KR20040072808A - Clothespin typed apparatus for dissipating heat generated from semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 모듈(module)에 관한 것으로, 특히, 반도체 모듈에 장착된 소자의 표면으로부터 발생되는 열을 효과적으로 소산(dissipating)시키기 위해 반도체 모듈에 탈착이 용이하게 장착될 수 있는 집게형 열 소산 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor module, and in particular, a clip-type heat dissipation device that can be easily detachably mounted to a semiconductor module in order to effectively dissipate heat generated from a surface of a device mounted on the semiconductor module. It is about.
현재, 반도체 모듈, 예컨대, 고집적 메모리 모듈(high density memory module)의 열적 문제(thermal issue)가 종종 부각되고 있다. 특히, 메모리 모듈의 메모리 용량이 2GB 이상으로 크게 증가할 것으로 예상됨에 따라, 메모리 모듈에서 소비되는 소비 전력이 더욱 커질 것으로 예상되고, 이에 따라, 열적 문제는 더욱 심각해질 것으로 예상되고 있다. 따라서, 이러한 메모리 모듈에서의 열적 문제를 해설할 수 있는 냉각 해법(cooling solution)이 절실하게 요구되고 있다.Currently, thermal issues of semiconductor modules, such as high density memory modules, are often highlighted. In particular, as the memory capacity of the memory module is expected to increase significantly to 2GB or more, the power consumption consumed by the memory module is expected to be greater, and accordingly, the thermal problem is expected to become more serious. Therefore, there is an urgent need for a cooling solution that can solve the thermal problem in such a memory module.
최근 중앙 연산 장치(CPU)와 주변 기기 간의 데이터(data) 전송 속도가 매우 빨라짐에 따라, 메모리(memory) 제품의 구동 전류(operating current)가 증가하고 있으며, 또한, 메모리 모듈의 용량을 증가시키기 위해서 개별 전자 소자부품(electronic component)들을 적층(stack)하기도 하고 있다. 이에 따라, 모듈의 열적 특성은 상대적으로 취약해지고 있다.Recently, as the data transfer speed between the central processing unit (CPU) and peripheral devices becomes very fast, the operating current of the memory products is increasing, and in order to increase the capacity of the memory module, Individual electronic components are also stacked. Accordingly, the thermal properties of the module are relatively weak.
모듈의 온도가 높아지면 동작 속도(speed) 감소 및 리프레시(refresh) 특성 저하, 제품의 수명 단축 등 제품 특성에 나쁜 영향이 미쳐진다. 예를 들어, 디램(DRAM)에서 데이터 보유 시간(data retention time:tREF)은 수율과 특성을 결정하는 매우 중요한 요소이다. 그런데, 모듈의 온도, 예를 들어, Tj(소자 정션 온도:device junction temperature)가 10℃ 상승할 때 데이터 보유 시간은 대략 30% 감소하게 된다. 따라서, 모듈의 온도가 상승되면 메모리 모듈 제품의 수율은 매우 급속히 떨어지게 된다. 수율 저하는 생산성에 직접적으로 영향을 미치기 때문에, 열적인 문제가 발생하지 않도록 Tj를 안정적인 상태로 유지해 주어야 한다.Increasing the module temperature adversely affects product characteristics, such as reduced operating speed, reduced refresh characteristics, and shortened product life. For example, data retention time (TREF) in DRAM is a very important factor in determining yield and characteristics. However, when the temperature of the module, for example, T j (device junction temperature) increases by 10 ° C., the data retention time is reduced by approximately 30%. Therefore, as the temperature of the module rises, the yield of the memory module product drops very rapidly. Yield degradation directly affects productivity, so T j must be kept stable to avoid thermal problems.
메모리 모듈은 일반적으로 PC(Personal Computer)과 같은 컴퓨터 시스템의 마더 보드(mother board)의 슬롯(slot)에 아래의 도 1에 제시된 바와 같이 장착되게 된다.The memory module is generally mounted in a slot of a mother board of a computer system such as a personal computer (PC) as shown in FIG. 1 below.
도 1은 종래의 메모리 모듈이 마더 보드에 장착된 형상을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a shape in which a conventional memory module is mounted on a motherboard.
도 1을 참조하면, 패키지(package) 형태의 개별 소자 부품(13), 즉, 메모리 소자 패키지들이 모듈 보드(module board:12)에 집적되어 구성되는 메모리 모듈(14)은, 마더 보드(10)에 설치된 슬롯(11)에 장착되게 된다. 슬롯(11)들 간의 간격은 대략 9.55㎜ 정도이고, 대략 3 - 4개의 슬롯(11)들에 메모리 모듈(14)들이나란히 꽂히게 된다.Referring to FIG. 1, an individual device component 13 in a package form, that is, a memory module 14 in which memory device packages are integrated on a module board 12 may include a motherboard 10. It will be mounted in the slot 11 installed in. The spacing between the slots 11 is approximately 9.55 mm, and the memory modules 14 are inserted into the three to four slots 11 side by side.
이때, 슬롯(11)의 중앙부의 온도를 측정해 보면 위치에 따라 온도가 달라지게 된다. 즉, 메모리 모듈(14)의 양쪽 단부에서는 대략 92℃ 정도로 측정되나 메모리 모듈(14)의 가운데 부분에서는 대략 132℃ 정도로 측정된다. 그 이유는 양쪽 단부에서는 공기에 흐름에 의한 대류 열전달이 상대적으로 많이 이루어질 수 있으나, 가운데 부분은 공기의 유속이 줄고 앞쪽에서 뜨거워진 공기의 영향을 받아 상대적으로 높은 온도를 나타내게 된다.At this time, when the temperature of the center portion of the slot 11 is measured, the temperature varies depending on the position. That is, at both ends of the memory module 14, the temperature is measured at about 92 ° C., but at the center of the memory module 14, at about 132 ° C. The reason is that at both ends, the convective heat transfer due to the flow to the air can be made relatively, but the middle portion shows a relatively high temperature under the influence of the air flow rate and the hot air from the front.
이러한 메모리 모듈(14)에의 온도의 상승은 슬롯(11)들 간의 간격이 더욱 좁아짐에 따라 더욱 극심해질 수 있다. 특히, 메모리 모듈(14)의 한정된 면적에 개별 소자 부품(13)들을 보다 많이 집적하기 위해서 소자 부품(13)들, 즉, 패키지들을 적층(stack)할 경우, 이러한 온도 상승은 보다 극심해지게 된다. 이는 패키지들을 적층함으로써 모듈(14) 간의 간격이 더욱 좁아지기 때문이다. 실질적으로, 도 1에 제시된 바와 같이 양면 적층형 메모리 모듈(14)의 경우 모듈(14) 간의 간격은 3.55㎜에 불과하게 되어 온도도 더욱 상승하게 된다.This increase in temperature to the memory module 14 may be more severe as the spacing between the slots 11 becomes narrower. In particular, when stacking the device components 13, i.e. packages, in order to integrate more individual device components 13 in a limited area of the memory module 14, this temperature rise becomes more severe. . This is because the spacing between modules 14 is narrower by stacking packages. Substantially, as shown in FIG. 1, in the case of the double-sided stacked memory module 14, the distance between the modules 14 is only 3.55 mm, and the temperature is further increased.
이와 같은 메모리 모듈에서의 온도 상승을 보상하기 위해서 메모리 모듈에 다양한 형태의 열 소산 장치, 예컨대, 히트 싱크 또는 히트 스프레더(heat sink or heat spreader) 등을 부착하는 방안들이 제시되고 있다.In order to compensate for such an increase in temperature in the memory module, various types of heat dissipation devices, such as a heat sink or a heat spreader, are attached to the memory module.
예컨대, 알려진 램버스 디램(rambus DRAM)의 경우 히트 스프레드들 사이에 모듈을 두고 히트 스프레드들을 리베이트(rebate)로 체결하는 방식이 채용되고 있다. 그런데, 이러한 히트 스프레드를 채용하는 경우, 패키지들이 적층되어 모듈 사이의 간격이 줄어들면 열 소산 또는 분산 효과 보다 히트 스프레드가 공기의 흐름을 방해하여 대류 열전달을 방해하는 효과가 더 커지는 원하지 않는 결과가 발생할 수 있다.For example, in the known rambus DRAM, a method of fastening the heat spreads with a module between the heat spreads and using a rebate is adopted. However, in the case of employing such a heat spread, if the packages are stacked and the distance between the modules is reduced, an undesirable result is that the heat spread interferes with the flow of air and the convection heat transfer becomes larger than the heat dissipation or dispersion effect. Can be.
또한, 미국 특허 제5,966,287호(steve lofland 등에 의한 "Clip on heat exchanger for a memory module and assembly method", 1999년 10월 12일 등록)에서는 히트 스프레드 및 히트 싱크를 구비하는 두 부분 사이에 메모리 모듈을 두고 두 부분을 클립(clip)을 사용하여 고정 체결하는 방식으로 메모리 모듈에 히트 스프레드 및 히트 싱크를 부착하는 방안이 제시되고 있다.In addition, US Pat. No. 5,966,287 ("Clip on heat exchanger for a memory module and assembly method" by steve lofland et al., Filed Oct. 12, 1999) also discloses a memory module between two portions having a heat spread and a heat sink. A method of attaching a heat spread and a heat sink to a memory module by fixing the two parts by using a clip has been proposed.
그럼에도 불구하고, 이러한 고정 체결 방식들은 메모리 모듈에 이러한 히트 스프레드 또는 히트 싱크 부분을 장착하거나 또는 탈착하기가 상대적으로 매우 어려운 점이 있다. 상기한 바와 같은 리베이팅(rebating) 방식이나 클립 체결 방식은 다소 장착이나 탈착 기능 면에서 용이성이 떨어지게 된다.Nevertheless, these fixed fastening schemes are relatively difficult to mount or remove such heat spread or heat sink portions in the memory module. The above-described rebating method or clip fastening method is less easy in terms of mounting or detachment function.
실질적으로, 히트 싱크나 히트 스프레드 등을 메모리 모듈에 접목시키기 위해서는 몇 가지 중요하게 고려하여야 할 사항들이 있다. 예를 들어, 메모리 모듈을 구성하는 구성 소자, 즉, 패키지와 히트 스프레드(또는 히트 싱크)가 보다 밀착되게 접착되어야 한다는 점이 고려되어야 한다. 이는 열 전달을 효과적으로 유도하기 위해서 패키지와 히트 스프레드간의 접착이 보다 확실히 되어 접촉 저항을 줄여야 한다는 것이다. 또한, 모듈에 이러한 히트 스프레드 부분을 용이하게 장착 또는 탈착할 수 있어야 한다는 점이 고려되어야 한다. 그리고, 대류 효과를 효과적으로 이용할 수 있는 구조로 히트 스프레드 등이 구성되어야 한다는 점이 고려되어야 한다.In practice, there are some important considerations for integrating heat sinks, heat spreads, and the like into memory modules. For example, it should be considered that the components constituting the memory module, i.e., the package and the heat spread (or heat sink) should be bonded more closely. This means that the bond between the package and the heat spread is more secure to reduce the contact resistance in order to effectively induce heat transfer. It should also be considered that the module should be able to easily mount or detach such heat spread portions. In addition, it should be considered that the heat spread and the like should be configured in a structure that can effectively use the convection effect.
그런데, 상기한 바와 같은 고정 체결 방식들은 히트 스프레드 또는 히트 싱크 부분을 모듈에 장착하기가 상당히 번거로울 뿐만 아니라, 히트 스프레드와 모듈의 패키지 간의 접착을 효과적으로 유도하기 어려워, 탈 부착이 보다 용이하고 효과적으로 열 소산 작용을 할 수 있는 장치가 요구된다.By the way, the fixed fastening methods as described above are not only very cumbersome to mount the heat spread or heat sink portion to the module, but also difficult to effectively induce adhesion between the heat spread and the package of the module, so that the detachment is more easily and effectively dissipated. A device capable of functioning is required.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 모듈에의 탈 부착이 용이하고 모듈에 보다 효과적으로 접촉되어, 반도체 모듈을 구성하는 구성 소자, 즉, 패키지로부터 발생되는 열을 효과적으로 소산시킬 수 있어, 반도체 모듈을 구성하는 구성 소자를 효과적으로 냉각시켜 반도체 모듈의 온도 상승을 효과적으로 방지할 수 있는 열 소산 장치를 제공하는 데 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to be easily attached to and detached from the semiconductor module and to contact the module more effectively, thereby effectively dissipating the heat generated from the components constituting the semiconductor module, that is, the package. An object of the present invention is to provide a heat dissipation device that can effectively cool a component to prevent the temperature rise of a semiconductor module.
도 1은 종래의 메모리 모듈(memory module)이 마더 보드(mother board)에 장착된 형상을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a shape in which a conventional memory module is mounted on a mother board.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 모듈로부터 발생되는 열을 소산시키는 집게형 열 소산 장치를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 2 is a view schematically illustrating a tong type heat dissipation device for dissipating heat generated from a semiconductor module according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 열 소산 장치의 구조를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating the structure of the heat dissipation device of FIG. 2.
도 4는 도 2의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착되는 과정을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.4 is a diagram schematically illustrating a process in which the heat dissipation device of FIG. 2 is mounted on a memory module.
도 5는 도 2의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착된 상태를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view schematically illustrating a state in which the heat dissipation device of FIG. 2 is mounted on a memory module.
도 6은 도 5의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착된 상태를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the heat dissipation device of FIG. 5 is mounted on a memory module.
도 7 및 도 8은 도 6의 열 소산 장치의 열방산부의 일례들을 설명하기 위해서 도시한 단면도들이다.7 and 8 are cross-sectional views illustrating examples of a heat dissipation unit of the heat dissipation device of FIG. 6.
도 9 내지 도 12는 도 6의 열 소산 장치에 도입되는 탄성 부재의 일례들을설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다.9 to 12 are cross-sectional views schematically illustrating examples of the elastic member introduced into the heat dissipation device of FIG. 6.
도 13 내지 도 17은 도 6의 열 소산 장치에 열적 계면 물질층이 도입되는 일례들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다.13 to 17 are cross-sectional views schematically illustrating examples of introducing a thermal interface material layer into the heat dissipation device of FIG. 6.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 실시예에 의해 구현될 수 있는 효과를 설명하기 위해서 도시한 그래프들이다.18 to 20 are graphs illustrated to explain effects that can be implemented by an embodiment of the present invention.
상기의 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 반도체 모듈로부터 발생되는 열을 소산시키는 집게형 열 소산 장치를 제공한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem, to provide a tong type heat dissipation device for dissipating heat generated from the semiconductor module.
상기 열 소산 장치는 패키지들이 실장된 반도체 모듈을 사이에 끼우도록 상호 대향되게 배치된 두 개의 열교환 부재들과, 상기 열교환 부재들 사이에 끼워진 상기 모듈의 상측으로 상기 열교환 부재들의 일부가 돌출되도록 상기 열교환 부재들의 중간에서 상기 열교환 부재들 상호 간을 경첩 연결(hinge joint)시키는 연결부와, 상기 열교환 부재들의 상기 연결부 아래에 위치하는 부분 사이에 상기 모듈이 끼워질 때 상기 모듈의 패키지들 표면에 상기 열교환 부재들의 상기 연결부 아래에 위치하는 부분을 밀착하여 접착시키는 힘을 제공하도록 상기 열교환 부재들 사이에 도입되는 탄성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The heat dissipation device includes two heat exchange members disposed to face each other so as to sandwich a semiconductor module on which packages are mounted, and the heat exchange portion such that a part of the heat exchange members protrudes from an upper side of the module sandwiched between the heat exchange members. The heat exchange member on the surfaces of the packages of the module when the module is sandwiched between a connection portion hinged between the heat exchange members in the middle of the members and a portion located below the connection portion of the heat exchange members. And an elastic member introduced between the heat exchange members to provide a force for adhering and contacting a portion located below the connection portion of the device.
또한, 상기 열 소산 장치는 반도체 모듈의 일면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제1접촉부, 및 상기 제1접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 제1열방산부를 포함하는 제1열교환 부재와, 상기 모듈의 다른 면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제2접촉부, 및 상기 제2접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 제2열방산부를 포함하는 제2열교환 부재와, 및 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부 사이에 상기 모듈이 끼워질 때 상기 모듈의 표면에 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부를 밀착하여 접착시키는 힘을 제공하도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 사이에 도입되는 탄성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the heat dissipation device includes a first heat exchanger including a first contact portion receiving heat from the module in contact with one surface of the semiconductor module, and a first heat dissipation portion thermally connected to the first contact portion to dissipate the heat. A second heat exchange member including a member, a second contact portion receiving heat from the module in contact with the other surface of the module, and a second heat dissipation portion thermally connected to the second contact portion to dissipate the heat; And the first and second heat exchanging members to provide a force for closely contacting the first contact part and the second contact part to a surface of the module when the module is fitted between the first contact part and the second contact part. It may be configured to include an elastic member introduced between.
이때, 상기 열교환 부재들의 상기 돌출되는 부분은 요철 표면을 가질 수 있다. 또한, 적어도 상기 열교환 부재들의 상기 돌출되는 부분은 발포형 금속, 예컨대, 발포형 알루미늄으로 형성된 것일 수 있다.In this case, the protruding portions of the heat exchanging members may have an uneven surface. In addition, at least the protruding portion of the heat exchange members may be formed of a foamed metal, for example, foamed aluminum.
상기 탄성 부재는 상기 제1 및 제2열방산부를 관통하여 상기 제1 및 제2접촉부들의 상호 대향하는 면에 반대되는 면에 양 끝단이 접촉하며 상기 연결부를 가운데 두고 휘어져 상기 제1 및 제2접촉부들 사이를 좁혀주는 힘을 제공하는 선형 스프링일 수 있다.Both ends of the elastic member penetrate the first and second heat dissipating parts to contact surfaces opposite to the mutually opposite surfaces of the first and second contact parts, and are bent toward the connecting part to bend the first and second contact parts. It may be a linear spring providing a force that narrows between them.
또한, 상기 장치는 상기 모듈의 상측으로 상기 제1열방산부 및 상기 제2열방산부가 돌출되도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 상호 간을 경첩 연결(hinge joint)시키는 연결부를 더 포함할 수 있고, 이때, 상기 탄성 부재는 상기 열교환부재들의 돌출되는 부분들 사이에 도입되어 상기 연결부를 중심으로 상기 열교환 부재들의 상기 돌출되는 부분들의 사이를 벌려주어 상기 열교환 부재들의 상기 연결부 아래에 위치하는 부분들 사이를 좁혀주는 힘을 제공하는 용수철 스프링 또는 판형, 선형 스프링일 수 있다.In addition, the apparatus may further include a connecting portion for hinge joints between the first and second heat exchange members such that the first heat dissipation portion and the second heat dissipation portion protrude above the module. In this case, the elastic member is introduced between the protruding portions of the heat exchange members to open the space between the protruding portions of the heat exchange members about the connection portion between the portions located below the connection portion of the heat exchange members. It may be a spring or a plate-like, linear spring that provides a force to narrow it.
상기 열 소산 장치는 상기 열교환 부재들의 상기 패키지들의 표면에 밀착되는 부분에 도입되는 열적 계면 물질층을 더 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 열적 계면 물질층은 그리스, 에폭시, 상 변환 물질, 테이프 등 다양한 종류를 사용할 수 있다.The heat dissipation device may further include a thermal interface material layer introduced into a portion of the heat exchange members that is in close contact with the surfaces of the packages. In this case, the thermal interface material layer may use various kinds of grease, epoxy, phase change material, tape, and the like.
상기 열교환 부재들의 상기 패키지들의 표면에 밀착되는 부분의 표면은 부착력을 증가시키기 위해서 에칭(etching), 스퍼터링(sputtering) 또는 코팅(coating)으로 표면 처리된 것일 수 있다.The surface of the portion in close contact with the surfaces of the packages of the heat exchange members may be surface treated by etching, sputtering or coating to increase adhesion.
또한, 상기 열 소산 장치는 반도체 모듈의 일면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제1접촉부, 및 상기 제1접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 요철 표면을 가지는 제1열방산부를 포함하는 제1열교환 부재와, 상기 모듈의 다른 면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제2접촉부, 및 상기 제2접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 요철 표면을 가지는 제2열방산부를 포함하는 제2열교환 부재와, 상기 모듈의 상측으로 상기 제1열방산부 및 상기 제2열방산부가 돌출되도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 상호 간을 경첩 연결(hinge joint)시키는 연결부 및, 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부 사이에 상기 모듈이 끼워질 때 상기 모듈의 표면에 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부를 밀착하여 접착시키는 힘을 제공하도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 사이에 도입되는 탄성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the heat dissipation device includes a first heat dissipation unit having a first contact portion which is in contact with one surface of the semiconductor module and receives heat from the module, and a first uneven surface that is thermally connected to the first contact portion to dissipate the heat A second heat dissipation member having a first heat exchange member, a second contact portion receiving heat from the module in contact with the other surface of the module, and a concave-convex surface thermally connected to the second contact portion to dissipate the heat; A second heat exchange member including a connecting portion hinge hinged between the first and second heat exchange members such that the first heat dissipation portion and the second heat dissipation portion protrude upward from the module; When the module is sandwiched between the first contact portion and the second contact portion to provide a force for bringing the first contact portion and the second contact portion in close contact with the surface of the module 1 and it can comprise an elastic member being introduced between the second heat exchange member.
또한, 상기 열 소산 장치는, 반도체 모듈의 일면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제1접촉부, 및 상기 제1접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 제1열방산부를 포함하는 제1열교환 부재와, 상기 모듈의 다른 면과 접촉하여 상기 모듈로부터 열을 전달받는 제2접촉부, 및 상기 제2접촉부에 열적으로 연결되어 상기 열을 방산하는 제2열방산부를 포함하는 제2열교환 부재와, 상기 모듈의 상측으로 상기 제1열방산부 및 상기 제2열방산부가 돌출되도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 상호 간을 경첩 연결(hinge joint)시키는 연결부, 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부 사이에 상기 모듈이 끼워질 때 상기 모듈의 표면에 상기 제1접촉부 및 상기 제2접촉부를 밀착하여 접착시키는 힘을 제공하도록 상기 제1 및 제2열교환 부재들 사이에 도입되는 탄성 부재, 상기 제1 및 제2접촉부들 각각의 상호 대향되는 면들에 상기 면들과 상기 반도체 모듈 사이에 도입되는 열적 계면 물질층, 및 상기 열적 계면 물질층이 흘러내리는 것을 막아주는 상기 제1 및 제2접촉부들 표면에 상기 열적 계면 물질층 주위로 도입된 패킹(packing) 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The heat dissipation device may include a first contact part that contacts one surface of the semiconductor module to receive heat from the module, and a first heat dissipation part that is thermally connected to the first contact part to dissipate the heat. A second heat exchange member including a heat exchange member, a second contact portion contacting the other surface of the module to receive heat from the module, and a second heat dissipation portion thermally connected to the second contact portion to dissipate the heat; And a connecting portion configured to hinge joint between the first and second heat exchange members so that the first heat dissipating portion and the second heat dissipating portion protrude upward from the module, the first contact portion and the second contact portion. Is introduced between the first and second heat exchange members to provide a force to adhere and adhere the first contact portion and the second contact portion to the surface of the module when the module is sandwiched therebetween. A first layer and a thermal interface material layer introduced between the surfaces and the semiconductor module on opposite surfaces of each of the first member and the first and second contact portions, and the first and second layers preventing the thermal interface material layer from flowing down. And a packing member introduced around the thermally interfacial material layer on the surfaces of the contact portions.
이때, 상기 패킹 부재는 고무 재질로 형성된 것일 수 있다.In this case, the packing member may be formed of a rubber material.
또한, 상기 제1 및 제2접촉부들 각각의 상호 대향되는 면들에 상기 열적 계면 물질층을 담는 홈이 더 형성된 것일 수 있다. 이때, 상기 패킹 부재는 상기 홈 주위에 도입된 것일 수 있다.In addition, grooves containing the thermal interface material layer may be further formed on surfaces of the first and second contact portions that face each other. In this case, the packing member may be introduced around the groove.
본 발명에 따르면, 집게형 기본 구조로 구성되어 확장된 열방산부를 구비하여 반도체 모듈로부터 발생되는 열을 효과적으로 소산시키는 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an apparatus for effectively dissipating heat generated from a semiconductor module having an expanded heat dissipation unit composed of a tong type basic structure.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미하는 해석되어지는 것이 바람직하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, it is preferable that the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals on the drawings are preferably interpreted to mean the same elements.
본 발명의 실시예에서는 반도체 메모리 모듈의 패키지로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출하여 메모리 모듈의 온도가 높아지는 것을 방지하는 집게형 열 소산 장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a tong type heat dissipation device that effectively discharges heat generated from a package of a semiconductor memory module to prevent the temperature of the memory module from increasing.
본 발명의 실시예에서 제시하는 집게형 열 소산 장치는 그 사이에 메모리 모듈이 끼워지도록 구성되는 두 개의 실질적으로 대칭적인 열교환 부재, 즉, 히트 싱크(heat sink) 및 히트 스프레드(heat spread) 부재를 포함하여 구성되고, 이러한 두 개의 열교환 부재는 연결부에 의해서 경첩 연결되어 연결부를 중심으로 움직일 수 있게 체결된다. 이때, 연결부는 열교환 부재의 중간에 도입된다. 즉, 열교환 부재는 메모리 모듈을 그 사이에 끼우는 부분, 즉, 접촉부와 상기 메모리 모듈의 상측으로 핀(fin) 형태로 연장된 열 방산부로 실질적으로 구성되는 데, 연결부는 열 방산부와 접촉부의 사이에 도입되게 된다. 이에 따라, 연결부를 중심으로 두 개의 열교환 부재는 집게와 같은 움직임을 할 수 있게 된다.The tong type heat dissipation device presented in the embodiment of the present invention is characterized by two substantially symmetrical heat exchange members, that is, a heat sink and a heat spread member, which are configured to fit a memory module therebetween. The two heat exchange members are hingedly connected by a connection part and fastened to be movable about the connection part. At this time, the connecting portion is introduced in the middle of the heat exchange member. That is, the heat exchange member is substantially composed of a portion sandwiching the memory module, that is, a contact portion and a heat dissipation portion extending in a fin form above the memory module, wherein the connection portion is formed between the heat dissipation portion and the contact portion. To be introduced. Accordingly, the two heat exchange members around the connection portion can move like a forceps.
이때, 열교환 부재가 메모리 모듈의 보드 표면에 실장된 패키지에 확실히 접촉하도록 하는 힘을 제공하기 위해서, 열교환 부재들 사이에 탄성 부재, 예컨대, 스프링(spring)을 도입하는 바를 또한 제시한다. 이러한 탄성 부재는 메모리 모듈의 패키지에 열교환 부재가 밀착되도록 하는 힘을 제공하는 역할을 하게 된다.At this time, it is also proposed to introduce an elastic member, for example a spring, between the heat exchange members in order to provide a force for ensuring that the heat exchange member is in contact with the package mounted on the board surface of the memory module. The elastic member serves to provide a force for bringing the heat exchange member into close contact with the package of the memory module.
메모리 모듈의 패키지에 실질적으로 접촉하는 접촉부는 히트 싱크로 작용하게 되고, 메모리 모듈 상측으로 연장되어 돌출되게 되는 열 방산부는 접촉부와 열적으로 결합되어 접촉부로 전달된 열을 대기 중으로 효과적으로 방출하는 역할을 한다. 열 방산부는 대류를 이용하여 접촉부로부터 전달되는 열을 대기 중으로 방산하게 된다.The contact portion which substantially contacts the package of the memory module acts as a heat sink, and the heat dissipation portion which extends and protrudes above the memory module is thermally coupled with the contact portion to effectively discharge heat transferred to the contact portion into the atmosphere. The heat dissipation unit uses convection to dissipate heat transferred from the contact to the atmosphere.
이때, 접촉부에는 열적 계면 물질(TIM:Thermal Interface Material)로 구성되는 열전달 층이 도입되어 상기한 열교환 부재의 접촉부와 패키지가 보다 밀착되도록 유도한다. 열적 계면 물질이 접촉부에 보다 효과적으로 부착된 상태를 유지하도록 유도하기 위해서 접촉부에는 일러한 열적 계면 물질을 담는 홈이 형성된다. 또한, 열적 계면 물질이 패키지로부터 발열되는 열량에 의해서 액상으로 상(phase) 변이될 경우를 대비하여, 열적 계면 물질층의 주위에 이러한 열적 계면 물질이 흘러내리는 것을 막을 댐(dam) 또는 패킹 부재(packing means)를 구비하는 바를 제시한다.In this case, a heat transfer layer made of a thermal interface material (TIM) is introduced into the contact portion to induce a close contact between the contact portion and the package of the heat exchange member. In order to induce the thermal interface material to be more effectively attached to the contact portion, a groove is formed in the contact portion containing the thermal interface material. In addition, a dam or packing member may be used to prevent the thermal interface material from flowing around the thermal interface material layer, in case the thermal interface material is phase shifted into the liquid phase by the amount of heat generated from the package. presenting a bar with packing means.
결론적으로, 본 발명의 실시예에서 제시되는 집게형 열 소산 장치는 집게의 움직임을 구현할 수 있어, 메모리 모듈에 집게형 열 소산 장치를 부착 및 탈착하는 과정이 매우 용이하게 이루어질 수 있다. 또한, 집게형 열 소산 장치가 메모리 모듈에 부착된 상태에서도 탄성 부재의 탄성력이 계속 작용하므로, 열교환 부재와 메모리 모듈의 패키지가 매우 확실하게 밀착된 상태로 유지할 수 있다. 이에 따라, 패키지로부터 열이 열교환 부재로 전달되는 효율을 극대화할 수 있다.In conclusion, the forceps-type heat dissipation device presented in the embodiment of the present invention can implement the movement of the forceps, and the process of attaching and detaching the forceps-type heat dissipation device to the memory module can be made very easy. In addition, since the elastic force of the elastic member continues to act even when the clip-type heat dissipation device is attached to the memory module, the heat exchange member and the package of the memory module can be kept in close contact with each other. Accordingly, the efficiency of transferring heat from the package to the heat exchange member can be maximized.
패키지로부터 전달된 열은 열 방산부로 전달되고, 열 방산부는 충분한 대류 효과를 구현하도록 메모리 모듈 상측으로 돌출되어 있으므로 전달된 열을 대기 중으로 매우 빠르게 소산될 수 있다. 따라서, 매우 효과적으로 메모리 모듈에서 발생하는 열을 소산시킬 수 있어, 메모리 모듈의 온도가 매우 높게 상승하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Heat transferred from the package is transferred to the heat dissipation unit, and the heat dissipation unit protrudes above the memory module to realize a sufficient convection effect, so that the transferred heat can be dissipated to the atmosphere very quickly. Therefore, it is possible to dissipate heat generated in the memory module very effectively, thereby effectively preventing the temperature of the memory module from rising very high.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 모듈로부터 발생되는 열을 소산시키는 집게형 열 소산 장치를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3은 도 2의 열 소산 장치의 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 4는 도 2의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착되는 과정을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 5는 도 2의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착된 상태를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5의 열 소산 장치가 메모리 모듈에 장착된 상태를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 7 및 도 8은 도 6의 열 소산 장치의 열방산부의 일례들을 설명하기 위해서 도시한 단면도들이다. 도 9 내지 도 12는 도 6의 열 소산 장치에 도입되는 탄성 부재의 일례들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 13 내지 도 17은 도 6의 열 소산 장치에 열적 계면 물질층이 도입되는 일례들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다.FIG. 2 is a view schematically illustrating a tong type heat dissipation device for dissipating heat generated from a semiconductor module according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of the heat dissipation device of FIG. 2. 4 is a diagram schematically illustrating a process in which the heat dissipation device of FIG. 2 is mounted on a memory module. FIG. 5 is a perspective view schematically illustrating a state in which the heat dissipation device of FIG. 2 is mounted on a memory module. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the heat dissipation device of FIG. 5 is mounted on a memory module. 7 and 8 are cross-sectional views illustrating examples of a heat dissipation unit of the heat dissipation device of FIG. 6. 9 to 12 are cross-sectional views schematically illustrating an example of an elastic member introduced into the heat dissipation device of FIG. 6. 13 to 17 are cross-sectional views schematically illustrating examples of introducing a thermal interface material layer into the heat dissipation device of FIG. 6.
먼저, 도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 집게형 열 소산 장치는, 두 개의 열교환 부재를 포함하여 구성되고, 열교환 부재는 경첩 연결(hinge joint)에 의해서 연결되어 집게와 같은 움직임을 구현할 수 있다.First, referring to FIGS. 2 to 6, the nipper-type heat dissipation device according to the embodiment of the present invention includes two heat exchange members, and the heat exchange members are connected by hinge joints to be connected to the forceps. The same movement can be achieved.
구체적으로, 제1열교환 부재(100)와 제2열교환 부재(200)는 실질적으로 동일하게 형성될 수 있으며, 판형으로 형성될 수 있다. 제1열교환 부재(100)는 제1접촉부(110)와 이에 연장된 제1열방산부(130)를 포함하여 구성된다. 마찬가지로 제2열교환 부재(200)는 제1열교환 부재(100)와 대향되게 도입되는 구조로 형성되며, 역시, 제2접촉부(210)와 이에 연장되는 제2열방산부(230)를 포함하여 구성된다. 제1접촉부(110)는 제1열방산부(130)와 열적으로 연결되게 되며, 마찬가지로, 제2접촉부(210)는 제2열방산부(240)와 열적으로 연결되게 된다.Specifically, the first heat exchange member 100 and the second heat exchange member 200 may be formed substantially the same, and may be formed in a plate shape. The first heat exchange member 100 includes a first contact portion 110 and a first heat dissipation portion 130 extending therefrom. Similarly, the second heat exchange member 200 is formed to have a structure introduced to face the first heat exchange member 100, and also includes a second contact portion 210 and a second heat dissipation portion 230 extending therefrom. . The first contact unit 110 is thermally connected to the first heat dissipation unit 130, and likewise, the second contact unit 210 is thermally connected to the second heat dissipation unit 240.
제1접촉부(110)는 실질적으로 반도체 메모리 모듈(도 4의 500)의 전자적 구성 부품인 패키지(530)에 접촉하는 부분이며, 제2접촉부(210) 또한 마찬가지이다. 제1접촉부(110)와 제2접촉부(210)는 도 5에 제시된 바와 같이 그 사이에 반도체 메모리 모듈(500)이 끼워져, 결국, 도 4에 제시된 바와 같이 메모리 모듈(500)의 보드(board:510) 상의 패키지(530)의 표면에 접촉되게 된다.The first contact portion 110 is a portion that substantially contacts the package 530 which is an electronic component of the semiconductor memory module 500 of FIG. 4, and the second contact portion 210 is also the same. As shown in FIG. 5, the first contact part 110 and the second contact part 210 have a semiconductor memory module 500 interposed therebetween, resulting in a board of the memory module 500 as shown in FIG. 4. It is in contact with the surface of the package 530 on 510.
제1접촉부(110) 또는/ 및 제2접촉부(210)는 패키지(530) 표면에 접촉하여, 메모리 모듈(500)이 컴퓨터 등에 장착되어 작동할 때 패키지(530)로부터 발생되는열을 전달받게 된다. 따라서, 실질적으로 제1접촉부(110) 및 제2접촉부(210)는 탁월한 히트 싱크(heat sink)의 세부 기능을 하게 된다. 또한, 이후에 보다 상세히 설명하지만, 실질적으로 제1접촉부(110) 또는/ 및 제2접촉부(210)와 패키지(530)의 사이에 보다 밀착된 환경 또는 상황을 제공하기 위해서 열적 계면 물질(TIM:Thermal Interface Material)의 층(도 6의 600)이 제1접촉부(110) 및 제2접촉부(210)의 표면에 도입된다.The first contact unit 110 and / or the second contact unit 210 are in contact with the surface of the package 530 to receive heat generated from the package 530 when the memory module 500 is mounted and operated in a computer. . Therefore, the first contact portion 110 and the second contact portion 210 substantially function as an excellent heat sink. In addition, as will be described in more detail below, thermal interface materials (TIMs) are provided to provide a more intimate environment or situation between the first contact portion 110 or / and the second contact portion 210 and the package 530. A layer of thermal interface material (600 of FIG. 6) is introduced to the surfaces of the first contact portion 110 and the second contact portion 210.
제1접촉부(110)에 열적으로 연결된 또는 연장된 제1열방산부(130)(또한 마찬가지로 제2열방산부(230))는 도 5 및 도 6에 제시된 바와 같이 열 소산 장치에 끼워지는 메모리 모듈(500)의 상측으로 돌출되도록 구성된다. 이에 따라, 도 5에 묘사된 바와 같이 열 소산 장치가 메모리 모듈(500)에 체결되었을 때, 제1열방산부(130) 및 제2열방산부(230)는 양쪽 표면이 모두 대기 중에 노출되게 된다. 이에 따라, 제1열방산부(130) 및 제2열방산부(230)에서는 제1접촉부(110) 또는 제2접촉부(210)로 전달된 열이 효과적으로 대기 중으로 소산될 수 있게 된다. 즉, 제1열방산부(130)와 제2열방산부(230) 사이에는 실질적으로 대기의 흐름을 방해할 요소가 도입되지 않으므로 원활한 대류 현상이 허용되게 된다. 이러한 대류 현상의 원활한 작용이 허용되므로, 제1열방산부(130)와 제2열방산부(230)로부터 열의 소산 또는 발산이 용이해지게 된다. 이에 따라, 제1열방산부(130) 및 제2열방산부(230)는 실질적으로 탁월한 히트 스프레드(heat spread)의 기능을 하게 된다.The first heat dissipation unit 130 (also like the second heat dissipation unit 230) thermally connected to or extending from the first contact unit 110 may include a memory module fitted to the heat dissipation device as shown in FIGS. 5 and 6. 500 is configured to protrude upward. Accordingly, when the heat dissipation device is fastened to the memory module 500 as depicted in FIG. 5, both surfaces of the first heat dissipation unit 130 and the second heat dissipation unit 230 are exposed to the atmosphere. Accordingly, in the first heat dissipation unit 130 and the second heat dissipation unit 230, heat transferred to the first contact unit 110 or the second contact unit 210 may be effectively dissipated to the atmosphere. That is, since no element is substantially introduced between the first heat dissipation unit 130 and the second heat dissipation unit 230, a smooth convection phenomenon is allowed. Since the smooth operation of the convection phenomenon is allowed, heat dissipation or dissipation from the first heat dissipation unit 130 and the second heat dissipation unit 230 becomes easy. Accordingly, the first heat dissipation unit 130 and the second heat dissipation unit 230 have a function of substantially excellent heat spread.
이와 같이 메모리 모듈(500) 상측으로 돌출되는 핀(fin) 형태로 도입된 열방산부들(130, 230)은 효과적인 열 방산 또는 방출, 대기로의 열 전달을 위해서 보다넓은 표면적을 가지도록 구성될 수 있다. 제한된 외형에서 보다 넓은 표면적을 구현하기 위해서, 열방산부들(130, 230)들은 도 7에 제시된 바와 같이 그 표면에 요철을 가지거나 도 8에 제시된 바와 같이 발포형 금속, 예컨대, 발포형 알루미늄 등으로 구성되는 것이 바람직하다.As described above, the heat dissipation parts 130 and 230 introduced in the form of fins protruding upward from the memory module 500 may be configured to have a larger surface area for effective heat dissipation or emission and heat transfer to the atmosphere. have. In order to realize a larger surface area in a limited shape, the heat dissipation parts 130 and 230 may have irregularities on the surface thereof as shown in FIG. 7 or a foamed metal such as foamed aluminum as shown in FIG. 8. It is preferred to be configured.
한편, 본 발명의 실시예에서 제시된 바와 같은 열 소산 장치는 대류 효과를 극대화하여 효과적인 패키지(530)의 냉각 효과를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 열 소산 장치를 반도체 메모리 모듈(500)에 장착 또는 탈착하는 과정을 매우 용이하게 수행할 수 있도록 구성된다. 열 소산 장치가 반도체 메모리 모듈(500)에 보다 용이하게 장착되기 위해서 집게의 움직임이 구현되도록 열 소산 장치는 구성된다.On the other hand, the heat dissipation device as shown in the embodiment of the present invention can maximize the convection effect to implement the cooling effect of the effective package 530, as well as mounting or detaching the heat dissipation device to the semiconductor memory module 500 It is configured to make the process very easy. The heat dissipation device is configured such that the movement of the forceps is implemented so that the heat dissipation device is more easily mounted to the semiconductor memory module 500.
다시 도 2 내지 도 6을 참조하면, 두 개의 열교환 부재(100, 200)는 도 1 및 도 3에 제시된 바와 같이 경첩 연결을 위한 연결부(300)에 의해서 연결된다. 이러한 연결부(300)는 경첩(열적 계면 물질층)과 경첩(310)을 관통하는 핀(pin:350)을 포함하여 구성될 수 있다. 따라서, 두 개의 열교환 부재(100, 200)는 이러한 연결부(300)를 중심으로 좌우로 경첩 운동(hinge movement)을 수행할 수 있게 된다. 따라서, 열교환 부재(100, 200)의 접촉부(110, 210) 사이에 반도체 메모리 모듈(500)을 끼우기 위해서는, 도 4에 제시된 바와 같이 접촉부들(110, 210) 사이를 벌리고 그 사이로 메모리 모듈(500)을 도입 삽입한 후, 도 5에 제시된 바와 같이 다시 접촉부(110, 210)를 닫으면 된다.Referring again to FIGS. 2 to 6, the two heat exchange members 100, 200 are connected by a connecting portion 300 for hinge connection as shown in FIGS. 1 and 3. The connection part 300 may include a hinge (thermal interface material layer) and a pin (350) penetrating through the hinge 310. Accordingly, the two heat exchange members 100 and 200 may perform a hinge movement from side to side about the connection part 300. Therefore, in order to sandwich the semiconductor memory module 500 between the contact portions 110 and 210 of the heat exchange members 100 and 200, the memory module 500 is spaced apart from the contact portions 110 and 210 as shown in FIG. 4. ), The contact parts 110 and 210 may be closed again as shown in FIG. 5.
이때, 접촉부(110, 210)들이 도 6에 제시된 바와 같이 메모리 모듈(500)에 접촉된 상태로 유지되기 위해서, 열방산부들(130, 230) 사이에는 탄성 부재(400)가도입된다. 탄성 부재(400)는 열방산부(130, 230) 사이에 도입되어 접촉부들(110, 210)이 메모리 모듈(500)에 부착되도록 하는 힘을 제공한다.In this case, the elastic members 400 are introduced between the heat dissipating parts 130 and 230 so that the contact parts 110 and 210 remain in contact with the memory module 500 as shown in FIG. 6. The elastic member 400 is introduced between the heat dissipation parts 130 and 230 to provide a force for attaching the contact parts 110 and 210 to the memory module 500.
예를 들어, 탄성 부재(400)가 열방산부들(130, 230) 사이에 도 2에 제시된 바와 같이 용수철 스프링(spring)으로 도입되었다면, 용수철 스프링의 탄성 부재(400)는 도 2에 화살표로 제시된 바와 같이 열방산부들(130, 230)들 사이를 벌리는 힘을 발생시키게 된다. 이러한 힘은 경첩 연결된 연결부(300)를 중심으로 지레대 원리에 의해서 접촉부들(110, 210)들을 오므리는 힘으로 작용하게 된다.For example, if the elastic member 400 is introduced between the heat dissipating portions 130 and 230 as a spring as shown in FIG. 2, the elastic member 400 of the spring spring is indicated by an arrow in FIG. 2. As shown in the drawing, a force is generated between the heat dissipating parts 130 and 230. This force acts as a force to pinch the contacts 110 and 210 by the lever principle around the hinged connection 300.
따라서, 도 4에 화살표로 제시된 바와 같이 열방산부들(130, 230)을 오므리는 힘을 인가하면, 접촉부들(110, 210)들의 사이는 벌려지게 되고, 그 사이로 반도체 메모리 모듈(500)이 끼워질 수 있게 된다. 반도체 메모리 모듈(500)이 접촉부들(110, 210) 사이에 도입된 후 열방산부들(130, 230)을 오므리는 힘을 제거하면, 탄성 부재(400)의 탄성 복원력에 의해서 도 5에 화살표로 제시된 바와 같이 열방산부들(130, 230) 사이를 벌리는 힘이 작용하게 된다. 이 힘은 경첩 연결부(300)를 중심으로 접촉부들(110, 130) 사이를 오므리는 힘으로 전달된다. 이에 따라, 탄성 부재(400)의 탄성 복원력은 접촉부들(110, 130) 사이를 오므리는 힘을 제공하여, 결국, 접촉부들(110, 130)이 메모리 모듈(500)에 부착되도록 허용하게 된다.Therefore, as shown by an arrow in FIG. 4, when a force that retracts the heat dissipation parts 130 and 230 is applied, the contact parts 110 and 210 are opened, and the semiconductor memory module 500 is interposed therebetween. You can lose. After the semiconductor memory module 500 is introduced between the contact parts 110 and 210, the force that pinches the heat dissipation parts 130 and 230 is removed, and the arrow is shown in FIG. 5 by the elastic restoring force of the elastic member 400. As shown, the force spreading between the heat dissipation parts 130 and 230 is applied. This force is transmitted as a force to pinch between the contacts (110, 130) around the hinge connection (300). Accordingly, the elastic restoring force of the elastic member 400 provides a force to pinch between the contacts 110 and 130, thereby allowing the contacts 110 and 130 to be attached to the memory module 500.
이러한 탄성 부재(400)는 도 9 내지 도 12에 제시된 바와 같이 다양한 형태로 채용될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 제시된 바와 같은 용수철 스프링(열적 계면 물질층) 형태로 채용될 수 있고, 도 10 및 도 11에 제시된 바와 같이 판형 스프링(열적 계면 물질층, 430)으로 채용될 수 있고, 도 12에 제시된 바와 같이 선형 스프링(wire spring:440)으로 채용될 수 있다. 특히, 도 12에 제시된 바와 같이 선형 스프링(440)으로 채용될 경우, 선형 스프링(440)의 끝단은 접촉부들(110, 210)의 외측면에 접촉하도록 도입되고, 연결부(300)를 중심으로 감긴 형태로 도입되는 것이 바람직하다.The elastic member 400 may be employed in various forms as shown in Figures 9 to 12. For example, it may be employed in the form of a spring spring (thermal interface material layer) as shown in FIG. 9, and may be employed as a plate spring (layer of thermal interface material 430) as shown in FIGS. 10 and 11, As shown in FIG. 12, it may be employed as a wire spring 440. In particular, when employed as the linear spring 440, as shown in Figure 12, the end of the linear spring 440 is introduced to contact the outer surface of the contacts (110, 210), wound around the connection portion 300 It is preferably introduced in the form.
이와 같이 열 소산 장치를 집게 형태로 구성하여 탄성 부재(400)의 탄성 복원력 또는 탄성력을 접촉부들(110, 130)이 메모리 모듈(500)에 부착되는 구동력으로 이용한다. 열 소산 장치가 집게의 움직임으로 동작할 수 있으므로, 열 소산 장치를 메모리 모듈(500)에 부착하거나 탈착하기가 매우 용이해지게 된다.Thus, the heat dissipation device is configured in the form of tongs to use the elastic restoring force or elastic force of the elastic member 400 as the driving force to which the contact portions 110 and 130 are attached to the memory module 500. Since the heat dissipation device can operate by the movement of the forceps, it becomes very easy to attach or detach the heat dissipation device to the memory module 500.
도 6을 다시 참조하면, 접촉부들(110, 130)이 패키지(530)에 밀착 접촉하여 패키지(530)로부터 열전달을 보다 효과적으로 하기 위해서, 접촉부들(110, 130)과 패키지(530)의 사이에는 열적 계면 물질층(600)을 앞서 언급한 바와 같이 도입하는 것이 바람직하다. 열적 계면 물질(TIM)은 열적 테이프(thermal tape) 형태, 열적 그리스(thermal greese) 형태, 열적 에폭시(thermal epoxy) 형태, 상 변환 물질(PCM:Phase Change Material) 형태로 도입될 수 있다.Referring back to FIG. 6, between the contacts 110 and 130 and the package 530, the contacts 110 and 130 may be in close contact with the package 530 to more effectively transfer heat from the package 530. It is preferable to introduce thermal interface material layer 600 as mentioned above. The thermal interface material (TIM) may be introduced in the form of a thermal tape, a thermal greese, a thermal epoxy, or a phase change material (PCM).
도 13을 참조하면, 이러한 열적 계면 물질층(600)은 도 13에 제시된 바와 같이 접촉부들(110, 130)의 패키지(530)에 대향되는 표면 상에 도입될 수 있다. 또한, 도 14 및 도 15를 참조하면, 패키지(530)로부터의 열전달 효율을 높이기 위해서 접촉부들(110, 130)의 패키지(530)에 대향하는 표면에 오목한 홈(610)을 형성한 후, 오목한 홈(610) 내에 TIM층(600)을 도입할 수 있다. 이와 같이 오목한 홈(610)을 도입하면, 홈(610) 안에 TIM층(600)이 위치하게 됨으로써, 보다 안정한 접착 각도를 구현할 수 있어 접착에 유리하게 된다.Referring to FIG. 13, this layer of thermal interface material 600 may be introduced on a surface opposite the package 530 of the contacts 110, 130, as shown in FIG. 13. 14 and 15, after the recess 610 is formed on the surface of the contact portions 110 and 130 facing the package 530 in order to increase the heat transfer efficiency from the package 530, the recess 610 may be recessed. The TIM layer 600 may be introduced into the groove 610. When the concave groove 610 is introduced as described above, the TIM layer 600 is positioned in the groove 610, thereby realizing a more stable adhesion angle, which is advantageous for adhesion.
또한, 도 16 및 도 17을 참조하면, TIM층(600) 주위에 댐 또는 패킹 부재(700)를 도입할 수 있다. 이러한 패킹 부재(700)는 고무 재질의 물질일 수 있으며, 홈(610)에 도입되는 TIM층(600)의 주위를 감싸게 되어 TIM층(600)이 흘러내리는 것을 방지하는 역할을 한다. TIM층(600)이 액상이거나 또는 온도 상승에 따라 액상으로 변화될 수 있는 PCM 형태일 경우, 패키지(530)의 온도가 상승할 경우 아래로 흘러내릴 수 있다. 이를 방지하는 역할을 상기한 패킹 부재(700)가 수행하게 된다.16 and 17, a dam or packing member 700 may be introduced around the TIM layer 600. The packing member 700 may be made of a rubber material, and wraps around the TIM layer 600 introduced into the groove 610 to prevent the TIM layer 600 from flowing down. When the TIM layer 600 is in a liquid phase or in a PCM form that can be changed into a liquid phase as the temperature increases, the TIM layer 600 may flow down when the temperature of the package 530 increases. The packing member 700 serves to prevent this.
한편, 접촉부들(110, 210)들의 패키지(530)에 대향하는 표면은 표면이 보다 거친 상태가 되도록 표면 처리된 것일 수 있다. 즉, 접촉부들(110, 130)들의 표면은 반도체 메모리 모듈(500)과 접촉부들(110, 210)들 간의 부착력을 극대화하기 위해서, 표면 면적을 늘리거나 표면 상태를 바꾸는 방법으로 표면 처리될 수 있다. 이때, 표면 처리 방법은 에칭(etching), 스퍼터링(sputtering) 또는 코팅(coating) 등을 예로 들 수 있다.Meanwhile, the surface of the contact portions 110 and 210 that faces the package 530 may be surface treated so that the surface becomes rougher. That is, the surfaces of the contacts 110 and 130 may be surface treated by increasing the surface area or changing the surface state in order to maximize adhesion between the semiconductor memory module 500 and the contacts 110 and 210. . In this case, the surface treatment method may include etching, sputtering, or coating.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 의한 열 소산 장치는 매우 효과적으로 반도체 메모리 모듈의 온도를 냉각 관리할 수 있다. 이는 다음의 도 18 내지 도 20에 제시된 바와 같은 측정된 열저항 값들의 그래프들로부터 입증된다.The heat dissipation device according to the embodiment of the present invention as described above can cool and manage the temperature of the semiconductor memory module very effectively. This is demonstrated from the graphs of measured thermal resistance values as shown in the following FIGS. 18-20.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 실시예에 의한 효과를 설명하기 위해서 측정된 결과치들을 도시한 그래프들이다.18 to 20 are graphs showing the measured results for explaining the effect of the embodiment of the present invention.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 모듈의 열저항 값들을 측정함으로써 본 발명의 실시예에 의한 열 소산 장치에 의해 구현되는 효과를 설명한다. 그래프들에서 각각의 위치는 패키지들의 위치로 어떤 임의 의 반도체 메모리 모듈, 예컨대, 도 4에 제시된 바와 같은 9개의 패키지(530)들이 실장된 메모리 모듈(500)에서, 좌측으로부터 우측으로의 패키지들의 하나 건너 하나의 위치를 의미한다. 예를 들어, 최좌측의 패키지 위치는 위치 1로 설정되고 최우측의 패키지의 위치는 위치 5로 설정되고 그 사이의 값들은 하나 건너의 패키지의 위치를 의미한다. 따라서, 3 위치는 메모리 모듈의 가운데에 위치하는 패키지의 위치를 의미한다. 열저항 값들은 각기 다른 대기 흐름 속도에서 측정되었으며, 대기 흐름 방향은 위치 1에서 위치 5로 향하는 방향으로 주어졌다.18 to 20, the effect implemented by the heat dissipation device according to an embodiment of the present invention by measuring the thermal resistance values of the module will be described. Each location in the graphs is the location of the packages, one of the packages from left to right, in a memory module 500 mounted with any arbitrary semiconductor memory module, eg, nine packages 530 as shown in FIG. Means one location across. For example, the leftmost package position is set to position 1, the rightmost package position is set to position 5, and the values therebetween mean the positions of packages across one another. Therefore, the 3 position means the position of the package located in the center of the memory module. Heat resistance values were measured at different air flow rates, and the air flow direction was given in the direction from position 1 to position 5.
도 20은 본 발명의 실시예에 의한 열 소산 장치를 채용한 경우에 측정된 결과이고, 도 18은 어떠한 열 소산 장치도 부착하지 않은 경우이며, 도 19는 현재 램버스 디램에 채용되고 있는 리벳형 히트 스프레드를 채용한 경우에 측정된 결과이다.20 is a result measured when the heat dissipation device according to the embodiment of the present invention is adopted, FIG. 18 is a case where no heat dissipation device is attached, and FIG. 19 is a riveted heat currently employed in Rambus DRAM. The result is measured when the spread is adopted.
도 20의 결과를 도 18 및 도 19의 결과들과 비교하면, 열저항 값이 낮을수록 온도 냉각 효과는 큰 것이므로, 본 발명의 실시예에 의한 열 소산 장치를 채용한 경우에 보다 효과적으로 메모리 모듈의 온도를 낮출 수 있음을 알 수 있다. 또한, 도 20의 결과는 본 발명의 실시예에 의한 열 소산 장치가 모듈의 온도 분포를 매우 균일하도록 구현할 수 있음을 알 수 있다.Comparing the results of FIG. 20 with the results of FIGS. 18 and 19, the lower the thermal resistance value is, the larger the temperature cooling effect is. Therefore, when the heat dissipation device according to the embodiment of the present invention is adopted, It can be seen that the temperature can be lowered. In addition, the results of Figure 20 it can be seen that the heat dissipation device according to an embodiment of the present invention can be implemented to make the temperature distribution of the module very uniform.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention. .
상술한 본 발명에 따르면, 집게형 열 소산 장치를 제공할 수 있다. 이러한 열 소산 장치는 집게형으로 구성되어 집게 움직임에 의해서 반도체 메모리 모듈의 패키지에 용이하게 부착 및 탈착될 수 있다. 또한, 열 소산 장치는 반도체 메모리 모듈 상측으로 연장되어 핀(fin)과 같이 돌출된 열 방산부를 가져 대류 현상을 유효하게 이용하여 열을 대기 중으로 효과적으로 방출할 수 있다. 더욱이, 열 소산 장치는 접촉부에 열적 계면 물질층을 부착하는 데 유효한 홈과 패킹 부재를 구비하고 있어, 열에 의해 액상화될 수 있는 열적 계면 물질을 효과적으로 도입하는 것이 가능하다. 이에 따라, 열 소산 장치는 반도체 메모리 모듈의 온도 상승을 효과적으로 방지하며, 대류 현상을 유효하게 이용하여 반도체 메모리 모듈의 온도 분포가 균일하게 유지하는 것이 가능하다. 즉, 특정 위치의 패키지에서 온도가 특이하게 상승되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 열 소산 장치는 반도체 메모리 모듈의 온도를 효과적으로 냉각시킬 수 있다.According to the present invention described above, it is possible to provide a forceps-type heat dissipation device. The heat dissipation device may be configured to have a forceps type, and may be easily attached and detached to a package of the semiconductor memory module by forceps. In addition, the heat dissipation device has a heat dissipation portion that extends above the semiconductor memory module and protrudes like a fin, thereby effectively dissipating heat into the atmosphere by effectively utilizing convection. Moreover, the heat dissipation device is provided with a groove and a packing member effective for attaching the thermal interface material layer to the contact portion, so that it is possible to effectively introduce the thermal interface material that can be liquefied by heat. Accordingly, the heat dissipation device effectively prevents the temperature rise of the semiconductor memory module, and it is possible to effectively maintain the temperature distribution of the semiconductor memory module by utilizing the convection phenomenon effectively. That is, it is possible to effectively prevent the temperature rises unusually in the package at the specific position. Therefore, the heat dissipation device can effectively cool the temperature of the semiconductor memory module.
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