KR20040076489A - 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법 - Google Patents

금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040076489A
KR20040076489A KR1020030011860A KR20030011860A KR20040076489A KR 20040076489 A KR20040076489 A KR 20040076489A KR 1020030011860 A KR1020030011860 A KR 1020030011860A KR 20030011860 A KR20030011860 A KR 20030011860A KR 20040076489 A KR20040076489 A KR 20040076489A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
metal thin
jewelry
lower layer
metal film
Prior art date
Application number
KR1020030011860A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100497966B1 (ko
Inventor
김대옥
Original Assignee
김대옥
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=37362671&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20040076489(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 김대옥 filed Critical 김대옥
Priority to KR10-2003-0011860A priority Critical patent/KR100497966B1/ko
Publication of KR20040076489A publication Critical patent/KR20040076489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100497966B1 publication Critical patent/KR100497966B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adornments (AREA)

Abstract

본 발명은 장신구를 장식하는 합성보석에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 두 개의 재질이 다르거나 같은 합성보석의 사이에 금속박막을 접착하여 내설한 합성보석에 관한 것으로 내부에 금속박막을 접착제(자외선접착제)에 의하여 접착내설되어 이루어지는 합성보석 및 그 제조방법에 관한 것이다.
상부층과 하부층 사이에 0.001~0.025mm의 두께를 가진 금속박막을 접착제(자외선접착제)에 의하여 접착내설하며, 상기 구성은 도안된 금속박막을 하부층과 배열하는 배열공정과; 상기 하부층과 금속박막을 접착제로 고정시키고 자외선을 쬐는 하부접착공정과; 상기 하부접착공정을 통하여 접착된 금속박막과 하부층을 부식액에 담구는 부식기법을 사용한 박막성형공정과; 상기 박막성형공정을 통하여 원하는 도안으로 나타난 하부층과 금속박막을 상부층과 접착제(자외선접착제)로 고정시키고 자외선을 쬐어주는 상부접합공정과; 상기 상부접착공정을 마친 합성보석을 원하는 형태로 보석을 가공하는 보석가공공정으로 구성되어 금속박막 두께의 제한적인 한정성이 없으며, 또한 형태의 한정성 또한 탈피하는 효과를 가지는 금속박막이 내설된 합성보석제조방법이다.

Description

금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법{Composition jewelry with in a thin metal film and process method of thereof}
본 발명은 장신구를 장식하는 합성보석에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 두 개의 재질이 다르거나 같은 합성보석의 사이에 금속박막을 접착하여 내설한 합성보석에 관한 것이다.
일반적으로 보석 및 합성보석에 있어서, 도 6에 나타난 바와 같이 보석(1)의 상부면(10')에 도안된 금속판(M)을 절단성형하여 보석에 접착하는 방법을 사용하여 왔다. 이는 금속의 광택성과 장식성을 보석과 함께 배가시켜 장신구의 희소성과 장식성을 높이는 효과를 주는 것이다.
특히 장신구에서는 보석은 없어서는 안되는 필수적인 것으로 장신구의 고가성과 희소성, 나아가서 화려함을 나타내는 척도를 말해주며, 장신구의 형태 및 디자인등에 많은 영향을 주는 중요한 요소이다.
그러나 상기 금속판(M)을 보석(1)의 상부면(10')에 성형하는 일반적인 금속판접착기법은 보석(1)위의 금속판(M)이 떨어지는 분실등의 위험성과 신체의 긁힘과 의류등에 금속판(M)의 모서리가 걸려서 찔리거나 긁히는 등의 안전성이 문제가 되었다.
또한, 종래 보석(1)의 일반적인 금속판(M)은 두께가 0.3~0.5mm 정도를 유지하여야 하며, 이는 두께가 얇아지면 금속판(M)이 성형형태를 유지하기가 매우 곤란한 정도가 되며, 형태 또한 한정적인 형태가 주종을 차지하여 왔다.
본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 내부에 금속박막을 접착제에 의하여 접착내설되어 이루어지는 합성보석을 제공하는 데 있다.
또 다른 목적은 내부에 금속박막을 접착제에 의하여 접착내설되어 이루어지는 합성보석을 제조하는 제조방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석을 개략적으로 나타낸 분해사시도,
도 2는 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석을 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석의 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석의 제조방법을 나타낸 공정도
도 5는 일반적인 브릴리언트커트 형태의 보석에 금속박막이 내설된 형태를 나타내는 사시도,
도 6은 종래 금속판접착기법을 사용한 합성보석의 사시도이다.
* 주요부분에 대한 부호 설명 *
1 : 합성보석 10 : 상부층
10' : 상부면 20 : 하부층
30 : 금속박막 M : 금속판
G : 거들면 P : 파빌리온면
S1 : 배열공정 S2 : 하부접착공정
S3 : 박막성형공정 S4 : 상부접착공정
S5 : 보석가공공정 T : 테이블면
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석을 개략적으로 나타낸 분해사시도이다.
상부를 이루는 상부층(10)과 하부를 이루는 하부층(20) 사이에 금속박막(30)으로 이루어진 금속박막(30)이 액상의 자외선접착제에 의하여 접착내설된다.
바람직하게는 상기 상부층(10)은 투명재질의 합성보석(1)으로 구성되며, 상기 하부층(20)은 투명재질 및 불투명재질의 합성보석(1)으로 구성된다. 상기 상부층(10)과 하부층(20)은 같은 재질이 아니어도 상관없으며, 합성보석(1)이 아닌 유리 및 돌과 같은 규소질 재질도 무방하다.
상기 금속박막(30)은 0.001~0.025mm의 두께를 이루고 있으며, 도면에서는 도시하지 않았지만 문자 및 도안등으로 형상화하여 상부층(10)과 하부층(20)의 사이에 위치하여 보석이 가지는 투명성 및 굴절율을 이용하여 금속박막(30)이 굴절되어 보이도록 한다.
도 2는 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석을 나타낸 사시도이다.
상기 도 1에서와 마찬가지로 상부층(10)과 하부층(20)을 접착제를 이용하여 접착하여 원하는 보석으로 성형한 금속박막(30)이 내설된 합성보석(1)을 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석의 단면도이다.
도면에 나타난바와 같이 상기 금속박막(30)이 매우 얇은 관계로 상부층(10)과 하부층(20)이 접착하는데는 아무런 문제는 없으며, 액상의 자외선접착제를 바른 후에 자외선을 쬐어서 접착제를 고형화하여 상부층(10)과 하부층(20)은 고정접착된다.
도 4는 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
본 발명에 따른 금속박막(30)이 내설된 합성보석(1)의 제조방법중 박막성형공정(S3)에는 일반적으로 2가지의 방법을 사용하고 있다.
상기 박막성형공정(S3)은 부식기법과 진공증착방법이 있으며, 이중 도 4에 나타낸 것은 부식기법을 중심으로 설명하기로 하겠다.
도 4를 참조하면,
우선적으로 미리 도안되고 도금된 금속박막(30)을 임의의 크기로 잘라서 하부층(20)과 배열공정(S1)을 거친 후 상기 하부층(20)과 금속박막(30)을 자외선접착제로 고정시키고 자외선을 쬐는 하부접착공정(S2)을 한다.
상기 하부접착공정(S2)을 통하여 접착된 금속박막(30)과 하부층(20)을 부식액에 담궈, 미리 도안(양각)된 금속박막(30)이 원하는 도안층으로 되면 박막성형공정(S3)을 끝낸다.
이때 부식기법으로 성형된 박막의 두께는 0.02~0.025mm이며, 후술하는 진공증착방법의 두께보다는 두꺼운 두께로 부식되어 성형된다.
상기 박막성형공정(S3)을 통하여 원하는 도안으로 나타난 하부층(20)과 금속박막(30)을 상부층(10)과 자외선접착제로 고정시키고 자외선을 쬐어주는 상부접합공정(S4)을 한다.
이때 하부접합공정(S2) 및 상부접합공정(S4)에서 액상의 자외선접착제를 바르고 원하는 물건을 배열하고 고정한 후 자외선을 쬐어주게 되면 접착제의 성분이 변형되어 고형화가 되어 고정접합이 된다.
상기 상부접착공정(S4)을 마친 합성보석(1)은 원하는 형태로 보석을 가공하는 보석가공공정(S5)을 통하여 어떠한 형태의 보석으로 사용되어진다.
또 다른 실시예는 상기 공정중 박막성형공정(S3)을 진공증착방법으로 하는 방법으로서, 진공증착방법은 음각으로 처리된 도안층(도시하지 않음)을 하부층(20)에 배열설치하고 진공증착하여 음각으로 된 도안층에 금속박막(30)을 형성시키는 방법이다.
이때 금속박막(30)은 0.001~0.002mm 정도의 두께를 가지며, 상기 금속박막(30)의 두께는 상기에서 설명한 부식기법의 두께와는 상당한 차이를 보이며, 재료의 절감과 단가절감 및 도안의 정밀성을 높이는 효과가 있다.
상기 접합된 합성보석(1)은 금속박막(30)을 보석의 테이블면(T)과 파빌리온면(P)의 중간인 거들면(G)에 위치설정하여 보석가공을 하게 되면 합성보석(1)의 반사율은 내부에 설치된 금속의 광택으로 인하여 더욱 더 높아지게 되며, 장식성 또한 높아지게 된다.
이때 합성보석(1)의 형태는 도 5의 일반적인 브릴리언트커트 뿐만 아니라 어떠한 형태로도 가능하다.
특히 내부에 도안층에 문자등을 새겨서 내설할 경우에는 광고등의 효과를 주게 되며, 장신구를 선물할 때의 의미성과 희소성을 높이는 효과가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석은 자신이나 연인들끼리의 이니셜 및 도안등을 금속박막을 보석의 중간층에 위치시켜 종래의 보석들이 가지는 보석위의 금속판이 떨어지는 분실등의 위험성을 방지하는 효과가 있으며, 종래의 보석으로 인하여 신체의 긁힘과 의류등에 금속판이 걸리는 등의 위험성을 방지하는 안전성이 있다.
또한 종래의 보석은 금속판분실로 인한 재가공과 두께의 한정성이 있다.
종래 보석의 일반적인 금속판은 두께가 0.3~0.5mm 정도를 유지하여야 하며, 이는 두께가 얇아지면 금속박막이 성형형태를 유지하기가 매우 곤란한 정도가 되며, 형태 또한 한정적인 형태가 주종을 차지한다.
따라서 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석은 합성보석내에 설치하므로 두께의 제한적인 한정성이 없으며, 또한 형태의 한정성 또한 탈피하는 효과를가진다.
위의 설명한 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법의 실시예들은 본 발명의 사상을 설명하기 위한 것으로서 본 발명은 위에서 설명한 실시예에 한정되지 않는다. 이 분야에 기술을 가진 자라면 이외에 여러 가지 방식을 첨부한 특허청구범위에 벗어남 없이 본 발명에 따른 금속박막이 내설된 합성보석을 변형할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 상부층(10)과 하부층(20) 사이에 0.001~0.025mm의 두께를 가진 금속박막(30)을 자외선접착제에 의하여 접착내설하는 것을 특징으로 하는 금속박막이 내설된 합성보석.
  2. 도안된 금속박막(30)을 하부층(20)과 배열하는 배열공정(S1)과;
    상기 하부층(20)과 금속박막(30)을 접착제로 고정시키고 자외선을 쬐는 하부접착공정(S2)과;
    상기 하부접착공정(S2)을 통하여 접착된 금속박막(30)과 하부층(20)을 부식액에 담구는 부식기법을 사용한 박막성형공정(S3)과;
    상기 박막성형공정(S3)을 통하여 원하는 도안으로 나타난 하부층(20)과 금속박막(30)을 상부층(10)과 자외선접착제로 고정시키고 자외선을 쬐어주는 상부접합공정(S4)과;
    상기 상부접착공정(S4)을 마친 합성보석(1)을 원하는 형태로 보석을 가공하는 보석가공공정(S5)을 특징으로 하는 금속박막이 내설된 합성보석제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 하부접착공정(S3)을 통하여 접착된 금속박막(30)과 하부층(20)을 진공증착하여 금속박막(30)을 성형하는 박막성형공정(S3)을 특징으로 하는 금속박막이내설된 합성보석제조방법.
KR10-2003-0011860A 2003-02-26 2003-02-26 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법 KR100497966B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0011860A KR100497966B1 (ko) 2003-02-26 2003-02-26 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0011860A KR100497966B1 (ko) 2003-02-26 2003-02-26 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2003-0005628U Division KR200314133Y1 (ko) 2003-02-26 2003-02-26 금속박막이 내설된 합성보석

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040076489A true KR20040076489A (ko) 2004-09-01
KR100497966B1 KR100497966B1 (ko) 2005-07-01

Family

ID=37362671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0011860A KR100497966B1 (ko) 2003-02-26 2003-02-26 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100497966B1 (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809417A (en) * 1986-01-31 1989-03-07 George Normann & Associates Method of making a multiplet jewelry product with internally embedded visual indicia
JPS6331814U (ko) * 1986-08-20 1988-03-01
JPS6360292A (ja) * 1986-08-29 1988-03-16 Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk 金製装飾工芸品
JPH0686543U (ja) * 1993-05-28 1994-12-20 セイコーエプソン株式会社 装身具
KR20000009482U (ko) * 1998-11-05 2000-06-05 김철수 장신구
KR100320299B1 (ko) * 1999-09-02 2002-01-10 오경승 스톤 인 스톤

Also Published As

Publication number Publication date
KR100497966B1 (ko) 2005-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4809417A (en) Method of making a multiplet jewelry product with internally embedded visual indicia
KR101873090B1 (ko) 타임피스와 같은 휴대용 오브젝트용 디스플레이 다이얼을 제작하기 위한 방법 및 그 방법에 의해 획득된 디스플레이 다이얼
US20200293001A1 (en) Ceramic-based timepiece or jewellery component with a structured decoration
CN105711326A (zh) 钟表或珠宝首饰的装饰构件的制造方法及由此制造的构件
KR200314133Y1 (ko) 금속박막이 내설된 합성보석
KR100497966B1 (ko) 금속박막이 내설된 합성보석 및 그 제조방법
JP2002507929A (ja) 装飾用石
TW200806220A (en) Fake fingernail embedded with gem, gem mounting structure, and process for manufacturing fake fingernail embedded with gem
KR200391739Y1 (ko) 홀로그램이 내장된 보석
KR100894023B1 (ko) 패턴무늬 핫픽스 및 그 제조방법
KR100720002B1 (ko) 금속무늬를 인쇄한 보석 및 그 제조방법
RU2223685C2 (ru) Камень для ювелирных изделий
EP3320799A1 (en) Ornamental element and method for its manufacture
EP2837506B1 (en) Process for the realization of decorations
JP6180222B2 (ja) 装飾体の取付構造およびその取付方法
EP4051047B1 (en) Decorative element
KR101386234B1 (ko) 동 메탈스톤과 그 제조방법 및 이를 이용한 악세사리
KR102560816B1 (ko) 기계 부품을 장식하기 위한 방법
JP2004113617A (ja) 装飾品およびその製造方法
RU2718338C1 (ru) Способ получения ювелирного камня
JP2020148766A (ja) 基材及びその装飾を保護する計時器又は装飾品の複合構成要素
JPH04324816A (ja) 装飾片入り樹脂製眼鏡部品、及びその製造方法
KR200369092Y1 (ko) 조각물이 삽입된 보석
KR101963645B1 (ko) 악세사리용 장신구의 제조방법
KR20090118155A (ko) 보석장신구의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Invalidation trial for patent
J206 Request for trial to confirm the scope of a patent right
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE REQUESTED 20051025

Effective date: 20060630

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20051025

Effective date: 20060630

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: INVALIDATION

Free format text: CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE

J2X2 Appeal (before the supreme court)

Free format text: APPEAL BEFORE THE SUPREME COURT FOR INVALIDATION

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: JUDGMENT (PATENT COURT) FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE REQUESTED 20060802

Effective date: 20070112

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: JUDGMENT (PATENT COURT) FOR INVALIDATION REQUESTED 20060802

Effective date: 20070112

J303 Written judgement (supreme court)

Free format text: JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR INVALIDATION REQUESTED 20070130

Effective date: 20070412

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE REQUESTED 20070213

Effective date: 20070426

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE

J122 Written withdrawal of action (patent court)
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080623

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee