KR20040082170A - very precise cleaning apparatus using supercritical fluid with an improved structure - Google Patents

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KR20040082170A
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주식회사 씨에스 이엔지
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Abstract

PURPOSE: A superprecision cleaning apparatus using supercritical fluid having an improved structure is provided to perform uniformly and efficiently a cleaning process by improving a spraying structure and a structure of a sustain plate. CONSTITUTION: A cleaning fluid supply unit(10) stores and supplies one or more kinds of cleaning fluid. A heat exchanger(20) is used for mixing or cooling the one or more kinds of cleaning fluid. A high-pressure pump(30) is used for pressing the cleaning fluid to form the supercritical fluid. A reaction unit(40) cleans a target by using the supercritical fluid of the high-pressure pump. A processing unit processes the cleaning fluid of the reaction unit. The reaction unit includes a sustain plate for loading the target, a driver for rotating the sustain plate, and a sprayer for spraying the supercritical fluid.

Description

개선된 구조를 갖는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치{very precise cleaning apparatus using supercritical fluid with an improved structure}Very precise cleaning apparatus using supercritical fluid with an improved structure

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 피세정물의 표면에 잔류하는 미세 오염물질들을 제거하는 친환경적인 건식 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 공정 중 웨이퍼 등에 잔류하는 감광막 및/또는 잔류물을 보다 개선된 구조로써, 보다 정밀하게 제거할 수 있도록 구성되어진 초정밀 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an environmentally friendly dry cleaning apparatus that removes fine contaminants remaining on a surface of a target object by using a supercritical fluid. As a further improved structure, the present invention relates to an ultra-precision cleaning device configured to be removed more precisely.

일반적으로, 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되어지며, 이 중, 반도체공정에서 현재 가장 널리 사용되는 세정법은 습식세정이다.In general, cleaning is classified into wet cleaning and dry cleaning, and among these, the most widely used cleaning method in the semiconductor process is wet cleaning.

습식세정은 각각의 세정단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, SPM(H2SO4:H2O2), APM(NH4OH:H2O2:H2O), HPM(HCl:H2O2), HF, DHF 등의 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 피세정물에 잔류하는 오염물질을 제거한다.Wet cleaning is a method of continuously removing contaminants by using chemicals suitable for contaminants in each cleaning step. SPM (H 2 SO 4 : H 2 O 2 ), APM (NH 4 OH: H 2 O 2 Remove contaminants remaining in the object to clean by using a large amount of acid and alkaline solution such as: H 2 O), HPM (HCl: H 2 O 2 ), HF, DHF.

하지만, 이러한 습식세정은 다량의 초순수 및 화학약품을 사용함으로써 제품단가를 상승시키는 요인으로 작용함은 물론 세정 후 배출되는 폐수로 인해 환경오염을 야기시킨다는 문제점을 가지고 있었다.However, such wet cleaning has a problem of acting as a factor of raising the product cost by using a large amount of ultrapure water and chemicals, as well as causing environmental pollution due to wastewater discharged after cleaning.

이에 대해, 고압펌프에서 압축된 초임계유체를 반응기 내로 도입하여 피세정물에 대해 친환경적으로 정밀 세정을 할 수 있도록 구성된 정밀 세정장치가 개발되었다.In response to this, a precision cleaning device has been developed, which is configured to introduce supercritical fluid compressed by a high pressure pump into the reactor and to perform precise cleaning in an environmentally friendly manner.

이러한 종래의 세정장치는 고집적회로와 같이 정밀한 부분의 세정에까지 이용되고 있지만, 계면장력에 의해 고집적회로 등에 강하게 붙어 있는 미세구조의 오염물 제거에 있어서는 아직 한계를 가지고 있었다.Such a conventional cleaning apparatus is used to clean precise parts such as high integrated circuits, but there are still limitations in removing contaminants of microstructures strongly adhered to high integrated circuits by interfacial tension.

이에 대해, 본 발명자는 반도체 공정에 따른 세정공정에 있어서 종래 초임계 유체를 이용한 세정장치에 비해 보다 세정효율이 높은 세정장치를 개발하게 되었다.On the other hand, the present inventors have developed a cleaning device having a higher cleaning efficiency than the conventional cleaning device using a supercritical fluid in the cleaning process according to the semiconductor process.

본 발명은, 종래 세정장치의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 계면장력에 의해 고집적회로 등에 강하게 붙어 있는 미세구조의 오염물 제거에 매우 적합하도록 구성된 개선된 형태의 초정밀 세정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the conventional cleaning device, and an object of the present invention is to provide an improved type of ultra-precision cleaning device, which is very suitable for removing contaminants of a microstructure strongly adhered to a highly integrated circuit due to interfacial tension. It is done.

이러한 측면에서, 본 발명의 구체적인 목적은, 초임계 유체가 반응기 내에서 분무식으로 공급되고, 그 분무되는 초임계 유체에 의해, 피세정물이 균일하게 세정되어질 수 있도록, 피세정물을 유지한 채 회전가능한 유지판을 반응기 내측에 구비하여 이루어진 개선된 형태의 초정밀 세정장치를 제공하는 것이다.In this aspect, a specific object of the present invention is to maintain the to-be-cleaned object so that the supercritical fluid is sprayed in the reactor, and the sprayed supercritical fluid can be cleaned uniformly. It is to provide an improved type of ultra-precision cleaning device provided with a holding plate rotatable inside the reactor.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초정밀 세정장치를 전체적으로 도시한 회로도.1 is a circuit diagram showing an overall high precision cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1 세정장치의 열교환기를 도시한 단면도.FIG. 2 is a sectional view of a heat exchanger of FIG.

도 3은 도 1 세정장치의 반응기를 도시한 도면으로서, 구동부, 센서 및 압력계 등이 제걱된 채 도시된 분해사시도.3 is an exploded perspective view showing a reactor of the cleaning apparatus of FIG. 1, with a driving part, a sensor, a pressure gauge, and the like removed.

도 4a 및 도 4b는 각각 상기 반응기를 밀봉 전 상태 및 밀봉상태에서 각각 도시한 단면도.4A and 4B are cross-sectional views illustrating the reactor in a state before sealing and in a sealing state, respectively.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 초정밀 세정장치(1)는, 적어도 1 종의 세정유체를 저장 및 공급하는 세정유체 공급부(10)와; 상기 세정유체 공급부(10)로부터 흘러 온 세정유체를 혼합 및 냉각시키는 열교환기(20)와; 상기 열교환기로(20)부터 나온 세정유체를 초임계 상태로 가압하는 고압펌프(30)와; 상기 고압펌프(30)로부터 나온 초임계 유체를 이용하여 피세정물에 대한 세정이 이루어지는 반응기(40)와; 상기 반응기(40)에서 사용된 세정유체를 처리하는 수단을 포함하며, 상기 반응기(40)는, 상기 피세정물이 전체적으로 균일하게 세정되어질 수 있도록, 피세정물이 안착 유지되는 유지판(43)과, 그 유지판(43)을 회전시키는 구동부(5)와, 상기 유지판(43)에 유지된 피세정물에 상기 초임계 유체를 분무식으로 배출시키는 분무부(48)를 구비한 것을 특징으로 하다.In order to achieve the above object, the ultra-precision cleaning apparatus 1 according to the present invention includes a cleaning fluid supply unit 10 for storing and supplying at least one cleaning fluid; A heat exchanger (20) for mixing and cooling the cleaning fluid flowing from the cleaning fluid supply unit (10); A high pressure pump 30 for pressurizing the cleaning fluid from the heat exchanger 20 in a supercritical state; A reactor 40 for cleaning the object to be cleaned using the supercritical fluid from the high pressure pump 30; Means for treating the cleaning fluid used in the reactor 40, the reactor 40, the holding plate 43, the object to be cleaned is placed and held so that the object to be cleaned is uniformly cleaned as a whole And a driving unit 5 for rotating the holding plate 43 and a spraying unit 48 for spraying the supercritical fluid to the object to be cleaned held by the holding plate 43. Do it.

이때, 상기 반응기(40) 내에서 상기 유지판(43)에서 유지되는 상기 피세정물은 원형의 웨이퍼인 것이 바람직하며, 상기 피세정물에 대해 초임계유체를 분무하는 분무부(48)는 일정한 간격으로 형성된 다수의 분무공(48a)을 표면에 갖는 링형 분무부인 것이 바람직하다.In this case, the to-be-cleaned object maintained in the holding plate 43 in the reactor 40 is preferably a circular wafer, and the spray unit 48 for spraying supercritical fluid to the to-be-cleaned object is constant. It is preferable that it is a ring spray part which has the surface of many spray holes 48a formed in the space | interval.

또한, 상기 링형 분무부(48)는 상기 반응기(40)의 내측에서 상기 유지판(43)의 둘레를 둘러싸는 형태로 설치되어진 것 것이 바람직하다.In addition, the ring-shaped spraying unit 48 is preferably installed in a form surrounding the circumference of the holding plate 43 in the inner side of the reactor 40.

그리고, 상기 반응기(40)는, 세정이 이루어지는 오목형의 세정공간(42a)을 하부에 갖춘 프레임(42)과, 상기 세정공간(42a) 내측에서 상기 구동부(5)에 의해 회전가능하게 설치된 유지판(43)과, 상기 세정공간(42a)의 상단 외주연에서 상기 프레임(42)의 실링시트(42b)에 설치되어 상기 웨이퍼 유지판(43)의 둘레를 둘러싸는 형태로 배치된 씰링(44)과, 상기 프레임(42) 상단의 유압실린더(45)에 의해 하강하여 상기 씰링(44)을 가압함으로써, 상기 유지판(43)의 주변을 밀봉시키는 밀봉뚜껑(46)을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the reactor 40 includes a frame 42 having a concave cleaning space 42a at the bottom of which the cleaning is performed, and a holding rotatably installed by the drive unit 5 inside the cleaning space 42a. Sealing 44 disposed on the plate 43 and the sealing sheet 42b of the frame 42 at the outer circumference of the upper end of the cleaning space 42a and arranged around the wafer holding plate 43. ) And a sealing lid 46 which seals the periphery of the holding plate 43 by lowering by the hydraulic cylinder 45 at the top of the frame 42 to press the sealing 44. .

그리고, 상기 프레임(42)은 상기 피세정물을 장입시키기 위한 관통형의 장입부(42c)를 측벽에 구비하되, 상기의 밀봉뚜껑(46)은 상기 장입부(42c)를 통해 들어오는 피세정물을 받아 유지시킬 수 있는 복수의 "ㄴ"자형 로딩핀(46c)을 저면에 일체로 구비하며, 상기 유지판(43)은 상기 로딩핀들(46c)이 유지판(43)을 지나 하강되는 것을 허용하는 홈들(43c)을 가장자리 부근에 구비하며, 상기 로딩핀(46c)이 하강되면서 상기 유지판(43) 위에 얹혀진 피세정물을 상기 유지판(43) 상에서 유지시키기 위해, 상기 유지판(43)은 외주부에서 위쪽으로 돌출형성되어 있는 그립부(43a)를 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the frame 42 has a through-shaped charging portion 42c for charging the object to be cleaned on the side wall, and the sealing lid 46 comes through the charging portion 42c. A plurality of " b " shaped loading pins 46c capable of receiving and holding the bottom surface are integrally provided, and the holding plate 43 allows the loading pins 46c to be lowered past the holding plate 43. Grooves (43c) to the vicinity of the edge, the holding plate (43) to hold the object to be cleaned on the holding plate 43, the load pin 46c is mounted on the holding plate 43 as the lowering; Preferably has a grip portion 43a protruding upward from the outer circumference.

덧붙혀, 상기 반응기(40)는, 세정 중 상기 밀봉뚜껑(46)이 들리는 것을 막기위해, 프레임(42)을 관통하여 닫혀진 밀봉뚜껑(46)을 위에서 지지하는 안전핀(47)을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 밀봉뚜껑(46)에는 복수의 가이드공(46a)이 마련되고, 상기 반응기(40)의 바닥에는 상기 가이드공(46a)을 통과하는 복수의 직립로드(46b)가 일체로 설치되어 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the reactor 40 further includes a safety pin 47 for supporting the sealing lid 46 closed through the frame 42 from above to prevent the sealing lid 46 from being lifted during cleaning. Preferably, the sealing lid 46 is provided with a plurality of guide holes 46a, the bottom of the reactor 40 is a plurality of upright rods 46b passing through the guide hole 46a is integrally installed It is preferable to make.

이제, 첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 바람직한 실시예가 상세하게 설명되어질 것이다.Referring now to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

본 실시예에 따른 초정밀 세정장치는 초임계 유체 상태의 이산화탄소를 주용매로 사용하여 피세정물에 대한 초정밀 세정을 수행하는데, 초임계 유체란 임계조건(이산화탄소의 경우, 임계온도:31℃, 임계압력 72.8기압) 이상에서 액체와 비슷한 용해능력과 기체와 비슷한 확산도 및 전도를 갖는 제 3 상태의 유체이다.The ultra-precision cleaning apparatus according to the present embodiment performs ultra-precision cleaning of the object to be cleaned using carbon dioxide in a supercritical fluid state as the main solvent. Pressure above 72.8 atmospheres), a fluid in a third state with a liquid-like dissolution capacity and a gas-like diffusion and conduction.

따라서, 상기의 초임계유체는 세정공정에 적용시 빠르게 미세 구조물 안으로 침투되어 그 곳에 함유되어 있는 유기 및 무기 오염물질들을 효과적으로 제거할 수 있다.Therefore, the supercritical fluid can quickly penetrate into the microstructure when applied to the cleaning process to effectively remove organic and inorganic contaminants contained therein.

또한, 본 실시예에 따른 초정밀 세정장치는, 이하 상세히 설명되는 바와 같이, 초임계 상태의 이산화탄소와 함께 보조용매를 적용함으로써 세정효과를 극대화시키도록 되어 있다.In addition, the ultra-precision cleaning apparatus according to the present embodiment is to maximize the cleaning effect by applying a co-solvent together with carbon dioxide in a supercritical state, as described in detail below.

도 1에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초정밀 세정장치가 전체적으로 도시되어 있다. 한편, 이하의 설명에서, 피세정물은 널리 알려진 웨이퍼가 이용되었다.Figure 1 shows an overall high precision cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. In the following description, a well-known wafer is used as the object to be cleaned.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 세정장치(1)는, 세정유체 공급부(10)와, 세정유체 공급부로부터 흘러 온 세정유체를 혼합 및 냉각시키는 열교환기(20)와, 그 열교환기로(20)부터 나온 세정유체를 초임계 상태로 가압하는 고압펌프(30)와, 고압펌프(30)로부터 나온 초임계 유체에 의해 웨이퍼에 대한 세정이 이루어지는 반응기(40)를 포함하며, 그 반응기(40)에서 세정을 마친 세정유체는, 재생필터(50)를 거친 후 복귀관로(2a)를 통해 세정유체 공급부(10)로 복귀되거나 외부로 배출되게 되어 있다.As shown in FIG. 1, the washing apparatus 1 according to the present embodiment includes a washing fluid supply unit 10, a heat exchanger 20 for mixing and cooling the washing fluid flowing from the washing fluid supply unit, and a heat exchanger thereof. A high pressure pump 30 for pressurizing the cleaning fluid from the furnace 20 to the supercritical state, and a reactor 40 for cleaning the wafer by the supercritical fluid from the high pressure pump 30. The cleaning fluid, which has been cleaned at 40, passes through the regeneration filter 50 and is returned to the cleaning fluid supply unit 10 through the return pipe 2a or discharged to the outside.

본 실시예에서, 세정유체 공급부(10)는, 주용매인 이산화탄소를 저장하는 주용매 저장소(11)와, 그 주용매를 냉각시키기 위한 냉각기(12)와, 냉각기(12)를 지난 주용매를 상기의 열교환기(20)까지 이송시키는 주용매 이송펌프(13)로 구성되어 있다.In the present embodiment, the cleaning fluid supply unit 10 includes a main solvent reservoir 11 for storing carbon dioxide as a main solvent, a cooler 12 for cooling the main solvent, and a main solvent past the cooler 12. It is comprised by the main solvent conveyance pump 13 which conveys to the said heat exchanger 20.

추가적으로, 본 실시예에 따른 세정유체 공급부(10)는, 보조용매 공급원(15)과, 그 공급원(15)의 보조용매를 상기의 열교환기(20)까지 정량적으로 이송시키기 위한 보조용매 정량 이송펌프(16a, 16b)를 더 포함하며, 그 보조용매 공급원(15)은 다른 두 가지의 보조용매가 저장된 두개의 저장소(15a, 15b)로 이루어져 있다.In addition, the cleaning fluid supply unit 10 according to the present embodiment, the co-solvent supply source 15 and the co-solvent metering transfer pump for quantitatively transferring the co-solvent of the supply source 15 to the heat exchanger 20 described above. (16a, 16b) further comprising a co-solvent source (15) consisting of two reservoirs (15a, 15b) storing two different co-solvents.

또한, 열교환기(20)는 관로(2)에 의해 상기 주용매 이송펌프(13) 및 보조용매 정량이송펌프(16a, 16b)에 연결되어 주용매 및 보조용매를 받아 혼합 및 냉각시키도록 구성되어 있다.In addition, the heat exchanger 20 is connected to the main solvent transfer pump 13 and the co-solvent metering pump (16a, 16b) by a pipe (2) is configured to receive and mix the main solvent and the co-solvent and to cool have.

본 명세서에서, 관로(2)는 본 실시예에 따른 세정장치(1)의 구성요소들을 연결하는 파이프관을 통칭하는 것이지만, 사용된 세정유체를 복귀 및 배출시키는 관로는 각각 복귀관로(2a) 및 배출관로(2b)로써 별도로 설명되어진다.In the present specification, the conduit 2 generally refers to a pipe conduit connecting the components of the washing apparatus 1 according to the present embodiment, but the conduits for returning and discharging the used washing fluid are respectively the return conduit 2a and It is described separately as the discharge line 2b.

본 실시예에서, 상기 열교환기(20)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 주용매 및 보조용매를 보다 효과적으로 혼합할 수 있도록 마그네틱 씰 형태의 스크러버(22)를 구비하며, 열교환기 내부에 설치된 냉각라인(24)에 의해 혼합유체를 보다 효과적으로 냉각시키게 되어 있다. 이 때, 상기의 냉각라인(24) 및 앞서 언급된 냉각기(12)는 칠러를 이용해 에스테르를 순환시키는 구성으로 되어 있다.In the present embodiment, the heat exchanger 20, as shown in Figure 2, has a magnetic seal-type scrubber 22 to more effectively mix the main solvent and the co-solvent, and inside the heat exchanger The installed cooling line 24 cools the mixed fluid more effectively. At this time, the cooling line 24 and the above-mentioned cooler 12 are configured to circulate the ester by using a chiller.

또한, 이 열교환기(20)는 자체 내의 압력 및 온도를 조절하기 위해 설치된 압력계(26) 및 온도센서(27)를 구비하고 있다.In addition, this heat exchanger 20 is provided with the pressure gauge 26 and the temperature sensor 27 which were installed in order to adjust the pressure and temperature in itself.

한편, 열교환기(20)에서 혼합 및 냉각된 세정유체는, 고압펌프(30)에 의해 초임계 상태로 된 채, 관로(2)를 통해 도 3에 도시된 구조의 반응기(40)로 들어간다.On the other hand, the washing fluid mixed and cooled in the heat exchanger 20 enters the reactor 40 having the structure shown in FIG. 3 through the conduit 2 while being in a supercritical state by the high pressure pump 30.

반응기(40)는, 초임계 유체에 의해 웨이퍼가 세정되는 부분으로서, 웨이퍼(w; 도 3 내지 도 4b 참조)가 안착 유지되는 유지판(43)을 회전시켜 웨이퍼의 세정효율을 극대화시킬 수 있는 구조로 되어 있다.The reactor 40 is a portion in which the wafer is cleaned by the supercritical fluid, and can rotate the holding plate 43 on which the wafer (w; see FIGS. 3 to 4b) is seated and held to maximize the cleaning efficiency of the wafer. It is structured.

도 3, 도 4a 및 도 4b는 상기 반응기(40)의 구조를 설명하기 위한 도면으로서, 도 3은 반응기의 분해사시도이고, 도 4a는 세정이 이루어지지 않은 열려진 상태의 반응기를 도시한 단면도이며, 도 4b는 세정을 위해, 이하 기술될 세정공간이 밀봉된 상태의 반응기(40)를 도시한 단면도이다.3, 4a and 4b is a view for explaining the structure of the reactor 40, Figure 3 is an exploded perspective view of the reactor, Figure 4a is a cross-sectional view showing the reactor in an open state without cleaning, 4B is a cross-sectional view of the reactor 40 in a sealed state for cleaning, which will be described later for cleaning.

도 3, 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기의 반응기(40)는 세정이 이루어지는 오목형의 세정공간(42a)을 하부에 갖춘 프레임(42)을 포함하며, 프레임 외측의 구동부(5; 도 3에는 미도시)에 의해 회전되는 웨이퍼 유지판(43)을 상기 프레임(40)에 회전가능하게 설치된 상태로 상기 세정공간(42a) 내에 구비하고 있다.As shown in Figs. 3, 4A and 4B, the reactor 40 includes a frame 42 having a concave cleaning space 42a at the bottom of which the cleaning is performed, and a driving part 5 outside the frame; 3 is provided with a wafer holding plate 43 rotated by the frame 40 in the cleaning space 42a while being rotatably installed in the frame 40.

또한, 상기 반응기(40)는 상기 세정공간의 상단 외주연에서 상기 프레임(42)의 실링시트(42b)에 설치되어, 상기 웨이퍼 유지판(43)을 둘러싸는 원형의 씰링(44)을 구비한다.In addition, the reactor 40 is provided on the sealing sheet 42b of the frame 42 at the outer periphery of the upper end of the cleaning space, and has a circular sealing 44 surrounding the wafer holding plate 43. .

이와 함께, 상기 반응기(40)는 그 씰링을 가압하여 웨이퍼 유지판(43)의 주변을 밀봉시키는 밀봉뚜껑(46)을 자체 상부에 구비하며, 본 실시예에서, 그 밀봉뚜껑(46)은 프레임(42) 상단의 유압실린더(45)에 의해 상기 씰링(44)을 가압하여 상기 유지판(43)의 주변을 선택적으로 밀봉시키도록 되어 있다.In addition, the reactor 40 has a sealing lid 46 on its own upper portion that pressurizes the sealing to seal the periphery of the wafer holding plate 43, and in this embodiment, the sealing lid 46 is a frame. (42) The sealing cylinder 44 is pressed by the hydraulic cylinder 45 at the upper end to selectively seal the periphery of the holding plate 43.

다시 말해, 그 밀봉뚜껑(46)은, 상기 유압실린더(45)의 실린더 로드(45a) 말단에 설치되어 상기의 씰링(44)과 선택적으로 맞물림 가능하고, 이 선택적인 맞물림은 웨이퍼 유지판(43) 주변의 세정공간(42a)을 세정에 적합한 공간으로 밀봉시키는 역할을 한다.In other words, the sealing lid 46 is provided at the end of the cylinder rod 45a of the hydraulic cylinder 45 to be selectively engaged with the sealing 44, and the selective engagement is a wafer holding plate 43. ) Serves to seal the surrounding cleaning space 42a into a space suitable for cleaning.

이 때, 밀봉뚜껑(46)에는 그 가장자리에 복수의 가이드공(46a; 도 3에만 도시)이 형성되고, 반응기(40)의 바닥에는 그 가이드공(46a)을 통과하는 복수의 직립로드(46b)가 설치되어, 밀봉뚜껑(46)의 움직임에 의한 밀봉력의 약화를 보다 강하게 막아준다.In this case, a plurality of guide holes 46a (only shown in FIG. 3) are formed at the edges of the sealing lid 46, and a plurality of upright rods 46b passing through the guide holes 46a are formed at the bottom of the reactor 40. ) Is installed to prevent the weakening of the sealing force caused by the movement of the sealing lid 46 more strongly.

덧붙혀, 본 실시예에 따른 반응기(40)는, 세정 중 밀봉뚜껑(46)이 들리는 것을 막기 위한 안전수단으로 반응기의 프레임(42)을 관통하여 닫혀진 밀봉뚜껑(46)을 위에서 지지하는 안전핀(47)을 더 포함한다.In addition, the reactor 40 according to the present embodiment is a safety pin for supporting the sealing lid 46 closed through the frame 42 of the reactor as a safety means for preventing the sealing lid 46 from being lifted during cleaning ( 47) further.

도 4에 도시된 바와 같이, 안전핀(47)은 프레임(42) 외부에서 사용자의 조작에 의해 프레임(42) 내측으로 깊게 삽입될 수 있도록 구성되어 있다.As shown in Figure 4, the safety pin 47 is configured to be inserted deep into the frame 42 by the user's operation from the outside of the frame 42.

한편, 상기의 반응기(40)는 외측으로부터 장입된 웨이퍼를 상기 유지판(43)에 자동으로 안착시킬 수 있는 구조로 되어 있으며, 이하에서는 반응기(40)에 구비된 웨이퍼의 자동 안착구조에 대한 설명이 이루어질 것이다.On the other hand, the reactor 40 is configured to automatically seat the wafer charged from the outside on the holding plate 43, the following description of the automatic seating structure of the wafer provided in the reactor 40 This will be done.

반응기(40)는 웨이퍼의 장입을 허용하는 관통형의 장입부(42c; 도 1 참조)를 프레임(42)의 측벽에 구비하며, 상기의 밀봉뚜껑(46)은 그 저면에 웨이퍼를 외부로부터 받아 유지시킬 있는 3개의 "ㄴ"자형 로딩핀(46c)을 일체로 구비하고 있다.The reactor 40 has a through-type charging portion 42c (see FIG. 1) allowing the loading of the wafer on the side wall of the frame 42, and the sealing lid 46 receives the wafer from the outside on its bottom surface. Three " b " shaped loading pins 46c that can be retained are integrally provided.

또한, 앞서 언급된 웨이퍼 유지판(43)은, 그 가장자리 부근에 상기 로딩핀들(46c)이 유지판(43)을 지나 하강되는 것을 허용하는 홈들(43c)을 구비하며, 그 로딩핀들(43c)이 상기의 홈들(43c)을 지나치는 것에 의해, 로딩핀(46c)에 유지되어 있던 웨이퍼는 상기의 웨이퍼 유지판(43)에 자동으로 안착되어지게 된다.In addition, the aforementioned wafer holding plate 43 has grooves 43c near the edge thereof to allow the loading pins 46c to be lowered past the holding plate 43, and the loading pins 43c. By passing these grooves 43c, the wafer held by the loading pin 46c is automatically seated on the wafer holding plate 43. As shown in FIG.

또한, 상기 웨이퍼 유지판(43)의 외주부에는 위쪽으로 돌출형성되어 유지판(43)의 회전에 따른 웨이퍼의 이탈을 방지하는 그립부(43a)가 마련되어 있다.In addition, a grip portion 43a is formed at an outer circumferential portion of the wafer holding plate 43 to protrude upward to prevent the wafer from being separated due to the rotation of the holding plate 43.

앞선 설명에서, 상기의 로딩핀(46c)이 "ㄴ"자형으로 되어 있어서, 그 로딩핀(46c)이 하강된 후, 유지판(43)의 회전에 간섭을 주지 않게 되는데, 이것은 도 3 내지 도 4b의 도시를 통해 당업자라면 충분히 이해할 수 있을 것이다.In the foregoing description, the loading pin 46c is "b" shaped so that after the loading pin 46c is lowered, it does not interfere with the rotation of the retaining plate 43, which is shown in FIGS. The illustration of 4b will be fully understood by those skilled in the art.

한편, 상기와 같이 유지판(43)에 자동으로 안착된 웨이퍼는, 앞서 언급한 열교환기(20) 및 고압펌프(30)를 거쳐 유입된 초임계 유체에 의해 세정되어지는데, 본 실시예에 따른 반응기(40)는 유지판(43)을 둘러싸는 형태의 링형 분무부(48)에의해 초임계 유체를 웨이퍼 상에 분무하도록 되어 있다.On the other hand, the wafer automatically seated on the holding plate 43 as described above, is cleaned by the supercritical fluid introduced through the heat exchanger 20 and the high-pressure pump 30 mentioned above, according to the present embodiment The reactor 40 is configured to spray the supercritical fluid onto the wafer by a ring sprayer 48 in a shape surrounding the holding plate 43.

그 분무부(48)는, 도 5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 균일한 크기 및 간격으로 형성되어 있는 다수의 분무공(48a)을 표면에 구비하여, 유지판 위에 놓인 웨이퍼를 열 쇼크나 세정상태의 불균형을 충분하게 막아줄 수 있다.The spraying unit 48 is provided with a plurality of spray holes 48a formed at a uniform size and spacing on the surface, as best shown in Fig. 5, to heat shock or clean the wafer placed on the holding plate. It can prevent enough imbalance of condition.

다시 도 1을 참조하면, 상기의 반응기(40)는 사용된 세정유체가 흐르는 관로(2)에 연결되어 있고, 그 관로(2)로부터 분기된 분기관로 중 하나는 재생필터(50)에 연결되고, 다른 하나는 배출관로(2b)를 이루게 된다.Referring back to FIG. 1, the reactor 40 is connected to a conduit 2 through which the used cleaning fluid flows, and one of the branch conduits branched from the conduit 2 is connected to the regeneration filter 50. And, the other one constitutes the discharge pipe (2b).

또한, 재생필터(50)는 사용된 재생유체로부터 오염물질을 분리하여 재생된 유체를 복귀관로(2a)를 통해 앞서 언급된 열교환기(20)로 보내며, 오염물질은 오염물질 배출로(2c)를 통해 외부로 배출한다.In addition, the regeneration filter 50 separates the contaminants from the used regeneration fluid and sends the regenerated fluid to the heat exchanger 20 mentioned above through the return pipe 2a, and the contaminants are discharged from the pollutant 2c. Discharge to the outside through.

이 때, 재생필터(50)는 자체 내의 압력 및 온도를 조절하기 위한 압력계(52) 및 온도센서(54)를 구비하고 있다.At this time, the regeneration filter 50 is provided with the pressure gauge 52 and the temperature sensor 54 for adjusting the pressure and temperature in itself.

이제, 앞선 설명 및 도면을 기초로 하여, 상기 세정장치의 작용에 대해 상세히 설명될 것이다.Now, on the basis of the foregoing description and drawings, the operation of the cleaning apparatus will be described in detail.

작업자가 도 1에 도시된 로딩 카세트부(5)에 세정할 웨이퍼를 담은 카세트를 안착시키면, 도 1의 이송로봇(6)이 카세트 최하단의 웨이퍼를 하나씩 떠서 정렬기(7)에 올려놓아 웨이퍼의 로딩방향을 결정 및 고정한다.When the worker seats the cassette containing the wafer to be cleaned in the loading cassette unit 5 shown in FIG. 1, the transfer robot 6 of FIG. 1 floats the wafer at the lowermost end of the cassette one by one and places the wafer on the sorter 7 Determine and fix the loading direction.

그 후, 웨이퍼 이송로봇(16)은 관통형의 장입부(42c)를 통해 로딩방향이 결정된 웨이퍼를 밀봉뚜껑(46)의 로딩핀(46c)에 올려놓는다.Thereafter, the wafer transfer robot 16 puts the wafer whose loading direction is determined on the loading pin 46c of the sealing lid 46 through the penetrating charging portion 42c.

웨이퍼가 로딩핀(46c)에 의해 유지된 것이 확인되면, 실린더(45)의 실린더로드(45a)가 하강하여, 밀봉뚜껑(46)에 의해 웨이퍼 유지판(43) 주위의 세정공간(42a)이 밀봉되게 되며, 이 때, 밀봉뚜껑(46)의 로딩핀(46c)은 웨이퍼 유지판(43)을 지나 하강하면서 웨이퍼를 유지판(43) 상에 바람직하게 안착시키는 역할을 한다(도 3, 도 4a 및 도 4b 참조)When it is confirmed that the wafer is held by the loading pin 46c, the cylinder rod 45a of the cylinder 45 is lowered, and the cleaning space 42a around the wafer holding plate 43 is opened by the sealing lid 46. At this time, the loading pin 46c of the sealing lid 46 serves to securely seat the wafer on the holding plate 43 while descending past the wafer holding plate 43 (FIG. 3, FIG. 4a and 4b)

웨이퍼의 안착이 완료되면, 반응기(40)의 안전핀(47)이 닫혀지고, 그 후 세정공정이 세정유체의 흐름을 통해 이루어지게 된다.When the mounting of the wafer is completed, the safety pin 47 of the reactor 40 is closed, and then the cleaning process is performed through the flow of the cleaning fluid.

먼저, 세정유체 공급부(10)의 주용매 이송펌프(13) 및 보조용매 정량 이송펌프(16a, 16b)는, 주용매 및 보조용매를 열교환기(20)로 보낸다.First, the main solvent transfer pump 13 and the cosolvent fixed quantity transfer pumps 16a and 16b of the cleaning fluid supply unit 10 send the main solvent and the cosolvent to the heat exchanger 20.

열교환기(20)로 들어온 주용매 및 보조용매는 상기 열교환기(20) 내에서 혼합 및 냉각되어진 후, 관로(2)를 통해 고압펌프(30)로 보내진다.The main solvent and the co-solvent introduced into the heat exchanger 20 are mixed and cooled in the heat exchanger 20 and then sent to the high pressure pump 30 through the conduit 2.

고압펌프(30)에서는 열교환기(20)에서 혼합된 세정유체가 필요한 압력까지 가압되어 초임계 상태로 변하게 되며, 이 때의 압력은 반응기 압력계(49a)에 의해 체크된다.In the high-pressure pump 30, the cleaning fluid mixed in the heat exchanger 20 is pressurized to the required pressure to change to a supercritical state, and the pressure at this time is checked by the reactor pressure gauge 49a.

한편, 고압펌프(30)로부터 나온 초임계 유체는 반응기(40)에 들어간 후 반응기(40) 내 링형 분무부(48)를 통해 분무되어 상기 웨이퍼에 대한 세정을 행한다.Meanwhile, the supercritical fluid from the high pressure pump 30 enters the reactor 40 and is sprayed through the ring spray unit 48 in the reactor 40 to clean the wafer.

이 때, 반응되는 초임계 유체의 온도는 반응기 온도센서(49b)에 의해 체크되는데, 그 온도는 반응기 상류측에 설치된 외부히터(49c; 도 1 참조) 및 반응기(40) 내부의 히터(미도시됨)에 의해 최대 200℃까지 조절되어질 수 있으며, 반응기 외부로 열이 발산되는 것은 반응기(40) 주변에 설치된 냉각라인(8)에 의해 저지된다. 이 때, 그 반응기(40) 주변의 냉각라인(8)은 반응기용 칠러를 이용하여 부동액을순환시키도록 되어 있다.At this time, the temperature of the supercritical fluid to be reacted is checked by the reactor temperature sensor 49b, the temperature of which is an external heater 49c (see FIG. 1) installed upstream of the reactor and a heater inside the reactor 40 (not shown). Up to 200 ° C., and heat dissipation outside the reactor is inhibited by a cooling line 8 installed around the reactor 40. At this time, the cooling line 8 around the reactor 40 is configured to circulate the antifreeze using the reactor chiller.

한편, 상기의 세정이 완료되면, 세정에 사용된 세정유체는 반응기(40)의 외부로 배출되어지게 되며, 다시, 유체공급부(10)로부터 순수 이산화탄소 및 솔벤트 첨가제를 받아 웨이퍼를 세척해주는 린스공정을 시작한다.On the other hand, when the cleaning is completed, the cleaning fluid used for cleaning is discharged to the outside of the reactor 40, again, the rinsing process to receive the pure carbon dioxide and solvent additives from the fluid supply unit 10 to clean the wafer To start.

이 때, 린스공정에 이용되는 유체도 반응기 내부의 링형 분무부(48)를 통해 이루어지게 되며, 그 링형 분무부(18)는 세정유체가 웨이퍼 표면에 균일하게 접촉하는 것을 가능하게 하여, 열의 불균형에 따른 웨이퍼의 열균열 및 세정상태의 불균형을 막아준다.At this time, the fluid used in the rinsing process is also made through the ring sprayer 48 inside the reactor, and the ring sprayer 18 allows the cleaning fluid to contact the wafer surface uniformly, resulting in heat imbalance. Prevents thermal cracking and uneven cleaning of the wafer.

린스공정까지 완료되면, 회전하던 웨이퍼 유지판(43)을 멈추며, 반응기(40)의 내부 압력은 대기압까지 퍼지된다.When the rinse process is completed, the rotating wafer holding plate 43 is stopped, and the internal pressure of the reactor 40 is purged to atmospheric pressure.

작업자는, 반응기(40) 내부의 기압이 대기압과 같음을 확인하면, 반응기(40) 안전핀(47)을 열고 실린더(45)를 이용해 반응기(40)의 밀봉뚜껑(46)을 열어준다.When the operator confirms that the air pressure in the reactor 40 is equal to atmospheric pressure, the operator opens the safety pin 47 of the reactor 40 and opens the sealing lid 46 of the reactor 40 using the cylinder 45.

이 때, 웨이퍼는 상기 밀봉뚜껑(46)에 달려있는 로딩핀(46c)에 의해 들어 올려진 후, 앞서 언급된 이송로봇(6)에 의해 빼내어진다.At this time, the wafer is lifted by the loading pin 46c, which hangs on the sealing lid 46, and then removed by the transfer robot 6 mentioned above.

한편, 반응기(40)로부터 배출된 세정유체는 재생필터(50)를 거쳐 복귀관로(2a)를 통해 복귀되기거나 배출관로(2b)를 통해 외부로 배출되어지게 된다.On the other hand, the cleaning fluid discharged from the reactor 40 is returned through the regeneration filter (2) through the return pipe (2a) or is discharged to the outside through the discharge pipe (2b).

덧붙혀, 본 실시예에 따른 세정장치(1)는 고압의 유체 사용에 의한 위험을 방지하기 위해 안전수단을 구비하고 있다.In addition, the cleaning device 1 according to the present embodiment is provided with safety means to prevent the danger caused by the use of a high pressure fluid.

즉, 상기 세정장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 열교환기(20),반응기(4) 및 재생필터(50)에 각각 설치된 열교환기용 릴리프(21), 반응기용 럽쳐(41) 및 필터용 릴리프(61)를 구비하여, 자체 내의 압력이 소정압력 이상이 되는 경우, 세정유체를 외부로 배출시키도록 되어 있다.That is, as shown in FIG. 1, the cleaning device 1 includes a heat exchanger relief 21 and a reactor lubricator 41 installed in the heat exchanger 20, the reactor 4, and the regeneration filter 50, respectively. And a filter relief 61, in which the cleaning fluid is discharged to the outside when the pressure inside the filter becomes equal to or higher than the predetermined pressure.

한편, 도 1에서 도면부호가 표시되어 있지 않은 개폐밸브, 체크밸브와 같은 밸브요소들 또는 압력계 등의 구성요소는 당업자에게 자명하거나 본 발명의 사상과 관련이 적어 본 명세서에서는 그 구체적인 설명이 생략되어졌다.On the other hand, valve elements such as on-off valves, check valves or components such as pressure gauges that are not indicated in Figure 1 are apparent to those skilled in the art or less relevant to the spirit of the present invention, the detailed description thereof is omitted herein. lost.

상술한 바와 같이, 본 발명은, 반응기 내에서의 초임계 유체의 분무구조 및 회전되는 유지판의 구조에 의해, 보다 균일하면서도 효율 높은 세정이 가능하며, 또한, 그 초임계 유체를 분무하는 분무기가 일정한 크기 및 간격을 갖는 다수의 분무공을 갖는 원형 링의 형태를 취하여, 종래 세정장치에서 열의 불균형에 따라 야기되던 열균열 및 세정상태의 불균형을 막아주는 효과를 가지며, 세정이 실질적으로 이루어지는 세정공간의 밀봉이 매우 확실하게 이루어질 수 있고, 덧붙혀, 피세정물의 장입으로부터 세정공간의 밀봉까지 자동식으로 이루어질 있는 효과를 갖는다.As described above, according to the present invention, the spray structure of the supercritical fluid in the reactor and the structure of the rotating holding plate enable more uniform and efficient cleaning, and the nebulizer for spraying the supercritical fluid It takes the form of a circular ring having a plurality of spray holes having a constant size and spacing, and has the effect of preventing the thermal crack and the imbalance of the cleaning state caused by the heat imbalance in the conventional cleaning device, the cleaning space is substantially clean The sealing of can be made very surely, and in addition, it has the effect of being made automatically from the loading of the to-be-cleaned object to the sealing of the cleaning space.

Claims (5)

적어도 1 종의 세정유체를 저장 및 공급하는 세정유체 공급부(10)와;A cleaning fluid supply unit (10) for storing and supplying at least one cleaning fluid; 상기 세정유체 공급부(10)로부터 흘러 온 세정유체를 혼합 및 냉각시키는 열교환기(20)와;A heat exchanger (20) for mixing and cooling the cleaning fluid flowing from the cleaning fluid supply unit (10); 상기 열교환기로(20)부터 나온 세정유체를 초임계 상태로 가압하는 고압펌프(30)와;A high pressure pump 30 for pressurizing the cleaning fluid from the heat exchanger 20 in a supercritical state; 상기 고압펌프(30)로부터 나온 초임계 유체를 이용하여 피세정물에 대한 세정이 이루어지는 반응기(40)와;A reactor 40 for cleaning the object to be cleaned using the supercritical fluid from the high pressure pump 30; 상기 반응기(40)에서 사용된 세정유체를 처리하는 수단을 포함하며,Means for treating the cleaning fluid used in the reactor (40), 상기 반응기(40)는, 상기 피세정물이 전체적으로 균일하게 세정되어질 수 있도록, 피세정물이 안착 유지되는 유지판(43)과, 그 유지판(43)을 회전시키는 구동부(5)와, 상기 유지판(43)에 유지된 피세정물에 상기 초임계 유체를 분무식으로 배출시키는 분무부(48)를 구비한 것을 특징으로 하는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치.The reactor 40 includes a holding plate 43 on which the to-be-cleaned object is seated and held so that the object to be cleaned is uniformly washed as a whole, a drive unit 5 for rotating the holding plate 43, and the And a spraying unit (48) for spraying the supercritical fluid into the wash object held by the holding plate (43). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반응기(40) 내에서 상기 유지판(43)에서 유지되는 상기 피세정물은 원형의 웨이퍼이고,The to-be-cleaned object held in the holding plate 43 in the reactor 40 is a circular wafer, 상기 피세정물에 대해 초임계유체를 분무하는 상기 분무부(48)는 일정한 간격 및 크기의 다수의 분무공(48a)을 표면에 갖는 링형 분무부이며,The spray unit 48 spraying the supercritical fluid to the object to be cleaned is a ring spray unit having a plurality of spray holes 48a on a surface at regular intervals and sizes, 상기 링형 분무부(48)는 상기 반응기(40)의 내측에서 상기 유지판(43)의 둘레를 둘러싸는 형태로 설치되어진 것을 특징으로 하는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치.The ring-type spraying part (48) is a super-precision cleaning device using a supercritical fluid, characterized in that installed in the form of surrounding the circumference of the holding plate (43) inside the reactor (40). 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반응기(40)는,The method of claim 1 or 2, wherein the reactor 40, 세정이 이루어지는 오목형의 세정공간(42a)을 하부에 갖춘 프레임(42)과;A frame 42 having a concave cleaning space 42a under which cleaning is performed; 상기 세정공간(42a) 내측에서 상기 구동부(5)에 의해 회전가능하게 설치된 유지판(43)과;A holding plate (43) rotatably installed by the driving unit (5) inside the cleaning space (42a); 상기 세정공간(42a)의 상단 외주연에서 상기 프레임(42)의 실링시트(42b)에 설치되어, 상기 웨이퍼 유지판(43)의 둘레를 둘러싸는 형태로 배치된 씰링(44)과;A sealing 44 disposed on the sealing sheet 42b of the frame 42 at an outer circumference of the upper end of the cleaning space 42a and disposed to surround the wafer holding plate 43; 상기 프레임(42) 상단의 유압실린더(45)에 의해 하강하여 상기 씰링(44)을 가압함으로써, 상기 유지판(43)의 주변을 밀봉시키는 밀봉뚜껑(46)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치.Supercritical, characterized in that it comprises a sealing lid 46 for sealing the periphery of the holding plate 43 by lowering by the hydraulic cylinder 45 of the upper frame 42 to press the sealing 44 Ultra-precision cleaning device using a fluid. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 프레임(42)은 상기 피세정물을 장입시키기 위한 관통형의 장입부(42c)를 측벽에 구비하며,The frame 42 has a through-shaped charging portion 42c for charging the object to be cleaned on the side wall, 상기의 밀봉뚜껑(46)은 상기 장입부(42c)를 통해 들어오는 피세정물을 받아 유지시킬 수 있는 복수의 "ㄴ"자형 로딩핀(46c)을 저면에 일체로 구비하며,The sealing lid 46 is integrally provided on the bottom with a plurality of "b" shaped loading pins 46c that can receive and hold the object to be washed through the charging portion 42c. 상기 유지판(43)은 상기 로딩핀들(46c)이 유지판(43)을 지나 하강되는 것을 허용하는 홈들(43c)을 가장자리 부근에 구비하며,The retaining plate 43 has grooves 43c near the edges to allow the loading pins 46c to descend after the retaining plate 43, 상기 로딩핀(46c)이 하강되면서 상기 유지판(43) 위에 얹혀진 피세정물을 상기 유지판(43) 상에서 유지시키기 위해, 상기 유지판(43)은 외주부에서 위쪽으로 돌출형성되어 있는 그립부(43a)를 구비한 것을 특징으로 하는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치.As the loading pin 46c is lowered, the holding plate 43 protrudes upward from an outer circumferential part of the holding plate 43 so as to hold the object to be cleaned on the holding plate 43 on the holding plate 43. Ultra precision cleaning device using a supercritical fluid, characterized in that it comprises a). 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반응기(40)는, 세정 중 상기 밀봉뚜껑(46)이 들리는 것을 막기 위해, 프레임(42)을 관통하여 닫혀진 밀봉뚜껑(46)을 위에서 지지하는 안전핀(47)을 더 포함하며,The reactor 40 further includes a safety pin 47 for supporting the sealing lid 46 closed through the frame 42 from above to prevent the sealing lid 46 from being lifted during cleaning, 상기 밀봉뚜껑(46)에는 복수의 가이드공(46a)이 마련되고, 상기 반응기(40)의 바닥에는 상기 가이드공(46a)을 통과하는 복수의 직립로드(46b)가 일체로 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치.The sealing lid 46 is provided with a plurality of guide holes 46a, the bottom of the reactor 40 is characterized in that the plurality of upright rods 46b passing through the guide hole 46a is integrally installed. Ultra-precision cleaning device using a supercritical fluid.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929364B1 (en) * 2003-05-26 2009-12-02 주식회사 케이씨텍 Supercritical Cleaner and Method
KR101145777B1 (en) * 2010-02-05 2012-05-16 세메스 주식회사 Substrate drying apparatus and method for drying substrate thereof
CN112151416A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 Apparatus for processing substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929364B1 (en) * 2003-05-26 2009-12-02 주식회사 케이씨텍 Supercritical Cleaner and Method
KR101145777B1 (en) * 2010-02-05 2012-05-16 세메스 주식회사 Substrate drying apparatus and method for drying substrate thereof
CN112151416A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 Apparatus for processing substrate

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