KR20040038350A - Light modulator manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광 모듈레이터에 관한 것으로, 특히 리본을 기판의 표면과 동일한 평면상에 위치시키도록 하여 신뢰성과 안전성을 높이고, 대량 생산이 용이하도록한 광 모듈레이터의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical modulator, and more particularly, to a method of manufacturing an optical modulator, in which a ribbon is placed on the same plane as a surface of a substrate to increase reliability and safety and to facilitate mass production.
레이저 빔을 이용한 디스플레이 방식은 레이저 고유의 특징인 장거리 투사 능력과 직진성에 힘입어 수백인치 이상의 고선명, 고화질 화면 출력이 가능하며, 색 구현 영역이 매우 넓은 특징을 지니고 있다.The display method using the laser beam enables high-definition, high-definition screen output of hundreds of inches or more due to the long-distance projection ability and straightness, which are inherent in the laser, and has a very wide color gamut.
하지만, 광원의 소형화 및 적절한 광 변조기의 개발이 상용화의 걸림돌이 되었다.However, the miniaturization of the light source and the development of a suitable optical modulator have been obstacles to commercialization.
레이저 빔을 이용한 디스플레이 방식 중 1990년 스탠포드 대학의 데이비드 블룸(David Bloom) 교수가 개발한 격자 광 밸브(GRATING LIGHT VALVE) 방식은 빔의 회절 현상을 이용하여 화상을 구성하는 방법이다.Among the display methods using a laser beam, a grating light valve method developed by Professor David Bloom of Stanford University in 1990 is a method of composing an image using a beam diffraction phenomenon.
이 방식은 명암, 색상 등이 우수한 특성을 나타낸다. 상기 격자 광 밸브에서 광의 회절을 위한 광 모듈레이터는 표면의 미세 가공(SURFACE MICRO MACHINING) 기술을 이용하여 제작한 것으로, 실리콘 기판 상에 마이크로 브릿지 형태의 리본을 형성하고, 그 리본을 다수 단위로 하는 픽셀로 구성된다.This method exhibits excellent characteristics such as contrast and color. The optical modulator for diffraction of light in the grating light valve is manufactured by using SURFACE MICRO MACHINING technology, which forms a ribbon in the form of a microbridge on a silicon substrate, and the ribbon has a plurality of pixels. It consists of.
이하, 상기와 같은 구조의 종래 광 모듈레이터의 구성을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of a conventional optical modulator having the above structure will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1a는 종래 공간 광 모듈레이터의 사시도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1)의 상부에 절연층(2)이 위치하며, 그 절연층(2)의 상부일부에 텅스텐과 같은 고온용 금속막인 하부전극(3)이 위치하고, 그 하부전극(3)과는 소정거리 이격되며 양측단이 상기 절연층(2)에 접합된 브리지 형태의 복수의 리본(4)이 위치한다.FIG. 1A is a perspective view of a conventional spatial light modulator, in which an insulating layer 2 is positioned on an upper portion of a substrate 1 and a high temperature metal film such as tungsten is formed on an upper portion of the insulating layer 2. The lower electrode 3 is positioned, and the plurality of ribbons 4 in the form of a bridge are spaced apart from the lower electrode 3 by a predetermined distance and both ends thereof are bonded to the insulating layer 2.
상기 기판(1)은 실리콘 기판이며, 상기 절연층(2)은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 유전막이다. 상기 고온용 금속막인 하부전극(3)은 텅스텐을 사용한다.The substrate 1 is a silicon substrate, and the insulating layer 2 is a dielectric film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film. Tungsten is used for the lower electrode 3 as the high temperature metal film.
상기 복수의 리본(4)은 광반사도가 높으며, 상기 하부전극(3)에 대한 상부전극의 역할을 수행할 수 있는 알루미늄과 같은 도전물질을 사용한다.The plurality of ribbons 4 have a high light reflectivity and use a conductive material such as aluminum that can serve as an upper electrode for the lower electrode 3.
상기 하부전극(3)과 상기 복수의 리본(4) 중 교번하는 위치의 리본(4)에 전압을 인가하면 그 전압이 인가된 리본(4)이 기판(1)측으로 휘어지게 되며, 주변의 전압이 인가되지 않는 리본(4)은 고정되어 있어, 기판(1)으로 부터 리본(4)의 이격거리를 변화시킬 수 있게 된다.When a voltage is applied to the ribbon 4 at an alternate position among the lower electrode 3 and the plurality of ribbons 4, the ribbon 4 to which the voltage is applied is bent toward the substrate 1 side, and the surrounding voltage This unapplied ribbon 4 is fixed, so that the separation distance of the ribbon 4 from the substrate 1 can be changed.
이와 같이 리본(4)의 일부의 상부면을 다른 리본(4)의 상부면에 대하여 동일평면 상에 있지 않도록 함으로써, 외부에서 입사되는 광에 대한 격자를 형성하게 되며, 그 격자에 의한 회절을 이용하여 광을 변조(MODULATION)할 수 있게 된다.As such, the upper surface of a part of the ribbon 4 is not coplanar with the upper surface of the other ribbon 4, thereby forming a grating for light incident from the outside, and using diffraction by the grating. It is possible to modulate the light.
도 1b는 상기 리본(4)의 동작을 더욱 자세히 관찰할 수 있도록 한 광 모듈레이터의 측면도로서, 교번하는 리본(4)에 전압을 인가한 것이다.FIG. 1B is a side view of the optical modulator for observing the operation of the ribbon 4 in more detail, with the voltage applied to the alternating ribbon 4.
즉, 상기 복수의 리본(4) 중 전압을 인가할 수 있는 리본(4)에 전압을 인가하지 않으면 모든 리본(4)의 상부면은 모두 동일 평면상에 위치하게 되며, 이는 거울면과 동일한 효과를 나타내어 그 리본(4)의 상부면에 수직으로 입사되는 광을 그대로 반사하게 된다.That is, if no voltage is applied to the ribbon 4 to which voltage can be applied, the upper surfaces of all the ribbons 4 are all coplanar, which is the same effect as the mirror surface. To reflect light incident perpendicularly to the upper surface of the ribbon 4 as it is.
또한, 상기 복수의 리본(4) 중 전압을 인가할 수 있도록 구성된 리본(4)에 전압을 인가하면, 상기 설명한 바와 같이 그 전압이 인가된 리본(4)은 기판(1) 측으로 휘어지게 되어 리본(4)의 상부면은 격자형 구조를 나타내게 되어, 수직으로조사되는 광을 회절시키게 된다.In addition, when a voltage is applied to the ribbon 4 configured to apply a voltage among the plurality of ribbons 4, the ribbon 4 to which the voltage is applied is bent toward the substrate 1 as described above. The upper surface of (4) shows a lattice structure, which diffracts the light irradiated vertically.
상기 리본(4)의 전형적인 수는 픽셀당 6개이며, 이중 3개는 고정되어 있으며 교번되어 위치된 3개는 전압에 따라 하부 전극(3)과 전압차가 생겨 그 정전기력에 의해 움직이게된다. 따라서, 구동부의 구조가 복잡한 형태를 가지므로 구동부의 기계적 안정성과 고속 동작 시 편평도의 확보는 해결해야할 문제로 남아있다.The typical number of the ribbons 4 is six per pixel, three of which are fixed and three of which are alternately located, resulting in a voltage difference with the lower electrode 3 depending on the voltage, which is moved by its electrostatic force. Therefore, since the structure of the drive unit has a complicated shape, securing the mechanical stability of the drive unit and securing flatness during high speed operation remains a problem to be solved.
도2a는 상기 모든 리본(4)에 전압이 인가되지 않은 경우 입사된 광이 그대로 반사되는 것의 모식도이고, 도2b는 일부의 리본(4)에 전압이 인가되어 격자형 표면을 형성하여, 광이 회절되도록 하는 과정의 모식도로서, 이에 도시한 바와 같이 전압의 인가여부에 따른 반사면의 변화를 이용하여 광을 변조할 수 있게 된다.FIG. 2A is a schematic diagram of reflecting the incident light as it is when no voltage is applied to all the ribbons 4, and FIG. 2B shows a grid surface by applying a voltage to some of the ribbons 4 so that the light As a schematic diagram of a process for diffraction, light can be modulated by using a change in the reflecting surface according to whether or not a voltage is applied as shown in the drawing.
상기 공간 광 모듈레이터의 동작에서 전압이 인가된 리본(4)이 기판(1)측으로 내려가는 거리는 조사되는 광의 파장의 1/4이 되어야 최적의 회절효율을 얻을 수 있다.In the operation of the spatial light modulator, the distance at which the ribbon 4 to which the voltage is applied is lowered to the substrate 1 side must be 1/4 of the wavelength of the irradiated light to obtain an optimal diffraction efficiency.
또한, 상기 회절되는 회절각은 픽셀이 작을수록 크게되며, 디스플레이에 있어 큰 회절각은 시스템의 크기를 줄일 수 있기 때문에 바람직하다.Further, the diffraction angle to be diffracted becomes larger as the pixel is smaller, and a larger diffraction angle for the display is preferable because it can reduce the size of the system.
도3은 상기 GLV를 이용한 투사장치의 측면도로서, 이에 도시한 바와 같이 광원(5)의 광을 GLV(7)측으로 반사함과 아울러 GLV(7)에서 회절되지 않은 광을 차단하는 프리즘(6)과; 상기 GLV(7)에서 회절된 광을 집속하여 스크린(9)에 표시하는 렌즈(8)로 구성된다.Fig. 3 is a side view of the projection apparatus using the GLV, and as shown therein, the prism 6 reflects the light of the light source 5 toward the GLV 7 side and blocks the light that is not diffracted in the GLV 7. and; It consists of a lens (8) for focusing the light diffracted in the GLV (7) to display on the screen (9).
이와 같은 GLV(7)를 이용한 투사장치는 GLV(7)에서 회절된 광과 직접 반사되는 광원(5)의 광을 분리하여, 회절된 광 만을 사용하여 표시하게 되므로, 상기 반사되는 광과 회절되는 광을 정확하게 분리해야 콘트라스트가 향상된다.The projection apparatus using the GLV 7 separates the light diffracted from the GLV 7 and the light of the light source 5 that is directly reflected, and displays only the diffracted light. Accurate separation of light improves contrast.
상기 공간 광 모듈레이터의 리본(4)에 전압이 인가되지 않아 공간 광 모듈레이터의 표면이 거울면 처럼 평탄하게 위치하는 경우 조사되는 광원(5)의 광은 수직으로 반사되며, 이를 0차광이라고 하고, 상기 리본(4)의 일부에 전압이 인가되어 공간 광 모듈레이터의 반사면에 단차가 발생하여 회절되는 광을 ±1차광이라고 하면, 상기 0차광과 ±1차광이 중첩되지 않는 부분에 상기 프리즘(6)을 위치시켜 렌즈(8)에 ±1차광 만이 도달할 수 있도록 하며, 상기 렌즈(8)를 통해 집속된 광은 스크린(9) 상에 표시된다.When no voltage is applied to the ribbon 4 of the spatial light modulator so that the surface of the spatial light modulator is flat as a mirror surface, the light of the light source 5 to be irradiated is vertically reflected, which is referred to as zero-order light. When a voltage is applied to a part of the ribbon 4 to generate a step on the reflective surface of the spatial light modulator, and the diffracted light is ± 1st order light, the prism 6 is located at a portion where the 0th order light and ± 1st order light do not overlap. Is positioned so that only ± 1 st order light can reach the lens 8, and the light focused through the lens 8 is displayed on the screen 9.
상기한 바와 같이 종래에는 브릿지형 리본이 상하 기계적인 구동을 하기 때문에 기판과의 접하는 부분인 브릿지 포스트에 응력(STRESS)이 집중되며, 이에 따라 기계적인 구성이 취약한 구조적인 문제점이 있으며, 고속 동작 시 편평도가 확보되지 않아 회절이 일정하지 않은 문제점이 있었다.As described above, in the related art, since the bridge type ribbon drives up and down mechanically, stress is concentrated in the bridge post, which is in contact with the substrate, and thus there is a structural problem in which the mechanical configuration is weak. There was a problem that the diffraction is not constant because the flatness is not secured.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 브릿지형 리본을 기판과 동일한 평면상에 위치시켜 브릿지 포스트 응력을 분산함과 아울러 리본의 성능을 정확하고 다양하게 변형할 수 있으면서도 대략 생산이 용이한 광 모듈레이터 소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In consideration of the above-described problems, the present invention provides an optical modulator device that is easy to produce, while distributing bridge post stress by placing a bridge-type ribbon on the same plane as the substrate, and accurately and variously modifying the performance of the ribbon. The purpose is to provide a method.
도 1은 종래 광 모듈레이터를 도시한 것이다.1 illustrates a conventional optical modulator.
도 2는 종래 광 모듈레이터의 동작 원리를 도시한 것이다.2 illustrates the operation principle of a conventional optical modulator.
도 3은 종래 광 모듈레이터를 이용한 레이저 디스플레이의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a laser display using a conventional optical modulator.
도 4는 본 발명 광 모듈레이터 제조 방법의 일실시예를 나타낸 수순 단면도이다.4 is a procedure cross-sectional view showing an embodiment of the optical modulator manufacturing method of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10: 기판11: 절연막10 substrate 11 insulating film
12: 제 1포토레지스트13: 에어갭12: first photoresist 13: air gap
14: 희생층15: 제 2포토레지스트14: sacrificial layer 15: second photoresist
16: 리본층17: 패드부16: ribbon layer 17: pad portion
18: 전극층18: electrode layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 제 1절연층을 형성한 후 제 1포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제 1절연층과 기판의 일부를 식각하는 단계와; 상기 제 1포토레지스트와 상기 제 1절연층을 제거한 후 상기 형성된 기판 상에 제 2절연층을 형성하고, 그 상부에 희생층을 식각된 기판의 높이로 형성한 후 그 상부에 제 2포토레지스트를 형성하는 단계와; 상기 형성된 구조물을 상기 희생층이 드러나도록 전면 건식각하는 단계와; 상기 노출된 희생층을 상기 제 2절연층이 드러나도록 건식각하여 기판 상의 식각 부분을 제외한 부분의 희생층을 제거하는 단계와; 상기 잔류하는 제 2포토레지스트를 제거한 후 리본으로 사용될 리본층을 상기 구조물 상에 형성한 후 적절한 위치에서 상기 리본층 및 절연층을 식각하여 접지전극 패드부를 형성하는 단계와; 상기 형성된 구조물 상부에 반사막 및 전극층을 형성한 후 이를 패터닝하여 리본과 접지 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극층의 패턴을 이용하여 상기 희생층이 드러나도록 리본층을 식각하여 리본을 형성한 후 드러나는 희생층을 선택적으로 제거하는 단계로 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of etching the first insulating layer and a portion of the substrate using a first photoresist pattern after forming a first insulating layer on the substrate; After removing the first photoresist and the first insulating layer, a second insulating layer is formed on the formed substrate, and a sacrificial layer is formed on the formed substrate to the height of the etched substrate. Forming; Front etching the formed structure to expose the sacrificial layer; Dry etching the exposed sacrificial layer to expose the second insulating layer to remove the sacrificial layer except for the etching portion on the substrate; Removing the remaining second photoresist, forming a ribbon layer to be used as a ribbon on the structure, and then etching the ribbon layer and the insulating layer at an appropriate position to form a ground electrode pad portion; Forming a reflective layer and an electrode layer on the formed structure and patterning the reflective layer and the electrode to form a ribbon and a ground electrode; By selectively etching the ribbon layer to expose the sacrificial layer by using the pattern of the electrode layer to form a ribbon to selectively remove the exposed sacrificial layer.
상기 리본층은 Si3N4박막을 리본의 평편도를 고려하여 적절한 인장 응력이 되도록 증착하는 것을 특징으로한다.The ribbon layer is characterized in that the Si 3 N 4 thin film is deposited to have an appropriate tensile stress in consideration of the flatness of the ribbon.
상기 기판을 식각하는 깊이를 조절하는 것으로 에어갭의 높이를 조절하여 리본의 동작 거리 및 구동 전압을 조절하는 것을 특징으로 한다.By controlling the depth of etching the substrate is characterized in that the operating distance and the driving voltage of the ribbon by adjusting the height of the air gap.
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 광 모듈레이터 소자 제조 방법을 첨부된 도면 4a 내지 4h의 수순 단면도를 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the method of manufacturing the optical modulator device of the present invention configured as described above will be described in more detail with reference to the procedure cross-sectional view of the accompanying drawings 4A to 4H.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 실리콘 기판(10) 상에 SiO2유전막을 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition:LPCVD) 방법 또는 열산화막 형성 방법을 통해 형성하여 이를 제 1절연층(11)으로 사용한다. 이는 이후 기판(10) 내부에 형성할 에어갭(air-gap)을 위한 전면 식각 억제층으로 사용된다.First, as shown in FIG. 4A, a SiO 2 dielectric film is formed on a silicon substrate 10 through a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method or a thermal oxide film formation method to form a first insulating layer 11. To be used. This is then used as a front etch inhibiting layer for the air gap (gap) to be formed inside the substrate 10.
그 다음, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1절연층(11) 상에 포토레지스트(12)를 형성하고 에어갭이 형성될 위치에 맞게 패터닝한 후 건식 식각방법으로 드러난 제 1절연층(11) 및 기판(10)의 일부를 식각하여 에어갭(13)을 형성한다. 상기 기판(10)이 식각되는 에어갭(13)의 깊이는 자유롭게 조절될 수 있는데, 이를 통해 이후 형성될 리본의 동작 전압 및 리본의 동작 거리를 정밀하게 설정할 수 있게된다. 즉, 광 모듈레이터의 성능 및 특성을 쉽게 조절할 수 있다는 의미가 된다.Next, as shown in FIG. 4B, after forming the photoresist 12 on the first insulating layer 11 and patterning the photoresist 12 to a position where an air gap is to be formed, the first insulating layer exposed by a dry etching method ( 11) and a portion of the substrate 10 are etched to form an air gap 13. The depth of the air gap 13 in which the substrate 10 is etched can be freely adjusted, thereby enabling to precisely set the operating voltage of the ribbon to be formed and the operating distance of the ribbon. That is, it means that the performance and characteristics of the optical modulator can be easily adjusted.
그 다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1포토레지스트(12)와 상기 제 1절연층(11)을 제거한 후 상기 에어갭(13)이 형성된 기판 상에 제 2절연층(11')을 형성하고, 그 상부에 희생층(14)을 식각된 기판의 높이로 형성한 후 그 상부에 제 2포토레지스트(15)를 형성한다. 상기 제 2절연층(11')은 절연 및 식각 억제층으로서 역시 SiO2유전막을 LPCVD 또는 열산화 공정을 통해 형성되며, 상기 희생층(14)은 폴리 실리콘을 LPCVD 등의 방법으로 형성한다. 이때, 상기 희생층(14)의 두께는 상기 기판 상에 형성한 에어갭(13)의 높이와 동일하게 한다.Next, as shown in FIG. 4C, after the first photoresist 12 and the first insulating layer 11 are removed, the second insulating layer 11 ′ is formed on the substrate on which the air gap 13 is formed. The sacrificial layer 14 is formed on the upper portion of the substrate, and the second photoresist 15 is formed thereon. The second insulating layer 11 ′ is also an insulating and etching inhibiting layer, and a SiO 2 dielectric layer is formed through LPCVD or thermal oxidation, and the sacrificial layer 14 forms polysilicon by LPCVD or the like. At this time, the thickness of the sacrificial layer 14 is equal to the height of the air gap 13 formed on the substrate.
이후 형성되는 상기 제 2포토레지스트(15)는 에어갭 부분(13)의 굴곡에 의해 완만한 경사면을 가지게 된다.Since the second photoresist 15 is formed to have a gentle inclined surface by the bending of the air gap portion (13).
그 다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 제 2포토레지스트(15)를 마스크 없이 전면 식각하여 상기 에어갭(13) 부분에 형성된 제 2포토레지스트(15)를 제외한 제 2포토레지스트(15)가 제거되어 희생층(14)이 드러나도록 한다.Next, as shown in FIG. 4D, the second photoresist 15 is etched entirely without a mask, except for the second photoresist 15 formed on the air gap 13. Is removed to expose the sacrificial layer 14.
그 다음, 도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 노출된 희생층(14)을 상기 제 2절연층(11')이 드러나도록 건식각하여 기판 상의 희생층(14)을 제거하는데, 에어갭 부분에 형성된 희생층(14)은 그 상부에 잔류하는 제 2포토레지스트(15)에의해 보호된다.Next, as shown in FIG. 4E, the exposed sacrificial layer 14 is dry etched to expose the second insulating layer 11 ′ to remove the sacrificial layer 14 on the substrate. The sacrificial layer 14 formed is protected by the second photoresist 15 remaining thereon.
그 다음,도 4f에 도시된 바와 같이 상기 잔류하는 제 2포토레지스트(15)를 제거하는 것으로 에어갭(13)이 희생층(14)으로 채워진 평탄한 하부 구조물이 구성된다. 그 상부에 리본으로 사용될 Si3N4리본층(16)을 편평도를 고려한 적절한 인장 응력(tensile stress)이 되도록 형성한 후 적절한 위치에서 상기 리본층 및 절연층을 식각하여 접지전극 패드부(17)를 형성한다. 즉, 기판(10) 자체를 정전기력의 접지 전극으로 사용하기 위해서 상기 에어갭(13) 이외의 위치에 실리콘 기판(10)이 노출되도록 포토레지스트 패턴(미도시)을 이용하여 건식 식각을 실행한 것이다.Next, as shown in FIG. 4F, the remaining second photoresist 15 is removed to form a flat lower structure in which the air gap 13 is filled with the sacrificial layer 14. The Si 3 N 4 ribbon layer 16 to be used as a ribbon is formed on the upper portion thereof so as to have an appropriate tensile stress in consideration of flatness, and then the ribbon layer and the insulating layer are etched at an appropriate position, thereby forming the ground electrode pad portion 17. To form. That is, in order to use the substrate 10 itself as a ground electrode of electrostatic force, dry etching is performed using a photoresist pattern (not shown) to expose the silicon substrate 10 to a position other than the air gap 13. .
그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 구조물 상부에 반사막 및 전극층을 형성한 후 이를 패터닝하여 상부전극(18)과 접지 전극(18')을 형성한다. 상기 전극층으로 사용될 금속 박막은 다수의 고정 및 동작 리본의 형상을 가지는 상부 전극(18)이 됨과 동시에 접지 전극(18') 패드가 되도록 패터닝된다. 그 다음, 상기 형성된 상부 전극(18)을 패턴으로 이용하여 리본층(16)을 건식각 하는 것으로 다수의 리본 브릿지를 형성하면서 하부 희생층(14)을 노출시킨다.Next, as shown in FIG. 4G, the reflective film and the electrode layer are formed on the formed structure and then patterned to form the upper electrode 18 and the ground electrode 18 ′. The metal thin film to be used as the electrode layer is patterned to become the top electrode 18 having the shape of a plurality of fixed and operational ribbons and at the same time a ground electrode 18 'pad. Next, the ribbon layer 16 is dry-etched using the formed upper electrode 18 as a pattern to expose the lower sacrificial layer 14 while forming a plurality of ribbon bridges.
마지막으로, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 드러난 희생층(14)을 XeF2가스를 이용하여 선택적으로 제거하는 것으로 에어갭(13)이 형성된다.Finally, as shown in FIG. 4H, the air gap 13 is formed by selectively removing the exposed sacrificial layer 14 using XeF 2 gas.
즉, 기판(10)과 동일 평면상에 브릿지 구조체를 제작한 광 모듈레이터 소자를 제조할 수 있게 되며, 상기 에어갭(13)의 높이를 조절하는 것으로 리본의 구동 전압 및 속도, 사용 레이저빔의 파장들을 용이하고 정확하게 설정할 수 있다. 또한, 리본 브릿지의 평탄함이 제공하는 기계적 안정성과 신뢰성이 향상되고, 불순물 입자(particle)들의 유입이 방지된다.That is, it is possible to manufacture an optical modulator device fabricated with a bridge structure on the same plane as the substrate 10, by adjusting the height of the air gap 13, the drive voltage and speed of the ribbon, the wavelength of the laser beam used Can be set easily and accurately. In addition, the mechanical stability and reliability provided by the flatness of the ribbon bridge is improved, and the introduction of impurity particles is prevented.
상기한 바와 같이 본 발명은 브릿지형 리본을 기판과 동일한 평면상에 위치시키며, 에어갭을 기판 내부에 자유롭게 조절하면서 구성할 수 있도록 하는 것으로 리본의 구동 전압 및 속도, 사용 레이저 빔의 파장을 고려한 정밀 설계가 가능할뿐만 아니라 기판과 평탄한 브릿지 포스트의 응력 분산으로 인해 기계적 안정성과 신뢰성이 개선되며, 외부 불순물 입자들로부터 소자를 보호할 수 있기 때문에 고성능, 고수율, 저가격의 광 모듈레이터를 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention allows the bridge type ribbon to be positioned on the same plane as the substrate, and can be configured while freely adjusting the air gap inside the substrate, taking into consideration the driving voltage and speed of the ribbon and the wavelength of the laser beam used. Not only is it possible to design, but also the stress dispersion between the substrate and the flat bridge post improves mechanical stability and reliability, and protects the device from external impurity particles. There is.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020067248A KR100924285B1 (en) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Light modulator manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020067248A KR100924285B1 (en) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Light modulator manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040038350A true KR20040038350A (en) | 2004-05-08 |
| KR100924285B1 KR100924285B1 (en) | 2009-10-30 |
Family
ID=37336570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020067248A KR100924285B1 (en) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Light modulator manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100924285B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815348B1 (en) * | 2004-04-29 | 2008-03-19 | 삼성전기주식회사 | Transmissive Diffractive Modulator |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751469A (en) * | 1996-02-01 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for an improved micromechanical modulator |
| US6233087B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-05-15 | Eastman Kodak Company | Electro-mechanical grating device |
| US6268948B1 (en) * | 1999-06-11 | 2001-07-31 | Creo Products Inc. | Micromachined reflective light valve |
| KR100425686B1 (en) * | 2001-09-28 | 2004-04-03 | 엘지전자 주식회사 | Optical modulator and manufacturing method thereof |
-
2002
- 2002-10-31 KR KR1020020067248A patent/KR100924285B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815348B1 (en) * | 2004-04-29 | 2008-03-19 | 삼성전기주식회사 | Transmissive Diffractive Modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100924285B1 (en) | 2009-10-30 |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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