KR20040083361A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040083361A KR20040083361A KR1020040016953A KR20040016953A KR20040083361A KR 20040083361 A KR20040083361 A KR 20040083361A KR 1020040016953 A KR1020040016953 A KR 1020040016953A KR 20040016953 A KR20040016953 A KR 20040016953A KR 20040083361 A KR20040083361 A KR 20040083361A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- storage capacitor
- pixel electrode
- pixel
- liquid crystal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Abstract
Description
본 발명은 대향하는 전극 간에 기판과 대략 평행한 방향으로 전압을 인가하여 표시를 실시하는 (횡방향 전계 방식) 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device in which a display is applied by applying a voltage in a direction substantially parallel to a substrate between opposite electrodes.
최근, 액정 표시 장치의 고시야각화를 위해서, 대향하여 배치된 화소 전극과 공통 전극 사이에서 절연성 기판과 대략 평행한 방향으로 전계를 인가하고, 액정을 배향하여 표시를 행하는 타입 (횡방향 전계 방식) 의 액정 표시 장치의 채용이 진행되고 있다. 해당 횡방향 전계 방식을 채용함으로써 시각 방향을 변화시켰을 때의 콘트라스트의 변화, 및 계조 레벨의 반전이 거의 없어지는 것이 명확해지고 있다. 그러나, 종래의 횡방향 전계 방식의 액정 표시 장치에서는, 1 화소내에서 화소 전극과 접속되고, 축적 용량 전극과 절연막을 사이에 두고 축적 용량을 형성하기 위해 형성되는 축적 용량 형성용 패턴에서 상기 축적 용량 형성용 패턴에는 화소 전극으로 형성되는 하나의 전위 공급 경로만으로 전위가 공급되고 있었다.Recently, in order to achieve high viewing angle of a liquid crystal display device, an electric field is applied in a direction substantially parallel to an insulating substrate between a pixel electrode and a common electrode arranged to face each other, and a liquid crystal is oriented to display (lateral electric field system). Adoption of the liquid crystal display device is advanced. By adopting the lateral electric field system, it becomes clear that the change in contrast and the inversion of the gradation level when the viewing direction is changed are almost eliminated. However, in the liquid crystal display device of the conventional lateral electric field system, the storage capacitor is connected to the pixel electrode in one pixel and formed in the storage capacitor formation pattern formed to form the storage capacitor with the storage capacitor electrode and the insulating film interposed therebetween. The potential was supplied to the formation pattern only through one potential supply path formed of the pixel electrode.
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2000-131714호 공보 (도 1)[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-131714 (Fig. 1)
[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 2001-33814호 (도 1)[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-33814 (FIG. 1)
그러나, 상기 특허문헌 1 에 따른 종래기술에 있어서는, 1 이상의 화소 내에 형성된 화소 전극과 축적 용량 형성용 패턴에서 하나의 전위 공급 경로만을 갖고 있고, 화소 전극과 드레인 전극의 접속부로부터 화소 전극과 축적 용량 형성용 패턴의 접속부까지의 화소 전극의 배선이 제조공정중에 이물 등의 발생에 의해 단선된 경우, 해당 축적 용량 형성용 패턴에 전위가 공급되지 않으므로 원하는 축적 용량을 형성하는 것이 불가능하게 되며, 그 결과 화면의 깜빡임 등의 불량이 발생되는 문제점이 있었다.However, in the prior art according to Patent Document 1, only one potential supply path is provided in the pixel electrode and the storage capacitor formation pattern formed in one or more pixels, and the pixel electrode and the storage capacitor are formed from the connection portion of the pixel electrode and the drain electrode. If the wiring of the pixel electrode to the connection portion of the pattern is disconnected due to the generation of foreign matter or the like during the manufacturing process, it is impossible to form a desired storage capacitor because no potential is supplied to the storage capacitor formation pattern. There was a problem that a defect such as blinking occurs.
한편, 상기 특허문헌 2 에 대한 종래기술에 있어서는, 화소 전극과 축적 용량 형성용 패턴이 동일층의 도전막으로 형성되는 예에 대해 개시되어 있지만, 이 구성에 있어서도 1 이상의 화소 내에 형성된 화소 전극과 축적 용량 형성용 패턴 (해당 공보에 있어서는 축적 용량부) 에 있어서, 하나의 전위 공급 경로만을 갖고 있으며, 화소 전극과 드레인 전극의 접속부로부터 화소 전극과 축적 용량 형성용 패턴 (축적 용량부) 의 접속부까지의 화소 전극의 배선에 있어서, 제조공정 중의 이물 등의 발생에 의해 단선된 경우, 해당 축적 용량 형성용 패턴에는 전위가 공급되지 않아, 원하는 축적 용량을 형성하는 것이 불가능해지며, 그 결과 화면의 깜빡임 등의 불량을 발생시킨다는 문제점이 있었다.On the other hand, in the prior art of the said patent document 2, although the example in which the pixel electrode and the storage capacitance formation pattern are formed with the same conductive film is disclosed, the pixel electrode formed in one or more pixels also accumulate | stores in this structure. In the capacitance formation pattern (accumulation capacitor portion in this publication), only one potential supply path is provided, and the connection portion between the pixel electrode and the drain electrode is connected to the pixel electrode and the accumulation capacitor formation pattern (accumulation capacitor portion). In the wiring of the pixel electrode, when disconnected due to the generation of foreign matter or the like in the manufacturing process, no potential is supplied to the pattern for forming the capacitance, which makes it impossible to form a desired accumulation capacitance, resulting in flickering of the screen, and the like. There was a problem of causing a defect.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 화소 전극의 단선이 생긴 경우에도, 축적 용량 형성용 패턴에 전위를 공급 가능하게 하고, 원하는축적 용량을 형성함으로써 표시 품위가 높은 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem. The present invention provides a liquid crystal display device having a high display quality by enabling a potential to be supplied to a storage capacitor formation pattern and forming a desired storage capacitor even when a disconnection of the pixel electrode occurs. For the purpose of
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에서의 액정 표시 장치의 대략 1 화소의 평면도.1 is a plan view of approximately one pixel of a liquid crystal display device in the first embodiment of the present invention.
도 2 는 도 1 에서의 A-A 부 내지 D-D 부의 각 부분에서의 제조공정을 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process in each part of an A-A part to a D-D part in FIG. 1. FIG.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 주사선 2 : 영상신호선1: scanning line 2: video signal line
3 : 축적 용량 전극 4 : 화소 전극3: storage capacitor electrode 4: pixel electrode
5 : 공통 전극5: common electrode
6 : 화소 전극 (4) 과 축적 용량 형성용 패턴 (12) 을 접속하는 콘택트홀6: contact hole for connecting pixel electrode 4 and storage capacitor formation pattern 12
7 : 공통 전극 (5) 과 축적 용량 전극 (3) 을 접속하는 콘택트홀7: contact hole for connecting common electrode 5 and storage capacitor electrode 3
8 : 화소 전극 (4) 과 드레인 전극 (11) 을 접속하는 콘택트홀8: contact hole for connecting pixel electrode 4 and drain electrode 11
9 : 박막 트랜지스터 10 : 소오스 전극9 thin film transistor 10 source electrode
11 : 드레인 전극 12 : 축적 용량 형성용 패턴11 drain electrode 12 pattern for forming storage capacitor
13 : 화소 전극 (4) 에서의 축적 용량 형성용 패턴 (12) 에 대한 제 1 전위 공급 경로13: First potential supply path to storage capacitor formation pattern 12 in pixel electrode 4
14 : 화소 전극 (4) 에서의 축적 용량 형성용 패턴 (12) 에 대한 제 2 전위공급 경로14: second potential supply path to storage capacitor formation pattern 12 in pixel electrode 4
15 : 절연성 기판 16 : 게이트 절연막15 insulating substrate 16 gate insulating film
17 : 반도체막 18 : 콘택트막17 semiconductor film 18 contact film
19 : 절연막19: insulating film
본 발명에 관한 액정 표시 장치는, 절연성 기판상에 형성된 복수의 화소와 상기 복수의 화소 중 1 이상의 화소 내에 형성된 화소 전극, 상기 복수의 화소 중 1 이상의 화소 내에 형성되면서 상기 화소 전극과 대향하여 배치된 공통 전극, 상기 공통 전극과 접속된 축적 용량 전극, 상기 축적 용량 전극과 대략 평행하게 형성된 주사선, 상기 주사선과 절연막을 사이에 두고 교차하고 상기 화소 전극에 신호를 공급하는 영상 신호선, 상기 절연성 기판과 액정을 통하여 대향하는 대향 기판, 및 상기 축적 용량 전극과 상기 절연막을 사이에 두고 축적 용량을 형성하기 위해 배치되면서 상기 화소 전극과 접속되는 축적 용량 형성용 패턴을 구비하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에서 상기 절연성 기판과 대략 평행한 방향으로 전계를 인가시키며, 상기 액정을 배향하여 표시를 실시하는 액정 표시 장치로서, 상기 화소 전극은 상기 축적 용량 형성용 패턴으로의 2 이상의 전위 공급 경로를 갖는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to the present invention includes a plurality of pixels formed on an insulating substrate, a pixel electrode formed in at least one of the plurality of pixels, and a pixel electrode formed in at least one of the plurality of pixels and disposed to face the pixel electrode. A common electrode, a storage capacitor electrode connected to the common electrode, a scan line formed substantially parallel to the storage capacitor electrode, an image signal line intersecting the scan line and the insulating film therebetween, and supplying a signal to the pixel electrode, the insulating substrate and the liquid crystal An opposing substrate opposed through the substrate; and a storage capacitor formation pattern connected to the pixel electrode while being disposed to form a storage capacitor with the storage capacitor electrode and the insulating film interposed therebetween, between the pixel electrode and the common electrode. Applying an electric field in a direction substantially parallel to the insulating substrate, A liquid crystal display device which displays by aligning a liquid crystal, wherein the pixel electrode has two or more potential supply paths to the storage capacitor formation pattern.
발명의 실시형태Embodiment of the invention
실시형태 1Embodiment 1
본 발명의 제 1 실시형태를 도 1 내지 도 2 에 의해 설명한다. 도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에서의 액정 표시 장치의 대략 1 화소의 평면도이고, 도 2 는 도 1 의 A-A 부 내지 D-D 부의 각 부분에서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.A first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 is a plan view of approximately one pixel of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the manufacturing process in each part of the A-A part to the D-D part of FIG.
본 발명에 관한 액정 표시 장치를 도 2 의 제조공정도를 참조하면서 도 1 에 의해 설명한다. 우선, 도 2a 에 나타낸 바와 같이, 절연성 기판 (15) 상에 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 그들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 이들의 다층막 등을 스퍼터법이나 증착법 등에 의해 막형성하고, 사진 제판·가공에 의해 박막 트랜지스터 (9) 의 게이트 전극을 포함하는 주사선 (1) 과 상기 주사선 (1) 과 대략 평행하게 배치된 축적 용량 전극 (3) 을 형성한다. 여기에서, 축적 용량 전극 (3) 은 1 화소에서의 후술하는 영상 신호선 (2) 의 배선 방향의 대략 중앙부에 배치되어 있다. 이 축적 용량 전극의 배치로 함으로써, 주사선 (1) 과 축적 용량 전극 (3) 의 단락을 방지하는 것이 가능하게 된다. 다음으로, 도 2b 에 나타내는 바와 같이, 질화규소 등으로 이루어지는 게이트 절연막 (16) 을 형성하고, 다시 비정질 Si 또는 다결정 Si 로 이루어지는 반도체막 (17), n 형 TFT 의 경우는 P 등의 불순물을 고농도로 도핑한 n + 비정질 Si 또는 n + 다결정 Si 등으로 이루어지는 콘택트막 (18) 을 연속적으로 예컨대, 플라즈마 CVD, 상압 CVD, 감압 CVD 법으로 막형성한다. 그 후, 반도체막 (17) 및 콘택트막 (18) 을 필요한 영역에 섬형상으로 패터닝한다.The liquid crystal display device which concerns on this invention is demonstrated by FIG. 1, referring the manufacturing process drawing of FIG. First, as shown in FIG. 2A, the insulating substrate 15 has light transmittance such as Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, an alloy containing them as a main component, or ITO. A conductive film or a multilayer film thereof is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, and is substantially parallel to the scanning line 1 and the scanning line 1 including the gate electrode of the thin film transistor 9 by photolithography and processing. The storage capacitor electrode 3 arranged is formed. Here, the storage capacitor electrode 3 is disposed at substantially the center of the wiring direction of the video signal line 2 described later in one pixel. By arranging this storage capacitor electrode, it becomes possible to prevent a short circuit between the scanning line 1 and the storage capacitor electrode 3. Next, as shown in FIG. 2B, the gate insulating film 16 made of silicon nitride or the like is formed, and in the case of the semiconductor film 17 made of amorphous Si or polycrystalline Si, and the n-type TFT, impurities such as P are highly concentrated. A contact film 18 made of doped n + amorphous Si or n + polycrystalline Si or the like is successively formed by, for example, plasma CVD, atmospheric CVD, and reduced pressure CVD. Thereafter, the semiconductor film 17 and the contact film 18 are patterned in island shapes in the required region.
다음에, 도 2c 에 나타내는 바와 같이 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 그들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 이들의 다층막 등을 스퍼터법이나 증착법으로 막형성한 후, 사진 제판과 미세 가공 기술에 의해 영상 신호선 (2), 소오스 전극 (10), 드레인 전극 (11), 유지 용량 형성용 패턴 (12) 등을 형성한다. 여기에서, 축적 용량 형성용 패턴 (12)은 1 화소에서의 영상 신호선 (2) 의 배선 방향의 대략 중앙부에서 축적 용량 전극 (3) 과 겹쳐지도록 배치되어 있고, 유지 용량은 도 1 및 도 2 에 나타난 바와 같이, 축적 용량 전극 (3) 과 게이트 절연막 (16) 을 사이에 두고 배치되는 축적 용량 형성용 패턴 (12) 사이에 형성된다. 또한, 소오스 전극 (10) 및 드레인 전극 (11) 혹은 그들을 형성한 포토레지스트를 마스크로 하여 콘택트막 (18) 을 에칭하고, 박막 트랜지스터 (9) 의 채널 영역에서 콘택트막 (18) 을 제거한다.Next, as shown in FIG. 2C, a conductive film having light transmissivity, such as Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, an alloy containing them as a main component, or ITO, or a multilayer film thereof After the film is formed by the sputtering method or the vapor deposition method, the image signal line 2, the source electrode 10, the drain electrode 11, the storage capacitor formation pattern 12, and the like are formed by photolithography and microfabrication techniques. . Here, the storage capacitor formation pattern 12 is disposed so as to overlap with the storage capacitor electrode 3 at a substantially central portion in the wiring direction of the video signal line 2 in one pixel, and the storage capacitor is shown in FIGS. 1 and 2. As shown, it is formed between the storage capacitor formation pattern 12 disposed with the storage capacitor electrode 3 and the gate insulating film 16 interposed therebetween. In addition, the contact film 18 is etched using the source electrode 10 and the drain electrode 11 or the photoresist formed thereon as a mask, and the contact film 18 is removed from the channel region of the thin film transistor 9.
다음으로, 도 2d 에 나타낸 바와 같이, 질화규소나 산화규소, 무기 절연막 또는 유기 수지 등으로 이루어지는 절연막 (19) 을 막형성한다. 그 후 사진제판과 후속 공정인 에칭에 의해 콘택트홀 (6, 7, 8) 을 형성한다. 여기에서, 콘택트홀 (6) 은 화소 전극 (4) 과 축적 용량 형성용 패턴 (12) 을 접속하는 콘택트홀, 콘택트홀 (7) 은 공통 전극 (5) 과 축적 용량 전극 (3) 을 접속하는 콘택트홀, 콘택트홀 (8) 은 화소 전극 (4) 과 드레인 전극 (11) 을 접속하는 콘택트홀을 나타낸다. 한편, 화소 전극 (4) 과 축적 용량 형성용 패턴 (12) 을 접속하는 콘택트홀 (6) 은 축적 용량 형성용 패턴 (12) 이 형성된 영역에 있어서 2 곳에 형성된다. 따라서, 상기 2 개의 콘택트홀을 통하여 화소 전극 (4) 과 축적 용량 형성용 패턴 (12) 이 접속된다. 상기 게이트 전극, 소오스 전극 (10), 드레인 전극 (11), 게이트 절연막 (16), 반도체막 (17), 콘택트막 (18) 등에 의해 절연성 기판 (15) 상에 박막 트랜지스터 (9) 가 형성된다.Next, as shown in Fig. 2D, an insulating film 19 made of silicon nitride, silicon oxide, an inorganic insulating film, an organic resin, or the like is formed into a film. Thereafter, contact holes 6, 7, 8 are formed by photolithography and etching which is a subsequent process. Here, the contact hole 6 connects the pixel electrode 4 and the storage capacitor formation pattern 12 to the contact hole, and the contact hole 7 connects the common electrode 5 and the storage capacitor electrode 3 to each other. The contact hole and the contact hole 8 represent a contact hole connecting the pixel electrode 4 and the drain electrode 11. On the other hand, the contact hole 6 which connects the pixel electrode 4 and the storage capacitor formation pattern 12 is formed in two places in the area | region in which the storage capacitor formation pattern 12 was formed. Therefore, the pixel electrode 4 and the storage capacitor formation pattern 12 are connected through the two contact holes. The thin film transistor 9 is formed on the insulating substrate 15 by the gate electrode, the source electrode 10, the drain electrode 11, the gate insulating film 16, the semiconductor film 17, the contact film 18, or the like. .
마지막으로, 도 2e 에 나타낸 바와 같이, Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 그들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 그들의 다층막 등을 막형성한 후, 패터닝함으로써 화소 전극 (4), 공통 전극 (5) 을 형성한다. 여기에서, 화소 전극 (4) 을 형성할 때 드레인 전극 (11) 으로부터 화소 전극 (4) 을 통하여 축적 용량 형성용 패턴 (12) 에 전위가 공급될 때에, 그 전위 공급 경로를 복수 (도 1 에서는 2 개) 로 하기 위해, 화소 전극 (4) 을 축적 용량 형성용 패턴 (12) 에 대한 제 1 전위 공급 경로 (13) 와 제 2 전위 공급 경로 (14) 로 분할하여, 축적 용량 형성용 패턴 (12) 에 전위를 공급할 수 있는 구성으로 한다. 따라서, 상기 두 개의 전위 공급 경로 (13, 14) 는 화소 전극 (4) 과 드레인 전극 (11) 의 접속부로부터, 상기 축적 용량 형성용 패턴 (12) 과 화소 전극 (4) 의 접속부 사이에 형성되어 있다. 또한, 화소 전극 (4) 과 공통 전극 (5) 을 대향하여 배치함으로써, 상기 절연성 기판 (15) 과 대략 평행한 방향으로 전계를 인가 가능한 구성으로 한다. 한편, 도 1 및 도 2 에 있어서는, 화소 전극 (4) 및 공통 전극 (5) 은 제조공정의 간략화를 위해 동일층의 도전막으로 형성되어 있다.Finally, as shown in Fig. 2E, a conductive film having light transmissivity, such as Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, an alloy containing them as a main component, or ITO, or a multilayer film thereof. After the film is formed, the pixel electrode 4 and the common electrode 5 are formed by patterning. Here, when the potential is supplied from the drain electrode 11 to the storage capacitor formation pattern 12 through the pixel electrode 4 when the pixel electrode 4 is formed, a plurality of potential supply paths are formed (in FIG. 1). 2), the pixel electrode 4 is divided into a first potential supply path 13 and a second potential supply path 14 to the storage capacitor formation pattern 12, thereby forming a storage capacitor formation pattern ( 12) The potential can be supplied to the structure. Therefore, the two potential supply paths 13 and 14 are formed between the connection portion of the storage capacitor formation pattern 12 and the pixel electrode 4 from the connection portion of the pixel electrode 4 and the drain electrode 11. have. In addition, the pixel electrode 4 and the common electrode 5 are disposed to face each other so that an electric field can be applied in a direction substantially parallel to the insulating substrate 15. In addition, in FIG. 1 and FIG. 2, the pixel electrode 4 and the common electrode 5 are formed with the conductive film of the same layer for the simplification of a manufacturing process.
상기와 같이 형성된 절연성 기판에 도시하지 않는 대향 기판을 액정을 통하여 대향하게 배치함으로써 액정 표시 장치를 제조한다.A liquid crystal display device is manufactured by disposing an opposing substrate (not shown) on the insulating substrate formed as described above via a liquid crystal.
이상 설명한 바와 같이, 화소내의 축적 용량 형성용 패턴에 대한 전위 공급 경로를 둘 이상 형성함으로써, 어느 한 전위 공급 경로가 제조공정 중의 이물 등에 의해 단선된 경우라도 축적 용량 형성용 패턴으로 전위를 공급 가능하게 되고, 원하는 축적 용량을 형성하여 표시 품위가 높은 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.As described above, by forming two or more potential supply paths for the storage capacitor formation pattern in the pixel, even when any one of the potential supply paths is disconnected by foreign matter or the like in the manufacturing process, the potential can be supplied to the storage capacitor formation pattern. As a result, a desired storage capacitor can be formed to obtain a liquid crystal display device with high display quality.
한편, 본 실시형태에 있어서는, 드레인 전극으로부터 축적 용량 형성용 패턴에 대한 전위 공급 경로를 2 개 형성한 경우에 대해서 설명을 하고 있지만, 여기에 한정되지 않고 3 개 또는 4 개 등의 복수라도 동일한 효과를 나타내는 것은 자명한 것이다. 또한, 본 실시형태에 있어서는 화소 전극과 공통 전극이 동일층의 도전막으로 형성되는 경우에 대해서 나타내고 있지만, 그에 한정되지 않고 상이한 도전막으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 축적 용량 형성용 패턴과 화소 전극이 동일층의 도전막으로 형성되고, 축적 용량 형성용 패턴과 화소 전극의 콘택트홀이 불필요해지는 경우도 있지만, 이 경우에도 축적 용량 형성용 패턴에 대한 전위 공급 경로를 복수 형성함으로써 동일한 효과를 나타낼 수 있다.In addition, in this embodiment, although the case where two potential supply path | routes to the storage capacitance formation pattern were formed from the drain electrode was demonstrated, it is not limited to this, Even if it is a plurality, such as three or four, the same effect is demonstrated. It is obvious that. In addition, in this embodiment, although the pixel electrode and the common electrode are formed from the same layer of conductive film, it is not limited to this, It can also form from a different conductive film. In this case, the storage capacitor formation pattern and the pixel electrode are formed of the same conductive film, and the contact holes of the storage capacitor formation pattern and the pixel electrode may be unnecessary. By forming a plurality of supply paths, the same effect can be obtained.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 도 1 에 나타난 바와 같이 축적 용량 전극으로부터 공통 전극에 대한 전위 공급 경로는 축적 용량 전극을 사이에 두고 1 화소내에서 상부와 하부에 하나씩 형성되어 있지만, 이들의 어느 한쪽 또는 양쪽이 단선된 경우, 1 화소내의 축적 용량 전극을 사이에 두는 상부 또는 하부의 공통 전극 혹은 상하부 양쪽의 공통 전극의 전위 공급이 충분하게 실시되지 않고, 또한 원하는 전위가 공급되지 않는 등의 문제를 일으키기 때문에, 상기 축적 용량 전극으로부터 공통 전극으로의 전위 공급 경로에 대해서도 축적 용량 전극을 사이에 두고 1 화소 내에서 상하로 두 개씩 형성하기 위해, 예컨대 도 1 에서의 X 의 영역 등에 축적 용량 전극 (3) 상에서 축적 용량 형성용 패턴 (12) 이 형성되지 않은 영역을 형성하고, 공통 전극과 축적 용량 전극의 콘택트홀 (7) 을 형성하는 구성으로 한다. 이러한 구성에 의해 축적 용량 전극으로부터 공통 전극으로의 전위 공급에 대해서도 안정적으로 실시하는 것이 가능해진다.In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the potential supply paths from the storage capacitor electrode to the common electrode are formed one by one in the upper and lower portions in one pixel with the storage capacitor electrode interposed therebetween. Alternatively, when both are disconnected, there is a problem that the potential supply of the upper or lower common electrode or the upper and lower common electrodes sandwiching the storage capacitor electrodes in one pixel is not sufficiently performed, and the desired potential is not supplied. Therefore, in order to form two storage capacitor electrodes up and down in one pixel with respect to the potential supply path from the storage capacitor electrode to the common electrode, for example, the storage capacitor electrode 3 may be formed in the region X in FIG. ) Forms a region where the accumulation capacitor formation pattern 12 is not formed, and It is set as the structure which forms the contact hole 7 of a positive electrode. This configuration makes it possible to stably perform potential supply from the storage capacitor electrode to the common electrode.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태의 층구성, 각 층의 적층 순서에 한정되지 않고, 축적 용량 형성용 패턴에 전위를 공급하는 화소 전극을 갖는 모든 액정 표시 장치에 적용 가능하다.In addition, this invention is not limited to the layer structure of the above-mentioned embodiment, and the lamination order of each layer, It is applicable to all the liquid crystal display devices which have a pixel electrode which supplies an electric potential to the pattern for accumulation capacitance formation.
본 발명에 따르면, 화소내의 축적 용량 형성용 패턴에 전위를 공급하는 화소 전극에 단선이 생긴 경우에도 원하는 축적 용량을 형성 가능하고 표시 품위가 높은 표시 장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, a desired storage capacitance can be formed and a display device having high display quality can be obtained even when disconnection occurs in the pixel electrode supplying a potential to the storage capacitance formation pattern in the pixel.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003078306A JP4316909B2 (en) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | Liquid crystal display |
JPJP-P-2003-00078306 | 2003-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040083361A true KR20040083361A (en) | 2004-10-01 |
KR100729983B1 KR100729983B1 (en) | 2007-06-20 |
Family
ID=32984864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040016953A KR100729983B1 (en) | 2003-03-20 | 2004-03-12 | Liquid crystal display device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7199851B2 (en) |
JP (1) | JP4316909B2 (en) |
KR (1) | KR100729983B1 (en) |
TW (1) | TWI266136B (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100998640B1 (en) * | 2003-12-23 | 2010-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and manufacturing method of the same |
KR20070000893A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Liquid crystal display apparatus of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof |
US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
US7697093B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-04-13 | Au Optronics Corp. | Array panel |
JP5246782B2 (en) | 2008-03-06 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | Liquid crystal device and electronic device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100251512B1 (en) * | 1997-07-12 | 2000-04-15 | 구본준 | In-plane switching mode lcd |
JP3661443B2 (en) | 1998-10-27 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | Active matrix liquid crystal display device |
JP2001033814A (en) | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal panel |
JP3993725B2 (en) * | 1999-12-16 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | Liquid crystal drive circuit, semiconductor integrated circuit, and liquid crystal panel |
JP3645184B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-05-11 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display device and defect correcting method thereof |
US6784965B2 (en) * | 2000-11-14 | 2004-08-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
JP3793915B2 (en) * | 2001-02-28 | 2006-07-05 | 株式会社日立製作所 | Liquid crystal display |
-
2003
- 2003-03-20 JP JP2003078306A patent/JP4316909B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-26 TW TW093104903A patent/TWI266136B/en not_active IP Right Cessation
- 2004-03-03 US US10/790,821 patent/US7199851B2/en active Active
- 2004-03-12 KR KR1020040016953A patent/KR100729983B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200420995A (en) | 2004-10-16 |
JP4316909B2 (en) | 2009-08-19 |
TWI266136B (en) | 2006-11-11 |
KR100729983B1 (en) | 2007-06-20 |
JP2004287030A (en) | 2004-10-14 |
US20040183976A1 (en) | 2004-09-23 |
US7199851B2 (en) | 2007-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080265254A1 (en) | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing same, and display device | |
US8350792B2 (en) | Display device | |
JP4385993B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
KR100735853B1 (en) | Tft array substrate, and liquid crystal display device using the same | |
US6831318B2 (en) | Thin film transistor array | |
JP2003307748A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
JP5384088B2 (en) | Display device | |
US6459464B1 (en) | Liquid crystal display device with reduced weighting trace defects | |
KR20090058099A (en) | Thin film transistor substrate | |
US20100245223A1 (en) | Active matrix substrate and liquid crystal display device | |
US6636279B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US7615782B2 (en) | Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel having sub-pixels | |
US20100271564A1 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display device having the substrate, and manufacturing method for the active matrix substrate | |
US10598993B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US6876404B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
KR100356113B1 (en) | Method of manufacturing a liquid crystal display | |
JP2009222798A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP3577625B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
KR100729983B1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2014002250A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same | |
US6356319B1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
KR20030095216A (en) | Liquid crystal display | |
JP2001330846A (en) | Liquid crystal display device | |
JP5236370B2 (en) | Manufacturing method of TFT substrate and TFT substrate | |
US20020085159A1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150518 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180517 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190515 Year of fee payment: 13 |