KR20040079612A - 화학적 기계적 연마 장치 - Google Patents

화학적 기계적 연마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040079612A
KR20040079612A KR1020030014582A KR20030014582A KR20040079612A KR 20040079612 A KR20040079612 A KR 20040079612A KR 1020030014582 A KR1020030014582 A KR 1020030014582A KR 20030014582 A KR20030014582 A KR 20030014582A KR 20040079612 A KR20040079612 A KR 20040079612A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
buffing
robot
wafer
transfer
Prior art date
Application number
KR1020030014582A
Other languages
English (en)
Inventor
김경환
최병두
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030014582A priority Critical patent/KR20040079612A/ko
Publication of KR20040079612A publication Critical patent/KR20040079612A/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 화학적 기계적 연마 장치로서, 웨이퍼 로딩/언로딩부와; 웨이퍼 캐리어와 연마패드가 장착된 연마 테이블을 한 쌍으로 하는 독립적으로 설치된 마이크로 플래나이저 복수 개를 포함하는 연마부와; 탑재 테이블과, 하부 브러시와, 구동축과, 그 구동축 상에 서로 180°반대되는 위치에 있도록 상부 브러시와 버핑 패드가 장착된 버핑 테이블을 포함하는 복수의 버핑/브러싱 클리너들, 및 반도체 웨이퍼를 건조시키는 스핀 건조기, 및 버핑/브러싱 클리너들과 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 4로봇을 포함하는 클리닝부와; 대기 상태의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 대기 박스와, 복수의 마이크로 플래나이저 사이에 설치되어 대기 박스와 마이크로 플래나이저간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 1로봇을 포함하는 제 1이송부; 및 연마 대상의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 트랜스퍼 스테이션과, 트랜스퍼 스테이션과 대기 박스 및 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 2로봇과, 로딩/언로딩부와 트랜스퍼 스테이션간과 로딩/언로딩부와 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 3로봇을 포함하는 제 2이송부;를 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 종래 반도체 웨이퍼에 대한 버핑 공정의 진행으로 처리량이 저하되는 손실을 줄일 수 있고 버핑 공정을 브러싱 클리닝과 연계하여 진행될 수 있어 설비의 대기시간을 최소화하면서 처리량을 향상시킬 수 있다.

Description

화학적 기계적 연마 장치{Apparatus for Chemical Mechanical Polishing}
본 발명은 반도체 웨이퍼 평탄화 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼에 대한 집적회로 형성 과정에서 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 고밀도화, 미세화 및 배선 구조의 다층화에 따라 반도체 웨이퍼의 표면 단차가 증가하게 되었고, 표면 단차를 평탄화하기 위하여 SOG(Spin On Glass), 에치 백(etch back), 리플로우(reflow) 등의 평탄화 방법이 개발되어 공정에 이용되어 왔지만 많은 문제점이 발생되어 완전 평탄화를 위해 화학적 기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing) 기술이 개발되었다.
화학적 기계적 연마는 화학적 및 물리적인 반응을 하여 웨이퍼 표면을 평탄화 하는 기술로서 반도체 웨이퍼를 연마패드 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리(slurry)를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 연마패드가 장착된 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)를 상대 운동시켜 물리적으로 웨이퍼 표면의 요철 부분을 평탄화 하는 것이다. 이와 같은 화학적 기계적 연마는 통상 유전막의 표면을 평탄화 시키거나 이전의 막 상에 피착된 과도한 금속막을 제거하는 데에 사용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 클리닝부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치(400)는, 평탄화 작업 대상의 반도체 웨이퍼를 로딩(loading)시키고 평탄화 작업이 완료된 반도체 웨이퍼를 언로딩(unloading)되는 로딩/언로딩부(410)와, 평탄화를 위하여 반도체 웨이퍼의 표면을 화학적 및 기계적으로 연마하는 연마부(430), 연마가 완료된 반도체 웨이퍼에 대한 클리닝(cleaning)으로서의 2차 연마 과정인 버핑(buffing)이 진행되는 버핑 스테이션(buffing station; 480)과, 연마가 완료된 반도체 웨이퍼를 클리닝하는 클리닝부(450)와, 연마부(430) 내에 설치되어 반도체 웨이퍼를 장치 내에서 이송시키는 제 1이송부(440), 및 로딩/언로딩부(410)와 제 1이송부(440) 및 클리닝부(450)간 웨이퍼를 이송시키는 제 2이송부(420)를 포함하여 구성된다.
연마부(430)는 반도체 웨이퍼를 잡아 고정시키는 웨이퍼 캐리어(carrier)와 그 하부에 위치하며 연마패드가 장착되는 연마 테이블을 한 쌍으로 하는 독립적으로 설치된 4개의 마이크로 플래나이저(Micro Planizer; 431,432,433,434)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 마이크로 플래나이저(431,432,433,434)는 제 1이송부(440)의 제 1로봇(461)을 중심으로 좌우에 2개씩 배치되어 있다. 그리고, 2개의 마이크로 플래나이저 단위로 반복적인 연마 작업에 의해 표면이 매끄러워진 연마패드를 다시 거칠게 하는 패드 컨디셔너(pad conditioner; 435,436)가 설치되어 있다.
버핑 스테이션(480)은 2개의 버핑 연마기(481,482)를 포함한다. 버핑 연마기들(481,482)은 각각 반도체 웨이퍼가 탑재되는 버핑 테이블과 그 상부에 설치되어 버핑패드가 장착되는 버핑패드 고정대를 포함하는 구조이다. 버핑패드는 단단한 재질로 구성되는 연마패드와 달리 소프트(soft)한 재질로 구성된다. 버핑 테이블 상에 탑재된 반도체 웨이퍼에 버핑패드가 접촉된 상태에서 버핑패드 고정대가 운동되어 브러싱에 의한 클리닝 공정의 진행 전에 웨이퍼 표면을 클리닝한다.
클리닝부(450)는 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이터(11)가 탑재되는 반도체 웨이퍼(11)가 탑재 및 지지되는 탑재 테이블(461)과 그 내측에 고정 설치된 하부 브러시(465)를 가지며, 그 탑재 테이블(461) 상부의 고정축(467) 상에 브러시(463)를 포함하여 구성되어, 웨이퍼 표면으로부터 푸석푸석한 슬러리 입자나 금속 오염물을 제거하여 반도체 웨이퍼의 연마면을 깨끗하게 클리닝시킨다.
한편, 제 1이송부(440)에 설치된 제 1로봇(461)이 제 1,2마이크로 플래나이저(431,432)와 제 3,4마이크로 플래나이저(433,434) 및 버핑 연마기(481,482)들 및 제 1이송부(440) 내에 설치된 대기 박스(443)간 반도체 웨이퍼의 이송을 담당한다. 제 2이송부(420)의 제 2로봇(423)이 연마가 완료된 반도체 웨이퍼의 클리닝부(450)로의 이송을 담당하고 제 3로봇(425)이 로딩/언로딩부(410)와 제 2이송부(420)의트랜스퍼 스테이션(421) 및 클리닝부(450)간 반도체 웨이퍼 이송을 담당하며, 클리닝부(450)의 제 4로봇(155)이 브러싱 클리너들(451,452)과 스핀 건조기(spin dryer; 153)간 반도체 웨이퍼의 이송을 담당한다.
동작을 설명하면, 제 3로봇에 의해 로딩/언로딩부(410)로부터 반도체 웨이퍼가 트랜스퍼 스테이션(421)으로 이송되고, 제 2로봇(423)에 의해 트랜스퍼 스테이션(421)에서 대기 박스(443)로 이송되며, 제 1로봇(461)에 의해 각 마이크로 플래나이저(431,432,433,434)로 공급되어 웨이퍼 표면이 연마된다. 연마가 완료되면 제 1로봇(461)에 의해 각 버핑 연마기(481,482)로 이송되어 버핑이 진행되고, 버핑 완료 후 다시 제 1로봇(461)에 의해 클리닝부(450)로 이송되어 브러싱 클리너들(451,452)에 의해 브러싱에 의한 클리닝이 진행되고 스핀 건조기에 의해 건조된다. 클리닝이 완료되면 제 3로봇(425)에 의해 반도체 웨이퍼가 로딩/언로딩부(410)로 이송된다.
그런데, 전술한 바와 같은 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 제 1로봇(141)과 제 2로봇(123)이 반도체 웨이퍼를 버핑 스테이션(140)에서 클리닝부(150)로 이송시키도록 구성되어 있어서, 대기 박스(443)에 대기중인 반도체 웨이퍼로 인하여 버핑이 완료된 반도체 웨이퍼라 하더라도 클리닝부(450)로 이송되지 못하고 버핑 연마기(481,482)에서 대기를 하고 있어야 한다. 따라서, 대기 시간동안 만큼의 처리량이 저하될 수 있다. 또한, 설비 구조상 버핑을 위한 별도의 유틸리티와 소프트웨어가 별도로 구성되어 있어야 한다.
본 발명의 목적은 버핑 공정의 진행으로 인한 처리량의 저하를 방지할 수 있도록 하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도,
도 2는 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 클리닝 장치부를 개략적으로 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 클리닝 장치부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11; 반도체 웨이퍼 100,400; 화학적 기계적 연마 장치
110, 410; 로딩/언로딩부 111,113,115; 포트
120,420; 제 2이송부 121,421; 트랜스퍼 스테이션
123,423; 제 2로봇 125,425; 제 3로봇
130,430; 연마부 131~134,431~434; 마이크로 플래나이저
135,136,435; 패드 컨디셔너 140,440; 제 1이송부
141,441; 제 1로봇 143,443; 대기 박스
145,445; 계측장치 150,450; 클리닝부
151,152,451,452; 버핑/브러싱 클리너
153,453; 스핀 건조기 155,455; 제 4로봇
161,461; 탑재 테이블 163,463; 상부 브러시
165,465; 하부 브러시 167; 구동축
169; 분사 노즐 171; 버핑 테이블
173; 버핑 패드 467; 고정축
480; 버핑 스테이션 481,482; 버핑 연마기
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치는,
연마 대상의 반도체 웨이퍼가 로딩되고 연마가 완료된 반도체 웨이퍼가 언로딩되는 웨이퍼 로딩/언로딩부와;
반도체 웨이퍼가 장착되어 고정되는 웨이퍼 캐리어와 연마패드가 장착된 연마 테이블을 한 쌍으로 하는 독립적으로 설치된 마이크로 플래나이저 복수 개를 포함하는 연마부와;
반도체 웨이퍼가 탑재되어 지지되는 탑재 테이블과, 그 탑재 테이블 내측에 고정 설치된 하부 브러시와, 그 탑재 테이블 상부에서 구동수단에 의한 회전력이 인가되는 구동축과, 그 구동축 상에 서로 180°반대되는 위치에 있도록 상부 브러시와 버핑 패드가 장착된 버핑 테이블을 포함하는 복수의 버핑/브러싱 클리너들, 및 그 버핑/브러싱 클리너로부터 이송되는 반도체 웨이퍼를 건조시키는 스핀 건조기, 및 버핑/브러싱 클리너들과 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 4로봇을 포함하는 클리닝부와;
대기 상태의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 대기 박스와, 복수의 마이크로 플래나이저 사이에 설치되어 대기 박스와 마이크로 플래나이저간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 1로봇을 포함하는 제 1이송부; 및
연마 대상의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 트랜스퍼 스테이션과, 트랜스퍼 스테이션과 대기 박스 및 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 2로봇과, 로딩/언로딩부와 트랜스퍼 스테이션간과 로딩/언로딩부와 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 3로봇을 포함하는 제 2이송부;
를 갖는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 브러싱 클리너를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치(100)는, 평탄화 작업을 위한 연마 대상의 반도체 웨이퍼가 로딩되고 연마에 의해 평탄화가 완료된 반도체 웨이퍼가 언로딩되는 로딩/언로딩부(110)와, 반도체 웨이퍼에 대하여 1차로 화학적 기계적 연마를 실시하여 평탄화시키는 연마부(130)와, 평탄화가 완료된 반도체 웨이퍼에 대한 클리닝을 위한 2차 연마로서의 버핑(buffing) 처리와 연마가 완료된 반도체 웨이퍼에 대한 브러싱 클리닝 및 건조가 이루어지는 클리닝부(150)와, 연마부(130) 내에 설치되어 반도체 웨이퍼를 장치 내에서 이송시키는 제 1이송부(140), 및 로딩/언로딩부(110)와 제 1이송부(140) 및 클리닝부(150)간 웨이퍼를 이송시키는 제 2이송부(120)를 포함하여 구성된다.
로딩부(110)는 연마 대상의 반도체 웨이퍼가 수납된 카세트(cassette)가 탑재되어 한 장씩 로딩될 수 있도록 하거나 화학적 기계적 연마가 완료된 반도체 웨이퍼를 한 장씩 카세트에 수납될 수 있도록 하는 복수의 포트(port; 111,113,115)가 마련되어 있다.
연마부(130)는 반도체 웨이퍼를 잡아 고정시키는 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)와 그 하부에 위치하며 연마패드가 장착되는 연마패드 테이블을 한 쌍으로 하는 4개의 마이크로 플래나이저들(131,132,133,134)을 갖는다. 마이크로 플래나이저들(131,132,133,134)은 후술되는 제 1로봇(141)을 중심으로 좌우에 2개씩 4개가 배치되며, 각각 독립적인 연마 작업을 수행한다. 연마패드는 특수한 필러(filler)를 갖는 폴리우레탄 등의 비교적 단단한 재질로 이루어진다. 한편, 연마부(130)는 2개의 마이크로 플래나이저마다 1개씩의 패드 컨디셔너(pad conditioner, 135,136)를 갖는다. 패드 컨디셔너(135,136)는 반복적인 연마 작업에 의해 표면이 매끄러워진 연마패드를 다시 거칠게 만든다.
클리닝부(150)는 2개의 버핑/브러싱 클리너(151,152)와 1개의 스핀 건조기(spin dryer, 153) 및 제 4로봇(155)으로 구성된다. 각각의 버핑/브러싱 클리너(151,152)는 도 4에서와 같이 반도체 웨이퍼(11)가 탑재 및 지지되는 탑재 테이블(161)과 그 내측에 고정 설치된 하부 브러시(165)를 가지며, 그 탑재 테이블(161) 상부의 구동축(167) 상에 설치되며 서로 반대되는 위치에 있도록 브러시(163)와 버핑 테이블(171)을 갖는다. 버핑 테이블(167) 상에는 버핑 패드(173)가 장착된다. 그리고, 구동축(167)은 모터 등의 구동수단에 의해 회전력을 전달받아 회전이 가능하게 구성된다. 구동축(167)의 180도 회전에 따라 탑재 테이블(161) 상에 반도체 웨이퍼(11)에 브러시(163)에 의한 브러싱이 진행되거나 버핑 패드(173)에 의한 연마가 진행될 수 있다. 한편, 브러싱 클리닝이 완료된 반도체 웨이퍼를 원심력으로 회전시켜 수분을 뿌려 건조시키는 스핀 건조기(153)가 버핑/브러싱 클리너(152)에 인접하여 설치되어 있다. 또한, 탑재 테이블(161) 상에 놓여지는 반도체 웨이퍼(11)를 향하여 연마액 또는 초순수를 분사하는 노즐 유닛(nozzle unit, 169)이 구동축(167) 상에 설치되어 있다. 버핑/브러싱 클리너들(151,152)과 스핀 건조기(155)들간 반도체 웨이퍼 이송을 위하여 제 4로봇(155)이 설치되어 있다.
제 1이송부(140)는 제 1,2마이크로 플래나이저(131,132)와 제 3,4마이크로 플래나이저(133,134) 사이에 설치되는 제 1로봇(141)과, 대기 상태의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 대기 박스(143) 및 막질 두께 등을 측정하기 위한 계측기(145)를 포함한다. 제 1로봇(141)은 대기 박스(143)와 마이크로 플래나이저(130,131,132,134)간 반도체 웨이퍼를 이송시킨다. 대기 박스(143)는 작업 완료 또는 작업 대기 상태의 반도체 웨이퍼가 이송되기 전에 대기되는 버퍼(buffer) 역할을 한다. 대기 박스(143)는 초순수(DI water)를 분사하는 스프레이(spray) 장치가 설치되어 대기 상태에서의 반도체 웨이퍼 표면에 초순수를 분사하여 반도체 웨이퍼가 건조되는 것을 방지하게 된다. 특히, 연마가 완료된 반도체 웨이퍼 표면의 슬러리가 굳는 것을 방지하게 된다.
