KR20040069846A - Device for cleaning particle of conditioning disk in CMP - Google Patents

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KR20040069846A
KR20040069846A KR1020030006399A KR20030006399A KR20040069846A KR 20040069846 A KR20040069846 A KR 20040069846A KR 1020030006399 A KR1020030006399 A KR 1020030006399A KR 20030006399 A KR20030006399 A KR 20030006399A KR 20040069846 A KR20040069846 A KR 20040069846A
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이진규
정제덕
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아남반도체 주식회사
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    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for removing particles from a surface of a disc in CMP equipment is provided to reduce an error rate and scratches and lengthen the lifetime by preventing the damage of the disc. CONSTITUTION: A plurality of injection nozzles(40,41) are installed in a predetermined interval at one side of a clean cup(14) in order to inject deionized water to a lateral part of a disc. A conditioning disc(16) is restored to the clean cup. An injection nozzle(42) is installed at bottom of the clean cup in order to inject the deionized water to a bottom of the disc. A disc detection sensor(50) is installed at one side of the clean cup in order to detect a restoring state of the disc.

Description

CMP 장비의 디스크 표면 이물질 제거장치{Device for cleaning particle of conditioning disk in CMP}Device for cleaning particle of conditioning disk in CMP equipment

본 발명은 본 발명은 반도체 웨이퍼 제조용 평탄화 장비인 화학적 기계연마 (이하 CMP라 칭한다)장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학적 기계 연마장비의 컨디셔닝 디스크에 묻은 이물질을 제거하기 위한 디스크 표면 이물질 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as CMP) equipment, which is a planarization equipment for manufacturing a semiconductor wafer, and more particularly, to a disk surface debris removal device for removing foreign matter from a conditioning disk of a chemical mechanical polishing equipment. It is about.

일반적으로, 반도체 제조장비인 CMP 장비는 웨이퍼 표면을 연마하여 원하는 만큼의 연마율과 평탄화를 얻는 데 사용되는 장비이다.In general, CMP equipment, which is a semiconductor manufacturing equipment, is used for polishing a wafer surface to obtain as much polishing rate and planarization as desired.

이러한 CMP장치는 연마패드에 의한 기계적 연마와 슬러리(slurry) 용액에 의한 화학적 연마에 의해서 웨이퍼의 표면을 화학기계적으로 연마하게 된다.The CMP apparatus chemically polishes the surface of the wafer by mechanical polishing by a polishing pad and chemical polishing by a slurry solution.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이 CMP장비는 크게 웨이퍼를 폴리싱(polishing) 하는 폴리싱부와, 웨이퍼를 폴리싱부로 이송하여 로딩하는 로딩부와, 폴리싱이 끝난 웨이퍼를 세정하기 위한 세정부로 구성된다.That is, as shown in FIG. 1, the CMP apparatus is largely composed of a polishing unit for polishing a wafer, a loading unit for transferring and loading the wafer to the polishing unit, and a cleaning unit for cleaning the polished wafer.

따라서 로딩부가 웨이퍼를 폴리싱부에다 로딩하면 로봇이 웨이퍼를 픽업해서 로드컵(26)으로 이동시켜 안착시킨다. 그러면, 폴리싱헤드(24)가 웨이퍼를 로딩해서 패드(20)가 부착된 플레이튼(platen)으로 크로스 이동시키게 된다. 패드(20)상에 위치한 헤드(24)는 공압의 힘을 가해서 웨이퍼를 폴리싱하며 이와 동시에 패드 컨디셔너(18)의 다이어몬드 입자가 부착된 디스크(16)가 패드(20)의 균일성을 유지하고, 패드(20)의 높낮이를 고르게 하기 위하여 컨디셔닝한다. 헤드(24) 및 컨디셔너(18)의 설정된 레시피(recipe) 의 시간이 종료하면 패드 컨디셔너(18)는 원래의 위치인 컨디셔너 클린 컵(14)의 위치로 복귀하고, 폴리싱을 마친 헤드(24)는 웨이퍼를 진공으로 디척킹(dechucking)하여 다음 플레이튼으로 이동하게 된다.Therefore, when the loading unit loads the wafer into the polishing unit, the robot picks up the wafer and moves it to the load cup 26 to be seated. The polishing head 24 then loads the wafer and crosses to the platen to which the pad 20 is attached. The head 24 located on the pad 20 applies pneumatic force to polish the wafer, while at the same time the disk 16 to which the diamond particles of the pad conditioner 18 are attached maintains the uniformity of the pad 20. In order to evenly adjust the height of the pad 20. When the time of the set recipe of the head 24 and the conditioner 18 ends, the pad conditioner 18 returns to the original position of the conditioner clean cup 14, and the polished head 24 is finished. The wafer is dechucked in vacuo to move to the next platen.

여기서 상기의 연마공정은 장비의 특성상 스크랫치 발생이 많이 발생하게 되는 데, 그 원인은 대체적으로 슬러리 내의 딱딱한 입자나, 건조 슬러리, 장비내에서 부유하다 플레이튼 위로 떨어진 파티클 또는 플레이튼 간에 또는 플레이튼 상 외부에서 공급되는 유입물이나 디스크에 축적된 딱딱한 파티클과 디스크에서 떨어져 나온 입자때문이라 할 수 있다.Here, the above polishing process causes a lot of scratches due to the characteristics of the equipment, which is generally caused by hard particles in the slurry, dry slurry, particles suspended in the equipment, or between particles or platens falling on the platen. This may be due to inflow from the outside of the phase or hard particles accumulated on the disk and particles falling off the disk.

위에서 살펴보았듯이 스크렛치의 원인은 디스크에 의한 이물질이 그 중요한 요인일 수 있는 데, 종래에는 도 2에 도시된 바와 같이 디스크(16) 청소를 위해 단지 순수 분사노즐(30)이 일측방향에서 순수를 분사하는 구조로 되어 디스크 청소가 제대로 이루어지지 못하는 문제점이 있다.As described above, the cause of the scratch may be an important factor due to foreign matter caused by the disk. In the related art, as shown in FIG. 2, only the pure jet nozzle 30 is pure in one direction for cleaning the disk 16. There is a problem that the disk cleaning is not made properly because the structure is sprayed.

즉, 연마 패드를 컨디셔닝하는 과정에서 다량의 이물질이 디스크 표면에 묻게 되고 이와 더불어 연마작업이 완료되면 패드로부터 웨이퍼를 이탈시키고 슬러리에 의해 오염된 패드를 세척하기 위해 탈이온수를 웨이퍼에 고압으로 분사하는 세정공정을 수행하게 되는 데, 이렇게 고압으로 탈이온수를 분사하다보니 패드상에 잔여하고 있는 오염물 및 탈이온수가 패드 컨디셔너의 디스크로 유입되어 디스크에 오염물질로 작용하게 된다.That is, in the process of conditioning the polishing pad, a large amount of foreign matter gets on the surface of the disk, and when the polishing operation is completed, deionized water is sprayed on the wafer at high pressure to remove the wafer from the pad and clean the pad contaminated by the slurry. When the deionized water is sprayed at a high pressure, the contaminants and deionized water remaining on the pad flow into the disk of the pad conditioner and act as a contaminant on the disk.

그런데 종래에는 이를 제대로 제거해주지 못하여 스크랫치 발생은 물론 디스크의 수명 또한 단축시키는 문제점이 있는 것이다.However, in the related art, the problem of shortening the life of the disk as well as scratching is not properly removed.

이에 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 연마 패드를 컨디셔닝하기 위한 디스크에 묻은 이물질의 제거효율을 높여 스크랫치 발생을 줄이고 디스크의 수명을 연장시킬 수 있도록 된 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the disk of the CMP equipment to increase the efficiency of the removal of foreign matter adhering to the disk for conditioning the polishing pad to reduce the occurrence of scratches and to extend the life of the disk The object is to provide a surface foreign matter removal device.

도 1은 일반적인 CMP 장비를 도시한 개략적인 도면,1 is a schematic diagram showing a general CMP equipment,

도 2는 종래기술에 따른 CMP장비의 디스크 표면 청소장치를 도시한 개략적인 도면,Figure 2 is a schematic diagram showing a disk surface cleaning apparatus of the CMP apparatus according to the prior art,

도 3은 본 발명에 따른 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치를 도시한 개략적인 도면이다.3 is a schematic diagram showing a disk surface foreign matter removal apparatus of the CMP apparatus according to the present invention.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, CMP장비에 있어서, 컨디셔닝 디스크의 이물질 제거를 위해 순수를 분사하는 분사노즐이 디스크의 좌우측과 하부에 각각 위치하여 디스크를 항하여 순수를 분사하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object as described above, the present invention, in the CMP equipment, the injection nozzle for injecting pure water for removing foreign matters of the conditioning disk is located on the left and right sides and the lower portion of the disk to inject the pure water against the disk. It features.

이를 위해 본 발명은 CMP장비에 있어서 컨디셔닝 디스크가 복귀되는 클린컵의 일측에 디스크의 측면을 향해 순수를 분사하는 분사노즐이 적어도 2개 이상 일정간격을 두고 설치되고 상기 클린컵의 바닥면에는 상기 디스크의 밑면을 향해 순수를 분사하는 분사노즐이 적어도 하나 이상 설치된 구조로 되어 있다.To this end, the present invention in the CMP equipment is provided with at least two injection nozzles for spraying pure water toward the side of the disk on one side of the clean cup to return the conditioning disk at a predetermined interval and the disk on the bottom of the clean cup At least one spray nozzle for spraying pure water toward the bottom of the structure is provided.

여기서 본 발명은 상기 클린컵 일측에 설치되어 디스크의 복귀 유무를 확인할 수 있는 디스크 검출 센서가 더욱 설치된 것을 특징으로 한다.Here, the present invention is characterized in that the disk detection sensor is installed on one side of the clean cup to check whether the disk is returned.

또한 상기 순수는 고온의 스팀을 사용함이 바람직하다In addition, the pure water is preferably using a high temperature steam.

이에 따라 패드와 접하는 디스크의 밑면을 포함하여 여러 곳에서 순수가 분사되어 디스크 표면에 묻은 이물질을 완벽하게 제거할 수 있게 되는 것이다.Accordingly, pure water is sprayed from various places including the bottom of the disk in contact with the pad to completely remove foreign substances on the surface of the disk.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 CMP장비를 도시한 개략적인 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치를 도시한 개략적인 도면이다.1 is a schematic view showing a general CMP equipment, Figure 3 is a schematic diagram showing a disk surface debris removal device of the CMP equipment according to the present invention.

상기한 도면에 의하면, CMP장비는 웨이퍼를 폴리싱(polishing) 하는 폴리싱부와, 웨이퍼를 폴리싱부로 이송하여 로딩하는 로딩부와, 폴리싱이 끝난 웨이퍼를 세정하기 위한 세정부로 구성된다 따라서 로딩부가 웨이퍼를 폴리싱부에다 로딩하면 로봇이 웨이퍼를 픽업해서 로드컵(26)으로 이동시켜 안착시킨다. 그러면, 폴리싱헤드(24)가 웨이퍼를 로딩해서 패드(20)가 부착된 플레이튼(platen)으로 크로스 이동시키게 된다. 패드(20)상에 위치한 헤드(24)는 공압의 힘을 가해서 웨이퍼를 폴리싱하며 이와 동시에 패드 컨디셔너(18)의 다이어몬드 입자가 부착된 디스크(16)가 패드(20)의 균일성을 유지하고, 패드(20)의 높낮이를 고르게 하기 위하여 컨디셔닝한다. 헤드(24) 및 컨디셔너(18)의 설정된 레시피(recipe) 의 시간이 종료하면 패드 컨디셔너(18)는 원래의 위치인 컨디셔너 클린 컵(14)의 위치로 복귀하고, 폴리싱을 마친 헤드(24)는 웨이퍼를 진공으로 디척킹(dechucking)하여 다음 플레이튼으로 이동하는 구조로 되어 있다.According to the above drawings, the CMP apparatus includes a polishing unit for polishing a wafer, a loading unit for transferring and loading the wafer to the polishing unit, and a cleaning unit for cleaning the polished wafer. When loaded into the polishing unit, the robot picks up the wafer and moves it to the rod cup 26 for seating. The polishing head 24 then loads the wafer and crosses to the platen to which the pad 20 is attached. The head 24 located on the pad 20 applies pneumatic force to polish the wafer, while at the same time the disk 16 to which the diamond particles of the pad conditioner 18 are attached maintains the uniformity of the pad 20. In order to evenly adjust the height of the pad 20. When the time of the set recipe of the head 24 and the conditioner 18 ends, the pad conditioner 18 returns to the original position of the conditioner clean cup 14, and the polished head 24 is finished. The wafer is dechucked in vacuum to move to the next platen.

여기서 본 발명은 상기한 구조의 CMP장비에 있어서, 상기 디스크(16)가 이동 대기하는 클린컵(14) 일측에 디스크를 복귀를 검출하기 위한 디스크 감지센서(50)가 설치되고, 디스크에 묻은 이물질을 제거하기 위한 순수 분사노즐(40,41,42)이 설치되며, 상기 순수 분사노즐(40,41,42)은 디스크(16)의 양 에지부와 패드와 접하는 바닥면을 향해 배치되는 구조로 되어 있다.In the present invention, in the CMP device having the above-described structure, a disk detecting sensor 50 for detecting the return of the disk is installed at one side of the clean cup 14 on which the disk 16 waits to move, and the foreign matter adhered to the disk. Pure jet nozzles (40, 41, 42) are installed to remove the, and the pure jet nozzles (40, 41, 42) is a structure arranged toward the bottom surface in contact with both edges and the pad of the disk (16) It is.

즉, 본 실시예에 따르면 순수 분사를 위한 분사노즐(40,41,42)은 모두 3개가 구비되어 클린컵(14)에 설치되는 데, 그 중 하나의 분사노즐(42)은 클린컵(14)의 바닥면에 설치되어 클린컵 위로 이동되는 디스크(16)의 바닥면을 향해 순수를 분사하게 되고, 다른 두 개의 분사노즐(40,41)은 디스크(16)의 중심에 대해 180도 간격으로 디스크(16) 에지부쪽으로 배치되어 디스크의 측면을 향해 순수를 분사하게 된다.That is, according to the present embodiment, three injection nozzles 40, 41, and 42 for pure water injection are provided in the clean cup 14, and one of the injection nozzles 42 is the clean cup 14 Water is sprayed toward the bottom surface of the disk 16, which is installed on the bottom surface of the disk 16 and moved over the clean cup, and the other two spray nozzles 40 and 41 are spaced 180 degrees with respect to the center of the disk 16. Disc 16 is disposed toward the edge portion to spray pure water toward the side of the disc.

여기서 상기 분사노즐을 통해 분사되는 순수는 고온의 스팀상태의 순수를 사용함이 바람직하다.Here, the pure water injected through the injection nozzle is preferably using a high temperature steam pure water.

따라서 디스크(16)의 측면과 바닥면을 향해 분사되는 순수에 의해 디스크에 묻은 이물질을 더욱 완벽하게 제거할 수 있게 되는 것이다.Therefore, it is possible to more completely remove the foreign matter on the disk by the pure water sprayed toward the side and bottom of the disk 16.

여기서 상기 순수 분사노즐의 개수는 특별히 3개로 한정되지 않으며 디스크의 이동경로에 지장을 주지 않는 범위에서 3개 이상도 설치가능하고 이러한 모든 변형가능한 예 또한 본 발명의 진정한 정신에 속한다 할 것이다.Here, the number of pure jet nozzles is not particularly limited to three, and three or more of them may be installed within a range that does not interfere with the movement path of the disk, and all such deformable examples also belong to the true spirit of the present invention.

이하 본 발명의 작용에 대해 설명하면, 컨디셔닝 디스크(16)가 복귀되어 클린컵(14) 위로 이동되면 클린컵(14) 일측에 설치된 감지센서(50)가 상기 디스크(16)를 감지하게 되고, 이 감지센서의 신호에 따라 밸브(도시되지 않음)가 개방작동되어 순수가 각 노즐(40,41,42)로 공급된다.Referring to the operation of the present invention, when the conditioning disk 16 is returned and moved over the clean cup 14, the sensor 50 installed on one side of the clean cup 14 detects the disk 16, In response to the signal of this sensor, a valve (not shown) is opened and pure water is supplied to each nozzle 40, 41, 42.

따라서 클린컵(14)의 상부에 바닥면에 설치된 각 노즐(40,41,42)로부터 고온의 스팀상태의 순수가 디스크(16)의 에지부와 밑면을 향해 분사되어 디스크에 묻은 이물질을 제거하게 되는 것이다.Therefore, hot water of high temperature steam is sprayed from the nozzles 40, 41 and 42 installed on the bottom of the clean cup 14 toward the edges and the bottom of the disc 16 to remove foreign substances on the disc. Will be.

이상 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치에 의하면, 웨이퍼의 파손을 방지하고 실수율을 높일 수 있게 된다.According to the disk surface debris removal device of the CMP apparatus according to the present invention as described above, it is possible to prevent damage to the wafer and increase the error rate.

또한, 스크랫치가 감소되며 디스크의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.In addition, scratches are reduced and the life of the disc can be extended.

또한, 이물질 제거로 안정적인 공정 관리가 가능해진다.In addition, the removal of foreign matter enables stable process management.

Claims (3)

패드 컨디셔닝을 위한 디스크를 포함하는 CMP장비에 있어서,In the CMP apparatus comprising a disk for pad conditioning, 상기 컨디셔닝 디스크가 복귀되는 클린컵의 일측에 디스크의 측면을 향해 순수를 분사하는 분사노즐이 적어도 2개 이상 일정간격을 두고 설치되고, 상기 클린컵의 바닥면에는 상기 디스크의 밑면을 향해 순수를 분사하는 분사노즐이 적어도 하나 이상 설치된 것을 특징으로 하는 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치.At least two spray nozzles for spraying pure water toward the side of the disk are installed at one side of the clean cup to which the conditioning disk is returned, with a predetermined interval, and the bottom surface of the clean cup sprays pure water toward the bottom of the disk. Disc surface foreign matter removal device of the CMP equipment, characterized in that at least one injection nozzle is installed. 제 1 항에 있어서, 상기 클린컵 일측에 디스크의 복귀 유무를 확인할 수 있는 디스크 검출용 감지센서가 더욱 설치된 것을 특징으로 하는 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치.The apparatus of claim 1, wherein the disk detecting sensor for detecting the return of the disk is further installed on one side of the clean cup. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 순수는 고온의 스팀이 사용되는 것을 특징으로 하는 CMP장비의 디스크 표면 이물질 제거장치.[3] The apparatus for removing foreign matter on the disk surface of the CMP apparatus according to claim 1 or 2, wherein the pure water is steam of high temperature.
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KR100787719B1 (en) * 2006-12-26 2007-12-21 동부일렉트로닉스 주식회사 Polish pad conditioner cleaning apparatus

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