KR20040081973A - Cleaning brush of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬에 관한 것으로, 보다 상세하게는 브러쉬 결의 방향을 변경하여 웨이퍼 세정력을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning brush for semiconductor wafers, and more particularly, to a cleaning brush for semiconductor wafers capable of improving the wafer cleaning power by changing the direction of brush grains.
주지된 바와 같이, 반도체 소자를 제조하는데 있어서 반도체 웨이퍼의 표면에 원하는 패턴을 형성하기 위해서는 수많은 단계의 공정을 진행한다. 이때, 각 단계에서 소정의 공정이 수행되는 반도체 웨이퍼 표면에는 불필요한 박막과 각종의 오염물이 형성되고 잔존하게 된다. 따라서, 이러한 것들을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정이 반도체 소자를 제조하는데 있어서 필수적이라 할 수 있다.As is well known, numerous steps are taken to form a desired pattern on the surface of a semiconductor wafer in manufacturing a semiconductor device. At this time, unnecessary thin films and various contaminants are formed and remain on the surface of the semiconductor wafer where a predetermined process is performed in each step. Therefore, the process of cleaning the semiconductor wafer to remove these things can be said to be essential in manufacturing the semiconductor device.
종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬는, 도 1에 도시된 바와 같이, 본체(11)의 외주면에 수개의 돌기(12)가 형성되어 있는 엠보스(emboss)형 브러쉬(10)이다. 여기서, 돌기(12)는 열을 이루는데 앞열과 뒷열의 돌기는 균일한 세정을 위해 서로 엇갈리게 형성되어 있다.The cleaning brush of the semiconductor wafer according to the prior art is an emboss brush 10 in which several protrusions 12 are formed on the outer circumferential surface of the main body 11, as shown in FIG. Here, the protrusions 12 form a row, and the protrusions of the front row and the rear row are staggered with each other for uniform washing.
그러나, 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the cleaning brush of the semiconductor wafer according to the prior art has the following problems.
종래에 있어서 웨이퍼 세정시 브러쉬가 회전할 때 브러쉬 외주면에 형성된 돌기가 웨이퍼 면에 닿을 때 돌기가 1회만 웨이퍼 면을 쓸고 지나가므로 오염물을 제거할 확률이 그만큼 떨어졌다.In the related art, when the brush rotates during the wafer cleaning, when the protrusion formed on the outer peripheral surface of the brush touches the wafer surface, the protrusion passes through the wafer surface only once, so the probability of removing contaminants is reduced.
더욱이, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 세정시 웨이퍼 표면과 브러쉬 돌기와의 마찰에 따른 돌기의 마모로 돌기 에지에서 발생되는 부유물(30)이 웨이퍼(20) 전면에 방사형태로 발생하는 문제점이 있었다.In addition, as shown in FIG. 2, in the cleaning of the wafer, the float 30 generated at the edge of the protrusion due to friction between the wafer surface and the brush protrusion has a problem of radially occurring on the entire surface of the wafer 20. .
이에, 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 돌기 자체를 일체형의 나선형으로 변경하여 웨이퍼 표면상의 오염물질이 나선형 돌기의 회전에 따라 웨이퍼 표면으로부터 격리되는 확률을 높여 웨이퍼의 세정효과를 높일 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems in the prior art, an object of the present invention is to change the projection itself into an integral spiral so that contaminants on the wafer surface are isolated from the wafer surface upon rotation of the spiral projection. The present invention provides a cleaning brush for a semiconductor wafer that can increase the probability of cleaning the wafer.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 세정시 웨이퍼와 브러쉬의 돌기간의 마찰에 따른 돌기 이탈물 발생을 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a cleaning brush for a semiconductor wafer capable of suppressing the occurrence of protrusion deviation due to the friction of the protrusion period between the wafer and the brush during the wafer cleaning.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a cleaning brush of a semiconductor wafer according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬의 문제점을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a problem of a cleaning brush of a semiconductor wafer according to the prior art.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a cleaning brush of a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬의 작용을 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing the operation of the cleaning brush of the semiconductor wafer according to the preferred embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
100; 브러쉬 110; 브러쉬 본체100; Brush 110; Brush body
120; 브러쉬 돌기 200; 웨이퍼120; Brush turning 200; wafer
300; 오염물질300; pollutant
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬는, 본체와 상기 본체에 형성된 돌기로 이루어진 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬에 있어서, 상기 돌기는 상기 본체의 외주면을 따라 일체형으로 형성된 나선형인 것을 특징으로 한다.The cleaning brush of the semiconductor wafer according to the present invention for achieving the above object, the cleaning brush of the semiconductor wafer consisting of a main body and the projection formed on the main body, wherein the projection is a spiral formed integrally along the outer peripheral surface of the main body It is done.
상기 본체는 원통형인 것을 특징으로 하며, 상기 본체와 돌기는 폴리비닐알코올(PVA)로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The main body is characterized in that the cylindrical, the main body and the projections are characterized in that formed of polyvinyl alcohol (PVA).
본 발명에 따르면, 나선형 브러쉬는 돌기 자체가 열결된 일체형이므로 장시간의 사용이나 교체시 돌기의 이탈 현상이 없게 되고, 웨이퍼 표면상의 오염물질은 나선형의 브러쉬의 회전에 따라 웨이퍼 표면으로부터 완전히 분리시킬 수가 있게 된다.According to the present invention, the spiral brushes are integrally formed with the projections themselves, so that the projections do not come off during prolonged use or replacement, and contaminants on the wafer surface can be completely separated from the wafer surface by the rotation of the spiral brushes. do.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a cleaning brush of a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.The invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosed contents thorough and complete, and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, each device is schematically shown for clarity of the invention. Each device may also be equipped with a variety of additional devices not described in detail herein. Like reference numerals denote like elements throughout the specification.
(실시예)(Example)
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬를 도시한 사시도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬의 작용을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a perspective view showing a cleaning brush of a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view for explaining the operation of the cleaning brush of the semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬(100)는 본체(110)와 본체(110)의 외주면에 형성되어 브러쉬 결을 이루는 돌기(120)로 이루어져 있다. 여기서, 본체(110)는 모터와 같은 구동 수단과 연동되어 회전함으로써 웨이퍼 표면상의 오염물질을 제거하기에 적합한 형태인 원통형으로 되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 실질적으로 웨이퍼 표면과 직접적으로 접촉하여 웨이퍼 표면으로부터 오염물질을 분리시키는 작용을 하는 돌기(120)는본체(100)의 외주면을 따라 일체형으로 형성된 나선형으로 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, the cleaning brush 100 of the semiconductor wafer according to an exemplary embodiment of the present invention includes a main body 110 and protrusions 120 formed on the outer circumferential surface of the main body 110 to form a brush grain. Here, the main body 110 is preferably formed in a cylindrical shape that is suitable for removing contaminants on the wafer surface by rotating in conjunction with a driving means such as a motor. In addition, the protrusion 120, which substantially contacts the surface of the wafer and separates contaminants from the wafer surface, is formed in a spiral shape integrally formed along the outer circumferential surface of the main body 100.
한편, 본체(110)와 돌기(120)는 폴리비닐알코올(PVA;Polyvinylalcohol)과 같은 부드러운 재질로 되어 있는 것이 마찰에 의한 마모를 줄이고 웨이퍼 표면을 보호함에 있어 바람직하다 할 것이다.On the other hand, the main body 110 and the protrusion 120 is preferably made of a soft material such as polyvinyl alcohol (PVA; Polyvinylalcohol) it will be preferable in reducing the frictional wear and protect the wafer surface.
상기와 같이 구성된 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬는 다음과 같이 작용한다.The cleaning brush of the semiconductor wafer configured as described above acts as follows.
도 4를 참조하여, 예를 들어 이동중인 웨이퍼(200) 표면상에 회전중인 브러쉬(100)가 직접적으로 접촉하여 웨이퍼(100) 표면으로부터 오염물질(300)을 제거한다. 실질적으로 오염물질(300)을 제거하는 작용은 브러쉬(100)의 결을 이루는 돌기(120)가 맡는다.Referring to FIG. 4, for example, the rotating brush 100 is in direct contact with the moving wafer 200 surface to remove contaminants 300 from the wafer 100 surface. Substantially removing the contaminants 300 is the protrusion 120 forming the texture of the brush (100).
이때, 상술한 바와 같이, 돌기(120)는 일체형의 나선형으로 되어 있으므로 각각 분리 형성되어 있는 돌기 구조에 비해 장시간의 웨이퍼(200) 세정 공정이나 교체 작업중에 발생될 수 있는 돌기 이탈 현상이 줄어들게 된다.In this case, as described above, since the protrusions 120 are formed as an integral spiral, the protrusions that may be generated during the cleaning process or replacement of the wafer 200 for a long time are reduced compared to the protrusion structures that are separately formed.
또한, 폴리비닐알코올(PVA;Polyvinylalcohol)과 같은 부드러운 재질로 돌기(120)가 형성되어 있으면 마찰에 따른 마모 현상을 더욱 줄일 수 있다.In addition, when the protrusion 120 is formed of a soft material such as polyvinyl alcohol (PVA; Polyvinylalcohol), the wear phenomenon due to friction may be further reduced.
게다가, 웨이퍼(200) 표면의 어느 한지점에 수차례의 돌기(120)가 쓸고 지나가는 것이므로 오염물질(300)의 제거가 더욱 극대화된다.In addition, since the protrusions 120 sweep several times at any point on the surface of the wafer 200, the removal of the contaminant 300 is further maximized.
한편, 브러쉬(100)의 회전 작용으로 웨이퍼(200) 표면으로부터 분리되어 나오는 오염물질(300)은 웨이퍼(200) 표면에 머물지 아니한다. 왜냐하면, 일체형의 나선형 돌기(120)의 작용으로 예를 들어 웨이퍼(200)의 좌측 방향으로 이동되어 웨이퍼(200)로부터 완전히 분리되기 때문이다.On the other hand, the contaminants 300 separated from the surface of the wafer 200 due to the rotation of the brush 100 do not stay on the surface of the wafer 200. This is because, for example, the unitary spiral protrusion 120 is moved to the left side of the wafer 200 to be completely separated from the wafer 200.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 브러쉬에 따르면, 나선형 브러쉬는 돌기 자체가 열결된 일체형이므로 장시간의 사용이나 교체시 돌기의 이탈 현상이 없게 되고, 웨이퍼 표면상의 오염물질은 나선형의 브러쉬의 회전에 따라 웨이퍼 표면으로부터 완전히 분리시킬 수가 있다. 따라서, 웨이퍼의 세정 효과를 더욱 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the cleaning brush of the semiconductor wafer according to the present invention, since the spiral brush is integral with the protrusion itself, there is no deviation of the protrusion during long time use or replacement, and the contaminants on the surface of the wafer are spiral. As the brush rotates, it can be completely separated from the wafer surface. Therefore, there is an effect that can further maximize the cleaning effect of the wafer.
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|---|---|---|---|
| KR1020030016595A KR20040081973A (en) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | Cleaning brush of semiconductor wafer |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017535081A (en) * | 2014-11-10 | 2017-11-24 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | Archimedes brush for semiconductor cleaning |
-
2003
- 2003-03-17 KR KR1020030016595A patent/KR20040081973A/en not_active Application Discontinuation
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