KR20040042774A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20040042774A
KR20040042774A KR1020030016999A KR20030016999A KR20040042774A KR 20040042774 A KR20040042774 A KR 20040042774A KR 1020030016999 A KR1020030016999 A KR 1020030016999A KR 20030016999 A KR20030016999 A KR 20030016999A KR 20040042774 A KR20040042774 A KR 20040042774A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
node
decode
display
bits
Prior art date
Application number
KR1020030016999A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100501140B1 (en
Inventor
도비따유이찌
Original Assignee
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20040042774A publication Critical patent/KR20040042774A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100501140B1 publication Critical patent/KR100501140B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0271Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

PURPOSE: A display device is provided to suppress noises by offsetting noises having opposite polarities overlapped on a grayscale voltage. CONSTITUTION: A display device includes a pixel representing a brightness according to an applied voltage, a grayscale voltage generating circuit generating 2¬N grayscale voltages on 2¬N voltage nodes, respectively, and a decode circuit for selecting one of the grayscale voltages and outputting the selected grayscale voltage. The decode circuit includes 2¬N decode units which, respectively, are arranged corresponding to the n¬N grayscale voltages. The decode unit includes a first field effect transistor of a first conductive type and a second field effect transistor of a second conductive type. The first transistor corresponds to each of N bits of a digital signal and is coupled between an output node and a voltage node in series. The second transistor corresponds to each of N bits of a digital signal and is coupled between the output node and the voltage node in series. One of the first and second transistors receives a common bit and an inverted bit at control electrode thereof.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 문자나 화상 등의 표시 장치에 관한 것으로, 보다 특정적으로는, 디지털 신호에 기초한 계조 표시를 실행할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device such as a character or an image, and more particularly to a display device capable of executing gradation display based on a digital signal.

퍼스널 컴퓨터, 텔레비전 수상기, 휴대 전화기 및 휴대 정보 단말기 등의 디스플레이 패널로서, 액정 소자나 일렉트로 루미네센스(EL) 소자를 표시용 화소로서구비한 표시 장치가 이용되고 있다. 이러한 표시 장치는, 종래 타입의 것과 비교하여, 저소비 전력화나 소형 경량화의 면에서 장점이 크다.As display panels, such as a personal computer, a television receiver, a portable telephone, and a portable information terminal, the display apparatus which has a liquid crystal element and an electroluminescence (EL) element as a display pixel is used. This display device has advantages in terms of low power consumption and small size and light weight as compared with the conventional type.

액정 소자 또는 EL 소자를 포함하는 화소는, 인가 전압(이하, 화소에의 인가 전압을 「표시 전압」이라고도 칭함)의 레벨에 따라 그 표시 휘도가 변화된다. 따라서, 이들 화소에서는, 표시 전압을 중간적인 휘도에도 대응할 수 있도록 단계적으로 설정함으로써, 계조 표시를 행할 수 있다. 일반적으로는, 계조적인 표시 휘도를 나타내기 위한 복수 비트의 디지털 신호의 디코드 결과에 응답하여, 표시 전압이 설정되는 구성이 채용된다.The display luminance of the pixel including the liquid crystal element or the EL element changes depending on the level of the applied voltage (hereinafter, the voltage applied to the pixel is also referred to as "display voltage"). Therefore, in these pixels, gray scale display can be performed by setting the display voltage step by step so as to correspond to the intermediate luminance. In general, a configuration is adopted in which the display voltage is set in response to the decoding result of the plural-bit digital signal for showing the gradation display brightness.

따라서, 계조 표시 가능한 표시 장치에서는, 디지털 신호를 디코드하여, 지시된 계조 휘도를 인식하기 위한 디코드 회로가 필요로 된다. 일반적으로, 해당 디코드 회로에서는, 디코드를 위해 다수의 트랜지스터 스위치를 필요로 하기 때문에, 그 회로 규모를 축소하는 것이 과제로 된다.Therefore, in the display device capable of gray scale display, a decoding circuit for decoding the digital signal and recognizing the indicated gray scale luminance is required. In general, in the decoding circuit, since a large number of transistor switches are required for decoding, reducing the circuit scale becomes a problem.

이러한 과제를 해결하기 위해, 예를 들면 일본 특개2001-34234호 공보(도 8, 도 9)에, 소위 토너먼트 방식으로 불리는 디코드 회로의 구성이 개시되어 있다.In order to solve this problem, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-34234 (Figs. 8 and 9) discloses a configuration of a decode circuit called a tournament system.

이 방식에서는, N비트(N : 2 이상의 정수)의 디지털 신호에 의해 2N단계의 계조 휘도를 표시하기 위해, 2N단계의 계조 전압이 각각 생성되는 노드와, 표시 전압이 생성되는 노드 사이에, N개의 N-MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터가 직렬 접속되는 디코드 회로의 구성 및 계조 전압의 전달 경로에서 직렬 접속되는 N-MOS 트랜지스터의 수를 삭감한 디코드 회로의 구성이 개시되어 있다.In this system, in order to display the grayscale luminance of 2N levels by the N-bit (N: integer of 2 or more) digital signal, between the node where the 2N grayscale voltages are respectively generated and the node where the display voltage is generated. A structure of a decode circuit in which N N-MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors are connected in series, and a structure of a decode circuit in which the number of N-MOS transistors connected in series in the transfer path of the gradation voltage are reduced is disclosed.

그러나, 상기 공보의 도 8에 도시한 디코드 회로의 구성에서는, 디코드 회로 면적은 소규모화할 수 있지만, N-MOS 트랜지스터의 임계값 전압에 기인하는 전압 강하를 보상할 필요가 있다. 이 때문에, 디코드 회로를 구성하는 N-MOS 트랜지스터의 게이트 전압은, 전달해야 할 계조 전압에 대하여, 적어도 임계값 전압분만큼 높게 설정할 필요가 있다.However, in the configuration of the decode circuit shown in Fig. 8 of the above publication, the decode circuit area can be reduced in size, but it is necessary to compensate for the voltage drop caused by the threshold voltage of the N-MOS transistor. For this reason, it is necessary to set the gate voltage of the N-MOS transistor which comprises a decode circuit at least as much as a threshold voltage with respect to the gray voltage to be transmitted.

그 결과, 게이트 전압의 진폭이 커지기 때문에, N-MOS 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 혹은 드레인 전극 사이의 기생 용량을 통해 전달될 수 있는 노이즈 진폭도 커져, 화소에 인가되는 표시 전압에의 영향이 커진다고 하는 문제점이 발생하게 된다.As a result, since the amplitude of the gate voltage is increased, the noise amplitude that can be transmitted through the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode of the N-MOS transistor is also increased, and the influence on the display voltage applied to the pixel is increased. The problem arises.

또한, 상기 공보의 도 9에 도시한 디코드 회로에서는, 계조 전압의 전달 경로 중에 포함되는 N-MOS 트랜지스터의 개수를 삭감함으로써, 계조 전압의 전압 강하가 억제되어 있다. 그러나, 그 반면, 디코드 회로 전체에서 필요로 되는 트랜지스터 개수가 증대되기 때문에, 회로의 소형화나 제조 수율 등의 점에서 문제가 발생한다.In the decoding circuit shown in Fig. 9 of the above publication, the voltage drop of the gray voltage is suppressed by reducing the number of N-MOS transistors included in the gray voltage transfer path. On the other hand, however, since the number of transistors required in the entire decode circuit increases, problems arise in terms of miniaturization of circuits, production yields, and the like.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 내노이즈성이 높고, 또한 회로 면적이 작은 디코드 회로를 구비한, 계조 표시 가능한 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide an gradation displayable image display device having a decode circuit having a high noise resistance and a small circuit area.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 대표예로서 도시되는 액정 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도.1 is a block diagram showing an overall configuration of a liquid crystal display device shown as a representative example of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 EL 소자를 포함하는 화소의 구성예를 도시하는 회로도.2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a pixel including an EL element.

도 3은 제1 실시예에 따른 디코드 회로의 구성을 도시하는 회로도.3 is a circuit diagram showing a configuration of a decode circuit according to the first embodiment.

도 4는 제2 실시예에 따른 디코드 회로의 제1 구성예를 도시하는 회로도.4 is a circuit diagram showing a first configuration example of a decode circuit according to the second embodiment.

도 5는 제2 실시예에 따른 디코드 회로의 제2 구성예를 도시하는 회로도.5 is a circuit diagram showing a second configuration example of a decode circuit according to the second embodiment.

도 6은 제2 실시예에 따른 디코드 회로의 제3 구성예를 도시하는 회로도.6 is a circuit diagram showing a third configuration example of the decode circuit according to the second embodiment.

도 7은 제3 실시예에 따른 디코드 회로의 구성을 도시하는 회로도.7 is a circuit diagram showing a configuration of a decode circuit according to the third embodiment.

도 8은 도 7에 도시한 전기 저항의 구성예를 도시하는 회로도.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the electrical resistance shown in FIG. 7.

도 9는 도 7에 도시한 전기 저항의 구성예를 도시하는 회로도.9 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the electrical resistance shown in FIG. 7.

도 10은 본 발명에 따른 디코드 회로를 구성하는 P형 TFT 및 N형 TFT의 구조예를 도시하는 구조도.10 is a structural diagram showing a structural example of a P-type TFT and an N-type TFT constituting a decode circuit according to the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 액정 표시 장치10: liquid crystal display device

20 : 액정 어레이부20: liquid crystal array unit

25 : 화소25 pixels

26 : 스위치 소자26: switch element

27 : 유지 용량27: maintenance capacity

28 : 액정 표시 소자28: liquid crystal display element

30 : 게이트 드라이버30: gate driver

40 : 소스 드라이버40: source driver

50 : 시프트 레지스터50: shift register

52, 54 : 데이터 래치 회로52, 54: data latch circuit

60 : 계조 전압 생성 회로60: gradation voltage generating circuit

70, 71, 71#, 72 : 디코드 회로70, 71, 71 #, 72: decode circuit

75, 76 : 전류 제한 소자75, 76: current limiting element

77 : 계조 전압 전달 게이트77: gradation voltage transfer gate

90 : 절연체 기판90: insulator substrate

95 : 반도체막95 semiconductor film

101, 102, 151, 152 : 드레인 영역101, 102, 151, 152: drain region

103, 153 : 게이트 절연막103 and 153: gate insulating film

104, 154 : 게이트 전극104, 154: gate electrode

105, 106, 155, 156 : 전극105, 106, 155, 156: electrode

D0∼D5 : 표시 신호 비트D0 to D5: Display signal bits

/D0∼/D5 : 반전 비트/ D0 to / D5: Invert bit

DL, DL1, DL2 : 데이터선DL, DL1, DL2: data line

DU(61)∼DU(64), DU : 디코드 유닛DU (61) to DU (64), DU: decode unit

GL, GL1 : 게이트선GL, GL1: Gate Line

N1∼N64 : 계조 전압 노드N1 to N64: gradation voltage node

N61a#, N61b#, N62a#, N62b#, N63a, N63b, N63a#, N63b#, N64a, N64b, N64a#, N64b# : 접속 노드N61a #, N61b #, N62a #, N62b #, N63a, N63b, N63a #, N63b #, N64a, N64b, N64a #, N64b #

Nd, Nd1 : 디코드 출력 노드Nd, Nd1: Decode output node

Nc : 공통 전극 노드Nc: common electrode node

Ng(64), /Ng(64) : 제어 노드Ng (64), / Ng (64): control node

Np : 화소 노드Np: pixel node

SIG : 표시 신호SIG: Display signal

T0a(j)∼T5a(j), 78a, 79a, 80a : N형 트랜지스터(j : 자연수)T0a (j) to T5a (j), 78a, 79a, 80a: N-type transistor (j: natural number)

T0b(j)∼T5b(j), 78b, 79b, 80b : N형 트랜지스터(j : 자연수)T0b (j) to T5b (j), 78b, 79b, 80b: N-type transistor (j: natural number)

V1∼V64 : 계조 전압V1 to V64: Gradation Voltage

본 발명에 따른 표시 장치는, N비트(N : 2 이상의 정수)의 디지털 신호에 따른 계조 표시를 실행하는 표시 장치로서, 인가된 표시 전압에 따른 휘도를 표시하는 화소와, 단계적인 2N개의 계조 전압을 2N개의 전압 노드 각각에 생성하는 계조 전압 생성 회로와, 2N개의 계조 전압의 하나를 디지털 신호에 따라 선택하고, 선택한 계조 전압을 표시 전압으로 하여, 출력 노드로 출력하는 디코드 회로를 구비한다. 디코드 회로는, 2N개의 계조 전압에 각각 대응하여 설치되는 2N개의 디코드 유닛을 포함하고, 각 디코드 유닛은, 디지털 신호의 N비트에 각각 대응하며, 출력 노드와 대응하는 전압 노드 사이에 직렬로 접속되는 제1 도전형의 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터와, 디지털 신호의 N비트에 각각 대응하며, 출력 노드와 대응하는 전압 노드 사이에 직렬로 접속되는 제2 도전형의 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터를 갖고, 제1 및 제2 도전형은 서로 반대의 도전형이며, N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 및 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터 중, 디지털 신호의 동일 비트에 대응하는 1개씩은, 동일 비트 및 그 반전 비트의 한쪽씩을 각각의 제어 전극으로 받는다.A display device according to the present invention is a display device for performing gradation display in accordance with a digital signal of N bits (N: integer of 2 or more), comprising: a pixel displaying luminance according to an applied display voltage, and a stepwise 2N gradation A gradation voltage generation circuit for generating a voltage at each of the 2 N voltage nodes, and a decode circuit for selecting one of the 2 N gradation voltages according to a digital signal and outputting the selected gradation voltage as a display voltage to an output node. do. The decode circuit includes 2 N decode units provided respectively corresponding to the 2 N gray voltages, each decode unit corresponding to N bits of the digital signal, respectively, in series between the output node and the corresponding voltage node. N first field-effect transistors of the first conductivity type to be connected and N second electric fields of the second conductivity type respectively corresponding to N bits of the digital signal and connected in series between the output node and the corresponding voltage node. Has an effect transistor, and the first and second conductivity types are opposite conductivity types, one of N first field effect transistors and N second field effect transistors, one corresponding to the same bit of the digital signal. Receives one of the same bit and its inverted bit into each control electrode.

본 발명의 다른 구성에 따른 표시 장치는, N비트(N : 2 이상의 정수)의 디지털 신호에 따른 계조 표시를 실행하는 표시 장치로서, 인가된 표시 전압에 따른 휘도를 표시하는 화소와, 단계적인 2N개의 계조 전압을 2N개의 전압 노드 각각에 생성하는 계조 전압 생성 회로와, 2N개의 계조 전압의 하나를 디지털 신호에 따라 선택하고, 선택한 계조 전압을 표시 전압으로서 출력 노드로 출력하는 디코드 회로를구비한다. 디코드 회로는, 2N개의 계조 전압에 각각 대응하여 설치되는 2N개의 디코드 유닛을 포함하고, 각 디코드 유닛은, 디지털 신호의 N비트에 각각 대응하며, 제1 전압과 전기적으로 결합된 제1 제어 노드 및 제2 전압 사이에 직렬로 접속된, 제1 도전형의 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터와, 디지털 신호의 N비트에 각각 대응하며, 제2 전압과 전기적으로 결합된 제2 제어 노드 및 제1 전압 사이에 직렬로 접속된 제2 도전형의 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터와, 출력 노드와 대응하는 전압 노드 사이에 접속되며, 제2 제어 노드와 접속된 제어 전극을 갖는 제1 도전형의 제3 전계 효과형 트랜지스터와, 출력 노드와 대응하는 전압 노드 사이에 접속되며, 제1 제어 노드와 접속된 제어 전극을 갖는 제2 도전형의 제4 전계 효과형의 트랜지스터를 갖고, 제1 및 제2 도전형은 서로 반대의 도전형이며, N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 및 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터 중, 디지털 신호의 동일 비트에 대응하는 1개씩은 동일 비트 및 그 반전 비트의 한쪽씩을 각각의 제어 전극으로 받는다.A display device according to another aspect of the present invention is a display device for performing gradation display according to an N bit (N: integer of 2 or more), a pixel for displaying luminance according to an applied display voltage, and stepwise two. and a gradation voltage generation circuit for generating the N number of gray-scale voltages to the 2 N different voltage nodes, respectively, a decoding circuit for selecting in accordance with one of the 2 N of gray-scale voltage to a digital signal, and output to the output node as the display voltage to the selected gray scale voltage Equipped. The decode circuit includes 2 N decode units provided corresponding to the 2 N gray voltages, respectively, each decode unit corresponding to N bits of the digital signal, the first control being electrically coupled with the first voltage. N first field-effect transistors of the first conductivity type connected in series between the node and the second voltage, a second control node corresponding to N bits of the digital signal, respectively, and electrically coupled to the second voltage; A first conductivity type having N second field effect transistors of a second conductivity type connected in series between the first voltages, and a control electrode connected between the output node and a voltage node corresponding to the second control node; A third field effect transistor of a type and a fourth field effect transistor of a second conductivity type having a control electrode connected between an output node and a voltage node corresponding to the first control node, and having a first And second degree The typical type is opposite to each other, and among the N first field-effect transistors and the N second field-effect transistors, one corresponding to the same bit of the digital signal is the same bit and one of the inverted bits thereof. By the control electrode.

이하에서, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 자세히 설명한다. 또한, 도면에서의 동일 부호는 동일 또는 상당 부분을 나타내는 것으로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol in a figure shall show the same or an equivalent part.

[제1 실시예][First Embodiment]

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 대표예로서 도시되는 액정 표시 장치(10)의 전체 구성을 도시하는 블록도이다.1 is a block diagram showing the overall configuration of a liquid crystal display device 10 shown as a representative example of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는, 액정 어레이부(20)와, 게이트 드라이버(30)와, 소스 드라이버(40)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal display device 10 according to the exemplary embodiment includes a liquid crystal array unit 20, a gate driver 30, and a source driver 40.

액정 어레이부(20)는, 행렬 형상으로 배치된 복수의 화소(25)를 포함한다. 화소의 행(「화소 행」이라고도 이하에 칭함)에 각각 대응하여, 게이트선 GL이 배치되고, 화소의 열(「화소 열」이라고도 이하에 칭함)에 각각 대응하여, 데이터선 DL이 각각 배치된다. 도 1에는, 제1행의 제1열 및 제2열의 화소 및 이에 대응하는 게이트선 GL1 및 데이터선 DL1, DL2가 대표적으로 도시되어 있다.The liquid crystal array unit 20 includes a plurality of pixels 25 arranged in a matrix. The gate line GL is disposed corresponding to each of the pixel rows (also referred to as "pixel rows"), and the data lines DL are disposed respectively corresponding to the columns of pixels (also referred to as "pixel columns" below). . In Fig. 1, the pixels in the first and second columns of the first row and the gate lines GL1 and the data lines DL1 and DL2 corresponding thereto are representatively shown.

각 화소(25)는, 대응하는 데이터선 DL과 화소 노드 Np 사이에 설치되는 스위치 소자(26)와, 화소 노드 Np 및 공통 전극 노드 Nc 사이에 병렬로 접속되는 유지 용량(27) 및 액정 표시 소자(28)를 갖는다. 화소 노드 Np 및 공통 전극 노드 Nc 사이의 전압차에 따라, 액정 표시 소자(28) 내의 액정의 배향성이 변화되고, 이에 응답하여 액정 표시 소자(28)의 표시 휘도가 변화된다. 이에 의해, 데이터선 DL 및 스위치 소자(26)를 통해 화소 노드 Np로 전달되는 표시 전압에 따라, 각 화소의 휘도를 컨트롤하는 것이 가능해진다. 스위치 소자(26)는, 예를 들면, N형 전계 효과형 트랜지스터로 구성된다.Each pixel 25 includes a switch element 26 provided between a corresponding data line DL and a pixel node Np, a storage capacitor 27 and a liquid crystal display element connected in parallel between the pixel node Np and the common electrode node Nc. Has 28. According to the voltage difference between the pixel node Np and the common electrode node Nc, the orientation of the liquid crystal in the liquid crystal display element 28 is changed, and in response, the display luminance of the liquid crystal display element 28 is changed. This makes it possible to control the luminance of each pixel in accordance with the display voltage transmitted to the pixel node Np through the data line DL and the switch element 26. The switch element 26 is comprised with an N-type field effect transistor, for example.

즉, 최대 휘도에 대응하는 전압차와, 최소 휘도에 대응하는 전압차 사이의 중간적인 전압차를 화소 노드 Np와 공통 전극 노드 Nc 사이에 인가함으로써, 중간적인 휘도를 얻을 수 있다. 즉, 표시 전압을 단계적으로 설정함으로써, 계조적인 휘도를 얻는 것이 가능해진다.That is, intermediate luminance can be obtained by applying an intermediate voltage difference between the voltage difference corresponding to the maximum brightness and the voltage difference corresponding to the minimum brightness between the pixel node Np and the common electrode node Nc. That is, by setting the display voltage step by step, it becomes possible to obtain gradational brightness.

게이트 드라이버(30)는, 소정의 주사 주기에 기초하여, 게이트선 GL을 순서대로 활성화한다. 스위치 소자(26)의 게이트는 대응하는 게이트선 GL과 접속된다.따라서, 대응하는 게이트선 GL의 활성화(H 레벨) 기간 중에, 화소 노드 Np는 대응하는 데이터선 DL과 접속된다. 스위치 소자(26)는, 일반적으로는, 액정 표시 소자(28)와 동일한 절연체 기판(유리 기판·수지 기판 등) 상에 형성되는 TFT(Thin-Film Transistor) 소자로 구성된다. 화소 노드 Np에 전달된 표시 전압은 유지 용량(27)에 의해 유지된다.The gate driver 30 activates the gate line GL in order based on a predetermined scanning period. The gate of the switch element 26 is connected to the corresponding gate line GL. Therefore, during the activation (H level) period of the corresponding gate line GL, the pixel node Np is connected to the corresponding data line DL. The switch element 26 is generally comprised from TFT (Thin-Film Transistor) element formed on the same insulator substrate (glass substrate, resin substrate, etc.) as the liquid crystal display element 28. FIG. The display voltage transmitted to the pixel node Np is maintained by the storage capacitor 27.

혹은, 도 2에 도시한 EL 소자를 포함하는 화소에 의해, 도 1에서의 화소(25)를 치환하는 것도 가능하다.Alternatively, the pixel 25 in FIG. 1 may be replaced by the pixel including the EL element shown in FIG. 2.

도 2를 참조하여, 화소(25#)는, 스위치 소자(26)와, 유지 용량(27#)과, EL 표시 소자(28#)와, 전류 구동 트랜지스터(29)를 포함한다. 스위치 소자(26)는, 화소(25) 내의 것과 마찬가지로, 대응하는 데이터선 DL과 화소 노드 Np 사이에 설치되며, 그 게이트는 대응하는 게이트선 GL과 접속된다. 유지 용량(27#)은, 화소 노드 Np 및 전압 VDD 사이에 접속된다. EL 표시 소자(28#) 및 전류 구동 트랜지스터(29)는, 전압 VDD 및 전압 VSS 사이에 직렬로 접속된다. 전류 구동 트랜지스터(29)는, 예를 들면, P형 전계 효과형 트랜지스터로 구성된다. 스위치 소자(26) 및 전류 구동 트랜지스터(29)는, 일반적으로는, EL 표시 소자(28#)와 동일한 절연체 기판 상에 형성된다.Referring to FIG. 2, the pixel 25 # includes a switch element 26, a storage capacitor 27 #, an EL display element 28 #, and a current driving transistor 29. The switch element 26 is provided between the corresponding data line DL and the pixel node Np similarly as in the pixel 25, and its gate is connected with the corresponding gate line GL. The storage capacitor 27 # is connected between the pixel node Np and the voltage VDD. The EL display element 28 # and the current driving transistor 29 are connected in series between the voltage VDD and the voltage VSS. The current drive transistor 29 is composed of, for example, a P-type field effect transistor. The switch element 26 and the current drive transistor 29 are generally formed on the same insulator substrate as the EL display element 28 #.

스위치 소자(26)는, 대응하는 게이트선 GL의 활성화(H 레벨) 기간 중에, 화소 노드 Np를 데이터선 DL과 접속한다. 이에 의해, 화소 노드 Np에는, 데이터선 DL 상의 표시 전압이 전달된다. 화소 노드 Np의 전압은 유지 용량(27#)에 의해 유지된다.The switch element 26 connects the pixel node Np with the data line DL during the activation (H level) period of the corresponding gate line GL. As a result, the display voltage on the data line DL is transmitted to the pixel node Np. The voltage of the pixel node Np is maintained by the storage capacitor 27 #.

전류 구동 트랜지스터(29)는, 화소 노드 Np와 접속된 게이트를 갖고, 화소 노드 Np의 전압에 따른 전류 Iel을 EL 표시 소자(28#)에 공급한다. EL 표시 소자(28#)의 표시 휘도는, 공급된 통과 전류 Iel에 따라 변화된다. 따라서, 화소(25#)에서도, 화소에 인가되는 표시 전압을 단계적으로 설정함으로써, EL 표시 소자의 휘도를 계조적으로 설정할 수 있다.The current driving transistor 29 has a gate connected to the pixel node Np, and supplies the current Iel corresponding to the voltage of the pixel node Np to the EL display element 28 #. The display luminance of the EL display element 28 # changes in accordance with the supplied passing current Iel. Therefore, also in the pixel 25 #, by setting the display voltage applied to the pixel in stages, the luminance of the EL display element can be set to be gray level.

이하의 설명에서 명백해지는 바와 같이, 본원 발명은, 각 화소가 인가된 표시 전압에 따라 중간적인 휘도를 표시할 수 있는 표시 장치에서의 주변 회로, 특히 디코더 회로의 구성에 주목하고 있다. 따라서, 이하에 설명하는 본 발명의 실시예에서 표시 장치의 대표예로서 도시되는 액정 표시 장치에서, 액정 표시 소자를 포함하는 화소(25)를, EL 소자를 포함하는 화소(25#)로 치환하면, 동일한 구성의 주변 회로를 이용하여, EL 소자에 의한 표시를 행하는 본 발명에 따른 표시 장치를 구성할 수 있다.As will be apparent from the following description, the present invention focuses on the configuration of peripheral circuits, particularly decoder circuits, in a display device capable of displaying intermediate luminance according to the display voltage to which each pixel is applied. Therefore, in the liquid crystal display device shown as a representative example of the display device in the embodiment of the present invention described below, the pixel 25 including the liquid crystal display element is replaced with the pixel 25 # including the EL element. The display device according to the present invention which performs display by the EL element can be configured by using the peripheral circuit having the same configuration.

다시 도 1을 참조하면, 소스 드라이버(40)는, N비트의 디지털 신호인 표시 신호 SIG에 의해 단계적으로 설정되는 표시 전압을 데이터선 DL로 출력한다. 이하, 본 실시예에서는, N=6인 경우, 즉, 표시 신호 SIG가 표시 신호 비트 D0∼D5로 이루어지는 경우의 구성에 대하여 대표적으로 설명한다.Referring back to FIG. 1, the source driver 40 outputs the display voltage set in stages by the display signal SIG, which is an N-bit digital signal, to the data line DL. In the present embodiment, the configuration in the case where N = 6, that is, when the display signal SIG consists of the display signal bits D0 to D5 will be described.

6비트의 표시 신호 SIG에 기초하여, 각 화소에서, 26=64단계의 계조 표시가 가능해진다. 또한, R(Red), G(Green) 및 B(Blue)의 각 1개의 화소로부터 1개의 컬러 표시 단위를 형성하면, 약 26만색의 컬러 표시가 가능해진다.On the basis of the 6-bit display signal SIG, gray scale display of 2 6 = 64 steps is enabled in each pixel. Further, when one color display unit is formed from one pixel of R (Red), G (Green), and B (Blue), color display of about 260,000 colors is possible.

소스 드라이버(40)는, 시프트 레지스터(50)와, 데이터 래치 회로(52, 54)와, 계조 전압 생성 회로(60)와, 디코드 회로(70)와, 아날로그 증폭기(80)를 포함한다.The source driver 40 includes a shift register 50, data latch circuits 52 and 54, a gradation voltage generation circuit 60, a decode circuit 70, and an analog amplifier 80.

표시 신호 SIG는, 화소(25)마다의 표시 휘도에 대응하여 직렬로 생성된다. 즉, 각 타이밍에서의 표시 신호 비트 D0∼D5는, 액정 어레이부(20) 내의 하나의 화소(25)에서의 표시 휘도를 나타내고 있다.The display signal SIG is generated in series corresponding to the display luminance of each pixel 25. That is, the display signal bits D0 to D5 at each timing indicate the display luminance in one pixel 25 in the liquid crystal array unit 20.

시프트 레지스터(50)는, 표시 신호 SIG의 설정이 전환되는 소정 주기에 동기한 타이밍에서, 데이터 래치 회로(52)에 대하여, 표시 신호 비트 D0∼D5의 수신을 지시한다. 데이터 래치 회로(52)는, 직렬로 생성되는 하나의 화소 행분의 표시 신호 SIG를, 순서대로 수신하여 유지한다.The shift register 50 instructs the data latch circuit 52 to receive the display signal bits D0 to D5 at a timing synchronized with a predetermined period in which the setting of the display signal SIG is switched. The data latch circuit 52 receives and holds display signal SIG for one pixel row generated in series in order.

하나의 화소 행분의 표시 신호 SIG가 데이터 래치 회로(52)에 수신된 타이밍에서, 래치 신호 LT의 활성화에 응답하여, 데이터 래치 회로(52)에 래치된 표시 신호군은 데이터 래치 회로(54)로 전달된다.At the timing when the display signal SIG for one pixel row is received by the data latch circuit 52, in response to the activation of the latch signal LT, the display signal group latched by the data latch circuit 52 is transferred to the data latch circuit 54. Delivered.

계조 전압 생성 회로(60)는, 고전압 VH 및 저전압 VL 사이에 직렬로 접속된 64개의 분압 저항으로 구성되며, 64단계의 계조 전압 V1∼V64를 계조 전압 노드 N1∼N64에 각각 생성한다.The gray voltage generator 60 is composed of 64 voltage divider resistors connected in series between the high voltage VH and the low voltage VL, and generates gray level voltages V1 to V64 at the gray level voltage nodes N1 to N64, respectively.

디코드 회로(70)는, 데이터 래치 회로(54)에 래치된 표시 신호를 디코드하고, 해당 디코드에 기초하여 계조 전압 V1∼V64를 선택한다. 디코드 회로(70)는, 선택된 계조 전압(V1∼V64 중의 하나)을 표시 전압으로서 디코드 출력 노드 Nd에 생성한다. 본 실시예에서는, 디코드 회로(70)는, 데이터 래치 회로(54)에 래치된 표시 신호에 기초하여, 1행분의 표시 전압을 병렬로 출력한다. 또한, 도 1에서는,제1열째 및 제2열째의 데이터선 DL1, DL2에 대응하는 디코드 출력 노드 Nd1, Nd2가 대표적으로 도시되어 있다.The decode circuit 70 decodes the display signal latched by the data latch circuit 54 and selects gradation voltages V1 to V64 based on the decode. The decode circuit 70 generates the selected gradation voltage (one of V1 to V64) as the display voltage to the decode output node Nd. In the present embodiment, the decode circuit 70 outputs display voltages for one row in parallel based on the display signals latched by the data latch circuit 54. In addition, in FIG. 1, the decode output nodes Nd1 and Nd2 corresponding to the data lines DL1 and DL2 of a 1st column and a 2nd column are shown typically.

아날로그 증폭기(80)는, 디코드 출력 노드 Nd1, Nd2, …로 출력된 표시 전압에 각각 대응한 아날로그 전압을 데이터선 DL1, DL2, …로 각각 출력한다.The analog amplifier 80 includes the decode output nodes Nd1, Nd2,... The analog voltages corresponding to the display voltages outputted by the data lines are denoted by the data lines DL1, DL2,. Will be printed respectively.

또한, 도 1에는, 게이트 드라이버(30) 및 소스 드라이버(40)가 액정 어레이부(20)와 일체적으로 형성된 액정 표시 장치(10)의 구성을 예시하였지만, 게이트 드라이버(30) 및 소스 드라이버(40)에 대해서는, 액정 어레이부(20)의 외부 회로로서 설치하는 것도 가능하다.In addition, although FIG. 1 illustrates the configuration of the liquid crystal display device 10 in which the gate driver 30 and the source driver 40 are integrally formed with the liquid crystal array unit 20, the gate driver 30 and the source driver ( For 40, it can also be provided as an external circuit of the liquid crystal array unit 20.

다음으로, 디코드 회로의 구성에 대하여 상세히 설명한다.Next, the configuration of the decode circuit will be described in detail.

도 3은 도 1에 도시한 제1 실시예에 따른 디코드 회로의 구성을 도시하는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the decode circuit according to the first embodiment shown in FIG.

도 3에는, 디코드 출력 노드 Nd1에 대응하는 구성 중, 계조 전압 V64 및 V63에 대응하는 부분의 구성만이 대표적으로 도시된다.In FIG. 3, only the structure of the part corresponding to gradation voltage V64 and V63 among the structure corresponding to decode output node Nd1 is shown typically.

도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 디코드 회로(70)는, 계조 전압 V64에 대응하는 디코드 유닛 DU(64)와, 계조 전압 V63에 대응하는 디코드 유닛 DU(63)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the decode circuit 70 according to the first embodiment includes a decode unit DU 64 corresponding to the gray voltage V64 and a decode unit DU 63 corresponding to the gray voltage V63.

디코드 유닛 DU(64)는, 계조 전압 노드 N64 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 직렬로 접속된 N형 전계 효과형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64)와, 계조 전압 노드 N64 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 직렬로 접속된 P형 전계 효과형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64)를 포함한다. 또한, 이하에서는, N형 전계 효과형 트랜지스터 및P형 전계 효과형 트랜지스터를, 간단하게 N형 트랜지스터 및 P형 트랜지스터로도 각각 칭한다.The decode unit DU 64 is provided between the N-type field effect transistors T0a (64) to T5a (64) connected in series between the gradation voltage node N64 and the decode output node Nd1, and the gradation voltage node N64 and the decode output node Nd1. P-type field effect transistors T0b (64) to T5b (64) connected in series. In the following description, the N-type field effect transistor and the P-type field effect transistor are simply referred to as N-type transistor and P-type transistor, respectively.

N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64)의 게이트에는, 표시 신호 비트 D0∼D5가 각각 입력된다. 이에 대하여, P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64)의 게이트에는, 표시 신호 비트 D0∼D5의 반전 비트 /D0∼/D5가 각각 입력된다.The display signal bits D0 to D5 are respectively input to the gates of the N-type transistors T0a (64) to T5a (64). In contrast, inverting bits / D0 to / D5 of the display signal bits D0 to D5 are respectively input to the gates of the P-type transistors T0b (64) to T5b (64).

그 결과, 표시 신호 비트 (D0, D1, D2, D3, D4, D5)=(1, 1, 1, 1, 1, 1)일 때에, 디코드 유닛 DU(64) 내의 N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64) 및 P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64) 모두가 온하여, 계조 전압 노드 N64의 계조 전압 V64가 디코드 출력 노드 Nd1로 전달된다.As a result, when the display signal bits (D0, D1, D2, D3, D4, D5) = (1, 1, 1, 1, 1, 1), the N-type transistor T0a 64 in the decode unit DU 64. T5a (64) and P-type transistors T0b (64) to T5b (64) are both turned on, and the gradation voltage V64 of the gradation voltage node N64 is transferred to the decode output node Nd1.

마찬가지로, 디코드 유닛 DU(63)는, 계조 전압 노드 N63 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 직렬로 접속된 N형 트랜지스터 T0a(63)∼T5a(63)와, 계조 전압 노드 N63 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 직렬로 접속된 P형 트랜지스터 T0b(63)∼T5b(63)를 포함한다.Similarly, the decode unit DU 63 is provided between the N-type transistors T0a 63 to T5a 63 connected in series between the gray voltage node N63 and the decode output node Nd1, and between the gray voltage node N63 and the decode output node Nd1. P type transistors T0b (63) to T5b (63) connected in series.

N형 트랜지스터 T0a(63)∼T5a(63)의 게이트에는, 표시 신호 비트 D0의 반전 비트 /D0 및 표시 신호 비트 D1∼D5가 각각 입력된다. 이에 대하여, P형 트랜지스터 T0b(63)∼T5b(63)의 게이트에는, 표시 신호 비트 D0 및 표시 신호 비트 D1∼D5의 반전 비트 /D1∼/D5가 각각 입력된다.Inverting bits / D0 and display signal bits D1 to D5 of the display signal bit D0 are respectively input to the gates of the N-type transistors T0a (63) to T5a (63). In contrast, the inverting bits / D1 to / D5 of the display signal bits D0 and the display signal bits D1 to D5 are respectively input to the gates of the P-type transistors T0b 63 to T5b 63.

그 결과, 표시 신호 비트 (D0, D1, D2, D3, D4, D5)=(0, 1, 1, 1, 1, 1)일 때에, 디코드 유닛 DU(63) 내의 N형 트랜지스터 T0a(63)∼T5a(63) 및 P형 트랜지스터 T0b(63)∼T5b(63) 모두가 온하여, 계조 전압 노드 N63의 계조 전압 V63이 디코드 출력 노드 Nd1로 전달된다.As a result, when the display signal bits (D0, D1, D2, D3, D4, D5) = (0, 1, 1, 1, 1, 1), the N-type transistor T0a (63) in the decode unit DU (63). T5a (63) and P-type transistors T0b (63) to T5b (63) are all turned on, and the gradation voltage V63 of the gradation voltage node N63 is transferred to the decode output node Nd1.

도시하지 않지만, 계조 전압 V1∼V62에 대해서도, 마찬가지로 구성된 디코드 유닛이 각각 배치된다. 또한, 표시 신호 비트 (D0, D1, D2, D3, D4, D5)=(0, 0, 0, 0, 0, 0)의 상태를 계조 전압 V1과 대응시키고, (D0, D1, D2, D3, D4, D5)=(1, 1, 1, 1, 1, 1)의 상태를 계조 전압 V64와 대응시키며, 표시 신호 비트 D0∼D5의 인크리먼트에 대응하여, 계조 전압을 V1로부터 V64로 1단계씩 변화시킨다. 이에 의해, 표시 신호 비트 D0∼D5에 따라, 계조 전압 V1∼V64 중의 하나를 선택적으로 디코드 출력 노드 Nd1로 출력할 수 있다. 도시하지 않지만, 디코드 회로(70)에서, 그 밖의 디코드 출력 노드 Nd에 대해서도 마찬가지의 구성이 배치되어 있는 것으로 한다.Although not shown in the figure, the decode units configured in the same manner are also arranged for the gradation voltages V1 to V62. Further, the state of the display signal bits (D0, D1, D2, D3, D4, D5) = (0, 0, 0, 0, 0, 0) corresponds to the gradation voltage V1, and (D0, D1, D2, D3). , D4, D5) = (1, 1, 1, 1, 1, 1) corresponds to the gray voltage V64, and corresponding to the increment of the display signal bits D0 to D5, the gray voltage is changed from V1 to V64. Step by step. Thereby, according to the display signal bits D0 to D5, one of the gradation voltages V1 to V64 can be selectively output to the decode output node Nd1. Although not shown in figure, the same structure is also arrange | positioned in the other decoding output node Nd in the decoding circuit 70. As shown in FIG.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 디코드 회로(70)에서는, 계조 전압 V1∼V64의 각 전달 경로에서, 동수의 N형 트랜지스터 및 P형 트랜지스터가 병렬로 접속되며, 또한, 표시 신호 비트 D0∼D5 중의 동일 비트에 대응하는 1개씩의 N형 트랜지스터 및 P형 트랜지스터가 해당 동일 비트 및 그 반전 비트의 한쪽씩을 게이트로 받아 구동되는 구성으로 되어 있다.As described above, in the decode circuit 70 according to the first embodiment, the same number of N-type transistors and P-type transistors are connected in parallel in each transfer path of the gradation voltages V1 to V64, and the display signal bit D0. Each of the N-type transistors and the P-type transistors corresponding to the same bit in -D5 is configured to be driven by receiving one of the same bit and its inverted bit as a gate.

따라서, 대응하는 N형 트랜지스터 및 P형 트랜지스터 사이에서, 게이트 전극과 소스 전극 혹은 드레인 전극 사이의 기생 용량을 통해, 계조 전압에 중첩되는 노이즈는 서로 역극성으로 되어 서로 상쇄된다. 그 결과, 종래 기술에 따른 디코드 회로에서 문제가 된, 표시 전압에의 노이즈를 억제하여 표시 정밀도의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.Therefore, between the corresponding N-type transistors and P-type transistors, through the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode, the noises superimposed on the gradation voltage are reversed from each other and canceled with each other. As a result, it becomes possible to suppress the noise to the display voltage, which is a problem in the decoding circuit according to the prior art, and to improve the display accuracy.

[제2 실시예]Second Embodiment

도 4는 제2 실시예에 따른 디코드 회로(71A)의 제1 구성예를 도시하는 회로도이다. 제2 실시예에 따른 구성에서는, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)에서, 디코드 회로(70)가 디코드 회로(71A(71B, 71C))로 치환될 뿐이고, 그 밖의 부분의 구성은 마찬가지이다.4 is a circuit diagram showing a first configuration example of the decode circuit 71A according to the second embodiment. In the configuration according to the second embodiment, in the liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1, the decode circuit 70 is replaced only by the decode circuits 71A (71B, 71C), and the configuration of the other parts is the same. to be.

도 4를 참조하면, 제2 실시예의 제1 구성예에 따른 디코드 회로(71A)에서는, 도 3에 도시한 디코드 회로(70)의 구성 외에, 인접하는 디코드 유닛 사이에서, 대응하는 표시 신호 비트를 동일한 극성으로 게이트로 받는 N형 트랜지스터군의 경로를 공유하기 때문에, 이들 N형 트랜지스터의 접속 노드의 하나끼리가 전기적으로 결합되어 있다.Referring to Fig. 4, in the decode circuit 71A according to the first configuration example of the second embodiment, in addition to the configuration of the decode circuit 70 shown in Fig. 3, corresponding display signal bits are provided between adjacent decode units. Since the paths of the group of N-type transistors received by the gate with the same polarity are shared, one of the connection nodes of these N-type transistors is electrically coupled.

마찬가지로, 인접하는 디코드 유닛 사이에서, 대응하는 표시 신호 비트를 동일한 극성으로 게이트로 받는 P형 트랜지스터군의 경로를 공유하기 때문에, 이들 P형 트랜지스터의 접속 노드의 하나끼리에 대해서도 전기적으로 결합되어 있다.Similarly, since the paths of the P-type transistor groups that receive the corresponding display signal bits as gates with the same polarity are shared between adjacent decode units, one of the connection nodes of these P-type transistors is also electrically coupled.

예를 들면, 디코드 유닛 DU(64) 내의 N형 트랜지스터 T0a(64) 및 T1a(64)의 접속 노드 N64a와, 디코드 유닛 DU(63) 내의 N형 트랜지스터 T0a(63) 및 T1a(63)의 접속 노드 N63a가 전기적으로 결합된다. 접속 노드 N64a 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 접속된 N형 트랜지스터 T1a(64)∼T5a(64) 각각의 게이트에는, 표시 신호 비트 D1∼D5가 각각 입력되고, 접속 노드 N63a 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 접속된 N형 트랜지스터 T1a(63)∼T5a(63) 각각의 게이트에는, N형 트랜지스터 T1a(64)∼T5a(64)와 동일한 극성의 표시 신호 비트 D1∼D5가 각각 입력된다.For example, the connection node N64a of the N-type transistors T0a 64 and T1a 64 in the decode unit DU 64 and the connection of the N-type transistors T0a 63 and T1a 63 in the decode unit DU 63. Node N63a is electrically coupled. Display signal bits D1 to D5 are respectively input to the gates of the N-type transistors T1a (64) to T5a (64) connected between the connection node N64a and the decode output node Nd1, and are connected between the connection node N63a and the decode output node Nd1. Display signal bits D1 to D5 having the same polarity as the N-type transistors T1a (64) to T5a (64) are respectively input to the gates of the connected N-type transistors T1a (63) to T5a (63).

이에 의해, 동일 극성의 표시 신호 비트 D1∼D5에 의해, 각각의 게이트가 구동되는, N형 트랜지스터 T1a(64)∼T5a(64) 및 T1a(63)∼T5a(63)에 의한 각각의 경로가 병렬 접속되어, 계조 전압 노드 N63, N64와 디코드 출력 노드 Nd1 사이의 전기 저항이 저감된다.As a result, the respective paths of the N-type transistors T1a (64) to T5a (64) and T1a (63) to T5a (63) in which respective gates are driven by the display signals bits D1 to D5 of the same polarity are provided. By connecting in parallel, the electrical resistance between the gradation voltage nodes N63 and N64 and the decode output node Nd1 is reduced.

마찬가지로, 디코드 유닛 DU(64) 내의 P형 트랜지스터 T0b(64) 및 T1b(64)의 접속 노드 N64b와, 디코드 유닛 DU(63) 내의 P형 트랜지스터 T0b(63) 및 T1b(63)의 접속 노드 N63b가 전기적으로 결합된다. 접속 노드 N64b 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 접속된 P형 트랜지스터 T1b(64)∼T5b(64) 각각의 게이트에는, 표시 신호 비트 D1∼D5의 반전 비트 /D0∼/D5가 각각 입력되고, 접속 노드 N63b 및 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 접속된 P형 트랜지스터 T1b(63)∼T5b(63) 각각의 게이트에는, P형 트랜지스터 T1b(64)∼T5b(64)와 동일한 극성의 반전 비트 /D1∼/D5가 각각 입력된다.Similarly, connection node N64b of P-type transistors T0b 64 and T1b 64 in decode unit DU 64 and connection node N63b of P-type transistors T0b 63 and T1b 63 in decode unit DU 63. Is electrically coupled. Inverting bits / D0 to / D5 of the display signal bits D1 to D5 are respectively input to the gates of the P-type transistors T1b (64) to T5b (64) connected between the connection node N64b and the decode output node Nd1, respectively. Inverting bits / D1 to / D5 having the same polarity as the P-type transistors T1b (64) to T5b (64) are provided at the gates of the P-type transistors T1b (63) to T5b (63) connected between the N63b and the decode output node Nd1. Are input respectively.

이에 의해, 동일 극성의 표시 신호 비트 (반전 비트 /D1∼/D5)에 의해, 각각의 게이트가 구동되는, P형 트랜지스터 T1b(64)∼T5b(64) 및 T1b(63)∼T5b(63)에 의한 각각의 경로가 병렬 접속되어, 계조 전압 노드 N63, N64와 디코드 출력 노드 Nd1 사이의 전기 저항이 저감된다.Thereby, the P-type transistors T1b (64) to T5b (64) and T1b (63) to T5b (63), each gate being driven by the display signal bits (inverting bits / D1 to / D5) of the same polarity. Each path by is connected in parallel, and the electrical resistance between the gradation voltage nodes N63 and N64 and the decode output node Nd1 is reduced.

도시하지 않지만, 그 밖의 계조 전압 V1∼V62에 대응하는 디코드 유닛에서도 마찬가지로 설치되며, 인접하는 디코드 유닛 사이에서, 동일 극성의 표시 신호 비트에 의해 게이트가 구동되는 트랜지스터군이 디코드 출력 노드 Nd1에 대하여 병렬로 접속되도록, 중간의 접속 노드끼리가 전기적으로 결합되어 있는 것으로 한다.Although not shown, similarly provided in the decoding units corresponding to the other gradation voltages V1 to V62, a transistor group in which a gate is driven by display signal bits of the same polarity between adjacent decode units is parallel to the decode output node Nd1. It is assumed that intermediate connection nodes are electrically coupled to each other so as to be connected to each other.

이러한 구성으로 함으로써, 디코드 회로(71A) 내에서, 계조 전압의 전달 경로의 전기 저항을 저감하여, 계조 전압의 전달 시간을 단축할 수 있다. 그 결과, 제1 실시예에 따른 디코드 회로에 의한 효과 외에, 화소에의 표시 전압의 기입 소요 시간을 단축하여, 고속 동작화를 도모할 수 있다.By setting it as such a structure, the electrical resistance of the transfer path of a gray voltage can be reduced in the decoding circuit 71A, and the transfer time of a gray voltage can be shortened. As a result, in addition to the effect of the decode circuit according to the first embodiment, it is possible to shorten the time required for writing the display voltage to the pixel and achieve high speed operation.

또한, 도 4의 구성예에서는, 동일 극성의 표시 신호 비트로 게이트가 구동되는 트랜지스터군에 의한 경로 모두를 병렬 접속하는 구성을 도시하였지만, 해당 경로의 일부분만을 병렬 접속하는 구성으로 해도 된다. 예를 들면 도 4에서, 접속 노드 N64a 및 N63a 사이 대신에, N형 트랜지스터 T2a(64) 및 T3a(64)의 접속 노드와, N형 트랜지스터 T2a(63) 및 T3a(63)의 접속 노드 사이를 전기적으로 결합하는 구성으로 해도 된다.In addition, in the structural example of FIG. 4, although the structure which connected all the path | routes by the transistor group in which a gate is driven by the display signal bit of the same polarity was shown, you may make it the structure which connects only a part of the said paths in parallel. For example, in Fig. 4, instead of between the connection nodes N64a and N63a, between the connection nodes of the N-type transistors T2a 64 and T3a 64 and between the connection nodes of the N-type transistors T2a 63 and T3a 63. It is good also as a structure which electrically couples.

도 5는 제2 실시예에 따른 디코드 회로의 제2 구성예를 도시하는 회로도이다.5 is a circuit diagram showing a second configuration example of the decode circuit according to the second embodiment.

도 5를 참조하면, 제2 실시예의 제2 구성예에 따른 디코드 회로(71B)는, 도 3에 도시한 디코드 회로(70)의 구성 외에, 선택 시에 있어서의 상위의 표시 신호 비트 D2∼D5의 레벨이 공통되는 4개의 계조 전압에 각각 대응하는 디코드 유닛 사이에서, 해당 표시 신호 비트 D2∼D5에 대응하는 N형 트랜지스터에 의한 경로 및 P형 트랜지스터에 의한 경로 각각을 병렬 접속하여, 계조 전압의 전달 경로를 형성한다.Referring to FIG. 5, the decoding circuit 71B according to the second configuration example of the second embodiment includes the display signal bits D2 to D5 that are higher when selected, in addition to the configuration of the decoding circuit 70 shown in FIG. 3. Between the decode units corresponding to the four gray voltages having the same level, the paths by the N-type transistors and the paths by the P-type transistors corresponding to the display signal bits D2 to D5 are connected in parallel to each other. Form a delivery path.

즉, 선택 시에 있어서의 표시 신호 비트 D2∼D5가 (D2, D3, D4, D5)=(1, 1, 1, 1)로 공통되는 계조 전압 V61∼V64에 각각 대응하는 디코드 유닛DU(61)∼DU(64) 사이에서, N형 트랜지스터 T1a(64) 및 T2a(64)의 접속 노드 N64a#과, N형 트랜지스터 T1a(63) 및 T2a(63)의 접속 노드 N63a#과, N형 트랜지스터 T1a(62) 및 T2a(62)의 접속 노드 N62a#과, N형 트랜지스터 T1a(61) 및 T2a(61)의 접속 노드 N61a#이 서로 전기적으로 결합된다.That is, the decode unit DU 61 corresponding to the gradation voltages V61 to V64 common to the display signal bits D2 to D5 at the time of selection to (D2, D3, D4, D5) = (1, 1, 1, 1), respectively. ) To DU 64, the connection node N64a # of the N-type transistors T1a 64 and T2a 64, the connection node N63a # of the N-type transistors T1a 63 and T2a 63, and the N-type transistor. The connection node N62a # of T1a 62 and T2a 62 and the connection node N61a # of N-type transistors T1a 61 and T2a 61 are electrically coupled to each other.

마찬가지로, P형 트랜지스터 T1b(64) 및 T2b(64)의 접속 노드 N64b#과, P형 트랜지스터 T1b(63) 및 T2b(63)의 접속 노드 N63b#과, P형 트랜지스터 T1b(62) 및 T2b(62)의 접속 노드 N62b#과, P형 트랜지스터 T1b(61) 및 T2b(61)의 접속 노드 N61b#이 서로 전기적으로 결합된다.Similarly, the connection node N64b # of the P-type transistors T1b 64 and T2b 64, the connection node N63b # of the P-type transistors T1b 63 and T2b 63, and the P-type transistors T1b 62 and T2b ( The connection node N62b # of 62 and the connection node N61b # of the P-type transistors T1b 61 and T2b 61 are electrically coupled to each other.

도시하지 않지만, 그 밖의 계조 전압 V1∼V60에 대응하는 디코드 유닛에서도 마찬가지로, 4개씩의 디코드 유닛 사이에서, 동일 극성의 표시 신호 비트에 의해 게이트가 구동되는 트랜지스터군이 디코드 출력 노드 Nd1에 대하여 병렬로 접속되도록, 중간의 접속 노드끼리가 전기적으로 결합되어 있는 것으로 한다.Although not shown, similarly in the decoding units corresponding to the other gradation voltages V1 to V60, a transistor group in which the gate is driven by the display signal bits of the same polarity is arranged in parallel with respect to the decode output node Nd1 among four decode units. It is assumed that intermediate connection nodes are electrically connected to each other so as to be connected.

그 결과, 디코드 회로(71B)에서는, 계조 전압의 전달 경로의 전기 저항을 더 저감하여, 화소에의 표시 전압의 기입 소요 시간을 더 단축할 수 있다.As a result, in the decode circuit 71B, the electrical resistance of the transfer path of the gradation voltage can be further reduced, and the time required for writing the display voltage to the pixel can be further shortened.

이와 같이, 제2 실시예에 따른 디코드 회로에서는, 각 디코드 유닛에서, 동일 극성의 표시 신호 비트에 의해 게이트가 구동되는 트랜지스터군을 병렬 접속하도록, N형 트랜지스터 사이의 접속 노드의 하나 및 P형 트랜지스터 사이의 접속 노드의 하나는, 다른 적어도 하나의 디코드 유닛 중의 N형 트랜지스터 사이의 접속 노드 중의 대응하는 하나 및 P형 트랜지스터 사이의 접속 노드 중의 대응하는 하나와 각각 전기적으로 결합된다. 즉, 임의의 개수의 디코드 유닛 사이에서, 중간의접속 노드 사이를 전기적으로 결합하여, 계조 전압의 전달 경로의 전기 저항을 저감하는 구성으로 하는 것이 가능하다.As described above, in the decode circuit according to the second embodiment, one of the connection nodes and the P-type transistors between the N-type transistors are connected in parallel in each of the decode units so that the transistor groups whose gates are driven by the display signal bits of the same polarity are connected in parallel. One of the connection nodes between is electrically coupled with a corresponding one of the connection nodes between the N-type transistors in the other at least one decode unit and a corresponding one of the connection nodes between the P-type transistors, respectively. That is, it is possible to set it as the structure which electrically couples the intermediate connection nodes between arbitrary number of decoding units, and reduces the electrical resistance of the transfer path of gradation voltage.

도 6은 제2 실시예에 따른 디코드 회로의 제3 구성예를 도시하는 회로도이다.6 is a circuit diagram showing a third configuration example of the decode circuit according to the second embodiment.

도 6을 참조하여, 제2 실시예의 제3 구성예에 따른 디코드 회로(71C)는, 도 5에 도시한 디코드 회로(71B)의 구성 외에, 도 4에 도시한 디코드 회로(71A)와 마찬가지로, 선택 시에 있어서의 표시 신호 비트 D0, D1의 레벨이 공통되는 인접 디코드 유닛 사이에서, 표시 신호 비트 D0, D1에 대응하는 경로가 병렬 접속된다.Referring to FIG. 6, the decode circuit 71C according to the third configuration example of the second embodiment is similar to the decode circuit 71A shown in FIG. 4 in addition to the configuration of the decode circuit 71B shown in FIG. 5. The paths corresponding to the display signal bits D0 and D1 are connected in parallel between adjacent decode units having the same level of the display signal bits D0 and D1 at the time of selection.

도 6에 대표적으로 도시된 디코드 유닛 DU(64) 및 DU(63)에서는, 접속 노드 N64a 및 N63a 사이 및 접속 노드 N64b 및 N63b 사이가 또한 전기적으로 결합되어 있다. 마찬가지로, 디코드 유닛 DU(62) 및 DU(61)에서는, 접속 노드 N62a 및 N61a 사이 및 접속 노드 N62b 및 N61b 사이가 또한 전기적으로 결합되어 있다. 즉, 각 디코드 유닛에서, 중간의 복수개의 접속 노드가 적어도 1개의 다른 디코드 유닛 내의 대응하는 접속 노드와 전기적으로 각각 결합되어 있다.In the decode units DU 64 and DU 63 representatively shown in FIG. 6, between the connection nodes N64a and N63a and between the connection nodes N64b and N63b are also electrically coupled. Similarly, in the decoding units DU 62 and DU 61, the connection nodes N62a and N61a and the connection nodes N62b and N61b are also electrically coupled. That is, in each decode unit, a plurality of intermediate connection nodes are electrically coupled with corresponding connection nodes in at least one other decode unit, respectively.

도시하지 않지만, 그 밖의 계조 전압 V1∼V60에 대응하는 디코드 유닛에서도 마찬가지로, 4개씩의 디코드 유닛 사이에서, 동일 극성의 표시 신호 비트에 의해 게이트가 구동되는 트랜지스터군이 디코드 출력 노드 Nd1에 대하여 병렬로 접속되며, 또한, 2개씩의 디코드 유닛 사이에서, 동일 극성의 표시 신호 비트에 의해 게이트가 구동되는 트랜지스터군이 디코드 출력 노드 Nd1에 대하여 병렬로 접속되도록, 중간의 접속 노드끼리가 복수 개소에서 전기적으로 결합되어 있는 것으로 한다.Although not shown, similarly in the decoding units corresponding to the other gradation voltages V1 to V60, a transistor group in which the gate is driven by the display signal bits of the same polarity is arranged in parallel with respect to the decode output node Nd1 among four decode units. The intermediate connection nodes are electrically connected to each other in a plurality of places such that the transistor groups in which the gates are driven by the display signal bits of the same polarity are connected in parallel between the two decode units, in parallel to the decode output node Nd1. It is to be combined.

이에 의해, 도 5에 도시한 디코드 회로(71B)와 비교하여, 표시 신호 비트 D0, D1에 대응하는 경로의 전기 저항이 저감되기 때문에, 화소에의 표시 전압의 기입 소요 시간을 더 단축할 수 있다.As a result, the electric resistance of the path corresponding to the display signal bits D0 and D1 is reduced as compared with the decode circuit 71B shown in Fig. 5, so that the time required for writing the display voltage to the pixel can be further shortened. .

[제3 실시예]Third Embodiment

도 7은 제3 실시예에 따른 디코드 회로(72)의 구성을 도시하는 회로도이다. 제3 실시예에 따른 구성에서도, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)에서, 디코드 회로(70)가 디코드 회로(72)로 치환될 뿐이고, 그 밖의 부분의 구성은 마찬가지이다.7 is a circuit diagram showing the configuration of the decode circuit 72 according to the third embodiment. Also in the configuration according to the third embodiment, in the liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1, the decode circuit 70 is replaced only by the decode circuit 72, and the configuration of the other parts is the same.

도 7에서도, 디코드 회로(72) 중, 디코드 출력 노드 Nd1에 대응하는 부분 중의 계조 전압 V64에 대응하는 구성만이 대표적으로 도시되어 있다.Also in FIG. 7, only the configuration corresponding to the gradation voltage V64 in the portion corresponding to the decode output node Nd1 in the decode circuit 72 is representatively shown.

도 7을 참조하면, 제3 실시예에 따른 디코드 회로(72)는, 전원 전압 Vdd 및 제어 노드 /Ng(64) 사이에 접속되는 전류 제한 소자(75)와, 전원 전압 Vdd 및 제어 노드 Ng(64) 사이에 접속되는 전류 제한 소자(76)와, 제어 노드 /Ng(64) 및 접지 전압 Vss 사이에 직렬로 접속되는 N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64)와, 제어 노드 Ng(64) 및 전원 전압 Vdd 사이에 직렬로 접속되는 P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64)와, 계조 전압 전달 게이트(77)를 갖는다.Referring to Fig. 7, the decode circuit 72 according to the third embodiment includes a current limiting element 75 connected between the power supply voltage Vdd and the control node / Ng 64, the power supply voltage Vdd and the control node Ng ( N-type transistors T0a (64) to T5a (64) connected in series between the current limiting device 76 connected between the 64, the control node / Ng 64, and the ground voltage Vss, and the control node Ng (64). ) And P-type transistors T0b (64) to T5b (64) connected in series between the power supply voltage Vdd and the gradation voltage transfer gate (77).

도 3에 도시한 디코드 회로(70)와 마찬가지로, N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64) 각각의 게이트에는 표시 신호 비트 D0∼D5가 입력되고, P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64) 각각의 게이트에는 반전 비트 /D0∼/D5가 입력된다.Like the decode circuit 70 shown in FIG. 3, display signal bits D0 to D5 are input to the gates of the N-type transistors T0a (64) to T5a (64), and the P-type transistors T0b (64) to T5b (64). Inverting bits / D0 to / D5 are input to each gate.

계조 전압 전달 게이트(77)는, 계조 전압 노드 N64와 디코드 출력 노드 Nd1사이에 병렬로 접속된 N형 트랜지스터(78a) 및 P형 트랜지스터(78b)를 갖는다. N형 트랜지스터(78a)의 게이트는 제어 노드 Ng(64)에 접속되고, P형 트랜지스터(78b)의 게이트는 제어 노드 /Ng(64)에 접속된다.The gradation voltage transfer gate 77 has an N-type transistor 78a and a P-type transistor 78b connected in parallel between the gradation voltage node N64 and the decode output node Nd1. The gate of the N-type transistor 78a is connected to the control node Ng 64, and the gate of the P-type transistor 78b is connected to the control node / Ng 64.

계조 전압 V64의 선택 시, 즉 표시 신호 비트 (D0, D1, D2, D3, D4, D5)=(1, 1, 1, 1, 1, 1)일 때에, N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64) 및 P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64) 각각이 온하여, 제어 노드 Ng(64) 및 /Ng(64)는 전원 전압 Vdd 및 접지 전압 Vss로 각각 구동된다. 그 결과, 계조 전압 전달 게이트(77)를 구성하는 N형 트랜지스터(78a) 및 P형 트랜지스터(78b)의 양방이 온하여, 디코드 출력 노드 Nd1로 계조 전압 V64가 전달된다.When the gradation voltage V64 is selected, that is, when the display signal bits (D0, D1, D2, D3, D4, D5) = (1, 1, 1, 1, 1, 1), the N-type transistors T0a (64) to T5a. Each of 64 and the P-type transistors T0b 64 to T5b 64 is turned on, and the control nodes Ng 64 and / Ng 64 are driven to the power supply voltage Vdd and the ground voltage Vss, respectively. As a result, both the N-type transistor 78a and the P-type transistor 78b constituting the gradation voltage transfer gate 77 are turned on, and the gradation voltage V64 is transmitted to the decode output node Nd1.

한편, 계조 전압 V64의 비선택 시, 즉 표시 신호 비트 (D0, D1, D2, D3, D4, D5)≠(1, 1, 1, 1, 1, 1)일 때에는, N형 트랜지스터 T0a(64)∼T5a(64) 중 적어도 하나 및 P형 트랜지스터 T0b(64)∼T5b(64) 중 적어도 하나가 오프하기 때문에, 제어 노드 Ng(64) 및 /Ng(64)는 접지 전압 Vss 및 전원 전압 Vdd로 각각 설정된다. 그 결과, 계조 전압 전달 게이트(77)를 구성하는 N형 트랜지스터(78a) 및 P형 트랜지스터(78b) 양방이 오프하기 때문에, 디코드 출력 노드 Nd1과 계조 전압 노드 N64(계조 전압 V64)는 분리된다.On the other hand, when the gray voltage V64 is not selected, that is, when the display signal bits (D0, D1, D2, D3, D4, D5) ≠ (1, 1, 1, 1, 1, 1), the N-type transistor T0a (64). Since at least one of the &lt; RTI ID = 0.0 &gt; T5a &lt; / RTI &gt; 64 and at least one of the P-type transistors T0b (64) to T5b (64) are turned off, the control nodes Ng 64 and / Ng 64 are connected to the ground voltage Vss and the power supply voltage Vdd. Are each set to. As a result, since both the N-type transistor 78a and the P-type transistor 78b constituting the gradation voltage transfer gate 77 are turned off, the decode output node Nd1 and the gradation voltage node N64 (gradation voltage V64) are separated.

마찬가지의 구성이, 계조 전압 V1∼V63 각각에 대하여 형성되고, 계조 전압 Vj(j : 1∼63의 정수)에 대응하는 트랜지스터 T0a(j)∼T5a(j) 및 P형 트랜지스터 T0b(j)∼T5b(j) 각각의 게이트에는, 대응하는 계조 전압 Vj를 선택하기 위한, 표시 신호 비트 D1∼D5 또는 그 반전 비트 /D0∼/D5가 입력된다. 계조 전압 전달 게이트(70)는, 계조 전압 Vj가 생성되는 계조 전압 노드 Nj와 디코드 출력 노드 Nd1 사이에 접속된다.Similar configurations are formed for each of the gradation voltages V1 to V63, and correspond to the transistors T0a (j) to T5a (j) and the P-type transistors T0b (j) to corresponding to the gradation voltage Vj (an integer from 1 to 63). The display signal bits D1 to D5 or the inverting bits / D0 to / D5 for selecting the corresponding gray voltage Vj are input to the gates of each of the T5b (j). The gray voltage transfer gate 70 is connected between the gray voltage node Nj where the gray voltage Vj is generated and the decode output node Nd1.

다음으로, 전류 제한 소자(75, 76)의 구성예를 설명한다.Next, a configuration example of the current limiting elements 75 and 76 will be described.

도 8을 참조하면, 전류 제한 소자(75)는, 전원 전압 Vdd 및 제어 노드 /Ng(64) 사이에 접속된 P형 트랜지스터(79b)와, 전원 전압 Vdd 및 접지 전압 Vss 사이에 직렬로 접속된 P형 트랜지스터(80b) 및 저항 소자(81b)를 갖는다. P형 트랜지스터(80b) 및 저항 소자(81b)의 접속 노드는, P형 트랜지스터(79b, 80b)의 각 게이트와 접속된다. 저항 소자(81b)는, 박막 저항, 트랜지스터의 채널 저항 또는 불순물 확산 저항 등으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8, the current limiting element 75 is connected in series between the P-type transistor 79b connected between the power supply voltage Vdd and the control node / Ng 64 and the power supply voltage Vdd and the ground voltage Vss. P-type transistor 80b and resistance element 81b are provided. The connection node of the P-type transistor 80b and the resistance element 81b is connected to each gate of the P-type transistors 79b and 80b. The resistor element 81b can be formed of a thin film resistor, a channel resistance of a transistor, an impurity diffusion resistor, or the like.

도 9를 참조하면, 전류 제한 소자(76)는, 접지 전압 Vss 및 제어 노드 Ng(64) 사이에 접속된 N형 트랜지스터(79a)와, 전원 전압 Vdd 및 접지 전압 Vss 사이에 직렬로 접속된 N형 트랜지스터(80a) 및 저항 소자(81a)를 갖는다. N형 트랜지스터(80a) 및 저항 소자(81a)의 접속 노드는, N형 트랜지스터(79a, 80a)의 각 게이트와 접속된다. 저항 소자(81a)는, 저항 소자(81b)와 마찬가지로, 박막 저항, 트랜지스터의 채널 저항 또는 불순물 확산 저항 등으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9, the current limiting device 76 includes an N-type transistor 79a connected between the ground voltage Vss and the control node Ng 64 and an N connected in series between the power supply voltage Vdd and the ground voltage Vss. It has a type transistor 80a and a resistance element 81a. The connection node of the N-type transistor 80a and the resistance element 81a is connected to each gate of the N-type transistors 79a and 80a. Similar to the resistor element 81b, the resistor element 81a can be formed of a thin film resistor, a channel resistor of a transistor, an impurity diffusion resistor, or the like.

혹은, 도 7에서의 전류 제한 소자(75, 76)로서, 전류 미러 구성 등의 정전류 회로를 적용하는 것도 가능하다.Alternatively, as the current limiting elements 75 and 76 in Fig. 7, it is also possible to apply a constant current circuit such as a current mirror configuration.

이와 같이, 제3 실시예에 따른 디코드 회로에서는, 계조 전압 노드와 디코드 출력 노드 사이에 직렬 접속되는 트랜지스터의 개수가 적기 때문에, 계조 전압의 전달 경로의 전기 저항을 더 저감할 수 있다. 또한, 계조 전압 전달 게이트(77)를, N형 트랜지스터 및 P형 트랜지스터의 쌍으로 구성하고 있기 때문에, 계조 전압 전달 게이트(77)에서의 전압 강하가 발생하지 않는다. 그 결과, 표시 전압에의 노이즈 영향의 억제 및 화소에의 표시 전압의 기입 시간 단축을 도모할 수 있다. 특히, 일본 특개평2001-34234호 공보의 도 9에 도시한 디코드 회로와 비교하면, 트랜지스터의 배치 개수를 현저하게 증대시키지 않고, 표시 전압(계조 전압)의 전압 강하를 억제할 수 있다.As described above, in the decode circuit according to the third embodiment, since the number of transistors connected in series between the gradation voltage node and the decode output node is small, the electrical resistance of the transfer path of the gradation voltage can be further reduced. In addition, since the gray voltage transfer gate 77 is constituted by a pair of N-type transistors and P-type transistors, no voltage drop occurs in the gray voltage transfer gate 77. As a result, it is possible to suppress the influence of noise on the display voltage and to shorten the writing time of the display voltage on the pixel. In particular, compared with the decoding circuit shown in Fig. 9 of JP-A-2001-34234, the voltage drop of the display voltage (gradation voltage) can be suppressed without significantly increasing the number of arrangement of transistors.

또한, 제1 실시예로부터 제3 실시예에 따른 디코드 회로를 구성하는 P형 및 N형 트랜지스터군은, 화소(25) 내의 스위치 소자와 마찬가지로, TFT 소자로 형성할 수 있다. 이와 같이, 디코드 회로 등의 구동 회로군을 화소와 동일한 절연체 기판(유리 기판, 수지 기판) 상에 성형함으로써, 표시 장치의 소형화가 가능해져, 비용 저감을 도모할 수 있다.Further, the P-type and N-type transistor groups constituting the decode circuits according to the third to third embodiments can be formed of TFT elements, similarly to the switch elements in the pixel 25. Thus, by shaping | molding drive circuit groups, such as a decoding circuit, on the same insulator substrate (glass substrate, resin substrate) as a pixel, miniaturization of a display apparatus is attained and cost reduction can be aimed at.

도 10에는, 본 발명에 따른 디코드 회로를 구성하는 P형 TFT 및 N형 TFT의 구조예가 도시된다.10 shows an example of the structure of a P-type TFT and an N-type TFT constituting a decode circuit according to the present invention.

도 10을 참조하면, P형 TFT는, 절연체 기판(90) 상에 형성된 반도체막(95)을 이용하여 형성되며, p형 불순물이 주입된 소스/드레인 영역(101, 102)과, 게이트 전극(104)과, 소스/드레인 영역(101, 102)과 각각 전기적인 컨택트가 확보된 전극(105, 106)을 갖는다. 반도체막(95)과 게이트 전극(104) 사이에는, SiO2등으로 형성되는 게이트 절연막(103)이 형성된다.Referring to FIG. 10, a P-type TFT is formed using a semiconductor film 95 formed on an insulator substrate 90, and source / drain regions 101 and 102 into which p-type impurities are implanted and a gate electrode ( 104 and electrodes 105 and 106 with electrical contacts secured to the source / drain regions 101 and 102, respectively. A gate insulating film 103 formed of SiO 2 or the like is formed between the semiconductor film 95 and the gate electrode 104.

N형 TFT는, 폴리실리콘 등의 반도체막(95)을 이용하여 형성되며, n형 불순물이 주입된 소스/드레인 영역(151, 152)과, 게이트 전극(154)과, 소스/드레인 영역(151, 152)과 각각 전기적인 컨택트가 확보된 전극(155, 156)과, LDD(Light-Doped-Drain) 영역(160)을 갖는다. 반도체막(95)과 게이트 전극(154) 사이에는, P형 TFT와 마찬가지로 게이트 절연막(153)이 형성된다. LDD 영역(160)을 형성함으로써 드레인 전계가 완화되기 때문에, N형 TFT의 내압이 향상된다.The N-type TFT is formed using a semiconductor film 95 such as polysilicon, and source / drain regions 151 and 152 into which n-type impurities are implanted, a gate electrode 154, and a source / drain region 151 , 152, electrodes 155 and 156 having electrical contacts, respectively, and a light-doped-drain (LDD) region 160. A gate insulating film 153 is formed between the semiconductor film 95 and the gate electrode 154 similarly to the P-type TFT. Since the drain electric field is relaxed by forming the LDD region 160, the breakdown voltage of the N-type TFT is improved.

소스 및 드레인에 대응하는 전극(105, 106, 155, 156)은 일반적으로 알루미늄 등으로 형성되며, 게이트 전극(104, 154)은 크롬 등으로 형성된다. 또한, 도 10에 도시한 구조예의 TFT 소자는, 화소를 구성하는 TFT 소자와 마찬가지의 공정에 의해 제조하는 것이 가능하기 때문에, 상세한 제조 방법에 대해서는 기재를 생략한다.The electrodes 105, 106, 155, and 156 corresponding to the source and drain are generally formed of aluminum or the like, and the gate electrodes 104 and 154 are formed of chromium or the like. In addition, since the TFT element of the structural example shown in FIG. 10 can be manufactured by the process similar to the TFT element which comprises a pixel, description is abbreviate | omitted about the detailed manufacturing method.

금회 개시된 실시예는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니다라고 생각되어야 된다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정의되며, 특허 청구 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.The presently disclosed embodiment is to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the invention is defined not by the foregoing description but by the claims, and is intended to include any modifications within the meaning and range of equivalency of the claims.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는, 디지털 신호를 디코드하여 표시 전압을 생성하는 디코드 회로 내에서의 계조 전압의 각 전달 경로에서, 서로 반대 도전형인 동수씩의 전계 효과형 트랜지스터가 병렬로 접속된다. 또한, 이들의 반대 도전형의 전계 효과형 트랜지스터 중의 1개씩은, 서로 역극성의 신호를 게이트(제어 전극)로 받아 구동된다. 따라서, 이들의 반대 도전형의 전계 효과형 트랜지스터 사이에서, 기생 용량을 통해 계조 전압에 중첩되는 노이즈가 서로 역극성으로 되어 서로 상쇄된다. 그 결과, 표시 전압에의 노이즈를 억제하여, 표시 정밀도의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.As described above, in the present invention, in each transfer path of the gradation voltage in the decoding circuit which decodes the digital signal to generate the display voltage, field effect transistors of equal numbers of opposite conductivity types are connected in parallel. In addition, one of these counter-conducting field effect transistors is driven by receiving signals of opposite polarities to each other through a gate (control electrode). Therefore, between these counter-conducting field effect transistors, noises superimposed on the gray scale voltage through parasitic capacitance become reverse polarity with each other and cancel each other out. As a result, noise to the display voltage can be suppressed and the display accuracy can be improved.

또한, 디코드 회로 내에서의 계조 전압의 각 전달 경로에서, 직렬 접속되는 전계 효과형 트랜지스터의 개수를 적게 하고, 또한, 서로 반대 도전형인 전계 효과 트랜지스터를 병렬 접속함으로써, 해당 전달 경로의 전기 저항 및 해당 전달 경로에서의 전압 강하를 감소할 수 있다. 그 결과, 표시 전압에의 노이즈 영향의 억제 및 화소에의 표시 전압의 기입 시간 단축을 도모할 수 있다. 특히, 전계 효과형 트랜지스터의 배치 개수를 대폭 증가시키지 않고, 표시 전압의 전압 강하를 억제하는 것이 가능하다.In addition, by reducing the number of field effect transistors connected in series in each transfer path of the gray scale voltage in the decode circuit, and connecting the field effect transistors of opposite conductivity type in parallel, the electrical resistance of the transfer path and the corresponding The voltage drop in the transmission path can be reduced. As a result, it is possible to suppress the influence of noise on the display voltage and to shorten the writing time of the display voltage on the pixel. In particular, it is possible to suppress the voltage drop of the display voltage without significantly increasing the number of arrangement of the field effect transistor.

Claims (3)

N비트(N : 2 이상의 정수)의 디지털 신호에 따른 계조 표시를 실행하는 표시 장치에 있어서,A display device for performing gradation display in accordance with N bits (N: integer of 2 or more), 인가된 표시 전압에 따른 휘도를 표시하는 화소와,A pixel for displaying luminance according to the applied display voltage; 단계적인 2N개의 계조 전압을 2N개의 전압 노드 각각에 생성하는 계조 전압 생성 회로와,A gradation voltage generation circuit for generating stepped 2 N gradation voltages at each of the 2 N voltage nodes, 상기 2N개의 계조 전압의 하나를 상기 디지털 신호에 따라 선택하고, 선택한 상기 계조 전압을 상기 표시 전압으로서 출력 노드로 출력하는 디코드 회로를 포함하며,A decode circuit for selecting one of the 2 N gray voltages according to the digital signal, and outputting the selected gray voltages to the output node as the display voltage; 상기 디코드 회로는, 상기 2N개의 계조 전압에 각각 대응하여 설치되는 2N개의 디코드 유닛을 갖고,The decode circuit has 2 N decode units provided corresponding to the 2 N gray voltages, respectively. 상기 각 디코드 유닛은,Each decode unit is 상기 디지털 신호의 상기 N비트에 각각 대응하며, 상기 출력 노드와 대응하는 상기 전압 노드와의 사이에 직렬로 접속되는 제1 도전형의 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터와,N first field-effect transistors of a first conductivity type each corresponding to the N bits of the digital signal and connected in series between the output node and the voltage node corresponding thereto; 상기 디지털 신호의 상기 N비트에 각각 대응하며, 상기 출력 노드와 상기 대응하는 전압 노드와의 사이에 직렬로 접속되는 제2 도전형의 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터를 갖고,Respectively corresponding to the N bits of the digital signal, and having N second field effect transistors of a second conductivity type connected in series between the output node and the corresponding voltage node, 상기 제1 및 제2 도전형은 서로 반대의 도전형이며,The first and second conductivity types are opposite conductivity types, 상기 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 및 상기 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터 중, 상기 디지털 신호의 동일 비트에 대응하는 1개씩은, 상기 동일 비트 및 그 반전 비트의 한쪽씩을 각각의 제어 전극으로 받는 표시 장치.One of the N first field-effect transistors and the N second field-effect transistors, each corresponding to the same bit of the digital signal, receives one of the same bit and its inverted bit to each control electrode. Display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 각 상기 디코드 유닛에서, 상기 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 사이의 (N-1)개의 제1 접속 노드 중 적어도 1개의 제1 접속 노드는, 적어도 1개의 다른 상기 디코드 유닛 중의 상기 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 사이의 (N-1)개의 제1 접속 노드 중의 대응하는 적어도 1개의 제1 접속 노드와 전기적으로 결합되며,In each of the decode units, at least one first connection node of the (N-1) first connection nodes between the N first field effect transistors is the N first of at least one other decode unit. Is electrically coupled with the corresponding at least one first connection node of the (N-1) first connection nodes between the field effect transistors, 상기 적어도 1개의 제1 접속 노드끼리의 전기적인 결합에 의해, 상기 출력 노드에 대하여 서로 병렬로 접속되는 상기 제1 전계 효과형 트랜지스터 중의 상기 디지털 신호의 동일 비트에 대응하는 1개씩은, 상기 동일 비트 또는 그 반전 비트를 동일 극성으로 각각의 제어 전극으로 받는 표시 장치.One by one corresponding to the same bit of the digital signal in the first field-effect transistor connected to each other in parallel with the output node by electrical coupling of the at least one first connection node is the same bit. Or a display device receiving the inverting bits to the respective control electrodes with the same polarity. N비트(N : 2 이상의 정수)의 디지털 신호에 따른 계조 표시를 실행하는 표시 장치에 있어서,A display device for performing gradation display in accordance with N bits (N: integer of 2 or more), 인가된 표시 전압에 따른 휘도를 표시하는 화소와,A pixel for displaying luminance according to the applied display voltage; 단계적인 2N개의 계조 전압을 2N개의 전압 노드 각각에 생성하는 계조 전압생성 회로와,A gradation voltage generation circuit for generating stepped 2 N gradation voltages at each of the 2 N voltage nodes, 상기 2N개의 계조 전압의 하나를 상기 디지털 신호에 따라 선택하고, 선택한 상기 계조 전압을 상기 표시 전압으로서 출력 노드로 출력하는 디코드 회로를 포함하며,A decode circuit for selecting one of the 2 N gray voltages according to the digital signal, and outputting the selected gray voltages to the output node as the display voltage; 상기 디코드 회로는, 상기 2N개의 계조 전압에 각각 대응하여 설치되는 2N개의 디코드 유닛을 갖고,The decode circuit has 2 N decode units provided corresponding to the 2 N gray voltages, respectively. 상기 각 디코드 유닛은,Each decode unit is 상기 디지털 신호의 상기 N비트에 각각 대응하며, 제1 전압과 전기적으로 결합된 제1 제어 노드 및 제2 전압과의 사이에 직렬로 접속된, 제1 도전형의 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터와,N first field effect transistors of a first conductivity type, respectively corresponding to the N bits of the digital signal, connected in series between a first control node electrically coupled with a first voltage and a second voltage; Wow, 상기 디지털 신호의 상기 N비트에 각각 대응하며, 상기 제2 전압과 전기적으로 결합된 제2 제어 노드 및 상기 제1 전압 사이에 직렬로 접속된 제2 도전형의 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터와,N second field-effect transistors of a second conductivity type respectively corresponding to the N bits of the digital signal and connected in series between the first control voltage and a second control node electrically coupled with the second voltage; , 상기 출력 노드와 대응하는 상기 전압 노드와의 사이에 접속되며, 상기 제2 제어 노드와 접속된 제어 전극을 갖는 상기 제1 도전형의 제3 전계 효과형 트랜지스터와,A third field effect transistor of the first conductivity type connected between the output node and the voltage node corresponding to the output node and having a control electrode connected to the second control node; 상기 출력 노드와 상기 대응하는 전압 노드와의 사이에 접속되며, 상기 제1 제어 노드와 접속된 제어 전극을 갖는 상기 제2 도전형의 제4 전계 효과형의 트랜지스터를 갖고,A fourth field effect transistor of the second conductivity type connected between the output node and the corresponding voltage node and having a control electrode connected to the first control node, 상기 제1 및 제2 도전형은 서로 반대의 도전형이며,The first and second conductivity types are opposite conductivity types, 상기 N개의 제1 전계 효과형 트랜지스터 및 상기 N개의 제2 전계 효과형 트랜지스터 중, 상기 디지털 신호의 동일 비트에 대응하는 1개씩은, 상기 동일 비트 및 그 반전 비트의 한쪽씩을 각각의 제어 전극으로 받는 표시 장치.One of the N first field-effect transistors and the N second field-effect transistors, each corresponding to the same bit of the digital signal, receives one of the same bit and its inverted bit to each control electrode. Display device.
KR10-2003-0016999A 2002-11-13 2003-03-19 Display device KR100501140B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00329719 2002-11-13
JP2002329719A JP4133244B2 (en) 2002-11-13 2002-11-13 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040042774A true KR20040042774A (en) 2004-05-20
KR100501140B1 KR100501140B1 (en) 2005-07-18

Family

ID=32807638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0016999A KR100501140B1 (en) 2002-11-13 2003-03-19 Display device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4133244B2 (en)
KR (1) KR100501140B1 (en)
CN (1) CN1305023C (en)
TW (1) TWI232421B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525062B1 (en) * 2008-08-08 2015-06-03 탈레스 Shift register based on filed-effect transistors

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392720C (en) * 2004-07-02 2008-06-04 恩益禧电子股份有限公司 Gradation voltage selecting circuit, driver circuit, liquid crystal drive circuit, and liquid crystal display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118656B2 (en) * 1988-02-15 1995-12-18 三菱電機株式会社 Encoding circuit
JPH09292864A (en) * 1996-12-27 1997-11-11 Asahi Glass Co Ltd Digital/analog converter
US6441758B1 (en) * 1997-11-27 2002-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. D/A conversion circuit and semiconductor device
JP3551356B2 (en) * 1998-11-26 2004-08-04 関西日本電気株式会社 Integrated circuit device and liquid crystal display device using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525062B1 (en) * 2008-08-08 2015-06-03 탈레스 Shift register based on filed-effect transistors

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004163674A (en) 2004-06-10
KR100501140B1 (en) 2005-07-18
CN1305023C (en) 2007-03-14
TWI232421B (en) 2005-05-11
JP4133244B2 (en) 2008-08-13
CN1501344A (en) 2004-06-02
TW200407822A (en) 2004-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7595776B2 (en) Display apparatus, and driving circuit for the same
JP4194451B2 (en) Drive circuit, display device, and information display device
US7375705B2 (en) Reference voltage generation circuit, data driver, display device, and electronic instrument
US7656419B2 (en) Drive circuit for display apparatus and display apparatus
JP3807322B2 (en) Reference voltage generation circuit, display drive circuit, display device, and reference voltage generation method
US7499518B2 (en) Shift register and image display apparatus containing the same
JP4472507B2 (en) DIFFERENTIAL AMPLIFIER, DATA DRIVER OF DISPLAY DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING DIFFERENTIAL AMPLIFIER
US7405720B2 (en) Analog buffer circuit, display device and portable terminal
US6567066B1 (en) Driving circuit of display device
US9224356B2 (en) Digital to-analog-conversion circuit and data driver for display device
US7049991B2 (en) Semiconductor device, digital-analog converter and display device thereof
US7327339B2 (en) Image display apparatus and driving method thereof
KR100659383B1 (en) Display apparatus provided with decode circuit for gray-scale expression
JP3922261B2 (en) Data driver and display device
JP2006208498A (en) Drive circuit and display apparatus
KR100501140B1 (en) Display device
US20020100925A1 (en) Layout of a decoder and the method thereof
US7515150B2 (en) Semiconductor device capable of suppressing variation of current or voltage to be supplied to external circuit
JPH10282936A (en) Driving circuit for liquid crystal display device
JP2006018087A (en) Image display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130621

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140626

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150619

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160617

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee