KR20040044101A - 전계방출 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 지지부재와, 상기 지지부재상에 설치된 음극전극과, 상기 음극전극의 상부면에 탄소나노튜브로 이루어진 에미터와, 상기 에미터의 전계방출을 제어하기 위한 게이트를 포함하는 전계방출 장치에 있어서,상기 게이트는 각각이 이격되어 배치된 복수의 스트라이프로 구성되고,상기 에미터는 상기 이격된 복수의 스트라이프 사이에 적어도 하나 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제1항에 있어서,상기 게이트는 상기 지지부재상의 절연층의 상부면에 설치되고,상기 음극전극은 복수의 스트라이프로 구성되고,상기 복수의 스트라이프로 구성된 음극전극은 상기 복수의 스트라이프로 구성된 게이트 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제1항에 있어서,상기 음극전극은 상기 지지부재상의 전면에 형성되고,상기 게이트는 상기 전면에 형성된 음극전극상의 절연층의 상부면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제1항 내지 제3항에 있어서,상기 에미터는 소정의 형상으로 패턴된 모양이고, 그 상부면에는 분화구 모양의 팁을 구비한 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제1항 내지 제3항에 있어서,상기 에미터는 스트라이프 모양인 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 탄소나노튜브로 구성된 에미터를 갖는 전계방출 장치에 있어서,상기 에미터는 분화구 모양의 팁을 구비한 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제6항에 있어서,상기 분화구 모양의 팁은 소정 형상의 탄소나노튜브 패턴상에 설치되며, 상기 패턴의 크기에 대한 상기 분화구 지름의 비가 0.5 내지 1인 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 평균 길이에 대한 상기 분화구의 평균 높이의 비가 1 내지 100인 것을 특징으로 하는 전계방출 장치.
- 전계방출용 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법에 있어서,상기 탄소나노튜브를 포함하는 페이스트를 도포하고 패턴하는 단계와,상기 패턴을 건조하는 단계와,상기 패턴의 상부면을 소정 형상의 틀로 눌러준 뒤 상기 틀을 상부로 제거하여 상기 패턴을 변형시키는 단계와,상기 변형된 패턴을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 전계방출용 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법에 있어서,상기 탄소나노튜브를 포함하는 페이스트를 도포하고 패턴하는 단계와,상기 패턴의 상부면에 내열성을 갖는 구(Ball)를 올려 놓고, 소결하는 단계와,상기 구를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 구는 유리구, 지르코니아구, 알루미나구로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 전계방출용 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법에 있어서,상기 탄소나노튜브와 일정한 크기를 갖는 고분자구(Polymer Ball)를 포함하는 페이스트를 도포하고 패턴하는 단계와,상기 패턴된 페이스트를 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 고분자구는 아크릴구, 폴리스타이렌계구로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 소결 단계에서 상기 구는 제거되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 전계방출용 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법에 있어서,상기 탄소나노튜브를 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅하는 단계와,상기 스크린 프린팅된 페이스트를 소결하는 단계와,상기 소결된 페이스트의 상부에 유기물을 포함하는 용액으로 코팅하는 단계와,상기 용액을 건조하는 단계와,상기 건조 단계에 의해 생성된 유기물층을 박리시켜 탄소나노튜브를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 유기물은 폴리비닐알콜을 포함하는 유기바인더를 15중량%로 물에 용해시켜서 제조된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 에미터 전극의 제조방법.
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