, 상기 정렬이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역에 형성된 포커싱 패턴를 이용하여 제1차 포커싱을 수행한다.Referring to S520, the first focusing is performed by using a focusing pattern formed in a free area adjacent to the line width measurement pattern and not affecting a main pattern on the aligned wafer.

S530를 참조하면, 상기 제1차 포커싱이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴을 제2차 포커싱을 수행한다.Referring to S530, a second focusing is performed on the line width measurement pattern on the wafer on which the first focusing is performed.

S540를 참조하면, 상기 제2차 포커싱이 이루어진 상기 선 폭 측정 패턴을 측정한다.Referring to S540, the line width measurement pattern on which the second focusing is performed is measured.

그리고 아래의 표에서 나타내듯이 본 발명에 따른 측정에 관련된 패턴들의 위치가 기록된 마스크 정보(INFORMATION)를 제공하여 이용할 수 있다.As shown in the following table, the mask information (INFORMATION) in which the positions of the patterns related to the measurement according to the present invention are recorded can be used.

X(㎛)X (μm) Y(㎛)Y (μm) 정렬 좌표Alignment coordinates 00 00 포커싱 좌표Focusing coordinates 1420014200 72007200 측정 패턴 좌표Measurement pattern coordinates 50105010 72007200

상기 표의 마스크 정보에는 상기 정렬 좌표, 포커싱 좌표, 측정 패턴의 좌표 값을 숫자를 기록하여 선 폭 측정 시 위치에 대한 정보로 활용하기 위하여 제공한다.The mask information of the table is provided to record the number of the alignment coordinates, the focusing coordinates, and the coordinates of the measurement pattern to be used as information on the position when measuring the line width.

상기의 좌표 값들은 예로서 기록한 것이다.The above coordinate values are recorded as an example.

따라서 상기 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비하는 마스크를 사진 공정에 적용하여 주사전자현미경을 이용한 선 폭 측정 시에 선 폭 측정 패턴의 정렬 수준을높여 측정 실패(FAIL)를 줄였으며 상기 주사전자현미경의 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)에 의한 선 폭 측정 패턴의 식각을 최소화하여 선 폭 측정을 현실화하였다.Therefore, by applying a mask having the focusing pattern and the alignment pattern to the photolithography process, the alignment level of the line width measurement pattern is increased when measuring the line width using the scanning electron microscope, thereby reducing the measurement failure (FAIL) and the electron of the scanning electron microscope. The line width measurement was realized by minimizing the etching of the line width measurement pattern by the beam (ELECTRON BEAM).

본 발명의 상기 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비하는 마스크를 사진 공정에 적용하여 주사전자현미경을 이용한 선 폭 측정 시에 선 폭 측정 패턴의 정렬 수준을 높여 측정 실패(FAIL)를 줄였으며 상기 주사전자현미경의 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)에 의한 선 폭 측정 패턴의 식각을 최소화하여 선 폭 측정을 현실화하였다.The mask having the focusing pattern and the alignment pattern of the present invention is applied to a photographic process to reduce the measurement failure by increasing the alignment level of the line width measurement pattern when measuring the line width using the scanning electron microscope. The line width measurement is realized by minimizing the etching of the line width measurement pattern by ELECTRON BEAM.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (12)

선 폭 측정 패턴의 정렬을 돕기 위하여 주 패턴에 영향을 안주는 셧의 경계부분에 형성된 정렬 패턴; 및An alignment pattern formed at the boundary of the shut not affecting the main pattern to help align the line width measurement pattern; And 상기 선폭 측정 패턴의 포커싱을 돕기 위하여 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역에 형성된 포커싱 패턴이 형성되어 이루어짐을 특징으로 하는 마스크.And a focusing pattern formed in a free area adjacent to the line width measurement pattern and not affecting a main pattern to assist focusing of the line width measurement pattern. 제1항에 있어서, 상기 정렬 패턴이 셧 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the alignment pattern is formed in a shut. 제1항에 있어서, 상기 정렬 패턴이 셧의 경계부분 과 셧 내에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.2. A mask according to claim 1, wherein said alignment pattern is formed simultaneously in the boundary of the shut and in the shut. 제1항에 있어서, 상기 정렬 패턴이 한 개 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein one alignment pattern is formed. 제1항에 있어서, 상기 정렬 패턴이 다수 개 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein a plurality of alignment patterns are formed. 제1항에 있어서, 상기 정렬 패턴이 니은자형(┗) 패턴들로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask according to claim 1, wherein the alignment pattern is formed of needle-shaped patterns. 제1항에 있어서, 상기 포커싱 패턴이 바(BAR) 패턴들로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the focusing pattern is formed of bar patterns. 제1항에 있어서, 상기 포커싱 패턴이 니은자형(┗) 패턴들로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the focusing pattern is formed of needle-shaped patterns. 제1항에 있어서, 상기 포커싱 패턴이 바(BAR) 패턴(330)들과 누운 바(BAR) 패턴들로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the focusing pattern is formed of bar (BAR) patterns (330) and lying bar (BAR) patterns. 제1항에 있어서, 상기 포커싱 패턴이 콘택(CONTACT) 패턴(350)과 누운 바(BAR) 패턴(360)들로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the focusing pattern is formed of a contact pattern 350 and a bar pattern 360. 선폭 측정을 돕기 위한 포커싱 패턴과 정렬 패턴을 구비한 마스크를 사용하여 선 폭 측정 패턴이 형성된 웨이퍼를 주사전자현미경의 챔버(CHAMBER)로 로딩(LOADING)시키는 단계;Loading the wafer on which the line width measurement pattern is formed into a chamber of a scanning electron microscope using a mask having a focusing pattern and an alignment pattern to assist the line width measurement; 상기 로딩이 이루어진 웨이퍼에서 주 패턴에 영향을 안주는 셧의 경계부분에 형성된 정렬 패턴를 이용하여 정렬하는 정렬 단계;An alignment step of aligning using the alignment pattern formed at the boundary of the shut which does not affect the main pattern on the loaded wafer; 상기 정렬이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴에 인접하며 주 패턴에 영향을 안주는 여유영역에 형성된 포커싱 패턴를 이용하여 포커싱하는 제1차 포커싱 단계;A first focusing step of focusing on the aligned wafer using a focusing pattern formed in a free area adjacent to the line width measurement pattern and not affecting a main pattern; 상기 제1차 포커싱이 이루어진 웨이퍼에서 상기 선 폭 측정 패턴를 포커싱하는 제2차 포커싱 단계; 및A second focusing step of focusing the line width measurement pattern on the wafer on which the first focusing is performed; And 상기 제2차 포커싱이 이루어진 상기 선 폭 측정 패턴을 측정하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 선 폭 측정방법.And measuring the line width measurement pattern on which the second focusing is performed. 제11 항에 있어서, 상기 포커싱 패턴, 상기 정렬 패턴 및 선 폭 측정 패턴의 위치가 기록된 마스크 정보(INFORMATION)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 선 폭 측정방법.12. The method of claim 11, further comprising mask information (INFORMATION) in which positions of the focusing pattern, the alignment pattern, and the line width measurement pattern are recorded.
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