KR20040088237A - Apparatus for making thin film - Google Patents

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KR20040088237A
KR20040088237A KR1020030022360A KR20030022360A KR20040088237A KR 20040088237 A KR20040088237 A KR 20040088237A KR 1020030022360 A KR1020030022360 A KR 1020030022360A KR 20030022360 A KR20030022360 A KR 20030022360A KR 20040088237 A KR20040088237 A KR 20040088237A
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guide tube
linear evaporation
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evaporation source
recognition unit
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KR1020030022360A
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이재경
김신철
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(주)네스디스플레이
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for fabricating a thin film is provided to reduce the manufacturing cost by minimizing a deposition distance between a substrate and a linear vaporization source. CONSTITUTION: An apparatus for fabricating a thin film includes an upper chamber, a lower chamber, and a guide tube. A thickness recognition unit is installed in the inside of the upper chamber(10). A substrate is loaded into the upper chamber. A lower chamber(20) is installed separatively from the upper chamber and includes a linear vaporization source. An independent region is provided to connect an opening part of the linear vaporization source(30) to the thickness recognition unit. Vaporized materials approach the thickness recognition unit through the independent region.

Description

박막제조장치{Apparatus for making thin film}Thin film manufacturing equipment {Apparatus for making thin film}

본 발명은 박막 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 증발원과 기판 사이에 위치하는 두께인식유닛을 적절하게 배치하여 선형 증발원과 기판 사이의 거리를 최소화하여 증착시간을 줄여 공정시간을 감소시키고, 물질 사용률을 최대화함과 동시에 정확한 두께 및 균일성을 제어할 수 있는 박막 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film manufacturing apparatus, and more particularly, by appropriately disposing a thickness recognition unit located between the linear evaporation source and the substrate to minimize the distance between the linear evaporation source and the substrate to reduce the deposition time to reduce the process time, The present invention relates to a thin film manufacturing apparatus capable of maximizing material utilization and controlling precise thickness and uniformity.

최근 개발되는 각종 광-전자 소자의 개발에 있어 박막공정은 거의 필수공정이다. 박막공정에서는 정확한 두께를 조절하고 박막 균일도를 확보함으로써 각종 광-전자소자의 성능을 보장받을 수 있다.In the development of various photo-electronic devices to be developed recently, the thin film process is almost an essential process. In the thin film process, the performance of various opto-electronic devices can be guaranteed by precisely adjusting the thickness and securing the uniformity of the thin film.

유기 전기발광 디스플레이를 제작하는 경우, 유기반도체를 박막으로 형성하는데 있어 대면적 코팅에 적용할 수 있는 증발원은 아직 개발 중에 있으며 최근 선형 증발원이 개발되면서 대면적 기판 적용이 가능한 추세이다.When fabricating an organic electroluminescent display, an evaporation source that can be applied to a large area coating in forming an organic semiconductor into a thin film is still under development, and as a linear evaporation source is recently developed, a large area substrate can be applied.

즉, 증발원의 형태를 선형으로 구성하고 선형 증발원 수직방향으로 기판을 스캔함으로서 대면적 유기 박막층을 정확한 두께로 그리고 균일하게 코팅할 수 있다. 더욱이, 기판과 선형 증발원 사이의 거리, 즉 증착거리를 최소화시켜 증착물질의 사용률을 최대화시킴으로써 원가절감 효과를 얻을 수 있다.That is, by forming the evaporation source linearly and scanning the substrate in the linear evaporation source vertical direction, the large-area organic thin film layer can be coated with an accurate thickness and uniformly. Furthermore, the cost reduction effect can be obtained by maximizing the utilization rate of the deposition material by minimizing the distance between the substrate and the linear evaporation source, that is, the deposition distance.

일반적으로 증발원과 기판 사이에는 두께인식유닛이 설치되어 증발원으로부터 증발되는 물질을 이용하여 기판에 증착되는 두께를 체크하게 된다.In general, a thickness recognition unit is installed between the evaporation source and the substrate to check the thickness deposited on the substrate using a material evaporated from the evaporation source.

그러나, 선형 증발원을 사용하여 유기막층을 형성하는 경우 증발원과 기판 사이의 거리가 짧아짐으로서 두께인식유닛을 배치할 수 있는 공간을 확보하기가 어려워진다.However, when the organic film layer is formed using the linear evaporation source, the distance between the evaporation source and the substrate is shortened, making it difficult to secure a space in which the thickness recognition unit can be disposed.

따라서, 두께인식유닛을 중심에서 멀리 이격시켜 배치할 수밖에 없으며, 이에 따라 두께인식유닛에 비스듬하게 증착이 이루어지게 되는데, 일반적으로 사용되는 수정 진동자의 면에 고르게 증착되지 않아, 노이즈가 증가하거나, 도가니 내의 물질 분포에 따라 그 실제값과의 차이가 발생하는 등의 박막층의 두께 재현성에 문제를 야기시키게 된다.Therefore, the thickness recognition unit has to be spaced apart from the center, so that the deposition is made obliquely on the thickness recognition unit, which is not evenly deposited on the surface of the crystal oscillator that is generally used, the noise increases or the crucible The material distribution in the film causes a problem in the thickness reproducibility of the thin film layer such that a difference from the actual value occurs.

또한, 두 개 이상의 물질을 동시에 증착하는 경우 두께인식유닛에 크로스 증착이 이루어지므로 각각의 두께조절이 불가능해지고 이는 도핑 공정에 있어서는 더욱 재현성이 문제가 된다.In addition, when two or more materials are deposited simultaneously, cross-deposition is performed on the thickness recognition unit, and thus, thickness control is impossible, which becomes more reproducible in the doping process.

따라서, 본 발명의 목적은 선형 증발원을 적용하면서도 선형 증발원과 기판 사이의 증착거리를 최소화함으로서 증착물질의 사용률을 최대화할 수 있는 박막제조장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a thin film manufacturing apparatus that can maximize the utilization rate of the deposition material by applying a linear evaporation source while minimizing the deposition distance between the linear evaporation source and the substrate.

본 발명의 다른 목적은 기판에 증착되는 증착물질의 두께와 균일성을 정확하게 제어함으로써 재현성을 확보할 수 있는 박막제조장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a thin film manufacturing apparatus that can ensure reproducibility by precisely controlling the thickness and uniformity of the deposition material deposited on the substrate.

또한, 본 발명의 다른 목적은 증착거리를 최소화하여 증착시간을 줄임으로써 공정시간을 감소하여 생산성을 향상시킬 수 있는 박막제조장치를 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention to provide a thin film manufacturing apparatus that can improve the productivity by reducing the process time by reducing the deposition time by minimizing the deposition distance.

본 발명의 다른 목적들과 특징은 이하에 서술되는 실시예를 통하여 보다 명확하게 이해될 것이다.Other objects and features of the present invention will be more clearly understood through the embodiments described below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 제조장치를 보여주는 일부 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view showing a thin film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 적용되는 셔터가 폐쇄될 때 가이드 튜브와의 관계를 설명하는 평면도이다.Fig. 2 is a plan view illustrating a relationship with a guide tube when the shutter applied to the present invention is closed.

본 발명의 일측면에 따르면, 내부에 두께인식유닛이 설치되고, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버; 상부챔버와 독립적으로 구획되고, 선형 증발원이 설치된 하부챔버; 및 선형 증발원의 개구부와 두께인식유닛이 연통되는 독립된 공간을 제공하여 개구부를 통하여 증발되는 물질이 독립된 공간을 통하여 두께인식유닛에 도달하도록 하는 가이드 튜브를 포함하는 박막 제조장치가 개시된다.According to one aspect of the invention, the thickness recognition unit is installed therein, the upper chamber is transported and loaded the substrate to be processed; A lower chamber partitioned independently from the upper chamber and provided with a linear evaporation source; And a guide tube providing an independent space in which the opening of the linear evaporation source and the thickness recognition unit communicate with each other so that the material evaporated through the opening reaches the thickness recognition unit through the independent space.

바람직하게, 상부챔버와 하부챔버는 격벽으로 구획되며, 가이드 튜브는 격벽을 관통하며, 격벽에 위치 및 각도가 조절 가능하게 고정된다.Preferably, the upper chamber and the lower chamber are partitioned into partition walls, the guide tube penetrates the partition walls, and the position and angle of the partition walls are fixedly adjustable.

더욱, 바람직하게, 가이드 튜브는 두께인식유닛에 수직으로 대향하여 선형 증발원의 개구부로부터 증발되는 물질이 두께인식유닛에 수직으로 증착하도록 한다.Further, preferably, the guide tube allows material evaporated from the opening of the linear evaporation source to be deposited perpendicular to the thickness recognition unit opposite to the thickness recognition unit.

바람직하게, 선형 증발원의 개구부의 개폐를 제어하기 위하여 선형 증발원의 측면에 회전 가능하게 설치되는 셔터를 더 포함하며, 셔터는 개구부를 폐쇄할 때 가이드 튜브의 단부를 막지 않도록 가이드 튜브에 대응하는 부분이 제거된다.Preferably, the shutter further comprises a shutter rotatably installed on the side of the linear evaporation source for controlling the opening and closing of the opening of the linear evaporation source, the shutter is a portion corresponding to the guide tube so as not to block the end of the guide tube when closing the opening. Removed.

또한, 증착이 진행되면서 가이드 튜브내에 증착물질이 쌓이게 되면 원하지 않는 개구부의 변형, 칩의 발생으로 인한 증착 불균일성 등이 발생할 수 있으므로, 가이드 튜브 내에 증착되는 물질을 제거하기 위한 열처리를 수행하는 열선이 가이드 튜브를 감싸도록 설치될 수 있다.In addition, if deposition material accumulates in the guide tube as deposition proceeds, undesired deformation of the opening and deposition unevenness may occur due to the generation of chips. Thus, a heating wire for performing heat treatment to remove the material deposited in the guide tube may be guided. It can be installed to surround the tube.

바람직하게, 서로 다른 증착물질을 포함하는 선형 증발원이 복수개로 설치되며, 복수개의 선형 증발원 각각에 대응하여 가이드 튜브들이 설치될 수 있다.Preferably, a plurality of linear evaporation sources including different deposition materials are installed, and guide tubes may be installed corresponding to each of the plurality of linear evaporation sources.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 양측에 기판로딩 게이트밸브와 기판 언로딩 게이트밸브가 결합되고, 내부에 두께인식유닛이 설치되며, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버; 상부챔버와 격벽을 개재하여 독립적으로 구획되고, 선형 증발원이 설치된 하부챔버; 선형 증발원의 개구부에 일단이 대향하고, 두께인식유닛에 타단이 수직으로 대향하여 선형 증발원의 개구부와 두께인식유닛이 연통되도록 하는 가이드 튜브; 및 선형 증발원의 개구부의 개폐를 제어하며, 개구부를 폐쇄할 때개구부와 가이드 튜브가 연통되도록 가이드 튜브의 타단을 막지 않게 가이드 튜브에 대응하는 부분이 제거되는 셔터를 포함하는 박막 제조장치가 개시된다.According to another aspect of the invention, the substrate loading gate valve and the substrate unloading gate valve is coupled to both sides, the thickness recognition unit is installed therein, the upper chamber is transported and loaded the substrate to be processed; A lower chamber partitioned independently through the upper chamber and the partition wall and provided with a linear evaporation source; A guide tube having one end facing the opening of the linear evaporation source and the other end perpendicularly facing the thickness recognition unit such that the opening of the linear evaporation source and the thickness recognition unit communicate with each other; And a shutter that controls opening and closing of the opening of the linear evaporation source and removes a portion corresponding to the guide tube so as not to block the other end of the guide tube so that the opening and the guide tube communicate with each other when the opening is closed.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 내부에 복수개의 두께인식유닛들이 설치되고, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버; 상부챔버와 독립적으로 구획되고, 복수개의 선형 증발원들이 설치된 하부챔버; 및 선형 증발원들의 개구부들에 일단이 대향하고, 두께인식유닛들에 타단이 대향하여 선형 증발원들의 개구부들과 두께인식유닛들이 독립적으로 연통되도록 하는 복수개의 가이드 튜브들을 포함하는 박막 제조장치가 개시된다.According to another aspect of the invention, a plurality of thickness recognition units are installed therein, the upper chamber is transported and loaded the substrate to be processed; A lower chamber partitioned independently from the upper chamber and provided with a plurality of linear evaporation sources; And a plurality of guide tubes having one end facing the openings of the linear evaporation sources and the other end facing the thickness recognition units such that the openings and the thickness recognition units of the linear evaporation sources communicate independently.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 제조장치를 보여주는 일부 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view showing a thin film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 박막 제조장치는 상단챔버(10)와 하단챔버(20)가 독립적으로 구획되어 구성되며, 상단챔버와 하단챔버를 동시에 배기시킬 수 있는 배기부(미도시)가 후방에 연결된다.In the thin film manufacturing apparatus according to the present invention, the upper chamber 10 and the lower chamber 20 are independently partitioned, and an exhaust unit (not shown) capable of simultaneously exhausting the upper chamber and the lower chamber is connected to the rear.

이와 같이 상단챔버(10)와 하단챔버(20)를 독립적으로 구획함으로써 상단챔버(10) 내의 기판과 하단챔버(20) 내의 증발원을 분리할 수 있어 기판이 오염될 가능성을 최소화할 수 있다는 이점이 있다.As such, by separating the upper chamber 10 and the lower chamber 20 independently, the substrate in the upper chamber 10 and the evaporation source in the lower chamber 20 can be separated, thereby minimizing the possibility of contamination of the substrate. have.

상단챔버(10) 내에는 기판을 이송하기 위한 기판이송유닛(미도시)이 설치되며, 양측에 기판로딩 및 언로딩을 위한 게이트밸브(미도시)가 연결된다.In the upper chamber 10, a substrate transfer unit (not shown) for transferring the substrate is installed, and gate valves (not shown) for loading and unloading the substrate are connected to both sides.

본 발명에 따르면, 상단챔버(10)의 일정위치에는 결정자를 구비한 두께인식유닛(11)이 설치되며, 두께인식유닛(11)은 외부에 설치된 진동자(12)에 연결된다.According to the present invention, a thickness recognition unit 11 having a determinant is installed at a predetermined position of the upper chamber 10, and the thickness recognition unit 11 is connected to the vibrator 12 installed outside.

상단챔버(10)와 하단챔버(20)는 격벽(15)에 의해 구획되며, 격벽(15)에는 선형 증발원으로부터 증발되는 물질이 통과하는 윈도우(13)가 형성되며, 후술하는 바와 같이, 가이드 튜브(30)가 통과하는 관통공(14)이 형성된다. 관통공(14)은 가이드 튜브(30)에 대응하여 설치되므로 복수개의 가이드 튜브(30)가 적용되는 경우에는 복수개의 관통공이 형성될 수 있다.The upper chamber 10 and the lower chamber 20 are partitioned by the partition wall 15, and the partition wall 15 is formed with a window 13 through which material evaporated from the linear evaporation source passes, and as described below, a guide tube The through hole 14 through which the 30 passes is formed. Since the through holes 14 are installed corresponding to the guide tubes 30, when the plurality of guide tubes 30 is applied, a plurality of through holes may be formed.

하단챔버(20) 내에는 선형 증발원(22)이 설치되고, 선형 증발원(22)으로부터 물질이 증발하는 개구부(23)는 윈도우(13)에 대향하여 형성된다.A linear evaporation source 22 is installed in the lower chamber 20, and an opening 23 through which material evaporates from the linear evaporation source 22 is formed to face the window 13.

본 발명에 따르면, 선형 증발원(22)의 개구부(23)의 일정위치에 일단이 대향하는 가이드 튜브(30)가 관통공(14)을 통하여 상단챔버(10) 내부의 두께인식유닛(11)까지 연장된다. 도시되지는 않았지만, 가이드 튜브(30)는 격벽(15)에 위치 및 각도가 제어 가능하도록 고정된다.According to the present invention, the guide tube 30 having one end facing a predetermined position of the opening 23 of the linear evaporation source 22 is through the through hole 14 to the thickness recognition unit 11 inside the upper chamber 10. Is extended. Although not shown, the guide tube 30 is fixed to the partition 15 so that the position and angle are controllable.

가이드 튜브(30)의 타단은 두께인식유닛(11), 보다 정확히는 결정자(미도시)에 대향하여 수직을 이루도록 설치된다. 즉, 선형 증발원(22)의 개구부(23)로부터 증발되는 물질이 두께인식유닛(11)에 수직으로 증착되도록 한다.The other end of the guide tube 30 is installed to be perpendicular to the thickness recognition unit 11, more precisely facing the crystallite (not shown). That is, the material evaporated from the opening 23 of the linear evaporation source 22 is deposited perpendicular to the thickness recognition unit 11.

또한, 가이브 튜브(30)는, 예를 들어, 스테이레스 스틸 재질로 제작될 수 있으며, 증착이 진행되면서 가이드 튜브(30) 내에 증착물질이 쌓이게 되면 원하지 않는 개구부의 변형, 칩의 발생으로 인한 증착 불균일성 등이 발생할 수 있으므로,내부에 증착되는 물질을 제거하기 위하여 외측에 열선(32)이 설치될 수 있다.In addition, the gavable tube 30 may be made of, for example, a stainless steel material, and when the deposition material accumulates in the guide tube 30 as the deposition proceeds, undesired deformation of the opening and generation of chips may occur. Since deposition nonuniformity may occur, the heating wire 32 may be installed on the outside to remove the material deposited therein.

선형 증발원(22)의 개구부(23)는 셔터(40)에 의해 개폐가 제어되는데, 선형 증발원(22)의 측면에 설치되는 회전로드(42)에 브라켓(43)을 개재하여 연결된다. 회전로드(42)는 하단챔버(20)의 전면에 노출되는 셔터구동유닛(45)에 의해 회전이 제어된다.Opening and closing of the opening 23 of the linear evaporation source 22 is controlled by the shutter 40, it is connected via a bracket 43 to the rotating rod 42 installed on the side of the linear evaporation source (22). The rotation rod 42 is controlled to rotate by the shutter driving unit 45 exposed on the front surface of the lower chamber 20.

도 2는 본 발명에 적용되는 셔터가 폐쇄될 때 가이드 튜브와의 관계를 설명하는 평면도이다.Fig. 2 is a plan view illustrating a relationship with a guide tube when the shutter applied to the present invention is closed.

도시된 바와 같이, 셔터(40)는 선형 증발원(22)의 개구부(23)를 폐쇄할 때 가이드 튜브(30)의 일단을 막지 않도록 가이드 튜브(30)의 일단에 대응하는 부분(41)이 제거된다. 따라서, 기판이 위치하지 않은 경우 셔터(40)를 닫아서 챔버 내부 벽면의 오염을 감소시키는데 역할을 할 수 있으며, 셔터(40)가 닫혀 있는 경우에도 두께인식유닛(11)으로 가는 증착물질의 양은 변하지 않으므로, 증착되는 물질의 양을 계속적으로 조절할 수 있어 오염을 감소시키는 장점이 있다.As shown, the portion 41 corresponding to one end of the guide tube 30 is removed so that the shutter 40 does not block one end of the guide tube 30 when closing the opening 23 of the linear evaporation source 22. do. Thus, when the substrate is not located, the shutter 40 may be closed to reduce contamination of the inner wall of the chamber. Even when the shutter 40 is closed, the amount of the deposition material that goes to the thickness recognition unit 11 does not change. Therefore, there is an advantage in that it is possible to continuously adjust the amount of the material to be deposited to reduce contamination.

두께인식유닛(11)으로 전달되는 증착물질의 양은 가이드 튜브(30)의 길이나 직경을 적절하게 설정하여 조절할 수 있다. 따라서, 두께인식유닛(11)의 수정진동자에 전달되는 증착물질의 양을 조절할 수 있어 수정진동자의 수명을 연장할 수 있으며, 수정진동자의 교체에 따른 빈번한 생산 중지로 생산율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The amount of the deposition material delivered to the thickness recognition unit 11 may be adjusted by appropriately setting the length or diameter of the guide tube 30. Therefore, it is possible to adjust the amount of the deposition material delivered to the crystal oscillator of the thickness recognition unit 11 can extend the life of the crystal oscillator, and to prevent the production rate is reduced due to frequent production stop due to replacement of the crystal oscillator have.

더욱이, 수정진동자로 향하는 증착물질의 양이 적절하게 조절되면, 정확한 두께인식이 가능할 뿐만 아니라, 그 재현성 또한 향상되다.Moreover, when the amount of deposition material directed to the crystal oscillator is properly adjusted, not only accurate thickness recognition but also reproducibility is improved.

또한, 바람직하게, 셔터(40)는 선형 증발원(22)의 양측에 각각 설치되어 닫힐 경우 상호 중첩되도록 함으로써 보다 확실하게 개구부(23)를 차단할 수 있다.In addition, preferably, the shutters 40 may be provided on both sides of the linear evaporation source 22 to overlap each other when closed, so that the openings 23 can be blocked more reliably.

이 실시예에서는 하나의 선형 증발원(22)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였지만 2개 이상의 선형 증발원(22)이 설치되어 2개 이상의 물질을 동시에 증착하는 경우에는 이에 대응하여 2개 이상의 가이드 튜브(30)와 두께인식유닛(11)이 각각 설치될 수 있다.In this embodiment, a case where one linear evaporation source 22 is installed has been described as an example, but when two or more linear evaporation sources 22 are installed to deposit two or more materials simultaneously, two or more guide tubes ( 30 and the thickness recognition unit 11 may be installed respectively.

이하, 상기와 같은 구성의 박막 제조장치의 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the thin film manufacturing apparatus having the above configuration will be described.

기판로딩 게이트밸브가 열리고 물질이 증착될 대상 기판은 섀도우 마스크가 부착된 상태로 셔틀에 장착되어 기판이송유닛에 의해 상단챔버(10) 내부로 이송된다.The substrate loading gate valve is opened and the target substrate on which the material is to be deposited is mounted on the shuttle with the shadow mask attached and transferred to the upper chamber 10 by the substrate transfer unit.

이어 셔터구동유닛(45)의 동작에 의해 회전로드(42)가 회전하고 이에 연결된 셔터(40)가 오픈되고, 선형 증발원(22)으로부터 물질이 개구부(23)를 통하여 증발되고, 격벽(15)에 형성된 윈도우(13)를 통하여 기판에 전달되어 증착이 이루어진다.Subsequently, the rotation rod 42 rotates and the shutter 40 connected thereto is opened by the operation of the shutter driving unit 45. The material is evaporated from the linear evaporation source 22 through the opening 23, and the partition wall 15 is formed. It is transferred to the substrate through the window 13 formed in the deposition.

기판이 로딩되기 전에 선형 증발원(22)의 개구부(23)가 셔터(40)에 의해 닫혀있더라도 증발된 물질은 가이드 튜브(30)를 통하여 두께인식유닛(11)에 전달되어 두께인식유닛(11)에 장착된 결정자와 진동자(12)에 의해 원하는 증착비를 실시간으로 모니터링하고 있으므로 셔터(40)가 오픈되어 곧바로 증착이 이루어져도 안정된 증착비를 얻을 수 있다.Even if the opening 23 of the linear evaporation source 22 is closed by the shutter 40 before the substrate is loaded, the evaporated material is transferred to the thickness recognition unit 11 through the guide tube 30 and thus the thickness recognition unit 11. Since the desired deposition rate is monitored in real time by the crystallizer and the vibrator 12 mounted on the shutter 40, a stable deposition rate can be obtained even if the shutter 40 is opened immediately.

또한, 가이드 튜브(30)는 두께인식유닛(11)과 수직을 이루고 있으므로 증발되는 물질은 가이드 튜브(30)를 통하여 두께인식유닛(11)에 수직으로 전달되므로 종래와 같이 비스듬하게 증착되어 인식도가 저하되는 문제를 해결할 수 있으며, 재현성을 갖는 증착이 이루어진다.In addition, since the guide tube 30 is perpendicular to the thickness recognition unit 11, since the evaporated material is transferred perpendicularly to the thickness recognition unit 11 through the guide tube 30, the guide tube 30 is deposited obliquely as in the prior art and thus the recognition degree is increased. The problem of deterioration can be solved, and deposition with reproducibility is performed.

원하는 증착 두께가 얻어지면, 셔터구동유닛(45)이 동작하여 셔터(40)는 닫히고 기판은 기판이송유닛에 의해 기판 언로딩 게이트밸브를 통하여 다음 공정으로 이송된다.When the desired deposition thickness is obtained, the shutter drive unit 45 is operated to close the shutter 40 and the substrate is transferred to the next process by the substrate transfer unit through the substrate unloading gate valve.

이때, 셔터(40)가 닫혀지더라도 두께인식유닛(11)은 가이드 튜브(30)를 통하여 전달되는 물질에 의하여 증착비를 계속 모니터링할 수 있다.In this case, even if the shutter 40 is closed, the thickness recognition unit 11 may continuously monitor the deposition ratio by the material transferred through the guide tube 30.

한편, 선택적으로 가이드 튜브(30) 내부에 물질이 증착되는 경우에는 외부에 설치된 열선을 이용하여 증발시킴으로써 증착된 물질을 제거할 수 있다.On the other hand, when the material is selectively deposited inside the guide tube 30, the deposited material may be removed by evaporation using a heating wire installed outside.

이 실시예에서는 하나의 선형 증발원(22)을 이용하여 한 가지 물질을 증착하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 2개 이상의 선형 증발원을 이용하여 각각 다른 물질을 동시에 증착하는 것도 가능하다. 즉, 각각의 선형 증발원에 대응하여 가이드 튜브(30)를 설치함으로써 각각의 선형 증발원으로부터 증발되는 물질의 증착비를 독립적으로 체크할 수 있다. 특히, 각각의 선형 증발원으로부터 증발되는 물질을 별개의 가이드 튜브에 의해 안내함으로써 크로스 증착되는 문제를 근본적으로 해결할 수 있다.In this embodiment, a case in which one material is deposited using one linear evaporation source 22 has been described as an example. However, it is also possible to simultaneously deposit different materials using two or more linear evaporation sources. That is, by installing the guide tube 30 corresponding to each linear evaporation source, it is possible to independently check the deposition ratio of the material evaporated from each linear evaporation source. In particular, the problem of cross deposition can be fundamentally solved by guiding the material evaporated from each linear evaporation source by a separate guide tube.

이러한 이점은 특히 도핑공정시에 정확한 도핑비를 확보할 수 있기 때문에 제조된 소자의 재현성을 확보하면서 성능을 극대화할 수 있다.This advantage can maximize the performance while ensuring the reproducibility of the manufactured device, especially since the accurate doping ratio can be secured during the doping process.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위내에서 당업자에 의해 적절하게 변경하거나 변형할 수 있다. 이와 같은 변경이나 변형은 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것은 당연하다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기한 실시예들에 국한되지 않으며, 이하에 서술되는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.Although the above has been described based on the preferred embodiment of the present invention, it can be appropriately changed or modified by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. It is natural that such changes or modifications fall within the scope of the present invention without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by the claims described below.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 여러 가지의 이점을 갖는다.As described above, the present invention has various advantages.

기본적으로 두께인식유닛을 기판과 선형 증발원 사이에 배치할 필요가 없기 때문에 기판과 선형 증발원 사이의 거리, 즉 증착거리를 최소화할 수 있기 때문에 물질 사용률을 극대화함으로서 제조원가를 줄일 수 있다.Basically, since the thickness recognition unit does not need to be disposed between the substrate and the linear evaporation source, the distance between the substrate and the linear evaporation source, that is, the deposition distance can be minimized.

또한, 두께인식유닛의 수정진동자에 전달되는 증착물질의 양을 조절할 수 있어 수정진동자의 수명을 연장할 수 있으며, 수정진동자의 교체에 따른 빈번한 생산 중지로 생산율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to adjust the amount of the deposition material delivered to the crystal oscillator of the thickness recognition unit can extend the life of the crystal oscillator, it is possible to prevent the production rate is reduced by frequent production stop due to replacement of the crystal oscillator.

더욱이, 수정진동자로 향하는 증착물질의 양이 적절하게 조절되면, 정확한 두께인식이 가능할 뿐만 아니라, 그 재현성 또한 향상되다.Moreover, when the amount of deposition material directed to the crystal oscillator is properly adjusted, not only accurate thickness recognition but also reproducibility is improved.

또한, 기판이 위치하지 않은 경우 셔터를 닫아서 챔버 내부 벽면의 오염을 감소시키는데 역할을 할 수 있으며, 셔터가 닫혀 있는 경우에도 두께인식유닛으로 가는 증착물질의 양은 변하지 않으므로, 증착되는 물질의 양을 계속적으로 조절할수 있어 오염을 감소시키는 장점이 있다.In addition, when the substrate is not located, the shutter may be closed to reduce contamination of the inner wall of the chamber, and even when the shutter is closed, the amount of deposition material going to the thickness recognition unit does not change, so that the amount of material deposited is continuously. Can be adjusted to have the advantage of reducing pollution.

또한, 복수개의 선형 증발원을 이용하여 복수의 물질을 동시에 증착하는 경우에도 다른 물질에 의한 크로스 증착을 근본적으로 방지할 수 있어 각 물질의 독립적인 두께제어가 가능해진다. 특히, 도핑공정에 적용함으로써 정확한 도핑비를 확보할 수 있어 제조된 소자의 재현성을 확보하면서 성능을 극대화할 수 있다.In addition, even when a plurality of materials are simultaneously deposited using a plurality of linear evaporation sources, cross deposition by other materials can be fundamentally prevented, thereby enabling independent thickness control of each material. In particular, by applying to the doping process can ensure an accurate doping ratio can maximize the performance while ensuring the reproducibility of the manufactured device.

Claims (9)

내부에 두께인식유닛이 설치되고, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버;An upper chamber in which a thickness recognition unit is installed and the substrate to be processed is transported and loaded; 상기 상부챔버와 독립적으로 구획되고, 선형 증발원이 설치된 하부챔버; 및A lower chamber partitioned independently from the upper chamber and provided with a linear evaporation source; And 상기 선형 증발원의 개구부와 상기 두께인식유닛이 연통되는 독립된 공간을 제공하여 상기 개구부를 통하여 증발되는 물질이 상기 독립된 공간을 통하여 상기 두께인식유닛에 도달하도록 하는 가이드 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.And a guide tube which provides an independent space in which the opening of the linear evaporation source and the thickness recognition unit communicate with each other so that the material evaporated through the opening reaches the thickness recognition unit through the independent space. Device. 제 1 항에 있어서, 상기 상부챔버와 하부챔버는 격벽으로 구획되며, 상기 가이드 튜브는 상기 격벽을 관통하며, 상기 격벽에 위치 및 각도가 조절 가능하게 고정되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The thin film manufacturing apparatus of claim 1, wherein the upper chamber and the lower chamber are partitioned into partitions, and the guide tube penetrates the partitions, and the position and angle of the guide tube are fixed to the partitions. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가이드 튜브는 상기 두께인식유닛에 수직으로 대향하여 상기 선형 증발원의 개구부로부터 증발되는 물질이 상기 두께인식유닛에 수직으로 증착하도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.According to claim 1 or 2, wherein the guide tube is a thin film manufacturing apparatus characterized in that the material is evaporated from the opening of the linear evaporation source is perpendicular to the thickness recognition unit is deposited vertically to the thickness recognition unit. . 제 1 항에 있어서, 상기 선형 증발원의 개구부의 개폐를 제어하기 위하여 상기 선형 증발원의 측면에 회전 가능하게 설치되는 셔터를 더 포함하며, 상기 셔터는 상기 개구부를 폐쇄할 때 상기 가이드 튜브의 단부를 막지 않도록 상기 가이드 튜브에 대응하는 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The method of claim 1, further comprising a shutter rotatably installed on the side of the linear evaporation source for controlling the opening and closing of the opening of the linear evaporation source, the shutter does not block the end of the guide tube when closing the opening. Thin film manufacturing apparatus, characterized in that the portion corresponding to the guide tube is removed so as not to. 제 1 항에 있어서, 상기 가이드 튜브 내에 증착되는 물질을 제거하기 위한 열처리를 수행하는 열선이 상기 가이드 튜브를 감싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The thin film manufacturing apparatus of claim 1, wherein a heating wire for performing heat treatment to remove the material deposited in the guide tube is installed to surround the guide tube. 제 1 항에 있어서, 상기 선형 증발원은 서로 다른 증착물질을 증발하도록 복수개로 설치되며, 상기 복수개의 선형 증발원 각각에 대응하여 가이드 튜브들이 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The thin film manufacturing apparatus of claim 1, wherein the linear evaporation source is provided in plural to evaporate different deposition materials, and guide tubes are installed corresponding to each of the plurality of linear evaporation sources. 제 1 항에 있어서, 상기 가이드 튜브의 길이 또는 직경을 조절하여 상기 두께인식유닛으로 전달되는 증착물질의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.According to claim 1, wherein the thin film manufacturing apparatus characterized in that by controlling the length or diameter of the guide tube to control the amount of deposition material delivered to the thickness recognition unit. 양측에 기판로딩 게이트밸브와 기판 언로딩 게이트밸브가 결합되고, 내부에 두께인식유닛이 설치되며, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버;An upper chamber in which both of the substrate loading gate valve and the substrate unloading gate valve are coupled to each other, a thickness recognition unit is installed therein, and the substrate to be processed is transferred and loaded; 상기 상부챔버와 격벽을 개재하여 독립적으로 구획되고, 선형 증발원이 설치된 하부챔버;A lower chamber partitioned independently through the upper chamber and the partition wall and provided with a linear evaporation source; 상기 선형 증발원의 개구부에 일단이 대향하고, 상기 두께인식유닛에 타단이 수직으로 대향하여 상기 선형 증발원의 개구부와 두께인식유닛이 연통되도록 하는 가이드 튜브; 및A guide tube having one end facing the opening of the linear evaporation source and the other end perpendicularly facing the thickness recognition unit such that the opening of the linear evaporation source and the thickness recognition unit communicate with each other; And 상기 선형 증발원의 개구부의 개폐를 제어하며, 상기 개구부를 폐쇄할 때 상기 개구부와 가이드 튜브가 연통되도록 상기 가이드 튜브의 타단을 막지 않게 상기 가이드 튜브에 대응하는 부분이 제거되는 셔터를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.And a shutter for controlling opening and closing of the opening of the linear evaporation source and removing a portion corresponding to the guide tube so as not to block the other end of the guide tube so that the opening and the guide tube communicate with each other when the opening is closed. Thin film manufacturing apparatus. 내부에 복수개의 두께인식유닛들이 설치되고, 처리될 기판이 이송되어 로딩되는 상부챔버;An upper chamber in which a plurality of thickness recognition units are installed and the substrate to be processed is transported and loaded; 상기 상부챔버와 독립적으로 구획되고, 복수개의 선형 증발원들이 설치된 하부챔버; 및A lower chamber partitioned independently from the upper chamber and provided with a plurality of linear evaporation sources; And 상기 선형 증발원들의 개구부들에 일단이 대향하고, 상기 두께인식유닛들에 타단이 대향하여 상기 선형 증발원들의 개구부들과 두께인식유닛들이 독립적으로 연통되도록 하는 복수개의 가이드 튜브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.A thin film comprising a plurality of guide tubes having one end facing the openings of the linear evaporation sources and the other end facing the thickness recognition units such that the openings and the thickness recognition units of the linear evaporation sources communicate independently. Manufacturing equipment.
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