제 2이송부(120)는 연마 대상의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 트랜스퍼 스테이션(transfer station, 121)과, 그 트랜스퍼 스테이션(121)과 대기 박스(143) 및 스핀 건조기(153)간 반도체 웨이퍼를 이송시키도록 구성된 제 2로봇(123)과, 로딩/언로딩부(110)와 트랜스퍼 스테이션(121)간과 로딩/언로딩부(110)와 스핀 건조기(153)간 반도체 웨이퍼를 이송시키도록 구성된 제 3로봇(125)을 포함한다.
한편, 도면에 도시되지는 않았지만 연마부(130)에 인접하여 배면 모니터링(back side monitoring)수단이 설치되고 클리닝부(150)에 인접하여 베이 모니터링(bay monitoring) 수단이 설치되어 각 공정의 진행되는 반도체 웨이퍼의 상태를 모니터링 할 수 있다.
동작을 설명하면, 로딩/언로딩부(110)로부터 반도체 웨이퍼가 제 3로봇(125)에 의해 트랜스퍼 스테이션(121)으로 이송된다. 그리고, 제 2로봇(123)에 의해 트랜스퍼 스테이션(121)에 위치한 반도체 웨이퍼가 대기 박스(143)로 이송된다. 제 1로봇(141)이 대기 박스(143)에 위치한 연마 작업이 필요한 반도체 웨이퍼를 4개의 마이크로 플래나이저들(131,132,133,134)중 비어 있는 마이크로 플래나이저에 각각 이송시킨다. 각각의 마이크로 플래나이저(131,132,133,134)에서는 연마패드 테이블과 웨이퍼 캐리어의 상대 운동에 따른 연마패드와 반도체 웨이퍼 표면과의 물리적 마찰 및 작업 과정에서 공급되는 슬러리에 의해 평탄화를 위한 연마 작업이 실시된다.
마이크로 플래나이저들(131,132,133,134)에서 연마 작업이 완료된 반도체 웨이퍼는 제 1로봇에 의해 대기 박스(143)로 다시 이송된다. 대기 상태의 반도체 웨이퍼에는 초순수가 분사되어 건조를 방지한다. 그리고, 제 2로봇(123)에 의해 그 반도체 웨이퍼는 클리닝부(150)의 제 1버핑/브러싱 클리너(151)로 이송된다. 이송되어 온 반도체 웨이퍼는 탑재 테이블(161)상에 놓여진 상태에서 버핑 패드(173)에의해 버핑이 진행된다. 버핑 후에 구동축(167)의 회전에 따른 버핑 테이블(173)과 상부 브러시(163)의 위치 변화되고, 하부 브러시(165)가 고정된 상태에서 상부 브러시가 좌우로 이동되면서 상부 브러시와 하부 브러시가 서로 맞닿은 상태로 웨이퍼를 브러싱한다. 이와 같은 방식으로 제 1버핑/브러싱 클리너(151)에서 버핑과 브러싱이 1차로 진행되고 순차적으로 제 2버핑/브러싱 클리너(152)에서 2차 버핑과 브러싱이 진행된다. 마지막으로 반도체 웨이퍼는 스핀 건조기(153)에 의해 건조된다. 제 1버핑/브러싱 클리너(151)로부터 제 2버핑/브러싱 클리너(152) 및 스핀 건조기(153)로의 순차작인 반도체 웨이퍼 이송은 제 4로봇(155)에 의해 이루어진다. 스핀 건조 과정까지 완료되면, 제 3로봇이 스핀 건조기(153)로부터 로딩/언로딩부(110)에 대기중인 웨이퍼 카세트에 수납시킨다.
이상과 같은 본 발명에 의한 화학적 기계적 연마 장치에 의하면, 상부 브러시가 설치되는 구동축에 버핑 패드가 장착될 수 있도록 구성되어 버핑 공정과 클리닝 공정이 모두 진행될 수 있도록 함으로써, 종래 반도체 웨이퍼에 대한 버핑 공정의 진행으로 처리량이 저하되는 손실을 줄일 수 있고 버핑 공정을 브러싱 클리닝과 연계하여 진행될 수 있어 설비의 대기시간을 최소화하면서 처리량을 향상시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 연마 대상의 반도체 웨이퍼가 로딩되고 연마가 완료된 반도체 웨이퍼가 언로딩되는 웨이퍼 로딩/언로딩부;
    반도체 웨이퍼가 장착되어 고정되는 웨이퍼 캐리어와 연마패드가 장착된 연마 테이블을 한 쌍으로 하는 독립적으로 설치된 마이크로 플래나이저 복수 개를 포함하는 연마부와;
    반도체 웨이퍼가 탑재되어 지지되는 탑재 테이블과, 상기 탑재 테이블 내측에 고정 설치된 하부 브러시와, 상기 탑재 테이블 상부에서 구동수단에 의한 회전력이 인가되는 구동축과, 상기 구동축 상에 서로 180°반대되는 위치에 있도록 상부 브러시와 버핑 패드가 장착된 버핑 테이블을 포함하는 복수의 버핑/브러싱 클리너들, 및 상기 버핑/브러싱 클리너로부터 이송되는 반도체 웨이퍼를 건조시키는 스핀 건조기, 및 상기 버핑/브러싱 클리너들과 상기 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 4로봇을 포함하는 클리닝부와;
    대기 상태의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 대기 박스와, 복수의 상기 마이크로 플래나이저 사이에 설치되어 상기 대기 박스와 상기 마이크로 플래나이저간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 1로봇을 포함하는 제 1이송부; 및
    연마 대상의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 트랜스퍼 스테이션과, 상기 트랜스퍼 스테이션과 상기 대기 박스 및 상기 스핀 건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 2로봇과, 상기 로딩/언로딩부와 상기 트랜스퍼 스테이션간과 로딩/언로딩부와 스핀건조기간 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 3로봇을 포함하는 제 2이송부;
    를 갖는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 마이크로 플래나이저들은 4개이며 상기 제 1로봇을 중심으로 좌우측에 각각 2개씩 배치된 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
KR1020030014582A 2003-03-08 2003-03-08 화학적 기계적 연마 장치 KR20040079612A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030014582A KR20040079612A (ko) 2003-03-08 2003-03-08 화학적 기계적 연마 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030014582A KR20040079612A (ko) 2003-03-08 2003-03-08 화학적 기계적 연마 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040079612A true KR20040079612A (ko) 2004-09-16

Family

ID=37364540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030014582A KR20040079612A (ko) 2003-03-08 2003-03-08 화학적 기계적 연마 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040079612A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111482891A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 北京烁科精微电子装备有限公司 一种化学机械平坦化设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111482891A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 北京烁科精微电子装备有限公司 一种化学机械平坦化设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7241203B1 (en) Six headed carousel
KR100780977B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제어식 폴리싱 및 평탄화 시스템과 방법
KR100315722B1 (ko) 기판표면을평탄화하기위한연마기
US6494985B1 (en) Method and apparatus for polishing a substrate
US6869337B2 (en) System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US5947802A (en) Wafer shuttle system
US10256120B2 (en) Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning
JP3560051B2 (ja) 基板の研磨方法及び装置
US20020177386A1 (en) Chemical mechanical processing system with mobile load cup
US5957764A (en) Modular wafer polishing apparatus and method
KR20010040352A (ko) 웨이퍼처리장치에서 사용하기 위한 세정/버핑장치
US20010024939A1 (en) Wafer polishing apparatus
WO2004070778A2 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using one or more pivotable load-and-unload cups
JPH11156704A (ja) 基板の研磨装置
EP0914905A2 (en) Wafer polishing apparatus and method
KR20040079612A (ko) 화학적 기계적 연마 장치
JP6346541B2 (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
EP1111659A2 (en) Apparatus and methods of chemical mechanical polishing
KR20060130321A (ko) 화학적 기계적 연마장비
JPH11156712A (ja) 研磨装置
US20050181708A1 (en) Removal of embedded particles during chemical mechanical polishing
JPH08250457A (ja) 縦型ウエハ研磨装置
US6062961A (en) Wafer polishing head drive
KR20060074572A (ko) 반도체 화학적 기계적 연마 장치에서의 세정 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid